TW202023675A - 排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置 - Google Patents

排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202023675A
TW202023675A TW108132194A TW108132194A TW202023675A TW 202023675 A TW202023675 A TW 202023675A TW 108132194 A TW108132194 A TW 108132194A TW 108132194 A TW108132194 A TW 108132194A TW 202023675 A TW202023675 A TW 202023675A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exhaust gas
water
nozzle
water treatment
ejection port
Prior art date
Application number
TW108132194A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI742424B (zh
Inventor
池奥哲也
Original Assignee
日商康肯環保設備有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商康肯環保設備有限公司 filed Critical 日商康肯環保設備有限公司
Publication of TW202023675A publication Critical patent/TW202023675A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI742424B publication Critical patent/TWI742424B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • B01D47/022—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath by using a liquid curtain
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/14—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by absorption
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/14—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by absorption
    • B01D53/18—Absorbing units; Liquid distributors therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/02—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape
    • B05B1/04—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape in flat form, e.g. fan-like, sheet-like
    • B05B1/044—Slits, i.e. narrow openings defined by two straight and parallel lips; Elongated outlets for producing very wide discharges, e.g. fluid curtains
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

提供一種排氣導入噴嘴，可以在排氣處理裝置的水處理裝置中，確實地消除固態反應物的堵塞。 排氣導入噴嘴(1)，係包含：內管(2)，其是將已導入的排氣(H)從第一噴出口(2f)噴出至水處理槽(20)內的高濕度環境內；以及外管(5)，其是以包圍內管(2)的第一噴出口(2f)之外周的方式所配設，且具有第二噴出口(5f)，該第二噴出口(5f)係以包圍從第一噴出口(2f)所噴出的排氣(H)之周圍的方式噴出非活性氣體(F)，且在排氣(H)之周圍形成非活性氣體簾幕(F1)。

Description

排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置
本發明係關於一種在排氣之作為熱分解製程之前階段的水處理製程中所使用的排氣導入噴嘴之改良、以及使用該噴嘴的水處理裝置及排氣處理裝置之改良，該排氣係從半導體製造過程(manufacturing process)所排出且包含加水分解性的成分氣體或粉塵。
此種的排氣，是在半導體、液晶等的電子電路元件之製造程序中所產生的排氣，特別是在潔淨(cleaning)製程、蝕刻(etching)製程中所產生的排氣，其成分的大半(大概90%以上)係由氮所構成，在其餘部分中則包含如NF3 、CF4 、或是C2 F6 等地球暖化係數遠大於二氧化碳的PFC氣體(perfluorocarbon gas；全氟化碳氣體)。為了將如此的排氣釋放至大氣中就必須在事前將此等有害成分氣體進行熱分解來使之無害化。 可是，即便在水分極少的環境下已將上述有害成分進行熱分解仍非常容易進行再結合，最終只能獲得較低的分解率。故而，為了要阻止再結合就不可缺少水分的存在。
在此排氣之中，例如有時會包含氟化鎢(fluorinated tungsten)、二氯矽烷(dichlorosilane)、三氯矽烷(trichlorosilane)、氟化矽等加水分解性之成分氣體。此外有時也包含有多量的粉塵。該加水分解性之成分氣體係與水反應而形成固態之加水分解生成物(三氧化鎢或氧化矽)。當該加水分解性之成分氣體伴隨排氣而流入至不可缺少水之存在的熱分解區時，就會產生前述固態之加水分解生成物並堆積而閉塞熱分解區。 又，當多量的粉塵進入熱分解區時就會堆積而同樣地閉塞熱分解區。
於是，為了使加水分解性之成分氣體或粉塵不進入熱分解區，而有提出一種如專利文獻1(圖6)所示的排氣處理裝置Y來作為將此等加水分解性之成分氣體或粉塵予以事前除去的裝置。
該排氣處理裝置Y，係包含：水槽150；及入口洗滌器(scrubber)110與出口洗滌器140，其是豎設於該水槽150之上；以及熱分解塔125，其是在入口洗滌器110與出口洗滌器140之間豎設於該水槽150之上，且於內部具有熱分解區126。
水槽150，係於底部裝滿有循環用之水M，該水M與頂板部之間是成為水洗排氣H1之第一流通路、熱分解排氣H2之第二流通路，且在第一流通路與第二流通路之間設置有隔壁151。
入口洗滌器110，係在其頂部設置有用以將排氣H導入至內部的普通噴嘴100，在其正下方設置有具有向下的噴霧噴嘴(spray nozzle)112的噴淋(shower)配管111，更在其下方設置有氣液接觸(gas‐liquid contact)促進用的充填材料層115。入口洗滌器110之底部係開口於水槽150之第一流通路。
熱分解塔125係包含有：排氣導入管127，其是開口於第一流通路；塔本體128，其是以包圍該排氣導入管127之周圍的方式所設置，且將熱分解區126形成於其內部；以及加熱器129，其是設置於熱分解區126。塔本體128之底部係開口於第二流通路。
然後，從如CVD(Chemical Vapor Deposition ：化學氣相沉積)成膜裝置之半導體製造裝置S所排出來的排氣H，係通過排氣導入配管120，從噴嘴100吹入至入口洗滌器110內。在入口洗滌器110內係以被噴出之微細水滴不淋在噴嘴100之噴出口101的方式從噴霧噴嘴112向下散布有循環用之水M。 排氣H內所包含的加水分解性之成分氣體的一部分，係接觸於所散布的水M並進行加水分解，且生成固態反應生成物並在作為下一個製程的熱分解之前被除去。粉塵之大半也同時被捕集除去。然後，在其下方之充填材料層115通過中其餘的加水分解性之成分氣體或粉塵會與流出至充填材料之表面的水進行氣體-液體接觸而其大部分會被除去，且作為水洗排氣H1而與多量的水分一起被送至熱分解區126。
雖然在熱分解區126係在存在水分的環境下包含PFC，但是會將加水分解性之成分氣體或粉塵已被除去相當程度之狀態的水洗排氣H1進行熱分解。再者，該熱分解排氣H2係在以與熱分解區126之出口側連通的方式所設置的出口洗滌器140，進行前述熱分解排氣H2之洗淨與達到能夠釋放至大氣中之溫度為止的冷卻且作為大氣釋放排氣H3來釋放至大氣中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開平7-323211號公報
[發明所欲解決之課題]
可是，在如上述的習知排氣熱分解裝置Y之入口洗滌器110中，無論是否已下工夫在以微細水滴不淋在排氣導入用的噴嘴100之噴出口101的方式向下散布噴霧噴嘴112等，都會發生該噴嘴100、或排氣導入配管120內(特別是與噴嘴100的連接部分21)堵塞的問題。可明白此是因入口洗滌器110內的水分會逆擴散至流動於該噴嘴100或排氣導入配管120的排氣H內(以圖6之二點鏈線所示的排氣H之流動的逆向)，且與流動於該噴嘴100或排氣導入配管120的排氣H之加水分解性的成分氣體反應，使反應生成物堆積於噴嘴100之排氣H所噴出的噴出口101或排氣導入配管120內所致。
於是，雖然已嘗試將流動於噴嘴100的排氣H之流速提高至能夠熱分解的範圍之上限，但是無法消除上述的閉塞問題。此是因朝向上游側的「水之逆擴散」比排氣H之流動更快預想以上所致。 結果，不得已要在習知裝置Y中進行已堵塞的噴嘴100、或排氣導入配管120之頻繁的交換。 再者，在入口洗滌器110中，雖然較佳是以較高的頻率來產生排氣H與所散布的水M之氣體-液體接觸，但是如上述在向上之散布中微細水滴會附著於噴嘴100而促進上述閉塞，故而僅能進行向下之散布。在該向下之散布中係不會發生噴嘴100近旁的氣液接觸，要達到該程度就不得不加厚充填材料層115。
本發明係有鑑於如此的問題點而開發完成，其第一個解決課題在於提供一種排氣導入噴嘴，其是在排氣處理裝置之水處理裝置中所使用，且可以確實地防止水分之逆擴散並可以確實地消除固態反應物之堵塞；其第二個解決課題在於提供一種水處理裝置，其是使用該排氣導入噴嘴，且加水分解性之成分氣體或粉塵的除去效率較高，進而提供一種具有該種功能的排氣處理裝置。 [解決課題之手段]
本發明之第1態樣的發明(實施形態1的排氣導入噴嘴1：圖1)為雙重管。 一種排氣導入噴嘴，係設置於水處理裝置A的水處理槽20之排氣導入部22的排氣導入噴嘴1，該水處理裝置A係以內部之高濕度環境，對包含加水分解性之成分氣體的排氣H進行加水分解處理，其特徵為，包含： 內管2，其是將已導入的排氣H從其第一噴出口2f噴出至前述水處理槽20內的高濕度環境內；以及 外管5，其是以包圍前述內管2的前述第一噴出口2f之外周的方式所配設，且具有第二噴出口5f，該第二噴出口5f係以包圍從前述第一噴出口2f所噴出的排氣H之周圍的方式噴出非活性氣體F，且在前述排氣H之周圍形成非活性氣體簾幕(gas curtain)F1； 前述外管5的第二噴出口5f之第二開口端5k，係以比前述內管2的第一噴出口2f之第一開口端2k還朝向排氣H之噴出方向突出的方式所構成。
藉此，從內管2之第一噴出口2f噴出至高濕度環境的排氣H，係在其全周直至從前述第一噴出口2f僅遠離某距離的範圍為止由非活性氣體簾幕F1所包圍並從周圍之高濕度環境(水分)隔離。然後，排氣H與非活性氣體簾幕F1，係在比僅遠離某距離的地點更前面，隨著其流速之降低而相互地混合，進而擴散至前述高濕度環境內並與該水分接觸而加水分解。 此時，由於即便在與非活性液體F混合的地點已存在水分，排氣H仍會在該區域由非活性氣體F所稀釋，所以不會發生傳至從前述第一噴出口2f所噴射的排氣H並朝向前述第一噴出口2f的「水之逆擴散」。 此外，在內管2的第一噴出口2f之近旁，排氣H不會因非活性氣體簾幕F1之動作而完全被切斷並與周圍之高濕度環境接觸，加水分解生成物也不會從該部分附著於內管2之第一噴出口2f。 在此所謂「高濕度環境」，係指水處理槽20內之水分與排氣進行氣液接觸的空間K。
第2態樣的發明(實施形態2的導入噴嘴1：圖4)，為第1態樣的排氣導入噴嘴1，其中，在外管5的第二噴出口5f之周圍更設置有水分噴出噴嘴10，該水分噴出噴嘴10係具有沿前述非活性氣體簾幕F1噴出微細水滴或水蒸氣M的第三噴出口10f(10f’)。
水分噴出噴嘴10之第三噴出口10f，係以呈同心圓狀包圍外管5之周圍的方式所設置並形成三重管(圖5中之(a))。作為變化例，也可單純地將一個或複數個水分噴出噴嘴孔10f’配置於外管5之周圍(圖5中之(b))。 雖然從第三噴出口10f(10f’)出來的微細水滴或水蒸氣M(以下，有時將微細水滴、水蒸氣或是循環用之水等加水分解用的水總稱為「水等」)，係沿非活性氣體簾幕F1之外側噴出，但是會在遠離第一噴出口2f的某位置與非活性氣體簾幕F1或排氣H混合，且在該區域與排氣H接觸而將之進行加水分解。該區域係十分遠離第一噴出口2f且由非活性氣體簾幕F1所遮蔽，由於排氣H是由非活性氣體F所稀釋，所以不會發生與上述同樣的「水之逆擴散」。
第3態樣或第4態樣的發明(圖3中之(b)、圖4中之(b))，係顯示第1態樣及第2態樣的內管2之第一噴出口2f與外管5之第二噴出口5f之位置關係的另一例，且為第1態樣或第2態樣的排氣導入噴嘴1，其中，前述外管5的第二噴出口5f之第二開口端5k、與內管2的第一噴出口2f之第一開口端2k，係構成相同的突出高度(同一平面)。
藉此從外管5之第二噴出口5f所噴出的非活性氣體簾幕F1，係以某距離遍及於排氣H之全周地從周圍之高濕度環境遮斷排氣H。結果，與上述同樣，加水分解生成物不會附著於內管2之第一噴出口2f。
第5態樣的發明，為第2態樣的排氣導入噴嘴1(圖4中之(a))，其中，前述外管5的第二噴出口5f之第二開口端5k，係以比前述水分噴出噴嘴10的第三噴出口10f之第三開口端10k還朝向排氣H之噴出方向突出的方式所構成。
第6態樣的發明，係第5態樣之另一例，且為第2態樣的排氣導入噴嘴1(圖4中之(b))，其中，前述外管5的第二噴出口5f之第二開口端5k、與前述水分噴出噴嘴10的第三噴出口10f之第三開口端10k係構成相同的突出高度(同一平面)。
藉此從水分噴出噴嘴10所噴出的水等M，係沿外管5之外周面而流出，並且由內側之非活性氣體簾幕F1所遮蔽而不會進入其內側，且在某噴出距離內，只要不與從內管2之第一噴出口2f所噴出的排氣H靠近也不會接觸。故而，即便微細水滴或加熱水蒸氣從已設置於最外周的水分噴出噴嘴10噴出，加水分解生成物仍不會附著於內管2之第一噴出口2f。
第7態樣的發明，為第1態樣至第6態樣中任一態樣的發明，其中，非活性氣體簾幕F1的噴出速度是與排氣H的噴出速度相同，或是非活性氣體簾幕F1的噴出速度設定得較快。
非活性氣體簾幕F1之噴出速度變得越快，非活性氣體簾幕F1之排氣H的遮蔽距離就變得越長，且遮蔽效果變得越強。結果，能更佳地阻擋反應生成物附著於內管2之第一噴出口2f。又，也能減少非活性氣你F之使用量。
第8態樣係關於一種裝備有第1態樣至第7態樣中任一態樣之發明的獨立式之水處理裝置A(圖1)。亦即，一種水處理裝置，係將從半導體製造裝置S所送來的排氣H進行加水分解並除去加水分解性之氣體成分，且將水處理過的水洗排氣H1送出至下一個製程的水處理裝置A，其特徵為，包含： 第1態樣至第7態樣中任一態樣所記載的排氣導入噴嘴1；及 水處理槽20，其是在其排氣導入部22安裝有前述排氣導入噴嘴1；及 蒸氣配管21，其是設置於前述水處理槽20內，且具有朝向前述內管2的第一噴出口2f所設置，用以噴出水蒸氣M的噴嘴口21a；以及 排氣管26，其是從水處理槽20連接於下一個製程，且將水處理過的水洗排氣H1送出至下一個製程。
在該獨立式之水處理裝置A中，由於從第一噴出口2f所噴出的排氣H，係由非活性氣體簾幕F1所包圍，且如上述在僅遠離第一噴出口2f既定距離的噴出前端由非活性氣體F所稀釋，所以即便朝向第一噴出口2f方向設置蒸氣配管21之噴嘴口21a，且使水蒸氣M從噴嘴口21a噴出，該水蒸氣M仍不會到達噴嘴口21a，也沒有「水之逆擴散」。結果，在第一噴出口2f之正下方，可以將加水分解性之成分氣體進行加水分解處理，且可以將水處理槽20縮短該程度。又，由於水處理裝置A是獨立式，所以也能夠個別地設置於既存的排氣處理裝置。
第9態樣係關於一種一體地具有裝備有第1態樣至第7態樣中任一態樣的發明(排氣導入噴嘴1)之水處理裝置A的排氣處理裝置X(圖2)。其特徵為，包含： 水槽40，其是將循環用之水M裝滿於底部；及 水處理槽20，其是豎設於水槽40的頂板部41，且內部保持在高濕度環境；及 第1態樣至第7態樣中任一態樣所記載的排氣導入噴嘴1，其是安裝於前述水處理槽20之排氣導入部22，且將從半導體製造裝置S所送來的排氣H吹入至前述水處理槽20內；及 熱分解塔50，其是豎設於水槽40的頂板部41，用以導入在水處理槽20所水洗過的水洗排氣H1，且在內部的熱分解區56進行熱分解；以及 出口洗滌器60，其是豎設於水槽40的頂板部41，用以將熱分解後的熱分解排氣H2進行洗淨並除去有害物質來作為大氣釋放排氣H3，且將該大氣釋放排氣H3釋放至大氣中。 [發明效果]
根據以上，由於在本裝置X或水處理裝置A所使用的本發明噴嘴1，係在從內管2之第一噴出口2f所噴出的排氣H之周圍設置非活性氣體簾幕F1，所以會如上述地阻礙「水之逆擴散」。結果，第一噴出口2f當然不會在排氣導入配管8內附著加水分解生成物，且即便長時間使用仍不會在該部分發生堵塞。
以下，按照圖示實施例來說明本發明。圖1係裝備有本發明之獨立式水處理裝置A的排氣處理裝置X(第一實施例)，圖2係裝備有本發明之非獨立式水處理裝置A的排氣處理裝置X(第二實施例)。此等為在半導體製造過程中所使用的裝置，例如是以真空泵(vacuum pump)V來抽吸從CVD成膜裝置S所排出的排氣H並送至排氣處理裝置X，且進行熱分解使之無害化而釋放至大氣中的設備。
第一實施例的排氣處理裝置X，係由獨立的水處理裝置A、及設置有出口洗滌器60的熱分解裝置B所構成。內建於水處理裝置A的排氣導入噴嘴1，係有圖3的雙重管、以及圖4、圖5中之(a)的三重管(或是其變化例：圖5中之(b))。首先，作為本發明的排氣處理裝置X，係針對圖1來說明，排氣導入噴嘴1則針對雙重管來說明。其後，針對三重管(及其變化例)來說明。最後說明圖2之水處理裝置A已被一體化的排氣處理裝置X。
在下述實施例之說明中為了避開繁雜度而在第二實施例中，係以與第一實施例不同的部分為中心來說明，顯示相同作用的部分係附記相同符號並且將該說明援用作為第二實施形態之說明。
圖1的排氣處理裝置X之概略，例如是以真空泵V來抽吸來自CVD成膜裝置S的排氣H，且以連接該真空泵V與水處理裝置A的排氣導入配管8將排氣H送入至水處理裝置A。在水處理裝置A中，係將排氣H中所包含的加水分解性之成分氣體進行加水分解來作為固態的加水分解生成物，並與所供應的水等(加水分解用之噴霧水或加熱水蒸氣)M一起除去。同時伴隨排氣H而被送入的粉塵也同樣進行水洗除去。又，在包含有氯等水溶性氣體的情況下，此也同時以水等M來除去。
加水分解性之成分氣體或粉塵等已被除去後的水洗排氣H1，係藉由排氣管26送入至熱分解塔50，在此已被熱分解之後，送至鄰接的出口側之洗滌器60且在將熱分解後的熱分解排氣H2予以洗淨之後，作為無害之大氣釋放排氣H3來釋放至大氣中。
本發明的水處理裝置A是將如上述半導體製造過程之例如從CVD成膜裝置S所排出的各種排氣H之中包含加水分解性之成分氣體(進而為水溶性之成分氣體)的排氣H，在加熱分解處置之前先行除去，藉此不會發生藉由加水分解生成物所致的內部堵塞，而可以效率佳地處理排氣H的裝置。
水處理裝置A，係概略由排氣導入噴嘴1、於內部設置有入口側之充填材料層25的水處理槽20、水分供應部30、蒸氣配管21及排氣管26所構成。 水處理槽20，係在位於頂部且作為中空容器的排氣導入部22設置有排氣導入噴嘴1，且在底部儲存有循環用之水M。 比循環用之水M還上方的空間部分，更正確言之為包含充填材料層25且比充填材料層25還上方的空間部分是氣液接觸空間K，且在排氣導入噴嘴1之下方設置有蒸氣配管21。在蒸氣配管21係連接有工廠的蒸氣供應配管(未圖示)，且對蒸氣配管21供應著加熱水蒸氣。 蒸氣配管21之下方或旁邊並排設置有入口側之噴霧配管23。 在蒸氣配管21係以包夾排氣導入噴嘴1的方式在其兩側配置有向上的噴嘴口21a，且在排氣導入噴嘴1之兩側使加熱水蒸氣從噴嘴口21a向上噴出。 在入口側之噴霧配管23係設置有向下的噴嘴口23b。該向下的噴嘴口23b係配置於排氣導入噴嘴1之正下方，且從該向下的噴嘴口23b呈放射狀地朝向下方傾注微細之噴霧水滴M。
在入口側之噴霧配管23的下方係設置有充填物層25，該充填物層25係充填有塑膠(plastic)或陶瓷(ceramic)或是玻璃(glass)製的充填物(例如，特勒填料(Tellerette)(註冊商標)或拉西環(Raschig ring))。
在充填物層25之下方的空間係設置有排氣管26，該排氣管26係從該空間拉出，且到達後述的熱分解塔50之水洗排氣導入部53。該排氣管26係開口於充填物層25之下方的空間。然後，在圖1的情況下，該排氣管26，係通過循環用之水M而從水處理槽20之側面朝外拉出，且連接於熱分解塔50之水洗排氣導入部53。(當然，亦可不通過循環用之水M而直接從水處理槽20之側面朝外拉出。)。 該實施例的排氣管26之入口開口27，係從循環用之水M的水面朝向上方延伸，且在充填物層25之正下方面向充填物層25之下表面而開口。
在入口側之噴霧配管23係連接有入口側之抽水配管(pumping pipe)31，該入口側之抽水配管31係從水處理槽20之底部豎起，且構成水分供應部30。在該入口側之抽水配管31係設置有入口側之揚升泵(lift pump )34，將積留於水處理槽20之底部的循環用之水M供應至入口側之噴霧配管23。更且，在水處理槽20之底部係設置有用以維持循環用之水M的水位的溢流(overflow)配管37。
排氣導入噴嘴1之實施形態1，為如圖3所示的雙重管噴嘴，實施形態2係有圖4、圖5中之(a)所示的三重管噴嘴、或圖5中之(b)所示的其變化例等。首先，針對實施形態1加以說明，其次針對實施形態2加以說明。為了避免說明的重複，在實施形態2中係以與實施形態1不同的部分為中心來說明，已省略的部分則援用實施形態1的說明。在實施形態1與實施形態2中，相同的構件係附記同一符號。
排氣導入噴嘴1的實施形態1，為由內管2、外管5所構成的雙重管。在圖之實施形態中，內管2，係包含：排氣導入用之內管本體2h；以及被覆於其上部外表面的鞘管(sheath pipe)4。內管本體2h及外管5係由如高價之耐腐蝕性優異的Ni(鎳)基之超合金(例如，英高鎳(Inconel)或赫史特合金(Hastelloy)(皆為註冊商標)、或如SUS316L的高耐蝕性不鏽鋼、或是耐熱耐蝕性樹脂(例如，聚醚醚酮(polyetheretherketone)樹脂)所形成，鞘管4係由具有普通之耐蝕性的金屬材料(例如，如SUS304的不鏽鋼)所形成。當然，可以將鞘管4與排氣導入用之內管本體2h一體化。
排氣導入用之內管本體2h的入口部分2b，係連接於排氣導入配管8的出口。內管本體2h之剖面形狀，其入口部分2b是直至中間部分2e為止形成較粗的圓形直管狀。中間部分2e，係以其內徑朝向出口部分2g漸減的方式來縮小。出口部分2g之內表面形狀，係形成比入口部分2b還細之內徑不變的直管形。該出口部分2g之前端開口為第一噴出口2f，其端面為第一開口端2k。(再者，雖然並未圖示，但是出口部分2g也可為與中間部分2e相同的錐形且至前端之第一開口端為止呈頭尖狀。)。 然後，內管本體2h之外表面係從入口側端面至中段部分為止形成直管形，從中段部分至前端之第一開口端2k為止形成相同的錐形且呈頭尖狀。從而，在圖式的情況下，在內管本體2h之出口部分2g中，其厚度是朝向第一開口端2k逐漸地變薄。為了不在該部分(第一開口端2k與其近旁)附著堆積反應生成物或粉塵，較佳是事先形成刀緣(knife edge)狀。再者，內管本體2h之外徑朝向第一開口端2k漸減的部分是第一噴嘴部2a。
外管5，係形成有開口於上表面中央的緣筒狀之收納凹部5b，從該收納凹部5b之中央朝向下方穿設有頭尖狀(漏斗狀)的噴嘴孔。穿設有該噴嘴孔的部分為第二噴嘴部5a，而到達其下表面開口的其外表面，係由與噴嘴孔相同的錐形所形成。將前述下表面開口作為第二開口端5k。
內管2是從上方插入於上述收納凹部5b內，內管本體2h之第一噴嘴部2a是插入於外管5之第二噴嘴部5a內。然後，鞘管4之凸緣部是以氣密狀態安裝於外管5之上表面。 在內管本體2h的第一噴嘴部2a之外周面2r與外管5的第二噴嘴部5a之內周面之間遍及於全周地形成有均等的間隙T1。間隙T1之環狀的前端開口為第二噴出口5f。 再者，在此，雖然該間隙T1係從入口至出口(第二噴出口5f)為止成為相同的寬度，但是為了提高非活性氣體F之噴出速度，亦可越來到前端就越逐漸變窄。 然後，在外管5之上部側面係連接有非活性氣體供應配管6，且與已形成於收納凹部5b之內表面與內管本體2h之外表面之間的貯氣槽7連通。貯氣槽7係與到達第二噴出口5f的間隙T1連通。
雖然是處於第一開口端2k與第二開口端5k之位置關係，但是如由圖3中之(a)的圓所包圍的部分，能以第二開口端5k比第一開口端2k還朝向排氣噴出方向突出的方式來配置。以W1來表示突出量。 圖3中之(b)為圖3中之(a)的另一例，且為如以從前述圓拉出之拉出線所示的圓內之圖般地將前述第一開口端2k與第二開口端5k形成相同的高度(同一平面)之例。為了預防「水之逆擴散」，突出量W1是以較長者為佳。但是，如圖3中之(b)般，即便突出量W1為零的情況下，只要後述的非活性氣體簾幕F1之遮蔽力充分，就可以預防「水之逆擴散」。
熱分解裝置B，係由水槽40、熱分解塔50及出口側之洗滌器60所構成。 熱分解塔50與出口側之洗滌器60，係並排設置地豎設於水槽40之上。在熱分解塔50係導入有與從前述水處理裝置A延伸的排氣管26連結並經水洗過的水洗排氣H1。在水槽40之底部係儲存有循環水M，藉由溢流配管42來保持於一定的水位，且藉由供水管45來供應有與溢流所流出的水M相同之新的水M。
熱分解塔50與出口側之洗滌器60的底部係開口於水槽40，熱分解塔50的底部與出口側之洗滌器60的底部係在水槽40的頂板部41與循環用之水M之間的空間連通。
熱分解塔50是利用了大氣壓電漿(plasma)的水洗排氣H1之熱分解處理裝置，且包含：塔本體52；及非遷移式之電漿噴流炬(plasma jet torch)51，其是設置於前述塔本體52之頂部，且朝向前述塔本體52之內部生成高溫的電漿噴流P；以及水洗排氣導入部53，其是以包圍前述塔本體52之上端外周的方式所設置的環狀之空間，且水處理裝置A的排氣管26之出口，是連接於其側面。
電漿噴流炬51，係於內部具有電漿產生室(未圖示)，在電漿噴流炬51之下表面中心部係設置有使之在電漿產生室內生成的電漿噴流P噴出的電漿噴流噴出孔(未圖示)。在電漿噴流炬51之側面上部係依需要而設置有如氮氣之作動氣體輸送供應配管(未圖示)。
水洗排氣導入部53內部空間係遍及於周方向全周地形成有水洗排氣流路53a，且從排氣管26之出口所供應來的水洗排氣H1會回流至內部的排氣流路53a。在排氣流路53a，係具有相對於上述電漿噴流P之噴出部分而開口於切線方向的開口部(未圖示)。
在水洗排氣導入部53之下端開口部係安裝有直管式之塔本體52，該塔本體52係由陶瓷等的耐熱性材料所構成，且底部開口於水槽40。該塔本體52，係圍繞電漿噴流P與所吹入的水洗排氣H1，且在其內部(熱分解區56)進行水洗排氣H1之熱分解，外表面係由絕熱材料(未圖示)所覆蓋。然後，在塔本體52之上端外周部分係設置有貯水部55，水從塔本體52之上端溢流並在塔本體52之內周面全面形成水壁57。在貯水部55係從外部供應有溢流部分的水。
水槽40是如中空長方體的構件，且在其頂板部41並排設置有前述熱分解塔50與後述的出口洗滌器60。水槽40，係在底部裝滿有循環用之水M，且該水M與頂板部41之間成為熱分解排氣H2之流通路。然後，設置有將內部之水位保持於固定的溢流配管42。
出口側之洗滌器60，為所謂的濕式之洗滌器，當說明其概略結構時，是由以下所構成：直管式之洗滌器本體60a，其是豎設於水槽40之頂板部41；及出口側之抽水配管61；及出口側之揚升泵64，其是設置於出口側之抽水配管61的中途；及出口側之噴霧配管63，其是連接於前述抽水配管61，且設置於洗滌器60a之內部的頂部近旁；及出口側之噴嘴口63a，其是設置於該噴霧配管63，且將鹼性液體、酸性液體或是水或蒸氣等的藥液M形成加熱蒸氣狀態並向下散布；及出口側之充填材料層65，其是設置於出口側之噴嘴口63a的下方且用以進行氣液接觸；及排氣鼓風機(exhaust blower)67，其是設置於洗滌器本體60a之頂部；以及大氣釋放用排氣管68，其是設置於該排氣鼓風機67。散布後的上述藥液M是被收納在水槽40。
其次，針對圖1之排氣處理裝置X中的排氣導入噴嘴1之作用加以說明。將非活性氣體F(例如，氮氣或氬氣(argon gas))供應至排氣導入噴嘴1之非活性氣體供應配管6。所供應來的非活性氣體F係通過貯氣槽7並通過內管本體2h的第一噴嘴部2a之外周面2r與外管5的第二噴嘴部5a之內周面之間的間隙T1而從前端的第二噴出口2f呈圓筒狀地噴出非活性氣體F。將該噴出部分作為非活性氣體簾幕F1。該非活性氣體F係從排氣H之導入前所供應。
在此，將間隙T2之形狀形成頭細的圓錐形，係為了提高從外管5之第二噴出口5f所噴出的非活性氣體F之流速，且形成以較少的非活性氣體F之使用量具有充分之遮蔽功能的非活性氣體簾幕F1。從此觀點來說，也可相對於排氣導入用之內管本體2h的第一噴嘴部2a之外周面2r的錐形角度而加大外管5的第二噴嘴部5a之內周面的錐形角度，並將形成於兩者之間的間隙T1越來到前端側就形成越窄。 又，也可將非活性氣體簾幕F1之流速形成與後述的排氣H之流速相同，或加快非活性氣體簾幕F1之流速。越加快非活性氣體簾幕F1之流速，非活性氣體簾幕F1就越伸長，且越提升相對於排氣H的屏蔽效果。此點在圖4的情況也是同樣。
又，此時，入口側之抽水配管31的提升泵34也會作動，且抽取循環用之水M，而供應至入口側之噴霧配管23。藉此，水M會從向下的噴嘴口23b成為較細的水滴並朝向下方如傘般地散布。 從蒸氣配管21之向上的噴嘴口21a在排氣導入噴嘴1之兩側往上噴出加熱水蒸氣M。
然後，當使電漿噴流炬51的控制部(未圖示)之電源呈接通時，就會在大氣壓下生成有超高溫(約10000℃前後)的氣體流，亦即生成非遷移式的電漿噴流P，且該電漿噴流P從電漿噴流噴出孔噴出至塔本體52內。接著，在生成電漿噴流P之後，透過真空泵V將從如CVD成膜裝置的半導體製造裝置S所排出的排氣H導入至水處理裝置A內。
排氣H之導入係通過排氣導入噴嘴1所進行。所導入的排氣H係通過排氣導入用之內管本體2h，在中間部分2e被縮小，且增加流速以從出口部分2g成為較細的圓柱狀之氣流噴出至呈圓筒狀流動的非活性氣體簾幕F1內(圖3中之(a))。
該非活性氣體簾幕F1，係沿第一噴嘴部2a之外周面2r成為頭尖之較細的圓錐狀之氣流而噴出。該頭尖的非活性氣體簾幕F1，係一邊遮蔽排氣H之全周一邊僅以某程度之距離縮小排氣H的方式朝向下方流動。然後，非活性氣體簾幕F1之流速會逐漸下降，且與排氣H接觸並與排氣H混合而稀釋排氣H。將該區域作為混合區域R。 在該混合區域R係供從向上的噴嘴口21a往上噴出的加熱水蒸氣M進入，且與加水分解性之成分氣體接觸並將之進行加水分解，而生成微細的固態反應生成物。在排氣H中包含有粉塵的情況下，可同時由加熱水蒸氣所捕集。
在該混合區域R中，由於排氣H係如上述地被稀釋，所以「水之逆擴散」會變弱，「水分」不會從該混合區域R到達內管2的第一噴嘴部2a之第一噴出口2f。由於從前述第一噴出口2f至該混合區域R係如上述地藉由非活性氣體簾幕F1所遮蔽，所以其周圍的「水分」依然不會到達前述第一噴出口2f。結果，不會在第一噴出口2f發生加水分解生成物之附著。
如圖3中之(a)所示，當外管5之第二開口端5k僅以突出量W1從第一開口端2k突出時，突出量W1就會加上非活性氣體簾幕F1之噴出長度，僅該部分就能在排氣H中增加屏蔽效果。 另一方面，在該時間點，設置於出口洗滌器60的排氣鼓風機67會運轉。藉此，排氣會從水處理裝置A通過熱分解塔50，且朝向出口洗滌器60而流動。在水處理槽20內，如上述由微細水滴與加熱水蒸氣所捕集到的微細之固態反應生成物或粉塵，係乘著該氣流來與上述微細水滴或加熱水蒸氣一起掉落。
然後，排氣H係一邊與水處理槽20內之水等M重複進行氣液接觸且一邊到達入口側之充填材料層25。在入口側之充填材料層25中，水等M是流動至多孔質(porous)的充填材料之內部表面或空隙內，且一邊與排氣H重複進行氣液接觸一邊通過充填材料層25。 藉此，可在水處理槽20內大致進行加水分解性之成分氣體的除去或粉塵的捕集，水等M係從充填材料層25滴下至已積留於水處理槽20之底部的循環用之水M，氣體部分則成為正常的水洗排氣H1，並被送至作為下一個製程的熱分解塔50。 在熱分解塔50中，由於加水分解性之成分氣體已被除去，所以不會發生堵塞，而能在水分之存在下在熱分解塔50內進行排氣之高效率的熱分解。
在此已被熱分解的熱分解排氣H2係被送至出口洗滌器60，且被充分洗淨並且降低至能夠釋放至大氣中的溫度為止，且利用排氣鼓風機67來釋放至大氣中。
其次，針對圖4所示的實施形態2之排氣導入噴嘴1加以說明。該排氣導入噴嘴1為三重管，且以水分噴出噴嘴10包圍外管2之第二噴嘴部5a的方式所設置。 在水分噴出噴嘴10，係以包圍第二噴嘴部5a之周圍全周的方式設置有第三噴嘴部10a。第三噴嘴部10a，係形成由與外管5之第二噴嘴部5a相同之錐形所形成的頭圓錐形，且在外管5的第二噴嘴部5a之外周面5r與第三噴嘴部10a之內周面之間遍及於第二噴嘴部5a之外周面全周地形成有水分噴出用之間隙T2。 在該間隙T2，係經由貯水槽17而連接於水分供應配管16。在圖4中，雖然水分供應配管16係連接於外管5之側面，且通過已設置於外管5的通水路而連接於貯水槽17，但是亦可連接於如圖5中之(b)所示之個別的水分噴出噴嘴10。
該三重管的排氣導入噴嘴1之第一開口端2k、第二開口端5k、第三開口端10k，係有如圖4中之(b)般地形成於一致之位置的情況、與圖4中之(a)般地不一致的情況。在不一致的情況下，第一開口端2k、第二開口端5k係與實施形態1同樣，且第二開口端5k比第一開口端2k還突出。第三開口端10k，係比第二開口端5k還後退，之後以W2來表示該後退距離。
針對該三重管的排氣導入噴嘴1之作用加以說明。在此情況下，從第一噴出口2f、第二噴出口5f噴出的排氣H與非活性氣體簾幕F1係如同上述。然後，從上述間隙T2之前端的第三噴出口10f，以包圍其內側的非活性氣體簾幕F1之周圍的方式，與該非活性氣體簾幕F1平行地噴出加水分解用之水分(加熱蒸氣或微細水滴)M。由於該間隙T2與非活性氣體簾幕F1之形成用的間隙T1為平行，所以從間隙T2噴出至僅以某距離遠離第一噴出口2f之位置為止的加水分解用之水等M係與非活性氣體簾幕F1平行地噴出，在該範圍內不會突破非活性氣體簾幕F1而與內側之排氣H接觸。
在此，在第三開口端10k比第二開口端5k還朝向上方後退的情況下(圖4中之(a))，非活性氣體簾幕F1係至少僅以該後退距離W2由外側噴嘴5a所屏蔽(shield)。 如圖4中之(b)般，即便是在第三開口端10k與第二開口端5k存在於相同位置的情況下，若非活性氣體簾幕F1之流速較快而屏蔽效果充分的話，就不會因加水分解用之水等M而使屏蔽被破壞。 若加水分解用之水等M，為加熱水蒸氣，則突破非活性氣體簾幕F1之力係比微細水滴更弱，非活性氣體簾幕F1之屏蔽效果變得更高。
圖5中之(b)為設置複數個噴嘴孔10f’來取代用以使圖5中之(a)的加水分解用之水等M噴出的環狀之間隙T2之例。加水分解用之水等M是能從該複數個噴嘴孔10f’如上述地噴出。
然後，當加水分解用之水等M是如上述般地從間隙T2之第三噴出口10f(或是噴嘴孔10f’)朝向非活性氣體簾幕F1平行地噴出時，非活性氣體簾幕F1與排氣H就會隨著流速之降低在某固定之距離處混合，排氣H中的加水分解性之氣體成分會在該混合區域如上述所述般地被加水分解並產生反應生成物，且與加水分解用之水等M一起落下。 如以上的獨立式之水處理裝置A，係有可以單獨設置於既有設備的優點(merit)。
相對於此，圖2為在排氣處理裝置X內建有水處理裝置A的非獨立式。排氣導入噴嘴1，係設置於已一體地內建在排氣處理裝置X的水處理裝置A，且在加熱分解處理之前階段進行加水分解性之成分氣體或粉塵的除去。作為裝置X的作用係如同已述般。
1:排氣導入噴嘴 2:內管 2a:第一噴嘴部 2b:入口部分 2e:中間部分 2f:第一噴出口 2g:出口部分 2h:內管本體 2k:第一開口端 2r:第一噴嘴部之外周面 4:鞘管 5:外管 5a:第二噴嘴部 5b:收納凹部 5f:第二噴出口 5k:第二開口端 5r:第二噴嘴部之外周面 6:非活性氣體供應配管 7:貯氣槽 8,120:排氣導入配管 10:水分噴出噴嘴 10a:第三噴嘴部 10f:第三噴出口 10f’:水分噴出噴嘴孔 10k:第三開口端 16:水分供應配管 17:貯水槽 20:水處理槽 21:蒸氣配管 21a:向上的噴嘴口 22:排氣導入部 23:入口側之噴霧配管 23b:向下的噴嘴口 25:入口側之充填材料層(充填物層) 26:排氣管 27:入口開口 30:水分供應部 31:入口側之抽水配管 34:入口側之揚升泵 37,42:溢流配管 40:水槽 41:頂板部 45:供水管 50,125:熱分解塔 51:電漿噴流炬 52,128:塔本體 53:水洗排氣導入部 53a:排氣流路 55:貯水部 56,126:熱分解區 57:水壁 60,140:出口洗滌器 60a:洗滌器本體 61:出口側之抽水配管 63:出口側之噴霧配管 63a:噴嘴口 64:出口側之揚升泵 65:出口側之充填材料層 67:排氣鼓風機 68:大氣釋放用排氣管 100:習知的噴嘴 101:噴出口 110:入口洗滌器 111:噴淋配管 112:噴霧噴嘴 115:充填材料層 121:排氣導入噴嘴連接部分 127:排氣導入管 129:加熱器 150:水槽 151:隔壁 A:水處理裝置 B:熱分解裝置 F:非活性氣體 F1:非活性氣體簾幕 H:排氣 H1:水洗排氣 H2:熱分解排氣 H3:大氣釋放排氣 K:氣液接觸空間 M:水等(噴霧水滴、微細水滴、加熱水蒸氣、循環用之水、藥液) P:電漿噴流 R:混合區域 S:半導體製造裝置(半導體成膜裝置) T1:活性氣體簾幕之形成用的間隙 T2:水等(噴霧脆液、加熱水蒸氣)噴出用的間隙 V:真空泵 W1:第一與第二開口端間的突出量 W2:第二與第三開口端間的後退距離 X:本發明的排氣處理裝置 Y:習知的排氣處理裝置
[圖1] 係包含本發明之獨立式水處理裝置的排氣處理設備之流程圖。 [圖2] 係包含本發明之非獨立式水處理裝置的排氣處理設備之流程圖。 [圖3] 中之(a)係圖1的排氣導入噴嘴之實施形態1的剖視圖，圖3中之(b)係該噴嘴的噴出口之另一例的剖視圖。 [圖4] 中之(a)係圖1的排氣導入噴嘴之實施形態2的剖視圖，圖4中之(b)係該噴嘴的噴出口之另一例的剖視圖。 [圖5] 中之(a)係從下方觀察圖4之排氣導入噴嘴的示意圖，圖5中之(b)係其變化例。 [圖6] 係習知例之排氣處理設備的流程圖。
1:排氣導入噴嘴
8:排氣導入配管
20:水處理槽
21:蒸氣配管
21a:向上的噴嘴口
22:排氣導入部
23:入口側之噴霧配管
23b:向下的噴嘴口
25:入口側之充填材料層(充填物層)
26:排氣管
27:入口開口
30:水分供應部
31:入口側之抽水配管
34:入口側之揚升泵
37,42:溢流配管
40:水槽
41:頂板部
45:供水管
50:熱分解塔
51:電漿噴流炬
52:塔本體
53:水洗排氣導入部
53a:排氣流路
55:貯水部
56:熱分解區
57:水壁
60:出口洗滌器
60a:洗滌器本體
61:出口側之抽水配管
63:出口側之噴霧配管
63a:噴嘴口
64:出口側之揚升泵
65:出口側之充填材料層
67:排氣鼓風機
68:大氣釋放用排氣管
A:水處理裝置
B:熱分解裝置
F:非活性氣體
H:排氣
H1:水洗排氣
H2:熱分解排氣
H3:大氣釋放排氣
K:氣液接觸空間
M:水等(噴霧水滴、微細水滴、加熱水蒸氣、循環用之水、藥液)
P:電漿噴流
S:半導體製造裝置(半導體成膜裝置)
V:真空泵
X:本發明的排氣處理裝置

Claims (9)

  1. 一種排氣導入噴嘴，係設置於水處理裝置的水處理槽之排氣導入部的排氣導入噴嘴，該水處理裝置係以內部之高濕度環境，對包含加水分解性之成分氣體的排氣進行加水分解處理，其特徵為，包含： 內管，其是將已導入的排氣從其第一噴出口噴出至前述水處理槽內的高濕度環境內；以及 外管，其是以包圍前述內管的前述第一噴出口之外周的方式所配設，且具有第二噴出口，該第二噴出口係以包圍從前述第一噴出口所噴出的排氣之周圍的方式噴出非活性氣體，且在前述排氣之周圍形成非活性氣體簾幕； 前述外管的第二噴出口之第二開口端，係以比前述內管的第一噴出口之第一開口端還朝向排氣之噴出方向突出的方式所構成。
  2. 如請求項1之排氣導入噴嘴，其中，在外管的第二噴出口之周圍更設置有水分噴出噴嘴，該水分噴出噴嘴係具有沿前述非活性氣體簾幕噴出微細水滴或水蒸氣的第三噴出口。
  3. 如請求項1之排氣導入噴嘴，其中，前述外管的第二噴出口之第二開口端、與內管2的第一噴出口之第一開口端，係構成相同的突出高度。
  4. 如請求項2之排氣導入噴嘴，其中，前述外管的第二噴出口之第二開口端、與內管2的第一噴出口之第一開口端，係構成相同的突出高度。
  5. 如請求項2之排氣導入噴嘴，其中，前述外管的第二噴出口之第二開口端，係以比前述水分噴出噴嘴的第三噴出口之第三開口端還朝向排氣之噴出方向突出的方式所構成。
  6. 如請求項2之排氣導入噴嘴，其中，前述外管的第二噴出口之第二開口端、與前述水分噴出噴嘴的第三噴出口之第三開口端係構成相同的突出高度。
  7. 如請求項1至6中任一項之排氣導入噴嘴，其中，非活性氣體簾幕的噴出速度是與排氣的噴出速度相同，或是非活性氣體簾幕的噴出速度較快。
  8. 一種水處理裝置，係將從半導體製造裝置所送來的排氣進行加水分解並除去加水分解性之氣體成分，且將水處理過的水洗排氣送出至下一個製程的水處理裝置，其特徵為，包含： 請求項1至7中任一項所記載的排氣導入噴嘴；及 水處理槽，其是在其排氣導入部安裝有前述排氣導入噴嘴；及 蒸氣配管，其是設置於前述水處理槽內，且具有朝向前述內管的第一噴出口所設置，用以噴出水蒸氣之向上的噴嘴口；以及 排氣管，其是從水處理槽連接於下一個製程，且將水處理過的水洗排氣送出至下一個製程。
  9. 一種排氣處理裝置，其特徵為，包含： 水槽，其是於底部裝滿循環用之水；及 水處理槽，其是豎設於水槽的頂板部，且內部保持在高濕度環境；及 請求項1至7中任一項所記載的排氣導入噴嘴，其是安裝於前述水處理槽之排氣導入部，且將從半導體製造裝置所送來的排氣吹入前述水處理槽內；及 熱分解塔，其是豎設於水槽的頂板部，用以導入在水處理槽所水洗過的水洗排氣，且在內部的熱分解區進行熱分解；以及 出口洗滌器，其是豎設於水槽的頂板部，用以將熱分解後的熱分解排氣(H)進行洗淨並除去有害物質來作為大氣釋放排氣，且將該大氣釋放排氣釋放至大氣中。
TW108132194A 2018-11-06 2019-09-06 排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置 TWI742424B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2018/041140 2018-11-06
PCT/JP2018/041140 WO2020095358A1 (ja) 2018-11-06 2018-11-06 排ガス導入ノズルと水処理装置及び排ガス処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202023675A true TW202023675A (zh) 2020-07-01
TWI742424B TWI742424B (zh) 2021-10-11

Family

ID=70611837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108132194A TWI742424B (zh) 2018-11-06 2019-09-06 排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6950881B2 (zh)
KR (1) KR20210057154A (zh)
CN (1) CN113015573A (zh)
TW (1) TWI742424B (zh)
WO (1) WO2020095358A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023199410A1 (ja) * 2022-04-12 2023-10-19 カンケンテクノ株式会社 窒素化合物含有排ガスの処理方法及びその装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2767856B2 (ja) * 1989-02-07 1998-06-18 三井化学株式会社 排ガス処理装置及び排ガスの処理方法
AT397214B (de) * 1992-03-30 1994-02-25 Chemie Linz Gmbh Vorrichtung zur abscheidung von melamin
JP3016690B2 (ja) 1994-05-30 2000-03-06 カンケンテクノ株式会社 半導体製造排ガス除害方法とその装置
WO1997009110A1 (fr) * 1995-09-08 1997-03-13 Hitachi Zosen Corporation Procede et dispositif de traitement des gaz d'echappement
JP4067067B2 (ja) * 1998-06-24 2008-03-26 株式会社トクヤマ シラン類含有液の処理装置
JP3476126B2 (ja) * 1999-03-24 2003-12-10 セイコー化工機株式会社 排ガス洗浄装置
JP4174396B2 (ja) * 2003-09-19 2008-10-29 カンケンテクノ株式会社 排ガス導入構造および該構造を用いた排ガス処理装置
US7771514B1 (en) * 2004-02-03 2010-08-10 Airgard, Inc. Apparatus and method for providing heated effluent gases to a scrubber
TW200829325A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Kanken Techno Co Ltd Apparatus and method for processing gas
JP2008183563A (ja) * 2008-05-07 2008-08-14 Anemosu:Kk 気体中の異種物質の除去装置
CN101592167A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 刘伟杰 一种多功能蒸汽射流引风机
JP2010144632A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Ud Trucks Corp 排気浄化装置
JP5540035B2 (ja) * 2012-03-22 2014-07-02 カンケンテクノ株式会社 ガス処理装置
KR101995211B1 (ko) * 2014-10-06 2019-07-03 칸켄 테크노 가부시키가이샤 배기 가스 처리 장치
CN104722170A (zh) * 2015-02-27 2015-06-24 广东电网有限责任公司电力科学研究院 声、雾结合促进pm2.5长大的方法及专用装置
DE102015107015A1 (de) * 2015-05-05 2016-11-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Abgasbehandlungseinrichtung für Abgas einer Kleinfeuerungsanlage und Verfahren zur Behandlung von Abgas einer Kleinfeuerungsanlage
CN108619876A (zh) * 2018-07-09 2018-10-09 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种半导体制程废气中氟化物的净化装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6950881B2 (ja) 2021-10-13
TWI742424B (zh) 2021-10-11
WO2020095358A1 (ja) 2020-05-14
KR20210057154A (ko) 2021-05-20
JPWO2020095358A1 (ja) 2021-02-18
CN113015573A (zh) 2021-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6718566B1 (ja) 排ガス除害ユニット
TWI466728B (zh) 成膜裝置
JP2002054600A (ja) エジェクタ
TWI729448B (zh) 電漿去除有害排氣的裝置
TWI742424B (zh) 排氣導入噴嘴、水處理裝置、及排氣處理裝置
TWI676506B (zh) 粉體排出系統及廢氣處理裝置
KR101496676B1 (ko) 인입 장치 및 이를 포함하는 반응 시스템
JP5430267B2 (ja) 粉体を同伴する排出ガスの処理装置および処理方法
JP6120288B2 (ja) ガス流処理装置
JP2005087958A (ja) 排ガス導入構造および該構造を用いた排ガス処理装置
KR20090104573A (ko) 박막증착장치
TWM530691U (zh) 半導體製程廢氣燒結反應後捕捉生成物的裝置
JP2002316015A (ja) 排ガス処理装置
JP2006175317A (ja) 半導体製造プロセスからの排気ガスの処理装置
JP5795157B2 (ja) スクラバー
JP3917812B2 (ja) 排気装置
JP4828722B2 (ja) 除害装置
JP3476779B2 (ja) 半導体排ガス処理装置の粉塵処理方法とその構造
JP2006167664A (ja) 排ガスの水洗浄装置
WO2000001465A1 (en) System and method for oxidizing toxic, flammable, and pyrophoric gases
TW201330071A (zh) 基板處理裝置