TW202044699A - 氣體雷射裝置 - Google Patents

Abstract

一種氣體雷射裝置，係具備：作為第一遮蔽零件的遮蔽板(15)，係設有開口部(19c)及開口部(19a)，該開口部(19c)係供要傳播至放電區域(23、24)的雷射光通過的第一開口部，該開口部(19a)係供通過第一開口部而往返於放電區域(23、24)的雷射光通過的第二開口部；以及作為第二遮蔽零件的遮蔽板(16)，係設有開口部(20a)且隔著放電區域(23、24)與第一遮蔽零件相對向，該開口部(20a)係供通過第一開口部並已傳播於放電區域的雷射光及經放電區域(23、24)而要向第二開口部傳播的雷射光通過的第三開口部。第三開口部的平面形狀係包含直線部位。第三開口部的平面形狀投影在第一遮蔽零件的情況下，連結第二開口部的平面形狀之幾何中心與第三開口部的平面形狀之幾何中心的線段之方向，係與直線部位的垂線之方向為不同的方向。

Description

氣體雷射裝置

本發明係關於一種使用雷射氣體(laser gas)來放大雷射光用的氣體雷射裝置。

具有氣體雷射裝置的氣體雷射放大系統中，有時會因在氣體雷射裝置所產生的自然放射光(spontaneous emission light)之放大而產生自激振盪光(self-pulsation light)。由於氣體雷射裝置之放大增益會因自激振盪光而消耗，故會降低由氣體雷射放大系統輸出的脈衝雷射光之放大率。因此，氣體雷射放大系統之脈衝雷射光之輸出會因自激振盪光的產生而降低。又，由於自激振盪光會照射到氣體雷射放大系統內的零件，會發生該當的零件承受熱所致之損傷的缺失。因此，氣體雷射裝置中，有抑制自激振盪光之振盪之需求。

專利文獻1揭示一種具有反射體及光吸收體的氣體雷射裝置，該反射體係反射自激振盪光，該光吸收體係吸收反射體所反射的自激振盪光。專利文獻1之氣體雷射裝置中，反射體係將朝向與脈衝雷射光的光軸方向為不同方向傳播之自激振盪光反射向光吸收體。專利文獻1之氣體雷射裝置係藉由光吸收體中的自激振盪光之吸收來去除自激振盪光。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特許第6215334號公報

[發明所欲解決之課題]

然而，上述專利文獻1之習知氣體雷射裝置雖能去除朝向與脈衝雷射光的光軸方向為不同方向傳播之自激振盪光，但有無法去除在與脈衝雷射光的光軸為相同光軸中振盪的自激振盪光之問題。

本發明係有鑑於上述問題而開發完成，其目的在於獲得一種能夠抑制起因於自然放射光的自激振盪光之振盪的氣體雷射裝置。 [用以解決課題的手段]

為了解決上述之課題且達成目的，本發明之氣體雷射裝置係具備：放電電極，係使要供給至放電區域的雷射氣體激發；第一遮蔽零件，係設有第一開口部及第二開口部，該第一開口部係供要傳播至放電區域的雷射光之第一雷射光通過，該第二開口部係供通過第一開口部而往返於放電區域的雷射光之第二雷射光通過；以及第二遮蔽零件，係設有第三開口部且隔著放電區域與第一遮蔽零件相對向，該第三開口部係供通過第一開口部並已傳播於放電區域的第一雷射光及經放電區域而要向第二開口部傳播的第二雷射光通過。第三開口部的平面形狀係包含直線部位。第三開口部的平面形狀投影在第一遮蔽零件的情況下，連結第二開口部的平面形狀之幾何中心與第三開口部的平面形狀之幾何中心的線段之方向，係與直線部位的垂線之方向為不同的方向。由於自然放射光通過第三開口部而產生繞射光時，使繞射光之強度在線段之方向減低。 [發明功效]

本發明的氣體雷射裝置係達成可抑制起因於自然放射光的自激振盪光之振盪的功效。

以下，依據圖式詳細地說明本發明之實施型態的氣體雷射裝置。再者，此發明不限於此等實施型態。

[實施型態1] 第1圖係本發明之實施型態1之氣體雷射裝置的立體圖。第2圖係顯示設於實施型態1之氣體雷射裝置之內部的構成之一部分的立體圖。第3圖係具有實施型態1之氣體雷射裝置的氣體雷射放大系統的方塊圖。

實施型態1之氣體雷射裝置100係所謂的三軸正交式氣體雷射裝置。第1圖及第2圖中，以X方向、Y方向及Z方向作為相互正交的三個方向。Y方向係表示電極間隙長度的方向，X方向係表示雷射氣體在電極間隙間流動的方向。氣體雷射裝置100內，光軸之方向大致是Z方向。第1圖及第2圖中，將X方向之中，箭頭所指的方向定為正X方向，將X方向之中，箭頭所指的方向之相反方向定為負X方向。將Y方向之中，箭頭所指的方向定為正Y方向，將Y方向之中，箭頭所指的方向之相反方向定為負Y方向。將Z方向之中，箭頭所指的方向定為正Z方向，將Z方向之中，箭頭所指的方向之相反方向定為負Z方向。

氣體雷射裝置100係具有：封入作為雷射介質的雷射氣體的殼體1；收容於殼體1的四個電極基板2、3、4、5；以及作為放電電極的電極6、7、8、9。電極6係設於電極基板2。電極7係設於電極基板3。電極6與電極7係構成隔著放電區域23而相互對向的放電電極對。電極6與電極7係激發要供給至放電區域23的雷射氣體。電極8係設於電極基板4。電極9係設於電極基板5。電極8與電極9係構成隔著放電區域24而相互對向的放電電極對。電極8與電極9係激發要供給至放電區域24的雷射氣體。

電極基板2、3、4、5係使用氧化鋁等的介電質所形成。藉由金屬化(metallization)或膏狀物等分別在電極基板2、3、4、5之各自的表面形成金屬製的電極6、7、8、9。電極6、7、8、9之表面係與電極基板2、3、4、5同樣地藉由氧化鋁等的介電質所覆蓋。第1圖中係省略了覆蓋電極6、7、8、9之表面的介電質之圖示。

來自高頻電源之交流電壓施加於電極6及電極7之間與電極8及電極9之間時，產生無聲放電。藉此，在電極6及電極7之間形成放電區域。在電極8及電極9之間形成放電區域24。無聲放電亦稱為電暈放電或是介電質屏壁放電。

殼體1係收容有鼓風機10及熱交換器11、12。鼓風機10係使封入於殼體1內的雷射氣體循環。熱交換器11係配置於電極基板2之中之形成放電區域23之側的相反側。與熱交換器11對向配置的鼓風機10係使循環於熱交換器11與放電區域23之間的氣體流13產生。放電區域23中的氣體流13之方向為正X方向。鼓風機10係將100m／s左右的氣體流13往放電區域23供給。通過放電區域23的氣體流13係藉由熱交換器11冷卻。藉由熱交換器11冷卻後的氣體流13係再次供給至放電區域23。

熱交換器12係配置於電極基板4之中之形成放電區域24之側的相反側。與熱交換器12對向配置的鼓風機10係使循環於熱交換器12與放電區域24之間的氣體流14產生。放電區域24中的氣體流14之方向為負X方向。鼓風機10係將100m／s左右的氣體流14往放電區域24供給。通過放電區域24的氣體流14係藉由熱交換器12冷卻。藉由熱交換器12冷卻後的氣體流14係再次供給至放電區域24。放電區域23、24中的雷射氣體之壓力係維持在低於大氣壓的壓力。

放電區域23中的氣體流13與放電區域24中的氣體流14互為逆向。氣體雷射裝置100中，各個放電區域23、24中之增益分布疊合，以致所獲得的整體增益分布係成為對稱。藉此，氣體雷射裝置100係可使輸出的雷射光束之對稱性提升。

雷射氣體係包含例如碳酸氣體及氮氣。雷射氣體中所含的分子或原子藉由無聲放電而向雷射高能階激發時，藉由雷射光通過雷射氣體時的感應發射而將例如10.6μm附近之波長的光放大。再者，氣體雷射裝置100中，就雷射氣體而言，亦可使用CO(一氧化碳)、He-Cd(氦鎘)、HF(氟化氫)、Ar⁺ (氬離子)、ArF(氟化氬)、KrF(氟化氪)、XeCl(氯化氙)及XeF(氟化氙)等。

氣體雷射裝置100係具有：將傳播於放電區域23、24的雷射光反射的鏡片21a、21b、22a、22b；遮蔽雷射光的遮蔽板15、16；以及供雷射光透過的窗口17、18。

作為第一鏡片的鏡片21a、21b與作為第二鏡片的鏡片22a、22b係隔著遮蔽板15、放電區域23、24及遮蔽板16而相互對向。鏡片21a、21b、22a、22b係構成光放大的路徑。鏡片21a、21b係藉由鏡片架而安裝於殼體1。鏡片22a、22b係藉由鏡片架而安裝於殼體1。再者，第1圖及第2圖中係省略了鏡片架之圖示。各個鏡片21a、21b、22a、22b係使用全反射鏡片。各個鏡片21a、21b、22a、22b之反射面可為平面、凹面及凸面之任一種。亦即，鏡片21a、21b、22a、22b各者可為平面鏡、凹面鏡及凸面鏡之任一種。

窗口17係設於殼體1之中之設置鏡片21a、21b之側的面。從殼體1之外沿著光軸110傳播而朝窗口17入射的雷射光係透過窗口17而入射至殼體1之中。窗口18係設於殼體1之中之設置鏡片22a、22b之側的面。從殼體1之中朝窗口18入射的雷射光係透過窗口18。透過窗口18後的雷射光係沿著光軸111傳播而朝殼體1之外出射。窗口17、18除了具有使雷射光透過的功能之外，還具有從殼體1之外遮斷殼體1之內部空間的功能。窗口17、18係使用例如於鑽石基板施予無反射層者。

作為第一遮蔽零件的遮蔽板15係配置於窗口17及鏡片21a、21b與放電區域23之間。遮蔽板15係設有開口部19a、19b，該開口部19a、19b係供從放電區域23朝向鏡片21a、21b的雷射光及鏡片21a、21b反射的雷射光通過。又，遮蔽板15係設有開口部19c，該開口部19c係供透過窗口17的雷射光通過。開口部19a、開口部19b及開口部19c係沿X方向及Y方向並排。開口部19a、19b、19c的平面形狀皆呈圓形。開口部19a、19b、19c皆為圓形開口部。遮蔽板15係在開口部19a、19b、19c以外的區域遮蔽雷射光。

作為第二遮蔽零件的遮蔽板16係配置於窗口18及鏡片22a、22b與放電區域24之間。遮蔽板15與遮蔽板16係隔著放電區域23、24而相互對向。遮蔽板16係設有開口部20a、20b，該開口部20a、20b係供從放電區域24向鏡片22a、22b傳播的雷射光及鏡片22a、22b反射的雷射光通過。又，遮蔽板16係設有開口部20c，該開口部20c係供從放電區域24向窗口18傳播的雷射光通過。開口部20a、開口部20b及開口部20c係沿X方向及Y方向並排。開口部20a的平面形狀係呈矩形。開口部20b、20c的平面形狀係呈圓形。開口部20a、20b、20c之中，開口部20a為非圓形開口部，開口部20b、20c為圓形開口部。遮蔽板16係在開口部20a、20b、20c以外的區域遮蔽雷射光。

第3圖所示的氣體雷射放大系統200係具有：振盪雷射光的雷射振盪器101；放大雷射光的四個氣體雷射裝置100、102、103、104；以及接受放大後之雷射光的供給之加工裝置105。

雷射振盪器101係量子級聯雷射。雷射振盪器101亦可為在作為主振盪器的小型氣體雷射振盪器結合有氣體雷射放大器的主振盪器輸出放大器(Master Oscillator Power Amplifier：MOPA)。

從雷射振盪器101所出射的雷射光係沿著光軸110傳播並入射至氣體雷射裝置100。藉由氣體雷射裝置100放大後的雷射光係從氣體雷射裝置100出射並沿著光軸111傳播。沿著光軸111傳播的雷射光係依序入射至氣體雷射裝置102、氣體雷射裝置103及氣體雷射裝置104，並藉由各個氣體雷射裝置102、103、104所放大。從氣體雷射裝置104所出射的雷射光係入射至加工裝置105。

加工裝置105係例如進行金屬工件之切斷加工的裝置。加工裝置105係使入射至加工裝置105的雷射光聚光於金屬工件上的標的106。加工裝置105可為使用雷射光來進行工件之加工的裝置，亦可為進行金屬工件之切斷加工的裝置以外之裝置。

再者，氣體雷射放大系統200中，接受放大後之雷射光供給的裝置亦可為加工裝置105以外的裝置。接受放大後之雷射光供給的裝置亦可為使極紫外光產生的裝置。使極紫外光產生的裝置係藉由將經聚光的雷射光照射於錫之液滴的標的106而使極紫外光產生。

第3圖所示的氣體雷射放大系統200中，四個氣體雷射裝置100、102、103、104係相互串聯配置。氣體雷射放大系統200中串聯配置的氣體雷射裝置之數目不限於四個而可為任意數。第3圖所示的氣體雷射放大系統200中，第1圖及第2圖所示的氣體雷射裝置100係設置一個。氣體雷射放大系統200中，第1圖及第2圖所示的氣體雷射裝置100亦可設置二個以上。

在此說明氣體雷射放大系統200之中使從氣體雷射裝置100出射的雷射光放大的氣體雷射裝置102、103、104之構成。第4圖係第3圖所示的氣體雷射放大系統之中，使從實施型態1之氣體雷射裝置出射的雷射光放大的氣體雷射裝置之立體圖。第4圖係顯示氣體雷射裝置102的立體圖。在此，針對氣體雷射裝置102之中與氣體雷射裝置100共同的構成係省略說明。再者，氣體雷射裝置103、104之構成係與氣體雷射裝置102之構成同樣。

設於第1圖及第2圖所示的氣體雷射裝置100之鏡片21a、21b、22a、22b係未設於氣體雷射裝置102。又，氣體雷射裝置100中，遮蔽板15係設有一個開口部19d。遮蔽板16係設有一個開口部20d。氣體雷射裝置102係具有：與開口部19d對向的窗口；以及與開口部20d對向的窗口。窗口係除了具有使雷射光透過的功能之外，還具有從殼體1之外遮斷殼體1之內部空間的功能。第4圖中係省略了窗口的圖示。

從雷射振盪器101沿著光軸110傳播的雷射光係如第2圖所示地透過窗口17並入射至殼體1之中。入射至殼體1之中的雷射光係成為沿著光軸31傳播的第一雷射光。第一雷射光係通過作為第一開口部的開口部19c。通過開口部19c的第一雷射光係沿著光軸31依序傳播於放電區域23與放電區域24。第一雷射光係指入射至殼體1後最先傳播於放電區域23、24的雷射光。雷射光係藉由通過放電區域23、24而放大。第一雷射光係在通過放電區域23與放電區域24之後，通過開口部20a而入射至鏡片22a。經放電區域23、24傳播而入射至鏡片22a的第一雷射光係藉由鏡片22a的反射而成為沿著光軸32傳播的第二雷射光。非圓形開口部的開口部20a係設於氣體雷射裝置100的六個開口部19a、19b、19c、20a、20b、20c之中，沿著光軸31、32、33、34、35傳播的雷射光到達的第二個開口部。經鏡片22a反射的雷射光係再次通過開口部20a。

通過開口部20a的第二雷射光係沿著光軸32依序傳播於放電區域24與放電區域23。第二雷射光係通過放電區域24與放電區域23之後，通過開口部19a而入射至鏡片21a。開口部19a係供通過開口部19c而往返於放電區域23、24的雷射光之第二雷射光通過的第二開口部。開口部20a係供通過開口部19c而傳播於放電區域23、24之第一雷射光及經放電區域23、24而向開口部19a傳播之第二雷射光通過的第三開口部。

鏡片21a反射的雷射光係再次通過開口部19a。傳播於放電區域23、24而入射至鏡片21a的第二雷射光係藉由鏡片21a的反射而成為沿著光軸33傳播的第三雷射光。通過開口部19a的第三雷射光係沿著光軸33依序傳播於放電區域23與放電區域24。第三雷射光係通過放電區域23與放電區域24之後，通過開口部20b而入射至鏡片22b。開口部20b係供通過開口部19a而傳播於放電區域23、24之第三雷射光通過的第四開口部。

鏡片22b反射的雷射光係再次通過開口部20b。通過開口部20b的雷射光係沿著光軸34依序傳播於放電區域24與放電區域23。雷射光係通過放電區域24與放電區域23之後，通過開口部19b而入射至鏡片21b。

鏡片21b反射的雷射光係再次通過開口部19b。沿著光軸34傳播的雷射光係藉由鏡片21b的反射而成為沿著光軸35傳播的第四雷射光。通過開口部19b的第四雷射光係沿著光軸35依序傳播於放電區域23與放電區域24。第四雷射光係通過放電區域23與放電區域24之後，通過開口部20c。開口部20c係供通過開口部20b而往返於放電區域23、24的雷射光之第四雷射光通過的第五開口部。

通過開口部20c的雷射光係入射至窗口18。透過窗口18的雷射光係沿著光軸111傳播而向殼體1之外出射。氣體雷射裝置100中，雷射光係於每次雷射光藉由各個鏡片21a、21b、22a、22b的反射而通過放電區域23、24時被放大。

從氣體雷射裝置100出射的雷射光係依序通過氣體雷射裝置102、103、104而入射至加工裝置105。氣體雷射裝置102、103、104中，雷射光係通過各個氣體雷射裝置102、103、104之放電區域23、24各一次，藉此將雷射光放大。

在此，針對氣體雷射放大系統200中的自激振盪光之產生加以說明。源自雷射振盪器101之脈衝雷射光之輸出為10W等級至100W等級，相對於此，源自氣體雷射裝置104之脈衝雷射光之輸出係增加為20kW以上。從雷射振盪器101出射的脈衝光之脈寬係1奈秒等級至100奈秒等級。從雷射振盪器101出射的脈衝光之脈衝頻率係10kHz等級至100kHz等級。氣體雷射裝置100、102、103、104係使高頻放電連續地產生。此時，在要入射至氣體雷射裝置100的脈衝雷射光之脈衝頻率低於放電頻率的情況下，或是脈衝雷射光之入射暫時地停止的情況下，即使脈衝雷射光處於未振盪的狀態時，放電仍持續產生。

氣體雷射放大系統200係需要能夠將10W等級的雷射光放大達至20kW以上之較高的放大率。因氣體雷射放大系統200之放大率較高，故在未由雷射振盪器101出射脈衝雷射光的狀態下產生了自然放射光時，氣體雷射放大系統200中，會因自然放射光之放大而產生自激振盪光。

就一例而言，假設氣體雷射裝置104中產生的自然放射光經氣體雷射裝置103與氣體雷射裝置102放大的同時傳播而入射至氣體雷射裝置100。沿著光軸111傳播的自然放射光從窗口18入射至氣體雷射裝置100時，自然放射光的大部分係沿著光軸35、34、33、32、31之順序傳播，而從窗口17向氣體雷射裝置100之外出射。

假設由於經鏡片22a反射的自然放射光通過開口部20a時的繞射現象產生了繞射光。自然放射光的大部分係從開口部20a沿著光軸31傳播而通過開口部19c。通過開口部19c的自然放射光係透過窗口17而向氣體雷射裝置100之外出射。又，自然放射光的一部分係從開口部20a沿著光軸32傳播而通過開口部19a。通過開口部19a的自然放射光係經鏡片21a反射而通過開口部19a。通過開口部19a的自然放射光係沿著光軸33、34、35之順序傳播而從窗口18向氣體雷射裝置100之外出射。如此，從氣體雷射裝置100出射的自然放射光係經氣體雷射裝置102、103、104放大的同時傳播而入射至加工裝置105。

入射至加工裝置105的自然放射光係入射至標的106。入射至標的106的自然放射光之一部分係經標的106反射，藉此會相反地向入射標的106時的路徑傳播。傳播自標的106的自然放射光係送回氣體雷射裝置104而由氣體雷射裝置104放大。由氣體雷射裝置104放大的自然放射光係再次通過氣體雷射裝置103與氣體雷射裝置102而向氣體雷射裝置100傳播。

由於自然放射光傳播於鏡片21a與標的106之間，故自然放射光在每次通過放電區域23、24時被放大。此種自然放射光之放大中，鏡片21a與標的106係發揮諧振器的功能。如此，氣體雷射放大系統200中，自然放射光通過開口部20a時的繞射現象成為要因而將自然放射光放大，藉此使自激振盪光產生。

起因於開口部20a的繞射而產生的自激振盪光係振盪於藉由氣體雷射放大系統200輸出的脈衝雷射光之光軸相同的光軸。再者，自激振盪光之光軸與脈衝雷射光之光軸相同係除了雙方一致的情況之外，還包含存在有自激振盪光可視為與脈衝雷射光同樣地傳播之程度的偏移的情況。

由於自激振盪光係顯示與氣體雷射放大系統200所產生的本來之脈衝雷射光不同的動向，故自激振盪光有時會在意外的時機照射到標的106。沿著脈衝雷射光之光軸傳播的自激振盪光在之後向與脈衝雷射光不同之方向傳播的情況下，自激振盪光會照射到氣體雷射放大系統200內的零件，因此有時會使該零件損傷。又，由於脈衝雷射光之放大率會因自激振盪消耗放大增益而減少，故源自氣體雷射放大系統200之脈衝雷射光之輸出降低。

再者，自然放射光之繞射現象，即便在開口部20a以外的開口部也可能產生。自然放射光之產生源亦有氣體雷射放大系統200之中之氣體雷射裝置104以外的構成要素之情況。具有諧振器之一部分的功能的構造要素不限於標的106。具有諧振器之一部分的功能的構造要素亦可為氣體雷射裝置104之開口部19d、20d等配置於傳播脈衝雷射光之光路中的構造物。

如上所述，氣體雷射裝置100中，沿著光軸31、32、33、34、35傳播之雷射光通過的開口部19a、19b、19c、20a、20b、20c之中，包含非圓形開口部的開口部20a。實施型態1中，氣體雷射裝置100係設有非圓形開口部，藉此抑制振盪於與脈衝雷射光之光軸相同的光軸的自激振盪光。

以下，針對藉由實施型態1之氣體雷射裝置100所為的自激振盪光之抑制加以說明。實施型態1中，藉由在非圓形開口部以與圓形開口部之情況不同的態樣產生繞射光而抑制自激振盪光。在此，針對在非圓形開口部產生繞射光的樣態，藉由在圓形開口部產生繞射光的樣態之比較加以說明。

第5圖係用以說明實施型態1之比較例1中的繞射光產生之樣態的圖。第6圖係顯示實施型態1之比較例1中產生的繞射光之強度分布之例的圖。比較例1中，遮蔽板16係設有圓形開口部的開口部25以取代上述的開口部20a。

第5圖係顯示通過開口部25且沿著光軸31傳播的自然放射光入射至開口部19c的樣態，以及由於自然放射光通過開口部25而在遮蔽板15上產生的繞射圖案41。第6圖係顯示繞射圖案41以及遮蔽板15上的繞射光之強度分布42。繞射圖案41中係藉由明暗來表示光的強度。越明亮的部分表示光的強度越強。強度分布42係三維顯示遮蔽板15上的光之強度的分布。繞射圖案41的中心係光軸31的位置。

通過開口部25的光係隨著遠離繞射圖案41之中心而變弱，並且形成明暗反覆顯現的同心圓狀之繞射圖案41。繞射圖案41係成為隨著遠離中心而變暗的環狀之圖案。

第7圖係用以說明實施型態1之氣體雷射裝置中，繞射光產生之樣態的圖。第8圖係顯示實施型態1之氣體雷射裝置中產生的繞射光之強度分布之例的圖。第9圖係有關實施型態1之氣體雷射裝置所具有的二個遮蔽板中的開口部之配置的說明圖。

第7圖係顯示通過開口部20a且沿著光軸31傳播的雷射光入射至開口部19c的樣態，以及由於雷射光通過開口部20a而在遮蔽板15上產生的繞射圖案43。第8圖係顯示繞射圖案43以及遮蔽板15上的繞射光之強度分布44。繞射圖案43中係藉由明暗來表示光的強度。越明亮的部分表示光的強度越強。強度分布44係三維顯示遮蔽板15上的光之強度的分布。繞射圖案43的中心係光軸31的位置。開口部20a之平面形狀係設為正方形。開口部20a之平面形狀係具有相當於正方形之邊的四個直線部位。

第9圖係顯示將設於遮蔽板16的開口部20a、20b、20c投影在遮蔽板15的樣態及繞射圖案43。第9圖中係以虛線表示投影在遮蔽板15的各個開口部20a、20b、20c。

繞射圖案43係以對角線為對稱軸的線對稱圖案。開口部19c之周圍的光之強度係在開口部20a所呈正方形之各邊的垂線方向增強。而光之強度係在矩形的對角線方向減弱。

第9圖所示的線段26係開口部20a所呈正方形的一個邊的垂線。線段27係第9圖所示的狀態中，連結開口部20a的平面形狀之幾何中心與開口部19a的平面形狀之幾何中心的線段。第9圖中，圓形開口部的各個開口部19a、19b、19c、20b、20c皆呈現相同面積的圓形。以下的說明中，所謂各個開口部19a、19b、19c、20a、20b、20c之中心位置係設為各個開口部19a、19b、19c、20a、20b、20c的平面形狀之幾何中心。

遮蔽板15中，開口部19a之中心位置與開口部19b之中心位置的距離、開口部19b之中心位置與開口部19c之中心位置的距離、以及開口部19c之中心位置與開口部19a之中心位置的距離皆相同。遮蔽板16中，開口部20a之中心位置與開口部20b之中心位置的距離、開口部20b之中心位置與開口部20c之中心位置的距離、以及開口部20c之中心位置與開口部20a之中心位置的距離皆相同。

第10圖係針對第6圖所示的強度分布之繞射光與第8圖所示的強度分布之繞射光，顯示方位角與繞射光之強度的關係之圖。第11圖係用以針對第10圖所示之關係中的方位角進行說明的圖。第11圖係顯示繞射圖案41、43之中的第一亮環中的強度與方位角之關係。第一亮環係指形成於艾瑞盤(Airy disk)之外側的亮環之中離艾瑞盤最近的亮環。艾瑞盤係指比第一亮環更位於繞射圖案41、43之中心側的暗環之內側的區域。

第11圖中，將沿著開口部20a所構成的正方形之一個對角線的軸作為X’軸，將沿著該正方形之另一對角線的軸作為Y’軸。方位角的角度θ係設為第一象限中的以X’軸為基準的角度。

第10圖所示的圖形36係表示關於第8圖所示的繞射圖案43之方位角與光之強度的關係。第10圖所示的圖形37係表示關於第6圖所示的繞射圖案41之方位角與光之強度的關係。繞射圖案41中，光強度係無關於方位角而為固定。因此，圖形37係表示固定之強度的直線狀之圖形。

第5圖及第6圖所示之比較例1的情況下，繞射光係無關於方位而均等地產生。沿著光軸31傳播的自然放射光之大部分係入射至開口部19c，然而，自然放射光之一部分係進入開口部19a或開口部19b。由於自然放射光之一部分進入開口部19a，自然放射光係如上所述地在藉由鏡片21a與標的106所構成的諧振器中放大。

另一方面，繞射圖案43中，光之強度係如上所述地在正方形之各邊的垂線之方向增強，而在對角線之方向減弱。圖形36中，與對角線一致之方位的光之強度係成為極小值，而與正方形之各邊的垂線一致之方位光的強度係成為極大值。如此，繞射圖案43中，對角線之方位的光之強度係比繞射圖案41之情況更減低。

如第9圖所示，開口部20a之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，連結開口部19a之中心位置與開口部20a之中心位置的線段27之方向係與線段26之方向為不同的方向，該線段26係開口部20a所呈正方向之邊的垂線。換言之，開口部19a之中心位置係開口部20a所呈正方形之邊的垂線上之位置以外的位置。

如此，藉由決定XY面上的開口部20a之平面形狀的方向，繞射圖案43之中的光之強度增強的方向就會與從開口部20a之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向不同。所謂XY面係設為平行於X方向與Y方向的面。由於從開口部20a之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向與光之強度增強的方向互為不同，故藉由開口部20a的繞射現象可減低向開口部19a傳播的自然放射光。

更且，第9圖中，開口部20a所呈正方形之對角線與線段27係相互一致。亦即，開口部20a所呈正方形投影在遮蔽板15的情況下，開口部19a之中心位置與開口部20a之中心位置係相互並排於該正方形之對角線的方向。換言之，開口部19a與開口部20a係相互並排於從開口部20a之中心位置來觀察一個角之方向。

如此，藉由決定XY面上的開口部20a之平面形狀的方向，繞射圖案43之中的光之強度減弱的方向就會與從開口部20a之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向對準。由於從開口部20a之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向與光之強度減弱的方向相互對準，故藉由開口部20a之繞射現象可減低向開口部19a傳播的自然放射光。

實施型態1之氣體雷射裝置100中，與設有圓形開口部之開口部25的情況相較，藉由開口部20a之繞射現象可更減低向開口部19a傳播的自然放射光。藉由減低向開口部19a傳播的自然放射光，能夠減低傳播於鏡片21a與標的106之間的自然放射光就。藉由在鏡片21a與標的106之間傳播的自然放射光之減低而抑制自然放射光之放大，故氣體雷射裝置100能夠抑制氣體雷射放大系統200中的自激振盪光之振盪。

光軸31之雷射光係入射至殼體1之後最先傳播於放電區域23、24的雷射光。因此，供光軸31之雷射光通過的開口部20a係在各個開口部19a、19b、19c、20a、20b、20c之中，顯現出最強之藉由繞射現象所致的自然放射光之放大作用。氣體雷射裝置100係在開口部20a之平面形狀包含直線部位，藉此可有效地減低自然放射光。

其次，就實施型態1的比較例2而言，針對XY面上的開口部20a之平面形狀的方向未如第9圖所示地決定的情況之例加以說明。第12圖係針對實施型態1之比較例2中的開口部之配置的說明圖。比較例2中，遮蔽板16係設有開口部28來取代開口部20a。第12圖係顯示將設於遮蔽板16的開口部28、20b、20c投影在遮蔽板15的樣態，以及由於雷射光通過開口部28而在遮蔽板15上產生的繞射圖案46。第12圖中係以虛線表示投影在遮蔽板15的各個開口部28、20b、20c。

開口部28之平面形狀係呈正方形。開口部28所呈正方形係與使開口部20a所呈正方形往方位角之方向旋轉45度者相同。繞射圖案46係與使上述繞射圖案43往方位角之方向旋轉45度者相同。線段26係開口部28所呈正方形的一個邊的垂線。

第12圖中，連結開口部28之中心位置與開口部19a之中心位置的線段係與線段26一致。亦即，開口部28之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，開口部19a之中心位置係位於開口部28所呈正方形之邊的垂線上之位置。此情況下，繞射圖案46之中的光之強度增強的方向係與從開口部28之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向相同。由於從開口部28之中心位置來觀察開口部19a之中心位置的方向與光之強度增強的方向互為相同，故藉由開口部28之繞射現象增加了向開口部19a傳播的自然放射光。

因此，實施型態1中，開口部20a之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，以連結開口部19a之中心位置與開口部20a之中心位置的線段27之方向與開口部20a之直線部位的垂線之線段26之方向成為不同的方向之方式，決定XY面上的開口部20a之平面形狀的方向。再者，開口部20a之平面形狀不限於正方形而亦可為長方形。

依據實施型態1，氣體雷射裝置100係設有開口部20a，該開口部20a係呈現包含直線部位之平面形狀。開口部20a之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，連結開口部19a的平面形狀之幾何中心與開口部20a的平面形狀之幾何中心的線段27之方向，係與直線部位的垂線之方向為不同的方向。如此，藉由決定XY面上的開口部20a之平面形狀的方向，氣體雷射裝置100可藉由開口部20a之繞射現象來減低向開口部19a傳播的自然放射光。藉此，氣體雷射裝置100係達成可抑制起因於自然放射光的自激振盪光之振盪的功效。

[實施型態2] 第13圖係顯示設於本發明之實施型態2之氣體雷射裝置之內部的構成之一部分的立體圖。實施型態2之氣體雷射裝置100係設有非圓形開口部的二個開口部20a、50。實施型態2之氣體雷射裝置100除了設有開口部50來取代第2圖所示的開口部19a之外，其餘係與實施型態1之氣體雷射裝置100同樣。實施型態2中，對於與上述實施型態1相同的構成要素附記相同的符號，且主要針對與實施型態1不同的構成加以說明。

假設由於鏡片22a反射的自然放射光通過開口部20a時的繞射現象而產生繞射光的情況下，從開口部20a沿著光軸32傳播的自然放射光係通過開口部50入射至鏡片21a。經鏡片21a反射而通過開口部50的自然放射光之大部分係沿著光軸33傳播而入射至開口部20b。由於開口部20a之繞射現象而產生的繞射光係沿著光軸32傳播且進一步沿著光軸33傳播，藉此，通過開口部50的自然放射光之一部分會入射至位於開口部20b之隔鄰的開口部20c。通過開口部20c的自然放射光係透過窗口18而向氣體雷射裝置100之外出射。如此，由於從氣體雷射裝置100出射自然放射光，有時氣體雷射放大系統200會使自激振盪光產生。

第14圖係用以說明實施型態2之氣體雷射裝置中傳播的繞射光之樣態的圖。第14圖係顯示通過開口部50且沿著光軸33傳播的雷射光入射至開口部20b的樣態，以及由於雷射光通過開口部50而在遮蔽板16上產生的繞射圖案47。開口部50係供通過開口部19c而往返於放電區域23、24的雷射光通過的第二開口部。開口部50之平面形狀係與開口部20a所呈正方形為相同的正方形。以下的說明中，所謂開口部50之中心位置係設為開口部50的平面形狀之幾何中心。

遮蔽板15中，開口部50之中心位置與開口部19b之中心位置的距離、開口部19b之中心位置與開口部19c之中心位置的距離、以及開口部19c之中心位置與開口部50之中心位置的距離皆相同。繞射圖案47係與第9圖所示的繞射圖案43同樣。

開口部50之平面形狀投影在遮蔽板16的情況下，連結作為第二開口部的開口部50之中心位置與作為第五開口部的開口部20c之中心位置的線段，係與開口部50所呈正方向之邊的垂線之方向為不同的方向。如此，藉由決定XY面上的開口部50之平面形狀的方向，繞射圖案47之中的光之強度增強的方向就會與從開口部50之中心位置來觀察開口部20c之中心位置的方向不同。由於從開口部50之中心位置來觀察開口部20c之中心位置的方向與光之強度增強的方向互為不同，故藉由開口部20a的繞射現象可減低向開口部20c傳播的自然放射光。

更且，開口部50之平面形狀投影在遮蔽板16的情況下，連結開口部50之中心位置與開口部20c之中心位置的線段係與開口部50所呈正方形之對角線一致。亦即，開口部50所呈正方形投影在遮蔽板16的情況下，開口部20c之中心位置與開口部50之中心位置係相互並排於該正方形之對角線的方向。如此，藉由決定XY面上的開口部50之平面形狀的方向，繞射圖案47之中的光之強度減弱的方向就會與從開口部50之中心位置來觀察開口部20c之中心位置的方向對準。由於從開口部50之中心位置來觀察開口部20c之中心位置的方向與光之強度減弱的方向相互對準，故可減低從開口部50向開口部20c傳播的自然放射光。

實施型態2之氣體雷射裝置100可減低從開口部50向開口部20c傳播的自然放射光。藉由向開口部20c傳播的自然放射光之減低，能夠減低傳播於鏡片21a與標的106之間的自然放射光。再者，即便是實施型態2，亦與實施型態1同樣地，藉由開口部20a的繞射現象可減低向開口部50傳播的自然放射光。依據實施型態2，藉由傳播於鏡片21a與標的106之間的自然放射光之減低而抑制自然放射光之放大，故氣體雷射裝置100係能夠抑制氣體雷射放大系統200中的自激振盪光之振盪。

再者，氣體雷射裝置100亦可設置三個以上的非圓形開口部。此情況下，氣體雷射裝置100亦可抑制自激振盪光之振盪。

[實施型態3] 第15圖係針對設於本發明之實施型態3之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。實施型態3中，開口部20a之平面形狀係比實施型態1中的開口部20a之平面形狀更傾斜。實施型態3之氣體雷射裝置100除了開口部20a之平面形狀比實施型態1的情況更傾斜之外，其餘係與實施型態1之氣體雷射裝置100同樣。實施型態3中，對於與上述實施型態1及2相同的構成要素附記相同的符號，且主要針對與實施型態1及2不同的構成加以說明。

第15圖係顯示將設於遮蔽板16的開口部20a、20b、20c投影在遮蔽板15的樣態，以及由於雷射光通過開口部20a而在遮蔽板15上產生的繞射圖案48。繞射圖案48中係藉由明暗來表示光之強度。越明亮的部分表示光的強度越強。第15圖中係以虛線表示投影在遮蔽板15的各個開口部20a、20b、20c。

線段27係開口部20a之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，連結開口部19a之中心位置與開口部20a之中心位置的線段。線段52係開口部20a所呈正方形之一個對角線。在此，線段52係設為與第11圖所示之X’軸一致的線段。線段52與線段27所成的角度設為θ時，角度θ與繞射光之強度的關係係與第10圖所示的圖形36之情況相同。

實施型態3中，角度θ係滿足以下的數學式(1)。數學式(1)中，n係任意的整數。 n(π／2)-0.14π≦θ≦n(π／2)+0.14π    …(1)

依上述數學式(1)表示的角度θ之範圍，係指相較於藉由自然放射光通過圓形開口部而產生的繞射光之強度，藉由自然放射光通過呈正方形之開口部20a而產生的繞射光之強度變得較弱的角度θ之範圍。線段52與線段27所成的角度θ係包含於依上述數學式(1)表示的範圍內，藉此，氣體雷射裝置100可將由於繞射現象而向開口部19a傳播的自然放射光，相較於圓形開口部的情況更減低。

[實施型態4] 第16圖係針對設於本發明之實施型態4之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。設於實施型態4之氣體雷射裝置100的開口部60之平面形狀係正六角形。實施型態4中，對於與上述實施型態1至3相同的構成要素附記相同的符號，且主要針對與實施型態1至3不同的構成加以說明。

第16圖係顯示開口部60之平面形狀，以及由於雷射光通過開口部60而產生的繞射圖案61。繞射圖案61中係藉由明暗來表示光的強度。越明亮的部分表示光的強度越強。

開口部60之平面形狀係具有與正六角形之邊對應的六個直線部位。開口部60之周圍的光之強度係在開口部60所呈正六角形之各邊的垂線之方向增強。而光之強度係在正六角形的各個角之方向減弱。亦即，繞射圖案61中，光之強度係在正六角形的對角線之中，正六角形之對稱軸的對角線之方向減弱。

第9圖中，設置開口部60來取代開口部20a時，開口部60之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，連結開口部19a的平面形狀之幾何中心與開口部60的平面形狀之幾何中心的線段之方向，係與開口部60所呈正六角形之邊的垂線之方向為不同的方向。又，開口部60所呈正六角形投影在遮蔽板15的情況下，開口部19a之中心位置與開口部60之中心位置，係相互並排於正六角形之對稱軸的對角線之方向。藉此，藉由開口部60a的繞射現象可減低向開口部19a傳播的自然放射光。

再者，開口部60之平面形狀不限於正六角形。平面形狀若具有相互平行的一對以上之邊的多角形即可。作為平面形狀的多角形係具有四個以上且為偶數個的角的多角形。考慮到繞射圖案61之對稱性時，多角形較佳是正多角形。上述實施型態2中設於遮蔽板15的開口部50之平面形狀，亦可為與本實施型態4之開口部60同樣的多角形。

[實施型態5] 第17圖係針對設於本發明之實施型態5之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。設於實施型態5之氣體雷射裝置100的開口部62之平面形狀係具有曲線部位的形狀。實施型態5中，對於與上述實施型態1至4相同的構成要素附記相同的符號，且主要針對與實施型態1至4不同的構成加以說明。

第17圖係顯示開口部62的平面形狀，以及由於雷射光通過開口部62而產生的繞射圖案63。繞射圖案63中係藉由明暗來表示光的強度。越明亮的部分表示光的強度越強。

開口部62之平面形狀係正方形之一個角變形為圓角的形狀。開口部62之周圍的光之強度係在夾著角的直線部位彼此中之一者的垂線之方向增強。而光之強度係在連結開口部62的平面形狀中之幾何中心與該角的線段之方向，在二個直線部位間的角之方向減弱。實施型態5中，開口部62的平面形狀中之幾何中心係設為開口部62的平面形狀之面積的重心。

第9圖中，設置開口部62來取代開口部20a時，開口部62之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，連結開口部19a之中心位置與開口部62之重心的線段之方向，係與直線部位的垂線之方向為不同的方向。又，開口部62之平面形狀投影在遮蔽板15的情況下，開口部19a之中心位置與開口部62之重心係相互並排於連結開口部62的平面形狀之重心與該平面形狀之角的線段之方向。藉此，藉由開口部62a之繞射現象而可減低向開口部19a傳播的自然放射光。

再者，開口部62之平面形狀不限於本實施型態5中所說明的平面形狀。平面形狀若至少具有夾著角的二個直線部位者即可。平面形狀亦可為具有相互平行的一對以上之邊的多角形之中至少一個角變形為圓角的形狀。上述實施型態2中設於遮蔽板15的開口部50之平面形狀亦可與本實施型態5之開口部62的平面形狀同樣。

[實施型態6] 第18圖係顯示本發明之實施型態6之氣體雷射裝置之主要部分的立體圖。實施型態6係針對在氣體雷射裝置100設置凹面鏡之鏡片70以抑制自激振盪光進行說明。實施型態6中，對於與上述實施型態1至5相同的構成要素附記相同的符號，且主要針對與實施型態1至5不同的構成加以說明。

第19圖係針對實施型態6之氣體雷射裝置中的繞射圖案之說明圖。第19圖係顯示通過圓形開口部的平面波之繞射圖案71，以及通過圓形開口部的聚光光束之繞射圖案72。繞射圖案71、72中係藉由明暗來表示光的強度。越明亮的部分表示光的強度越強。

如第19圖所示，聚光光束係比平面波更抑制繞射光之擴展。鏡片70所反射的自然放射光係成為聚光光束而傳播於放電區域23、24並通過開口部20b。自然放射光通過開口部20b時，遮蔽板16之表面的繞射光之擴展受到抑制，藉此減低向開口部20c傳播的自然放射光。藉此，藉由開口部20a之繞射現象可減低向開口部20c傳播的自然放射光。

再者，實施型態1至6之氣體雷射裝置100不限於三軸正交式氣體雷射裝置，而亦可為高速軸流式或是壁面冷卻式等的氣體雷射裝置。

以上之實施型態所示的構成係顯示本發明的內容之一例，其既能夠與其他的公知技術組合，又能夠在未脫離本發明之要旨的範圍內將構成之一部分予以省略、變更。

1:殼體 2~5:電極基板 6~9:電極 10:鼓風機 11、12:熱交換器 13、14:氣體流 15、16:遮蔽板 17、18:窗口 19a~19d、20a~20d、25、28、50、60、62:開口部 21a、21b、22a、22b、70:鏡片 23、24:放電區域 26、27、52:線段 31~35、110、111:光軸 36、37:圖形 41、43、46~48、61、63、71、72:繞射圖案 42、44:強度分布 100、102~104:氣體雷射裝置 101:雷射振盪器 105:加工裝置 106:標的 200:氣體雷射放大系統

第1圖係本發明之實施型態1之氣體雷射裝置的立體圖。 第2圖係顯示設於實施型態1之氣體雷射裝置之內部的構成之一部分的立體圖。 第3圖係具有實施型態1之氣體雷射裝置的氣體雷射放大系統的方塊圖。 第4圖係第3圖所示的氣體雷射放大系統之中，使從實施型態1之氣體雷射裝置出射的雷射光放大的氣體雷射裝置的立體圖。 第5圖係用以說明實施型態1之比較例1中的繞射光產生之樣態的圖。 第6圖係顯示實施型態1之比較例1中產生的繞射光之強度分布之例的圖。 第7圖係用以說明實施型態1之氣體雷射裝置中，繞射光產生之樣態的圖。 第8圖係顯示實施型態1之氣體雷射裝置中產生的繞射光之強度分布之例的圖。 第9圖係有關實施型態1之氣體雷射裝置所具有的二個遮蔽板中的開口部之配置的說明圖。 第10圖係針對第6圖所示的強度分布之繞射光與第8圖所示的強度分布之繞射光，顯示方位角與繞射光之強度的關係的圖。 第11圖係用以針對第10圖所示之關係中的方位角進行說明的圖。 第12圖係針對實施型態1之比較例2中的開口部之配置的說明圖。 第13圖係顯示設於本發明之實施型態2之氣體雷射裝置之內部的構成之一部分的立體圖。 第14圖係用以說明實施型態2之氣體雷射裝置中傳播的繞射光之樣態的圖。 第15圖係針對設於本發明之實施型態3之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。 第16圖係針對設於本發明之實施型態4之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。 第17圖係針對設於本發明之實施型態5之氣體雷射裝置的開口部之配置的說明圖。 第18圖係顯示本發明之實施型態6之氣體雷射裝置之主要部分的立體圖。 第19圖係針對實施型態6之氣體雷射裝置中的繞射圖案的說明圖。

15、16:遮蔽板

17、18:窗口

19a~19c、20a~20c:開口部

21a、21b、22a、22b:鏡片

23、24:放電區域

31~35、110、111:光軸

Claims (7)

1. 一種氣體雷射裝置，係具備： 放電電極，係使要供給至放電區域的雷射氣體激發； 第一遮蔽零件，係設有第一開口部及第二開口部，該第一開口部係供要傳播至前述放電區域的雷射光之第一雷射光通過，該第二開口部係供通過前述第一開口部而往返於前述放電區域的前述雷射光之第二雷射光通過；以及 第二遮蔽零件，係設有第三開口部且隔著前述放電區域與前述第一遮蔽零件相對向，該第三開口部係供通過前述第一開口部並已傳播於前述放電區域的前述第一雷射光及經前述放電區域而要向前述第二開口部傳播的前述第二雷射光通過； 前述第三開口部的平面形狀係包含直線部位； 前述第三開口部的平面形狀投影在前述第一遮蔽零件的情況下，連結前述第二開口部的平面形狀之幾何中心與前述第三開口部的平面形狀之幾何中心的線段之方向，係與前述直線部位的垂線之方向為不同的方向； 由於自然放射光通過前述第三開口部而產生繞射光時，使前述繞射光之強度在前述線段之方向減低。
2. 如申請專利範圍第1項所述之氣體雷射裝置，其中前述第三開口部的平面形狀係包含夾著角的二個直線部位； 前述第三開口部的平面形狀投影在前述第一遮蔽零件的情況下，前述第二開口部的平面形狀之幾何中心與前述第三開口部的平面形狀之幾何中心，係相互並排於連結前述第三開口部的平面形狀之幾何中心與前述角的線段之方向。
3. 如申請專利範圍第1項所述之氣體雷射裝置，其中前述第三開口部的平面形狀係包含夾著角的二個直線部位； 前述第三開口部的平面形狀投影在前述第一遮蔽零件的情況下，連結前述第二開口部的平面形狀之幾何中心與前述第三開口部的平面形狀之幾何中心的線段與連結前述角的線段所成的角度θ，係滿足以下的數學式， n(π／2)-0.14π≦θ≦n(π／2)+0.14π。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之氣體雷射裝置，其中前述第二開口部的平面形狀係包含直線部位； 前述第二遮蔽零件係設有第四開口部及第五開口部，該第四開口部係供通過前述第二開口部並經前述放電區域傳播的前述雷射光之第三雷射光通過，該第五開口部係供通過前述第四開口部而往返於前述放電區域的前述雷射光之第四雷射光通過； 前述第二開口部的平面形狀投影在前述第二遮蔽零件的情況下，連結前述第二開口部的平面形狀之幾何中心與前述第五開口部的平面形狀之幾何中心的線段之方向，係與前述第二開口部之前述直線部位的垂線之方向為不同的方向。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述之氣體雷射裝置，其中前述第三開口部的平面形狀係含有一對以上之相互平行的邊之多角形。
6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之氣體雷射裝置，係具備：殼體，係收容前述放電電極、前述第一遮蔽零件及前述第二遮蔽零件； 前述第一雷射光係屬於入射至前述殼體之後最先傳播於前述放電區域的前述雷射光，且通過前述第三開口部。
7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之氣體雷射裝置，係具備：複數個鏡片，係隔著前述第一遮蔽零件、前述放電區域及前述第二遮蔽零件而相互地對向配置，且反射前述雷射光； 前述複數個鏡片之中的至少一個鏡片係凹面鏡。

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