TW202308031A - 靜電吸附構件及基板固定裝置 - Google Patents

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小林幸
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立岩昭彦
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日商新光電氣工業股份有限公司
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Abstract

一種靜電吸附構件包括介電質構件及多孔體，介電質構件具有第一表面及與第一表面相對的第二表面且形成有從第一表面貫穿至第二表面的通孔，以及多孔體設置在通孔中且具有與第一表面齊平的第三表面。通孔具有第一開口及第二開口，第一開口在與第一表面垂直的第一方向上與第一表面隔開第一距離，以及第二開口在第一方向上與第一表面隔開比第一距離大的第二距離。在從第一方向俯視時，第一開口的至少一部分係在第二開口內部，以及多孔體具有第一部分及第二部分，第一部分位於第一開口內側，以及第二部分連接至第一部分且位於第一開口外側。

Description

靜電吸附構件及基板固定裝置
本發明係有關於靜電吸附構件及基板固定裝置。
作為用於固定諸如晶片的基板之基板固定裝置，已知有這樣一種基板固定裝置，其中靜電吸附構件形成有用於冷卻基板的冷卻氣體之通孔，並且在通孔中設置有用於抑制異常放電的多孔體。 [引文清單] [專利文獻]
PTL 1： JP-A-2014-209615 PTL 2： JP-A-2013-232641 PTL 3： JP-A-2017-218352
甚至在相關技術之設置有多孔體的基板固定裝置中亦可能發生異常放電。
本發明的非限制性具體例的態樣是提供一種能夠進一步抑制異常放電的靜電吸附構件及基板固定裝置。
依據本發明的一個態樣，提供一種靜電吸附構件，包括： 一介電質構件，具有一第一表面及在該第一表面的相對側上之一第二表面，並且形成有從該第一表面貫穿至該第二表面的一通孔；以及 一多孔體，設置在該通孔中且具有與該第一表面齊平的一第三表面， 其中，該通孔具有： 一第一開口，在與該第一表面垂直的一第一方向上與該第一表面隔開一第一距離；以及 一第二開口，在該第一方向上與該第一表面隔開比該第一距離大的一第二距離， 其中，在從該第一方向俯視時，該第一開口的至少一部分係在該第二開口內部，以及 其中，在從該第一方向俯視時，該多孔體具有： 一第一部分，位於該第一開口內側；以及 一第二部分，連接至該第一部分且位於該第一開口外側。
依據本發明，可以進一步抑制異常放電。
本發明人為了調查甚至在相關技術之設置有多孔體的基板固定裝置中亦發生異常放電的原因而進行努力的研究。結果發現，當例如在基板固定裝置的維護期間基板未放置在靜電吸附構件上時，多孔體可能從通孔脫離。例如，在多孔體藉由黏著劑黏合至通孔的內壁面之情況下，黏著劑可能會因用於基板處理之重複的電漿輻射而劣化。當在黏著劑劣化的狀態下將冷卻氣體從設置在底板中的氣體通道供應至通孔時，多孔體可能由於氣壓而從通孔脫離。即使當藉由使用無機膏將多孔體埋入通孔中，也會因隨時間的劣化而降低附著力，因此當將冷卻氣體從設置在底板中的氣體通道供應至通孔時， 多孔體可能因氣壓而從通孔脫離。多孔體脫離，以致於在後續的基板處理中很可能發生異常放電。
本發明是根據這樣的研究結果而產生，並且本發明抑制多孔體從通孔脫離，從而進一步抑制異常放電。
在下文中，將參考所附圖式來描述本發明的具體例。注意，在說明書及附圖中，具有大致相同功能配置之構成元件以相同的元件符號來表示，並且可以省略重複的描述。
(第一具體例) 首先，描述第一具體例。圖1係顯示依據第一具體例之基板固定裝置的剖視圖。
如圖1所示，依據第一具體例之基板固定裝置1包括主要構成元件：底板10、黏著層20及靜電吸附構件30。
底板10是用於安裝靜電吸附構件30的構件。底板10的厚度可以例如為大約20mm至50mm。底板10由例如鋁形成，並且亦可以用作控制電漿的電極等。藉由供應預定的高頻電力至底板10，可以控制用於使處於產生的電漿狀態中之離子等與吸附在靜電吸附構件30上之諸如晶圓的基板碰撞之能量，以及可以有效地進行蝕刻處理。
底板10內設置有水通道15。水通道15在一端具有冷卻水引入部15A，而在另一端具有冷卻水排出部15B。水通道15與設置在基板固定裝置1外部的冷卻水控制裝置(未顯示)連接。冷卻水控制裝置(未顯示)配置成將冷卻水從冷卻水引入部15A引入水通道15，並且將冷卻水從冷卻水排出部15B排出。藉由在水通道15中使冷卻水循環來冷卻底板10，可以冷卻吸附在靜電吸附構件30上的基板。
底板10內進一步設置有氣體通道16。將用於冷卻吸附在靜電吸附構件30上的基板之諸如氦(He)氣體的惰性氣體引入氣體通道16。
靜電吸附構件30具有基體31、靜電電極32及發熱體33。靜電吸附構件30是例如Johnsen-Rahbek型靜電吸盤。靜電吸附構件30亦可以是庫侖力型靜電吸盤。
基體31具有介電質構件41及複數個多孔體110。
介電質構件41的材料例如是諸如氧化鋁(Al 2O 3)、氮化鋁(AlN)的陶瓷。介電質構件41的厚度為例如大約1mm至10mm，並且介電質構件41的相對介電常數在1kHz的頻率下例如為大約9至10。
介電質構件41具有第一表面41A及在第一表面41A的相對側上之第二表面41B。第二表面41B藉由黏著層20黏合至底板10。基板被吸附在第一表面41A上。介電質構件41形成有從第一表面41A貫穿至第二表面41B的複數個通孔120。通孔120構造成與底板10的氣體通道16相通。每個通孔120中設置有一個多孔體110。稍後將描述多孔體110及通孔120的形狀。
靜電電極32是例如薄膜電極且埋設在介電質構件41中。靜電電極32與設置在基板固定裝置1的外部之電源連接，並且當施加預定電壓至靜電電極32時，在靜電電極與基板之間產生因靜電而引起的吸附力，以致於可以將基板吸附及保持在靜電吸附構件30上。對靜電電極32施加的電壓越高，吸附保持力越強 。靜電電極32可以具有單極形狀或雙極形狀。作為靜電電極32，例如可以使用鎢、鉬等的燒結體。
發熱體33埋設在介電質構件41中。例如可以使用鎢、鉬等的燒結體作為發熱體33。亦可以使用軋製合金(rolled alloy)作為發熱體33。
黏著層20使靜電吸附構件30黏合至底板10。例如可以使用矽基黏著劑作為黏著層20。黏著層20亦可以包含填料，例如，氧化鋁或氮化鋁。黏著層20的厚度為例如大約0.1mm至3mm。黏著層20的熱導率較佳地為2W/m·K以上。黏著層20亦可以由單層或多層形成。例如，藉由形成將具有高熱導率的黏著劑與具有低彈性模數的黏著劑組合之兩層結構，可以獲得可減少由底板10與靜電吸附構件30之間的熱膨脹差異所產生之應力的效果。
在此，描述多孔體110及通孔120的形狀。圖2A及2B顯示依據第一具體例之靜電吸附構件30。圖2A係平面圖，而圖2B係剖視圖。圖2B對應於沿著圖2A中之線IIb-IIb截取的剖視圖。
如圖2A及2B所示，多孔體110具有截錐形狀，並且通孔120具有適合多孔體110的形狀。
通孔120具有位於第一表面41A的上開口121及位於第二表面41B的下開口122。上開口121及下開口122具有圓形形狀，並且如從與第一表面41A垂直的第一方向所俯視，上開口121的中心與下開口122的中心彼此重疊。
此外，下開口122的直徑大於上開口121的直徑。在平行於第一表面41A的平面中之通孔120的開口面積從上開口121朝下開口122線性地增加。亦即，通孔120的內壁面形成為從第一方向傾斜之傾斜面，使得通孔120的開口面積朝下開口122增加。通孔120的開口面積之最小直徑與最大直徑之差等於或大於0.4mm。在此實例中，上開口121的直徑與下開口122的直徑之差等於或大於0.4mm。在從第一方向俯視時，整個上開口121在下開口122的內部。上開口121是第一開口的一個實例，而下開口122是第二開口的一個實例。在這種情況下，第一距離為0，而第二距離與介電質構件41的厚度相同。
如上所述，多孔體110具有截錐形狀。多孔體110具有與第一表面41A齊平的第三表面113及與第二表面41B齊平的第四表面114。第三表面113的形狀及尺寸與上開口121的形狀及尺寸大致匹配。第四表面114的形狀及尺寸與下開口122的形狀及尺寸大致匹配。在從第一方向俯視時，多孔體110具有位於上開口121內側的第一部分131及與第一部分131連接且位於上部開口121外側的第二部分132。除了第三表面113的面積以外，垂直於第一方向的多孔體110之橫截面之橫截面積大於上開口121的開口面積。
如上所述，通孔120配置成與氣體通道16相通。在平面圖中使通孔120的下開口122及多孔體110的第四表面114形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A大。
在依據第一具體例的基板固定裝置1中，多孔體110具有第一部分131及第二部分132。因此，即使當減少多孔體110與介電質構件41之間的附著力時，可以抑制多孔體110從通孔120脫離。也就是說，即使當將冷卻氣體從設置在底板10中之氣體通道16供應至通孔120及因而將氣體壓力施加至多孔體110時，第二部分132也無法通過上開口121而被限制在通孔120中，以致於可以抑制多孔體110從通孔120脫離。
因此，可以抑制多孔體110從通孔120脫離，並且可以抑制因多孔體110的脫離所引起的異常放電。
再者，因為多孔體110與介電質構件41黏合，所以在多孔體110與介電質構件41之間獲得極佳的黏合強度。具體地，當電介電質構件41由陶瓷製成時，容易獲得有利的黏合強度。
多孔體110較佳地與由陶瓷製成的介電質構件41接觸。這是因為獲得有利的黏合強度，多孔體與介電質構件之間的熱膨脹係數差異小，以及可以減少熱應力。
另外，因為多孔體110的第三表面113與第一表面41A齊平，所以當基板被靜電吸附構件30吸附時，第三面113與基板之間不存在顯著的間隙。因此，可以抑制多孔體110與基板之間的放電。
一種在通孔120中設置多孔體110的方法不受限制。例如，多孔體110可以藉由無機材料等的燒結來形成，並且可以藉由黏著劑等固定至通孔120的內表面。再者，多孔體110可以藉由將包含粒子(較佳地，無機材料的球形粒子)的膏施加至通孔120中及然後對膏進行燒烤而形成在通孔120中。作為無機材料，可以使用陶瓷、玻璃等。具體地，較佳的是多孔體110的主要成分與介電質構件41的主要成分是相同的。
在前者的方法中，嚴格來說，使多孔體110形成為比通孔120稍小，並且用黏著劑等填充間隙。然而，在後者的方法中，可以將多孔體110直接黏合至通孔120的內壁面。因此，依據後者的方法，可以增加多孔體110在通孔120中的佔有率。另外，在後者方法的情況下，藉由從下開口122施加膏，可輕易地將膏埋置在通孔120中而不形成空隙。
注意，在從第一方向俯視時，當上開口121的至少一部分位於下開口122的內部時，上開口121的至少一部分亦可以位於下開口122的外部。
(第二具體例) 接下來，描述第二具體例。第二具體例與第一具體例的不同之處在於通孔及多孔體的形狀。在此，描述在第二具體例中之多孔體及通孔的形狀。圖3係顯示依據第二具體例之靜電吸附構件30的剖視圖。
在第二具體例中，基體31具有複數個多孔體210，而不是複數個多孔體110。再者，介電質構件41形成有複數個通孔220，而不是複數個通孔120。通孔220配置成與底板10的氣體通道16相通。每個通孔220中設置有一個多孔體210。
如圖3所示，多孔體210具有這樣的形狀：複數個圓柱體，例如，三個圓柱體，這些圓柱體隨著越靠近第一表面41A而具有越小的橫截面積，這些圓柱體彼此重疊，並且通孔220具有適合多孔體210的形狀。
通孔220具有位於第一表面41A的上開口221及位於第二表面41B的下開口222。上開口221及下開口222具有圓形形狀，並且如從與第一表面41A垂直的第一方向所俯視，上開口221的中心與下開口222的中心彼此重疊。
此外，下開口222的直徑大於上開口221的直徑。在平行於第一表面41A的平面中的通孔220之開口面積從上開口221朝下開口222階梯式地增加。亦即，通孔220的內壁面為階梯面。通孔220的開口面積之最小直徑與最大直徑之差等於或大於0.4mm。在此實例中，上開口221的直徑與下開口222的直徑之差等於或大於0.4mm。在從第一方向俯視時，整個上開口221在下開口222的內部。上開口221是第一開口的一個實例，而下開口222是第二開口的一個實例。在這種情況下，第一距離為0，而第二距離與介電質構件41的厚度相同。
如上所述，多孔體210具有這樣的形狀：複數個圓柱體，例如，三個圓柱體，這些圓柱體隨著越靠近第一表面41A而具有越小的橫截面積，這些圓柱體彼此重疊。多孔體210具有與第一表面41A齊平的第三表面213及與第二表面41B齊平的第四表面214。第三表面213的形狀及尺寸與上開口221的形狀及尺寸大致匹配。第四表面214的形狀及尺寸與下開口222的形狀及尺寸大致匹配。在從第一方向俯視時，多孔體210具有位於上開口221內側的第一部分231及與第一部分231連接且位於上部開口221外側的第二部分232。除了第三表面213的面積以外，垂直於第一方向的多孔體210之橫截面之橫截面積大於上開口221的開口面積。
如上所述，通孔220配置成與氣體通道16相通。在平面圖中使通孔220的下開口222及多孔體210的第四表面214形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A大。
在依據第二具體例的基板固定裝置中，多孔體210具有第一部分231及第二部分232。因此，即使當減少多孔體210與介電質構件41之間的附著力時，可以抑制多孔體210從通孔220脫離。也就是說，即使當將冷卻氣體從設置在底板10中之氣體通道16供應至通孔220及因而將氣體壓力施加至多孔體210時，第二部分232也無法通過上開口221而被限制在通孔220中，以致於可以抑制多孔體210從通孔220脫離。
一種在通孔220中設置多孔體210的方法不受限制。例如，多孔體210可以藉由無機材料等的燒結來形成，並且可以藉由黏著劑等固定至通孔220的內表面。再者，多孔體210可以藉由將包含粒子(較佳地，無機材料的球形粒子)的膏施加至通孔220中及然後對膏進行燒烤而形成在通孔220中。在後者方法的情況下，藉由從下開口222施加膏，可輕易地將膏埋置在通孔220中而不形成空隙。
(第三具體例) 接下來，描述第三具體例。第二具體例與第一具體例的不同之處在於通孔及多孔體的形狀。在此，描述在第三具體例中之多孔體及通孔的形狀。圖4係顯示依據第三具體例之靜電吸附構件30的剖視圖。
在第三具體例中，基體31具有複數個多孔體310，而不是複數個多孔體110。再者，介電質構件41形成有複數個通孔320，而不是複數個通孔120。通孔320配置成與底板10的氣體通道16相通。每個通孔320中設置有一個多孔體310。
如圖4所示，多孔體310具有鼓形，並且通孔320具有適合多孔體310的形狀。
通孔320具有位於第一表面41A的上開口321、位於第二表面41B的下開口322及位於上開口321與下開口322之間的中間開口323。上開口321、下開口322及中間開口323具有圓形形狀，並且如從與第一表面41A垂直的第一方向所俯視，上開口321的中心、下開口322的中心及中間開口323的中心彼此重疊。
此外，下開口322的直徑與上開口321的直徑大致相同。上開口321的直徑及下開口322的直徑大於中間開口323的直徑。在平行於第一表面41A的平面中的通孔320之開口面積從上開口321朝中間開口323線性地減少及從中間開口323朝下開口322線性地增加。亦即，使通孔320的內壁面形成為從第一方向傾斜的傾斜面，使得通孔320的開口面積在上開口321與中間開口323之間朝中間開口323減少，而通孔320的開口面積在中間開口323與下開口322之間朝下開口322增加。通孔320的開口面積之最小直徑與最大直徑之差等於或大於0.4mm。在此實例中，中間開口323的直徑與上開口321或下開口322的直徑之差等於或大於0.4mm。在從第一方向俯視時，整個中間開口323在下開口322的內部。中間開口323是第一開口的一個實例，而下開口322是第二開口的一個實例。在這種情況下，第一距離是第一表面41A與中間開口323之間的距離，第二距離與介電質構件41的厚度相同。
如上所述，多孔體310具有鼓形。多孔體310具有與第一表面41A齊平的第三表面313及與第二表面41B齊平的第四表面314。第三表面313的形狀及尺寸與上開口321的形狀及尺寸大致匹配。第四表面314的形狀及尺寸與下開口322的形狀及尺寸大致匹配。在從第一方向俯視時，多孔體310具有位於中間開口323內側的第一部分331以及與第一部分331連接及比中間開口323更靠近下開口322且位於中間開口323外側的第二部分332。對於與第一方向垂直的多孔體310之橫截面之橫截面積，比中間開口323更靠近下開口322的一側具有大於中間開口323的開口面積之橫截面積。
如上所述，通孔320配置成與氣體通道16相通。在平面圖中使通孔320的下開口322及多孔體310的第四表面314形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A大。在平面圖中亦可以使通孔320的下開口322及多孔體310的第四表面314形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A小。
在依據第三具體例的基板固定裝置中，多孔體310具有第一部分331及第二部分332。因此，即使當減少多孔體310與介電質構件41之間的附著力時，可以抑制多孔體310從通孔320脫離。也就是說，即使當將冷卻氣體從設置在底板10中之氣體通道16供應至通孔320及因而將氣體壓力施加至多孔體310時，第二部分332也無法通過中間開口323而被限制在通孔320中，以致於可以抑制多孔體310從通孔320脫離。
一種在通孔320中設置多孔體310的方法不受限制。例如，多孔體310可以藉由將包含粒子(較佳地，無機材料的球形粒子)的膏施加至通孔320中及然後對膏進行燒烤而形成在通孔320中。
(第四具體例) 接下來，描述第四具體例。第四具體例與第一具體例的不同之處在於通孔及多孔體的形狀。在此，描述在第四具體例中之多孔體及通孔的形狀。圖5係顯示依據第四具體例之靜電吸附構件30的剖視圖。
在第四具體例中，基體31具有複數個多孔體410，而不是複數個多孔體110。再者，介電質構件41形成有複數個通孔420，而不是複數個通孔120。通孔420配置成與底板10的氣體通道16相通。每個通孔420中設置有一個多孔體410。
如圖5所示，多孔體410的側面形成有像外螺紋狀的螺旋槽，通孔420的內壁面形成有像內螺紋的螺旋槽，以及通孔420具有適合多孔體410的形狀。
通孔420具有位於第一表面41A的上開口421及位於第二表面41B的下開口422。上開口421及下開口422具有圓形形狀，並且如從與第一表面41A垂直的第一方向所俯視，上開口421的中心與下開口422的中心大致上彼此重疊。
在從與第一表面41A垂直的第一方向俯視時，連接在通孔420的側面上形成之螺旋槽的底部之底部曲線是環狀的，並且連接在第一方向上彼此相鄰的螺旋槽之間的頂部之頂部曲線亦是環狀的。底部曲線的環面積大於頂部曲線的環面積。在從與第一表面41A垂直的第一方向俯視時，對應於構成一圈的環的頂部曲線之頂部開口423是第一開口的一個實例，而比頂部開口423更靠近下開口422且對應於構成一圈的環的底部曲線之底部開口424是第二開口的一個實例。在這種情況下，第一距離是第一表面41A與頂部開口423中最靠近第一表面41A的部分之間的距離，而第二距離是第一表面41A與底部開口424中最靠近第一表面41A的部分之間的距離。在從第一方向俯視時，整個頂部開口423是在底部開口424的內部。
如上所述，多孔體410的側面形成有像外螺紋的螺旋槽。多孔體410具有與第一表面41A齊平的第三表面413及與第二表面41B齊平的第四表面414。第三表面413的形狀及尺寸與上開口421的形狀及尺寸大致匹配。第四表面414的形狀及尺寸與下開口422的形狀及尺寸大致匹配。在從第一方向俯視時，多孔體410具有位於頂部開口423內側的第一部分431以及連接至第一部分431及比頂部開口423更靠近下開口422且位於頂部開口423外側的第二部分432。
如上所述，通孔420配置成與氣體通道16相通。在平面圖中使通孔420的下開口422及多孔體410的第四表面414形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A大。在平面圖中亦可以使通孔420的下開口422及多孔體410的第四表面414形成為比在靜電吸附構件30側上之氣體通道16的開口16A小。
在依據第四具體例的基板固定裝置中，多孔體410具有第一部分431及第二部分432。因此，即使當減少多孔體410與介電質構件41之間的附著力時，可以抑制多孔體410從通孔420脫離。也就是說，即使當將冷卻氣體從設置在底板10中之氣體通道16供應至通孔420及因而將氣體壓力施加至多孔體410時，第二部分432也無法通過頂部開口423而被限制在通孔420中，以致於可以抑制多孔體410從通孔420脫離。
一種在通孔420中設置多孔體410的方法不受限制。例如，多孔體410可以藉由無機材料等的燒結來形成，並且可以藉由黏著劑等固定至通孔420的內表面。多孔體410可旋入通孔420中。再者，多孔體410可以藉由將包含粒子(較佳地，無機材料的球形粒子)的膏施加至通孔420中及然後對膏進行燒烤而形成在通孔420中。
雖然已經詳細描述較佳具體例等，但是本發明不限於上述具體例等，並且可以在不脫離請求項中所界定之範圍的情況下對上述具體例等進行各種改變及替換。
1:基板固定裝置 10:底板 15:水通道 15A:冷卻水引入部 15B:冷卻水排出部 16:氣體通道 16A:開口 20:黏著層 30:靜電吸附構件 31:基體 32:靜電電極 33:發熱體 41:介電質構件 41A:第一表面 41B:第二表面 110:多孔體 113:第三表面 114:第四表面 120:通孔 121:上開口 122:下開口 131:第一部分 132:第二部分 210:多孔體 213:第三表面 214:第四表面 220:通孔 221:上開口 222:下開口 231:第一部分 232:第二部分 310:多孔體 313:第三表面 314:第四表面 320:通孔 321:上開口 322:下開口 323:中間開口 331:第一部分 332:第二部分 410:多孔體 413:第三表面 414:第四表面 420:通孔 421:上開口 422:下開口 423:頂部開口 424:底部開口 431:第一部分 432:第二部分
圖1係顯示依據第一具體例之基板固定裝置的剖視圖。 圖2A及2B顯示依據第一具體例之靜電吸附構件。 圖3係顯示依據第二具體例之靜電吸附構件的剖視圖。 圖4係顯示依據第三具體例之靜電吸附構件的剖視圖。 圖5係顯示依據第四具體例之靜電吸附構件的剖視圖。
10:底板
16:氣體通道
16A:開口
20:黏著層
30:靜電吸附構件
31:基體
41:介電質構件
41A:第一表面
41B:第二表面
110:多孔體
113:第三表面
114:第四表面
120:通孔
121:上開口
122:下開口
131:第一部分
132:第二部分

Claims (8)

  1. 一種靜電吸附構件，包括： 一介電質構件，具有一第一表面及在該第一表面的相對側上之一第二表面，並且形成有從該第一表面貫穿至該第二表面的一通孔；以及 一多孔體，設置在該通孔中且具有與該第一表面齊平的一第三表面， 其中，該通孔具有： 一第一開口，在與該第一表面垂直的一第一方向上與該第一表面隔開一第一距離；以及 一第二開口，在該第一方向上與該第一表面隔開比該第一距離大的一第二距離， 其中，在從該第一方向俯視時，該第一開口的至少一部分係在該第二開口內部，以及 其中，在從該第一方向俯視時，該多孔體具有： 一第一部分，位於該第一開口內側；以及 一第二部分，連接至該第一部分且位於該第一開口外側。
  2. 如請求項1之靜電吸附構件，其中，該通孔裝填有該多孔體。
  3. 如請求項1或2之靜電吸附構件，其中，該第一開口位於該第一表面。
  4. 如請求項1或2之靜電吸附構件，其中，該第二開口位於該第二表面。
  5. 如請求項1或2之靜電吸附構件，其中，在從該第一方向俯視時，整個該第一開口係在該第二開口內部。
  6. 如請求項1或2之靜電吸附構件，其中，該通孔的內壁面形成有一螺旋槽。
  7. 如請求項1或2之靜電吸附構件，其中，該介電質構件具有埋入其中的一靜電電極。
  8. 一種基板固定裝置，包括： 請求項1或2之靜電吸附構件；以及 一底板，黏合至該第二表面。
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