TW202102859A - 利用以雷射為基礎的光學探測技術測量直流或低頻交流電氣參數之整合雷射電壓探針墊 - Google Patents

利用以雷射為基礎的光學探測技術測量直流或低頻交流電氣參數之整合雷射電壓探針墊 Download PDF

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Abstract

一種半導體或積體電路區塊，其包括有一感測節點及一轉換器電路，其中該感測節點產生恆定或以低於一預定頻率準位之一頻率做變化的一低頻電氣參數，並且其中該轉換器電路把該低頻電氣參數轉換成為一交替的電氣參數，其具有等於或高於該預定頻率準位的一頻率足以調變被聚焦在該轉換器電路之一雷射探針區域內的一雷射束。該轉換器可以包括一環形振盪器、由一時鐘啟用信號所控制的一開關電路、具有基於該低頻電氣參數之一 充電率的一電容器、等等。該雷射探針區域具有基於該低頻電氣參數準位的一頻率準位以調變該反射的雷射束用於由一雷射電壓探針測試系統來測量該電氣參數。

Description

利用以雷射為基礎的光學探測技術測量直流或低頻交流電氣參數之整合雷射電壓探針墊
發明領域
本發明總體上涉及雷射電壓探測，更具體地係涉及一種利用以雷射為基礎的光學探測技術測量恆定或低頻交替電氣參數之一整合雷射電壓探針墊。
發明背景
基於雷射的光學探測技術通常被使用在已經發生故障之一積體電路(IC)或半導體裝置的故障分析中。然而，這些技術無法測量直流(DC)電氣參數諸如DC電壓和電流準位。此外，基於雷射的光學探測技術無法檢測操作在低於一預定最小頻率FMIN之一頻率的交流(AC)電氣參數，其，連同無法檢測DC參數，把這些技術主要限制在用以測量等於或高於FMIN之頻率來承載或傳遞交替電氣參數之內部節點的該數位IC領域中。在類比領域中，恆定或低頻交替電氣參數係更為常見的。截至目前為止，微探測技術已被要求要精確地測量這些恆定或低頻交替電氣參數。微探測技術需要使用，例如，聚焦離子束(FIB)的樣本準備，並且還需要與該待測量之內部節點做直接的接觸。由一探針對該IC做直接接觸會對損壞該半導體裝置有一顯著的風險。除了永久損壞的風險外，使用一探針做直接接觸常常會影響該等測量的參數而可能導致較不精確的或甚至錯誤的結果。
發明概要
依據本發明之一實施例，係特地提出一種積體電路區塊，其包含有：一感測節點，當該積體電路區塊被供電時，該感測節點產生一低頻電氣參數，其中該低頻電氣參數係恆定的或以低於一預定頻率準位的一頻率做變化；以及一轉換器電路，該轉換器被耦合到該感測節點並且包括有一雷射探針區域，其中該轉換器電路把該低頻電氣參數轉換成為一交替的電氣參數，其具有等於或高於該預定頻率準位的一頻率足以調變被聚焦在該雷射探針區域內之一個點上的一雷射束。
較佳實施例之詳細說明 本發明者已經體認到，標準基於雷射的光學探測技術不適合用於測量一積體電路(IC)或半導體裝置的DC電氣參數或低頻AC電氣參數。他們還體認到已經被使用來用於測量此類參數之微探測技術的缺陷及風險。術語「電氣參數」通常係指當通電時在該IC或半導體裝置上所產生之任何的電氣信號、值、或變量，諸如電流、電壓、交替電氣信號、等等。如在本文中所使用的，「低頻電氣參數」包括以低於一預定最小頻率準位FMIN之一頻率做變化或交替之任何的DC電氣參數或任何的AC電氣參數。如在本文中所使用的，「高頻電氣參數」包括以基於雷射之光學探測技術進行檢測之等於或高於FMIN之一頻率來做變化或交替的任何電氣參數。FMIN係可由一雷射電壓探針系統檢測到的最低頻率準位。特別的是，一雷射束聚焦在一雷射探針區域內的一個點上，該點承載的一電氣信號係以等於或高於FMIN的頻率來做交替，並可由該雷射電壓探針系統進行調變及檢測。
有鑑於傳統組配的該等缺陷，本發明者因此開發了設置在一IC或半導體裝置上的一整合雷射電壓探針墊，其能夠使用基於雷射的光學探測技術來測量這種低頻電氣參數(包括DC參數)。一轉換器電路被耦合到包含或以其他方式承載該低頻電氣參數的一感測節點，其中該轉換器電路把該低頻電氣參數轉換成以等於或高於FMIN之一頻率做交替的高頻電氣參數。該轉換器可以包括，例如，一環形振盪器、由一高頻時鐘信號所激勵的一開關電路、具有基於該低頻電氣參數之該準位之一充電率的一電容器、等等。該轉換器電路還包括由該高頻電氣參數所激勵的一雷射探針區域，使得它調變被聚焦在該雷射探針區域內之某一點上來自入射雷射束的該反射雷射束，以便由一雷射電壓探針測試系統進行檢測。因此，該整合雷射電壓探針墊使得能夠由該雷射電壓探針測試系統來測量低頻率電氣參數(包括有DC參數)。
圖1係一雷射電壓探針(LVP)測試系統102的一簡化方塊圖，該系統被使用來測試一積體電路(IC)或半導體裝置，諸如一受測試裝置(DUT)104，其包括一轉換器130可用來把一低頻電氣參數轉換為可由該LVP測試系統102檢測到的一高頻電氣參數。該LVP測試系統102包括一雷射106，其提供被聚焦在該DUT 104之一選擇活動區域上的一雷射束108。該雷射束108穿透過一分束器110及一物鏡112，其把該雷射束108聚焦在該DUT 104之一選擇活動區域上。該圖示出的活動區域係位在該DUT 104之該基板上的一雷射探針區域114。儘管未被具體地示出，該雷射束108穿透過該基板及該雷射探針區域114，反射離開位於在該雷射探針區域114處層之間的介面，並回穿透過該雷射探針區域114及該基板作為一反射的雷射束116。該反射的雷射束116回穿透過該物鏡112並被該分束器110引導到一檢測器118。該檢測器118產生與被產生在該雷射探針區域114處之一電場相互關聯的一輸出信號120，其中該輸出信號120在測試設備124的控制下被提供給一顯示器裝置122的一輸入。該顯示器裝置122可以是一數位取樣的示波器或一頻率分析儀等等。要注意的是，一雷射束被聚焦在該等圖中所標識之適於調變該雷射束之一指定雷射探針區域內的一點上，該點可能不包括在該等圖中所展示之該指定探針區域內每一個可能的點。
該DUT 104係「活動的」，因為它被供電並且在一選定的正常操作模式中或一選定的測試模式中操作。在如此被供電的狀況下，該DUT 104形成許多活動的區域，包括有例如該雷射探針區域114。該等活動的區域產生一電場，該電場調變該反射的雷射束116，並且該檢測器118檢測出歸因於該電場的該等雷射調變，用以產生該輸出信號120。以這種方式，該輸出信號120反映出被產生在該雷射探針區域114處之該電氣信號的一或多個電氣參數。該雷射探針區域114產生或以其他的方式包含以等於或高於一預定最小頻率準位FMIN做交替的一電流或電壓信號以調變該雷射束。FMIN可能相當地高，諸如10 千赫(kHz)或更高。該LVP測試系統102可以以一更高的最小頻率準位FMIN來操作，諸如100 kHz或類似等級。然而，這樣一個相對高的頻率準位，排除了直接檢測在該DUT 104之位置上正以一恆定準位或以一相對低頻率準位(例如，低於10 kHz)操作的能力。
例如，所欲的是可以檢測到與一感測節點126相關聯的一低頻電氣參數(包括一DC參數)，該感測節點126係該DUT 104之該功能電路128的一部分。應被注意的是，術語「功能電路」旨在包括被整合在一半導體裝置或IC上任意數量的類比或數位電路，當該裝置或IC被供電時它們執行功能的或測試操作。在該感測節點126處的該電氣參數，其可以是一電壓或一電流或類似者可能以一恆定值或以低於FMIN的頻率做交替，使得其無法由該LVP測試系統102直接地檢測。因此，該轉換器130與被使用來把該電氣參數傳送到該轉換器130的一感測電路132一起被實現(或被整合)在該DUT 104的該基板上。當該電氣參數係一恆定或低頻的電壓時，該感測電路132可以簡單地是把該電壓傳送到該轉換器130的一電導體。當該電氣參數係一恆定或低頻的電流時，該感測電路132可以是或以其他方式包括一電流鏡分支或類似者，其在該轉換器130內產生該電流。該轉換器130把該低頻電氣參數轉換為在雷射探針區域114處具有高於FMIN之一頻率準位的一高頻電氣參數，使得其可由該LVP測試系統102所檢測。如在本文中被進一步描述的，在該雷射探針區域114處該電氣信號的該頻率或其他特性指出在該感測節點126處該低頻電氣參數的該值，該值被併入到提供給該檢測器118之該反射的雷射信號116中。以這種方式，該輸出信號120指出在該感測節點126處該低頻電氣參數的該值。
該轉換器130代表在該DUT 104上所實現之這種轉換器的一或多個，如在本文中會被進一步描述的。在該DUT 104的正常操作期間，該轉換器130可被禁用或至少被組配成僅消耗一可忽略的功率量以便最佳化該功能電路128的效能。一雷射探針支援(LPS)電路134被包括以提供一或多個啟用信號LVP_EN>>以啟用或以其他方式啟動該轉換器130以由該LVP測試系統102進行測試。如在本文進一步所述的，一LVP啟用電路136被提供以啟用該LPS電路134。
圖2係一DUT 204的一示意圖，該圖展示出根據本發明之一個實施例所實現的該DUT 104，其使用一環形振盪器252用於把一DC或低頻電流轉換成頻率等於或高於FMIN的一較高頻信號。該DUT 204包括一功能電路228的一部分，其更包括有一感測節點226，該感測節點226圖示出該功能電路128之一小部分及該DUT 104之該感測節點126的一更具體的組配。在這種情況下，該感測節點226係一電導體，或者係一電導體的一部分，當該DUT 204被供電時，一電流IIN會流經過該電導體。該電流IIN被展示成流入到作為該功能電路228之一部分之一N型(或N通道)MOS(NMOS)電晶體N1的汲極端。N1被二極體式地連接，其汲極端被連接至其閘極端，而且其源極端被耦合到一參考供給電壓準位，諸如地面(GND)。該電流IIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替。儘管如此，所欲的是使用該LVP測試系統102來檢測該IIN的值，但該LVP測試系統102僅能夠檢測以等於或高於FMIN的頻率做交替的高頻電氣參數。該DUT 204更包括一感測電路232，其圖示出用於檢測IIN之該感測電路132的一實施例。該感測電路232包括另一個NMOS電晶體N2，該電晶體N2的閘極端被耦合到N1的該閘極及汲極端，並且其源極端被耦合至一參考供給電壓準位，諸如GND。以這種方式，N2被添加並被耦合到N1形成一電流鏡組配，其中流入N2汲極端之一鏡像的電流IM具有等於或正比於IIN的一電流準位。
要注意的是，N1被描述成已經係該基礎功能電路之一部分的一電流鏡的一部分，其中可以包括額外的電流分支(圖中未示出)以把IIN鏡像到該功能電路228的其他部分中。在這種情況下，N2係用來基於IIN產生IM的一附加的電流鏡分支。N2可以被實現為具有與N1相同的大小，以使得IM基本上等於IIN，或者N2可以以N1大小的倍數來被確定大小以調整IM相對於IIN的大小。在其中IIN尚未被組配成流入到一電流鏡分支(例如，N1或類似者尚未被提供)的功能電路組配中，則該感測電路232併入了其他的裝置，諸如N1，用於實現一電流鏡以產生該鏡像的電流(例如，IM)。
該感測電路232更包括一電導體250，諸如一導電跡線或類似物，以把IM傳送到一轉換器230。該轉換器230係該轉換器130之一更為具體的實施例。在這種情況下，該轉換器230包括該環形振盪器252，該環形振盪器252係由三個(或任意奇數個)反相器I1、I2、及I3串聯耦合而成，並且一反饋節點253被耦合在其輸入與輸出之間形成一交替電壓VAC。如圖所示，例如，I1的輸出被耦合至I2的輸入，I2的輸出被耦合至I3的輸入，I3的輸出經由該反饋節點253被反饋至I1的輸入。該等反相器I1-I3中的任何一個都包括一PN接面，該PN接面作用為實現該雷射探針區域114的一雷射探針區域214。該等反相器I1-I3的每一個具有一較低的供給電壓端被耦合到該電導體250，以及一較高的供給電壓端被耦合到一供給啟用254。該供給啟用254從實現該LPS電路134之一實施例的雷射探針支援(LPS)電路234接收一VDD啟用信號VDDEN 。在一個實施例中，該供給啟用254係一節點其從供給VDD的該LPS電路234接收VDDEN 作為一供給電壓VDD以啟用該轉換器230。在另一個實施例中，該供給啟用254係一被耦合在該供給電壓VDD與該環形振盪器252之該等反相器的較高供給電壓端之間的一開關，其中該LPS電路234把VDDEN 斷言為一邏輯信號，該邏輯信號閉合該開關以把VDD耦合到該轉換器230。
在操作中，該LPS電路234可把VDDEN 斷言為一適當的準位(例如，低)以禁用或關閉該轉換器230。當禁用時，該轉換器230不影響該功能電路228的操作。當該LPS電路234把VDDEN 斷言為一適當的啟用準位(例如，高)，然後啟動該轉換器230，並且該環形振盪器252以基於該等反相器I1-I3每一個之該延遲的一頻率來振盪VAC，其中該等反相器I1-I3每一個之該延遲更係基於IM的該電流準位。即使對於相對較低的IM值，該反相器延遲也係相對地短，因此VAC的該振盪頻率相對地高，並且遠高於FMIN。由於該電流鏡的組配，IM的該電流準位係基於IIN的該電流準位。當該雷射束108被聚焦在該雷射探針區域214上時(例如，聚焦在該等反相器I1-I3之任一的任一PN接面時)，則該反射的雷射束116會基於該環形振盪器252並因此VAC的該頻率被調變，使得被顯示在該顯示器裝置122上的該輸出信號120具有在等於或高於FMIN之一頻率範圍內的一頻率準位，其中該特定的頻率準位係基於IIN的該電流準位。以此種方式，IIN被轉換成為頻率等於或高於FMIN的一振盪或交替信號VAC，其具有基於IIN電流準位之一特定的頻率，從而IIN的電流準位可由該測試設備124來測量。
圖3係一DUT 304的一示意圖，該圖展示出根據本發明之另一個實施例所實現的該DUT 104，其使用一環形振盪器352用於把一DC或低頻電流轉換成頻率等於或高於FMIN的一較高頻信號。該DUT 304類似於該DUT 204並且包括一功能電路328的一類似的部分，其更包括一感測節點326，該感測節點326圖示出該功能電路128之一小部分及該DUT 104之該感測節點126的另一實施例。以一種與該DUT 204類似的方式，該感測節點326係一電導體，或者係一電導體的一部分，當該DUT 304被供電時，一電流IIN會流經過該電導體。再次地，該電流IIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，並且所欲的是使用該LVP測試系統102來檢測該IIN的值，但該LVP測試系統102僅能夠檢測以等於或高於FMIN的頻率做交替的高頻電氣參數。
該DUT 304更包括一感測電路332，其圖示出用於檢測IIN之該感測電路132的一實施例。在這種情況下，該功能電路328產生該IIN電流以從作為一鏡像電路(圖中未示出)之一部分的一P型(或P通道)MOS(PMOS)電晶體P1的一汲極端流出。P1被二極體式地連接，其汲極端被連接至其閘極端，而且P1更具有一源極端被耦合至該供給電壓VDD。該感測電路332包括一PMOS電晶體P2，該電晶體P2的閘極端被耦合到P1的該等閘極及汲極端，並且其源極端被耦合至VDD。以這種方式，P2被耦合到P1以形成一電流鏡組配，其中流出自P2汲極端之一鏡像的電流IM具有等於或正比於IIN的一電流準位。額外的電流分支(圖中未示出)可被包括用於把IIN鏡像到該功能電路328的其他部分中，其中P2係用來產生IM之一附加的電流鏡分支。P2可以被實現為具有與P1相同的大小，以使得IM基本上等於IIN，或者P2可以以P1大小的倍數來確定大小以調整IM相對於IIN的大小。以一種與先前針對DUT 204之N1及N2所描述之類似的方式，如果在構成該鏡像電路之一分支的該功能電路328中未另外地提供P1，則該添加的感測電路332包括P1及P2(以及任何其他支援裝置)以產生該鏡像電流IM。
該感測電路332更包括一電導體350，諸如一導電跡線或類似物，以把IM傳送到一轉換器330(該轉換器230實現該轉換器130)。該轉換器330基本上類似於該轉換器230，其包括一環形振盪器352，該環形振盪器352係由三個(或任意奇數個)類似的反相器I1、I2、及I3串聯耦合而成，並且一反饋節點353被耦合在其輸入與輸出之間形成一交替電壓VAC，其方式與先前針對環形振盪器252所描述的方式類似。該等反相器I1-I3中的任何一個都包括一PN接面，該PN接面作用為實現該雷射探針區域114的一雷射探針區域314。該等反相器I1-I3的每一個具有一較高的供給電壓端被耦合到該電導體350，以及一較低的供給電壓端被耦合到一供給啟用354。該供給啟用354從實現該LPS電路134之一實施例的一雷射探針支援(LPS)電路334接收一接地啟用信號GNDEN 。在一個實施例中，該供給啟用354係一節點其從供給GND的該LPS電路334接收GNDEN 作為該GND電壓以啟用該轉換器330。在另一個實施例中，該供給啟用354係一被耦合在GND與該環形振盪器352之間的一開關，其中該LPS電路334把GNDEN 斷言為一邏輯信號，該邏輯信號閉合該開關以把GND耦合到該轉換器330。在這兩種情況下，GNDEN 便利於GND對該轉換器330的耦合。
在操作中，該LPS電路334可把GNDEN 斷言為一適當的準位(例如，高)以禁用或關閉該轉換器330。當禁用時，該轉換器330不影響該功能電路328的操作。當該LPS電路334把GNDEN 拉到一適當的啟用準位(例如，低)，則啟動該轉換器330，並且該環形振盪器352以基於該等反相器I1-I3每一個之該延遲的一頻率來振盪VAC，其中該等反相器I1-I3每一個之該延遲更係基於IM的該電流準位。由於該電流鏡的組配，IM的電流準位係基於IIN的該電流準位。當該雷射束108被聚焦在該雷射探針區域314上時(例如，聚焦在該等反相器I1-I3之任一的任一PN接面時)，則該反射的雷射束116會基於該環形振盪器352(並因此VAC)的該頻率被調變，使得被顯示在該顯示器裝置122上的該輸出信號120會具有在等於或高於FMIN之一頻率範圍內的一頻率準位，其中該特定的頻率準位係基於IIN的該電流準位。以此種方式，IIN被轉換成為頻率等於或高於FMIN的一振盪或交替信號VAC，其具有基於IIN電流準位之一特定的頻率，從而IIN的該電流準位可由該測試設備124來測量。
應被理解的是，該DUT 204之N1及N2的該電流鏡組配基本上係類似於該DUT 304之P1及P2的該電流鏡組配，不同之處在於一個是N型而另一個為P型。在任何一種情況下，都會對該基礎功能電路(238或338)的一電流IIN進行鏡像，以提供一鏡像的電流IM，該電流被使用來啟動在對應的轉換器(230或330)中的一環形振盪器(252或352)以把IM轉換成為頻率等於或高於FMIN的一振盪信號。儘管係針對不同的DUT 204及304來展示及描述，但是應被理解的是，該等兩種組配都可以在相同的IC或半導體裝置上被實現(例如，在DUT 204或DUT 304兩者上)。
圖4係一曲線圖，其根據一個實施例針對DUT 204或304之任一描繪出以百萬赫(MHz)為單位之該VAC信號(FVAC )頻率對上以微安(µA)為單位的IIN電流準位。DUT 204及304兩者的該轉換操作基本相同，只是頻率或電流的數值會略有變化。在這兩種情況下，該等反相器I1-I3每一個的該延遲都相對地小，使得即使以IIN相對小的值(被反映為該鏡像的電流IM)VAC的該振盪頻率也可能會遠高於FMIN。在不脫離本發明之精神及範圍的情況下，IIN之該特定的電流範圍或FVAC 之該特定的頻率範圍可能不同。例如，FVAC 之該特定的頻率範圍可能會顯著地較小，諸如在kHz的範圍內(只要大於FMIN就好)，或顯著地較大(例如，在十億赫(GHz)範圍內)。同樣地，IIN之該特定的電流範圍可能較小(例如，在奈安(nA)的範圍內)或較大(例如，在毫安(mA)的範圍內)。無論如何，在該FVAC 與IIN之該對應的電流準位之間該確定的關係使得能夠使用該LVP測試系統102來測量IIN。
圖5係一DUT 504的一示意圖，該圖展示出根據本發明之又另一個實施例所實現的該DUT 104，其使用一環形振盪器552用於把一DC或低頻電壓轉換成頻率等於或高於FMIN的一較高頻信號。該DUT 504包括一功能電路528的一部分，其更包括有一感測節點526，該感測節點526圖示出該功能電路128之一小部分及該DUT 104之該感測節點126的另一個實施例。在這種情況下，當該DUT 504被供電時，該感測節點526產生一輸入電壓VIN。該電壓VIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做變化，並且所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN的值，但該LVP測試系統102僅能夠檢測以等於或高於FMIN的頻率做交替的高頻電氣參數。該DUT 504更包括一感測電路532用於把VIN輸送到實現該轉換器130之一實施例的一轉換器530的一輸入。在這種情況下，該感測電路532可以簡單地係一電導體550，其被耦合在該感測節點526與該轉換器530之間。
該轉換器530類似於該轉換器230，其包括由三個(或任意奇數個)反相器I1、I2、及I3串聯耦合而成並具一反饋節點553耦合在其輸入與輸出之間的該環形振盪器552，其以一種與先前針對該環形振盪器252所描述之類似的方式產生一交替電壓VAC。該等反相器I1-I3中的任何一個都包括一PN接面，該PN接面作用為實現該雷射探針區域114之一實施例的一雷射探針區域514。該等反相器I1-I3的每一個具有一較高的供給電壓端其可被耦合到一第一供給啟用554。在此情況下，用於感測VIN，該等反相器I1-I3的每一個具有一較低的供給電壓端被耦合到一NMOS電晶體NA的汲極端，該NA的源極端被耦合到一第二供給啟用556以及該NA的閘極端被耦合到用於接收VIN的該電導體550。NA被使用來把電壓轉換為電流，其中可被理解的是，其他類型的電晶體可被設想，諸如一場效電晶體(FET)或雙極性電晶體或類似物，或任何其他合適之電壓至電流轉換裝置或電路。
該供給啟用554被展示成耦合到VDD並包括一輸入從實現該LPS電路134之一實施例的一雷射探針支援(LPS)電路534接收VDDEN ，並且該供給啟用556被展示成耦合到GND並包括一輸入從該LPS電路534接收GNDEN 。該等供給啟用554及556、輸送VDDEN 及GNDEN 的該等信號、以及該等VDD/GND連接使用代表多個不同組配的虛線來被展示出。在一第一實施例中，該供給啟用554僅係一導體或者不被提供，其中該等反相器I1-I3每一個的該較高供給電壓輸入被直接地耦合到VDD，並且該LPS電路534不提供VDDEN 。在這第一種情況下，該供給啟用556被提供，並且當GNDEN 被斷言時係用於把該轉換器530耦合到GND的一開關，或係一導體其中GNDEN 本身提供該GND連接。在任一種情況下，GNDEN 都有助於把GND耦合到該轉換器530。在一第二實施例中，該供給啟用556僅係一導體或者不被提供，其中NA的該源極端被直接耦合到GND並且該LPS電路534不提供GNDEN 。在這第二種情況下，該供給啟用554被提供，並且當VDDEN 被斷言時其係用於把該轉換器530耦合到VDD的一開關，或係一導體其中VDDEN 本身提供該VDD連接。在任一種情況下，VDDEN 都有助於把VDD耦合到該轉換器530。一第三實施例係有可能的，其中兩個供給啟用554及556都被提供並且一起被啟用或禁用。
在操作中，該LPS電路534可把GNDEN 或VDDEN 中之一或兩者斷言為一適當的準位以禁用或關閉該轉換器530。當禁用時，該轉換器530不影響該功能電路528的操作。當該LPS電路534把VDDEN 或VDDEN (或兩者)斷言為一適當的啟用準位時，該轉換器530被啟動並且該環形振盪器552以基於VIN該電壓準位的一頻率來振盪VAC。VIN的該電壓準位控制NA的該汲極電流，其更控制該環形振盪器552的振盪頻率。應被注意的是該NA的大小可基於VIN的該電壓範圍來做選擇，使得NA之汲極電流產生在類似於圖2及3電流IM的準位。該環形振盪器552以基於該等反相器I1-I3每一個的該延遲的一頻率來振盪VAC，其中該等反相器I1-I3每一個的該延遲更基於NA的該汲極電流準位，該汲極電流準位更進一步基於VIN的該電壓準位。當該雷射束108被聚焦在該雷射探針區域514上時(例如，聚焦在該等反相器I1-I3之任一的任一PN接面時)，該反射的雷射束116會基於該環形振盪器552(並因此VAC)的該頻率來被調變，使得被顯示在該顯示器裝置122上的該輸出信號120具有在一相對高頻率範圍內的一頻率準位，其中該特定的頻率準位係基於VIN的該電壓準位。以此種方式，VIN被轉換成為具有一相對高頻率之一振盪或交替的信號VAC，其具有基於VIN該電壓準位之一特定的頻率，從而VIN的該電壓準位可由該測試設備124來測量。
圖6係根據本發明之一實施例所實現之DUT 104的一示意圖，類似於DUT 504，其使用一環形振盪器652，其中該DUT 604還包括一功能電路628的一部分，該功能電路628包括有一感測節點626，當該DUT 604被供電時，該感測節點626產生一輸入電壓VIN。再次地，該電壓VIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做變化，並且所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN的值。該DUT 604更包括一感測電路632，該感測電路632可以簡單地係一電導體650，其被耦合在該感測節點626與該轉換器630的一輸入之間，該轉換器630以一種與該轉換器530類似的方式被組配。該轉換器630被展示成被耦合在第一與第二供給啟用654與656之間，以針對該DUT 504所描述之該等第一及第二供給啟用554及556以及該LPS電路534基本上相同的方式從一LPS電路634接收VDDEN 及GNDEN 。用於啟用該DUT 604之該轉換器630的幾種不同組配及對應操作中的任何一種與針對該DUT 504之該轉換器530所描述者基本上相同。如前所述，如果尚未被耦合，則VDDEN 有助於把VDD耦合至該轉換器630，並且如果尚未被耦合，則GNDEN 有助於把GND耦合至該轉換器630。
該轉換器630類似於該轉換器530，不同處在於NA由一PMOS電晶體PA來取代，該PA的源極端被耦合至該供給啟用654(用於接收VDD或任何其他合適的供給電壓)，並且該PA的汲極端被耦合到一類似環形振盪器652之類似反相器I1、I2及I3的該等較高電壓供給端。在這種情況下，類似於NA， PA被使用來把電壓轉換成電流，其中被理解的是其他類型的電晶體可被設想，諸如一FET或一雙極性電晶體或類似物，或任何其他合適之電壓至電流轉換裝置或電路。I1-I3之該等較低電壓供給端被耦合到該供給啟用656，而該等反相器I1-I3以一種環形組配被耦合在一起，該環形組配具有以與前述相同的方式產生VAC的一反饋節點653。該轉換器630的操作與該轉換器530基本相同，使得當該轉換器630由該LPS電路634啟用時，VIN的該電壓準位決定流經過PA的該汲極電流，該汲極電流又決定該環形振盪器652振盪的該特定頻率。該環形振盪器652以基於該等反相器I1-I3每一個的該延遲的一頻率來振盪VAC，其中該等反相器I1-I3每一個的該延遲更基於PA的該汲極電流準位，該汲極電流準位更進一步基於VIN的該電壓準位。當該雷射束108被聚焦在該雷射探針區域614上時(例如，聚焦在該等反相器I1-I3之任一的任一PN接面時)，則該反射的雷射束116會基於該環形振盪器652(並因此VAC)的該頻率來被調變，使得被顯示在該顯示器裝置122上的該輸出信號120具有等於或高於FMIN的一頻率準位，其中該特定的頻率準位係基於VIN的該電壓準位。以此種方式，VIN被轉換成為具有一相對高頻率的一振盪或交替的信號VAC，其具有基於VIN該電壓準位之一特定的頻率，從而VIN的該電壓準位可由該測試設備124來測量。
圖7係一曲線圖，其針對DUT 504或604之任一的操作描繪出以MHz為單位之該VAC信號(FVAC )頻率對上以伏特(V)為單位的VIN該電壓準位(針對DUT 504)或VDD-VIN的電該壓準位(針對DUT 604)。DUT 504及604兩者的該轉換操作基本相同，只是頻率或電壓的數值會略有變化。與針對該DUT 504所描述者相似，FVAC 的頻率範圍在不同組配情況下可能遠低於該MHz範圍(只要等於或高於FMIN即可)，或者遠高於該MHz範圍，並且VIN也可能具有一不同的電壓範圍。對於DUT 504或604之任一，該等反相器I1-I3每一個的該延遲都相對地小，使得即使以VIN相對小的值，VAC的該振盪頻率也可會顯著地高於FMIN。在該等所圖示出的組配中，大約為1V數量級的電壓準位會導致在百萬赫茲範圍內的一頻率準位，該頻率準位遠高於FMIN。此外，在VIN該電壓準位與FVAC 之間的該已知關係使得能夠使用該LVP測試系統102來測量VIN。應被注意的是，相同的DUT可以包括該等轉換器230、330、530，或630的任何組合以用於測量對應的電流或電壓準位。
圖8係一DUT 804的一示意圖，該圖圖示出根據本發明之一個實施例所實現之該DUT 104的一實施例，該DUT 804包括一轉換器830，該轉換器830基於一時鐘信號LVP_CLK接收一或多個啟用信號，該時鐘信號具有等於或高於FMIN之一合適的頻率。該DUT 804包括一功能電路828的一部分，該功能電路828更包括有與在其他組配中類似的一感測節點826，其中該感測節點826產生VIN。再次地，再次地，該電壓VIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，並且所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN的值。包括有一導體850的一感測電路把VIN輸送到該轉換器830的一輸入。該轉換器830包括一個二極體D1，該二極體D1的陽極被耦合至一第一較低參考電壓VREF1，陰極被耦合至形成VAC的一檢測節點852。該二極體D1包含一PN接面，該PN接面形成實現該雷射探針區域114之一實施例的一雷射探針區域814。在一替代的實施例中，該相同二極體或相似的二極體D2(使用虛線被示出)使其陽極被耦合至該檢測節點852，並且其陰極被耦合至一第二較高的參考電壓VREF2，從而提供相同或相似的雷射探針區域814。使用二極體D2的操作與使用二極體D1的操作相似，因此不再贅述。除了二極體以外，還可以設想其他可被使用作為該雷射探針區域814的裝置。該檢測節點852產生一交替電壓VAC其頻率等於或高於基於VIN該電壓準位的FMIN，如在本文中被進一步描述的。
一第一開關S1具有耦合在VREF1與該檢測節點852之間的開關端子並且具有接收一第一時鐘啟用信號CKl_EN的一控制輸入；一第二開關S2具有耦合在導體850(接收VIN)與該檢測節點852之間的開關端子並且具有接收一第二時鐘啟用信號CK2_EN的一控制輸入；以及一第三開關S3具有耦合在VREF2與該檢測節點852之間的開關端子並且具有接收一第三時鐘啟用信號CK3_EN的一控制輸入。VREF1及VREF2的該等電壓準位被選擇使得VIN的該範圍係在VREF1與VREF2之間，即VREF1
Figure 02_image001
VIN
Figure 02_image001
VREF2。請注意，該等已知參考電壓VREF1及VREF2中的一個或兩者可以是一供給電壓。例如，VREF1可以是GND或VREF2可以是VDD。該等開關S1-S3中的每一個在其對應的時鐘啟用信號被斷言為一第一邏輯準位(例如，低)時被斷開，並且在其對應的時鐘啟用信號被斷言為一第二邏輯準位(例如，高)時被閉合。該DUT 804包括實現該LPS電路134之一實施例的一LPS電路834。該LPS電路834接收被使用來產生該等時鐘啟用信號CK1_EN、CK2_EN、及CK3_EN時鐘信號的該LVP_CLK。LVP_CLK可被產生在該DUT 804上，或者可從外部被提供，諸如從該測試設備124。
該LPS電路834可啟用或禁用使用該等時鐘啟用信號CK1_EN、CK2_EN、及CK3_EN的該轉換器830。為了禁用該轉換器830，該LPS電路834斷言該等時鐘啟用信號處於一恆定邏輯準位以保持該等開關S1-S2斷開。在一替代的實施例中，一個或兩個供給電壓，諸如不是GND就是VDD或是兩者，也可以以與前述類似的方式由該LPS電路834來被切換，諸如使用一對應的供給啟用或類似者來接收供給電壓或一啟用信號。
圖9係一時序圖，其根據使用二極體D1的一個實施例，描繪出當該DUT 804被供電並且該轉換器830被啟用時，該等時鐘啟用信號CK1_EN、CK2_EN、CK3_EN以及該感測到交替電壓信號VAC與時間的關係圖。該等時鐘啟用信號CK1_EN、CK2_EN、及CK3_EN每一個以一循環方式針對每一個連續週期被斷言為高。在所該圖示的組配中，在一個時間點上該等時鐘啟用信號中僅有僅一個被斷言，儘管也可以使用不同的序列及切換頻率設想出替代的組配。在所該圖示的組配中，CK1_EN首先被斷言同時把CK2_EN及CK3_EN保持為低準位，然後CK2_EN被斷言同時把CK1_EN及CK3_EN保持為低準位，然後最後CK3_EN被斷言同時把CK1_EN及CK2_EN保持為低準位，並在隨後的周期中重複此過程。當CK1_EN被置為高準位時，S1閉合把VAC拉至VREF1。當CK2_EN被置為高準位時，S2閉合把VAC拉至VIN的該電壓準位。當CK3_EN被置為高準位時，S3閉合把VAC拉至VREF2的該電壓準位。以這種方式，VAC具有一階梯波形，該階梯波形具有至少一個與VIN的該電壓有關的電壓階躍，以及至少一個與諸如VREF1或VREF2之一已知電壓準位有關的電壓階躍。
該等時鐘啟用信號CK1_EN、CK2_EN、及CK3_EN的該等頻率基本上可以彼此相等，並且可以基於該LVP_CLK的頻率在一高於FMIN的頻率準位上操作，使得該檢測節點852以一等於或高於FMIN的頻率交替VAC。以這種方式，當該雷射束108被聚焦在該雷射探針區域814上時，則該反射的雷射束116會基於該VAC的頻率來被調變，使得在該顯示器裝置122上被顯示出的該輸出信號120會跟隨VAC。VREF1及VREF2的該等電壓準位都是已知的，因此VIN的該電壓準位可以基於其相對於VREF1及VREF2的電壓準位被得出。以這種方式，VIN被轉換成為一具有基於該LVP_CLK頻率之頻率的一振盪或交替信號VAC，並且可以藉由測試設備124相對於VREF1及VREF2之該等已知的電壓準位來得出VIN的該電壓準位。在二極體D1被二極體D2替代的該情況下，該VAC波形係相似的，從而可以容易地確定VIN的該電壓準位。
圖10係根據另一實施例所實現之一DUT 1004的一示意性方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電流信號IIN轉換成為在節點1033上具有一頻率等於或高於FMIN的一交替電壓信號VAC以用於進行雷射檢測。在該DUT 1004上的該功能電路(圖中未示出)包括一感測電路1032，該感測電路1032被描繪為參考為GND的一電流槽從而產生該電流IIN。該電流IIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該IIN的值。該感測電路1032可以以一類似於在圖2中所展示及描述的方式被實現為一電流鏡分支，在圖2中所示由該電流槽所產生的該電流IIN實際上可以是來自於該功能電路的一鏡像電流信號。一電導體1050以一先前描述的類似方式把該電流IIN傳送到一轉換器1030，其中在該所示的實施例中，該導體1050被耦合到該節點1033。該轉換器1030包括該電容器C及一PMOS電晶體PB(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)，PB的源極端被耦合到該電容器C的一端，而PB的汲極端被耦合到該電容器C的另一端。PB的源極端也被圖示為耦合到VDD(或其它合適的參考電壓準位)，而PB的汲極端被耦合到產生VAC的節點1033。一LPS電路1034基於一時鐘信號LVP_CLK提供一時鐘啟用信號CLK_EN，該時鐘信號LVP_CLK可以在該DUT 1004上被產生或從外部提供。該電容器C或該電晶體PB可以用作為該雷射探針區域1014的一實施例。
儘管該轉換器1030被圖示出為連接到VDD，但是在一替代的實施例中，VDD可以是由該LPS電路1034以一先前描述的類似方式來控制的一開關式的連接，以確保該轉換器1030對該基礎的功能電路沒有任何的電氣影響。
圖11係當該轉換器1030被啟用時針對該DUT 1004所描繪之CLK_EN及VAC相對於時間的一曲線圖，其中該VAC以基於IIN的一速率做斜坡下降。在該所示的實施例中，該LPS電路1034可以把CLK_EN保持在高準位以保持PB截止以禁用該轉換器1030。該LPS電路1030基於LVP_CLK來切換CLK_EN以啟用該轉換器1030，其中CLK_EN具有等於或高於FMIN的一頻率以藉由該LVP測試系統102進行檢測。當CLK_EN變為低準位時，PB導通並使該電容器C放電，從而把VAC拉高至VDD。當CLK_EN變為高準位時，PB被截止並且該電容器C以基於IIN之該電流準位的一速率來充電。當該電容器C充電時，VAC以基於IIN之該電流準位的一速率做斜坡下降。因此，對於較高的IIN值VAC下降得更快，而對於較低的IIN值VAC下降得更慢。當CLK_EN變為低時，可基於VAC的斜率來確定該IIN的值。對於CLK_EN的連續週期可以以這種方式重複操作。
圖12係根據類似於DUT 1004的另一實施例所實現之一DUT 1204的一示意性方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電流信號IIN轉換成為在節點1233上具有一頻率等於或高於FMIN的一交替電壓信號VAC以用於進行雷射檢測。在該DUT 1204上的該功能電路(圖中未示出)包括一感測電路1232，該感測電路1232被描繪為參考為VDD的一電流源從而以與圖10之該感測電路1032類似的方式來產生該電流IIN。再次地，該電流IIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該IIN的值。而且，IIN可被表示為一鏡像的電流信號。一電導體1250以一先前描述的類似方式把該電流IIN傳送到一轉換器1230的該節點1233。該轉換器1230包括該電容器C及一NMOS電晶體NB(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)，NB的源極端被耦合到該電容器C的一端，而NB的汲極端被耦合到該電容器C的另一端。NB的源極端也被圖示為耦合到GND，而NB的汲極端被耦合到節點1233，該節點1233傳送IIN並且還產生電壓VAC。一LPS電路1234基於一時鐘信號LVP_CLK提供一時鐘啟用信號CLK_EN，該時鐘信號LVP_CLK可以在該DUT 1204上被產生或從外部提供。該電容器C或該電晶體NB可以用作為該雷射探針區域1214的一實施例。
儘管該轉換器1230被圖示出為連接到GND，但是在一替代的實施例中，VDD可以是由該LPS電路1234以一先前描述的類似方式來控制的一開關式的連接，以確保該轉換器1230對該基礎的功能電路沒有任何的電氣影響。
圖13係當該轉換器1230被啟用時針對該DUT 1204所描繪之CLK_EN及VAC相對於時間的一曲線圖，其中該VAC以基於IIN的一速率斜坡上升。在該所示的實施例中，該LPS電路1234可以把CLK_EN保持在高準位以保持NB截止以禁用該轉換器1230。該LPS電路1230基於LVP_CLK來切換CLK_EN以啟用該轉換器1230，其中CLK_EN具有等於或高於FMIN的一頻率以藉由該LVP測試系統102進行檢測。當CLK_EN變為高準位時，NB導通並使該電容器C放電，從而把VAC拉低至GND。當CLK_EN變為低準位時，NB被截止並且該電容器C以基於IIN之該電流準位的一速率來充電。當該電容器C充電時，VAC以基於IIN之該電流準位的一速率做斜坡上升。因此，對於較高的IIN值VAC上升得更快，而對於較低的IIN值VAC上升得更慢。當CLK_EN變為低時，可基於VAC的斜率來確定該IIN的值。對於CLK_EN的連續週期可以以這種方式重複操作。
圖14係根據類似於該DUT 1004之另一實施例所實現之一DUT 1804的一示意性方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電壓信號VIN轉換成具有一頻率等於或高於FMIN的一交替信號以用於進行雷射檢測。在該DUT 1404上的該功能電路(圖中未示出)包括一感測節點1426及一電導體1450，該電導體以一類似先前描述的方式把該電壓VIN傳送到一轉換器1430的一輸入。該電壓VIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN的值。該轉換器1430包括該電容器C、一PMOS電晶體PC(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)、以及一NMOS電晶體NC(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)。NC的源極端被耦合到GND，其閘極端被耦合到該電導體1450用以接收VIN，並且其汲極端被耦合到形成VAC之一節點1431處該電容器C的一端。PC的汲極端被耦合至該節點1431，其源極端被耦合至該電容器C的另外一端並且耦合至VDD(或其他合適的參考或供給電壓)，並且其閘極端接收一時鐘啟用信號CLK_EN。一LPS電路1434基於一時鐘信號LVP_CLK提供CLK_EN，該時鐘信號LVP_CLK可以在該DUT 1404上被產生或從外部提供。該電容器C或該電晶體PC可以用作為該雷射探針區域1414。
儘管該轉換器1430被圖示出為連接到VDD及GND兩者，但是在一替代的實施例中，VDD及GND的其中之一或兩者可以是以先前所描述類似的方式由該LPS電路1434所控制之一開關式的連接，以確保該轉換器1430對該基礎的功能電路沒有任何的電氣影響。
圖15係當該轉換器1430被啟用時針對該DUT 1404所描繪之CLK_EN及VAC相對於時間的一曲線圖，其中VAC以基於輸入電壓VIN的一速率做斜坡下降。在該所示的實施例中，該LPS電路1434可以把CLK_EN保持在高準位以保持PC截止以禁用該轉換器1430。該LPS電路1430基於LVP_CLK來切換CLK_EN以啟用該轉換器1430，其中CLK_EN具有等於或高於FMIN的一頻率以藉由該LVP測試系統102進行檢測。當CLK_EN變為低準位時，PC導通並使該電容器C放電，從而把VAC拉高至VDD。當CLK_EN變為高準位時，PC被截止並且該電容器C以基於VIN之該電壓準位的一速率來充電(該電壓準位控制QC的該汲極電流)。當該電容器C充電時，VAC以基於VIN的一速率下降。因此，對於較高的VIN值VAC下降得更快，而對於較低的VIN值VAC下降得更慢。當CLK_EN變為低時，可基於VAC的斜率來確定該VIN的值。對於CLK_EN的連續週期可以以這種方式重複操作。
圖16係根據與該DUT 1204類似的另一實施例所實現之一DUT 1604的一示意性方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電壓信號VIN轉換成具有一頻率等於或高於FMIN的一交替信號以用於進行雷射檢測。在該DUT 1604上的該功能電路(圖中未示出)包括一感測節點1626及一電導體1650，該電導體以一類似於先前描述的方式把該電壓VIN傳送到一轉換器1630。該電壓VIN係一低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之一相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN的值。該轉換器1630包括該電容器C、一PMOS電晶體PD(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)、以及一NMOS電晶體ND(或其他合適的電晶體類型，諸如一FET或雙極性電晶體等等)。PD的源極端被耦合到VDD(或其他合適的參考或供給電壓)，其閘極端被耦合到該電導體1650用以接收VIN，並且其汲極端被耦合到產生VAC之一節點1631處該電容器C的一端。ND的汲極端被耦合至該節點1631，其源極端被耦合至該電容器C的另外一端並且耦合至GND，並且其閘極端接收一時鐘啟用信號CLK_EN。一LPS電路1634基於一時鐘信號LVP_CLK提供CLK_EN，該時鐘信號LVP_CLK可以在該DUT 1604上被產生或從外部提供。該電容器C或該電晶體PC可以用作為該雷射探針區域1614。
儘管該轉換器1630被圖示出為連接到VDD及GND兩者，但是在一替代的實施例中，VDD及GND的其中之一或兩者可以是由該LPS電路1634以一類似先前描述方式來控制之一開關式的連接，以確保該轉換器1630對該基礎的功能電路沒有任何的電氣影響。
圖17係當該轉換器1630被啟用時針對該DUT 1604所描繪之CLK_EN及VAC相對於時間的一曲線圖，其中VAC以基於輸入電壓VIN的一速率做斜坡上升。在該所示的實施例中，該LPS電路1634可以把CLK_EN保持在低準位以保持ND截止以禁用該轉換器1630。該LPS電路1630基於LVP_CLK來切換CLK_EN以啟用該轉換器1630，其中CLK_EN具有等於或高於FMIN的一頻率以藉由該LVP測試系統102進行檢測。當CLK_EN變為高準位時，ND導通並使該電容器C短路，從而把VAC拉高至GND。當CLK_EN變為低準位時，ND被截止並且該電容器C以基於VIN之該電壓準位的一速率來充電(該電壓準位控制PD的該汲極電流)。當該電容器C充電時，VAC以基於VIN的一速率上升。因此，對於較高的VIN值VAC上升得更快，而對於較低的VIN值VAC上升得更慢。當CLK_EN變為低時，可基於VAC的斜率來確定該VIN的值。對於CLK_EN的連續週期可以以這種方式重複操作。
圖18係根據一個實施例所實現之一DUT 1804的一方塊圖，該DUT 1804包括多個參考到GND的轉換器1830，分別表示為CVR1、CVR2、CVR3、CVR4、CVR5、…、CVRN，用於轉換該DUT 1804之一基礎功能電路(圖中未示出)之任意數量N的電壓或電流值輸入(例如，VIN1、VIN2、VIN3、…、IIN1、IIN3、IIN3、等等)。這些電壓或電流值VINx、IINx係低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN之不是VINx就是IINx的該等值。每一個轉換器1830可根據先前所描述之該等轉換器之適用者來做組配，諸如該等轉換器230、530、630、830、1030、1130、1430、1630、等等。該DUT 1804包括參考到GND用於支援及啟用該等轉換器1830之一或多個的一LPS電路1834。該DUT 1804可以包括一輸入/輸出(I/O)墊或引腳1835用於接收並提供一外部時鐘信號LVP_CLK給該LPS電路1834。該LPS電路1834以一類似於先前描述的方式提供該等啟用信號LVP_ENABLE>>中該等對應的一個給該等轉換器1830中的每一個，諸如供給電壓(GND、VDD、等等)、時鐘啟用信號、邏輯啟用信號、等等的任意組合。
該DUT 1804更包括一LVP啟用電路1836作為該LVP啟用電路136之一更具體的實施例。該LPS電路1834一開始使其較高及較低的供給電壓端兩者耦合到GND，使得其最初係被禁用的，其進一步禁用該等轉換器1830的每一個。可以進行一電路編輯1837以從該LPS電路1834的較高供給電壓端切斷該GND連接，並且可以進行另一個電路編輯1839以把該LPS電路1834的該較高供給電壓端連接到VDD以啟用該LPS電路1834。可以以任何合適的方式進行該等電路編輯1837及1839，諸如使用一聚焦離子束(FIB)設備或類似物。一旦被啟用，就可以把該DUT 1804通電並以一選定的正常操作模式或一選定的測試模式來進行操作，並被使用作為該DUT 104用於由該LVP測試系統102來進行測量。以這種方式，可以把雷射束108聚焦在該等轉換器1830(CVR1、CVR2、CVR3、CVR4、CVR5、…、CVRN)中的任何一個用於檢測及測量該DUT 1804之該基礎功能電路的該等電壓或電流值(例如，VIN1、VIN2、VIN3、…、IIN1、IIN3、IIN3、等等)。
圖19係根據另一個實施例所實現之一DUT 1904的一方塊圖，該DUT 1904包括多個參考到VDD的轉換器1930，各別地表示為CVR1、CVR2、CVR3、CVR4、CVR5、…、CVRN，用於轉換該DUT 1904之一基礎功能電路之任意數量N的電壓或電流值(例如，VIN1、VIN2、VIN3、…、IIN1、IIN3、IIN3、等等)。與該DUT 1804一樣，這些電壓或電流值VINx、IINx係低頻電氣參數，其不是恆定就是以低於FMIN之相對低的頻率準位做交替，其中所欲的是可使用該LVP測試系統102來檢測該VIN之不是VINx就是IINx的該等值。每一個轉換器1930可根據先前所描述之該等轉換器之適用者來做組配，諸如該等轉換器330、530、630、830、1030、1130、1330、1430、1630、等等。該DUT 1904包括參考到VDD用於支援及啟用該等轉換器1930之一或多個的一LPS電路1934。該DUT 1904可以包括一I/O墊或引腳1935用於接收並提供一外部時鐘信號LVP_CLK給該LPS電路1934。該LPS電路1934以一類似於先前描述的方式提供該等啟用信號LVP_ENABLE>>中該等對應的一個給該等轉換器1930中的每一個，諸如供給電壓(GND、VDD、等等)、時鐘啟用信號、邏輯啟用信號、等等的任意組合。
該DUT 1904更包括一LVP啟用電路1936作為該LVP啟用電路136之一更具體的實施例。該LPS電路1934一開始使其較高及較低的供給電壓端兩者耦合到VDD，使得其最初係被禁用的，其進一步禁用該等轉換器1930的每一個。可以進行一電路編輯1937以從該LPS電路1934的較低供給電壓端切斷該VDD連接，並且可以進行另一個電路編輯1939以把該LPS電路1934的該較高供給電壓端連接到GND以啟用該LPS電路1934。可以以任何合適的方式進行該等電路編輯1937及1939，諸如使用一FIB設備或類似物。一旦被啟用，就可以把該DUT 1904通電並以一選定的正常操作模式或一選定的測試模式來進行操作，並被使用作為該DUT 104用於由該LVP測試系統102來進行測量。以這種方式，可以把雷射束108聚焦在該等轉換器1930(CVR1、CVR2、CVR3、CVR4、CVR5、…、CVRN)中的任何一個用於檢測及測量該DUT 1904之該基礎功能電路的該等電壓或電流值(例如，VIN1、VIN2、VIN3、…、IIN1、IIN3、IIN3、等等)。
圖20係根據類似於該DUT 1804之一實施例所實現的一DUT 2004的一方塊圖，其中相似的組件採用相同的附圖標記。該DUT 2004包括多個參考到GND的轉換器1830(CVR1、CVR2、CVR3、CVR4、CVR5、…、CVRN)用於轉換該DUT 2004之該基礎功能電路之任意數量N的電壓或電流值(例如，VIN1、VIN2、VIN3、…、IIN1、IIN3、IIN3、等等)，並且也包括參考到GND用於經由該等對應的啟用信號LVP_ENABLE>>支援及啟用該等轉換器1830之一或多個的該LPS電路1834。並且，該DUT 2004可以包括該引腳1835用於接收並提供LVP_CLK給該LPS電路1834。
然而，該LVP啟用電路1836被一LVP啟用電路2036代替，該LVP啟用電路2036係該LVP啟用電路136之一不同的實施例。該LVP啟用電路2036包括由一LVP啟用信號LVP_EN所控制的一對開關SW1及SW2。SW1通常被閉合並且SW2通常被斷開。該LPS電路1834的該較低供給電壓端以與該DUT 1804相同的方式被連接至GND。然而，該LPS電路1834的該較高供給電壓端被替代地耦合到該等開關SW1及SW2中每一個的一個切換端。SW2的另一個切換端被連接到VDD，而SW1的另一個切換端被連接到GND。該等開關SW1及SW2兩者均具有接收LVP_EN的一控制端。LVP_EN可以由位於該DUT 2004上之一功能電路或測試電路(圖中未示出)來產生，或者可以在外部被提供，諸如藉由該測試設備124或類似物。
在操作中，當LVP_EN被斷言為一邏輯準位使得SW1把該LPS電路1834的該較高供給電壓端耦合至GND時，該LPS電路1834及該等轉換器1830的每一個被禁用。當LVP_EN被斷言為不同或相反的邏輯準位使得SW2啟用LPS電路1834時，其較高供給電壓端被耦合至VDD，然後該LPS電路1834可以啟用該等轉換器1830之任何一或多個以啟用該LPV測試系統102以檢測及測量該DUT 2004之恆定或低頻的電氣參數。
圖21係根據類似於該DUT 1904之一實施例所實現的一DUT 2104的一方塊圖，其中相似的組件採用相同的附圖標記。該DUT 2104包括參考到VDD的該等轉換器1930(CVR1-CVRN)用於轉換該DUT 2104之該基礎功能電路之任意數量N的電壓或電流值(例如，VIN1、VIN2、VIN3、IIN1、IIN3、IIN3、等等)，並且也包括參考到VDD用於經由該等對應的啟用信號LVP_ENABLE>>支援及啟用該等轉換器1930之一或多個的該LPS電路1934。並且，該DUT 2104可以包括該引腳1935用於接收並提供LVP_CLK給該LPS電路1934。
然而，該LVP啟用電路1936被一LVP啟用電路2136代替，該LVP啟用電路2136係該LVP啟用電路136之一不同的實施例。該LVP啟用電路2136包括由一LVP啟用信號LVP_EN所控制的一對開關SW1及SW2。SW1通常被斷開並且SW2通常被閉合。該LPS電路1934的該較高供給電壓端以與該DUT 1904相同的方式被連接至VDD。然而，該LPS電路1934的該較低供給電壓端被替代地耦合到該等開關SW1及SW2中每一個的一個切換端。SW2的另一個切換端被連接到VDD，而SW1的另一個切換端被連接到GND。該等開關SW1及SW2兩者均具有接收LVP_EN的一控制端。LVP_EN可以由位於該DUT 2004上之一功能電路或測試電路來產生，或者可以在外部被提供，諸如藉由該測試設備124或類似物。
在操作中，當LVP_EN被斷言為一邏輯準位使得SW2把該LPS電路1934的該較低供給電壓端耦合至VDD時，該LPS電路1934及該等轉換器1930的每一個被禁用。當LVP_EN被斷言為不同或相反的邏輯準位使得SW1藉由把其較低供給電壓端耦合至GND來啟用LPS電路1934時，則該LPS電路1934然後可以啟用該等轉換器1930之任何一或多個以啟用該LPV測試系統102以檢測及測量該DUT 2104之恆定或低頻的電氣參數。
該等所示的轉換器在特定的時間點上檢測該等輸入信號VIN或IIN，這對於DC或相對恆定的電氣參數來說係特別的有利。然而，對於低頻AC信號，該測試設備124可被組配來儲存隨時間推移的多次迭代，其中可以使用事後處理技術來評估所測量之信號隨時間的一變化率以判定一對應的頻率。替代地或另外地，該測試設備124可以包括一頻率分析器，該頻率分析器可以用於判定測量到信號的該頻率。
具有轉換器的該等DUT可能會出現樣品到樣品的製造差異，因此基於一環形振盪器(例如252、352、552及652)等等之該等轉換器的頻率可能在一個DUT到另一個DUT之間有很大的差異，從而使得測量結果不確定或至少不太準確。在一個實施例中，可以使用一校準過程來正規化每一個DUT的測量。在如圖22及23所圖示的另一個實施例中，可以藉由使用外部提供之已知參考值的墊匹配來實現該正規化。
圖22係一方塊圖，其圖示出可被使用來正規化針對一給定DUT之電壓測量之各種墊匹配組配。該DUT可以包括接收一已知的參考電壓VREF的一I/O引腳2260，雖然VREF也可以被內部設置。在該DUT上的這組轉換器可以包括一或多個接收VREF的電壓參考轉換器，諸如2262或2264，或兩者。該電壓參考轉換器2262被參考到GND，並且該電壓參考轉換器2264被參考到VDD。在一個實施例中，該等參考轉換器2262及2264可包括環形振盪器用於把VREF轉換為一對應的參考頻率用於由該LVP測試系統102來檢測。以這種方式，該測試設備124可以使用在VREF與該參考頻率之間的該關係來正規化或校正諸如在圖7中所示之藉由使用環形振盪器之墊進行頻率到電壓轉換的變異數。另外地或替代地，該等參考該轉換器2262及2264或其他類似的參考轉換器(圖中未示出)可以包括諸如在DUT 1404及1604中所示那些的充電電容器。
圖23係一方塊圖，其圖示出可被使用來正規化針對一給定DUT之電流測量之各種墊匹配組配。該DUT可以包括吸收或提供一外部已知參考電流IREF的一I/O引腳2360。參考到GND的一外部電流槽2362可以經由引腳2360為參考到GND的一電流參考該轉換器2364吸收IREF，或者參考到VDD的一外部電流源2366可以經由引腳2360(或另一個引腳)為參考到VDD的一電流參考轉換器2368提供IREF。在一個實施例中，該等參考轉換器2364及2366可以包括基本上相同的環形振盪器用於把IREF轉換為一對應的參考頻率用於由該LVP測試系統102來檢測。以這種方式，該測試設備124可以使用在IREF與該參考頻率之間的該關係來正規化或校正諸如在圖4中所示之藉由使用環形振盪器之墊進行頻率到電流轉換的變異數。另外地或替代地，該等參考該轉換器2364及2366或其他類似的參考轉換器(圖中未示出)可以包括諸如在DUT 1004及1204中所示那些的充電電容器。
該等電容器充電轉換器1030、1230、1430及1630被實現在一設計窗口內的方式係基於該LVP測試系統102的該低頻截止、系統抖動、以及寄生參數。特別地是，該目標的上升或下降斜率應小於肇因於系統抖動的斜率但應大於該LVP測試系統102的該低頻截止。該電容器C的電容，包括有寄生電容，可以由該墊的大小來被確定。該LVP的測試系統102的該低頻截止可以被調整到一已知的值，諸如，例如，100 kHz。可以把一合理的斜率限制用於系統抖動，諸如，例如10奈秒(ns)，儘管此值對於不同的組配可能有所不同。這些參數確定了用於IIN的一合理的窗口。在一個實施例中，例如，IIN的範圍可以從10奈安(nA)到10微安(µA)。如果IIN在該目標窗口之外並且該等參數不易調整，則可以使用一不同的轉換器類型。
儘管已經結合數個實施例描述了本發明，但是本發明並不旨在受限於本文所闡述的之該等特定的形式。相反的是，本文旨在涵蓋可被合理地包括在由所附請求項所限定之本發明範圍內之該等替換、修改、以及等同物。例如，可以在各種實施例中使用正邏輯或負邏輯的變型，其中本發明並不侷限於特定的邏輯極性、裝置類型或電壓準位等等。例如，VDD及GND係供給電壓準位，其中每一個電壓準位可以具有任何正電壓準位或負電壓準位，並且VDD可以具有一相對於GND更高或更低的電壓準位。同樣地，可以使用替代的供給或參考電壓來取代VDD或GND。
在本文中所使用的該等術語「一」或「一個」被限定為一個或多於一個。此外，在該等請求項中所使用之諸如「至少一個」及「一或多個」的引入性短語不應該被解讀為暗示由不定冠詞「一」或「一個」所引入的另一請求項元件之任何包含此類引入請求項元件的特定請求項限制了僅包含一個如此元件的發明，即使在該同一請求項包括引入性短語「一或多個」或「至少一個」以及不定冠詞諸如「一」或「一個」的情況下也是如此。這相同情況也適用於定冠詞的使用。除非另有說明，諸如「第一」及「第二」之類的術語被使用來在以如此術語所描述的元件之間進行任意形式地區分。因此，這些術語不一定意圖表示這些元件的在時間上或其他優先次序上的順序。
102:LVP測試系統 104、204、304、504、604、804、1004、1404、1604、1804、1904、2004、2104:DUT 106:雷射 108:雷射束 110:分束器 112:物鏡 114、214、314、514、614、814、1014、1204、1214、1414、1614:雷射探針區域 116:反射的雷射束 118:檢測器 120:輸出信號 122:顯示器裝置 124:測試設備 126、226、326、526、626、826、1426、1626:感測節點 128、228、328、528、628、828:功能電路 130、230、330、530、630、830、1030、1230、1430、1630、1830、1930:轉換器 132、232、332、532、632、1032、1232:感測電路 134、234、334、534、634、834、1034、1234、1434、1634、1834、1934:LPS電路 136、1836、1936、2036、2136:LVP啟用電路 250、350、550、650、850、1050、1250、1450、1650:電導體 252、352、552、652:環形振盪器 253、353、553、653:反饋節點 254、354、554、556、654、656:供給啟用 852:檢測節點 1033、1233、1431、1631:節點 1835、1935、2260、2360:引腳 1837、1839、1937、1939:電路編輯 2262、2264、2364、2368:參考轉換器 2362:外部電流槽 2366:外部電流源2602:處理器
本發明的實施例藉由示例的方式被展示，並且不侷限於該等附圖。在該等附圖中，相似的參考標記可以指出相似的元件。在該等附圖中的元件係以簡單及清楚地的方式被展示出，並且不一定係按比例被繪製。
圖1係使用來測試被示出為受測試裝置(DUT)之一積體電路(IC)或半導體裝置的一雷射電壓探針(LVP)測試系統的一簡化方塊圖，該DUT包括有一轉換器用於把一低頻電氣參數轉換為可由該LVP測試系統檢測到之一高頻的電氣參數。
圖2係根據本發明之一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖，其使用一環形振盪器用於把一DC或低頻電流轉換為頻率等於或高於FMIN的一高頻信號。
圖3係根據本發明之另一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖，其也使用一環形振盪器用於把一DC或低頻電流轉換為頻率等於或高於FMIN的一高頻信號。
圖4係針對圖2或圖3中之任一受測試裝置所繪製之VAC信號頻率相對於輸入電流之電流準位的一曲線圖。
圖5係根據本發明之又另一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖，其使用一環形振盪器用於把一DC或低頻電壓轉換為頻率等於或高於FMIN的一高頻信號。
圖6係根據本發明之另一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖，其也使用一環形振盪器用於把一DC或低頻電壓轉換為頻率等於或高於FMIN的一高頻信號。
圖7係針對圖5或圖6中之任一受測試裝置所繪製之VAC信號頻率相對於輸入電壓之電壓準位的一曲線圖。
圖8係根據本發明之一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖，其包括有一轉換器，該轉換器基於一時鐘信號LVP_CLK接收一個或多個啟用信號，該時鐘信號LVP_CLK具有一等於或高於FMIN的適當頻率。
圖9根據一個實施例描繪出當圖8的該受測試裝置被供電並且其轉換器被啟用時該等時鐘啟用信號及該感測到的交替電壓信號VAC相對於時間的時序圖。
圖10係根據本發明之另一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖及方塊圖，其中一電容器被重複地充電及放電以把一DC或低頻電流信號轉換為用於雷射檢測之具有一等於或高於FMIN之頻率的一交替電壓信號VAC。
圖11描繪出針對圖10之該受測試裝置的CLK_EN及VAC相對於時間的曲線圖，其中其轉換器被啟用並且VAC基於一輸入電流IIN以一速率做斜坡下降。
圖12係根據本發明之另一個實施例所實現之一受測試裝置的一示意圖及方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電流信號轉換為用於雷射檢測之具有一等於或高於FMIN之頻率的一交替信號VAC。
圖13描繪出針對圖12之該受測試裝置的CLK_EN及VAC相對於時間的曲線圖，其中其轉換器被啟用並且VAC基於一輸入電流IIN以一速率做斜坡上升。
圖14係一受測試裝置的一示意圖及方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電壓信號轉換為用於雷射檢測之具有一等於或高於FMIN之頻率的一交替信號。
圖15描繪出針對圖14之該受測試裝置的CLK_EN及VAC相對於時間的曲線圖，其中其轉換器被啟用並且VAC基於一輸入電壓VIN以一速率做斜坡下降。
圖16係一受測試裝置的一示意圖及方塊圖，其中一電容器C被重複地充電及放電以把一DC或低頻電壓信號轉換為用於雷射檢測之具有一等於或高於FMIN之頻率的一交替信號。
圖17描繪出針對圖16之該受測試裝置的CLK_EN及VAC相對於時間的曲線圖，其中其轉換器被啟用並且VAC基於一輸入電壓VIN以一速率做斜坡上升。
圖18係根據一個實施例所實現之一受測試裝置的一方塊圖，其包括有多個參考到GND的轉換器，其使用啟用或禁用的電路修改來轉換一基礎功能電路之任意數量N個電壓或電流值。
圖19係根據另一個實施例所實現之一受測試裝置的一方塊圖，其包括有多個參考到一供給電壓VDD的轉換器，其使用啟用或禁用的電路修改來轉換一基礎功能電路之任意數量N個電壓或電流值。
圖20係類似於圖18被實現之一受測試裝置的一方塊圖，不同處在於使用受控開關來進行啟用或禁用。
圖21係類似於圖19被實現之一受測試裝置的一方塊圖，不同處在於使用受控開關來進行啟用或禁用。
圖22係一方塊圖，其圖示出墊匹配的各種組配，其可被使用來針對一給定的受測試裝置進行電壓測量正規化。
圖23係一方塊圖，其圖示出墊匹配的各種組配，其可被使用來針對一給定的受測試裝置進行電流測量正規化。
102:LVP測試系統
104:DUT
106:雷射
108:雷射束
110:分束器
112:物鏡
114:雷射探針區域
116:反射的雷射束
118:檢測器
120:輸出信號
122:顯示器裝置
124:測試設備
126:感測節點
128:功能電路
130:轉換器
132:感測電路
134:LPS電路
136:LVP啟用電路

Claims (20)

  1. 一種積體電路區塊，其包含有： 一感測節點，當該積體電路區塊被供電時，該感測節點產生一低頻電氣參數，其中該低頻電氣參數係恆定的或以低於一預定頻率準位的一頻率做變化；以及 一轉換器電路，其耦合到該感測節點並且包括有一雷射探針區域，其中該轉換器電路把該低頻電氣參數轉換成為一交替的電氣參數，其具有等於或高於該預定頻率準位的一頻率足以調變被聚焦在該雷射探針區域內之一個點上的一雷射束。
  2. 如請求項1之積體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包含一電流；並且 其中該轉換器電路包含： 一電流鏡，其把該電流鏡像為一鏡像的電流；以及 一環形振盪器，其與該電流鏡做串聯耦合，其中該環形振盪器以基於該鏡像電流之一大小的一頻率做振盪。
  3. 如請求項1之積體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包含一電壓；並且 其中該轉換器電路包含： 一轉換裝置，其把該電壓轉換成為一電流；以及 一環形振盪器，其被耦合到該轉換裝置，其中該環形振盪器以基於該電壓之一大小的一頻率做振盪。
  4. 如請求項1之積體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包括一電壓；並且 其中該轉換器電路包含： 一電子裝置，其併含有該雷射探針區域並被耦合在一檢測節點與一供給電壓之間，其中該電子裝置產生該交替的電氣參數； 複數個開關，其包含有一感測開關及至少一個參考開關； 其中該感測開關被耦合在該感測節點與該檢測節點之間； 其中該等至少一個參考開關的每一個被耦合在該檢測節點與該至少一個參考電壓節點之一對應一個之間，其中每一個該至少一個參考電壓節點有一已知的電壓準位；以及 一開關控制電路，其在複數個週期中的每一個週期循序地閉合該等複數個開關。
  5. 如請求項4之積體電路區塊，其中該電子裝置包含一PN接面。
  6. 如請求項4之積體電路區塊，其中該至少一個參考開關包含： 一第一參考開關，其被耦合在該檢測節點與一第一參考電壓節點之間；以及 一第二參考開關，其被耦合在該檢測節點與一第二參考電壓節點之間。
  7. 如請求項1之積體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包含一電流；並且 其中該轉換器電路包含： 一電流鏡，其把該電流鏡像為一鏡像的電流； 一電容器，其與該電流鏡做串聯耦合；以及 一電晶體，其具有一電流路徑與該電容器並聯，並且具有接收一時鐘信號的一控制端。
  8. 如請求項1之積體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包含一電壓；並且 其中該轉換器電路包含： 一第一電晶體，其具有接收該電壓的一控制輸入端，並具有把該電壓轉換為一電流的一電流路徑； 一電容器，其與該第一電晶體的該電流路徑做串聯耦合；以及 一第二電晶體，其具有一電流路徑與該電容器並聯，並且具有接收一時鐘信號的一控制端。
  9. 一種半導體電路區塊，其包含有： 至少一個電路節點； 至少一個檢測電路，每一個包含有： 一轉換器電路，其包括有一雷射探針區域，其中該轉換器電路把係恆定的或以低於一預定頻率準位之一頻率做變化的一低頻電氣參數轉換成為一交替的電氣信號，其具有等於或高於一預定頻率準位的一頻率足以調變被聚焦在該雷射探針區域內之一個點上的一雷射束；及 一感測電路，其把該低頻電氣參數從該至少一個電路節點中一對應的一個傳送到該轉換器電路；以及 一雷射探針支援電路，其向該等至少一個雷射檢測電路的每一個提供至少一個啟用信號。
  10. 如請求項9之半導體電路區塊，其更包含有一雷射探針啟用電路，其選擇性地啟用該雷射探針支援電路。
  11. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該轉換器電路轉換具有一已知電壓準位的一參考電壓以用於正規化電壓測量。
  12. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該轉換器電路轉換具有一已知電流準位的一參考電流以用於正規化電流測量。
  13. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該轉換器電路包含一環形振盪器，該環形振盪器把作為一低頻電流信號的該低頻電氣參數轉換成為具有等於或高於該預定頻率準位之一頻率的一交流電壓信號。
  14. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該轉換器電路包含一環形振盪器，該環形振盪器把作為一低頻電壓信號的該低頻電氣參數轉換成為具有等於或高於該預定頻率準位之一頻率的一交流電壓信號。
  15. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該低頻電氣參數包含一電壓信號，其中該轉換器電路包含複數個耦合到一檢測節點的開關，並且其中該至少一個啟用信號包括複數個時鐘啟用信號，每一個信號控制該等複數個開關中一對應的一個，以在該檢測節點上產生一階梯電壓，該階梯電壓具有與該電壓信號之一電壓準位有關的一第一電壓階躍以及與具有一已知電壓準位之一參考電壓有關的至少一個第二電壓階躍。
  16. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該低頻電參數包含由一電流鏡所產生的一電流信號，其中該轉換器電路包含一電容器，該電容器與該電流鏡串聯耦合並且與一電晶體開關並聯耦合，並且其中該至少一個啟用信號包含一時鐘啟用信號，該時鐘啟用信號具有等於或高於控制該電晶體開關之該預定頻率準位的一頻率。
  17. 如請求項9之半導體電路區塊，其中： 該低頻電氣參數包含一電壓信號； 其中該轉換器電路包含： 一轉換裝置，其把該電壓信號轉換為一電流信號； 一電容器，其與該轉換裝置串聯耦合；及 電晶體開關，其具有與該電容器並聯耦合的一電流路徑；以及 其中該至少一個啟用信號包含一時鐘啟用信號，該時鐘啟用信號具有等於或高於控制該電晶體開關之該預定頻率準位的一頻率。
  18. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該至少一個啟用信號有助於把至少一個供給電壓耦合到該至少一個檢測電路。
  19. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該至少一個啟用信號包含一時鐘信號，該時鐘信號具有等於或高於該預定頻率準位的一頻率。
  20. 如請求項9之半導體電路區塊，其中該至少一個啟用信號在該半導體電路區塊的正常操作期間禁用該至少一個檢測電路。
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