TW202105509A - 阻抗匹配裝置、異常診斷方法及異常診斷程式 - Google Patents

阻抗匹配裝置、異常診斷方法及異常診斷程式 Download PDF

Info

Publication number
TW202105509A
TW202105509A TW109111103A TW109111103A TW202105509A TW 202105509 A TW202105509 A TW 202105509A TW 109111103 A TW109111103 A TW 109111103A TW 109111103 A TW109111103 A TW 109111103A TW 202105509 A TW202105509 A TW 202105509A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
value
detector
radio frequency
impedance matching
load
Prior art date
Application number
TW109111103A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI821551B (zh
Inventor
加藤秀生
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202105509A publication Critical patent/TW202105509A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI821551B publication Critical patent/TWI821551B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/64—Testing of capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

本發明之課題為自行診斷構成阻抗匹配裝置的各構件是否異常。 本發明之解決手段為具有：可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間；第1偵測器，其偵測用於判定射頻電源與負載之間的阻抗匹配之指標值，與表示從射頻電源輸入的射頻信號之狀態的第1狀態值；第2偵測器，其偵測表示向負載輸出的射頻信號之狀態的第2狀態值；調整部，其分階段調整可變電容元件的電容值，使得由第1偵測器所偵測的指標值收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內；及診斷部，其根據由調整部所調整的電容值、由第1偵測器所偵測的第1狀態值、及由第2偵測器所偵測的第2狀態值，而診斷可變電容元件、第1偵測器或者第2偵測器是否異常。

Description

阻抗匹配裝置、異常診斷方法及異常診斷程式
本發明係關於阻抗匹配裝置、異常診斷方法及異常診斷程式。
以往，已知使用電漿對晶圓等被處理體進行電漿處理的電漿處理裝置。這種電漿處理裝置例如在可構成真空空間的處理容器內具有兼具電極的功能並且固持被處理體的載置台。電漿處理裝置對載置台從射頻電源施加預定的射頻信號，同時對被載置在載置台的被處理體進行電漿處理。在射頻電源與成為負載的處理容器之間，配置用於在射頻電源與處理容器之間進行阻抗匹配的阻抗匹配裝置。阻抗匹配裝置例如藉由具有連接在射頻電源與負載之間的可變電容元件，並且調整可變電容元件的電容值，而進行阻抗匹配。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-295447號公報
[發明所欲解決的課題]
本發明提供可自行診斷構成阻抗匹配裝置的各構件是否異常的技術。 [用於解決課題的手段]
依照本發明的一態様之阻抗匹配裝置具有：可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間；第1偵測器，其偵測用於判定前述射頻電源與前述負載之間的阻抗匹配之指標值，與表示從前述射頻電源輸入的射頻信號之狀態的第1狀態值；第2偵測器，其偵測表示向前述負載輸出的射頻信號之狀態的第2狀態值；調整部，其分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的指標值收斂到表示前述阻抗匹配結束的目標範圍內；及診斷部，其根據由前述調整部所調整的電容值、由前述第1偵測器所偵測的第1狀態值、及由前述第2偵測器所偵測的第2狀態值，而診斷前述可變電容元件、前述第1偵測器或者前述第2偵測器是否異常。 [發明效果]
依照本發明，會發揮可自行診斷構成阻抗匹配裝置的各構件是否異常的效果。
以下，參考圖式詳細說明各個實施形態。並且，在各圖式中，針對同一或者相當的部分附加同一的符號。
以往，已知使用電漿對晶圓等被處理體進行電漿處理的電漿處理裝置。這種電漿處理裝置例如在可構成真空空間的處理容器內具有兼具電極的功能並且固持被處理體的載置台。電漿處理裝置將從射頻電源供給的預定之射頻信號施加到載置台，同時對被載置在載置台的被處理體進行電漿處理。在射頻電源與成為負載的處理容器之間，配置用於在射頻電源與處理容器之間進行阻抗匹配的阻抗匹配裝置。阻抗匹配裝置例如藉由具有連接在射頻電源與負載之間的可變電容元件，並且調整可變電容元件的電容值，而進行阻抗匹配。
另外，在阻抗匹配裝置，並未考慮到自行診斷可變電容元件等各構件是否異常。因此，期待自行診斷構成阻抗匹配裝置的各構件是否異常。
[第1實施型態] （前提技術中的電漿處理裝置之構成） 圖1為表示前提技術中的電漿處理裝置1之圖。圖1所示的電漿處理裝置1具備腔室（處理容器）12、及微波輸出裝置16。電漿處理裝置1構成作為由微波激發氣體的微波電漿處理裝置。電漿處理裝置1具有平台14、天線18、及介電窗20。
腔室12在其內部提供處理空間S。腔室12具有側壁12a及底部12b。側壁12a形成為略筒狀。側壁12a的中心軸線大致等同於朝垂直方向延伸的軸線Z。底部12b被設置在側壁12a的下端側。在底部12b，設置排氣用的排氣孔12h。又，側壁12a的上端部具有開口。
在側壁12a的上端部之上，設置介電窗20。該介電窗20具有與處理空間S相向的下表面20a。介電窗20封閉側壁12a的上端部之開口。在介電窗20與側壁12a的上端部之間，隔著O形環19。藉由O形環19，腔室12的密閉更為確實。
平台14被收納在處理空間S內。平台14在垂直方向被設置成與介電窗20相向。又，平台14被設置成在介電窗20與該平台14之間夾持處理空間S。該平台14構成為支撐被載置於其上的被處理體也就是晶圓W。
平台14包含基台14a及静電吸盤14c。基台14a具有略圓盤狀，並且由鋁等導電性的材料所形成。基台14a的中心軸線大致等同於軸線Z。基台14a由筒狀支撐部48支撐。筒狀支撐部48由絕緣性的材料所形成，並且從底部12b朝垂直上方延伸。在筒狀支撐部48的外周，設置導電性的筒狀支撐部50。筒狀支撐部50沿著筒狀支撐部48的外周從腔室12的底部12b朝垂直上方延伸。在筒狀支撐部50與側壁12a之間，形成有環狀的排氣通道51。
在排氣通道51的上部，設置緩衝板52。緩衝板52為環狀。在緩衝板52，形成有將該緩衝板52沿著板厚方向貫通的多個貫通孔。在緩衝板52的下方，設置上述排氣孔12h。對排氣孔12h，經由排氣管54連接著排氣裝置56。排氣裝置56具有自動壓力控制閥（APC：Automatic Pressure Control Valve）、及渦輪分子泵浦等真空泵浦。可藉由排氣裝置56，而將處理空間S減壓到期望的真空度。
基台14a兼具射頻電極。對基台14a，經由供電棒62及匹配單元60，電性連接射頻偏壓用的射頻電源58。射頻電源58以適合控制吸引到晶圓W的離子之能量的一定頻率，例如13.65MHz的射頻（以下為了方便稱為「偏壓用射頻」）等經設定的功率輸出。匹配單元60為用於在射頻電源58、及主要為電極、電漿、腔室12等負載之間進行阻抗匹配的阻抗匹配裝置。
在基台14a的上表面，設置静電吸盤14c。静電吸盤14c將晶圓W以静電吸附力固持。静電吸盤14c包含電極14d、絕緣膜14e、及絕緣膜14f，大體上具有圓盤狀。静電吸盤14c的中心軸線大致等同於軸線Z。静電吸盤14c的電極14d由導電膜所構成，並且被設置在絕緣膜14e與絕緣膜14f之間。直流電源64經由開關66及被覆線68電性連接於電極14d。静電吸盤14c藉由直流電源64所施加的直流電壓所產生的庫倫力，而可吸附固持晶圓W。又，在基台14a上，設置聚焦環14b。聚焦環14b被配置成包圍晶圓W及静電吸盤14c。
在基台14a的內部，設有冷媒室14g。冷媒室14g例如形成為以軸線Z為中心延伸。經由配管70對冷媒室14g供給來自冷卻單元的冷媒。供給到冷媒室14g的冷媒經由配管72返回冷卻單元。該冷媒的溫度由冷卻單元所控制，藉此，控制静電吸盤14c的溫度，進而控制晶圓W的溫度。
又，在平台14形成有氣體供給管路74。該氣體供給管路74係為了將例如He氣體的導熱氣體供給到静電吸盤14c的上表面與晶圓W的背面之間而設置。
微波輸出裝置16產生具有配合設定功率的功率之微波信號。微波輸出裝置16例如輸出用於使供給到腔室12內的處理氣體激發的單一頻率也就是單峰（SP）的微波信號。微波輸出裝置16構成為可變調整微波的頻率及功率。在一例中，微波輸出裝置16可將微波的功率在0W～5000W的範圍內調整，可將微波的頻率在2400MHz～2500MHz的範圍內調整。
電漿處理裝置1還具備導波管21、調諧器26、模態轉換器27、及同軸導波管28。導波管21及同軸導波管28為將由微波輸出裝置16所產生的微波信號導向腔室12的後述天線18的導波管。微波輸出裝置16的輸出部連接到導波管21的一端。導波管21的另一端連接到模態轉換器27。導波管21例如為矩形導波管。在導波管21，設有調諧器26。調諧器26具有可動短路板S1～S4。可動短路板S1～S4的各者構成為可調整其相對於導波管21的內部空間之突出量。調諧器26藉由調整可動短路板S1～S4的各者相對於成為基準的預定位置之突出位置，而使微波輸出裝置16的阻抗及負載，例如與腔室12的阻抗匹配。
模態轉換器27轉換來自導波管21的微波信號之模態，將模態轉換後的微波信號供給到同軸導波管28。同軸導波管28包含外側導體28a及內側導體28b。外側導體28a具有略圓筒形狀，其中心軸線大致等同於軸線Z。內側導體28b具有略圓筒形狀，在外側導體28a的內側延伸。內側導體28b的中心軸線大致等同於軸線Z。同軸導波管28將來自模態轉換器27的微波信號傳送到天線18。
天線18被設置在介電窗20的下表面20a之相反側的面20b上。天線18包含狹縫板30、介電板32、及冷卻套管34。
狹縫板30被設置在介電窗20的面20b上。狹縫板30由具有導電性的金屬所形成，具有略圓盤狀。狹縫板30的中心軸線大致等同於軸線Z。在狹縫板30形成有多個狹縫孔30a。多個狹縫孔30a在一例中構成多個狹縫對。多個狹縫對的各者包含朝彼此交叉的方向延伸的略長孔狀之二個狹縫孔30a。多個狹縫對沿著軸線Z周圍的一個以上的同心圓而排列。又，在狹縫板30的中央部形成後述導管36可通過的貫通孔30d。
介電板32被設置在狹縫板30上。介電板32由石英等介電材料所形成，具有略圓盤狀。介電板32的中心軸線大致等同於軸線Z。冷卻套管34被設置在介電板32上。介電板32被設置在冷卻套管34與狹縫板30之間。
冷卻套管34的表面具有導電性。在冷卻套管34的內部形成有流道34a。對於流道34a供給冷媒。外側導體28a的下端電性連接於冷卻套管34的上部表面。又，內側導體28b的下端通過在冷卻套管34及介電板32的中央部分所形成的孔而電性連接到狹縫板30。
來自同軸導波管28的微波信號在介電板32內傳播，從狹縫板30的多個狹縫孔30a供給到介電窗20。供給到介電窗20的微波信號被導入處理空間S。
導管36通過同軸導波管28的內側導體28b之內孔。又，如上述，在狹縫板30的中央部形成有導管36可通過的貫通孔30d。導管36通過內側導體28b的內孔而延伸，連接到氣體供給系統38。
氣體供給系統38將用於處理晶圓W的處理氣體供給到導管36。氣體供給系統38可包含氣體源38a、閥38b、及流量控制器38c。氣體源38a為處理氣體的氣體源。閥38b切換來自氣體源38a的處理氣體之供給及停止供給。流量控制器38c例如為質流控制器，調整來自氣體源38a的處理氣體之流量。
電漿處理裝置1還可具備注入器41。注入器41將來自導管36的氣體供給到在介電窗20所形成的貫通孔20h。供給到介電窗20的貫通孔20h之氣體被供給到處理空間S。然後，藉由從介電窗20導入處理空間S的微波信號，而激發該處理氣體。藉此，在處理空間S內生成電漿，藉由來自該電漿的離子及/或自由基等活性種而處理晶圓W。
電漿處理裝置1還具備控制器100。控制器100一併控制電漿處理裝置1的各部。控制器100可具備：CPU等處理器、使用者介面、及記憶部。
處理器藉由執行記憶部所記憶的程式及製程配方，而一併控制微波輸出裝置16、平台14、氣體供給系統38、排氣裝置56等各部。又，處理器在記憶部記憶各種測定值等。
使用者介面包含：將工程管理者為了管理電漿處理裝置1而進行的命令之輸入操作等之鍵盤或者觸控面板；將電漿處理裝置1的運作狀況等可視化而顯示的顯示器等。
在記憶部保存：用於將在電漿處理裝置1所執行的各種處理藉由處理器的控制而實現的控制程式（軟體）；及包含製程條件資料等的製程配方等。處理器將來自使用者介面的指示等從記憶部呼叫而執行，必要時也將各種控制程式從記憶部呼叫而執行。在這種處理器的控制下，於電漿處理裝置1執行期望的處理。又，在記憶部，可將對應到已執行的製程配方（製程條件）之監視結果建立關連而予以記憶。監視結果包含上述調諧器位置及藉由微波輸出裝置16而量測的測定值（後述）等。
（阻抗匹配裝置的構成） 以下，說明第1實施形態中之阻抗匹配裝置110的構成。圖2為第1實施形態中的阻抗匹配裝置110之構成的一例之圖。圖1所示的阻抗匹配裝置110之構造例如可應用到圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1所具有的匹配單元60。圖1所示的阻抗匹配裝置110具有：連接到射頻電源的輸入端110a；及連接到負載的輸出端110b。射頻電源例如為圖1所示的射頻電源58，負載例如為圖1所示的腔室12等。輸入端110a為從射頻電源輸入射頻信號的端子，輸出端110b為向負載輸出射頻信號的端子。以下，為了方便將從射頻電源向輸入端110a輸入的射頻信號稱為「輸入射頻信號」，將從輸出端110b向負載輸出的射頻信號稱為「輸出射頻信號」。
又，阻抗匹配裝置110具有：阻抗匹配部120，其位在輸入端110a與輸出端110b之間；輸入偵測器130；輸出偵測器140；記憶部150；及控制部160。並且，記憶部150及控制部160可被設置在阻抗匹配裝置110的外部。
阻抗匹配部120經由配線110c而連接到輸入端110a，經由配線110d而連接到輸出端110b。阻抗匹配部120具有串聯連接到配線110c及配線110d的線圈121、線圈122及線圈123。又，阻抗匹配部120具有在射頻電源與負載之間（也就是輸入端110a與輸出端110b之間）連接的可變電容器124、可變電容器125及電容器126。可變電容器124與可變電容器125在輸入端110a與輸出端110b之間並聯連接，並且其電容值可變。可變電容器124與可變電容器125的電容值由後述控制部160之調整部161調整。電容器126在輸入端110a與輸出端110b之間並聯連接，並且其電容值被固定。並且，在射頻電源與負載之間連接的可變電容器之數量不限於2個，可為1個，也可為3個以上。可變電容器124及可變電容器125的各者為可變電容元件的一例，也可使用線圈代替電容器。並且，阻抗匹配部120的構成可使用π型或逆L型等各種構成。
輸入偵測器130被配置在配線110c上並且偵測：用於判定射頻電源與負載之間的阻抗匹配的「指標值」；及表示從射頻電源向輸入端110a輸入的射頻信號（也就是輸入射頻信號）的狀態之「第1狀態值」。具體而言，輸入偵測器130偵測輸入射頻信號的電壓與電流之間的相位差作為指標值，偵測輸入射頻信號的功率值作為第1狀態值。輸入偵測器130為第1偵測器的一例。又，作為指標值，不僅可使用輸入射頻信號的電壓與電流之間的相位差，也可使用輸入進行波功率值及輸入反射波功率值。
輸出偵測器140被配置在配線110d上並且偵測：表示從輸出端110b向負載輸出的射頻信號（也就是輸出射頻信號）的狀態之「第2狀態值」。具體而言，輸出偵測器140偵測輸出射頻信號的功率值作為第2狀態值。輸出偵測器140為第2偵測器的一例。
記憶部150例如為硬碟、光碟、半導體記憶體元件等任意的記憶裝置。控制部160例如為CPU（Central Processing Unit）、MPU（Micro Processing Unit）等處理器。
在記憶部150儲存程式或各種資料，其用於在控制部160的控制下執行在阻抗匹配裝置110所執行的各種處理。例如，在記憶部150儲存損失資料151。
損失資料151為表示阻抗匹配部120整體的損失相對於可變電容器124、125的電容值之關係的資料。損失資料151例如為將損失相對於可變電容器124、125的電容值建立對應的表格之資料。並且，損失資料151可為從可變電容器124、125的電容值算出損失的數學式之資料。
控制部160藉由將記憶部150所儲存的程式讀取執行，而發揮作為各種處理部的功能。例如，控制部160具有調整部161、及診斷部162。
調整部161分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器130所偵測的相位差收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內。具體而言，調整部161以配合該相位差的調整量，重複調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器130所偵測的相位差收斂到目標範圍內。然後，調整部161在由輸入偵測器130所偵測的相位差收斂到目標範圍內時，判定為阻抗匹配已完成，結束可變電容器124、125的電容值之調整。又，調整部161在輸入進行波功率值及輸入反射波功率值收斂到目標範圍內時，也可判定為阻抗匹配已結束。
診斷部162根據由調整部161所調整的電容值、由輸入偵測器130所偵測的功率值、及由輸出偵測器140所偵測的功率值，而診斷可變電容器124及125、輸入偵測器130或者輸出偵測器140是否異常。以下，為了方便將可變電容器124及125、輸入偵測器130或者輸出偵測器140標記為「可變電容器124及125等」。
在此，說明藉由診斷部162進行異常診斷的一例。首先，診斷部162根據由調整部161所調整的電容值、及由輸入偵測器130所偵測的功率值，而算出輸出射頻信號的功率值之理論值。例如，診斷部162使用損失資料151而取得對應於由調整部161所調整的電容值之損失。然後，診斷部162將取得的損失從由輸入偵測器130所偵測的功率值扣除，而算出輸出射頻信號的功率值之理論值。由診斷部162所算出的輸出射頻信號之功率值的理論值Pout 由以下的數學式（1）表示。 Pout ＝Pin －Ploss （C1、C2） ・・・（1）
在數學式（1），Pin 為輸入射頻信號的功率值，Ploss （C1、C2）為對應於可變電容器124、125的電容值C1、C2之損失。
然後，診斷部162在算出的功率值之理論值與由輸出偵測器140所偵測的功率值之差為預定的閾值以上時，判定為可變電容器124、125等已發生異常。
藉此，在阻抗匹配裝置110，可使用實際偵測的輸出射頻信號之功率值與輸出射頻信號的功率值之理論值之間的差異而判定是否發生異常，而可自行診斷構成阻抗匹配裝置110的各構件是否異常。
（阻抗匹配裝置的處理動作） 然後，說明第1實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作。圖3為表示第1實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作的一例之流程圖。在阻抗匹配裝置110應用於圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1具有的匹配單元60時，圖3所示的處理動作例如在電漿處理裝置1中對晶圓W開始電漿處理的時間點執行。
如圖3所示，調整部161取得由輸入偵測器130所偵測的輸入射頻信號之電壓與電流之間的相位差、及輸入射頻信號的功率值（步驟S11）。
調整部161判定已取得相位差是否收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內（步驟S12）。調整部161在取得的相位差並未收斂到目標範圍內時（步驟S12「否」），以配合該相位差的調整量，調整可變電容器124、125的電容值（步驟S13），使處理返回步驟S11。藉此，在相位差收斂到目標範圍內為止，重複調整可變電容器124、125的電容值。
另外，調整部161在已取得相位差收斂到目標範圍內時（步驟S12「是」），使可變電容器124、125的電容值之調整結束，使處理前進到步驟S14。
診斷部162使用損失資料151，取得對應由調整部161所調整的可變電容器124、125之電容值的損失（步驟S14）。然後，診斷部162將取得的損失從在步驟S11所取得的輸入射頻信號之功率值扣除，而算出輸出射頻信號的功率值之理論值（步驟S15）。
診斷部162取得由輸出偵測器140所偵測的輸出射頻信號之功率值（步驟S16）。
診斷部162判定在步驟S15所算出的輸出射頻信號之功率值的理論值與在步驟S16所取得的輸出射頻信號之功率值的差是否為預定的閾值以上（步驟S17）。診斷部162在算出的輸出射頻信號之功率值的理論值、與取得的輸出射頻信號之功率值的差未達預定的閾值時（步驟S17「否」），判定為可變電容器124、125等未發生異常（步驟S18）。另外，診斷部162在算出的輸出射頻信號之功率值的理論值與取得的輸出射頻信號之功率值的差為預定的閾值以上時（步驟S17「是」），判定為可變電容器124、125等已發生異常（步驟S19）。
並且，診斷部162診斷可變電容器124、125等是否異常之後，可使表示可變電容器124、125等是否發生異常的診斷結果由預定的輸出部輸出。又，診斷部162在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可發出警報。警報若對阻抗匹配裝置110的管理者等告知異常，則可採用任一方式。又，診斷部162在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可使射頻電源停止而切斷輸入射頻信號。
以上，第1實施形態中的阻抗匹配裝置110具有：可變電容器124、125；輸入偵測器130；輸出偵測器140；調整部161；及診斷部162。可變電容器124、125連接在射頻電源（例如，射頻電源58）與負載（例如，腔室12等）之間。輸入偵測器130偵測：指標值，其用於判定射頻電源與負載之間的阻抗匹配；及第1狀態值，其表示從射頻電源輸入的射頻信號之狀態。輸出偵測器140偵測第2狀態值，其表示向負載輸出的射頻信號之狀態。調整部161分階段調整可變電容器124、125的電容值，使被偵測的指標值收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內。診斷部162根據調整後的電容值、被偵測的第1狀態值、及被偵測的第2狀態值，而診斷可變電容器124及125、輸入偵測器130或者輸出偵測器140是否異常。藉此，阻抗匹配裝置110可自行診斷構成阻抗匹配裝置110的各構件（例如，可變電容器124及125、輸入偵測器130或者輸出偵測器140）是否異常。
又，在第1實施形態中的阻抗匹配裝置110，輸入偵測器130偵測從射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流的相位差作為指標值，偵測從射頻電源輸入的射頻信號之功率值作為第1狀態值。輸出偵測器140偵測輸出到負載的射頻信號之功率值作為第2狀態值。調整部161分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器130所偵測的相位差收斂到目標範圍內。診斷部162根據調整後的電容值及由輸入偵測器130所偵測的功率值，而算出向負載輸出的射頻信號之功率值的理論值。診斷部162在算出的功率值之理論值與由輸出偵測器140所偵測的功率值之差為預定的閾值以上時，判定為已發生異常。藉此，阻抗匹配裝置110可使用實際偵測的輸出射頻信號之功率值與輸出射頻信號的功率值之理論值之間的差距而高精度判定是否發生異常。
[第2實施型態] 然後，說明第2實施形態。
（阻抗匹配裝置的構成） 圖4為表示第2實施形態中的阻抗匹配裝置110之構成的一例之圖。第2實施形態中的阻抗匹配裝置110為與圖2所示的第1實施形態中的阻抗匹配裝置110具有大致相同的構成，故針對同一部分附加同一符號而省略說明，並且主要說明相異的部分。圖4所示的阻抗匹配裝置110之構造例如可應用於圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1具有的匹配單元60。
圖4所示的阻抗匹配裝置110具有輸出偵測器141及診斷部163取代圖2所示的輸出偵測器140及診斷部162。
輸出偵測器141偵測從輸出端110b向負載輸出的射頻信號（也就是輸出射頻信號）的Vpp 值、及負載側的阻抗值作為第2狀態值。Vpp 值係指射頻信號的電壓之振幅值。
診斷部163根據由調整部161所調整的電容值、由輸入偵測器130所偵測的功率值、及由輸出偵測器141所偵測的Vpp 值及負載側之阻抗值，而診斷可變電容器124、125等是否異常。
在此，說明診斷部163進行的異常診斷之一例。首先，診斷部163根據由調整部161所調整的電容值、由輸入偵測器130所偵測的功率值、及由輸出偵測器141所偵測的負載側之阻抗值，而算出Vpp 值的理論值。例如，診斷部163使用損失資料151，而取得對應由調整部161所調整的電容值之損失。然後，診斷部163將取得的損失從由輸入偵測器130所偵測的功率值扣除，而算出輸出射頻信號的功率值之理論值。由診斷部163所算出的輸出射頻信號之功率值的理論值Pout 由上述數學式（1）表示。然後，診斷部163根據算出的輸出射頻信號之功率值的理論值、及由輸出偵測器141所偵測的負載側之阻抗值，而如同以下的數學式（2）所示算出Vpp 值的理論值。 【數學式1】
Figure 02_image001
在數學式（2），Vpp 為Vpp 值的理論值，Pout 為輸出射頻信號的功率值之理論值，R為負載側的阻抗值之實部，X為負載側的阻抗值之虛部。
然後，診斷部163在算出的Vpp 值之理論值與由輸出偵測器141所偵測的Vpp 值之差為預定的閾值以上時，判定為可變電容器124、125等已發生異常。
藉此，在阻抗匹配裝置110，可使用實際偵測的Vpp 值與Vpp 值的理論值之間的差距而判定是否發生異常，而可自行診斷構成阻抗匹配裝置110的各構件是否異常。
（阻抗匹配裝置的處理動作） 然後，說明第2實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作。圖5為表示第2實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作的一例之流程圖。阻抗匹配裝置110被應用於圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1具有的匹配單元60時，圖5所示的處理動作例如在電漿處理裝置1中對晶圓W開始電漿處理的時間點執行。
如圖5所示，調整部161取得由輸入偵測器130所偵測的輸入射頻信號之電壓與電流之間的相位差、及輸入射頻信號的功率值（步驟S21）。
調整部161判定取得的相位差是否收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內（步驟S22）。調整部161在取得的相位差未收斂到目標範圍內時（步驟S22「否」），以配合該相位差的調整量，調整可變電容器124、125的電容值（步驟S23），使處理返回步驟S21。藉此，在相位差收斂到目標範圍內為止，重複調整可變電容器124、125的電容值。
另外，調整部161在取得的相位差收斂到目標範圍內時（步驟S22「是」），使可變電容器124、125的電容值之調整結束，使處理前進到步驟S24。
診斷部163使用損失資料151，取得對應由調整部161所調整的可變電容器124、125之電容值的損失（步驟S24）。然後，診斷部163將取得的損失從在步驟S21所取得的輸入射頻信號之功率值扣除，算出輸出射頻信號的功率值之理論值（步驟S25）。
診斷部163取得由輸出偵測器141所偵測的負載側之阻抗值（步驟S26）。然後，診斷部163根據在步驟S25所算出的輸出射頻信號之功率值的理論值、及在步驟S26所取得的負載側之阻抗值，而算出Vpp 值的理論值（步驟S27）。
診斷部163取得由輸出偵測器141所偵測的Vpp 值（步驟S28）。
診斷部163判定在步驟S27所算出的Vpp 值之理論值、與在步驟S28所取得的Vpp 值之差是否為預定的閾值以上（步驟S29）。診斷部163在算出的Vpp 值之理論值、取得的Vpp 值之差未達預定的閾值時（步驟S29「否」），判定為可變電容器124、125等未發生異常（步驟S30）。另外，診斷部163在算出的Vpp 值之理論值、與取得的Vpp 值之差為預定的閾值以上時（步驟S29「是」），判定為可變電容器124、125等已發生異常（步驟S31）。
並且，診斷部163在診斷可變電容器124、125等是否異常之後，可使預定的輸出部輸出表示可變電容器124、125等是否發生異常的診斷結果。又，診斷部163在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可發出警報。警報若可對阻抗匹配裝置110的管理者等告知異常，則可採用任一方式。又，診斷部163在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可使射頻電源停止而切斷輸入射頻信號。
以上，在第2實施形態中的阻抗匹配裝置110，輸入偵測器130偵測從射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流之相位差作為指標值，偵測從射頻電源輸入的射頻信號之功率值作為第1狀態值。輸出偵測器141偵測向負載輸出的射頻信號之Vpp 值、及負載側的阻抗值作為第2狀態值。調整部161分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器130所偵測的相位差收斂到目標範圍內。診斷部163根據調整後的電容值、由輸入偵測器130所偵測的功率值、及由輸出偵測器141所偵測的負載側之阻抗值，而算出Vpp 值的理論值。診斷部163在算出的Vpp 值之理論值與由輸出偵測器141所偵測的Vpp 值之差為預定的閾值以上時，判定為已發生異常。藉此，阻抗匹配裝置110可使用實際偵測的Vpp 值與Vpp 值的理論值之間的差距而高精度判定是否發生異常。
[第3實施型態] 然後，說明第3實施形態。
（阻抗匹配裝置的構成） 圖6為表示第3實施形態中的阻抗匹配裝置110之構成的一例之圖。第3實施形態中的阻抗匹配裝置110係與圖2所示的第1實施形態中的阻抗匹配裝置110具有大致相同的構成，故針對同一部分附加同一符號而省略說明，並且主要說明相異的部分。圖6所示的阻抗匹配裝置110之構造例如可應用於圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1具有的匹配單元60。
圖6所示的阻抗匹配裝置110具有輸入偵測器131、調整部164及診斷部165取代圖2所示的輸入偵測器130、調整部161及診斷部162。又，在圖6所示的阻抗匹配裝置110，省略圖2所示的輸出偵測器140及損失資料151。
輸入偵測器131被配置在配線110c上，並且偵測「指標值」，其用於判定射頻電源與負載之間的阻抗匹配。具體而言，輸入偵測器131偵測輸入射頻信號的電壓與電流之間的相位差作為指標值。輸入偵測器131為偵測器的一例。
調整部164分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器131所偵測的相位差收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內。具體而言，調整部164在由輸入偵測器131所偵測的相位差收斂到目標範圍內為止，以配合該相位差的調整量，重複調整可變電容器124、125的電容值。然後，調整部164在由輸入偵測器131所偵測的相位差收斂到目標範圍內時，判定為阻抗匹配已結束，使可變電容器124、125的電容值之調整結束。
診斷部165監控可變電容器124、125的電容值被調整的次數、也就是電容值調整次數，根據該電容值調整次數、及由輸入偵測器131所偵測的相位差，而診斷可變電容器124、125或者輸入偵測器131是否異常。以下，為了方便將可變電容器124及125或者輸入偵測器131標記為「可變電容器124及125等」。具體而言，診斷部165在電容值調整次數到達預定次數並且由輸入偵測器131所偵測的相位差收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內時，判定為可變電容器124、125等已發生異常。
藉此，在阻抗匹配裝置110，可使用可變電容器124、125的電容值被重複調整的次數（也就是電容值調整次數）而判定是否發生異常，而可自行診斷構成阻抗匹配裝置110的各構件是否異常。
（阻抗匹配裝置的處理動作） 然後，說明第3實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作。圖7為表示第3實施形態中的阻抗匹配裝置110之處理動作的一例之流程圖。阻抗匹配裝置110應用於圖1所示的前提技術之電漿處理裝置1具有的匹配單元60時，圖7所示的處理動作例如在電漿處理裝置1中對晶圓W開始電漿處理的時間點執行。
如圖7所示，用於計算可變電容器124、125的電容值被調整的次數（也就是電容值調整次數）的變數N經初始化成為0（步驟S41）。調整部164取得由輸入偵測器131所偵測的輸入射頻信號之電壓與電流之間的相位差（步驟S42）。
調整部164判定取得的相位差是否收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內（步驟S43）。調整部164在取得的相位差收斂到目標範圍內時（步驟S43「是」），使可變電容器124、125的電容值之調整結束。
另外，調整部164在取得的相位差未收斂到目標範圍內時（步驟S43「否」），以配合該相位差的調整量，調整可變電容器124、125的電容值（步驟S44），使電容值調整次數N增加1（步驟S45）。
診斷部165判定電容值調整次數N是否已到達預定次數Nmax （步驟S46）。診斷部165在電容值調整次數N未到達預定次數Nmax 時（步驟S46「否」），使處理返回步驟S42，而繼續由調整部164調整可變電容器124、125之電容值的作業。藉此，在相位差收斂到目標範圍內為止，重複調整可變電容器124、125的電容值。
另外，診斷部165在電容值調整次數N已到達預定次數Nmax 時（步驟S46「是」），取得由輸入偵測器131所偵測的輸入射頻信號之電壓與電流之間的相位差（步驟S47）。
診斷部165判定取得的相位差是否收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內（步驟S48）。診斷部165在取得的相位差收斂到目標範圍內時（步驟S48「是」），判定為可變電容器124、125等未發生異常（步驟S49）。另外，診斷部165在取得的相位差未收斂到目標範圍內時（步驟S48「否」），判定為可變電容器124、125等已發生異常（步驟S50）。
並且，診斷部165在診斷可變電容器124、125等是否異常之後，可使預定的輸出部輸出可變電容器124、125等是否發生異常的診斷結果。又，診斷部165在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可發出警報。警報若對阻抗匹配裝置110的管理者等告知異常，則可採用任一方式。又，診斷部165在判定為可變電容器124、125等已發生異常時，可使射頻電源停止而切斷輸入射頻信號。
以上，第3實施形態中的阻抗匹配裝置110具有：可變電容器124、125；輸入偵測器131；調整部164；及診斷部165。可變電容器124、125連接在射頻電源（例如，射頻電源58）與負載（例如，腔室12等）之間。輸入偵測器131偵測指標值，其用於判定射頻電源與負載之間的阻抗匹配。調整部164分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得所偵測的指標值收斂到表示阻抗匹配結束的目標範圍內。診斷部165監控可變電容器124、125的電容值被調整的次數、也就是電容值調整次數，根據該電容值調整次數、及所偵測的指標值，而診斷可變電容器124、125或者輸入偵測器131是否異常。藉此，阻抗匹配裝置110可自行診斷構成阻抗匹配裝置110的各構件（例如，可變電容器124、125或者輸入偵測器131）是否異常。
又，在第3實施形態中的阻抗匹配裝置110，輸入偵測器131偵測從射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流之間的相位差作為指標值。調整部164分階段調整可變電容器124、125的電容值，使得由輸入偵測器131所偵測的相位差收斂到目標範圍內。診斷部165在電容值調整次數到達預定次數，並且由輸入偵測器131所偵測的相位差未收斂到目標範圍內時，判定為已發生異常。藉此，阻抗匹配裝置110可使用可變電容器124、125的電容值被重複調整的次數（也就是電容值調整次數）而高精度判定是否發生異常。
並且，在此揭露的實施形態應視為在所有方面皆為例示而非受限於此。上述實施形態在不脫離附加的發明申請專利範圍及其主旨的情況下，能夠以各種形態進行省略、置換、變更。
例如，在上述各實施形態，舉例說明將阻抗匹配裝置110的構造應用於微波電漿處理裝置具有的匹配單元之情況，但阻抗匹配裝置110也可應用於其他的電漿處理裝置之匹配單元。作為其他電漿處理裝置，可舉出使用Capacitively Coupled Plasma（CCP）、Inductively Coupled Plasma（ICP）、Electron Cyclotron Resonance Plasma（ECR）、Helicon Wave Plasma（HWP）等的電漿處理裝置。
110:阻抗匹配裝置 110a:輸入端 110b:輸出端 110c,110d:配線 120:阻抗匹配部 121,122,123:線圈 124,125:可變電容器 126:電容器 130,131:輸入檢測器 140,141:輸出檢測器 150:記憶部 151:損失資訊 160:控制部 161,164:調整部 162,162,165:診斷部
[圖1]圖1為表示第1實施形態中的電漿處理裝置之構成的概略剖面圖。 [圖2]圖2為表示第1實施形態中的阻抗匹配裝置之構成的一例之圖。 [圖3]圖3為表示第1實施形態中的阻抗匹配裝置之處理動作的一例之流程圖。 [圖4]圖4為表示第2實施形態中的阻抗匹配裝置之構成的一例之圖。 [圖5]圖5為表示第2實施形態中的阻抗匹配裝置之處理動作的一例之流程圖。 [圖6]圖6為表示第3實施形態中的阻抗匹配裝置之構成的一例之圖。 [圖7]圖7為表示第3實施形態中的阻抗匹配裝置之處理動作的一例之流程圖。
110:阻抗匹配裝置
110a:輸入端
110b:輸出端
110c,110d:配線
120:阻抗匹配部
121,122,123:線圈
124,125:可變電容器
126:電容器
130:輸入偵測器
140:輸出偵測器
150:記憶部
151:損失資訊
160:控制部
161:調整部
162:診斷部

Claims (7)

  1. 一種阻抗匹配裝置，其具有： 可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間； 第1偵測器，其偵測用於判定前述射頻電源與前述負載之間的阻抗匹配之指標值，與表示從前述射頻電源輸入的射頻信號之狀態的第1狀態值； 第2偵測器，其偵測表示向前述負載輸出的射頻信號之狀態的第2狀態值； 調整部，其分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的指標值收斂到表示前述阻抗匹配結束的目標範圍內；及 診斷部，其根據由前述調整部所調整的電容值、由前述第1偵測器所偵測的第1狀態值、及由前述第2偵測器所偵測的第2狀態值，而診斷前述可變電容元件、前述第1偵測器或者前述第2偵測器是否異常。
  2. 如請求項1的阻抗匹配裝置，其中 前述第1偵測器偵測從前述射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流之間的相位差作為前述指標值，偵測從前述射頻電源輸入的射頻信號之功率值作為前述第1狀態值， 前述第2偵測器偵測向前述負載輸出的射頻信號之功率值作為前述第2狀態值， 前述調整部分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的前述相位差收斂到前述目標範圍內， 前述診斷部根據由前述調整部所調整的電容值、及由前述第1偵測器所偵測的功率值，而算出向前述負載輸出的射頻信號之功率值的理論值，在算出的前述功率值之理論值與由前述第2偵測器所偵測的功率值之差為預定的閾值以上時，判定為已發生前述異常。
  3. 如請求項1的阻抗匹配裝置，其中： 前述第1偵測器偵測從前述射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流之間的相位差作為前述指標值，偵測從前述射頻電源輸入的射頻信號之功率值作為前述第1狀態值， 前述第2偵測器偵測向前述負載輸出的射頻信號之Vpp 值及前述負載側的阻抗值作為前述第2狀態值， 前述調整部分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的前述相位差收斂到前述目標範圍內， 前述診斷部根據由前述調整部所調整的前述可變電容元件之電容值、由前述第1偵測器所偵測的功率值、及由前述第2偵測器所偵測的前述負載側之阻抗值，而算出前述Vpp 值的理論值，在算出的前述Vpp 值之理論值與由前述第2偵測器所偵測的Vpp 值之差為預定的閾值以上時，判定為已發生前述異常。
  4. 一種阻抗匹配裝置，其具有： 可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間； 偵測器，其偵測用於判定前述射頻電源與前述負載之間的阻抗匹配之指標值； 調整部，其分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述偵測器所偵測的指標值收斂到表示前述阻抗匹配結束的目標範圍內；及 診斷部，其監控由前述調整部調整前述可變電容元件的電容值的次數、也就是電容值調整次數，再根據該電容值調整次數、及由前述偵測器所偵測的指標值，而診斷前述可變電容元件或者前述偵測器是否異常。
  5. 如請求項4的阻抗匹配裝置，其中 前述偵測器偵測從前述射頻電源輸入的射頻信號之電壓與電流之間的相位差作為前述指標值， 前述調整部分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述偵測器所偵測的前述相位差收斂到前述目標範圍內， 前述診斷部在前述電容值調整次數到達預定次數，並且由前述偵測器所偵測的前述相位差未收斂到前述目標範圍內時，判定為已發生前述異常。
  6. 一種異常診斷方法，係對於一阻抗匹配裝置進行異常診斷，該阻抗匹配裝置具有： 可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間； 第1偵測器，其偵測用於判定前述射頻電源與前述負載之間的阻抗匹配之指標值，與表示從前述射頻電源輸入的射頻信號之狀態的第1狀態值；及 第2偵測器，其偵測表示向前述負載輸出的射頻信號之狀態的第2狀態值， 該異常診斷方法包含以下步驟： 分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的指標值收斂到表示前述阻抗匹配結束的目標範圍內；及 根據調整後的前述可變電容元件之電容值、由前述第1偵測器所偵測的第1狀態值、及由前述第2偵測器所偵測的第2狀態值，而診斷前述可變電容元件、前述第1偵測器或者前述第2偵測器是否異常。
  7. 一種異常診斷程式，使電腦對於一阻抗匹配裝置進行異常診斷，該阻抗匹配裝置具有： 可變電容元件，其連接在射頻電源與負載之間； 第1偵測器，其偵測用於判定前述射頻電源與前述負載之間的阻抗匹配之指標值，與表示從前述射頻電源輸入的射頻信號之狀態的第1狀態值；及 第2偵測器，其偵測表示向前述負載輸出的射頻信號之狀態的第2狀態值， 該異常診斷程式使電腦執行以下步驟： 分階段調整前述可變電容元件的電容值，使得由前述第1偵測器所偵測的指標值收斂到表示前述阻抗匹配結束的目標範圍內；及 根據調整後的前述可變電容元件之電容值、由前述第1偵測器所偵測的第1狀態值、及由前述第2偵測器所偵測的第2狀態值，而診斷前述可變電容元件、前述第1偵測器或者前述第2偵測器是否異常。
TW109111103A 2019-04-08 2020-04-01 阻抗匹配裝置 TWI821551B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-073257 2019-04-08
JP2019073257A JP7278136B2 (ja) 2019-04-08 2019-04-08 インピーダンス整合装置、異常診断方法及び異常診断プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202105509A true TW202105509A (zh) 2021-02-01
TWI821551B TWI821551B (zh) 2023-11-11

Family

ID=72663737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109111103A TWI821551B (zh) 2019-04-08 2020-04-01 阻抗匹配裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11372058B2 (zh)
JP (1) JP7278136B2 (zh)
KR (1) KR20200118758A (zh)
CN (1) CN111800931B (zh)
TW (1) TWI821551B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US20230160950A1 (en) * 2021-10-08 2023-05-25 University Of Houston System Systems and methods for remaining useful life prediction in electronics
CN117713733B (zh) * 2024-02-04 2024-04-16 深圳市广能达半导体科技有限公司 基于半自动射频匹配器的匹配方法、装置、设备及介质

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002227418A1 (en) * 2001-01-22 2002-08-06 Tokyo Electron Limited Vertically translatable chuck assembly and method for a plasma reactor system
JP4137419B2 (ja) * 2001-09-28 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW200300649A (en) * 2001-11-27 2003-06-01 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus, its driving method, matching circuit design system, and plasma processing method
JP2003268557A (ja) 2001-12-20 2003-09-25 Canon Inc プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP4804991B2 (ja) 2006-03-31 2011-11-02 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置
JP2007295447A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Daihen Corp インピーダンス整合装置
JP4887197B2 (ja) 2006-12-29 2012-02-29 株式会社ダイヘン 高周波装置
JP2008300322A (ja) 2007-06-04 2008-12-11 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、整合器、及び整合器の動作方法
CN101437353B (zh) * 2007-11-15 2012-01-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种匹配器及其匹配方法
JP5319150B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5398064B2 (ja) 2008-04-28 2014-01-29 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合装置用可変インピーダンス素子の検査装置
CN201387563Y (zh) * 2009-04-10 2010-01-20 中国地质大学（武汉） 射频阻抗匹配装置
JP5632626B2 (ja) * 2010-03-04 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 自動整合装置及びプラズマ処理装置
WO2012169014A1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-13 パイオニア株式会社 インピーダンス整合装置、制御方法
JP6084417B2 (ja) * 2012-09-28 2017-02-22 株式会社ダイヘン インピーダンス調整装置
JP6177012B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-09 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
JP6424024B2 (ja) * 2014-06-24 2018-11-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200319263A1 (en) 2020-10-08
JP2020174225A (ja) 2020-10-22
CN111800931B (zh) 2024-06-11
US11372058B2 (en) 2022-06-28
JP7278136B2 (ja) 2023-05-19
CN111800931A (zh) 2020-10-20
TWI821551B (zh) 2023-11-11
KR20200118758A (ko) 2020-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10250217B2 (en) Method for impedance matching of plasma processing apparatus
TW202105509A (zh) 阻抗匹配裝置、異常診斷方法及異常診斷程式
CN107710378B (zh) 多电极基板支撑组件与相位控制系统
US9021984B2 (en) Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP5319150B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5246836B2 (ja) プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
US9384945B2 (en) Automatic matching unit and plasma processing apparatus
KR20070057983A (ko) 임피던스를 측정하여 플라즈마 처리 시스템에서의프로세스를 모니터링하는 방법 및 장치
TW201703101A (zh) 電漿處理裝置
JP2020092036A (ja) 制御方法及びプラズマ処理装置
US20180350569A1 (en) Plasma processing method
JP7076351B2 (ja) プラズマ処理装置、及びリング部材の厚さ測定方法
US20110061811A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2021132190A (ja) 基板処理装置および載置台
JP2023516739A (ja) 調節可能エッジシースシステム用のパルスｒｆ信号における電圧設定点の調節
TW202338905A (zh) 用於在電漿處理腔室中進行即時晶圓電位量測的方法和設備
US20190267216A1 (en) Microwave output device and plasma processing apparatus
JP2023532865A (ja) 複数の生成器および位相制御を用いたイオンエネルギー送出のためのプロセス制御
US20230102487A1 (en) Minimizing reflected power in a tunable edge sheath system
US11908665B2 (en) Plasma processing apparatus and measurement method
JP2022122425A (ja) プラズマ処理装置及び監視装置
TW202135163A (zh) 電漿處理裝置及構件溫度判定方法
JP3959318B2 (ja) プラズマリーク監視方法，プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，およびコンピュータプログラム
JP2023550342A (ja) 静磁場を使用するプラズマ一様性制御
US10679826B2 (en) Microwave control method