TW202025851A - 可撓式有機el顯示器的製造方法 - Google Patents

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高松生芳
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Abstract

[課題] 提供一種製造效率不易降低之可撓式有機EL顯示器的製造方法。 [解決手段] 可撓式有機EL顯示器的製造方法係有關於多層積層基板10的製造,多層積層基板10含有積層有第1玻璃層11A和第1樹脂層11B之第1積層基板11、及積層有第2玻璃層12A和第2樹脂層12B之第2積層基板12,且以第1樹脂層11B及第2樹脂層12B彼此面對的方式積層。此製造方法包括在積層第1積層基板11及第2積層基板12的步驟之後的後段步驟。後段步驟包括排出部形成步驟,其中排出部形成步驟在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者中形成排出在切斷第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者時所產生的異物之排出部。

Description

可撓式有機EL顯示器的製造方法
本發明係有關於可撓式有機EL顯示器的製造方法。
有機EL(electro luminescence)顯示器包括積層有發光層、電極、及基板的發光裝置。在可撓式有機EL顯示器中,使用可撓式基板作為基板。在可撓式有機EL顯示器的製造過程中,在玻璃層上形成樹脂層,且在樹脂層上形成發光層等(例如,專利文獻1)。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 再領證專利第WO2011/030716號公報
[發明所欲解決的課題]
目前已提出具有新結構的發光裝置。此發光裝置具有設置成彼此面對的第1樹脂層和第2樹脂層。在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置有發光層等。由於與以往的發光裝置的結構不同,因此具有新結構的發光裝置的製造存在效率降低之疑慮。
本發明的目的係提供一種製造效率不易降低的可撓式有機EL顯示器的製造方法。 [用於解決課題的手段]
根據本發明的可撓式有機EL顯示器的製造方法,其係有關於多層積層基板的製造之可撓式有機EL顯示器的製造方法,其中前述多層積層基板包括積層有玻璃層和樹脂層之複數的積層基板,前述複數的積層基板含有積層有第1玻璃層和第1樹脂層之第1積層基板、及積層有第2玻璃層和第2樹脂層之第2積層基板,且以前述第1樹脂層和前述第2樹脂層彼此面對的方式積層,其包括在積層前述複數的積層基板的步驟之後的後段步驟,前述後段步驟包括排出部形成步驟,其中前述排出部形成步驟在前述複數的積層基板之中的至少一者的前述玻璃層中形成排出在切斷前述樹脂層時所產生的異物之排出部。 根據此製造方法,例如,在利用雷射切割樹脂層的情況下所產生的氣體,藉由玻璃層的排出部被排出至多層積層基板的外部,因此由於氣體的影響造成樹脂層的品質降低之疑慮得以減輕。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,在前述排出部形成步驟中,藉由切斷前述玻璃層、或者藉由刻劃前述玻璃層以形成前述排出部。 在切斷玻璃層的情況下,例如在利用雷射切斷樹脂層的情況下,在雷射照射樹脂層時所產生的氣體從玻璃層的切斷部分排放至多層積層基板的外部。在刻劃玻璃層的情況下,例如在利用雷射切斷樹脂層的情況下,由於在雷射照射樹脂層時所產生的氣體使得玻璃層斷裂,氣體進而從玻璃層的切斷部分排放至多層積層基板的外部。氣體對樹脂層的品質造成影響之疑慮變低。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,在前述排出部形成步驟中,藉由雷射或者切割將前述玻璃層切斷,以形成前述排出部。 在此製造方法中,藉由一般用於切斷玻璃層的切斷方法,在玻璃層中形成排出部。例如,可以使用現有的裝置。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,在前述排出部形成步驟中,藉由刻劃刀輪刻劃前述玻璃層,以形成前述排出部。 在此製造方法中,例如,如以下所述形成排出部。在第1範例中,刻劃玻璃層,使得此玻璃層斷裂,進而形成排出部。在第2範例中,刻劃玻璃層,並藉由在此狀態下利用雷射切斷樹脂層,在照射雷射時所產生的氣體使得玻璃層斷裂,進而形成排出部。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,在前述排出部形成步驟中,刻劃前述玻璃層,使得複數的刻劃線相交。 根據此製造方法,在玻璃層中複數刻痕相交的部分處,在玻璃層斷裂的情況下,形成相對較寬的排出部。可提升切斷樹脂層時所產生的異物之排出性。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,前述後段步驟更包括後段切斷步驟,前述後段切斷步驟在前述排出部形成步驟之後利用雷射將前述複數的積層基板之中的至少一者的前述樹脂層切斷。 在此製造方法中,由於藉由雷射切斷樹脂層,因此切斷時所產生的熱量少,樹脂層的品質不易降低。
在前述可撓式有機EL顯示器的製造方法的一範例中,在前述排出部形成步驟中,在前述複數的積層基板的一側形成前述排出部,在前述後段切斷步驟中,隔著未形成前述排出部的前述玻璃層,對前述樹脂層照射雷射。 在此製造方法中,雷射照射樹脂層而不會受到玻璃層的排出部的影響,可以有效率地切斷或對樹脂層進行刻劃。 [本發明的效果]
根據本發明,可撓式有機EL顯示器的製造效率不易變低。
(第1實施形態) 以下參照圖式針對可撓式有機EL顯示器的製造方法進行說明。可撓式有機EL顯示器用於固定式設備及攜帶式設備等。固定式設備的一範例為個人電腦及電視接收機。攜帶式設備的一範例為攜帶式資訊終端、穿戴式電腦及筆記型個人電腦。攜帶式資訊終端的一範例為智慧型手機、平板電腦、及攜帶式遊戲機。穿戴式電腦的一範例為頭戴式顯示器及智慧型手錶。
可撓式有機EL顯示器具有積層有發光層、電極、及基板的發光裝置、從一側覆蓋發光裝置的第1保護膜、和從另一側覆蓋發光裝置的第2保護膜。例如,第1保護膜及第2保護膜各自可以使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯,polyethylene terephthalate)。另外,也可以省略第1保護膜及第2保護膜的其中一者。在發光裝置的製造過程中,由圖1所示的1片多層積層基板10製造出複數發光裝置。
在製造可撓式有機EL顯示器的中間階段,製造出多層積層基板10。多層積層基板10包括積層有第1玻璃層11A和第1樹脂層11B之第1積層基板11、和積層有第2玻璃層12A和第2樹脂層12B之第2積層基板12。多層積層基板10以第1樹脂層11B及第2樹脂層12B彼此面對的方式,將第1積層基板11及第2積層基板12積層而構成。多層積層基板10還包括導電層13。導電層13例如形成於第1積層基板11的第1樹脂層11B上。導電層13夾於第1樹脂層11B與第2樹脂層12B之間。導電層13由OLED(有機發光二極體,Organic Light Diode)或TFT(薄膜電晶體,Thin Film Transistor)等的電子裝置用構件所形成。第1樹脂層11B、導電層13、及第2樹脂層12B構成發光裝置。
第1積層基板11的第1玻璃層11A和第2積層基板12的第2玻璃層12A,使用相同的材料所形成,且具有相同的尺寸。第1玻璃層11A及第2玻璃層12A的組成並沒有特別限定,例如,能夠使用含有鹼金屬氧化物的玻璃、或具有無鹼玻璃等的各種組成的玻璃。含有鹼金屬氧化物的玻璃的一範例為鈉鈣玻璃。在本實施形態中,第1玻璃層11A及第2玻璃層12A使用無鹼玻璃。第1玻璃層11A及第2玻璃層12A的厚度並沒有特別限定,例如以大約為0.5mm為佳。第1玻璃層11A具有形成有第1樹脂層11B的第1平面14A、和與第1平面14A成對的第2平面14B。第2玻璃層12A具有第2樹脂層12B形成於其上的第1平面15A、及與第1平面15A成對的第2平面15B。
第1積層基板11的第1樹脂層11B和第2積層基板12的第2樹脂層12B使用相同的材料所形成,且具有相同的尺寸。第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的組成並沒有特別限定,例如能夠使用聚醯亞胺(PI)。第1樹脂層11B及第2樹脂層12B各自的厚度並沒有特別限定,例如以介於10μm以上30μm以下的範圍內為佳。
圖2係多層積層基板10的平面圖。 藉由沿著圖2的虛線所示之預定切斷部16、17,以格子狀切斷多層積層基板10,進而形成單元積層基板20。單元積層基板20在平面圖中的尺寸對應於發光裝置在平面圖中的預定尺寸。
使用雷射加工裝置及刻劃(scribe)加工裝置之中的至少一者,切斷多層積層基板10。圖3係雷射加工裝置的構造的一範例,而圖4係刻劃加工裝置的構造的一範例。在圖3及圖4中,X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向定義為如圖3和圖4所示。也可以使用切割(dicing)加工裝置(未繪示),切斷第1積層基板11及第2積層基板12。
如圖3所示,雷射加工裝置30包括用於切斷多層積層基板10之雷射裝置31、用於使得多層積層基板10相對於雷射裝置31移動之機械驅動系統32、和控制雷射裝置31及機械驅動系統32之第1控制部33。
雷射裝置31對多層積層基板10中的第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、第1玻璃層11A、及第2玻璃層12A的至少一者進行加工。雷射裝置31包括用於向多層積層基板10照射雷射光之雷射振盪器34、和將雷射光傳輸至機械驅動系統32之傳輸光學系統35。雷射振盪器34例如為UV(紫外線)雷射器或CO2 雷射器。在雷射加工裝置30對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B進行加工的情況下,雷射振盪器34為UV雷射器。在雷射加工裝置30對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A進行加工的情況下,雷射振盪器34為CO2 雷射器或UV雷射器。傳輸光學系統35包括例如聚光鏡、多面鏡(mirror)、棱鏡(prism)、擴束鏡(beam expander)等所構成。再者,傳輸光學系統35具有例如用於使得結合了雷射振盪器34的雷射照射頭在X軸方向上移動之X軸方向移動機構。從雷射振盪器34照射的雷射光,經由傳輸光學系統35朝向多層積層基板10照射。
機械驅動系統32設置成在Z軸方向上朝向雷射裝置31。機械驅動系統32由機床(bed)36、加工台37、及移動裝置38所構成。多層積層基板10載置於加工台37上。移動裝置38使得加工台37相對於機床36沿著水平方向(X軸方向及Y軸方向)移動。移動裝置38係具有導軌(guide rail)、移動台、馬達等公知的機械構件。
第1控制部33包括用於執行預定的控制程序之演算加工裝置。演算加工裝置包括例如CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)或MPU(Micro Processing Unit,微處理單元)。第1控制部33可以包括1個或複數個微型電腦。第1控制部33還包括儲存部。儲存部儲存用於各種控制程序及各種控制處理的資訊。儲存部包括例如非揮發性記憶體及揮發性記憶體。第1控制部33可以設置於雷射裝置31中,也可以設置於機械驅動系統32中,或者也可以與雷射裝置31及機械驅動系統32個別分開設置。在第1控制部33與雷射裝置31及機械驅動系統32個別分開設置的情況下,第1控制部33的配置位置可以任意設定。
如圖4所示,藉由刻劃刀輪50和多層積層基板10在X軸方向及Y軸方向上相對於彼此移動,刻劃加工裝置40在多層積層基板10上沿著X軸方向及Y軸方向形成刻劃線。刻劃加工裝置40包括用於對多層積層基板10加工之加工裝置41、用於輸送多層積層基板10之輸送裝置42、加工裝置41及控制輸送裝置42之第2控制部43。
輸送裝置42由一對的軌道44、平台45、直進驅動裝置46、旋轉裝置47等所構成。一對的軌道44沿著Y軸方向延伸。在圖4的刻劃加工裝置40中,在刻劃加工裝置40的基座(未繪示)上設置有一對的軌道44,平台45藉由直進驅動裝置46沿著一對的軌道44往復地移動,且平台45藉由旋轉裝置47繞著中心軸C旋轉。多層積層基板10載置於工作台45上。在直進驅動裝置46的其中一範例中,包括導螺桿裝置。旋轉裝置47包括作為驅動來源的馬達。
加工裝置41由橫向驅動裝置48、縱向驅動裝置49、及刻劃刀輪50等所構成。刻劃刀輪50附接到用於保持刻劃刀輪50之保持單元(holder unit)。保持單元附接到用於保持保持單元之刻劃器(scribe head)。刻劃器藉由橫向驅動裝置48在X軸方向上移動,且藉由縱向驅動裝置49在Z軸方向上移動。藉由刻劃刀輪50沿著X軸方向移動,在多層積層基板10上形成沿著X軸方向的刻劃線。
刻劃刀輪50以可旋轉的方式被附接到保持單元的銷(pin)(未繪示)所支撐。構成刻劃刀輪50的材料的範例為燒結金剛石(多晶矽金剛石,poly crystalline diamond)、超硬金屬、單晶金剛石、及多結晶金剛石。
第2控制部43包括用於執行預定的控制程序之演算處理裝置。演算處理裝置包括例如CPU或MPU。第2控制部43可以包括1個或複數個微型電腦。第2控制部43還包括儲存部。儲存部儲存用於各種控制程序及各種控制處理的資訊。儲存部包括例如非揮發性記憶體及揮發性記憶體。第2控制部43可以設置於加工裝置41中,也可以設置於輸送裝置42中,或者也可以與加工裝置41及輸送裝置42個別分開設置。在第2控制部43與加工裝置41及輸送裝置42個別分開設置的情況下,第2控制部43的配置位置可以任意設定。
[可撓式有機EL顯示器的製造方法] 接著,針對可撓式有機EL顯示器的製造方法進行詳細說明。圖5繪示出可撓式有機EL顯示器的製造方法的步驟的一範例。
在可撓式有機EL顯示器的製造方法中,將第1積層基板11及第2積層基板12貼合在一起,以製造出多層積層基板10,之後將多層積層基板10切斷成預定尺寸,以製造出單元積層基板20。接著,藉由從單元積層基板20去除第1玻璃層11A及第2玻璃層12A,以製造出發光裝置。之後,將第1保護膜及第2保護膜附接到第1樹脂層11B及第2樹脂層12B。藉此,製造出可撓式有機EL顯示器。
如圖5所示,可撓式有機EL顯示器的製造方法區分成前段步驟和後段步驟,前段步驟係在將第1積層基板11及第2積層基板12積層的步驟之前的步驟,且後段步驟係在將第1積層基板11及第2積層基板12積層的步驟之後的步驟。前段步驟包含前段積層步驟。前段積層步驟係製造第1積層基板11及第2積層基板12的步驟。後段步驟包含後段積層步驟、後段加工步驟、及剝離步驟。後段積層步驟係將第1積層基板11及第2積層基板12積層,以製造出多層積層基板10的步驟。後段加工步驟係藉由沿著多層積層基板10的預定切斷部16、17將多層積層基板10切斷,亦即藉由將多層積層基板10切斷成預定尺寸,以製造出單元積層基板20的步驟。剝離步驟係藉由雷射剝離(LLO:Laser Lift Off)將第1玻璃層11A和第1樹脂層11B剝離並將第2玻璃層12A和第2樹脂層12B剝離的步驟。以下針對各個步驟進行詳細說明。
在前段積層步驟中,藉由在第1玻璃層11A的整個第1平面14A上形成第1樹脂層11B,以製造出第1積層基板11,並藉由在第2玻璃層12A的整個第1平面15A上形成第2樹脂層12B,以製造出第2積層基板12。在第1玻璃層11A的第1平面14A上形成第1樹脂層11B的方法、及在第2玻璃層12A的第1平面15A上形成第2樹脂層12B的方法,各自可以選擇在玻璃層上塗布樹脂層的方法、或是藉由黏著層在玻璃層上積層樹脂層的方法。再者,作為將樹脂層固定於玻璃層的方法,可以選擇加熱固化步驟、或是藉由加壓(press)法的加熱及加壓步驟。
在後段積層步驟中,將未切斷成預定尺寸的第1積層基板11和未切割成預定尺寸的第2積層基板12積層。在一範例中,第1積層基板11及第2積層基板12,例如藉由黏著層SD貼合在一起。藉此,製造出多層積層基板10。
後段加工步驟包括排出部形成步驟、和後段切段步驟,在排出部形成步驟中,在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者中形成排出氣體之排出部18,而在後段切段步驟中,藉由雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷。在後段加工步驟中,依照排出部形成步驟及後段切斷步驟之順序進行。
在一範例中,在後段加工步驟中,在排出部形成步驟期間,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之其中一者中形成排出部18,之後在後段切斷步驟中,將第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B之中的至少一者切斷。
在一範例中,在後段加工步驟中,在排出部形成步驟期間,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之其中一者中形成排出部18,之後在後段切斷步驟中,將對應於第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之其中一者的樹脂層切斷。接著,在排出部形成步驟期間,在第1玻璃層11A的預定切斷部16B及第2玻璃層12A的預定切斷部17B之另一者中形成排出部18,之後在後段切斷步驟中,將對應於第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之另一者的樹脂層切斷。
在一範例中,在後段加工步驟中,在排出部形成步驟期間,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A中形成排出部18,之後在後段加工步驟中,將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。在一範例中,在後段加工步驟中,在排出部形成步驟期間,在第2玻璃層12A的預定切斷部17A中形成排出部18,之後在後段切斷步驟中,將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。另外,在後段加工步驟期間,也可以藉由雷射對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B進行加工,刻劃第1樹脂層11B及第2樹脂層12B,取代將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。
在排出部形成步驟中,可以選擇以下的第1範例及第2範例之其中任一者作為形成排出部18的方法。在第1範例中,藉由將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者切斷,以形成排出部18。在第2範例中,在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者中形成溝槽(刻劃線),以形成排出部18。另外,在排出部形成步驟中,可以僅在第1玻璃層11A中形成排出部18,或者也可以僅在第2玻璃層12A中形成排出部18。
在第1範例的排出部形成步驟中,藉由雷射、切割或斷裂,將第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的至少一者切斷。預定切斷部16A及預定切斷部17A之中被切斷的部分形成排出部18。圖6繪示出將第2玻璃層12A的預定切斷部17A切斷的情況。在預定切斷部17A中,第2玻璃層12A被切斷的部分構成排出部18。
在第2範例的排出部形成步驟中,藉由刻劃刀輪50對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者進行刻劃,使得複數刻劃線相交。藉由複數刻劃線的相交部分比刻劃線的其他部分被更深地刻劃,進而形成排出部18。圖7繪示出對第1玻璃層11A進行刻劃使得第1玻璃層11A的4條刻劃線SL相交的情況。4條刻劃線SL的相交部分構成排出部18。另外,也可以藉由照射雷射,以將在刻劃線的相交部分形成有刻劃線的玻璃層貫穿,進而形成排出部18。
再者,也可以對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者,藉由利用雷射沿著預定切斷部形成溝槽,進而在預定切斷部的相交部分中形成排出部18。此溝槽對應於刻劃刀輪50的刻劃線。也可以藉由照射雷射,以將在預定切斷部的相交部分形成有溝槽的玻璃層貫穿,進而形成排出部18。
在後段切斷步驟中,藉由雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷。雷射的照射方向可以任意設定。在一範例中,可以沿相同的照射方向對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射,或者對第1樹脂層11B照射雷射的方向與對第2樹脂層12B照射雷射的方向也可以為相反的方向。
在第1玻璃層11A的預定切斷部16A被刻劃的情況下,可以從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射,或者也可以從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B的預定切斷部16B照射雷射。在第2玻璃層12A的預定切斷部17A被刻劃的情況下,可以從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射,或者也可以從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B的預定切斷部17B照射雷射。在這些情況下,可以依照第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的順序切斷第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B,或者也可以依照第2樹脂層12B及第1樹脂層11B的順序切斷第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B。另外,從對樹脂層的預定切斷部高精度地照射雷射的觀點來看,在對第1玻璃層11A的預定切斷部16A進行刻劃的情況下,以從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射為佳。在對第2玻璃層12A的預定切斷部17A進行刻劃的情況下,以從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射為佳。
當在第1玻璃層11A被刻劃的狀態下從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B照射雷射的情況下,雷射也可以在將第2樹脂層12B切斷之後,切斷第1樹脂層11B或者對第1樹脂層11B進行刻劃。當在第1玻璃層11A被刻劃的狀態下從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B照射雷射的情況下,雷射也可以在將第1樹脂層11B切斷之後,切斷第2樹脂層12B或者對第2樹脂層12B進行刻劃。當在第2玻璃層12A被刻劃的狀態下從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B照射雷射的情況下,雷射也可以在將第1樹脂層11B切斷之後,切斷第2樹脂層12B或者對第2樹脂層12B進行刻劃。當在第2玻璃層12A被刻劃的狀態下從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B照射雷射的情況下,雷射也可以在將第2樹脂層12B切斷之後,切斷第1樹脂層11B或者對第1樹脂層11B進行刻劃。
對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射的同時會產生氣體。由於氣體會藉由排出部18排放到多層積層基板10的外部,因此可抑制氣體殘留在多層積層基板10的內部。而且,在第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的加工期間所產生的碎屑(debris)等的異物,會藉由排出部18排放到多層積層基板10的外部。因此,可抑制多層積層基板10內部的氣體滯留及異物造成多層積層基板10內部的壓力增加而使得第1玻璃層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、及第2玻璃層12A變形。
在第1範例的排出部形成步驟期間將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A切斷的情況下,藉由將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷,以製造出單元積層基板20。在第1範例的排出部形成步驟期間將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之其中一者切斷的情況下,在切斷第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之後,藉由將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之另一者切斷,以製造出單元積層基板20。
在第2範例的排出部形成步驟期間分別在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A上形成刻劃線SL的情況下,在切斷第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之後,藉由使得第1玻璃層11A及第2玻璃層12A斷裂,以製造出單元積層基板20。在第2範例的排出部形成步驟期間在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之其中一者上形成刻劃線SL的情況下,在切斷第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之後,藉由對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之另一者進行刻劃,並使得第1玻璃層11A及第2玻璃層12A斷裂,以製造出單元積層基板20。另外,在第1樹脂層11B及第2樹脂層12B被刻劃的情況下,在使得第1玻璃層11A及第2玻璃層12A斷裂時,一併使得第1樹脂層11B及第2樹脂層12B斷裂。
在藉由雷射將玻璃層及樹脂層分別切斷的情況下,或者在藉由雷射分別在玻璃層及樹脂層中形成刻劃線的情況下,可使用圖8所示之雷射加工裝置30A,取代圖3所示之雷射加工裝置30。在雷射裝置的結構上,雷射加工裝置30A不同於雷射加工裝置30。以下,將針對雷射加工裝置30A的結構差異處進行說明。
雷射加工裝置30A的雷射裝置31A包括第1雷射振盪器34A及第2雷射振盪器34B。第1雷射振盪器34A係UV雷射,而第2雷射振盪器34B係CO2 雷射。從第1雷射振盪器34A照射出的雷射光、及從第2雷射振盪器34B照射出的雷射光,藉由傳輸光學系統35而照射到第1積層基板11及第2積層基板12。另外,傳輸光學系統35也可以個別地設置對應於第1雷射振盪器34A之傳輸光學系統、和對應於第2雷射振盪器34B之傳輸光學系統。
第1控制部33根據對第1積層基板11及第2積層基板12加工的對象之種類(玻璃層或樹脂層),選擇第1雷射振盪器34A及第2雷射振盪器34B。例如,第1控制部33根據預先儲存的控制程序決定作為加工對象之種類的玻璃層及樹脂層的加工順序,並根據所決定的加工順序選擇第1雷射振盪器34A及第2雷射振盪器34B。
在剝離步驟中,使用雷射剝離裝置(未繪示)。在本實施形態中,使用UV雷射作為雷射剝離裝置之雷射。如圖9(a)所示,藉由從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B照射雷射,以將第1樹脂層11B和第1玻璃層11A剝離。在將第1玻璃層11A和第1樹脂層11B剝離的情況下,以與第1玻璃層11A的第2平面14B正交的方式照射雷射。接著,如圖9(b)所示,藉由從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B照射雷射,以將第2樹脂層12B和第2玻璃層12A剝離。在將第2玻璃層12A和第2樹脂層12B剝離的情況下,以與第2玻璃層12A的第2平面15B正交的方式照射雷射。另外,將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A剝離的順序可以任意變更。例如,也可以在將第2樹脂層12B和第2玻璃層12A剝離之後,將第1樹脂層11B和第1玻璃層11A剝離。
在從多層積層基板10上去除第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之後(請參照圖9(c)),亦即,在製造發光裝置之後,藉由貼上第1保護膜以覆蓋第1樹脂層11B,並貼上第2保護膜以覆蓋第2樹脂層12B,進而製造出可撓式有機EL顯示器。
針對本實施形態的效果進行說明。 (1-1)後段加工步驟包括排出部形成步驟,其中排出部形成步驟在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者中形成排出部18。根據此製造方法,例如,當利用雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷時所產生的氣體藉由排出部18被排放到多層積層基板10的外部,因此可減少由於氣體的影響造成第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的品質降低之疑慮。
(1-2)在排出部形成步驟中,藉由將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者切斷,以形成排出部18。在此製造方法中,在將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者切斷的情況下,對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射的同時所產生的氣體從第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者的切斷部分被排放到多層積層基板10的外部。因此,氣體影響第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的品質之風險變低。
(1-3)在排出部形成步驟中,藉由雷射或切割將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者切斷,以形成排出部18。在此製造方法中,藉由一般用於切斷玻璃層的切斷方法,在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者中形成排出部18。因此,例如,能夠使用現有的裝置。
(1-4)在排出部形成步驟中,藉由刻劃刀輪50對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的至少一者進行刻劃,使得複數的刻劃線SL相交。根據此製造方法,與刻劃線SL的其他部分相比,刻劃線SL相交的相交部分被刻劃的深度更深,進而穿透玻璃層。因此,刻劃線SL相交的相交部分形成排出部18。因此,例如,能夠使用現有的裝置。
(1-5)後段加工步驟包括在排出部形成步驟之後利用雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷之後段切割步驟。在此製造方法中,由於利用雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷,因此在切斷的同時所產生的熱量少,且第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的品質不易降低。
(1-6)在排出部形成步驟期間,在第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之其中一者中形成排出部18,在後段切斷步驟中,隔著第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中未形成排出部18的另一者,以雷射照射對應於第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者的樹脂層。在此製造方法中,雷射照射對應於第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者的樹脂層,可有效率地將樹脂層切斷或刻劃,而不會受到第1玻璃層11A及第2玻璃層12A其中一者的排出部18的影響。
(1-7)在可撓式有機EL顯示器的製造方法中,在將第1積層基板11及第2積層基板12積層的步驟之後的後段步驟中,將多層積層基板10切斷成預定尺寸。在此製造方法中,由於在積層有第1積層基板11及第2積層基板12之多層積層基板10的狀態下進行切斷,因此簡化了積層處理。因此,可撓式有機EL顯示器的製造效率不易降低。
(1-8)在後段切斷步驟中,藉由雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。因此,在將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷時的發熱量少,第1樹脂層11B及第2樹脂層12B的品質不易降低。
(第2實施形態) 請參照圖10,針對第2實施形態的可撓式有機EL顯示器的製造方法進行說明。在本實施形態中,與第1實施形態相比,後段加工步驟有所不同。在以下的說明中,將針對與第1實施形態不同的部分詳細說明,而對於與第1實施形態相同的多層積層基板10的結構元件將使用相同的符號標記並省略其說明。
在排出部形成步驟中,藉由對第1積層基板11的第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2積層基板12的第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的至少一者進行刻劃,以形成排出部18。在一範例中,藉由雷射或刻劃以形成排出部18。
在本實施形態的排出部形成步驟中,排出部18形成於第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之其中一者中,而第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的另一者中未形成排出部18。圖10繪示出一範例,其中在第2玻璃層12A的預定切斷部17A中形成排出部18,而在第1玻璃層11A的預定切斷部16A中未形成排出部18。
在後段切斷步驟中,藉由雷射將第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B之中的至少一者切斷,或者藉由雷射在第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B之中的至少一者上形成刻劃線。在本實施形態中,在後段切割步驟中,每次對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射時的雷射輸出設定為等於或大於在預定溫度以上促進氣體產生的預定輸出。當設定為等於或大於預定輸出時,雷射照射到第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B的同時在多層積層基板10內產生的氣體,會對玻璃層施加可使得經過初步加工的玻璃層斷裂的力。
如以上所述,在後段切斷步驟中,玻璃層上形成有第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的刻劃線(排出部18),在對第1玻璃層11B的預定切斷部16B及第2玻璃層12B的預定切斷部17B照射雷射的同時所產生的氣體會使得玻璃層斷裂。藉此,排出部18使得多層積層基板10的內部與外部連通,且能夠將多層積層基板10內的氣體排放到多層積層基板10的外部。
在後段切斷步驟的一範例中,在第2玻璃層12A的預定切斷部17A中形成排出部18的情況下,從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射。對第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射的同時所產生的氣體使得第2玻璃層12A的預定切斷部17A斷裂。在一範例中,在第2玻璃層12A的預定切斷部17A中形成排出部18的情況下,從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射,將第1樹脂層11B的預定切斷部16B切斷之後,以相同的照射方向對第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射,以將第2樹脂層12B的預定切斷部17B切斷,或者對第2樹脂層12B的預定切斷部17B進行刻劃。對第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射的同時所產生的氣體使得第2玻璃層12A的預定切斷部17A斷裂。
在後段切割步驟的一範例中,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A中形成排出部18的情況下,從第1玻璃層11A之側朝向第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射。對第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射的同時所產生的氣體使得第1玻璃層11A的預定切斷部16A斷裂。在一範例中,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A中形成排出部18的情況下,從第2玻璃層12A之側朝向第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射,將第2樹脂層12B的預定切斷部17B切斷之後,以相同的照射方向對第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射,以將第1樹脂層11B的預定切斷部16B切斷,或者對第1樹脂層11B的預定切斷部16B進行刻劃。對第2樹脂層12B的預定切斷部17B及第1樹脂層11B的預定切斷部16B照射雷射的同時所產生的氣體使得第1玻璃層11A的預定切斷部16A斷裂。
在後段切斷步驟中,將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中未形成排出部18的另一者切斷。在一範例中,在後段切斷步驟中,藉由雷射加工裝置30或刻劃加工裝置40,對第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者進行刻劃之後,沿著刻劃線使得第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者斷裂。藉此,以製造出單元積層基板20。在第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之其中一者上形成刻劃線的情況下,在使得第1玻璃層11A及第2玻璃層12A斷裂時會一併斷裂。藉此,以製造出單元積層基板20。在一範例中,在後段切斷步驟中,藉由雷射或切割將第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者切斷。在第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之其中一者上形成刻劃線的情況下,在切斷第1玻璃層11A及第2玻璃層12A之中的另一者之後,使得第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的另一者斷裂。藉此,以製造出單元積層基板20。
針對本實施形態的效果進行說明。 (2-1)在排出部形成步驟中,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的至少一者形成排出部18。在後段切斷步驟中,對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者照射雷射的同時所產生的氣體,使得形成有排出部18的玻璃層斷裂。在此製造方法中,藉由雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷的處理整合了將形成有排出部18的玻璃層切斷的處理。因此,減少了關於切斷多層積層基板10的處理時間,可撓式有機EL顯示器的製造效率不易降低。
(2-2)在後段切割步驟中,每次對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射時的雷射輸出設定為等於或大於在預定溫度以上促進氣體產生的預定輸出。在此製造方法中,利用雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的至少一者切斷的同時產生相對高溫的氣體,使得已經進行初步加工的玻璃層藉由氣體適當地斷裂。
(2-3)在排出部形成步驟中,在第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之其中一者中形成排出部18,而第1玻璃層11A的預定切斷部16A及第2玻璃層12A的預定切斷部17A之中的另一者中未形成排出部18。在此製造方法中,第1玻璃層11A及第2玻璃層12A僅其中一者由於氣體而斷裂。相較於第1玻璃層11A及第2玻璃層12A兩者都由於氣體而斷裂的情況,斷裂時的第1玻璃層11A及第2玻璃層12A具有穩定的狀態。
(2-4)在後段切斷步驟中,隔著未形成排出部18的玻璃層,對對應於未形成排出部18的玻璃層之樹脂層照射雷射。在此製造方法中,由於雷射照射到對應於未形成排出部18的玻璃層之樹脂層,而不會受到已經進行初步加工的玻璃層之被加工部的影響,因此可以有效率地切斷樹脂層或有效率地對樹脂層進行刻劃。
(2-5)在後段切斷步驟中,在藉由雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷之後,將未形成排出部18的玻璃層切斷。在此製造方法中,在第1樹脂層11B及第2樹脂層12B由未形成排出部18的玻璃層所支撐的狀態下,利用雷射將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。因此,切斷時的第1樹脂層11B及第2樹脂層12B具有穩定的狀態。
(變化例) 上述各個實施形態係關於本案揭露之可撓式有機EL顯示器的製造方法所採用的形態之範例,並不用以限制其形態。根據本案揭露於可撓式有機EL顯示器的製造方法,可以採用與各個實施形態中所描述的形態不同的形態。舉例而言,各個實施形態的結構的一部分被替換、變更、或省略之形態,或者是在各個實施形態中添加新的結構之形態。在以下的變形例中,對於相同於各實施形態的部分使用與各實施形態相同的符號標記,並省略其說明。
・在第1實施形態中,在後段切斷步驟中,也可以將每次對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射時的雷射輸出,設定為未滿在預定溫度以上可抑制氣體產生的預定輸出,藉由多次照射雷射,將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。根據此製造方法,在對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射的情況下,不易產生高溫的氣體,進一步減少由於氣體的影響而造成第1玻璃層11A、第2玻璃層12A、第1樹脂層11B、及第2樹脂層12B的品質降低之疑慮。
・在上述變形例中,在藉由多次照射雷射以將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷的情況下,除了將雷射設定成未滿預定輸出之外,也可以藉由以一定的時間間隔對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B多次照射雷射,以將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷。在此製造方法中,對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之其中一者照射雷射之後,暫時中斷雷射的照射,並在經過一定時間後,再次對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之其中一者照射雷射,重複多次上述的照射雷射及暫時中斷雷射的照射。在對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B之中的另一者照射雷射的情況下,也以同樣的方式進行。當暫時中斷雷射的照射時,在對第1樹脂層11B及第2樹脂層12B照射雷射的同時所產生的氣體被冷卻,進一步減少由於氣體的影響而造成第1玻璃層11A、第2玻璃層12A、第1樹脂層11B、及第2樹脂層12B的品質降低之疑慮。
・在第1實施形態中,在多層積層基板10中形成排出部18的位置,並不限定於第1積層基板11的預定切斷部16及第2積層基板12的預定切斷部17。例如,如圖2所示,排出部18也可以形成於多層積層基板10與相鄰的單元積層基板20之間的部分。
・在各個實施例中,在後段切斷步驟中,在將第1樹脂層11B及第2樹脂層12B切斷的情況下,也可以設置用於吸取在對第1樹脂層11B的預定切斷部16B及第2樹脂層12B的預定切斷部17B照射雷射的同時所產生的氣體之吸取構件60。如圖11所示,吸取構件60隔著多層積層基板10的外周表面10A吸取氣體。吸取構件60的其中一範例包括吸氣風扇。吸取構件60藉由驅動吸氣風扇來吸取多層積層基板10的外周面10A中的空氣。在此情況下,在多層積層基板10內所產生的氣體經由外周表面10A排放到多層積層基板10的外部。
・在各個實施例中,除了在第1積層基板11上形成導電層13之外,或者除了在第1積層基板11上形成導電層13之外,也可以在第2積層基板12形成導電層13。
10:多層積層基板 11:第1積層基板 11A:第1玻璃層 11B:第1樹脂層 12:第2積層基板 12A:第2玻璃層 12B:第2樹脂層 13:導電層 14A、15A:第1平面 14B、15B:第2平面 16、16A、16B、17、17A、17B:預定切斷部 18:排出部 20:單元積層基板 30、30A:雷射加工裝置 31、31A:雷射裝置 32:機械驅動系統 33:第1控制部 34:雷射振盪器 34A:第1雷射振盪器 34B:第2雷射振盪器 35:傳輸光學系統 36:機床 37:加工台 38:移動裝置 40:刻劃加工裝置 41:加工裝置 42:輸送裝置 43:第2控制部 44:一對的軌道 45:平台 46:直進驅動裝置 47:旋轉裝置 48:橫向驅動裝置 49:縱向驅動裝置 50:刻劃刀輪 60:吸取構件 C:中心軸 SD:黏著層 SL:刻劃線
[圖1] 係根據第1實施形態的製造方法之多層積層基板的剖面圖。 [圖2] 係圖1的多層積層基板的平面圖。 [圖3] 係雷射加工裝置的構造的示意圖。 [圖4] 係刻劃加工裝置的構造的示意圖。 [圖5] 係根據實施形態的製造方法的流程圖。 [圖6] 係排出部形成步驟的第1範例的示意圖。 [圖7] 係排出部形成步驟的第2範例的示意圖。 [圖8] 係雷射加工裝置的構造的示意圖。 [圖9] 係剝離步驟的一範例的示意圖。 [圖10] 係根據第2實施形態的製造方法之多層積層基板的剖面圖。 [圖11] 係根據變化例的製造方法之多層積層基板的剖面圖。
10:多層積層基板
11:第1積層基板
11A:第1玻璃層
11B:第1樹脂層
12:第2積層基板
12A:第2玻璃層
12B:第2樹脂層
13:導電層
14A、15A:第1平面
14B、15B:第2平面
SD:黏著層

Claims (7)

  1. 一種可撓式有機EL顯示器的製造方法,其係有關於多層積層基板的製造之可撓式有機EL顯示器的製造方法,其中前述多層積層基板包括積層有玻璃層和樹脂層之複數的積層基板,前述複數的積層基板含有積層有第1玻璃層和第1樹脂層之第1積層基板、及積層有第2玻璃層和第2樹脂層之第2積層基板,且以前述第1樹脂層和前述第2樹脂層彼此面對的方式積層, 其包括在積層前述複數的積層基板的步驟之後的後段步驟, 前述後段步驟包括排出部形成步驟,其中前述排出部形成步驟在前述複數的積層基板之中的至少一者的前述玻璃層中形成排出在切斷前述樹脂層時所產生的異物之排出部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法, 其中在前述排出部形成步驟中,藉由切斷前述玻璃層、或者藉由刻劃前述玻璃層以形成前述排出部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法, 其中在前述排出部形成步驟中,藉由雷射或者切割將前述玻璃層切斷,以形成前述排出部。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法, 其中在前述排出部形成步驟中,藉由刻劃刀輪刻劃前述玻璃層,以形成前述排出部。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法, 其中在前述排出部形成步驟中,刻劃前述玻璃層,使得複數的刻劃線相交。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中任一項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法,其中前述後段步驟更包括後段切斷步驟,前述後段切斷步驟在前述排出部形成步驟之後利用雷射將前述複數的積層基板之中的至少一者的前述樹脂層切斷。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之可撓式有機EL顯示器的製造方法, 其中在前述排出部形成步驟中,在前述複數的積層基板的一側形成前述排出部, 在前述後段切斷步驟中,隔著未形成前述排出部的前述玻璃層,對前述樹脂層照射雷射。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220090662A (ko) * 2020-12-22 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3968519B2 (ja) * 2002-12-03 2007-08-29 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
CN102344245B (zh) * 2005-07-06 2015-10-28 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料用划线轮和采用该划线轮的划线方法及装置、工具
JP4755002B2 (ja) * 2006-03-23 2011-08-24 パイオニア株式会社 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材
JP5170668B2 (ja) * 2008-06-04 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 基板装置およびその製造方法
JP2010135163A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法、製造装置及び表示装置
KR101723254B1 (ko) 2009-09-08 2017-04-04 도요보 가부시키가이샤 유리/수지 적층체 및 그것을 사용한 전자 디바이스
CN106061911B (zh) * 2014-03-04 2019-02-12 法国圣戈班玻璃厂 用于切割被层叠的、超薄的玻璃层的方法
JP2015195106A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置及びその製造方法
JP6474337B2 (ja) * 2015-08-27 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2017095295A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 旭硝子株式会社 ガラス積層体の切断方法
JP6352957B2 (ja) * 2015-12-21 2018-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
KR102511040B1 (ko) * 2015-12-28 2023-03-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법

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