TW202036630A - 包括聚合開關的ptc裝置 - Google Patents
包括聚合開關的ptc裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202036630A TW202036630A TW109104337A TW109104337A TW202036630A TW 202036630 A TW202036630 A TW 202036630A TW 109104337 A TW109104337 A TW 109104337A TW 109104337 A TW109104337 A TW 109104337A TW 202036630 A TW202036630 A TW 202036630A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- section
- electrode
- gap
- width
- insulating layer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/032—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure plural layers surrounding the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/144—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
本文提供的方法包括一種保護裝置總成,該保護裝置總成具有一保護組件及一第一電極層,該第一電極層沿著該保護組件的一第一主側延伸。該第一電極層可包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段。該總成可進一步包括一第二電極層,該第二電極層沿著該保護組件的一第二主側延伸,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準。該總成可進一步包括一第一絕緣層,該第一絕緣層設置在該第一電極層上方;及一第二絕緣層,其設置在該第二電極層上方。該總成可進一步包括一焊墊,該焊墊在該保護組件的一端周圍延伸,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
Description
本揭露大致係關於聚合溫度係數裝置,且更具體地係關於包括聚合開關(polyswitch)的小封裝尺寸裝置。
一種已知的可重置熔絲係正溫度係數(「positive temperature coefficient, PTC」)裝置。PTC熱敏電阻材料依賴與許多導電材料密切相關的物理特性,亦即,導電材料的電阻率隨溫度增加。經由將導電填料分配於其中使其導電的結晶型聚合物展現此PTC效應。該等聚合物大致包括聚烯烴,諸如聚乙烯、聚丙烯、及乙烯/丙烯共聚物。某些經摻雜陶瓷(諸如鈦酸鋇)亦展現PTC行為。
導電填料導致PTC熱敏電阻材料的電阻率隨材料的溫度增加而增加。在低於特定值的溫度,PTC熱敏電阻材料展現相對低的恆定電阻率。然而,隨著PTC熱敏電阻材料的溫度增加超過此點,電阻率隨著溫度上的僅些微增加而顯著增加。
若由PTC熱敏電阻材料保護的負載係短路,流經PTC熱敏電阻材料的電流增加且PTC熱敏電阻材料的溫度(由於上文提及的i2R
加熱)迅速地上升至臨界溫度。在臨界溫度,PTC熱敏電阻材料消耗大量電力,導致該材料產生熱的速率大於該材料可將熱散至其周圍的速率。電力消耗僅發生達短時間期間(例如,一秒之一部分)。然而,增加的電力消耗提升PTC熱敏電阻材料的溫度及電阻,將電路中的電流限制至相對低值。PTC熱敏電阻材料據此可作用為一種形式的熔絲。
在電路中的電流中斷、或造成短路的情況移除時,PTC熱敏電阻材料冷卻至其之正常操作、低電阻狀態之其臨界溫度之下。結果係可重設過電流電路保護材料。
雖然PTC熱敏電阻材料在正常條件下以較低電阻操作,PTC熱敏電阻材料的正常操作電阻高於其他類型的熔絲(諸如非可重設金屬熔絲)的正常操作電阻。較高的操作電阻導致跨PTC熱敏電阻材料的電壓降比類似額定的非可重設金屬熔絲更高。電壓降及電力耗散對企圖使特定電路的驅動能力以及電池壽命最大化的電路設計者變得日益重要。
據此,需要一種改善的小封裝尺寸裝置。
在一或多個實施例中,一種保護裝置總成包括一保護組件及一第一電極層,該第一電極層沿著該保護組件的一第一主側延伸。該第一電極層可包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段。該總成可進一步包括一第二電極層,該第二電極層沿著該保護組件的一第二主側延伸,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準。該總成可進一步包括一第一絕緣層,該第一絕緣層設置在該第一電極層上方;及一第二絕緣層,其設置在該第二電極層上方。該總成可進一步包括一焊墊,該焊墊在該保護組件的一端周圍延伸,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
在一或多個實施例中,一種正溫度係數(PTC)裝置包括一PTC保護組件及一第一電極層,該第一電極層沿著該PTC保護組件的一第一主側延伸,其中該第一電極層包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段。該PTC裝置可進一步包括一第二電極層,該第二電極層沿著該PTC保護組件的一第二主側延伸,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準。該PTC裝置可進一步包括一第一絕緣層,該第一絕緣層設置在該第一電極層上方;及一第二絕緣層,該第二絕緣層設置在該第二電極層上方,其中該第一絕緣層係形成在該第一間隙內,且其中該第二絕緣層係形成在該第二間隙內。該PTC裝置可進一步包括一焊墊,該焊墊在該PTC保護組件的一端周圍延伸,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
在一或多個實施例中,一種形成一正溫度PTC裝置的方法可包括提供一PTC保護組件,及沿著該PTC保護組件的一第一主側形成一第一電極層。該第一電極層可包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段。該方法可進一步包括沿著該PTC保護組件的一第二主側形成一第二電極層,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準。該方法可進一步包括在該第一電極層上方提供一第一絕緣層,及在該第二電極層上方提供一第二絕緣層。該方法可進一步包括在該PTC保護組件的一端周圍形成一焊墊,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
現將參考附圖於下文更充分地描述根據本揭露的實施例。設備、裝置、及方法可以許多不同形式體現,且不應解讀為受限於本文所闡述的實施例。而是提供此等實施例,使得本揭露將係徹底且完整的,並將系統及方法的範圍充分地傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。
轉至圖 1 至圖 2
,所描繪的係根據本揭露之設備100及裝置102的實施例。如圖所示,裝置102可係PTC裝置或聚合PTC裝置。在一些實施例中,裝置102可係類型0201的電子工業聯盟(Electronic Industries Alliance, EIA)表面安裝裝置。裝置102包括設置在第一絕緣層106與第二絕緣層108之間的保護組件104。在一些實施例中,第一絕緣層106及第二絕緣層108係由相同材料(諸如FR-4材料或聚醯亞胺)製成。所繪示之裝置102可例如位於二次電池的充電/放電電路中,並使用為電路保護裝置,以在此類電流通過電路時中斷過量電流。如圖所示,裝置102可係藉由焊料112連接至印刷電路板(printed circuit board, PCB) 110。
在一些實施例中,保護組件104係選自由下列各者所組成之非限制群組:熔絲、PTC、NTC、IC、感測器、MOSFET、電阻器、及電容器。此等保護組件中,IC及感測器係視為係主動保護組件,而PTC、NTC、及熔絲係視為係被動組件。在所示實施例中,保護組件104可係聚合PTC。然而,應理解此配置係非限制性的,且保護組件的數目及組態可取決於應用而變化。
保護組件104的PTC材料可由包含聚合物及導電填料的正溫度係數導電組成物製成。PTC材料的聚合物可係選自於由聚乙烯、聚丙烯、聚辛烯、聚偏二氯乙烯、及其混合物組成之群組的結晶型聚合物。導電填料可分散在聚合物中,並選自由碳黑、金屬粉末、導電陶瓷粉末、及其混合物組成之群組。此外,為了改善PTC材料的敏感度及物理性質,PTC導電組成物亦可包括添加劑,諸如光起始劑、交聯劑、偶合劑、分散劑、穩定劑、抗氧化劑、及/或非導電抗電弧填料。
如圖所示,第一電極層114可沿著保護組件104的第一主側116延伸,第一電極層114包括藉由第一間隙118而與第二區段114B分開的第一區段114A。第二電極層120可沿著保護組件104的第二主側122延伸,第二電極層120包括藉由第二間隙124而與第四區段120B分開的第三區段120A。如圖所示,第一間隙118與第二間隙124實質(例如,沿著y方向垂直地)對準。第一絕緣層106可設置在第一電極層114上方,而第二絕緣層108可設置在第二電極層120周圍/上方,使得第二電極層120在保護組件104的第二主側122與第二絕緣層108之間。如圖所示,第一絕緣層106存在或形成在第一間隙118內,且第二絕緣層108存在或形成在第二間隙124內。換言之,第一間隙118及第二間隙124分別表示第一絕緣層106及第二絕緣層108之沒有第一電極層114及第二電極層120之導電材料存在的區域。
第一電極層114及第二電極層120可由銅製成。然而,將理解到可使用替代材料。例如,第一電極層114及第二電極層120可係一或多種金屬,諸如銀、銅、鎳、錫、及其合金,並可藉由任何數目的方式施加至第一主側116及第二主側122及/或第一絕緣層106及第二絕緣層108的表面。例如,第一電極層114及第二電極層120可經由電鍍、濺鍍、印刷、或層壓施加。
如進一步圖示,第一焊墊128可在保護組件104的第一端130周圍延伸,且第二焊墊132可在保護組件104的第二端134周圍延伸。在一些實施例中,第一焊墊128及第二焊墊132可係沿著第一絕緣層106及第二絕緣層108形成。第一焊墊128及第二焊墊132可係例如藉由標準電鍍技術形成的終端。該等終端依需要可係多層金屬,諸如電解銅、電解錫、銀、鎳、或其他金屬或合金。該等終端經定大小且經組態以使裝置102能以表面安裝方式安裝至PCB 110上。
現轉至圖 3A
,將更詳細地描述根據本實施例之實施例的裝置102。如圖所示,保護組件104包括與第二主側122相對的第一主側116、與第二端134相對的第一端130、及與第二側(不可見)相對的第一側140。在此實施例中,在第一電極層114的第一區段114A與第二區段114B之間的第一間隙118具有第一間隙寬度「w1」。在第二電極層120的第三區段120A與第四區段120B之間的第二間隙124具有第二間隙寬度「w2」。如圖所示,w1實質等於w2。在其他實施例中,w1不等於w2。
如進一步圖示,第一區段114A具有第一電極寬度「ew1」、第二區段114B具有第二電極寬度「ew2」、第三區段120A具有第三電極寬度「ew3」、且第四區段120B具有第四電極寬度「ew4」。在一些實施例中,ew1大約等於ew3,且ew2大約等於ew4。在一些實施例中,ew1 = ew2 = ew3 = ew4。雖然係非限制性的,ew1及ew3可分別大於沿著第一絕緣層106及第二絕緣層108之外表面144及146水平地延伸(例如,在x方向上)的第一焊墊128的寬度。類似地,ew2及ew4可大於沿著外表面144及146延伸的第二焊墊132的寬度。此外,第一區段114A可實質垂直地對準在第三區段120A上方,而第二區段114B可實質垂直地對準在第四區段120B上方。
如所組態者,在使用期間,電流I1可自第一區段114A流動至第二區段114B或第三區段120A的其中一者。類似地,電流可從第三區段120A流至第一區段114A或至第四區段120B。然而,本文的實施例並未受限於此上下文。藉由允許電流跨第一間隙118從第一區段114A水平地流動(例如,在x方向上)至第二區段114B,裝置102提供更強健的結構,其實現更佳處理程序控制。在一些實施例中,w1及w2可經選擇以確保電流可水平地流動。
在圖 3B
中,第一區段114A具有第一電極寬度「ew1」、第二區段114B具有第二電極寬度「ew2」、第三區段120A具有第三電極寬度「ew3」、且第四區段120B具有第四電極寬度「ew4」。如圖所示,ew1不等於ew3,且ew2不等於ew4。而是,ew1可大約等於ew4,且ew2可大約等於ew3。雖然係非限制性的,ew1可大約等於第一焊墊128的第一焊墊寬度「spw1」且ew3可大約等於第一焊墊128的第三焊墊寬度「spw3」。類似地,ew2可大於第二焊墊132的第二焊墊寬度「spw2」,而ew4可大於第二焊墊132的第四焊墊寬度「spw4」。此外,第一區段114A可實質垂直地對準在第三區段120A上方,而第二區段114B可實質垂直地對準在第四區段120B上方。然而,ew2大於ew4,且ew3大於ew1。因此,第一間隙118可例如沿著x方向自第二間隙124水平地偏移。在其他實施例中,w1實質等於w2。在其他實施例中,w1不等於w2。
如所組態者,在使用期間,電流可自第一區段114A流動至第二區段114B或第三區段120A的其中一者。類似地,電流可從第三區段120A流至第一區段114A、第二區段114B、或至第四區段120B。由於第一區段114A與第四區段120B之間的距離,電流將不太可能在此等二個組件之間流動。然而,本文的實施例並未受限於此上下文。藉由允許電流跨第一間隙118從第一區段114A水平地流動(例如,在x方向上)至第二區段114B,並跨第二間隙124從第三區段120A水平地流動至第四區段120B,裝置102提供更強健的結構,其實現更佳處理程序控制。在一些實施例中,w1及w2可經選擇以確保電流可水平地流動。
現轉至圖 4 至圖 6B
,將更詳細地描述根據本揭露之實施例的裝置202。裝置202在許多態樣中可類似於上文描述的裝置102。據此,為了簡潔起見,下文將僅描述裝置202的某些態樣。如圖所示,裝置202可包括設置在第一電極層214與第二電極層220之間的保護組件204。第一電極層214可沿著保護組件204的第一主側216側向地延伸(例如,在x方向上),而第二電極層220可沿著保護組件204的第二主側222側向地延伸。
在此實施例中,第一絕緣層或封裝層250A及第二絕緣層或封裝層250B一起形成圍繞下列各者的封裝覆蓋物250:保護組件204、第一電極層214、及第二電極層220。如圖所示,封裝覆蓋物250在保護組件204的四(4)側上方延伸,例如,第一主側216、第二主側222、第一端230、及第二端234。在其他實施例中,封裝覆蓋物250可在保護組件204的全部六(6)側上方延伸。雖然係非限制性的,封裝覆蓋物250可係電絕緣環氧樹脂,該環氧樹脂經印刷、噴塗、注入、或以其他方式施加在保護組件204、第一電極層214、及第二電極層220上方。然後可將第一焊墊228及第二焊墊232定位/形成在封裝覆蓋物250上方。封裝覆蓋物250可減少裝置202的電阻(例如,0.1至0.25歐姆),並使其在延長的時間期間(例如,1000個小時)保持相對恆定。
在一些實施例中,封裝覆蓋物250可係具有提供不同功能之不同層的多層結構。例如,封裝覆蓋物250的一個實例3層結構可包括抗氧化環氧樹脂的第一層、抗濕度環氧樹脂的第二層、及抗腐蝕環氧樹脂的第三層。然而,應理解此三層配置係非限制性的,且封裝覆蓋物250的數目及層可取決於應用而變化。
現轉至圖 7A 至圖 7D
,顯示根據本揭露之各種替代實施例的裝置302。在實施例之各者中,元件符號304係保護組件,元件符號306係第一絕緣層,元件符號308係第二絕緣層,元件符號314係第一電極層,元件符號320係第二電極層,元件符號328係第一焊墊,且元件符號332係第二焊墊。裝置302在許多態樣中可類似於上文描述的裝置102及202。據此,為了簡潔起見,裝置302將不在下文描述。
現轉至圖 8
,將描述根據本揭露之實施例用於形成正溫度PTC的方法400。在方塊401,方法400可包括提供PTC保護組件。在方塊403,該方法可包括沿著PTC保護組件的第一主側形成第一電極層,該第一電極層包括藉由第一間隙而與第二區段分開的第一區段。在方塊405,方法400可包括沿著PTC保護組件的第二主側形成第二電極層,第二電極層包括藉由第二間隙而與第四區段分開的第三區段,其中第一間隙與第二間隙對準。
在一些實施例中,第一間隙實質等於第二間隙。在一些實施例中,第一區段具有第一電極寬度,第二區段具有第二電極寬度,第三區段具有第三電極寬度,且第四區段具有第四電極寬度。第一電極寬度大約等於第三電極寬度,且第二電極寬度大約等於第四電極寬度。此外,第一電極層的第一區段可實質垂直地對準在第二電極層的第三區段上方。更進一步,第一電極層的第二區段可實質垂直地對準在第二電極層的第四區段上方。
在方塊407,方法400可包括在第一電極層上方提供第一絕緣層,及在第二電極層上方提供第二絕緣層。在一些實施例中,第一絕緣層及第二絕緣層係由相同材料(諸如FR-4材料或聚醯亞胺)製成。
在方塊409,方法400可包括在PTC保護組件的一端周圍形成焊墊,該焊墊進一步在第一絕緣層及第二絕緣層上方延伸。在一些實施例中,第二焊墊在PTC保護組件的第二端周圍延伸,第二焊墊亦在第一絕緣層及第二絕緣層上方延伸。在一些實施例中,在形成第一焊墊及第二焊墊之前,將封裝覆蓋物提供在下列各者周圍:保護組件、第一電極層、及該第二電極層。然後可將第一焊墊及第二焊墊提供在封裝覆蓋物上方。
前述討論已為了繪示及說明的目的呈現,且未意圖將本揭露限制在本文所揭示的一或多個形式。例如,本揭露的各種特徵可為了精簡本揭露的目的而在一或多個態樣、實施例、或組態中組合在一起。然而,應理解本揭露的某些態樣、實施例、或組態的各種特徵可在替代態樣、實施例、或組態中組合。此外,下文的申請專利範圍特此以引用方式併入此實施方式中,其中各請求項本身獨立地作為本揭露的分開實施例。
如本文中所使用者,應將採單數形式敘述且以字詞「一(a)」或「一(an)」開始的元件或步驟理解為並未排除複數個元件或步驟,除非明確地敘述此類排除。此外,未意圖將對本揭露之「一個實施例(one embodiment)」的參考解讀為排除其亦合併所敘述的特徵之額外實施例的存在。
本文中所用之「包括(including)」、「包含(comprising)」、或「具有(having)」及上述者之變化型係意欲涵括其後所列示之項目與其等效者以及額外項目。據此,用語「包括(including)」、「包含(comprising)」、或「具有(having)」、及其變化係開放式表示且在本文中可互換地使用。
如本文中所使用者,片語「至少一個(at least one)」、「一或多個(one or more)」、及「及/或(and/or)」係在操作中既聯合又分離的開放式表示。例如,表示「A、B、及C之至少一者(at least one of A, B and C)」、「A、B、或C之至少一者(at least one of A, B, or C)」、「A、B、及C的一或多者(one or more of A, B, and C)」、「A、B、或C的一或多者(one or more of A, B, or C)」、「A、B、及/或C (A, B, and/or C)」之各者意指僅有A、僅有B、僅有C、A及B一起、A及C一起、B及C一起、或A、B、及C一起。
所有的方向參考(例如,近、遠、上、下、向上、向下、左、右、側向、縱向、前、後、頂部、底部、上方、下方、垂直、水平、徑向、軸向、順時針、及逆時針)僅用於識別之目的,以協助讀者瞭解本揭露,且不會產生限制,特別係對於本揭露之位置、定向、或使用。連接參考(例如,附接、耦接、連接、及結合)應被廣義地解釋,且可包括在元件的集合之間的中間構件及元件之間的相對移動,除非另有指示。如此,連接參考不一定指二個元件直接連接並對彼此的關係固定。
此外,識別參考(例如,一級、次級、第一、第二、第三、第四等)未意圖暗示重要性或優先性,而係用於區分一個特徵與另一特徵。圖式僅用於說明之目的,且附接至其之反映在圖式中的尺寸、位置、順序、及相對大小可變化。
此外,用語「實質的(substantial)」或「實質(substantially)」以及用語「大約的(approximate)」或「大約(approximately)」在一些實施例中可互換地使用,且可使用所屬技術領域中具有通常知識者可接受的任何相對測量描述。例如,此等用語可作用為與參考參數的比較,以指示能夠提供預期功能的偏差。雖然係非限制性的,與參考參數的偏差可在例如小於1%、小於3%、小於5%、小於10%、小於15%、小於20%等的量中。
此外,雖然上文將說明方法400描述為一系列的動作或事件,除非具體指明,本揭露不被此類動作或事件的說明次序所限制。例如,根據本揭露,一些動作可以不同次序發生,及/或與本文說明及/或描述之該等動作或事件以外的其他動作或事件同時發生。此外,並非所說明的所有動作或事件可能需要根據本揭露的方法實施。此外,方法400可與本文中所說明及描述之結構的形成及/或處理結合實施以及與未說明之其他結構結合實施。
本揭露並未受限於本文描述之特定實施例的範圍。實際上,除了本文所述之實施例及修改外,所屬技術領域中具有通常知識者將從以上描述及附圖瞭解本揭露的其他各種實施例及修改。因此,意圖使此類其他實施例及修改落在本揭露之範圍內。此外,本揭露已於本文中針對特定目的在特定環境中的特定實施方案的上下文中描述。所屬技術領域中具有通常知識者將認知到可用性並未受限於其,且本揭露可有益地針對任何數目的目的在任何數目的環境中實施。因此,下文闡述之申請專利範圍應鑑於如本文描述之本揭露的全部廣度及精神解釋。
100:設備
102:裝置
104:保護組件
106:第一絕緣層
108:第二絕緣層
110:印刷電路板(PCB)
112:焊料
114:第一電極層
114A:第一區段
114B:第二區段
116:第一主側
118:第一間隙
120:第二電極層
120A:第三區段
120B:第四區段
122:第二主側
124:第二間隙
128:第一焊墊
130:第一端
132:第二焊墊
134:第二端
140:第一側
144:外表面
146:外表面
202:裝置
204:保護組件
214:第一電極層
216:第一主側
220:第二電極層
222:第二主側
228:第一焊墊
230:第一端
232:第二焊墊
234:第二端
250:封裝覆蓋物
250A:絕緣層或封裝層
250B:絕緣層或封裝層
302:裝置
304:保護組件
306:第一絕緣層
308:第二絕緣層
314:第一電極層
320:第二電極層
328:第一焊墊
332:第二焊墊
400:方法
401:方塊
403:方塊
405:方塊
407:方塊
409:方塊
ew1:第一電極寬度
ew2:第二電極寬度
ew3:第三電極寬度
ew4:第四電極寬度
I1:電流
spw1:第一焊墊寬度
spw2:第二焊墊寬度
spw3:第三焊墊寬度
spw4:第四焊墊寬度
w1:第一間隙寬度
w2:第二間隙寬度
隨附圖式繪示至今針對其原理的實際應用設計之經揭示實施例的實例方法,且其中:圖 1
係根據本揭露之實例方法之總成的側視截面圖;圖 2
係根據本揭露之實例方法之圖 1
的總成之裝置的透視圖;圖 3A
係根據本揭露之實例方法之圖 1
的總成之裝置的側視截面圖;圖 3B
係根據本揭露之實例方法之替代裝置的側視截面圖;圖 4
係根據本揭露之實例方法之包括封裝覆蓋物之裝置的透視圖;圖 5
係根據本揭露之實例方法之圖 4
之裝置的分解圖;圖 6A 至圖 6B
係根據本揭露之實例方法之圖 4
之裝置的截面圖;圖 7A 至圖 7D
係根據本揭露之實例方法之各種裝置的截面圖;且圖 8
描繪根據本揭露之實例方法形成PTC裝置的程序。
圖式非必然按比例繪製。圖式僅係代表性的,未意圖描寫本揭露的特定參數。圖式意圖描繪本揭露的一般實施例,且因此不應視為係範圍上的限制。在圖式中,類似編號表示類似元件。
此外,為了說明的清晰,某些元件可在一些圖式中省略,或未依比例繪示。此外,為了清晰,一些元件符號可在某些圖式中省略。
Claims (20)
- 一種保護裝置總成,其包含: 一保護組件; 一第一電極層,其沿著該保護組件的一第一主側延伸,該第一電極層包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段; 一第二電極層,其沿著該保護組件的一第二主側延伸,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準; 一第一絕緣層,其設置在該第一電極層上方;及一第二絕緣層,其設置在該第二電極層上方;及 一焊墊,其在該保護組件的一端周圍延伸,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項1之保護裝置總成,其進一步包含一第二焊墊,該第二焊墊在該保護組件的一第二端周圍延伸,該第二焊墊在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項2之保護裝置總成,其進一步包含一印刷電路板,其中該第一焊墊及該第二焊墊藉由一焊料連接至該印刷電路板。
- 如請求項1之保護裝置總成,其中該第一間隙具有一第一間隙寬度且該第二間隙具有一第二間隙寬度,其中該第一間隙寬度實質等於該第二間隙寬度。
- 如請求項1之保護裝置總成,其中該第一區段與該第三區段垂直地對準,且其中該第二區段與該第四區段垂直地對準。
- 如請求項1之保護裝置總成,該第一區段具有一第一電極寬度,該第二區段具有一第二電極寬度,該第三區段具有一第三電極寬度,且該第四區段具有一第四電極寬度。
- 如請求項6之保護裝置總成,其中該第一電極寬度大約等於該第三電極寬度,且其中該第二電極寬度大約等於該第四電極寬度。
- 如請求項6之保護裝置總成,其中該第一電極寬度大約等於該第四電極寬度,且其中該第二電極寬度大約等於該第三電極寬度。
- 如請求項1之保護裝置總成,其中該第一絕緣層及該第二絕緣層形成圍繞下列各者的一封裝覆蓋物:該保護組件、該第一電極層、及該第二電極層。
- 如請求項9之保護裝置總成,其中該保護組件包括與該第二主側相對的該第一主側、與一第二端相對的該端、及與一第二側相對的一第一側,且其中該封裝覆蓋物在下列各者上方延伸:該第一主側、該第二主側、該端、及該第二端。
- 一種正溫度係數(PTC)裝置,其包含: 一PTC保護組件; 一第一電極層,其沿著該PTC保護組件的一第一主側延伸,該第一電極層包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段; 一第二電極層,其沿著該PTC保護組件的一第二主側延伸,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準; 一第一絕緣層,其設置在該第一電極層上方;及一第二絕緣層,其設置在該第二電極層上方,其中該第一絕緣層係形成在該第一間隙內,且其中該第二絕緣層係形成在該第二間隙內;及 一焊墊,其在該PTC保護組件的一端周圍延伸,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項11之PTC裝置,其進一步包含一第二焊墊,該第二焊墊在該PTC保護組件的一第二端周圍延伸,該第二焊墊在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項11之PTC裝置,其中該第一間隙具有一第一間隙寬度且該第二間隙具有一第二間隙寬度,其中該第一間隙寬度實質等於該第二間隙寬度。
- 如請求項11之PTC裝置,其中該第一區段與該第三區段垂直地對準,且其中該第二區段與該第四區段垂直地對準。
- 如請求項11之PTC裝置,該第一區段具有一第一電極寬度,該第二區段具有一第二電極寬度,該第三區段具有一第三電極寬度,且該第四區段具有一第四電極寬度,其中該第一電極寬度大約等於該第三電極寬度,且其中該第二電極寬度大約等於該第四電極寬度。
- 如請求項11之PTC裝置,其中該第一絕緣層及該第二絕緣層形成圍繞下列各者的一封裝覆蓋物:該PTC保護組件、該第一電極層、及該第二電極層。
- 如請求項16之PTC裝置,其中該PTC保護組件包括與該第二主側相對的該第一主側、與一第二端相對的該端、與一第二側相對的一第一側,且其中該封裝覆蓋物在下列各者上方延伸:該第一主側、該第二主側、該端、及該第二端。
- 一種形成一正溫度係數(PTC)裝置之方法,該方法包含: 提供一PTC保護組件; 沿著該PTC保護組件的一第一主側提供一第一電極層,該第一電極層包括藉由一第一間隙而與一第二區段分開的一第一區段; 沿著該PTC保護組件的一第二主側提供一第二電極層,該第二電極層包括藉由一第二間隙而與一第四區段分開的一第三區段,其中該第一間隙與該第二間隙對準; 在該第一電極層上方提供一第一絕緣層,及在該第二電極層上方提供一第二絕緣層;及 在該PTC保護組件的一端周圍提供一焊墊,該焊墊進一步在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項18之方法,其進一步包含形成一第二焊墊,該第二焊墊在該PTC保護組件的一第二端周圍延伸,該第二焊墊在該第一絕緣層及該第二絕緣層上方延伸。
- 如請求項19之方法,其進一步包含在下列各者周圍提供一封裝覆蓋物:該PTC保護組件、該第一電極層、及該第二電極層,其中該第一焊墊及該第二焊墊在該封裝覆蓋物上方延伸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/CN2019/079251 | 2019-03-22 | ||
PCT/CN2019/079251 WO2020191522A1 (en) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | Ptc device including polyswitch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202036630A true TW202036630A (zh) | 2020-10-01 |
TWI829861B TWI829861B (zh) | 2024-01-21 |
Family
ID=72610359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109104337A TWI829861B (zh) | 2019-03-22 | 2020-02-12 | 保護裝置總成與聚合正溫度係數裝置及其形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11854723B2 (zh) |
EP (1) | EP3942576A4 (zh) |
JP (1) | JP2022524185A (zh) |
KR (1) | KR102539306B1 (zh) |
CN (1) | CN114072883A (zh) |
TW (1) | TWI829861B (zh) |
WO (1) | WO2020191522A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI814547B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-09-01 | 聚鼎科技股份有限公司 | 電路保護元件 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5852397A (en) * | 1992-07-09 | 1998-12-22 | Raychem Corporation | Electrical devices |
JPH06231906A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
CA2190361A1 (en) * | 1994-05-16 | 1995-11-23 | Michael Zhang | Electrical devices comprising a ptc resistive element |
JPH10144504A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
KR100507457B1 (ko) * | 1997-07-07 | 2005-08-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 칩형 폴리머 ptc 서미스터 및 그 제조 방법 |
JPH1187105A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Daito Tsushinki Kk | Ptc素子 |
US6172592B1 (en) * | 1997-10-24 | 2001-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor with comb-shaped electrodes |
US6380839B2 (en) * | 1998-03-05 | 2002-04-30 | Bourns, Inc. | Surface mount conductive polymer device |
JP3991436B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | チップ形ptcサーミスタ |
JP3371827B2 (ja) * | 1998-11-04 | 2003-01-27 | 株式会社村田製作所 | 有機質サーミスタ装置の製造方法 |
US6285275B1 (en) * | 2000-09-15 | 2001-09-04 | Fuzetec Technology Co., Ltd. | Surface mountable electrical device |
JP3797281B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-07-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の端子電極用導電性ペースト、積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品 |
JP2003297604A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tdk Corp | チップ型過電流保護素子 |
US20060176675A1 (en) | 2003-03-14 | 2006-08-10 | Bourns, Inc. | Multi-layer polymeric electronic device and method of manufacturing same |
KR100694383B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2007-03-12 | 엘에스전선 주식회사 | 표면 실장형 서미스터 |
JP4433283B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-03-17 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | スイッチおよびこれを用いた装置 |
TWM254809U (en) * | 2004-03-09 | 2005-01-01 | Protectronics Technology Corp | Multi-layer over-current protector |
TWI409829B (zh) * | 2010-09-03 | 2013-09-21 | Sfi Electronics Technology Inc | 一種高溫使用的氧化鋅突波吸收器 |
KR101892789B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2018-08-28 | 타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이. | Ptc 디바이스 |
TWI433169B (zh) * | 2012-01-20 | 2014-04-01 | Polytronics Technology Corp | 表面黏著型熱敏電阻元件 |
US9357634B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-05-31 | Kemet Electronics Corporation | Coefficient of thermal expansion compensating compliant component |
TWI449060B (zh) * | 2012-08-14 | 2014-08-11 | Polytronics Technology Corp | 過電流保護元件 |
TWI441201B (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-11 | Polytronics Technology Corp | 表面黏著型過電流保護元件 |
TWI464755B (zh) * | 2012-11-29 | 2014-12-11 | Polytronics Technology Corp | 表面黏著型過電流保護元件 |
CN203311954U (zh) | 2013-05-30 | 2013-11-27 | 株式会社村田制作所 | 层叠型ptc热敏电阻 |
CN103595213A (zh) | 2013-11-20 | 2014-02-19 | 戴珊珊 | 交流永磁开关磁阻电动机 |
CN203631462U (zh) * | 2013-12-02 | 2014-06-04 | 厦门柏恩氏电子有限公司 | 一种贴片自恢复保险丝的结构 |
US9959958B1 (en) * | 2017-08-01 | 2018-05-01 | Fuzetec Technology Co., Ltd. | PTC circuit protection device and method of making the same |
TWI676187B (zh) * | 2019-02-22 | 2019-11-01 | 聚鼎科技股份有限公司 | 過電流保護元件 |
CN111696738B (zh) | 2019-03-13 | 2021-09-24 | 聚鼎科技股份有限公司 | 过电流保护元件 |
-
2019
- 2019-03-22 WO PCT/CN2019/079251 patent/WO2020191522A1/en active Application Filing
- 2019-03-22 US US17/057,386 patent/US11854723B2/en active Active
- 2019-03-22 CN CN201980094518.7A patent/CN114072883A/zh active Pending
- 2019-03-22 JP JP2021552783A patent/JP2022524185A/ja active Pending
- 2019-03-22 EP EP19921603.7A patent/EP3942576A4/en active Pending
- 2019-03-22 KR KR1020217032562A patent/KR102539306B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-12 TW TW109104337A patent/TWI829861B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI814547B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-09-01 | 聚鼎科技股份有限公司 | 電路保護元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102539306B1 (ko) | 2023-06-02 |
US11854723B2 (en) | 2023-12-26 |
EP3942576A1 (en) | 2022-01-26 |
WO2020191522A1 (en) | 2020-10-01 |
US20210202138A1 (en) | 2021-07-01 |
JP2022524185A (ja) | 2022-04-28 |
EP3942576A4 (en) | 2022-04-13 |
CN114072883A (zh) | 2022-02-18 |
TWI829861B (zh) | 2024-01-21 |
KR20210134778A (ko) | 2021-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5259289B2 (ja) | 一体化されたサーミスタ及び金属素子装置並びに方法 | |
US9953793B2 (en) | Short-circuit element and a circuit using the same | |
US10498092B2 (en) | Connector with over-temperature and over-current protection | |
US9722418B2 (en) | Complex protection device | |
WO2014081234A1 (ko) | 비정상상태의 전류 및 전압을 차단하는 복합보호소자 | |
TWI584308B (zh) | 過電流保護元件 | |
JP2002280746A (ja) | 埋込み機能素子を備えたプリント回路基板 | |
US20150303018A1 (en) | Fuse | |
US6661633B1 (en) | Protective element | |
US20170236667A1 (en) | Protective element and protective circuit substrate using the same | |
TWI829861B (zh) | 保護裝置總成與聚合正溫度係數裝置及其形成方法 | |
TWI486988B (zh) | 過電流保護元件及其電路板結構 | |
JP6292802B2 (ja) | バッテリ回路、保護回路 | |
KR101449921B1 (ko) | 배터리 보호소자 | |
KR20160046762A (ko) | 차단 소자 및 차단 소자 회로 | |
US10032583B2 (en) | Protective circuit substrate | |
WO2017201738A1 (zh) | 电池保护板、电池和移动终端 | |
TWI648933B (zh) | 保護電路、電池電路、保護元件以及保護元件的驅動方法 | |
US20200355736A1 (en) | Circuit protection device with ptc element and secondary fuse | |
US10396543B2 (en) | Protection device | |
TW202027118A (zh) | 保護元件 | |
TW201917744A (zh) | 叉指式二維正溫度係數裝置 | |
US9870886B2 (en) | Protective element and protective circuit substrate using the same | |
KR200267664Y1 (ko) | 내장형 기능적 요소를 포함한 인쇄회로기판 |