TW202024737A - 顯示面板 - Google Patents

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TW202024737A
TW202024737A TW108112015A TW108112015A TW202024737A TW 202024737 A TW202024737 A TW 202024737A TW 108112015 A TW108112015 A TW 108112015A TW 108112015 A TW108112015 A TW 108112015A TW 202024737 A TW202024737 A TW 202024737A
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李曼曼
塗俊達
林富良
何子維
紀楊
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大陸商友達光電(昆山)有限公司
友達光電股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種顯示面板,包括一第一基板,包含相鄰的一顯示區與一周邊區;多個畫素單元,設置於所述第一基板,且位於所述顯示區;一測試焊墊,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區;至少一第一靜電放電保護電路,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區,所述第一靜電放電保護電路與所述測試焊墊電性連接;其中,所述測試焊墊至少部分覆蓋所述第一靜電放電保護電路。本發明的顯示面板,可以有效提高顯示面板在測試時的防靜電能力,提高產品的成品率。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板,且特別是有關於一種具有靜電放電防護電路以及測試電路的顯示面板。
隨著移動通信技術、互聯網以及顯示技術的迅速發展,現有常見的顯示面板包括液晶顯示面板、有機電激發光顯示面板等等。
一般而言,顯示面板具有顯示區、位於顯示區之外的周邊區。顯示區內具有陣列配置的多個畫素結構,周邊區內往往形成有覆晶薄膜焊墊(COF Pad)、多工器(Mux)、測試焊墊(CT Pad)、測試電路、靜電放電保護電路(ESD)以及其他可能存在的驅動電路及相關走線。
現今的顯示面板朝向窄邊框方向發展,周邊區的面積(寬度)變得越來越小,位於周邊區的電路以及走線會變得越來越密。為了適應窄邊框的需求,現有的測試焊墊並不連接靜電放電保護電路,上述的靜電放電保護電路是用於顯示區畫素結構的靜電防護。在對顯示面板進行測試時,會產生大量的靜電,而顯示面板也極易受到靜電的幹擾而導致顯示面板被炸傷,嚴重者會損壞顯示面板。如何能夠在窄 邊框的顯示面板中增加用於測試焊墊的靜電放電防護電路以提高顯示面板在測試時的防靜電能力,實為需要解決的問題之一。
本發明提供一種顯示面板,可以在測試焊墊上增加靜電放電防護電路,有效提高顯示面板在測試時的防靜電能力,防止顯示面板在測試時被炸傷,提升顯示面板的顯示品質,進而提高產品的成品率。
本發明實施例的一種顯示面板,包括一第一基板,包含相鄰的一顯示區與一周邊區;多個畫素單元,設置於所述第一基板,且位於所述顯示區;一測試焊墊,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區;至少一第一靜電放電保護電路,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區,所述第一靜電放電保護電路與所述測試焊墊電性連接;其中,所述測試焊墊至少部分覆蓋所述第一靜電放電保護電路。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧顯示區
120‧‧‧周邊區
130‧‧‧測試焊墊
140‧‧‧第一靜電放電保護電路
150‧‧‧第二靜電放電保護電路
SUB‧‧‧基板
141‧‧‧第一半導體層
142‧‧‧閘極絕緣層
143‧‧‧第一金屬層
144‧‧‧第一絕緣層
145‧‧‧第二金屬層
146‧‧‧第二絕緣層
147‧‧‧第三金屬層
147-1‧‧‧走線區
148‧‧‧第三絕緣層
149‧‧‧焊墊金屬層
S/D‧‧‧第一摻雜區
D/S‧‧‧第二摻雜區
CH‧‧‧溝道區
VIA1‧‧‧第一接觸孔
VIA2‧‧‧第二接觸孔
VDD‧‧‧電源
VSS‧‧‧地
CTS‧‧‧測試訊號
圖1是本發明一實施例顯示面板的結構的示意圖。
圖2是本發明一實施例第一靜電放電保護電路的電路結構示意圖。
圖3A是本發明一實施例測試焊墊及第一靜電放電保護電路層疊結構的俯視示意圖。
圖3B是圖3A沿A-A’的剖面示意圖。
下面結合附圖對本發明的結構原理和工作原理作具體的描述。
圖1是本發明一實施例顯示面板的結構的示意圖。如圖1所示,本實施例的顯示面板100包括顯示區110以及周邊區120。具體而言,多個畫素單元(圖中未示出)陣列設置於顯示區110,測試焊墊130、第一靜電放電保護電路140以及第二靜電放電保護電路150則設置於周邊區120。於圖1所示的實施例中,顯示面板100或顯示區110為矩形形狀,但本發明並不以此為限,可因不同的設計與需求,顯示面板100或顯示區110也可設置為圓形、橢圓形、其他不規則的弧形、三角形、五邊形或其他多邊形。另外,多個畫素單元可為對齊或錯位等方式排列成陣列。測試焊墊130、第一靜電放電保護電路140以及第二靜電放電保護電路150可以為一個或多個,舉例而言,如圖1所示,測試焊墊130為單一個數,但本發明並不以此為限,測試焊墊130也可為多個。於本實施例中,第一靜電放電保護電路140與測試焊墊130實現電連接,用於對測試焊墊130進行靜電保護;第二靜電放電保護電路150連接至驅動電路的相關訊號線路,舉例而言,驅動電路可為多工器(Multiplexer, MUX)、閘極驅動電路(Gate driver)、位移暫存器(Shift Register,SR)等。訊號線路則可包含閘極驅動電路的各訊號線路(Bus line),起始訊號線路(STV)、時鐘脈衝訊號線路(CK/XCK)、高/低電位訊號線路(VEND/VGH/VGL)等,也可以是其他周邊電路的各訊號線路,如測試電路的控制訊號線路(CT_Ctrl)、高/低電位訊號線路(CT_odd/CT_even)等。測試焊墊130、第一靜電放電保護電路140以及第二靜電放電保護電路150的數量可以根據測試的需要進行設定。於本實施例中,第一靜電放電保護電路140與測試焊墊130重疊設置,第一靜電放電保護電路140既可以被測試焊墊130部分覆蓋,也可以被測試焊墊130全部覆蓋,可以根據周邊區120的區域面積大小進行設置。另外,周邊區120還形成有覆晶薄膜焊墊(COF Pad)、多工器(Mux)、測試電路以及其他可能存在的驅動電路及相關走線,為便於說明,在圖中並未示出。
圖2是本發明一實施例第一靜電放電保護電路的電路結構示意圖。如圖2所示,第一靜電放電保護電路140包括第一開關元件T1以及第二開關元件T2,第一開關元件T1、第二開關元件T2均包括第一端、第二端以及控制端。其中,第一開關元件T1的第一端連接至電源VDD,第二端以及控制端並聯連接在一起,並電性連接至測試焊墊130;第二開關元件T2的第一端連接至第一開關元件T1的第二端及控制端,並共同電性連接至測試焊墊130,第二開關元件T2的第二端以及控制端並聯連接在一起,並電性連接至地 VSS。於本實施例中,當進行顯示裝置的性能/功能測試時,提供一測試訊號CTS,且透過測試焊墊130向顯示區提供測試訊號CTS。
圖3A是本發明一實施例測試焊墊及第一靜電放電保護電路層疊結構的俯視示意圖。圖3B是圖3A沿A-A’的剖面示意圖。如圖3A所示,測試焊墊130與第一靜電放電保護電路140重疊設置,測試焊墊130覆蓋第一靜電放電保護電路140,並在區域Q處實現測試焊墊130與第一靜電放電保護電路的電性連接。如果測試焊墊130不需要靜電放電保護僅僅只需要傳輸測試訊號CTS,則在區域Q處不進行連接。
具體的,結合圖3A、圖3B所示,在基板SUB上依序形成有第一半導體層141、閘極絕緣層142、第一金屬層143、第一絕緣層144、第二金屬層145、第二絕緣層146、第三金屬層147、第三絕緣層148以及焊墊金屬層149。
如圖3B所示,首先在基板SUB上形成第一半導體層141,對第一半導體層141進行摻雜,在半導體層141兩側形成第一摻雜區S/D以及第二摻雜區D/S,在第一摻雜區S/D以及第二摻雜區D/S之間形成溝道區CH。然後,在基板SUB上形成閘極絕緣層142,閘極絕緣層142覆蓋第一半導體層141;形成閘極絕緣層142之後,在閘極絕緣層142上形成第一金屬層143,並圖案化第一金屬層143,使圖案化後的第一金屬層143與其下方的溝道區CH在垂直位置上相互對應。在第一金屬層143及閘極絕緣層142上形成第一 絕緣層144,第一絕緣層144覆蓋第一金屬層143以及閘極絕緣層142;在第一絕緣層144上形成第二金屬層145並圖案化第二金屬層145,第二金屬層145與第一摻雜區S/D、第二摻雜區D/S以及第一金屬層143可實現電性連接。第一半導體層141、閘極絕緣層142、第一金屬層143、第一絕緣層144、第二金屬層145即可以構成本實施例第一靜電放電保護電路140中的開關元件T1、T2,當然,形成開關元件還有很多其他的層,本發明僅示例性的進行描述,並不以此為限。需要說明的是,在閘極絕緣層142、第一絕緣層144中還形成有多個貫孔,用於實現第二金屬層145、第一金屬層143以及第一摻雜區S/D或第二摻雜區D/S之間的電性連接,為便於清楚說明,圖3A中並未示出。
再如圖3B所示,在第二金屬層145以及第一絕緣層144上方形成第二絕緣層146,第二絕緣層146覆蓋第二金屬層145以及第一絕緣層144,在第二絕緣層146上形成第三金屬層147並對其進行圖案化,在第二絕緣層146以及第三金屬層147上方形成第三絕緣層148,第三絕緣層148覆蓋第二絕緣層146以及第三金屬層147,在第三絕緣層148上方形成焊墊金屬層149並對其進行圖案化。焊墊金屬層149可以是透明導電金屬氧化物材料,例如,銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物等。
如圖3B所示,其中,還在第二絕緣層146以及第三絕緣層148中形成開口,並分別在開口中形成第一接觸孔VIA1以及第二接觸孔VIA2;第一接觸孔VIA1實現第二 金屬層145與第三金屬層之間的電性連接,第二接觸孔VIA2實現第三金屬層147與焊墊金屬層149之間的電性連接。由此,通過第一接觸孔VIA1以及第二接觸孔VIA2即可以實現測試焊墊130與第一靜電放電保護電路140之間的電性連接。第一接觸孔VIA1可以由第三金屬層147或其他導電材料填充開口形成;第二接觸孔VIA2可以由焊墊金屬層149或其他導電材料填充開口形成。由此,第三金屬層147、第三絕緣層148以及焊墊金屬層149即形成了本實施例的測試焊墊130,當然,測試焊墊130還有其他構成方式,本實施例並不以此為限。需要指出的是,為便於說明,圖3A中的測試焊墊130並未示出第三絕緣層148,僅示例性示出了第三金屬層147以及焊墊金屬層149。
另外,再如圖2、圖3A、圖3B所示,如果需要將測試焊墊130上的測試訊號CTS傳輸到顯示區110時,測試焊墊130中的第三金屬層147還包括一走線區147-1,由此,第三金屬層147由兩部分構成,一部分位元元元於測試焊墊130焊墊金屬層149的下方,屬於焊墊區,用於形成測試焊墊130;另一部分為走線區147-1,用於傳輸測試訊號CTS,測試焊墊130上的測試訊號CTS通過走線區147-1傳輸到顯示區110並電性連接至顯示區110內的畫素單元,實現對顯示區110的測試。其中,走線區147-1第三金屬層的寬度比焊墊區第三金屬層147的寬度小,也可以根據具體佈局選擇不同的寬度。
綜上所述,本實施例的顯示面板100將第一靜電放電保護電路140形成在測試焊墊130下方,並實現了測試焊墊130與第一靜電放電保護電路140的電性連接。在測試期間,第一靜電放電保護電路140可以實現對測試焊墊130的靜電放電保護,在測試完成後正常顯示時,第一靜電放電保護電路140還可以用於對顯示區110的靜電放電保護。
當然,本發明還可有其它多種實施例,在不背離本發明精神及其實質的情況下,熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形,但這些相應的改變和變形都應屬於本發明所附的申請專利範圍的保護範圍。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧顯示區
120‧‧‧周邊區
130‧‧‧測試焊墊
140‧‧‧第一靜電放電保護電路
150‧‧‧第二靜電放電保護電路

Claims (10)

  1. 一種顯示面板,包括:一第一基板,包含相鄰的一顯示區與一周邊區;多個畫素單元,設置於所述第一基板,且位於所述顯示區;一測試焊墊,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區;至少一第一靜電放電保護電路,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區,所述第一靜電放電保護電路與所述測試焊墊電性連接;其中,所述測試焊墊至少部分覆蓋所述第一靜電放電保護電路。
  2. 根據請求項1所述的顯示面板,更包含:至少一第二靜電放電保護電路,設置於所述第一基板,且位於所述周邊區,其中所述第二靜電放電保護電路與一周邊訊號線路電性連接,且所述周邊訊號線路位於所述周邊區。
  3. 根據請求項1所述的顯示面板,所述第一靜電放電保護電路更包含:一第一半導體層,設置於所述第一基板,且所述第一半導體層具有一第一摻雜區、一第二摻雜區與一溝道區, 且所述溝道區位於所述第一摻雜區與所述第二摻雜區之間;一閘極絕緣層,覆蓋於所述第一半導體層;一第一金屬層,設置於所述閘極絕緣層,且位置對應於所述溝道區;一第一絕緣層,覆蓋於所述第一金屬層;以及一第二金屬層,設置於所述第一絕緣層,且連接於所述第一摻雜區或所述第二摻雜區。
  4. 根據請求項3所述的顯示面板,更包含:一第二絕緣層,覆蓋於所述第二金屬層;一第一接觸孔,形成於所述第二絕緣層;一第三金屬層,設置於所述第二絕緣層上,且位於所述第一接觸孔內,使得所述第三金屬層連接於所述第二金屬層;一第三絕緣層,覆蓋於所述第三金屬層與所述第二絕緣層;一第二接觸孔,形成於所述第三絕緣層。
  5. 根據請求項4所述的顯示面板,所述測試焊墊至少包括一焊墊金屬層,設置於所述第三絕緣層,且位於所述第二接觸孔內,使得所述焊墊金屬層連接於所述第二金屬層。
  6. 根據請求項5所述的顯示面板,所述第三金屬層包含相連的一焊墊區與一走線區,且所述焊墊區的位置對應於所述焊墊金屬層,而走線區自所述焊墊區而向所述顯示區延伸,其中焊墊區的寬度大於走線區的寬度。
  7. 根據請求項5所述的顯示面板,所述第三金屬層包含相連的一焊墊區與一走線區,且所述焊墊區可經過所述第一接觸孔而連接於所述第一靜電放電保護電路,所述走線區則電性連接所述多個畫素單元。
  8. 根據請求項5所述的顯示面板,所述焊墊金屬層可以是透明導電層。
  9. 根據請求項8所述的顯示面板,所述透明導電層可以是金屬氧化物導電材料。
  10. 根據請求項9所述的顯示面板,所述金屬氧化物導電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物。
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