TW202040845A - 用於移轉表面層至凹穴上之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於將一表面層(10)移轉至包含多個凹穴(23)之一載體底材(20)之方法，該方法包括： •提供一施體底材， •提供該載體底材(20)，其具有一第一側且包含多個凹穴(23)，每一凹穴在該第一側開口且具有一底部及側壁， •在至少一凹穴(23)中製作至少一臨時支柱(30)，該支柱(30)具有與該載體底材(20)之第一側共平面之一上表面， •經由該載體底材(20)之第一側組合該施體底材及該載體底材(20)， •薄化該施體底材以形成該表面層(10)， •移除該至少一臨時支柱(30)。

Description

用於移轉表面層至凹穴上之方法
本發明與微電子及微系統領域有關。更詳細而言，本發明涉及一種用於移轉表面層至包含凹穴陣列之底材上之方法。
MEMS元件(MEMS為「微機電系統」的簡稱)常被用於製作各種感應裝置及應用中：例如壓力感應器、麥克風、射頻開關、電聲(electro-acoustic)轉換器和超音波傳感器(例如壓電微機械超音波傳感器(pMUT))等。
許多MEMS元件以懸於凹穴上方之彈性薄膜(flexible membrane)為基礎。在操作上，與物理參數(例如pMUT的聲波傳播)相關的薄膜撓曲(deflection)會被轉換成電子訊號(反之亦然，根據元件處於接收模式或發射模式而定)。
為了提升所述凹穴上MEMS元件之效能，使用具良好晶質和均勻且厚度可控的薄膜是有幫助的。絕緣體上矽(SOI)底材尤其適合用於製作前述元件，因為它們提供用於形成所述薄膜的高品質表面層，以及用於容納下鄰凹穴的埋置氧化層(及／或載體底材)。
在Lu Yipeng及David A. Horsley發表之文章〈Modeling, fabrication, and characterization of piezoelectric micromachined ultrasonic transducer arrays based on cavity SOI wafers〉(Journal of Microelectromechanical Systems 24.4 (2015) 1142-1149)中，提出一種從包含埋置凹穴之SOI底材製作pMUT元件之示例性方法及其優點。
視使用的設備類型而定，凹穴的幾何特徵(形狀、橫向尺寸、深度)、膜的幾何特徵(厚度)及兩者的平面分佈(inter-cavity distance，凹穴間距)會有所不同。因此，在某些幾何特徵和分佈的組構中，製作一底材使其包含設置在複數個凹穴上之表面層可能變得複雜，尤其是定義出與薄表面層移轉至大尺寸凹穴相容的移轉製程。
本發明之目的為克服上述全部或部分缺點。更詳細而言，本發明涉及一種用於將表面層移轉至包含多個凹穴之底材上之方法。
本發明涉及一種用於將表面層移轉至包含多個凹穴之載體底材之方法，該方法包括： Ÿ     提供一施體底材， Ÿ     提供該載體底材，其具有第一側且包含多個凹穴，每一凹穴在該第一側開口且具有一底部及側壁， Ÿ     在至少一凹穴中製作至少一臨時支柱，該支柱具有與該載體底材之第一側共平面之上表面， Ÿ     經由載體底材之第一側組合施體底材及載體底材， Ÿ     薄化該施體底材以形成該表面層， Ÿ     移除該至少一臨時支柱。
根據本發明之其他有利的和非限制性的特徵，其可以單獨實施，或以任何技術上可行的組合來實施： Ÿ     提供施體底材包括將輕物種植入該施體底材，以形成埋置弱化區位於該施體底材之第一部分與該施體底材之第二部分之間，第一部分係用於形成表面層，第二部分係用於形成施體底材之其餘部分； Ÿ     薄化施體底材包括經由埋置弱化區將表面層從施體底材之其餘部分分離； Ÿ     施體底材之第一部分具有在0.2微米及2微米之間的厚度； Ÿ     該至少一支柱與凹穴之側壁分離； Ÿ     支柱之上表面具有圓形、正方形、長方形或十字形的輪廓； Ÿ     該至少一支柱連接凹穴之至少一側壁； Ÿ     該至少一支柱之上表面形成連接凹穴之側壁的網格； Ÿ     複數個支柱形成平行壁的一陣列，所述平行壁在其端部連接凹穴之側壁； Ÿ     所述組合包括直接鍵結一方面施體底材及另一方面載體底材的第一側與該至少一支柱的上表面； Ÿ     移除支柱包括局部蝕刻表面層以在表面層中形成一通孔，以及經由通孔對支柱進行化學蝕刻； Ÿ     支柱以濕式或乾式蝕刻法進行化學蝕刻； Ÿ     通孔被形成與該支柱垂直； Ÿ     通孔具有的橫截面積小於或等於支柱上表面的面積； Ÿ     通孔具有的橫截面積大於支柱上表面的面積； Ÿ     通孔被形成在表面層中，在懸於該至少一凹穴上方之區域的外部； Ÿ     移除支柱包括局部蝕刻載體底材之第二側直到凹穴，以形成與凹穴連通之孔隙，以及經由孔隙對支柱進行化學蝕刻； Ÿ     支柱包括選自於氧化矽、氮化矽、單晶矽、多晶矽、非晶矽及多孔矽之至少一材料； Ÿ     施體底材包括至少一半導體或壓電材料。
在以下說明中，圖式中相同的數字可代表同類型之元件。為了易讀起見，圖式未按比例而是概要繪製。更詳細而言，相對於x軸和y軸代表的橫向尺寸，z軸代表的層厚度並未按比例繪製；此外，各層之間的相對厚度在圖式中不一定符合實際比例。
本發明涉及一種用於將表面層10移轉至包含多個凹穴23之載體底材20之方法(圖1)，所述移轉方法將製作出包含埋置凹穴23之結構100。
根據本發明之方法包含提供施體底材1之步驟，該施體底材1包含用於連接載體底材20之前側11，以及背側12(圖2a)。作為非限制性的示例，施體底材1可包含至少一半導體，例如矽、碳化矽、氮化鎵等，或一壓電材料，例如鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鋁、氧化鋅、鋯鈦酸鉛(PZT)等。
所述方法亦包含提供載體底材20之步驟(圖2b)；所述載體底材20具有第一側21，其用於連至施體底材1，及第二側22。作為非限制性的示例，載體底材20可包含矽、玻璃、藍寶石等。載體底材20包含在其第一側21開口之複數個凹穴23。每一凹穴23具有一底部23a及側壁23b。
每一凹穴23的幾何特徵取決於目標MEMS元件而由以下條件所界定： Ÿ     載體底材20之第一側21的平面(以下稱主要平面(x，y))中的凹穴23的形狀：其可為圓形、正方形、長方形或多邊形； Ÿ     位於主要平面(x，y)中的凹穴23之橫向尺寸：其可在數微米至數公釐之間變化； Ÿ     沿著垂直於主要平面(x，y)之z軸之凹穴23深度：其可在數十奈米至數十微米或甚至數百微米之間變化。
凹穴23之平面分佈，即其在主要平面(x，y)之分佈，亦取決於目標元件且其將界定出凹穴間距24(圖2c)：其可在數微米至數百微米或甚至數公釐之間變化。凹穴間距24在載體底材20的整個表面上可為均勻且完全相同，抑或隨載體底材20表面上的區域而異。
應注意的是，載體底材20可包含具有不同形狀、橫向尺寸、深度及／或平面分佈(planar distribution)之凹穴23，尤其是將各類型元件共同集成到包含埋置凹穴的結構100中時。
視以包含埋置凹穴23的結構100所製作之MEMS元件類型而定，各種不同的層可被沉積在凹穴23的底部23a及／或凹穴23之側壁23b上(例如氮化矽、氧化矽等)。
本發明之移轉方法額外提供在至少一凹穴23中(較佳者為在每一凹穴23中)製作至少一臨時支柱30的步驟(圖2d)。支柱30的數目及位置可取決於每一凹穴23之橫向尺寸。
在主要平面(x，y)中，支柱23具有與載體底材20第一側21共平面之上表面31。支柱30之下表面穩定固定在凹穴23之底部23a。
作為非限制性的示例，支柱30包含選自於氧化矽、氮化矽、單晶矽、多晶矽、非晶矽及多孔矽之至少一材料。
根據第一變化例，該至少一支柱30與凹穴23之側壁23b分離。如圖2e所示，支柱23不與凹穴23之側壁23b接觸。所述支柱23較佳者為在每一凹穴23之底部23a均勻分佈。
支柱30之上表面31可具有不同類型之輪廓，例如圖2f所示之圓形、正方形、長方形或十字形輪廓。
根據該第一變化例，支柱30之圓形輪廓的直徑或正方形或長方形輪廓的邊長，可具有範圍數微米至約15微米之尺寸，例如5微米、7微米或甚至10微米。
根據第二變化例，支柱30或複數個支柱30與凹穴23之至少一側壁23b連接。圖2g繪示支柱30的多個示例，每一示例都會形成隔間(partition)。根據一示例，該至少一支柱30之上表面31形成連接凹穴23之側壁23b的網格。根據另一示例，一凹穴中的某些支柱30與側壁23b連接，其他則分離。根據又另一示例，支柱30形成平行隔間的陣列，其端部連接凹穴23之側壁23b。
根據此第二變化例，支柱30之寬度範圍可從數微米至約15微米，例如5微米、7微米或甚至10微米。其長度範圍可從數微米至允許凹穴23之側壁23b連接在一起之尺寸，因此其大約與凹穴23之尺寸相同。
根據本發明之移轉方法亦包含經由載體底材20之第一側21組合施體底材1及載體底材20之步驟(圖2h)。
該步驟可有利地包括透過分子附著直接鍵結施體底材1之前側11，以及載體底材20的第一側21與該至少一支柱30的上表面31。分子附著之原理為習知技術，故不在此詳述。應注意的是，底材必須具有非常好的表面光潔度(清潔、粗糙度低等)，才能獲得高品質的連接。
詳細而言，必須特別留意在載體底材20的第一側21和每一支柱30的上表面31之間獲得良好的共面性(co-planarity)，以確保所述第一側21及上表面31與施體底材1的前側11能有效鍵結。
為了確保高品質的連接，組合步驟可有利地包括在施體底材1和載體底材20的待連接表面接觸前，對其進行清潔。作為示例，微電子的習知清潔程序，尤其是用於矽底材者，包括臭氧清潔、SC1清潔(「標準清潔1」的縮寫)和SC2清潔(「標準清潔2」的縮寫)及中間的清洗步驟。待連接之表面亦可在彼此接觸前被活化，例如使用電漿，以促進這些表面之間的高鍵結能(bonding energy)。
施體底材1及／或載體底材20可視需要分別在前側11及／或第一側21包含一鍵合層，以提升鍵結品質和交界面之鍵結能。
所述移轉方法接著包含薄化施體底材1之步驟，以形成表面層10。
根據第一變化例，薄化施體底材1之步驟係在其背側12進行機械研磨、化學機械研磨及／或化學蝕刻。薄化步驟結束時，可獲得移轉至載體底材20之表面層10(圖2i)。
根據第二有利變化例，可使用Smart CutTM 製程進行薄化，其係基於植入輕離子及經由植入區分離。
因此，根據此第二變化例，前述提供施體底材1之步驟包括將輕物種植入施體底材1，以形成埋置弱化區2位於該施體底材1之第一部分3與該施體底材1之第二部分4之間，第一部分3係用於形成表面層10，第二部分4係用於形成施體底材1之其餘部分(圖3a)。
第一部分3的厚度及之後的表面層10的厚度，取決於輕物種(例如氫或氦)的植入能量。植入能量可有利地被選定，以使施體底材1之第一部分3具有約0.2微米至2微米之厚度。
施體底材1接著在本發明之方法之組合步驟中接合至載體底材20(圖3b)。
同樣根據此第二有利變化例，薄化施體底材1之步驟包括經由埋置弱化區2將表面層10(其由被分離之第一部分3形成)從施體底材1之其餘部分4分離(圖3c)。此分離步驟較佳者為在溫度為數百及700°C之間的熱處理期間進行。作為替代方案，分離亦可在熱處理後透過機械應力以機械方式輔助或達成。
薄化步驟結束時，可獲得移轉至載體底材20之表面層10(圖3c)。應記住的是，Smart CutTM 製程可獲得具極佳厚度均勻性的薄層。對於要求彈性薄膜厚度受到控制的某些MEMS元件而言，該標準非常有利。
在某些情況下，表面層10的厚度在使用Smart CutTM 製程移轉後會不足，這時可藉由在表面層10的自由表面12’上沉積額外層，以再增加其厚度，例如在下述的精加工期間以磊晶生長或其他習知沉積方法達成。
在前述的兩變化例中，在將表面層10移轉到載體底材20上後，薄化步驟可包括旨在改善晶質(從層中去除缺陷)、改善表面品質(從自由表面12’去除殘留粗糙度)及／或調整表面層10厚度的精加工(finishing processing)。此加工可包含一次或多次的熱處理、化學機械研磨、化學蝕刻、磊晶生長及／或額外層沉積。
位於凹穴23中的至少一臨時支柱30之功用為在薄化步驟中為表面層10提供機械性支撐。
根據前述第一變化例，懸於凹穴23上方之表面層10在化學機械薄化過程中容易變形。
此外，根據前述之第二變化例，若在埋置弱化區2的弱化期間及直到施體底材1的第一部分3和第二部分4的分離時對施體底材1前側11的加固效應不足，表面層10可能不會面向凹穴23移轉。位於凹穴23中的至少一臨時支柱30可確保對施體底材1前側11的加固效應，從而允許表面層10完整移轉至整個載體底材20，詳言之凹穴23上方。
對於厚度約1微米至1.5微米之表面層10，支柱30彼此之間的間距及凹穴23側壁23b與每一支柱30的間距，可有利地被選定為在10微米及50微米之間，較佳者為約20微米。
最後，根據本發明之移轉方法包含移除該至少一臨時支柱30之步驟。
移除支柱30可包含局部蝕刻表面層10以在所述表面層10中形成至少一通孔13a、13b、13c。
所述局部蝕刻可透過光刻(photolithography)和濕式或乾式化學蝕刻法進行。詳言之，沉積在表面層10之自由表面12’上的光罩可界定出待蝕刻以形成通孔之區域，以及要保護的自由表面12’的其餘部分。應注意的是，在形成凹穴23及載體底材20支柱30的過程中，被界定在載體底材20的外圍及／或在其第一側21及／或第二側22上用於切割線(dicing lanes)之區域中的對準標記(alignment marks)，其在移除一個或多個支柱的步驟期間可相對於埋置凹穴23及支柱30達成精確的定位。所述標記亦可用於需要相對於結構100中埋置凹穴23對齊之後續步驟。
圖4a、圖4b及圖4c為表面層10之俯視放大圖，其中位於下方之凹穴23及支柱30之上表面31係以虛線繪示。通孔13a、13b、13c可以該些圖式所示之任一組構製作。
如圖4a所示，通孔13a可與每一支柱30垂直且其橫截面積小於支柱30上表面31的面積。接著經由通孔13a進行適合用於蝕刻支柱30材料之乾式或濕式化學蝕刻，以移除支柱30並在凹穴23的整個範圍上釋放表面層10。
作為替代方案，通孔13b可與每一支柱30垂直且其橫截面積大於支柱30上表面31的面積(圖4b)。接著經由通孔13b進行乾式或濕式化學蝕刻法，以移除支柱30並在凹穴23的整個範圍上釋放表面層10。
同樣作為替代方案，通孔13c(或複數個通孔)可製作在懸於凹穴23上方之表面層10的一區域中 (圖4c)。接著經由通孔13c進行濕式化學蝕刻，以移除支柱30並在凹穴23的整個範圍上釋放表面層10。
應注意的是，在圖4a、圖4b及圖4c所示每一組構中，皆可透過，舉例而言，在真空或受到控制之氣氛中沉積多晶矽來塞住通孔13a、13b、13c。
根據一變化例(未繪出)，移除支柱13可包含局部蝕刻表面層10，以在未與凹穴23垂直之區域中的表面層10中形成至少一貫穿通孔13(through-aperture)。在此情況下，通孔13通向一橫向通道，其係在本發明方法之組合步驟之前製作於載體底材20中；此橫向通道與一個或多個周邊凹穴23連通。接著可經由該通孔13及橫向通道進行乾式或濕式化學蝕刻，以移除(至少一)支柱30並在凹穴23的整個範圍上釋放表面層10。
應注意的是，此變化例允許薄膜(表面層10與凹穴23垂直的部分)藉由避免通孔13從中穿過而保持完整。
根據另一變化例(未繪出)，移除支柱30可包含藉由局部蝕刻載體底材20第二側22直到凹穴23，以形成至少一通孔13。有利的是，蝕刻第二側22可在MEMS元件製作完成時進行，此時載體底材20已被薄化至400微米、200微米、100微米、50微米或更薄。這麼做可允許製作出小尺寸的通孔13，同時維持在使用習知化學蝕刻技術可獲得的被蝕刻厚度／通孔尺寸之比例(ratios of etched thickness/dimensions of the aperture)內。
在移除一個或多個臨時支柱30的步驟結束時，可獲得包含埋置凹穴的結構100，其適於製作MEMS元件，因該些凹穴23的幾何特徵、表面層10(彈性薄膜)的厚度及凹穴／薄膜的平面分佈(planar distribution)皆符合MEMS元件的規格。依照本發明的移轉方法，透過在形成表面層10的薄化步驟期間使用存在於凹穴23中的臨時支柱30，可允許高品質的表面層10，尤其是具有低厚度(小於數微米)的層10，移轉至任何幾何特徵的凹穴，尤其是具有大尺寸(大於數十微米)的凹穴。
實施例之示例 在此示例中，吾人尋求形成包含埋置凹穴23之一結構100，其包含1.5微米厚的一矽製表面層，以及邊長250微米、深度0.5微米、間隔100微米的多個凹穴。
施體底材1為矽製底材(圖5a)。植入輕物種前，可透過諸如熱氧化之方式，在底材的前側11上形成厚度舉例而言約50奈米之氧化層5。植入能量設為210 keV，氫物種劑量約為7E 16/cm2 。如此而形成埋置弱化區2，其位於底材1之第一部分3及第二部分4之間。
在組合至載體底材20之步驟前，氧化層5可被保留或去除。
載體底材20為矽製底材。在載體底材20之第一側21及第二側22上形成厚度為0.5微米之熱氧化層24。位於第二側22之熱氧化層可視情況被局部或完整地保留或移除。作為替代方案，可只在載體底材20之第一側21(使用習知沈積技術)沉積一氧化層。
接著透過光刻法，在載體底材20的第一側21上界定出光罩25，該第一側包括熱氧化層24會被蝕刻之未遮蔽區域，以及熱氧化層24會收到保護之遮蔽區域(圖5b)。應注意的是，在載體底材20的外圍及／或切割通道區域中亦界定出對準標記，其將用於後續的光刻步驟，因為當凹穴23被埋置在表面層10下時，必須能夠確定凹穴23的座標。
未遮蔽區域之界定，一方面取決於結構100之凹穴23之尺寸及預期平面分佈，另一方面取決於臨時支柱30之排列。
一般而言，在此情況下，每一凹穴23的每一側為250微米，臨時支柱30被設置成與凹穴23的側壁23b距離25微米，且臨時支柱30彼此相隔25微米。每一支柱30的上表面31為邊長7微米的正方形；作為替代方案，上表面31可為直徑7微米的圓形，或最大尺寸設為7微米的十字形。
在未遮蔽的區域中，乾式或濕式化學蝕刻係針對熱氧化層24的整個厚度進行，即0.5微米(圖5c)。接著移除光罩25。
如此可獲得包含複數個凹穴之載體底材20，所述凹穴在載體底材20的第一側21開口且其中設置有臨時支柱30，臨時支柱的上表面31與載體底材20的第一側21共平面(圖5d及圖5e)。
在清潔和活化步驟之後，使施體底材1的前側11和載體底材20的第一側21接觸且直接鍵結(圖5f)。應注意的是，直接鍵結可在周圍大氣下進行、在(氣體的壓力和性質)受控制的氣氛下進行，或真空下進行。用於強化鍵結界面之回火，可在約350℃的溫度下對已鍵結之結構進行。
經由埋置弱化區2進行之分離，是在分離熱處理期間在約500℃的溫度下實施。
接著，可獲得移轉至載體底材20的表面層10(圖5g)。
最好進行諸如熱氧化和化學機械研磨等精加工操作，以確保被移轉之表面層10有良好的表面和結構的品質，並獲得1.5微米的厚度。
在移除臨時支柱30的步驟中，可使用設置在載體底材20上的對準標記經由光刻法定義出一光罩14(舉例而言為氮化矽製)，以界定出未遮蔽區域，未遮蔽區域中將形成表面層中的貫穿通孔13a，而表面層10自由面12的其餘部分將被遮蔽並因此受到保護。對矽製表面層10進行乾式或濕式局部蝕刻以形成多個通孔13a，每一通孔13a的橫截面積被選定成小於每一支柱30的上表面31的面積(圖5h)。
在通孔13a存在的情況下進行化學蝕刻，例如以氫氟酸(HF)蒸氣為基礎的乾式化學蝕刻，以去除製成支柱30的熱氧化物，從而在凹穴23的整個範圍上釋放表面層10。
在化學蝕刻支柱30之前或在移除支柱30的步驟結束時，可將光罩14移除。
接著，如有必要可將通孔13a塞住。
如此便獲得包含埋置凹穴23的結構100(圖5i)，其適於製作MEMS元件，因該些凹穴23的幾何特徵、該表面層10(彈性薄膜)的厚度及凹穴／薄膜的平面分佈皆符合MEMS元件的規格。根據本發明的移轉方法，透過在形成表面層10的薄化步驟期間使用設置於凹穴23中的臨時支柱30，可允許高品質的表面層10，尤其是具有低厚度(此示例中約1微米)的層10，移轉至任何幾何特徵的凹穴，尤其是具有大尺寸(此示例中為250 x 250微米)的凹穴。
當然，本發明不限於本說明書所述之實施方式及示例，且實施例方式之各種變化例均落入申請專利範圍所界定之範疇。
1:施體底材 2:埋置弱化區 3:第一部分 4:第二部分 5:氧化層 10:表面層 11:前側 12:背側 12’:自由表面 13、13a、13b、13c:通孔 20:載體底材 21:第一側 22:第二側 23:凹穴 23a:底部 23b:側壁 24:凹穴間距 25:光罩 30:支柱 31:上表面 100:結構
以下關於本發明之詳細說明，將更清楚說明本發明其他特徵和優點，詳細說明係參照所附圖式提供，其中： 圖1繪示包含設置在埋置凹穴上之表面層之結構，其透過根據此發明之移轉方法而獲得； 圖2a至圖2j繪示根據本發明之移轉方法之步驟； 圖3a至圖3c繪示根據本發明之移轉方法之其他步驟； 圖4a至圖4c繪示移除臨時支柱之步驟之變化例，該步驟包含在根據本發明之移轉方法中； 圖5a至圖5i繪示根據本發明之移轉方法之一示例性實施例。
10:表面層
12’:自由表面
20:載體底材
23:凹穴
30:支柱

Claims (18)

  1. 一種用於將一表面層(10)移轉至包含多個凹穴(23)之一載體底材(20)之方法，該方法包括： - 提供一施體底材(1)， - 提供該載體底材(20)，其具有一第一側(21)且包含多個凹穴(23)，每一凹穴(23)在該第一側(21) 開口且具有一底部(23a)及側壁(23b)， - 在至少一凹穴(23)中製作至少一臨時支柱(30)，該支柱(30)具有與該載體底材(20)之第一側(21)共平面之一上表面(31)， - 經由該載體底材(20)之第一側(21)組合該施體底材(1)及該載體底材(20)， - 薄化該施體底材(1)以形成該表面層(10)， - 移除該至少一臨時支柱(30)。
  2. 如申請專利範圍第1項之移轉方法，其中： - 提供該施體底材(1)包括將輕物種植入該施體底材(1)，以形成一埋置弱化區(2)位於該施體底材(1)之第一部分(3)與該施體底材(1)之第二部分(4)之間，該第一部分(3)係用於形成該表面層(10)，該第二部分(4)係用於形成該施體底材(1)之其餘部分(4)， - 薄化該施體底材(1)包括經由該埋置弱化區(2)將該表面層(10)從該施體底材之其餘部分(4)分離。
  3. 如申請專利範圍第2項之移轉方法，其中該施體底材(1)之第一部分(3)具有在0.2微米及2微米之間的厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項之移轉方法，其中薄化該施體底材(1)包括在其背側(12)進行的至少一機械研磨操作及/或至少一化學機械研磨操作及/或至少一化學蝕刻操作。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之移轉方法，其中該支柱(30)與該凹穴(23)之側壁(23b)分離。
  6. 如申請專利範圍第5項之移轉方法，其中該支柱(30)之上表面(31)具有圓形、正方形、長方形或十字形的輪廓。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之移轉方法，其中該至少一支柱(30)連接該凹穴(23)之至少一側壁(23b)。
  8. 如申請專利範圍第7項之移轉方法，其中該至少一支柱(30)之上表面(31)形成連接該凹穴(23)之側壁(23b)的一網格。
  9. 如申請專利範圍第7項之移轉方法，其中複數個支柱(30)形成平行壁的一陣列，所述平行壁在其端部連接該凹穴(23)之側壁(23b)。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之移轉方法，其中所述組合包括直接鍵結一方面該施體底材(1)及另一方面該載體底材(20)的第一側(21)與該至少一支柱(30)的上表面(31)。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之移轉方法，其中移除該支柱(30)包括局部蝕刻該表面層(10)以在該表面層(10)中形成一通孔(13,13a,13b,13c)，以及經由該通孔對該支柱(30)進行化學蝕刻。
  12. 如申請專利範圍第11項之移轉方法，其中該通孔(13,13a,13b)被形成與該支柱(30)垂直。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之移轉方法，其中該通孔(13a)具有的橫截面積小於該支柱(30)上表面(31)的面積。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之移轉方法，其中該通孔(13b)具有的橫截面積大於該支柱(30)上表面(31)的面積。
  15. 如申請專利範圍第11項之移轉方法，其中該通孔(13)被形成在該表面層(10)中，在懸於該至少一凹穴上方之區域的外部。
  16. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之移轉方法，其中移除該支柱(30)包括局部蝕刻該載體底材(20)之第二側(22)直到該凹穴(23)，以形成與該凹穴連通之一孔隙，以及經由該孔隙對該支柱(30)進行化學蝕刻。
  17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之移轉方法，其中該支柱(30)包括選自於氧化矽、氮化矽、單晶矽、多晶矽、非晶矽及多孔矽之至少一材料。
  18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之移轉方法，其中該施體底材(1)包括至少一半導體或壓電材料。
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