TW202011494A - 晶片破壞單元、晶片之強度的比較方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]在評價薄型之晶片的抗折強度時，破壞該晶片。
[解決手段]本發明具備：晶片夾持單元，具有第1晶片支撐部及第2晶片支撐部，前述第1晶片支撐部具有第1面，前述第2晶片支撐部具有與該第1面面對面的第2面，前述晶片夾持單元可以夾持已在該第1晶片支撐部的該第1面與該第2晶片支撐部的該第2面之間彎曲成U字形的晶片；移動單元，使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動；以及檢測單元，對晶片的破壞進行檢測，前述晶片的破壞是在使該移動單元作動而使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝接近的方向相對移動時所產生。該移動單元具有馬達，該檢測單元亦可依據該馬達的轉矩的變化來檢測晶片的破壞。
Description
發明領域
本發明是有關於一種在評價晶片之強度時破壞晶片的晶片破壞單元以及晶片之強度的比較方法。
發明背景
搭載有元件的晶片是對以半導體材料等所形成的晶圓進行分割所形成。首先，在晶圓的正面設定互相交叉的複數條分割預定線，並且在藉由該分割預定線所區劃的各個區域中形成IC(積體電路 ，Integrated Circuit)或LSI(大型積體電路，Large-Scale Integrated circuit)等的元件。並且，當沿著該分割預定線將該晶圓分割後，即形成具有元件之一個個的晶片。
近年來，可搭載所形成之晶片的電子機器等之小型化的傾向顯著，因而連對於晶片本身，小型化或薄型化的需求也逐漸升高。於是，為了形成薄型的晶片，有時會在分割晶圓前對晶圓的背面側進行磨削來薄化晶圓。
但是，若對所形成之晶片施加強力的衝擊，有時會在該晶片產生裂隙或破裂等的損傷而喪失元件的功能。例如，在所形成之晶片的抗折強度較小的情況下，會有容易在該晶片產生損傷的傾向。
晶片的抗折強度會因為例如在薄化晶圓時藉由所實施的磨削而在背面側形成的凹凸等的形狀、或者已薄化之晶圓的厚度、在分割晶圓時在晶片的外周緣所產生的缺損或裂隙的形成狀態等而變化。又，晶片的抗折強度會因為元件的圖案的形狀、或者構成元件之構件的材質等而變化。
於是，為了製造抗折強度較高的晶片，而藉由各種加工條件來加工晶圓而試作晶片，並且評價所試作出的各種晶片的抗折強度。然後，依據評價的結果，選定更佳之晶圓的加工條件。在評價晶片的抗折強度的方法中，有例如以SEMI(半導體設備與材料協會，Semiconductor Equipment and Materials International)規格G86-0303所規定的3點彎曲(3-Point Bending)法。
在3點彎曲法中，於測定板狀之測定對象物的抗折強度時，是將2個圓柱狀的支撐體放倒且互相平行地排列，並且將該測定對象物在相對於該支撐體不固定的情形下載置於該支撐體的側面上。並且，將圓柱狀的壓頭在該2個支撐體之間的該測定對象物的上方，配置成平行於該2個支撐體。之後，藉由該壓頭從上方按壓該測定對象物來破壞，並將此時施加在該測定對象物的負載評價為該測定對象物的抗折強度(參照專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-222714號公報
發明概要
發明欲解決之課題
近年來，厚度為30μm以下之極薄的晶片正被製造中。若為了評價此極薄的晶片的抗折強度而欲實施藉由3點彎曲法所進行的測定時，即使在測定時以壓頭按壓晶片，也只是讓晶片撓曲而無法破壞晶片。因此，產生以下問題：無法測定該晶片的抗折強度。
本發明是有鑒於所述問題而作成的發明，其目的在於提供一種可以在評價薄型之晶片的抗折強度時破壞該晶片的晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法。
用以解決課題之手段
根據本發明的一態樣，可提供一種晶片破壞單元，其特徵在於具備：晶片夾持單元，具有第1晶片支撐部及第2晶片支撐部，前述第1晶片支撐部具有第1面，前述第2晶片支撐部具有與該第1面面對面的第2面，前述晶片夾持單元可以在該第1晶片支撐部的該第1面與該第2晶片支撐部的該第2面之間夾持已彎曲成U字形的晶片；移動單元，使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動；以及檢測單元，對晶片的破壞進行檢測，前述晶片的破壞是在使該移動單元作動而使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝接近的方向相對移動時所產生。
較佳的是，該移動單元具有馬達，該檢測單元是依據該馬達的轉矩的變化來檢測晶片的破壞。
根據本發明之另一態樣，可提供一種晶片之強度的比較方法，其是在複數個晶片之間比較使用晶片破壞單元所得到的晶片之強度，前述晶片破壞單元具備：晶片夾持單元，具有第1晶片支撐部及第2晶片支撐部，前述第1晶片支撐部具有第1面並且支撐晶片的一端側，前述第2晶片支撐部具有與該第1面面對面的第2面並且支撐該晶片的另一端側；以及檢測單元，檢測該晶片的破壞，前述晶片之強度的比較方法之特徵在於：包含以下步驟：
晶片夾持步驟，以晶片的一端側及與該一端側為相反側的另一端側為互相面對面的方式使該晶片彎曲成U字形，並在該第1晶片支撐部的該第1面與該第2晶片支撐部的該第2面之間夾持已彎曲的該晶片；
移動步驟，在已實施該晶片夾持步驟後，使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動；
晶片破壞檢測步驟，在該移動步驟的實施中，藉由該檢測單元檢測該晶片的破壞；以及
強度取得步驟，依據自開始進行該移動步驟起至檢測出該晶片的破壞為止所需要的時間、或者檢測出該晶片的破壞時之該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部的各自的位置，來得到該晶片之強度，
前述晶片之強度的比較方法更包含：
強度比較步驟，比較對複數個晶片實施該晶片夾持步驟、該移動步驟、該晶片破壞檢測步驟及該強度取得步驟而得到的各晶片之強度。
發明效果
本發明之一態樣的晶片破壞單元具有可以夾持已彎曲成U字形的晶片的晶片夾持單元。在藉由該晶片破壞單元破壞晶片時，首先是將晶片夾持在晶片夾持單元之具有第1面的第1晶片支撐部與具有第2面的第2晶片支撐部之間。此時，是先使晶片彎曲成U字形。然後，使移動單元作動，以使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動。
若該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部互相接近時，可將被晶片夾持單元所夾持的晶片更強力地彎曲。即使在該晶片為薄型的晶片的情況下，仍可在該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部的距離成為零以前的期間，讓該晶片達到極限，而破壞該晶片。也就是，本發明之一態樣的晶片破壞單元可以破壞薄型的晶片。
此外，該晶片破壞單元具備檢測晶片之破壞的檢測單元，而可以藉由該檢測單元檢測在晶片產生有破壞之情形。並且，可以依據例如到檢測該晶片的破壞為止所需要的時間、或者檢測出該晶片的破壞時的該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部的各自的位置，來評價該晶片之強度。藉由該晶片破壞單元逐一地破壞複數個晶片，並且評價各個晶片的強度，藉此，可以比較該複數個晶片的抗折強度。
從而，根據本發明之一態樣，可提供一種可以在評價薄型之晶片的抗折強度時破壞該晶片的晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法。
用以實施發明之形態
參照圖式，說明本實施形態之晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法。首先，說明可藉由本實施形態之晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法而被破壞的晶片。圖1(A)是示意地顯示晶片1的立體圖。晶片1是在從半導體晶圓製造晶片之晶圓的加工方法的開發中所試作的晶片，其中前述晶片搭載有例如IC(積體電路)或LSI(大型積體電路)等之元件。
在晶圓的正面設定互相交叉的複數條分割預定線，且在藉由該分割預定線所區劃出的各區域形成元件，若沿著該分割預定線分割該晶圓，即可以製作搭載有元件的晶片。該晶圓的分割是在例如具備有圓環狀的切割刀片的切割裝置、或者對晶圓進行雷射加工的雷射加工裝置中實施。
該雷射加工裝置是沿著該分割預定線照射例如對晶圓具有吸收性之波長的雷射光束，並且藉由燒蝕加工形成從晶圓的正面至背面的分割溝。或者，該雷射加工裝置是沿著該分割預定線將例如對晶圓具有穿透性之波長的雷射光束聚光在該晶圓之預定的高度位置，而藉由多光子吸收過程形成改質層。當從該改質層形成到達晶圓之正面及背面的裂隙後，即可將晶圓沿著該分割預定線而分割。
該晶圓是藉由例如矽(Si)或碳化矽(SiC)等的半導體材料所形成。為了形成薄型的晶片，而在分割該晶圓之前，磨削晶圓的背面側，而將晶圓薄化成預定的厚度。亦可將晶圓的磨削分成例如以下2個階段來實施：以快速的速度從背面側磨削晶圓的粗磨削、及將晶圓的背面精加工成平坦的精磨削。晶圓是例如藉由磨削加工而薄化成30μm以下的厚度。
此外，該晶圓亦可在磨削後研磨背面側，而精加工得更加平坦。又，亦可藉由以下作法來分割晶圓：藉由該切割裝置或雷射加工裝置，沿著分割預定線在正面形成未到達背面之深度的加工溝，之後，藉由磨削裝置磨削背面側而去除該加工溝的底部。
晶片的抗折強度會因為例如在薄化晶圓時藉由所實施的磨削及研磨而在背面側形成的凹凸形狀、或已薄化之晶圓的厚度等而改變。也就是，晶片的抗折強度因為晶圓之背面側的加工狀態而改變。
可藉由本實施形態之晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法而破壞的晶片1，是例如為了導出對晶圓的背面加工之理想的加工條件而試作的晶片。並且，晶片1是以適合於對由加工條件所造成之晶片的抗折強度之差異進行評價的態樣來試作。
例如，晶片1可使用在正面未形成有元件的晶圓來試作。在對起因於晶圓之背面側的加工條件之差異的晶片之強度之差異進行評價的情況等中，只要試作未形成有元件的晶片來評價強度即足夠。試作未形成有元件的晶片來進行評價之作法，成本較低且較有效率。
例如準備未形成有元件之複數個晶圓，以各自不同的加工條件磨削及研磨背面側，將各個晶圓薄化至相同的預定的厚度，並以相同的預定的方法來分割成相同的形狀。接著，從各晶圓中的互相對應的位置取得晶片1，並比較各個晶片1的強度。像這樣，藉由將欲比較之加工條件以外的條件設成相同來試作複數個晶片1，並破壞各晶片1而比較強度，可以導出使晶片的抗折強度變得更高之晶圓的加工條件。
又，晶片的抗折強度會因為在分割晶圓時在該晶片之外周緣所產生的缺損或裂隙的形成狀態而改變。因此，藉由僅使分割晶圓的條件改變來試作複數個晶片1，並比較各晶片1的強度，可以導出使晶片的抗折強度變得更高之晶圓的加工條件。
此外，晶片的抗折強度會因為所形成的元件之圖案的形狀、或構成元件之構件的材質等而改變。在對因為元件的形成條件之差異所造成的該晶片之強度之差異進行評價的情況下，所試作且破壞的晶片1是設為搭載藉由各自不同的加工條件所形成的元件之晶片。
在本實施形態之晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法中，為了評價晶片1之強度而破壞該晶片1。晶片1是如例如圖1(A)所示，形成為矩形的板狀。晶片1是以各種加工條件來試作並測定強度。並且，選定讓所製造出之晶片1的抗折強度變高的加工條件。為了可以適當地比較所試作之複數個晶片1的強度，而將所試作的晶片1形成為例如橫寬8cm、縱長1cm、厚度30μm。
但是，晶片1並非限定於此。該晶片1的形狀亦可不是矩形的板狀。又，即使在對起因於形成於晶圓之元件的加工條件之差異的晶片之強度之差異進行評價的情況以外，亦可將形成有複數個元件的晶圓按每個元件分割而試作搭載元件之複數個晶片1，並比較強度。
此外，晶片1亦可不由以半導體材料所形成的晶圓來形成。晶片1亦可由例如硼矽玻璃或鈉玻璃等的玻璃基板所形成。根據本實施形態之晶片破壞單元及晶片之強度的比較方法，即可以破壞例如未能在3點彎曲法中被破壞而難以評價抗折強度之各種晶片1。
接著，說明本實施形態的晶片破壞單元。圖2是示意地顯示晶片破壞單元2的側面圖。晶片破壞單元2具備可以夾持晶片1的晶片夾持單元4。
該晶片夾持單元4具有第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b，前述第1晶片支撐部4a具有第1面6a，前述第2晶片支撐部4b具有第2面6b。第1晶片支撐部4a的第1面6a與第2晶片支撐部4b的第2面6b是互相相向之平行的面。第1晶片支撐部4a可以支撐晶片1的一端3a側，第2晶片支撐部4b可以支撐晶片1的另一端3b側。
又，晶片破壞單元2具有移動單元8。移動單元8是支撐第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b之各自的基端側。該移動單元8具備例如馬達10等的動力，而可以使晶片夾持單元4的第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b朝互相接近的方向相對移動。
例如，移動單元8及晶片夾持單元4可藉由產業用機械手臂來構成。在此情況下，在移動單元8的內部可設有例如導軌(未圖示)，前述導軌是沿著第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b相對移動的方向之導軌。並且，在該導軌上，將第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的各自的基端側沿著該導軌可移動地安裝。
此外，移動單元8具備齒輪(未圖示)，前述齒輪是嵌入馬達10的旋轉軸部，前述馬達10具備沿著相對於該導軌垂直的方向的旋轉軸部(未圖示)。又，在第1晶片支撐部4a的基端側及第2晶片支撐部4b的基端側，分別沿著該導軌而設有齒條(未圖示)，前述齒條是在平板狀的棒狀構件的一面形成有複數個齒的形狀的構件。並且，以各個齒條的該複數個齒嚙合於該齒輪的態樣，藉由2個該齒條夾住該齒輪。
若使馬達10作動來使該齒輪旋轉時，各個齒條會沿著該導軌互相朝相反方向移動，而使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b互相接近。但是，移動單元8的構成並非限定於此。亦可例如只在第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的其中一個設置該齒條，在此情況下，馬達10可以僅移動設有齒條的晶片支撐部。
或者，例如在移動單元8的內部配備滾珠螺桿(未圖示)，且前述滾珠螺桿是沿著第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b互相接近的方向。在該滾珠螺桿螺合有螺帽部(未圖示)，前述螺帽部是設置在第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的其中一個的基端側。並且，若藉由馬達等使該滾珠螺桿旋轉時，會使該螺帽部移動，而使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b朝互相接近的方向相對移動。
晶片破壞單元2在例如移動單元8的筐體側面具有刻度尺12，前述刻度尺12會顯示第1晶片支撐部4a的第1面6a與第2晶片支撐部4b的第2面6b之距離。但是，晶片破壞單元2亦可在該筐體側面以外的地方具有刻度尺12。以馬達10等所構成的動力是例如參照刻度尺12來使第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b相對移動，以使第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b之間的距離成為預定的距離。
在使晶片夾持單元4夾持晶片1之前，是使第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b移動到初始位置，以使第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b的距離成為預定的距離。然後，如圖1(B)所示，在已使晶片1彎曲成U字的狀態下，將該晶片1插入晶片夾持單元4的第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b之間。於圖3(A)是示意地顯示被晶片夾持單元4所夾持的晶片1。
再者，在圖3(A)中是顯示並未將晶片1之全部收納到第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b之間的區域之情況，但並非限定於此。亦可為了讓已插入之晶片1的全部收納到該區域，而設定第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b的大小、或者決定晶片1的形狀及大小。
之後，當使移動單元8的馬達10等的動力作動，而使第1晶片支撐部4a以及第2晶片支撐部4b朝互相接近的方向相對移動時，會更強力地彎曲晶片1，最終晶片1會在無法承受彎曲的情形下被破壞。晶片破壞單元2具備檢測晶片1之破壞的檢測單元。
例如可在使馬達10作動而使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b互相接近時，監視從馬達10所輸出的轉矩。若使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b相對移動，會使晶片1的彎曲增強。晶片1越強力地被彎曲，第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b承受的晶片1的反彈力會變得越強。因此，為了抑制晶片1的反彈力並進一步使晶片1彎曲，馬達10所輸出的轉矩會持續增大。
然後，當晶片1無法承受彎曲而在晶片1產生損傷後，晶片1產生的該反彈力即急速地變小，馬達10所輸出的轉矩也急遽地下降。因此，藉由監視馬達10所輸出之轉矩的改變，可以檢測在晶片1所產生的破壞。也就是，檢測晶片1之破壞的檢測單元是例如對馬達10的轉矩進行檢測。
但是，晶片破壞單元2所具備的檢測單元並非限定於此，亦可藉由其他方法來檢測晶片1的破壞。亦可為例如晶片破壞單元2具備振動感測器來作為該檢測單元。在此情況下，該檢測單元可以藉由以該振動感測器來觀測伴隨於晶片1的破壞而從晶片1傳達至晶片破壞單元2的振動之作法，來檢測晶片1的破壞。
此外，該檢測單元亦可為配備在第1晶片支撐部4a以及第2晶片支撐部4b之間的相機單元。在此情況下，亦可藉由該相機單元拍攝晶片1的彎曲部，而藉由以該相機單元所拍攝到的影像來檢測晶片1的破壞。
又，檢測單元亦可為以下的資訊終端：將所觀測到的馬達10的轉矩、或者以該振動感測器所觀測到的振動資料等的資訊提示給晶片破壞單元2的使用者，而可以在之後讓該使用者參照該資訊來判定並輸入在晶片1產生破壞的時間點。或者，亦可讓晶片破壞單元2的使用者藉由目視來檢測晶片1的破壞，晶片破壞單元2所具備的檢測單元亦可為在檢測出晶片1的破壞時該使用者按壓的按鈕、或者該使用者操作的資訊終端等。
接著，說明本實施形態的晶片1之強度的比較方法。在該晶片1之強度的比較方法中，是例如使用上述之晶片破壞單元2，比較複數個晶片1的抗折強度。圖5是顯示該晶片1之強度的比較方法之各步驟的流程的流程圖。
在該晶片1之強度的比較方法中，首先是實施晶片夾持步驟S1。在晶片夾持步驟S1中，首先是準備成為強度的測定對象之最初的晶片1。並且，以使該晶片1的一端3a側、及與該一端3a側為相反側的另一端3b側為互相面對面的方式，使該晶片1彎曲成U字形。圖1(B)是示意地顯示已彎曲成U字形的晶片1。
在晶片夾持步驟S1中，接著是以晶片1的彎曲部分收納在晶片破壞單元2的第1晶片支撐部4a以及第2晶片支撐部4b之間的方式，將已彎曲的該晶片1夾持在第1晶片支撐部4a的第1面6a與該第2晶片支撐部4b的第2面6b之間。圖3(A)是示意地顯示晶片夾持步驟S1的側面圖。
再者，如後述，若使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b接近而將晶片1之彎曲的程度變大，會使晶片1變形，而讓接觸於第1面6a以及第2面6b的該晶片1的背面1b的面積增大。伴隨著此，而讓晶片1的彎曲部分朝移動單元8的筐體接近。於是，在晶片夾持步驟S1中，是將晶片1定位在使晶片1之彎曲的程度變大時不會使晶片1接觸到移動單元8的筐體的位置。
又，雖然在圖3(A)中所顯示的是在讓晶片1的彎曲部分變得比晶片1的一端3a及另一端3b更接近於移動單元8的筐體的方向上，來使晶片1夾持於晶片夾持單元4的情況，但本實施形態的晶片之強度的比較方法並非限定於此。在晶片夾持步驟S1中，亦可在讓晶片1的彎曲部分變得離移動單元8的筐體比較遠的方向上來夾持晶片1。
在此情況下破壞晶片1時，若晶片1之彎曲部分的全部位於第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b之間的區域以外時，會未能以預定的形狀彎曲晶片1，而無法正確地取得晶片1的強度。因此，是以在破壞晶片1時讓晶片1的彎曲部分之最靠近該一端3a的部分、及最靠近該另一端3b的部分的任一個部分皆位於第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b之間的區域的方式，來夾持晶片1。
較佳的是，在任意的方向上夾持晶片1的情況下，都是以下述方式來夾持晶片1：假設在晶片1未被破壞的情形下使兩個晶片支撐部4a、4b儘可能地接近時，仍將晶片1的彎曲部分收納在兩個晶片支撐部4a、4b之間的該區域。
在實施該晶片夾持步驟S1後，在本實施形態的晶片1之強度的比較方法中是實施移動步驟S2(參照圖5)，前述移動步驟S2是使第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b朝互相接近的方向相對移動。圖3(B)是示意地顯示移動步驟S2的側面圖。
於圖3(B)中，作為移動步驟S2之一例，而顯示有使晶片夾持單元4的第1晶片支撐部4a移動以接近於第2晶片支撐部4b的情況。以下，以移動第1晶片支撐部4a的情況為例來說明。如圖3(B)所示，在移動步驟S2中，是伴隨於第1晶片支撐部4a從初始位置4c移動，而逐漸增強晶片1的彎曲的程度。例如，在移動步驟S2中，是以一定的速度使第1晶片支撐部4a移動。
再者，在本實施形態之晶片1之強度的比較方法中，是例如在實施移動步驟S2的期間監視馬達10輸出的轉矩。圖4(B)是顯示馬達10輸出之轉矩的時間變化之一例的圖形。在圖4(B)所示之圖形14中，時間t0
是開始進行移動步驟S2的時間。如圖4(B)所示，該轉矩是隨著時間經過而增大。這是因為晶片1的彎曲增強，而增大從晶片1產生的反彈力的緣故。
在本實施形態之晶片1之強度的比較方法中，是在該移動步驟S2的實施中實施晶片破壞檢測步驟S3，前述晶片破壞檢測步驟S3是藉由晶片破壞單元2的檢測單元檢測晶片1的破壞。圖4(A)是示意地顯示晶片破壞檢測步驟S3的側面圖。
當繼續進行移動步驟S2，而使晶片夾持單元4的第1晶片支撐部4a更接近第2晶片支撐部4b時，會在晶片1無法承受彎曲的情形下，使晶片1的一部分被破壞。例如在背面1b側產生龜裂。此時，因為對晶片1之彎曲的反彈力急速地下降，移動單元8的馬達10輸出的轉矩也急速地下降。
在圖4(B)所示之圖形14中，馬達10輸出的轉矩是在時間t1
急速地下降。晶片破壞單元2的檢測單元是藉由檢測此轉矩之急速的下降，而檢測在晶片1產生有破壞之情形。也就是，在時間t1
中檢測出在晶片1產生有破壞之情形。像這樣，在晶片破壞檢測步驟S3中，會檢測晶片1的破壞。再者，在晶片破壞檢測步驟S3中，亦可藉由其他的方法來檢測晶片1的破壞。
在本實施形態之晶片1之強度的比較方法中，接著是實施取得晶片1之強度的強度取得步驟S4。再者，在強度取得步驟S4中，不需要取得顯示晶片1之抗折強度的絕對性的數值。在強度取得步驟S4所取得之晶片1的強度，是指以可以相對地評價複數個種類的晶片1的抗折強度之大小關係的形式所顯示之有關於晶片1之強度的資訊。
在強度取得步驟S4中，是例如依據從開始進行移動步驟S2起到在晶片破壞檢測步驟S3中晶片1的破壞被檢測出為止所需要的時間，來評價晶片1之強度。
可以藉由同樣地破壞複數個晶片1時，將第1晶片支撐部4a的初始位置4c與第1晶片支撐部4a的移動速度設為一定，而依據到檢測出晶片1的破壞為止所需要的時間來評價晶片1之強度。例如到檢測出破壞為止所需要的時間相對較長的晶片1可以說是抗折強度比到檢測出破壞為止所需要的時間相對較短的晶片1更高。
或者，在強度取得步驟S4中，是例如依據在晶片破壞檢測步驟S3中檢測出晶片1的破壞時之晶片夾持單元4的第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的各自的位置，來評價晶片1之強度。檢測出晶片1的破壞時之第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的各自的位置是使用刻度尺12來測定。
和抗折強度較低的晶片1比較，抗折強度較高的晶片1產生破壞時之彎曲的程度會變得較大。並且，晶片1的彎曲的程度是藉由第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b之間的距離而決定。該距離是依據第1晶片支撐部4a及第2晶片支撐部4b的位置而計算。例如產生破壞時之第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的距離較小的晶片1，可以說是抗折強度比該距離較大的晶片1更高。
再者，強度取得步驟S4並非限定於此，亦可藉由其他方法得到晶片1之強度。
在本實施形態之晶片1之強度的比較方法中，是在對一個晶片1實施了晶片夾持步驟S1、移動步驟S2、晶片破壞檢測步驟S3、強度取得步驟S4後，同樣地對其他晶片1實施這些步驟。然後，對成為抗折強度之比較的對象的全部晶片1都實施了這些步驟後，實施強度比較步驟S5。
為了在強度比較步驟S5中高精度地比較各晶片1的抗折強度，宜對各晶片1以同樣的條件實施晶片夾持步驟S1及移動步驟S2。例如在各晶片夾持步驟S1中，宜使晶片1的背面1b接觸於第1晶片支撐部4a的第1面6a的區域一致。又，宜使晶片1的背面1b接觸於第2晶片支撐部4b的第2面6b的區域一致。
在強度比較步驟S5中，是比較在強度取得步驟S4中所取得的各晶片1之強度。在強度取得步驟S4中，以下述情況為例來說明：取得依據在各晶片1產生破壞時之第1晶片支撐部4a與第2晶片支撐部4b的位置所計算之互相的距離來作為各晶片1之強度。在此情況下，可以評價該距離變得最小的晶片1在各晶片1之中為抗折強度最高。
例如在比較試樣A、試樣B及試樣C之3個晶片1的抗折強度的情況下，設為在強度取得步驟S4中所取得之各晶片1的破壞時的該距離分別為10mm、3mm、6mm。在此情況下，該距離最小因而在晶片1產生破壞時之該晶片1的彎曲的程度為最大的試樣B，可以判定為在3個晶片1之中抗折強度最高。
再者，在強度比較步驟S5中，亦可依據在強度取得步驟S4以其他形式所取得之各晶片1之強度，來比較各晶片1的抗折強度。
如以上所說明的，根據本實施形態之晶片破壞單元2及晶片1之強度的比較方法，可以將無法藉由3點彎曲法等方法破壞的複數個晶片1破壞。並且，藉由比較這些晶片1的強度，可以選定使晶片1的抗折強度變得相對較高之晶圓的加工條件。因此，藉由以該加工條件加工晶圓來形成晶片1，可以製造抗折強度相對較高的晶片1。
再者，本發明不受上述之實施形態之記載所限定，而可以進行各種變更來實施。例如，本發明之一態樣的晶片破壞單元2亦可更具備在平板電腦型終端或電腦等之間發送接收電訊號的連接部。在此情況下，晶片破壞單元2是透過該連接部並藉由有線或無線方式連接於該平板電腦終端。
晶片破壞單元2亦可將馬達10輸出之轉矩的變化、或有關於晶片1之強度的資訊發送至該平板電腦終端等。在該平板電腦終端等中可顯示這些資訊，以使得該晶片破壞單元2的使用者可以適當參照這些資訊。
又，晶片破壞單元2亦可在藉由檢測單元檢測出晶片1的破壞時，將表示已檢測出該破壞之資訊發送至該平板電腦終端等。並且，在該平板電腦終端等中亦可在接收到該資訊時以蜂鳴聲等來對晶片破壞單元2的使用者通知在晶片1產生有破壞之情形。
並且，本發明之一態樣的晶片1之強度的比較方法，亦可更包含資訊發送步驟，前述資訊發送步驟是將資訊發送至平板電腦型終端或電腦等。在該資訊發送步驟中，是將在移動步驟S2中所觀測之馬達10的轉矩等的資訊、或者有關於在強度取得步驟S4中所取得之複數個晶片1之強度的資訊發送到該平板電腦終端等。
此外，晶片破壞單元2亦可藉由該晶片破壞單元2的使用者等而搬運，亦可在圖2等所示之方向以外的方向上使用。例如，亦可在將第1晶片支撐部4a的第1面6a與第2晶片支撐部4b的第2面6b轉向成沿著鉛直方向的狀態下使用晶片破壞單元2。
另外，上述實施形態之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，均可適當變更而實施。
1:晶片
1a:正面
1b:背面
3a:一端
3b:另一端
2:晶片破壞單元
4:晶片夾持單元
4a、4b:晶片支撐部
4c:初始位置
6a:第1面
6b:第2面
8:移動單元
10:馬達
12:刻度尺
14:圖形
S1~S5:步驟
圖1(A)是示意地顯示晶片的立體圖，圖1(B)是示意地顯示彎曲成U字形之晶片的立體圖。
圖2是示意地顯示晶片破壞單元的側面圖。
圖3(A)是示意地顯示晶片夾持步驟的側面圖，圖3(B)是示意地顯示移動步驟的側面圖。
圖4(A)是示意地顯示晶片破壞步驟的側面圖，圖4(B)是顯示馬達所輸出之轉矩的時間變化之一例的圖形。
圖5是顯示晶片之強度的比較方法之各步驟的流程的流程圖。
1:晶片
1a:正面
1b:背面
3a:一端
3b:另一端
Claims (3)
- 一種晶片破壞單元，其特徵在於具備： 晶片夾持單元，具有第1晶片支撐部及第2晶片支撐部，前述第1晶片支撐部具有第1面，前述第2晶片支撐部具有與該第1面面對面的第2面，前述晶片夾持單元可以在該第1晶片支撐部的該第1面與該第2晶片支撐部的該第2面之間夾持已彎曲成U字形的晶片； 移動單元，使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動；以及 檢測單元，對晶片的破壞進行檢測，前述晶片的破壞是在使該移動單元作動而使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝接近的方向相對移動時所產生。
- 如請求項1之晶片破壞單元，其中該移動單元具有馬達， 該檢測單元是依據該馬達的轉矩的變化而檢測晶片的破壞。
- 一種晶片之強度的比較方法，是在複數個晶片之間比較使用晶片破壞單元所得到的晶片之強度，前述晶片破壞單元具備： 晶片夾持單元，具有第1晶片支撐部及第2晶片支撐部，前述第1晶片支撐部具有第1面並且支撐晶片的一端側，前述第2晶片支撐部具有與該第1面面對面的第2面並且支撐該晶片的另一端側；以及 檢測單元，檢測該晶片的破壞， 前述晶片之強度的比較方法之特徵在於：包含以下步驟： 晶片夾持步驟，以晶片的一端側及與該一端側為相反側的另一端側為互相面對面的方式使該晶片彎曲成U字形，並在該第1晶片支撐部的該第1面與該第2晶片支撐部的該第2面之間夾持已彎曲的該晶片； 移動步驟，在已實施該晶片夾持步驟後，使該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部朝互相接近的方向相對移動； 晶片破壞檢測步驟，在該移動步驟的實施中，藉由該檢測單元檢測該晶片的破壞；以及 強度取得步驟，依據自開始進行該移動步驟起至檢測出該晶片的破壞為止所需要的時間、或者檢測出該晶片的破壞時之該第1晶片支撐部與該第2晶片支撐部的各自的位置，來得到該晶片之強度， 前述晶片之強度的比較方法更包含： 強度比較步驟，比較對複數個晶片實施該晶片夾持步驟、該移動步驟、該晶片破壞檢測步驟及該強度取得步驟而得到的各晶片之強度。
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