TW202034449A - 基板固定裝置 - Google Patents

基板固定裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202034449A
TW202034449A TW109107650A TW109107650A TW202034449A TW 202034449 A TW202034449 A TW 202034449A TW 109107650 A TW109107650 A TW 109107650A TW 109107650 A TW109107650 A TW 109107650A TW 202034449 A TW202034449 A TW 202034449A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
screw
fixing device
substrate fixing
gas supply
hole
Prior art date
Application number
TW109107650A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI826662B (zh
Inventor
吉川忠義
齋藤美喜
鈴木貴彦
青木周三
Original Assignee
日商新光電氣工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新光電氣工業股份有限公司 filed Critical 日商新光電氣工業股份有限公司
Publication of TW202034449A publication Critical patent/TW202034449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI826662B publication Critical patent/TWI826662B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

提供一種基板固定裝置，其具有：底板，其內部具備氣體供給部；及靜電卡盤，其設置在上述底板上。上述靜電卡盤具備：基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及貫穿上述基體的插入孔，其內側面上形成有內螺紋。其中，側面上形成有外螺紋的擰入部件螺接在上述插入孔內，氣體可從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。

Description

基板固定裝置
本發明涉及一種基板固定裝置。
現有技術中，就制造ＩＣ、ＬＳＩ等的半導體裝置時所使用的成膜裝置（例如，ＣＶＤ裝置、ＰＶＤ裝置等）或等離子蝕刻裝置而言，一般具有用於在真空處理室內對晶圓（wafer）進行高精度保持的載臺（stage）。
作為這樣的載臺，例如提出了一種藉由安裝在底板上的靜電卡盤（chuck）對作為吸附對象物的晶圓進行吸附和保持的基板固定裝置。作為基板固定裝置的一例，可列舉出一種具有設置了用於對晶圓進行冷卻的氣體供給部的結構的裝置。氣體供給部例如可經由底板內部的氣體流路和設置在靜電卡盤上的氣體排出部（貫穿孔）將氣體供給至靜電卡盤的表面。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻１〕（日本）專利第６４２０９３７號
〔發明要解決的課題〕
然而，在將基板固定裝置應用於等離子蝕刻裝置的情況下，當對晶圓進行蝕刻處理時，會產生沿靜電卡盤的氣體供給部而傳遞的異常放電，存在晶圓和／或等離子蝕刻裝置本身發生損壞的問題。
作為異常放電的應對方法，已經對氣體排出部的小直徑化進行了研究，但是，如果對氣體排出部進行小直徑化，則蝕刻的副產物等容易堵住氣體排出部，並且也極難將其除去，故維護性較差，並不是一種實用的應對方法。
本發明是鑒於上述問題而提出的，其目的在於提供一種具有維護性較優的異常放電應對措施的基板固定裝置。 〔用於解決課題的手段〕
本基板固定裝置具有：底板，其內部具備氣體供給部；及靜電卡盤，其設置在上述底板上。上述靜電卡盤具備：基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及插入孔，其貫穿上述基體，並且內側面上設置有內螺紋（female screw）。其中，側面上設置有外螺紋（male screw）的擰入（screw-in）部件螺接於上述插入孔內。氣體可從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。 〔發明的效果〕
根據所公開的技術，能夠提供一種具有維護性較優的異常放電應對措施的基板固定裝置。
以下，參照附圖對用於實施本發明的方式進行說明。需要說明的是，各圖中存在對相同構成部分賦予相同符號並省略重覆說明的情況。 〈第１實施方式〉
１是第１實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖１（ａ）為整體圖，圖１（ｂ）為圖１（ａ）的Ａ部分的局部擴大圖。參照圖１可知，基板固定裝置１中作為主要構成要素具有底板１０、黏接層２０及靜電卡盤３０。
底板１０是用於對靜電卡盤３０進行安裝的部件。底板１０的厚度例如為２０～４０ｍｍ左右。底板１０例如由鋁形成，可作為用於對等離子進行控制的電極等而使用。藉由向底板１０進行預定高頻電力的供電，可控制用於使所發生的處於等離子狀態的離子等與吸附在靜電卡盤３０上的晶圓進行碰撞的能量，由此可有效地進行蝕刻處理。
底板１０的內部設置有氣體供給部１１。氣體供給部１１具備氣體流路１１１、氣體註入部１１２及氣體排出部１１３。
體流路１１１例如是在底板１０的內部形成為環狀的孔。氣體註入部１１２是一端與氣體流路１１１連通而另一端從底板１０的下表面１０ｂ露出於外部的孔，可從基板固定裝置１的外部將惰性氣體（例如，Ｈｅ、Ａｒ等）導入氣體流路１１１。氣體排出部１１３是一端與氣體流路１１１連通而另一端從底板１０的上表面１０ａ露出於外部並貫穿黏接層２０的孔，可對氣體流路１１１內所導入的惰性氣體進行排出。氣體排出部１１３在平面視圖中分散在底板１０的上表面１０ａ上。氣體排出部１１３的個數可根據需要進行適當的確定，例如可為數十個～數百個左右。
需要說明的是，平面視圖是指，沿底板１０的上表面１０ａ的法線方向觀察對象物時的視圖，平面形狀是指，沿底板１０的上表面１０ａ的法線方向觀察對象物時的形狀。
底板１０的內部設置有冷卻機構１５。冷卻機構１５具備冷媒流路１５１、冷媒導入部１５２及冷媒排出部１５３。冷媒流路１５１例如是在底板１０的內部形成為環狀的孔。冷媒導入部１５２是一端與冷媒流路１５１連通而另一端從底板１０的下表面１０ｂ露出於外部的孔，可從基板固定裝置１的外部將冷媒（例如，冷卻水、熱傳導液（galden）等）導入冷媒流路１５１。冷媒排出部１５３是一端與冷媒流路１５１連通而另一端從底板１０的下表面１０ｂ露出於外部的孔，可對冷媒流路１５１內所導入的冷媒進行排出。
冷卻機構１５與設置在基板固定裝置１的外部的冷媒控制裝置（未圖示）連接。冷媒控制裝置（未圖示）可從冷媒導入部１５２將冷媒導入冷媒流路１５１，並可從冷媒排出部１５３將冷媒排出。藉由使冷卻機構１５對冷媒進行循環以對底板１０進行冷卻，可對靜電卡盤３０上所吸附的晶圓進行冷卻。
電卡盤３０的平面形狀例如為圓形。作為靜電卡盤３０的吸附對象物的晶圓的直徑例如為８、１２或１８英寸。
靜電卡盤３０經由黏接層２０設置於底板１０的上表面１０ａ。黏接層２０例如為矽酮（silicone）系黏接劑。黏接層２０的厚度例如為０．１～１．０ｍｍ左右。黏接層２０可對靜電卡盤３０和底板１０進行黏接，並具有可降低因陶瓷制靜電卡盤３０和鋁制底板１０的熱膨脹率之差而產生的應力（stress）的效果。
靜電卡盤３０具有基體３１和靜電電極３２。基體３１的上表面為吸附對象物的承載面３１ａ。靜電卡盤３０例如為約翰生·拉別克（Johnsen-Rahbeck）式靜電卡盤。但是，靜電卡盤３０也可為庫侖力（Coulomb force）式靜電卡盤。
基體３１為電介體，作為基體３１，例如可使用氧化鋁（Ａｌ２ Ｏ３ ）、氮化鋁（ＡｌＮ）等的陶瓷。基體３１的厚度例如為１～５ｍｍ左右，基體３１的相對介電常數（relative permittivity）（１ｋＨｚ）例如為９～１０左右。
靜電電極３２為薄膜電極，並且內置於基體３１。靜電電極３２與設置在基板固定裝置１的外部的電源連接，從電源施加預定電壓後，與晶圓之間會產生基於靜電的吸附力。據此，可在靜電卡盤３０的基體３１的承載面３１ａ上對晶圓進行吸附和保持。就吸附和保持力而言，施加至靜電電極３２的電壓越高越強。靜電電極３２可為單極形狀，也可為雙極形狀。作為靜電電極３２的材料，例如可使用鎢、鉬等。
基體３１的內部可設置發熱體，藉由從基板固定裝置１的外部施加電壓，該發熱體會發熱，並可將基體３１的承載面３１ａ加熱至預定溫度。
在基體３１的與各氣體排出部１１３對應的位置處設置有插入孔３１１，其貫穿基體３１，並使氣體排出部１１３的另一端露出。插入孔３１１的平面形狀例如是內徑為２～５ｍｍ左右的圓形。插入孔３１１例如可藉由鉆孔（drill）加工、激光加工等形成。插入孔３１１的內側面上設置（切割）有內螺紋，據此擰入部件６０可進行擰入和擰出。
圖２是擰入部件的形狀的例示圖。如圖２（ａ）所示，擰入部件６０例如是由氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷形成的圓柱狀部件，側面上設置有外螺紋。當使用基板固定裝置１時，擰入部件６０螺接於插入孔３１１內。當對基板固定裝置１進行維護時，存在擰入部件６０從插入孔３１１中被擰出（卸下來）的情況。需要說明的是，螺接是指，第１部件上所形成的外螺紋和第２部件上所形成的內螺紋相互嚙合，據此第１部件和第２部件進行了結合的狀態。
擰入部件６０上形成有一端在基體３１的承載面３１ａ上進行開口而另一端與氣體供給部１１的氣體排出部１１３連通的貫穿孔６０１。貫穿孔６０１的平面形狀例如為圓形。擰入部件６０的直徑φ１ 例如為２～５ｍｍ左右。貫穿孔６０１的直徑φ２ 為０．１ｍｍ以下，優選為０．０５ｍｍ左右。
螺接於插入孔３１１內的擰入部件６０的貫穿孔６０１與氣體供給部１１的氣體排出部１１３進行了連通，故氣體可從氣體供給部１１經由貫穿孔６０１而被供給至基體３１的承載面３１ａ。擰入部件６０的上表面６０ａ例如與基體３１的承載面３１ａ共面（共平面）。
例如，如圖２（ｂ）所示，擰入部件６０的上表面６０ａ上設置有一字型的槽６５１。藉由將一字螺絲刀放入槽６５１內並使擰入部件６０旋轉，可將擰入部件６０擰入插入孔３１１內，也可使擰入部件６０從插入孔３１１中擰出。
例如，如圖２（ｃ）所示，擰入部件６０的上表面６０ａ上也可設置十字型的槽６５２。此情況下，藉由將十字螺絲刀或一字螺絲刀放入槽６５２內並使擰入部件６０旋轉，可將擰入部件６０擰入插入孔３１１內，還可使擰入部件６０從插入孔３１１中擰出。
例如，如圖２（ｄ）所示，擰入部件６０的上表面６０ａ的外周部處可設置一對夾著貫穿孔６０１而相對配置的切口６５３。此情況下，藉由將專用的用於進行旋轉的工具（冶具）插入一對切口６５３內並使擰入部件６０旋轉，可將擰入部件６０擰入插入孔３１１內，也可使擰入部件６０從插入孔３１１中擰出
需要說明的是，只要是可設置在擰入部件６０的露出於承載面３１ａ的部分上並可使擰入部件６０旋轉的結構即可，即，用於使擰入部件６０旋轉的結構並不限定於圖２（ｂ）～圖２（ｄ）所示的結構。換言之，在擰入部件６０的露出於承載面３１ａ的部分上可設置用於使擰入部件６０旋轉的任意的結構。
製作擰入部件６０時，首先，制備作為擰入部件６０的前驅體的膏（paste）。膏例如可含有預定重量比的氧化鋁顆粒和／或氮化鋁顆粒。
然後，準備直徑為０．１ｍｍ以下的線狀部件。接下來，將膏放入用於對擰入部件６０進行成形的圓筒狀的模具內並進行成形。此時，使線狀部件穿過膏的長度方向的中央部分。之後，對成形了的膏進行燒成並拔出線狀部件。據此，可形成在長度方向的中央部分處具有０．１ｍｍ以下的貫穿孔的筒（空心面（macaroni））狀的部件。將該部件切斷（截斷）成預定的長度，並在側面上形成外螺紋，由此可制成擰入部件６０。
根據發明人的研究結果可知，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。對此，藉由使氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的部分的孔的直徑為０．１ｍｍ以下，可對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制。
基板固定裝置１中，具有直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１的擰入部件６０螺接在了基體３１上所形成的插入孔３１１內。即，在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的部分的貫穿孔６０１的直徑為０．１ｍｍ以下，故可對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制。需要說明的是，根據需要也可在一個擰入部件６０上設置多個直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１。
此外，擰入部件６０在可裝卸（擰入擰出）的狀態下固定於插入孔３１１內。為此，例如在異物堵住了貫穿孔６０１的情況等擰入部件６０出現了問題的情況下，可簡單地取出擰入部件６０並換上一個新的擰入部件６０。現有技術中，只要一個氣體排出部１１３出現了問題，整個靜電卡盤３０就變成了不良品，在成本方面會產生很大的損失，但是，就基板固定裝置１而言，由於可簡單地對擰入部件６０進行交換，故從成本和壽命的角度來看，具有很大的優點。
需要說明的是，理論上來說，基板固定裝置１內也可不使用擰入部件６０，而是在基體３１上直接形成直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１。但是，現實中卻存在極難在基體３１上設置多個直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１的問題，這也是導致成品率變低和成本變高的主要原因。另外，當在幹蝕刻裝置等中使用基板固定裝置１時，一旦蝕刻的副產物等堵住了貫穿孔６０１，則極難將其除去。即，就在基體３１上直接形成直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１之措施而言，並不是一種可應對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電的實用的措施。藉由使具有直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１的擰入部件６０在可裝卸的狀態下固定在插入孔３１１內，可解決這些問題，進而可提供一種具有維護性較優的異常放電應對措施的基板固定裝置１。 〈第２實施方式〉
第２實施方式中例示了具有與第１實施方式不同的擰入部件的基板固定裝置。需要說明的是，第２實施方式中存在對與已經說明的實施方式相同的構成部分的記載進行省略了的情況。
圖３是第２實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖３（ａ）為整體圖，圖３（ｂ）為圖３（ａ）的Ｂ部分的局部擴大圖。參照圖３可知，基板固定裝置２在擰入部件６０被置換為擰入部件６１這點上與基板固定裝置１（參照圖１）不同。
就擰入部件６１而言，其側面上設置有外螺紋，並且螺接在內側面上設置有內螺紋的插入孔３１１內。擰入部件６１的上表面６１ａ例如與基體３１的承載面３１ａ共面。
擰入部件６１的上表面６１ａ上設置了圖２（ｂ）～圖２（ｄ）中的任意一個結構或者用於使擰入部件６１旋轉的其他的任意的結構。為此，擰入部件６１在需要的時候可被擰入插入孔３１１內，也可從插入孔３１中被擰出。
與擰入部件６０不同，擰入部件６１由以氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷為主成分的多孔質體形成。擰入部件６１中，氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷例如可被設定在８０重量％～９７重量％的範圍內。由於構成擰入部件６１的多孔質體可使氣體經過，故擰入部件６１上沒有形成相當於擰入部件６０的貫穿孔６０１的貫穿孔。
圖４是圖３（ｂ）的擰入部件附近的局部擴大剖面圖。如圖４所示，多孔質體的擰入部件６１包含多個球狀氧化物陶瓷顆粒６１１和對多個球狀氧化物陶瓷顆粒６１１進行黏結以實現一體化的混合氧化物６１２。
球狀氧化物陶瓷顆粒６１１的直徑例如位於３０μｍ～１０００μｍ的範圍內。作為球狀氧化物陶瓷顆粒６１１的一個優選例子，可列舉出球狀氧化鋁顆粒。此外，就球狀氧化物陶瓷顆粒６１１而言，優選以８０重量％以上（９７重量％以下）的重量比而包含在擰入部件６１內。
混合氧化物６１２固著在多個球狀氧化物陶瓷顆粒６１１的外表面（球面）的一部分上並對這些顆粒進行支撐。混合氧化物６１２例如由從矽（Ｓｉ）、鎂（Ｍｇ）、鈣（Ｃａ）、鋁（Ａｌ）及釔（Ｙ）中選出的兩種以上的氧化物形成。
擰入部件６１的內部形成有氣孔Ｐ。氣孔Ｐ從擰入部件６１的下側朝向上側並以可使氣體經過的方式與外部連通。擰入部件６１中所形成的氣孔Ｐ的氣孔率優選位於擰入部件６１的整體體積的２０％～５０％的範圍內。氣孔Ｐ的內表面上露出了球狀氧化物陶瓷顆粒６１１的外表面的一部分和混合氧化物６１２。
製作擰入部件６１時，首先，制備作為擰入部件６１的前驅體的膏。膏例如含有預定重量比的球狀氧化鋁顆粒。膏的剩余部分例如含有包含矽、鎂、鈣、鋁及釔的五種成分的氧化物，另外還包含有機黏結劑（binder）和／或溶劑。作為有機黏結劑，例如可使用聚乙烯醇縮丁醛（polyvinyl butyral）。作為溶劑，例如可使用乙醇（alcohol）。
然後，將膏放入用於對擰入部件６１進行成形的圓筒狀的模具內並進行成形。之後，在預定的溫度下對成形了的膏進行燒成，並將其切斷成預定的長度，接著在側面上形成外螺紋，由此可制成擰入部件６１。
如上所述，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。
基板固定裝置２中，多孔質體的擰入部件６１螺接在了基體３１上所形成的插入孔３１１內。擰入部件６１上沒有形成貫穿孔，氣體可從氣體供給部１１經由連通的多個氣孔Ｐ被供給至基體３１的承載面３１ａ。這樣，由於基板固定裝置２內沒有在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的貫穿孔，故可對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制。
此外，擰入部件６１在可裝卸的狀態下固定於插入孔３１１內。為此，例如在異物堵住了氣孔Ｐ的一部分的情況等擰入部件６１發生了問題的情況下，可簡單地取出擰入部件６１並換上新的擰入部件６１。現有技術中，只要一個氣體排出部１１３出現了問題，整個靜電卡盤３０就變成了不良品，在成本方面會發生很大的損失，但是，就基板固定裝置２而言，由於可簡單地對擰入部件６１進行交換，故從成本和壽命的角度來看，具有很大的優點。 〈第３實施方式〉
第３實施方式中例示了具有與第１和第２實施方式不同的擰入部件的基板固定裝置。需要說明的是，第３實施方式中存在對與已經說明的實施方式相同的構成部分的記載進行省略了的情況。
圖５是第３實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖５（ａ）為整體圖，圖５（ｂ）為圖５（ａ）的Ｃ部分的局部擴大圖。參照圖５可知，基板固定裝置３在擰入部件６０被置換為擰入部件６２這點上與基板固定裝置１（參照圖１）不同。
在基體３１的與各氣體排出部１１３對應的位置處，設置了貫穿基體３１和黏接層２０並使氣體排出部１１３的另一端露出的插入孔３１２。插入孔３１２的平面形狀例如是內徑為２～５ｍｍ左右的圓形。插入孔３１２例如可藉由鉆孔加工、激光加工等形成。插入孔３１２的內側面上沒有形成內螺紋。
在底板１０的與上表面１０ａ側的各氣體排出部１１３對應的位置處，設置了開口側與插入孔３１２連通而底面則使氣體排出部１１３的另一端露出的凹部１０１（沈孔）。凹部１０１的平面形狀例如是內徑為２～５ｍｍ左右的圓形。凹部１０１例如可藉由鉆孔加工、激光加工等形成。凹部１０１的內側面上形成有內螺紋。
擰入部件６２例如為由氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷形成的部件。擰入部件６２包括螺紋部６２１和在螺紋部６２１的長度方向的端部處連續形成的圓筒部６２２。擰入部件６２中，螺紋部６２１的側面上形成有外螺紋，但圓筒部６２２的側面上沒有設置螺紋。即，擰入部件６２中，底板１０側的側面上形成有外螺紋，靜電卡盤３０側的側面上沒有設置外螺紋。當使用基板固定裝置３時，擰入部件６２螺接在連通的插入孔３１２和凹部１０１內。當對基板固定裝置３進行維護時，存在從連通的插入孔３１２和凹部１０１中取出（擰出）擰入部件６２的情況。
需要說明的是，螺紋部６２１螺接在內側面上形成有內螺紋的凹部１０１內，但圓筒部６２２僅是插入了插入孔３１２中，並沒有被固定。圓筒部６２２的側面和插入孔３１２的內側面相互接觸或者兩者之間設置有極小的空隙（clearance）。
擰入部件６２上形成了一端在基體３１的承載面３１ａ上進行開口而另一端與氣體供給部１１的氣體排出部１１３連通的貫穿孔６０２。貫穿孔６０２的平面形狀例如為圓形。擰入部件６２的直徑例如為２～５ｍｍ左右。貫穿孔６０２的直徑為０．１ｍｍ以下，優選為０．０５ｍｍ左右。
螺接在連通的插入孔３１２和凹部１０１內的擰入部件６２的貫穿孔６０２與氣體供給部１１的氣體排出部１１３進行了連通，故氣體可從氣體供給部１１經由貫穿孔６０２而被供給至基體３１的承載面３１ａ。擰入部件６２的上表面６２ａ例如與基體３１的承載面３１ａ共面。
擰入部件６２的上表面６２ａ上設置了圖２（ｂ）～圖２（ｄ）中的任意一個結構或者用於使擰入部件６２旋轉的其他的任意的結構。為此，擰入部件６２在需要的時候可被擰入連通的插入孔３１２和凹部１０１內，也可從連通的插入孔３１２和凹部１０１中被擰出。擰入部件６２的製作方法與擰入部件６０的製作方法基本相同。
如上所述，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。
基板固定裝置３中，具有直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０２的擰入部件６２螺接在了插入孔３１２和凹部１０１內。即，在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的部分的貫穿孔６０２的直徑為０．１ｍｍ以下，故可對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制。需要說明的是，根據需要也可在一個擰入部件６２上設置多個直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０２。
此外，擰入部件６２在可裝卸的狀態下固定在插入孔３１２和凹部１０１內。為此，例如在異物堵住了貫穿孔６０２的情況等擰入部件６２出現了問題的情況下，可簡單地取出擰入部件６２並換上新的擰入部件６２。現有技術中，只要一個氣體排出部１１３出現了問題，整個靜電卡盤３０就變成了不良品，在成本方面會產生很大的損失，但是，就基板固定裝置３而言，由於可簡單地對擰入部件６２進行交換，故從成本和壽命的角度來看，具有很大的優點。 〈第４實施方式〉
第４實施方式中例示了具有與第１～第３實施方式不同的擰入部件的基板固定裝置。需要說明的是，第４實施方式中存在對與已經說明的實施方式相同的構成部分的記載進行省略了的情況。
圖６是第４實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖６（ａ）為整體圖，圖６（ｂ）為圖６（ａ）的Ｄ部分的局部擴大圖。參照圖６可知，基板固定裝置４在擰入部件６２被置換為擰入部件６３這點上與基板固定裝置３（參照圖５）不同。
擰入部件６３包括螺紋部６３１和在螺紋部６３１的長度方向的端部處連續形成的圓筒部６３２。擰入部件６３中，螺紋部６３１的側面上形成了外螺紋，但圓筒部６３２的側面上沒有設置螺紋。即，就擰入部件６３而言，底板１０側的側面上設置了外螺紋，靜電卡盤３０側的側面上沒有形成外螺紋。當使用基板固定裝置４時，擰入部件６３螺接在連通的插入孔３１２和凹部１０１內。當對基板固定裝置４進行維護時，存在從連通的插入孔３１２和凹部１０１中取出（擰出）擰入部件６３的情況。
需要說明的是，螺紋部６３１螺接在內側面上設置有內螺紋的凹部１０１內，但圓筒部６３２僅是插入了插入孔３１２中，並沒有被固定。圓筒部６３２的側面和插入孔３１２的內側面相互接觸或者兩者之間設置有極小的空隙。擰入部件６３的上表面６３ａ例如與基體３１的承載面３１ａ共面。
擰入部件６３的上表面６３ａ上設置了圖２（ｂ）～圖２（ｄ）中的任意一個結構或者用於使擰入部件６３旋轉的其他的任意的結構。為此，擰入部件６３在需要的時候可被擰入連通的插入孔３１２和凹部１０１內，也可從連通的插入孔３１２和凹部１０１中被擰出。
與擰入部件６１同樣，擰入部件６３由以氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷為主成分的多孔質體（參照圖４）形成。由於構成擰入部件６３的多孔質體可使氣體經過，故擰入部件６３上沒有形成相當於擰入部件６２的貫穿孔６０２的貫穿孔。擰入部件６３的製作方法與擰入部件６１的製作方法大致相同。
如上所述，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。
基板固定裝置４中，多孔質體的擰入部件６３螺接在連通的插入孔３１２和凹部１０１內。擰入部件６３上沒有形成貫穿孔，氣體可從氣體供給部１１經由連通的多個氣孔Ｐ而被供給至基體３１的承載面３１ａ。這樣，由於基板固定裝置４中沒有在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的貫穿孔，故可對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制。
此外，擰入部件６３在可裝卸的狀態下固定於連通的插入孔３１２和凹部１０１內。為此，例如在異物堵住了氣孔Ｐ的一部分的情況等擰入部件６３發生了問題的情況下，可簡單地取出擰入部件６３並換上新的擰入部件６３。現有技術中，只要一個氣體排出部１１３出現了問題，整個靜電卡盤３０就變成了不良品，在成本方面會產生很大的損失，但是，就基板固定裝置４而言，由於可簡單地對擰入部件６３進行交換，故從成本和壽命的角度來看，具有很大的優點。 〈第５實施方式〉
第５實施方式中例示了除了擰入部件之外還具有插入部件的基板固定裝置。需要說明的是，第５實施方式中存在對與已經說明的實施方式相同的構成部分的記載進行省略了的情況。
圖７是第５實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖７（ａ）為整體圖，圖７（ｂ）為圖７（ａ）的Ｅ部分的局部擴大圖。參照圖７可知，就基板固定裝置５而言，凹部１０２內追加了插入部件６４，這點與基板固定裝置１（參照圖１）不同。
在底板１０的與上表面１０ａ側的各氣體排出部１１３對應的位置和黏接層２０上，設置有開口側與插入孔３１１連通而底面則使氣體排出部１１３的另一端露出的凹部１０２。凹部１０２的平面形狀例如是內徑為２～５ｍｍ左右的圓形。凹部１０２例如可藉由鉆孔加工、激光加工等形成。凹部１０２的內側面上沒有形成螺紋。
插入部件６４僅是插入了凹部１０２內，並沒有被固定。插入部件６４的側面和凹部１０２的內側面相互接觸或者兩者之間設置有極小的空隙。
與擰入部件６１同樣，插入部件６４由以氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷為主成分的多孔質體（參照圖４）形成。由於構成插入部件６４的多孔質體可使氣體經過藉由，故插入部件６４上沒有形成與擰入部件６０的貫穿孔６０１連通的貫穿孔。插入部件６４的製作方法與擰入部件６１的製作方法基本相同。
插入部件６４插入凹部１０２後，擰入部件６０螺接於插入孔３１１內，故插入部件６４不會從凹部１０２脫落。
如上所述，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。
與基板固定裝置１同樣，基板固定裝置５中，具有直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０１的擰入部件６０固定在基體３１上所形成的插入孔３１１內。另外，在擰入部件６０的底板１０的下表面１０ｂ側，還以與擰入部件６０相接的方式，插入了多孔質體的插入部件６４。氣體可從氣體供給部１１經由擰入部件６０的貫穿孔６０１和插入部件６４的連通的多個氣孔而被供給至基體３１的承載面３１ａ。據此，與基板固定裝置１相比，可進一步提高對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制的效果。這裡需要說明的是，基板固定裝置５所具有的其他效果與基板固定裝置１相同。 〈第６實施方式〉
第６實施方式中例示了除了擰入部件之外還具有插入部件的基板固定裝置。需要說明的是，第６實施方式中存在對與已經說明的實施方式相同的構成部分的記載進行省略了的情況。
圖８是第６實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖，圖８（ａ）為整體圖，圖８（ｂ）為圖８（ａ）的Ｆ部分的局部擴大圖。參照圖８可知，就基板固定裝置６而言，凹部１０３內追加了插入部件６４，這點與基板固定裝置３（參照圖５）不同。
在底板１０的與上表面１０ａ側的各氣體排出部１１３對應的位置處，設置了開口側與插入孔３１２連通而底面則使氣體排出部１１３的另一端露出的凹部１０３。凹部１０３的平面形狀例如是內徑為２～５ｍｍ左右的圓形。凹部１０３例如可藉由鉆孔加工、激光加工等形成。凹部１０３的內側面的黏接層２０側設置有內螺紋。凹部１０３的內側面的底面側（凹部１０３的內側面的與黏接層２０相反的一側）沒有設置螺紋。
就插入部件６４而言，其被插入凹部１０３的底面側的沒有設置螺紋的區域，但並沒有被固定。插入部件６４的側面和凹部１０３的內側面的底面側相互接觸或者兩者之間設置有極小的空隙。
插入部件６４插入凹部１０３的底面側後，擰入部件６２螺接在連通的插入孔３１２和凹部１０３的黏接層２０側的形成了螺紋的區域內，故插入部件６４不會從凹部１０３脫落。
如上所述，如果氣體供給部１１在基體３１的承載面３１ａ上進行開口的孔的直徑較大，則存在藉由氣體供給部１１發生異常放電的情況。
與基板固定裝置３同樣，基板固定裝置６中，具有直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔６０２的擰入部件６２固定在了插入孔３１２和凹部１０３內。另外，在擰入部件６２的底板１０的下表面１０ｂ側，以與擰入部件６２相接的方式，還插入了多孔質體的插入部件６４。氣體可從氣體供給部１１經由擰入部件６２的貫穿孔６０２和插入部件６４的連通的多個氣孔而被供給至基體３１的承載面３１ａ。據此，與基板固定裝置３相比，可進一步提高對藉由氣體供給部１１而發生的異常放電進行抑制的效果。這裡需要說明的是，基板固定裝置６所具有的其他效果與基板固定裝置３相同。
以上盡管對較佳實施方式等進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述實施方式等，在不超出權利要求書記載的範圍的情況下，還可對上述實施方式等進行各種各樣的變形和替換。
例如，作為本發明的基板固定裝置的吸附對象物，除了半導體晶圓（矽晶圓等）之外，還可列舉出液晶面板等的制造工藝中所使用的玻璃基板等。
基於上述，可提供一種基板固定裝置，其具有：底板，其內部具備氣體供給部；及靜電卡盤，其設置在上述底板上。上述靜電卡盤具備：基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及插入孔，其貫穿上述基體，並且內側面上形成有內螺紋。其中，側面上形成有外螺紋的擰入部件螺接在上述插入孔內。氣體可從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。
另外，還可提供一種基板固定裝置，其具有：底板，其內部具備氣體供給部；及靜電卡盤，其設置在上述底板上。上述靜電卡盤具備：基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及插入孔，其貫穿上述基體。上述底板具備：凹部，其內側面上形成有內螺紋，並與上述插入孔連通。其中，上述底板側的側面上形成有外螺紋的擰入部件插入上述插入孔內和上述凹部內，並與上述凹部螺接。氣體可從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。
上述擰入部件上形成有一端在上述承載面上進行開口而另一端與上述氣體供給部連通的直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔。氣體可從上述氣體供給部經由上述貫穿孔被供給至上述承載面。
上述擰入部件為具備連通的多個氣孔的多孔質體。氣體可從上述氣體供給部經由上述連通的多個氣孔被供給至上述承載面。
與上述擰入部件相接的第２擰入部件插入上述擰入部件的上述底板側。上述擰入部件上形成有一端在上述承載面上進行開口而另一端在上述第２擰入部件側進行開口的直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔。上述第２擰入部件為具備連通的多個氣孔的多孔質體。氣體可從上述氣體供給部經由上述貫穿孔和上述連通的多個氣孔被供給至上述承載面。
在上述擰入部件的露出於上述承載面的部分上設置有用於使上述擰入部件旋轉的結構。上述擰入部件包含氧化鋁或氮化鋁。
以上盡管對本發明的實施方式等進行了說明，但上述內容並不是對本發明進行限定的內容。
１、２、３、４、５、６:基板固定裝置 １０:底板 １０ａ、６０ａ、６１ａ、６２ａ、６３ａ:上表面 １０ｂ:下表面 １１:氣體供給部 １５:冷卻機構 ２０:黏接層 ３０:靜電卡盤 ３１:基體 ３１ａ:承載面 ３２:靜電電極 ６０、６１、６２、６３:擰入部件 ６４:插入部件 １０１、１０２、１０３:凹部 １１１:氣體流路 １１２:氣體註入部 １１３:氣體排出部 １５１:冷媒流路 １５２:冷媒導入部 １５３:冷媒排出部 ３１１、３１２:插入孔 ６０１、６０２:貫穿孔 ６１１:球狀氧化物陶瓷顆粒 ６１２:混合氧化物 ６２１、６３１:螺紋部 ６２２、６３２:圓筒部 ６５１、６５２:槽
〔圖１（ａ）、（ｂ）〕第１實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。 〔圖２（ａ）～（ｄ）〕擰入部件的形狀的例示圖。 〔圖３（ａ）、（ｂ）〕第２實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。 〔圖４〕圖３（ｂ）的擰入部件附近的局部放大剖面圖。 〔圖５（ａ）、（ｂ）〕第３實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。 〔圖６（ａ）、（ｂ）〕第４實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。 〔圖７（ａ）、（ｂ）〕第５實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。 〔圖８（ａ）、（ｂ）〕第６實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
1:基板固定裝置
10:底板
10a:上表面
10b:下表面
11:氣體供給部
111:氣體流路
112:氣體註入部
113:氣體排出部
15:冷卻機構
151:冷媒流路
152:冷媒導入部
153:冷媒排出部
20:黏接層
30:靜電卡盤
31:基體
31a:承載面
311:插入孔
32:靜電電極
60:擰入部件
60a:上表面
601:貫穿孔
A:部分(局部)

Claims (7)

  1. 一種基板固定裝置，其具有： 底板，其內部具備氣體供給部；及 靜電卡盤，其設置在上述底板上， 上述靜電卡盤具備： 基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及 貫穿上述基體的插入孔，其內側面上形成有內螺紋， 其中， 側面上形成有外螺紋的擰入部件螺接在上述插入孔內， 氣體從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。
  2. 一種基板固定裝置，其具有： 底板，其內部具備氣體供給部；及 靜電卡盤，其設置在上述底板上， 上述靜電卡盤具備： 基體，其一個表面為吸附對象物的承載面；及 插入孔，其貫穿上述基體， 上述底板具備： 與上述插入孔連通的凹部，其內側面上形成有內螺紋， 其中， 上述底板側的側面上形成有外螺紋的擰入部件插入上述插入孔內和上述凹部內，並與上述凹部螺接， 氣體從上述氣體供給部經由上述擰入部件被供給至上述承載面。
  3. 根據申請專利範圍第１或２項之基板固定裝置，其中， 上述擰入部件上形成有一端在上述承載面上進行開口而另一端與上述氣體供給部連通的直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔， 氣體從上述氣體供給部經由上述貫穿孔被供給至上述承載面。
  4. 根據申請專利範圍第１或２項之基板固定裝置，其中， 上述擰入部件為具備連通的多個氣孔的多孔質體， 氣體從上述氣體供給部經由上述連通的多個氣孔被供給至上述承載面。
  5. 根據申請專利範圍第１或２項之基板固定裝置，其中， 與上述擰入部件相接的第２擰入部件插入上述擰入部件的上述底板側， 上述擰入部件上形成有一端在上述承載面上進行開口而另一端在上述第２擰入部件側進行開口的直徑為０．１ｍｍ以下的貫穿孔， 上述第２擰入部件為具備連通的多個氣孔的多孔質體， 氣體從上述氣體供給部經由上述貫穿孔和上述連通的多個氣孔被供給至上述承載面。
  6. 根據申請專利範圍第１或２項之基板固定裝置，其中， 在上述擰入部件的露出於上述承載面的部分上設置有用於使上述擰入部件旋轉的結構。
  7. 根據申請專利範圍第１或２項之基板固定裝置，其中， 上述擰入部件包含氧化鋁或氮化鋁。
TW109107650A 2019-03-12 2020-03-09 基板固定裝置 TWI826662B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019044859A JP7269759B2 (ja) 2019-03-12 2019-03-12 基板固定装置
JP2019-044859 2019-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202034449A true TW202034449A (zh) 2020-09-16
TWI826662B TWI826662B (zh) 2023-12-21

Family

ID=72423752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107650A TWI826662B (zh) 2019-03-12 2020-03-09 基板固定裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11521885B2 (zh)
JP (1) JP7269759B2 (zh)
KR (1) KR20200109253A (zh)
CN (1) CN111696906A (zh)
TW (1) TWI826662B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021141277A (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
CN113436956B (zh) * 2021-08-26 2022-02-25 湖北灿睿光电科技有限公司 电极、干蚀刻设备和制造电极的方法
KR20230138021A (ko) * 2021-10-20 2023-10-05 니테라 컴퍼니 리미티드 유지 장치
JP2023101194A (ja) * 2022-01-07 2023-07-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
WO2023153021A1 (ja) 2022-02-09 2023-08-17 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
WO2024116412A1 (ja) * 2022-12-02 2024-06-06 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209472B2 (ja) * 1993-11-05 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 ネジキャップおよび処理装置
US6263829B1 (en) * 1999-01-22 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture
JP4557814B2 (ja) * 2005-06-09 2010-10-06 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
KR101125885B1 (ko) * 2007-07-31 2012-03-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 감소된 플라즈마 침투 및 아킹을 갖는 정전척을 제공하는 방법 및 장치
CN102160167B (zh) * 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
CN109478531B (zh) 2017-05-25 2023-03-17 日本碍子株式会社 晶片用基座
JP2019029384A (ja) * 2017-07-25 2019-02-21 新光電気工業株式会社 セラミックス混合物、多孔質体及びその製造方法、静電チャック及びその製造方法、基板固定装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200109253A (ko) 2020-09-22
US11521885B2 (en) 2022-12-06
CN111696906A (zh) 2020-09-22
US20200294838A1 (en) 2020-09-17
TWI826662B (zh) 2023-12-21
JP2020150071A (ja) 2020-09-17
JP7269759B2 (ja) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202034449A (zh) 基板固定裝置
TWI705520B (zh) 用於高溫製程之基板支撐組件
KR102506457B1 (ko) 고온 프로세스들을 위한 정전 척 어셈블리
US7586734B2 (en) Electrostatic chuck
KR100666039B1 (ko) 정전척
JP5270310B2 (ja) 静電チャック及び基板処理装置
WO2014157571A1 (ja) 静電チャック
JP5762798B2 (ja) 天井電極板及び基板処理載置
CN102110573A (zh) 等离子体处理装置
CN102473672A (zh) 静电夹头中的点火防止
JPH09167794A (ja) 静電チャックおよびプラズマ処理方法
US9418884B2 (en) Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing device
JP7449768B2 (ja) セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ
TW202131427A (zh) 靜電夾盤及基板固定裝置
US20210082731A1 (en) Substrate fixing device and electrostatic chuck
TWI794131B (zh) 靜電吸盤
JP2023135168A (ja) 保持装置
JP7484152B2 (ja) 静電チャック
JP2002252274A (ja) 静電チャックユニット
JP2003338536A (ja) 静電チャック
JP3964272B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用シールドリング
CN115701648A (zh) 静电卡盘以及基板固定装置
TW202308031A (zh) 靜電吸附構件及基板固定裝置
JP2004134437A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
TW202240757A (zh) 靜電夾盤及基板固定裝置