TW202033910A - 濃度控制裝置、原料消耗量推定方法以及程式儲存媒體 - Google Patents

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Abstract

用於提供在不增設新的感測器等的情況下，準確地推定汽化罐內的原料的消耗量，且能夠進行與原料的剩餘量對應的高精度的濃度控制的濃度控制裝置，其在汽化器中對原料氣體的濃度進行控制，汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由原料汽化而從汽化罐導出的原料氣體流通的原料氣體導出通路，濃度控制裝置具備：濃度監測器，其設置於原料氣體導出通路，輸出與原料氣體的濃度對應的輸出信號；濃度計算部，其基於來自濃度監測器的輸出信號，來計算原料氣體的濃度；以及原料消耗量計算器，其基於計算濃度和載氣的流量，來計算作為原料氣體而導出到原料氣體導出通路的原料的消耗量。

Description

濃度控制裝置、原料消耗量推定方法以及程式儲存媒體
本發明涉及透過載氣使容納於汽化罐內的原料汽化並將其與載氣一起導出的對原料氣體的濃度進行控制的濃度控制裝置。
在半導體製造工藝中，進行將載氣導入到容納於例如汽化罐內的液體原料，而將透過起泡被汽化的原料氣體向成膜用的腔室等供給（參照專利文獻1）。
為了將這樣的原料氣體的濃度保持在期望的濃度，使用濃度控制裝置。這樣的濃度控制裝置具備：設置在將汽化罐與腔室之間連接的原料氣體導出通路上且檢測原料氣體的濃度的濃度檢測機構、對被導入到汽化罐內的載氣的流量進行控制的第一質量流量控制器、對向原料氣體供給通路供給的稀釋氣體的流量進行控制的第二質量流量控制器、以及對各質量流量控制器進行控制的控制機構。另外，控制機構以使由使用者設定的設定濃度與利用濃度檢測機構檢測出的檢測濃度之間的偏差變小的方式，對設定於各質量流量控制器的設定流量進行濃度回饋控制。
然而，如果汽化罐內的原料的汽化進展，原料的剩餘量減少，則有時作為濃度回饋控制系統的特性會改變。其結果，即使持續進行相同的控制，有時也無法實現期望的濃度控制。 現有專利文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2010-278167號公報
本發明是鑒於上述那樣的問題而做出的，其目的在於，提供一種濃度控制裝置，其在不增設新的感測器等的情況下準確地推定汽化罐內的原料的消耗量，且能夠進行與原料的剩餘量對應的高精度的濃度控制。
即，本發明的濃度控制裝置的特徵在於，其在汽化器中對原料氣體的濃度進行控制，上述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向上述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由上述原料汽化而從上述汽化罐導出的上述原料氣體流通的原料氣體導出通路，上述濃度控制裝置具備：濃度監測器，其設置於上述原料氣體導出通路，輸出與上述原料氣體的濃度對應的輸出信號；濃度計算部，其基於來自上述濃度監測器的輸出信號，來計算上述原料氣體的濃度；以及原料消耗量計算器，其基於上述計算濃度和上述載氣的流量，來計算作為上述原料氣體而導出到上述原料氣體導出通路的上述原料的消耗量。
在此，上述載氣的流量可以是由流量感測器實測的值、對質量流量控制器等的流量控制裝置設定的設定值。。
如果是這樣的濃度控制裝置，則即使不另行設置檢測原料的消耗量或剩餘量的感測器，也能夠基於作為為了進行濃度控制所必須的構成的濃度監測器的輸出來推定原料的消耗量。另外，由於在每個進行濃度控制的控制週期得到上述計算濃度，因此能夠幾乎即時地得到原料的消耗量，能夠準確地獲得在該時間點下的濃度控制系統的狀態。其結果，能夠根據濃度控制系統的狀態自動設定例如最佳的控制參數，而無論原料的剩餘量如何均實現始終恆定精度的濃度控制。
濃度控制裝置可以為：在上述汽化器還具備稀釋氣體供給通路，上述稀釋氣體供給通路與上述原料氣體導出通路匯流而向該原料氣體導出通路供給稀釋氣體，上述原料氣體被稀釋而進行濃度控制的情況下，為了能夠準確地推定上述原料的消耗量，上述原料消耗量計算器基於上述計算濃度和總載流量來計算上述原料的消耗量，上述總載流量是上述載氣的流量與上述稀釋氣體的流量的合計。
作為用於計算上述原料的消耗量的具體的構成例，可列舉濃度控制裝置為：上述原料消耗量計算器具備：原料流量計算部，其根據各時刻下的上述計算濃度和上述總載流量，來計算各時刻下的上述原料氣體的流量；以及消耗量計算部，其基於各時刻下的上述原料氣體的流量、以及向上述原料氣體導出通路供給上述原料氣體的原料氣體供給時間，來計算上述原料的消耗量。
為了將至此為止的濃度控制的結果反映到上述原料的消耗量的計算值，而能夠掌握更加準確的控制狀態，上述濃度控制裝置可以為：其還具備：第一質量流量控制器，其設置於上述載氣供給通路，以使在該載氣供給通路中流通的上述載氣的流量成為第一設定流量的方式進行控制；以及第二質量流量控制器，其設置於上述稀釋氣體供給通路，以使在該稀釋氣體供給通路中流通的上述稀釋氣體的流量成為第二設定流量的方式進行控制，上述原料流量計算部根據上述第一設定流量或由該第一質量流量控制器檢測出的載氣的流量、以及上述第二設定流量或由上述第二質量流量控制器檢測出的稀釋氣體的流量，來計算總載流量。
為了即使根據上述原料的剩餘量的變化的濃度控制系統的狀態發生了變化，也能夠改變回饋控制特性以實現始終恆定的精度，上述濃度控制裝置可以為：其還具備濃度控制部，上述濃度控制部基於預先設定的設定濃度與上述計算濃度之間的偏差、以及設定的控制參數，來改變設定於上述第一質量流量控制器的上述第一設定流量和設定於上述第二質量流量控制器的上述第二設定流量，並對上述原料氣體的濃度進行控制，根據由上述原料消耗量計算器計算出的上述原料的消耗量或者上述汽化罐內的上述原料的剩餘量來改變上述控制參數。
為了在不使用稀釋氣體而進行濃度控制的情況下，能夠準確地推定原料的消耗量，上述濃度控制裝置可以為：上述原料消耗量計算器具備：原料流量計算部，其根據各時刻下的上述計算濃度和上述載氣的流量，來計算各時刻下的上述原料氣體的流量；以及消耗量計算部，其基於各時刻下的上述原料氣體的流量、以及向上述原料氣體導出通路供給上述原料氣體的原料氣體供給時間，來計算上述原料的消耗量。
為了即使在透過壓力控制來實現上述原料氣體的濃度的情況下，也能夠準確地掌握上述汽化罐內的上述原料的剩餘量，上述濃度控制裝置可以為：其還具備：第一質量流量控制器，其設置於上述載氣供給通路，以使在該載氣供給通路中流通的上述載氣的流量成為第一設定流量的方式進行控制；以及壓力控制閥，其設置於上述原料氣體導出通路，上述原料消耗量計算器基於上述第一設定流量或由該第一質量流量控制器檢測出的載氣的流量，來計算上述原料的消耗量。
作為在透過上述壓力控制閥來控制上述原料氣體的濃度的情況下，能夠改變為與上述原料的剩餘量對應的控制特性的具體的構成例，可列舉上述濃度控制裝置為：其還具備濃度控制部，上述濃度控制部基於預先設定的設定濃度與上述計算濃度之間的偏差、以及設定的控制參數，至少對上述壓力控制閥的開度進行控制，並對上述原料氣體的濃度進行控制，根據由上述原料消耗量計算器計算出的上述原料的消耗量或者上述汽化罐內的上述原料的剩餘量來改變上述控制參數。
作為用於實現與根據原料的消耗量的控制特性的變化對應的濃度控制的具體的實施方式，可列舉上述濃度控制裝置為：其還具備：控制參數儲存部，其儲存有多個與上述原料的消耗量或上述原料的剩餘量對應的控制參數；以及控制參數設定部，其根據由上述原料消耗量計算器計算出的原料的消耗量或上述原料的剩餘量，參照上述控制參數儲存部，對上述濃度控制部設定對應的控制參數。
作為基於用於原料氣體的濃度控制的感測器的輸出，在不另行增設感測器的情況下，準確地推定原料的消耗量的原料消耗量推定方法，可列舉一種原料消耗量推定方法，其是在汽化器中推定原料的消耗量的方法，上述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向上述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由上述原料汽化而從上述汽化罐導出的上述原料氣體流通的原料氣體導出通路，上述原料消耗量推定方法包括：濃度計算步驟，基於來自設置於上述原料氣體導出通路的濃度監測器的輸出信號，來計算上述原料氣體的濃度；以及原料消耗量計算步驟，基於上述載氣的流量和由上述濃度計算步驟計算出的計算濃度，來計算作為上述原料氣體而導出到上述原料氣體導出通路的上述原料的消耗量。
為了對已有的濃度控制裝置附加推定原料的消耗量的功能，可使用濃度控制裝置用程式，其特徵在於，上述濃度控制裝置在汽化器中具備濃度監測器，對原料氣體的濃度進行控制，上述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向上述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由上述原料汽化而從上述汽化罐導出的上述原料氣體流通的原料氣體導出通路，上述濃度監測器設置於上述原料氣體導出通路且輸出與上述原料氣體的濃度對應的輸出信號，上述濃度控制裝置用程式使電腦發揮作為濃度計算部和原料消耗量計算器的功能，上述濃度計算部基於來自上述濃度監測器的輸出信號，來計算上述原料氣體的濃度，上述原料消耗量計算器基於上述載氣的流量和上述濃度計算部所計算的計算濃度，來計算作為上述原料氣體而導出到上述原料氣體導出通路的上述原料的消耗量。
應予說明，濃度控制裝置用程式可以是透過電子傳送的程式，也可以是儲存於CD、DVD、閃速記憶體等程式儲存媒體的程式。
如此根據本發明的濃度控制裝置，能夠基於濃度監測器的輸出，在不附加濃度控制用途以外的感測器的情況下準確地推定上述汽化罐內的上述原料的消耗量或剩餘量。其結果，由於能夠準確地掌握上述原料的剩餘量，因此能夠根據控制狀態的變化來改變控制參數等，實現始終恆定的精度的濃度控制。
基於圖式對本發明的第一實施方式的濃度控制系統200進行說明。
本發明的濃度控制系統200是用於向例如設置於半導體生產線等而在半導體製造工藝中使用的腔室CH供給預定濃度的氣體的系統。
本實施方式的濃度控制系統200是所謂的稀釋式（流量式）系統。如圖1所示，濃度控制系統200由汽化器100以及設備的至少一部分安裝於汽化器100的濃度控制裝置101構成。
汽化器100具備：容納液體或固體的材料的汽化罐10、向汽化罐10供給載氣的載氣供給通路L1、從汽化罐10導出由材料汽化而成的原料氣體的原料氣體導出通路L2、向原料氣體導出通路L2供給對原料氣體進行稀釋的稀釋氣體的稀釋氣體供給通路L3、以及用於在向腔室CH供給原料氣體與向腔室CH停止供給原料氣體之間進行切換的切換機構20。
切換機構20具有接收從後述的濃度控制裝置101的控制機構C輸出的閥切換信號而進行開閉的多個閥V1～V3。而且，切換機構20的閥V1～V3透過在由使用者預先設定的時機進行開閉，從而重複進行向汽化罐10供給載氣和停止向汽化罐10供給載氣。由此，原料氣體間歇性地從汽化罐10導出而間歇性地向腔室CH供給。即，在本實施方式的濃度控制系統200中，構成為將原料氣體（具體而言為混合氣體）向腔室CH供給的供給期間與停止該供給的停止期間交替重複。
具體而言，切換機構20具備：將載氣供給通路L1與原料氣體導出通路L2連接的迂回流路L4、設置於載氣供給通路L1中的比與迂回流路L4的連接部位更靠近下游側的位置的第一閥V1、設置於原料氣體導出通路L2中的比與迂回流路L4的連接部位更靠近上游側的位置的第二閥V2、以及設置于迂回流路L4的第三閥V3。
具體而言，透過打開切換機構20的第一閥V1和第二閥V2並且關閉第三閥V3，從而處於使原料氣體向腔室CH供給的供給期間，透過將切換機構20的第一閥V1和第二閥V2關閉並且將第三閥V3打開，從而處於使原料氣體不向腔室CH供給的停止期間。
濃度控制裝置101具備：設置於載氣供給通路L1的第一質量流量控制器MFC1、設置於原料氣體導出通路L2的濃度監測器40、設置於稀釋氣體供給通路L3的第二質量流量控制器MFC2、以及基於濃度監測器40的輸出而對各質量流量控制器MFC1、MFC2進行控制並且對原料氣體的濃度進行控制的控制機構。
第一質量流量控制器MFC1是對在載氣供給通路L1中流通的載氣的流量進行控制的控制器。第一質量流量控制器MFC1具備：例如壓力式流量感測器、壓電閥等流量調節閥、以及具有CPU和/或記憶體等的控制電路（對各部件未圖示）。第一質量流量控制器MFC1以使由控制機構C設定的第一設定流量與由流量感測器檢測出的載氣的流量之間的偏差變小的方式對流量調節閥的開度進行回饋控制。
濃度監測器40在原料氣體導出通路L2中設置於比與稀釋氣體供給通路L3的匯流點更靠向下游側的位置。該濃度監測器40輸出與包含原料氣體、載氣和稀釋氣體的混合氣體中所含的原料氣體的濃度對應的信號。即，本實施方式的濃度監測器40利用以混合氣體中所含的原料氣體的壓力（分壓）相對於混合氣體的壓力（總壓）的比率來表示混合氣體中所含的原料氣體的濃度（vol%）。具體而言，濃度監測器40具備：檢測混合氣體的總壓的壓力計41、以及檢測原料氣體的分壓的利用例如非分散型紅外吸收法（NDIR法）的分壓計42。
第二質量流量控制器MFC2是對在稀釋氣體供給通路L3中流通的稀釋氣體的流量進行控制的控制器。與第一質量流量控制器MFC1同樣，第二質量流量控制器MFC2具備：例如壓力式流量感測器、壓電閥等流量調節閥、以及具有CPU和/或記憶體等的控制電路（對各部件未圖示）。第二質量流量控制器MFC2也以使由控制機構C設定的第二設定流量與由流量感測器檢測出的載氣的流量之間的偏差變小的方式對流量調節閥的開度進行回饋控制。
具體而言，控制機構C是具有CPU、記憶體、A/D轉換器、D/A轉換器、輸入輸出部等的電腦，透過利用CPU來執行儲存於記憶體的程式，從而如圖2所示，至少發揮作為濃度計算部C1、供給控制部（未圖示）、濃度控制部C2、原料消耗量計算器C3、控制參數設定部C6、控制參數儲存部C7等的功能。
濃度計算部C1基於從濃度監測器40輸出的輸出信號來計算混合氣體中所含的原料氣體的濃度。具體而言，分別從壓力計41和分壓計42獲取輸出信號，計算由分壓計42檢測出的分壓相對于由壓力計41檢測出的總壓的比率作為混合氣體中所含的原料氣體的濃度（vol%）。
供給控制部接收閥開閉信號而判定是否為原料氣體的供給期間，基於其判定結果來切換切換機構20的狀態。
濃度控制部C2透過在例如原料氣體的供給期間，基於由濃度計算部C1計算出的計算濃度、由使用者設定的設定濃度、以及設定的控制參數，對第一質量流量控制器MFC1和第二質量流量控制器MFC2中的至少一者進行控制，從而以使原料氣體的計算濃度接近設定濃度的方式進行濃度回饋控制。應予說明，在濃度控制部C2中進行PID控制，控制參數相當於例如各種增益。
具體而言，向濃度控制部C2輸入由使用者預先設定的混合氣體中所含的材料氣體的設定濃度、以及向腔室CH供給的氣體的目標總流量。作為載氣的目標流量的第一設定流量透過基於該設定濃度與檢測濃度之間的偏差的濃度回饋控制而被逐漸改變。另外，作為稀釋氣體的目標流量的第二設定流量被設定為其與第一設定流量的合計量和目標總流量一致。
原料消耗量計算器C3基於用於濃度控制的各種感測器的輸出來計算原料的消耗量。在本實施方式中，原料消耗量計算器C3基於載氣的流量、稀釋氣體的流量、原料氣體的濃度來計算原料的消耗量。
具體而言，原料消耗量計算器C3具備：計算在原料氣體導出通路L2中流通的原料氣體的流量的原料流量計算部C4、以及基於計算出的原料氣體的流量和向原料氣體導出通路L2供給原料氣體的時間來計算原料消耗量的消耗量計算部C5。
原料流量計算部C4利用原料的濃度等於將在原料氣體導出通路L2中流通的原料氣體的流量除以整個混合氣體的流量而得的值來計算原料氣體的流量。具體而言，如下的關係式成立。 C＝QV /QT （1） QT ＝QV ＋QC ＋QD （2）
在此，C為原料氣體的濃度（vol.%），QV 為原料氣體的流量（sccm），QT 為混合氣體的流量（sccm），QC 為載氣的流量（sccm），QD 為稀釋氣體的流量（sccm）。
如果根據這些式（1）、式（2）求解原料的流量QV ，則為如下。 QV ＝（QC ＋QD ）｛C/（1-C）｝　　　（3）
如此，原料流量計算部C4基於式（3），根據載氣的流量與稀釋氣體的流量之和即總載流量QC ＋QD 以及計算濃度C來計算原料的流量QV 。在本實施方式中，對總載流量使用由各質量流量控制器MFC1、MFC2的流量感測器檢測出的值。應予說明，也可以不使用流量感測器的實測值，而使用例如由控制機構C設定的設定流量，還可以使用由使用者設定的設定流量。
消耗量計算部C5將在例如每個控制週期由原料流量計算部計算出的原料氣體的流量QV 乘以控制週期Δt來計算從濃度控制開始時間點起至當前時間點為止的累計原料流量。具體而言，消耗量計算部C5利用如下的式（4）來計算累計原料流量V。 V＝ΣQVi Δti （4）
進一步地，消耗量計算部C5基於假設原料氣體為理想氣體的以下的式（5），來計算將累計原料流量V[cc]以克換算而得的原料的消耗量m[g]。應予說明，M為原料氣體分子的摩爾質量[g/mol]。 m＝VM/（1000×22.4）　　　（5）
另外，消耗量計算部C5透過從初始的原料的量中減去原料消耗量，從而計算原料的剩餘量。
如此，由消耗量計算部C5計算出的原料消耗量或原料的剩餘量被輸入到控制參數設定部C6。然後，控制參數設定部C6根據由消耗量計算部C5計算出的原料消耗量或原料的剩餘量，對濃度控制部C2適當設定作為控制參數的例如增益。在本實施方式中，控制參數設定部C6參照控制參數表，對濃度控制部C2設定與被輸入的原料消耗量或原料的剩餘量對應的控制參數，其中，控制參數表是使儲存於控制參數儲存部C7的原料消耗量或原料的剩餘量與對應於原料消耗量或原料的剩餘量的各值的控制參數配對而成的。應予說明，控制參數設定部C6根據原料消耗量或原料的剩餘量而離散地轉換控制參數，但是也可以對被儲存的控制參數的值進行內插而使其連續地變化。
根據如此構成的第一實施方式的濃度控制裝置101和濃度控制系統200，能夠僅基於作為原料氣體的濃度控制所必須的構成的流量感測器、濃度監測器40的輸出，來推定原料消耗量。
另外，由於濃度控制部C2基於推定出的原料消耗量來改變控制參數，因此即使原料減少，作為濃度控制系統的特性變化，也能夠以恆定的精度持續進行控制。
進一步地，由於所使用的值在每個控制週期逐步更新，因此能夠始終掌握準確的原料消耗量。
接著，一邊參照圖3和圖4一邊對第二實施方式的濃度控制系統200進行說明。應予說明，對與在第一實施方式中已說明的部件對應的部件標注相同的符號。
第一實施方式的濃度控制系統200是稀釋式（流量式）系統，但也可以如第二實施方式所示為壓力式。具體而言，如圖3所示，壓力式濃度控制系統200不具備稀釋氣體供給通路，取而代之，在比原料氣體導出通路L2的濃度監測器40更靠向下游側的位置具備壓力控制閥PV。
另外，濃度控制部也控制的對象成為設置於載氣導入路L1上的第一質量流量控制器MFC1以及壓力控制閥PV。即，濃度控制部C2基於根據濃度監測器40的輸出而計算出的計算濃度與設定濃度之間的偏差，對壓力控制閥PV的開度進行回饋控制。其結果，透過調節混合氣體的總壓，將原料氣體供給通路L2中的原料氣體的濃度保持在設定濃度。
而且，在壓力式濃度控制系統的情況下，原料消耗量計算器C3基於計算出的計算濃度與由第一質量流量控制器MFC1檢測出的載氣流量來計算原料消耗量。應予說明，具體的式子與在第一實施方式中已說明的式子中以稀釋氣體的流量QD 為零的情況相同。
如此，即使作為第二實施方式的壓力式濃度控制系統200，也能夠僅利用在濃度控制中使用的感測器來準確地掌握汽化罐10內的原料的剩餘量。
另外，由於與第一實施方式同樣地根據原料的剩餘量來改變設定於濃度控制部C2的控制參數，因此即使是壓力式濃度控制，也能夠無論原料的剩餘量如何，均以大致恆定的精度持續濃度控制。
對其他實施方式進行說明。
在各實施方式中，基於用於濃度控制的感測器的輸出來計算原料的消耗量或剩餘量，但也可以另行設置例如附加的感測器，也使用它們的輸出來計算原料的消耗量或剩餘量。可以例如在汽化罐設置有重量感測器和/或液面感測器，基於它們的輸出來計算原料的消耗量或剩餘量。
也可以在汽化罐另行設置有檢測原料氣體的分壓的分壓計和/或檢測原料氣體的濃度的濃度感測器，基於它們的變化來計算原料的消耗量。
此外，也可以在不違反本發明的主旨的範圍內進行各種變形、實施方式的一部分彼此組合。
200:濃度控制系統 100:汽化器 101:濃度控制裝置 40:濃度監測器 MFC1:第一質量流量控制器 MFC2:第二質量流量控制器 C1:濃度計算部 C2:濃度控制部 C3:原料消耗量計算器 C4:原料流量計算部 C5:消耗量計算部 C6:控制參數設定部 C7:控制參數儲存部 10:汽化罐 20:切換機構 41:壓力計 42:分壓計 CH:腔室 C:控制機構 L1:載氣供給通路 L2:原料氣體導出通路 L3:稀釋氣體供給通路 L4:迂回流路 V1:第一閥 V2:第二閥 V3:第三閥 PV:壓力控制閥
圖1是示出本發明的第一實施方式的濃度控制系統的示意圖。 圖2是第一實施方式中的濃度控制裝置的控制機構的功能方塊圖。 圖3是示出本發明的第二實施方式的濃度控制系統的示意圖。 圖4是第二實施方式中的濃度控制裝置的控制機構的功能方塊圖。
C:控制機構
C1:濃度計算部
C2:濃度控制部
C3:原料消耗量計算器
C4:原料流量計算部
C5:消耗量計算部
C6:控制參數設定部
C7:控制參數儲存部

Claims (11)

  1. 一種濃度控制裝置，其特徵在於，其在汽化器中對原料氣體的濃度進行控制，所述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向所述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由所述原料汽化而從所述汽化罐導出的所述原料氣體流通的原料氣體導出通路， 所述濃度控制裝置具備： 濃度監測器，其設置於所述原料氣體導出通路，輸出與所述原料氣體的濃度對應的輸出信號； 濃度計算部，其基於來自所述濃度監測器的輸出信號，來計算所述原料氣體的濃度；以及 原料消耗量計算器，其基於所述載氣的流量和所述濃度計算部所計算的計算濃度，來計算作為所述原料氣體而導出到所述原料氣體導出通路的所述原料的消耗量。
  2. 根據請求項1所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述汽化器還具備稀釋氣體供給通路，所述稀釋氣體供給通路與所述原料氣體導出通路匯流而向該原料氣體導出通路供給稀釋氣體， 所述原料消耗量計算器基於所述計算濃度和總載流量來計算所述原料的消耗量，所述總載流量是所述載氣的流量與所述稀釋氣體的流量的合計。
  3. 根據請求項2所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述原料消耗量計算器具備： 原料流量計算部，其根據各時刻下的所述計算濃度和所述總載流量，來計算各時刻下的所述原料氣體的流量；以及 消耗量計算部，其基於各時刻下的所述原料氣體的流量、以及向所述原料氣體導出通路供給所述原料氣體的原料氣體供給時間，來計算所述原料的消耗量。
  4. 根據請求項3所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述濃度控制裝置還具備： 第一質量流量控制器，其設置於所述載氣供給通路，以使在該載氣供給通路中流通的所述載氣的流量成為第一設定流量的方式進行控制；以及 第二質量流量控制器，其設置於所述稀釋氣體供給通路，以使在該稀釋氣體供給通路中流通的所述稀釋氣體的流量成為第二設定流量的方式進行控制， 所述原料流量計算部根據所述第一設定流量或由該第一質量流量控制器檢測出的載氣的流量、以及所述第二設定流量或由所述第二質量流量控制器檢測出的稀釋氣體的流量，來計算總載流量。
  5. 根據請求項4所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述濃度控制裝置還具備濃度控制部，所述濃度控制部基於預先設定的設定濃度與所述計算濃度之間的偏差、以及設定的控制參數，來改變設定於所述第一質量流量控制器的所述第一設定流量和設定於所述第二質量流量控制器的所述第二設定流量，並對所述原料氣體的濃度進行控制， 根據由所述原料消耗量計算器計算出的所述原料的消耗量或者所述汽化罐內的所述原料的剩餘量來改變所述控制參數。
  6. 根據請求項1所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述濃度控制裝置還具備： 第一質量流量控制器，其設置於所述載氣供給通路，以使在該載氣供給通路中流通的所述載氣的流量成為第一設定流量的方式進行控制；以及 壓力控制閥，其設置於所述原料氣體導出通路， 所述原料消耗量計算器基於所述第一設定流量或由該第一質量流量控制器檢測出的載氣的流量，來計算所述原料的消耗量。
  7. 根據請求項6所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述原料消耗量計算器具備： 原料流量計算部，其根據各時刻下的所述計算濃度和所述載氣的流量，來計算各時刻下的所述原料氣體的流量；以及 消耗量計算部，其基於各時刻下的所述原料氣體的流量、以及向所述原料氣體導出通路供給所述原料氣體的原料氣體供給時間，來計算所述原料的消耗量。
  8. 根據請求項6所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述濃度控制裝置還具備濃度控制部，所述濃度控制部基於預先設定的設定濃度與所述計算濃度之間的偏差、以及設定的控制參數，至少對所述壓力控制閥的開度進行控制，並對所述原料氣體的濃度進行控制， 根據由所述原料消耗量計算器計算出的所述原料的消耗量或者所述汽化罐內的所述原料的剩餘量來改變所述控制參數。
  9. 根據請求項5所述的濃度控制裝置，其特徵在於，所述濃度控制裝置還具備： 控制參數儲存部，其儲存有多個與所述原料的消耗量或所述原料的剩餘量對應的控制參數；以及 控制參數設定部，其根據由所述原料消耗量計算器計算出的原料的消耗量或所述原料的剩餘量，參照控制參數儲存部，對所述濃度控制部設定對應的控制參數。
  10. 一種原料消耗量推定方法，其特徵在於，其是在汽化器中推定原料的消耗量的方法，所述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向所述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由所述原料汽化而從所述汽化罐導出的所述原料氣體流通的原料氣體導出通路， 所述原料消耗量推定方法包括： 濃度計算步驟，基於來自設置於所述原料氣體導出通路的濃度監測器的輸出信號，來計算所述原料氣體的濃度；以及 原料消耗量計算步驟，基於所述載氣的流量和由所述濃度計算步驟計算出的計算濃度，來計算作為所述原料氣體而導出到所述原料氣體導出通路的所述原料的消耗量。
  11. 一種儲存有濃度控制裝置用程式的程式儲存媒體，其特徵在於，所述濃度控制裝置在汽化器中具備濃度監測器，對原料氣體的濃度進行控制，所述汽化器至少具備：容納液體或固體的原料的汽化罐、向所述汽化罐供給載氣的載氣供給通路、以及供由所述原料汽化而從所述汽化罐導出的所述原料氣體流通的原料氣體導出通路，所述濃度監測器設置於所述原料氣體導出通路且輸出與所述原料氣體的濃度對應的輸出信號， 所述濃度控制裝置用程式使電腦發揮作為濃度計算部和原料消耗量計算器的功能， 所述濃度計算部基於來自所述濃度監測器的輸出信號，來計算所述原料氣體的濃度， 所述原料消耗量計算器基於所述載氣的流量和所述濃度計算部所計算的計算濃度，來計算作為所述原料氣體而導出到所述原料氣體導出通路的所述原料的消耗量。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
KR20210063564A (ko) * 2019-11-25 2021-06-02 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP2022038365A (ja) * 2020-08-26 2022-03-10 株式会社堀場エステック 原料気化システム、及び、これに用いられる濃度制御モジュール
US20220065727A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Kla Corporation Coolant Microleak Sensor for a Vacuum System
JP2022057802A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 東京エレクトロン株式会社 固体原料の残存量を推定する方法、成膜を行う方法、原料ガスを供給する装置、及び成膜を行う装置
CN113465814B (zh) * 2021-05-25 2022-10-21 国网宁夏电力有限公司检修公司 一种油色谱装置的载气压力监测预警方法、介质及系统
JP2023107020A (ja) * 2022-01-21 2023-08-02 日本エア・リキード合同会社 固体材料の残量測定方法、昇華ガス供給方法および昇華ガス供給システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3141162B2 (ja) * 1991-03-27 2001-03-05 日本酸素株式会社 薄膜製造装置
US6772072B2 (en) * 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US8571817B2 (en) * 2008-09-10 2013-10-29 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated vapor delivery systems for chemical vapor deposition precursors
KR101578220B1 (ko) * 2008-10-31 2015-12-16 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 재료가스 농도 제어 시스템
JP5281363B2 (ja) * 2008-10-31 2013-09-04 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム
JP2010278167A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP5647083B2 (ja) * 2011-09-06 2014-12-24 株式会社フジキン 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
JP6627474B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-08 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
US10138555B2 (en) * 2015-10-13 2018-11-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas control system and program for gas control system
JP6565645B2 (ja) * 2015-12-02 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体

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