JP2022511899A - キャビティに表層を転写するプロセス - Google Patents
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Abstract
ドナー基板を用意するステップと、
キャリア基板(20)を用意するステップであって、キャリア基板(20)は、第1の面を有し、キャビティ(23)を含み、各キャビティは、前記第1の面に開口し、底部と周壁とを有する、ステップと、
キャビティ(23)のうちの少なくとも1つに少なくとも1つの仮の支柱(30)を生成するステップであって、支柱(30)は、キャリア基板(20)の第1の面と同一平面上にある上面を有する、ステップと、
キャリア基板の第1の面を介してドナー基板とキャリア基板(20)とを接合するステップと、
表層(10)を形成するように、ドナー基板を薄化するステップと、
少なくとも1つの仮の支柱(30)を除去するステップとを含む。
【選択図】 図2i
Description
ドナー基板を用意するステップと、
キャリア基板を用意するステップであって、キャリア基板は、第1の面を有し、キャビティを含み、各キャビティは、前記第1の面に開口し、底部と周壁とを有する、ステップと、
キャビティのうちの少なくとも1つに少なくとも1つの仮の支柱を生成するステップであって、支柱は、キャリア基板の第1の面と同一平面上にある上面を有する、ステップと、
キャリア基板の第1の面を介してドナー基板とキャリア基板とを接合するステップと、
表層を形成するように、ドナー基板を薄化するステップと、
少なくとも1つの仮の支柱を除去するステップとを含む。
ドナー基板を用意するステップは、ドナー基板の第1の部分であって、該部分は表層を形成するように意図されている、第1の部分と、ドナー基板の第2の部分であって、該部分はドナー基板の残部を形成するように意図されている、第2の部分との間に位置する埋め込み脆弱領域を形成するように、前記ドナー基板に軽い種(light species)を注入することを含む、
ドナー基板を薄化するステップは、埋め込み脆弱領域によって、ドナー基板の表面層をドナー基板の残部から分離することを含む、
ドナー基板の第1の部分は、0.2マイクロメートル(ミクロン)~2マイクロメートル(ミクロン)の厚さを有する、
少なくとも1つの支柱は、キャビティの周壁から離隔している、
支柱の上面は、円形、正方形、矩形、又は十字形の外形を有する、
少なくとも1つの支柱は、キャビティの少なくとも1つの周壁に接合する、
少なくとも1つの支柱の上面は、キャビティの周壁に接合した格子を形成する、
複数の支柱は、それらの端部においてキャビティの周壁に接合した平行な壁のアレイを形成する、
接合するステップは、一方ではドナー基板と、他方ではキャリア基板の第1の面及び少なくとも1つの支柱の上面とを直接結合すること(direct bonding)を含む、
支柱を除去するステップは、表層を局所的にエッチングして、前記表層に貫通開口部を形成することと、前記開口部を介して支柱を化学的にエッチングすることとを含む、
支柱は、湿式エッチング又は乾式エッチングによって化学的にエッチングされる、
開口部は、支柱と鉛直に重なって(plumb with)形成される、
開口部は、支柱の上面の面積よりも小さいか、又はそれと等しい断面積を有する、
開口部は、支柱の上面の面積よりも大きい断面積を有する、
開口部は、少なくとも1つのキャビティに覆い被さっている領域の外側の表層に形成される、
支柱を除去するステップは、前記キャビティと連通する開口部を形成するために、キャリア基板の第2の面をキャビティまで局所的にエッチングすることと、前記開口部を介して支柱を化学的にエッチングすることとを含む、
支柱は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、単結晶シリコン、ポリシリコン、非晶質シリコン及び多孔質シリコンから選択される少なくとも1種の材料を含む、
ドナー基板は、少なくとも1種の半導体材料又は圧電材料を含む、
ことが挙げられる。
キャリア基板20の第1の面21の平面(本説明の残部では主平面(x、y)と称する)におけるキャビティ23の形状であって、円形、正方形、矩形、又は多角形である可能性があるキャビティ23の形状と、
主平面(x、y)におけるキャビティ23の側方寸法であって、数マイクロメートル(ミクロン)から数ミリメートルまで変化する可能性があるキャビティ23の側方寸法と、
主平面(x、y)に垂直なz軸に沿ったキャビティ23の深さであって、数十ナノメートルから数十マイクロメートル(ミクロン)まで、又は数百マイクロメートル(ミクロン)にまで変化する可能性があるキャビティ23の深さと
によって定義される。
本実施例では、厚さ1.5マイクロメートル(ミクロン)のシリコン製の表層と、辺長250マイクロメートル(ミクロン)、深さ0.5マイクロメートル(ミクロン)で、100マイクロメートル(ミクロン)の間隔を置かれたキャビティとを含む、埋め込みキャビティ23を備えた構造100を形成することを目指す。
Claims (18)
- キャビティ(23)を含むキャリア基板(20)に表層(10)を転写するプロセスであって、前記プロセスは、
ドナー基板(1)を用意するステップと、
前記キャリア基板(20)を用意するステップであって、前記キャリア基板(20)は、第1の面(21)を有し、複数のキャビティ(23)を含み、各キャビティ(23)は、前記第1の面(21)に開口し、底部(23a)と周壁(23b)とを有する、ステップと、
前記複数のキャビティ(23)のうちの少なくとも1つに少なくとも1つの仮の支柱(30)を生成するステップであって、前記支柱(30)は、前記キャリア基板(20)の前記第1の面(21)と同一平面上にある上面(31)を有する、ステップと、
前記キャリア基板(20)の前記第1の面(21)を介して前記ドナー基板(1)と前記キャリア基板(20)とを接合するステップと、
前記表層(10)を形成するように、前記ドナー基板(1)を薄化するステップと、
前記少なくとも1つの仮の支柱(30)を除去するステップと、を含む、転写するプロセス。 - 前記ドナー基板(1)を用意するステップが、前記ドナー基板(1)の第1の部分(3)であって、該部分は前記表層(10)を形成するように意図されている、第1の部分(3)と、前記ドナー基板(1)の第2の部分(4)であって、該部分は前記ドナー基板(1)の残部(4)を形成するように意図されている、第2の部分(4)との間に位置する埋め込み脆弱領域(2)を形成するように、前記ドナー基板(1)に軽い種を注入することを含み、
前記ドナー基板(1)を薄化するステップが、前記埋め込み脆弱領域(2)によって、前記ドナー基板の前記表面層(10)を前記ドナー基板の前記残部(4)から分離することを含む、請求項1に記載の転写するプロセス。 - 前記ドナー基板(1)の前記第1の部分(3)が、0.2マイクロメートル(ミクロン)~2マイクロメートル(ミクロン)の厚さを有する、請求項2に記載の転写するプロセス。
- 前記ドナー基板(1)を薄化する前記ステップが、前記ドナー基板(1)の背面(12)に対して行われる、少なくとも1種の機械的研削作業、及び/又は少なくとも1種の化学機械研磨作業、及び/又は少なくとも1種の化学エッチング作業を含む、請求項1に記載の転写するプロセス。
- 前記支柱(30)が、前記キャビティ(23)の前記周壁(23b)から離隔している、請求項1~4のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記支柱(30)の前記上面(31)が、円形、正方形、矩形、又は十字形の外形を有する、請求項5に記載の転写するプロセス。
- 前記少なくとも1つの支柱(30)が、前記キャビティ(23)の少なくとも1つの周壁(23b)に接合する、請求項1~4のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記少なくとも1つの支柱(30)の前記上面(31)が、前記キャビティ(23)の前記周壁(23b)に接合した格子を形成する、請求項7に記載の転写するプロセス。
- 複数の支柱(30)が、それらの端部において前記キャビティ(23)の周壁(23b)に接合した平行な壁のアレイを形成する、請求項7に記載の転写するプロセス。
- 接合する前記ステップが、一方では前記ドナー基板(1)と、他方では前記キャリア基板(20)の前記第1の面(21)及び前記少なくとも1つの支柱(30)の前記上面(31)とを直接結合することを含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記支柱(30)を除去するステップが、前記表層(10)を局所的にエッチングして、前記表層(10)に貫通開口部(13、13a、13b、13c)を形成することと、前記開口部を介して前記支柱(30)を化学的にエッチングすることとを含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記開口部(13、13a、13b)が、前記支柱(30)と鉛直に重なって形成される、請求項11に記載の転写するプロセス。
- 前記開口部(13a)が、前記支柱(30)の前記上面(31)の面積よりも小さい断面積を有する、請求項11又は12に記載の転写するプロセス。
- 前記開口部(13b)が、前記支柱(30)の前記上面(31)の面積よりも大きい断面積を有する、請求項11又は12に記載の転写するプロセス。
- 前記開口部(13)が、前記少なくとも1つのキャビティに覆い被さっている領域の外側の前記表層(10)に形成される、請求項11に記載の転写するプロセス。
- 前記支柱(30)を除去するステップが、前記キャビティと連通する開口部を形成するために、前記キャリア基板(20)の第2の面(22)を前記キャビティ(23)まで局所的にエッチングすることと、前記開口部を介して前記支柱(30)を化学的にエッチングすることとを含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記支柱(30)が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、単結晶シリコン、ポリシリコン、非晶質シリコン及び多孔質シリコンから選択される少なくとも1種の材料を含む、請求項1~16のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
- 前記ドナー基板(1)が、少なくとも1種の半導体材料又は圧電材料を含む、請求項1~17のいずれか一項に記載の転写するプロセス。
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