TW202042034A - 觸控顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種觸控顯示面板，包含基板、第一線路層、發光二極體晶片、第二線路層、擋牆、第二導線及第三導線。第一線路層位於基板上，包含至少一第一電極及第一導線。發光二極體晶片位於第一電極上與第一電極電性連接。第二線路層位於第一線路層上，包含第二電極、觸控感測線路及觸控驅動線路。擋牆位於第二線路層上並圍繞發光二極體晶片。第二導線及第三導線位於第二線路層上。第二導線延伸至擋牆的內側壁及上表面，與觸控感測線路電性連接。第三導線延伸至擋牆的外側壁，與觸控驅動線路電性連接。

Description

觸控顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種觸控顯示面板及其製造方法。
觸控顯示面板已廣泛地應用在各式各樣的電子產品中，例如：平板電腦、智慧型手機等。目前的觸控顯示面板大多是將觸控模組製作完成後，再將其與顯示面板貼合組裝。因此，會面臨莫瑞效應(Moiré effects)以及由於觸控模組遮蔽顯示面板造成之面板亮度降低的問題。莫瑞效應造成使用者在特定角度觀看螢幕時，會有彩虹紋的不良視覺感受。此外，觸控模組與顯示面板需要高精度貼合，造成產品良率不佳及成本過高的問題。因此，需要一種觸控顯示面板以解決上述問題。
根據本發明之各種實施方式，提供一種觸控顯示面板，包含基板、第一線路層、發光二極體晶片、第二線路層、擋牆、第二導線及第三導線。第一線路層位於基板之 上，包含至少一第一電極及第一導線。發光二極體晶片位於第一電極之上與第一電極電性連接。第二線路層位於第一線路層之上，包含第二電極、觸控感測線路以及觸控驅動線路。觸控驅動線路與第一導線電性連接。擋牆位於第二線路層之上並圍繞發光二極體晶片，且擋牆具有內側壁朝向該發光二極體晶片、外側壁及上表面。第二導線及第三導線位於第二線路層之上。第二導線延伸至擋牆的內側壁及上表面，與觸控感測線路電性連接。第三導線延伸至擋牆的外側壁，與觸控驅動線路電性連接。
根據本發明之某些實施方式，觸控顯示面板更包含封裝膠層位於擋牆的內側壁之間，且封裝膠層覆蓋發光二極體晶片。
根據本發明之某些實施方式，封裝膠層包含螢光粉。
根據本發明之某些實施方式，觸控顯示面板更包含保護層位於擋牆及第二導線之上。
根據本發明之某些實施方式，觸控顯示面板更包含藍光隔離層位於擋牆及第二導線之上。
根據本發明之某些實施方式，擋牆具有一厚度，第二導線具有一長度延伸至擋牆的上表面，第二導線的延伸長度至少占擋牆厚度的三分之一。
根據本發明之某些實施方式，發光二極體晶片為微型發光二極體晶片。
根據本發明之某些實施方式，提供一種觸控顯 示面板的製造方法，包含形成前驅基板，且前驅基板包含基板、第一線路層、發光二極體晶片及第二線路層。第一線路層位於基板之上，包含至少一第一電極以及第一導線。發光二極體晶片位於第一電極之上與第一電極電性連接。第二線路層位於第一線路層之上，包含第二電極、觸控感測線路、以及觸控驅動線路。第二電極與發光二極體晶片電性連接，觸控驅動線路與第一導線電性連接。之後，形成擋牆於第二線路層之上，並圍繞發光二極體晶片。之後，形成第二導線及第三導線於第二線路層之上，其中第二導線與觸控感測線路電性連接，第三導線與觸控驅動線路電性連接。
根據本發明之某些實施方式，擋牆具有內側壁、外側壁及上表面，且第二導線延伸至擋牆的內側壁及上表面，第三導線延伸至擋牆的外側壁。
根據本發明之某些實施方式，觸控顯示面板的製造方法更包含形成封裝膠層覆蓋發光二極體晶片。
根據本發明之某些實施方式，封裝膠層包含螢光粉。
根據本發明之某些實施方式，觸控顯示面板的製造方法更包含形成保護層於擋牆及第二導線之上。
根據本發明之某些實施方式，擋牆具有一厚度，第二導線具有一長度延伸至擋牆的上表面，第二導線的延伸長度至少占擋牆厚度的三分之一。
根據本發明之某些實施方式，形成前驅基板包含形成第一電極及第一導線於基板之上；形成發光二極體晶 片於第一電極上，與第一電極電性連接，其中發光二極體晶片具有頂面；形成第一介電材料層於基板上，覆蓋第一電極及第一導線，且第一介電材料層具有頂面及第一開口，其中第一介電材料層的頂面與發光二極體晶片的頂面齊平，第一開口暴露出第一導線；形成第二電極、觸控感測線路、及觸控驅動線路於第一介電材料層上，其中第二電極電性連接發光二極體晶片，觸控驅動線路藉由第一導電接觸件電性連接第一導線；以及形成第二介電材料層於第一介電材料層上，第二介電材料層具有第二開口、第三開口及第四開口，其中第二開口暴露出發光二極體晶片，第三開口暴露出觸控感測線路，且第四開口暴露出觸控驅動線路。
根據本發明之某些實施方式，第二導線藉由第二導電接觸件與觸控感測線路電性連接，第三導線藉由第三導電接觸件與觸控驅動線路電性連接。
10‧‧‧方法
100‧‧‧前驅基板
110‧‧‧基板
200‧‧‧第一線路層
210‧‧‧第一介電材料層
212‧‧‧頂面
214、312、314、316‧‧‧開口
220a、220b‧‧‧第一電極
222‧‧‧發光二極體晶片
223‧‧‧頂面
230‧‧‧第一導線
232‧‧‧第一導電接觸件
300‧‧‧第二線路層
310‧‧‧第二介電材料層
320‧‧‧第二電極
330‧‧‧觸控感測線路
332‧‧‧第二導電接觸件
340‧‧‧觸控驅動線路
342‧‧‧第三導電接觸件
400‧‧‧擋牆
401‧‧‧內側壁
402‧‧‧外側壁
403‧‧‧上表面
410‧‧‧第二導線
420‧‧‧第三導線
430‧‧‧反射層
500‧‧‧封裝膠層
510‧‧‧藍光隔離層
520‧‧‧光學膠
530‧‧‧保護層
1000‧‧‧觸控顯示面板
A1‧‧‧容置空間
L1‧‧‧長度
T1‧‧‧厚度
當讀到隨附的圖式時，從以下詳細的敘述可充分瞭解本揭露的各方面。值得注意的是，根據工業上的標準實務，各種特徵不是按比例繪製。事實上，為了清楚的討論，各種特徵的尺寸可任意增加或減少。
第1圖為根據本發明之某些實施方式繪示的觸控顯示面板的製造方法流程圖。
第2-9圖為根據本發明之某些實施方式繪示的觸控顯示面板的製程各步驟的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。並且為求清楚說明，元件之大小或厚度可能誇大顯示，並未依照原尺寸作圖。此外，為簡化圖示起見，一些習知慣用的結構與元件在圖示中將以簡單示意的方式繪示之。
在本文中使用空間相對用語，例如「下方」、「之下」、「上方」、「之上」等，這是為了便於敘述一元件或特徵與另一元件或特徵之間的相對關係，如圖中所繪示。這些空間上的相對用語的真實意義包含其他的方位。例如，當圖示上下翻轉180度時，一元件與另一元件之間的關係，可能從「下方」、「之下」變成「上方」、「之上」。此外，本文中所使用的空間上的相對敘述也應作同樣的解釋。
雖然下文中利用一系列的操作或步驟來說明在此揭露之方法，但是這些操作或步驟所示的順序不應被解釋為本發明的限制。例如，某些操作或步驟可以按不同順序進行及/或與其它步驟同時進行。此外，並非必須執行所有繪示的操作、步驟及/或特徵才能實現本發明的實施方式。此外，在此所述的每一個操作或步驟可以包含數個子步驟或動 作。
第1圖為根據本發明之各種實施方式繪示的觸控顯示面板1000的製造方法10流程圖。如第1圖所示，方法10包含操作12、操作14及操作16。第2-9圖為根據本發明之某些實施方式之方法10在各製程步驟的剖面圖。
請參照第1圖，在方法10的操作12中，形成前驅基板100。第2-6圖為本發明一實施例之實現操作12的詳細步驟。請先參考第2圖，形成第一電極220a、220b及第一導線230於基板110之上。
在某些實施方式中，基板110可以為非可撓性基板。在某些實施例中，基板110包含玻璃板、陶瓷板、金屬板或線路板，但不限於此。在其他實施方式中，基板110可以為可撓性基板，例如高分子材料基板。
在某些實施方式中，第一電極220a、220b可以包含任何合適的導電材料。在某些實施例中，第一電極220a、220b包含鉑(Pt)、氮化鈦(TiN)、金(Au)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、銅(Cu)或其組合，但不限於此。在某些實施方式中，可以只形成一個第一電極220a或220b。
第一導線230可以包含任何合適的導電材料。在某些實施例中，第一導線230包含銀(Ag)、鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、鈀(Pd)或其組合，但不限於此。在某些實施方式中，第一導線230的材料可以與第一電極220a、220b相同或相似。
接著，請參考第3圖，形成發光二極體晶片222於第一電極220a上，與第一電極220a或220b電性連接。發光二極體晶片222的頂面223可以為出光面。在某些實施方式中，發光二極體晶片222可以為藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片或綠光發光二極體晶片，但不限於此。在某些實施方式中，發光二極體晶片222可以為微型發光二極體(Micro LED)。在某些實施方式中，第一電極220a、220b可以作為發光二極體晶片222的陰極與陽極，並與發光二極體晶片222電性連接。在其他實施方式中，可以只形成一個第一電極220a或220b作為發光二極體晶片222的陰極與其電性連接。
接著，請參考第4圖，形成第一介電材料層210於基板110上，覆蓋第一電極220a、220b及第一導線230。在某些實施方式中，第一介電材料層210的頂面212與發光二極體晶片222的頂面232齊平。也就是說，第一介電材料層210暴露出發光二極體晶片222的頂面232。在某些實施方式中，第一介電材料層210的頂面212及發光二極體晶片222的頂面232為平坦表面。如第4圖所示，第一電極220a、220b及第一導線230嵌入第一介電材料層210中，且開口214暴露出第一導線230。在某些實施方式中，第一介電材料層210可以包含任何合適的介電材料。在某些實施例中，第一介電材料層210包含環氧樹脂(epoxy)、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、預浸料(prepreg；PP)、聚醯亞胺(Polyimide；PI)或感光型電材料 (photoimageable dielectric；PID)等，但不限於此。在某些實施方式中，第一介電材料層210可以藉由滾輪貼合、熱壓貼合或任何合適的方式形成於包含基板110上，但不限於此。
接著，請參考第5圖，形成第二電極320、觸控感測線路330、及觸控驅動線路340於第一介電材料層210上。在某些實施方式中，第一電極220a及第二電極320可以分別作為發光二極體晶片222的陰極及陽極與其電性連接。在某些實施方式中，第一電極220b及第二電極320可以分別作為發光二極體晶片222的陰極及陽極與其電性連接。在某些實施例中，第二電極320的材料可以與第一電極220a、220b相同或相似。如第5圖所示，在某些實施方式中，第一導電接觸件232形成於開口214(繪示於第4圖)中，且觸控驅動線路340藉由第一導電接觸件232電性連接第一導線230(繪示於第4圖)。觸控感測線路330可以電性連接至觸控感測電路及處理器(未繪示)。觸控驅動線路340可以電性連接至觸控驅動電路(未繪示)。在某些實施例中，第一導電接觸件232、觸控感測線路330及觸控驅動線路340的材料可以與第一導線230相同或相似。
之後，請參考第6圖，形成第二介電材料層310於第一介電材料層210上，且第二介電材料層310具有開口312、314、316。如第6圖所示，開口312暴露出發光二極體晶片222的一部分，開口314暴露出觸控感測線路330，且開口316暴露出觸控驅動線路340。在某些實施方式中， 形成第二介電材料層310的方法可以與形成第一介電材料層210相同或相似。在某些實施例中，第二介電材料層310的材料可以與第一介電材料層210相同或相似。
此時，如第6圖所示，形成前驅基板100。前驅基板100包含基板110、第一線路層200、發光二極體晶片222及第二線路層300。第一線路層200位於基板110之上，可以包含上述至少一第一電極220a及220b及第一導線230。發光二極體晶片222位於第一電極220a之上並與其電性連接。第二線路層300位於第一線路層200之上，可以包含上述第二電極320、觸控感測線路330、以及觸控驅動線路340。第二線路層300的開口312暴露出發光二極體晶片222，且觸控驅動線路340與第一導線230電性連接。
請參照第1圖及第7圖，在方法10的操作14中，形成擋牆400於第二線路層300之上，並圍繞發光二極體晶片222。如第7圖所示，擋牆400具有內側壁401、外側壁402、上表面403及厚度T1。詳細的說，擋牆400形成於第二介電材料層310的開口314及開口316之間，圍繞開口312，且擋牆400的內側壁401朝向發光二極體晶片222。擋牆400可以設置在多個發光二極體晶片之間，例如，設置在發光二極體晶片222及與其相鄰的發光二極體晶片(未繪示)之間，藉此分隔多個發光二極體晶片。擋牆400可以反射或吸收發光二極體晶片所發出的光線，避免多個發光二極體晶片之間的光線互相干擾。在某些實施方式中，擋牆400可以為感光型電材料，但不限於此。在某些實施例中，擋牆 400可以包含吸光粒子散布於其中。在某些實施方式中，擋牆400可以藉由旋轉塗佈(spin coating)製程及圖案化製程形成。
請參照第1圖及第8圖，在方法10的操作16中，形成第二導線410及第三導線420於第二線路層300之上，其中第二導線410與觸控感測線路330電性連接，第三導線420與觸控驅動線路340電性連接。在某些實施方式中，第二導線410可以藉由形成於開口314(如第7圖所示)中的第二導電接觸件332與觸控感測線路330電性連接。在某些實施方式中，第三導線420可以藉由形成於開口316(如第7圖所示)中的第三導電接觸件342與觸控驅動線路340電性連接。在某些實施方式中，第二導線410及第三導線420可以包含任何合適的導電材料。在某些實施例中，第二導電接觸件332及第三導電接觸件342的材料可以與第一導電接觸件232相同或相似。在某些實施方式中，可以藉由掀離(lift-off)製程形成第二導線410及第三導線420。例如，可以包含，但不限於以下步驟：塗佈光阻材料於前驅基板100及擋牆400之上，再藉由曝光、顯影製程形成圖案化光阻(未圖示)覆蓋不欲形成線路的區域，例如開口312。之後，可以藉由濺鍍(sputtering)製程沉積導電材料於圖案化光阻上及未被圖案化光阻覆蓋的區域上。最後移除圖案化光阻即形成第二導線410及第三導線420。在某些實施方式中，可以在形成第二導線410及第三導線420的同時形成反射層430於擋牆400的另一側，以反射自發光二極體晶片222發 出的光線。在某些實施方式中，位於擋牆400的內側壁401上的第二導線410也可以反射自發光二極體晶片222發出的光線。
如第8圖所示，第二導線410由第二線路層300的上表面延伸至擋牆400的內側壁401及上表面403。在某些實施例中，第二導線410延伸至擋牆400的上表面403的長度為L1，且長度L1至少占擋牆400厚度T1的三分之一。藉由使第二導線410延伸至擋牆400的上表面403，可以提升感測靈敏度。第三導線420由第二線路層300的上表面延伸至擋牆400的外側壁402。需注意的是，第二導線410及第三導線420並未遮蔽發光二極體晶片222，因此，不會干擾其出光。在完成操作16之後，觸控顯示面板1000的製造方法10還可以包含一或多個子操作，將在以下詳述之。
請參考第9圖，在某些實施方式中，方法10還可以包含形成封裝膠層500覆蓋開口312暴露出的發光二極體晶片222。在某些實施方式中，封裝膠層500包含透光基材，例如環氧樹脂(epoxy)、矽膠(silicone)、乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethyl methacrylate,PMMA)、或其組合，但不限於此。在某些實施例中，封裝膠層500可以包含螢光粉散佈於其中。
請繼續參考第9圖，在某些實施方式中，方法10還可以包含形成藍光隔離層510覆蓋擋牆400、第二導線410及封裝膠層500。在某些實施方式中，方法10還可以包 含形成保護層530於擋牆400及第二導線410之上。在某些實施例中，保護層530包含玻璃或塑膠，但不限於此。在某些實施方式中，保護層530可以藉由光學膠520(optical clear adhesive；OCA)黏貼於藍光隔離層510上。
請繼續參考第9圖繪示之觸控顯示面板1000的剖面圖。觸控顯示面板1000包含基板110、第一線路層200、發光二極體晶片222、第二線路層300、擋牆400、第二導線410以及第三導線420。應了解到，已敘述過的元件材料將不再重複贅述，合先敘明。觸控顯示面板1000還可以包含其他元件，將在以下敘述之。
如第9圖所示，第一線路層200位於基板110之上。第一線路層200包含至少一第一電極220a(或第一電極220b)以及第一導線230。發光二極體晶片222位於第一電極220a、220b之上，且與第一電極220a或220b電性連接。第一介電材料層210覆蓋第一線路層200。
第二線路層300位於第一線路層200之上。第二線路層300包含第二電極320、觸控感測線路330、以及觸控驅動線路340。詳細的說，第二線路層300位於平坦的第一介電材料層210上，被第二介電材料層310覆蓋。第二介電材料層310的開口312(繪示於第8圖)暴露發光二極體晶片222。在某些實施方式中，第二電極320與發光二極體晶片222電性連接，且觸控驅動線路340與第一導線230電性連接。
擋牆400位於第二線路層300之上，並圍繞發光 二極體晶片222。擋牆400具有內側壁401、外側壁402、上表面403及厚度T1。擋牆400的內側壁401朝向發光二極體晶片222，外側壁402遠離發光二極體晶片222，且上表面403連接內側壁401及外側壁402。詳細的說，擋牆400位於第二介電材料層220之上，圍繞開口312。在某些實施方式中，擋牆400圍繞開口312並定義出容置空間A1(繪示於第7圖)，此容置空間A1位於擋牆400的內側壁401之間。在某些實施方式中，觸控顯示面板1000具有封裝膠層500填充於容置空間A1中，並覆蓋開口312及發光二極體晶片222。在某些實施例中，封裝膠層500包含螢光粉散佈於其中。在其他實施方式中，容置空間A1也可以為空腔。
如第9圖所示，第二導線410位於第二線路層300之上，延伸至擋牆400的內側壁401及上表面403，且第二導線410與觸控感測線路330電性連接。第二導線410具有長度L1延伸至擋牆400的上表面403，長度L1至少占厚度T1的三分之一。第三導線420位於第二線路層300之上，並延伸至擋牆400的外側壁402，且第三導線420與觸控驅動線路340電性連接。
在某些實施方式中，觸控顯示面板1000更包含藍光隔離層510位於擋牆400及第二導線410之上。詳細地說，藍光隔離層510可以位於擋牆400及封裝膠層500之上，並覆蓋延伸至擋牆400上表面403的第二導線410。在某些實施方式中，觸控顯示面板1000更包含保護層530位於擋牆400及第二導線410之上。詳細地說，在某些實施例中， 保護層530可以藉由光學膠520貼附於藍光隔離層510上。
如上所述，根據本發明的實施方式，提供一種觸控顯示面板及其製造方法。在本發明的觸控顯示面板中，將顯示模組線路與觸控模組線路整合於多層細線路上。與現有的觸控顯示面板結構相比，不須使用額外的貼合製程將觸控模組與顯示模組貼合，因此可以簡化製程、降低成本，並且可以避免觸控顯示面板產生彩虹紋的顯示缺陷。此外，本發明與觸控感測線路及觸控驅動線路電性連接的導線沿著擋牆的側壁形成，沒有遮蔽發光二極體晶片，不會干擾其出光，因此可增加出光流明度。本發明的與觸控感測線路電性連接的導線可以進一步延伸至擋牆的上表面，可藉此增提升觸控感測靈敏度。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧基板
200‧‧‧第一線路層
210‧‧‧第一介電材料層
220a、220b‧‧‧第一電極
222‧‧‧發光二極體晶片
230‧‧‧第一導線
300‧‧‧第二線路層
310‧‧‧第二介電材料層
320‧‧‧第二電極
330‧‧‧觸控感測線路
340‧‧‧觸控驅動線路
400‧‧‧擋牆
410‧‧‧第二導線
420‧‧‧第三導線
430‧‧‧反射層
500‧‧‧封裝膠層
510‧‧‧藍光隔離層
520‧‧‧光學膠
530‧‧‧保護層
1000‧‧‧觸控顯示面板
L1‧‧‧長度
T1‧‧‧厚度

Claims (15)

  1. 一種觸控顯示面板，包含：一基板；一第一線路層，位於該基板之上，該第一線路層包含至少一第一電極及一第一導線；一發光二極體晶片，位於該第一電極之上與該第一電極電性連接；一第二線路層，位於該第一線路層之上，該第二線路層包含一第二電極、一觸控感測線路及一觸控驅動線路，其中該觸控驅動線路與該第一導線電性連接；一擋牆，位於該第二線路層之上，並圍繞該發光二極體晶片，該擋牆具有一內側壁、一外側壁及一上表面，其中該內側壁朝向該發光二極體晶片；一第二導線，位於該第二線路層之上，並延伸至該擋牆的該內側壁及該上表面，其中該第二導線與該觸控感測線路電性連接；以及一第三導線，位於該第二線路層之上，並延伸至該擋牆的該外側壁，其中該第三導線與該觸控驅動線路電性連接。
  2. 如請求項1所述之觸控顯示面板，其中該觸控顯示面板更包含一封裝膠層位於該擋牆的該內側壁之間，且該封裝膠層覆蓋該發光二極體晶片。
  3. 如請求項2所述之觸控顯示面板，其中該 封裝膠層包含螢光粉。
  4. 如請求項1所述之觸控顯示面板，更包含一保護層位於該擋牆及該第二導線之上。
  5. 如請求項1所述之觸控顯示面板，更包含一藍光隔離層位於該擋牆及該第二導線之上。
  6. 如請求項1所述之觸控顯示面板，其中該擋牆具有一厚度，該第二導線具有一長度延伸至該擋牆的該上表面，該長度至少占該厚度的三分之一。
  7. 如請求項1所述之觸控顯示面板，其中該發光二極體晶片為微型發光二極體晶片。
  8. 一種觸控顯示面板的製造方法，包含：形成一前驅基板，該前驅基板包含：一基板；一第一線路層，位於該基板之上，該第一線路層包含至少一第一電極及一第一導線；一發光二極體晶片，位於該第一電極之上與該第一電極電性連接；以及一第二線路層，位於該第一線路層之上，該第二線路層包含一第二電極、一觸控感測線路、以及一觸控驅動線路，其中該第二電極與該發光二極體晶片電性連接，該觸 控驅動線路與該第一導線電性連接；形成一擋牆於該第二線路層之上，並圍繞該發光二極體晶片；以及形成一第二導線及一第三導線於該第二線路層之上，其中該第二導線與該觸控感測線路電性連接，該第三導線與該觸控驅動線路電性連接。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該擋牆具有一內側壁、一外側壁及一上表面，且該第二導線延伸至該擋牆的該內側壁及該上表面，該第三導線延伸至該擋牆的該外側壁。
  10. 如請求項8所述之方法，更包含形成一封裝膠層覆蓋該發光二極體晶片。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該封裝膠層包含螢光粉。
  12. 如請求項8所述之方法，更包含形成一保護層於該擋牆及該第二導線之上。
  13. 如請求項8所述之方法，其中該擋牆具有一厚度，該第二導線具有一長度延伸至該擋牆的該上表面，該長度至少占該厚度的三分之一。
  14. 如請求項8所述之方法，其中形成該前驅基板包含：形成該第一電極及該第一導線於該基板之上；形成該發光二極體晶片於該第一電極上，與該第一電極電性連接，其中該發光二極體晶片具有一頂面；形成一第一介電材料層於該基板上，覆蓋該第一電極及該第一導線，且該第一介電材料層具有一頂面及一第一開口，其中該頂面與該發光二極體晶片的該頂面齊平，該第一開口暴露出該第一導線；形成該第二電極、該觸控感測線路、及該觸控驅動線路於該第一介電材料層上，其中該第二電極電性連接該發光二極體晶片，該觸控驅動線路藉由一第一導電接觸件電性連接該第一導線；以及形成一第二介電材料層於該第一介電材料層上，該第二介電材料層具有該第二開口、一第三開口、及一第四開口，其中該第二開口暴露出該發光二極體晶片，該第三開口暴露出該觸控感測線路，且該第四開口暴露出該觸控驅動線路。
  15. 如請求項8所述之方法，其中該第二導線藉由一第二導電接觸件與該觸控感測線路電性連接，該第三導線藉由一第三導電接觸件與該觸控驅動線路電性連接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI367465B (en) 2008-02-15 2012-07-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Led display
TWI398693B (zh) * 2009-10-21 2013-06-11 Inventec Appliances Corp 觸控式顯示裝置及其製造方法
TWI748456B (zh) * 2014-02-28 2021-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
TW201546673A (zh) * 2014-06-10 2015-12-16 Wintek Corp 觸控面板
TW201610773A (zh) * 2014-09-09 2016-03-16 勝華科技股份有限公司 觸控面板
KR102388711B1 (ko) * 2015-04-27 2022-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWM553882U (zh) 2017-08-10 2018-01-01 欣興電子股份有限公司 發光二極體顯示裝置
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
CN110189642B (zh) * 2018-02-22 2021-10-26 和鑫光电股份有限公司 显示装置

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