TW202011092A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種顯示裝置。該顯示裝置包括：一基板，具有一主動區域和一非主動區域；一薄膜電晶體，設置在該基板的該非主動區域上；至少兩個平坦層，設置在該薄膜電晶體上；複數條信號鏈路，設置在該基板的該非主動區域上；以及一外覆蓋層，與該至少兩個平坦層間隔開，並配置以與該等信號鏈路的上表面和側表面重疊，從而防止或減少該等信號鏈路的損壞。

Description

顯示裝置
本發明涉及一種顯示裝置，更具體地說，涉及一種具有高清晰度和高解析度的顯示裝置。
在螢幕上顯示各種資訊的影像顯示裝置是資訊和通訊時代的核心技術，並且已經研發出具有滿足薄、輕、便攜和高性能等趨勢的顯示裝置。因此，可以減輕重量和體積以彌補陰極射線管(CRT)缺點的有機發光二極體(OLED)顯示器成為人們關注的焦點。該有機發光二極體顯示器是一種自發光裝置，並具有低功耗、反應速度快、發光效率高、高亮度、廣視角等優點。該有機發光二極體顯示器透過複數個矩陣排列的子像素實現影像。子像素皆包含發光元件和包含複數個電晶體的像素電路，以便獨立地驅動發光元件。
隨著有機發光二極體顯示裝置發展為具有高清晰度和高解析度的顯示裝置，造成施加到各個信號線和各個電極的負載大增，因此對影像質量和驅動特性具有負面影響的電阻器-電容器(RC)延遲逐漸增加。特別是，產生了由於發光元件與電晶體之間的RC負載所引起的信號延遲，並且因此可能導致難以將驅動信號施加到每個子像素。
因此，本發明係關於一種顯示裝置，其基本上消除了由於現有技術的限制和缺點導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供一種具有高清晰度和高解析度的顯示裝置。
本發明的其他優點、目的和特徵將在以下的描述中部分地闡述，並且部份內容在該技術領域中具有通常知識者研究後將變得顯而易見。本發明的目的和其他優點可以透過書面說明書及其申請專利範圍以及附圖中特別 指出的結構來實現和獲得。
為了實現以上這些目的和其他優點並且根據本發明的目的，如這裡具體和廣泛所描述的，一種顯示裝置包括：一基板，具有一主動區域和一非主動區域；一薄膜電晶體，設置在該基板的該主動區域上；至少兩個平坦層，設置在該薄膜電晶體上；複數條信號鏈路，設置在該基板的該非主動區域上；以及一外覆蓋層，配置以與該等信號鏈路的上表面和側面重疊，從而實現高清晰度與高解析度，並防止該等信號鏈路和該等信號鏈路上的一保護膜受損。
應當理解，本發明的上述的一般描述和以下詳細描述都是示例性和說明性的，並且旨在提供對要求保護的本發明進一步說明。
100‧‧‧第一像素接觸孔
101‧‧‧基板
102‧‧‧閘極電極
104‧‧‧半導體層
106‧‧‧源極電極
108‧‧‧汲極電極
112‧‧‧閘極絕緣膜
114‧‧‧主動緩衝層
116‧‧‧層間絕緣膜
118‧‧‧保護膜
120‧‧‧第二像素接觸孔
122‧‧‧下鏈路、信號鏈路
124‧‧‧上鏈路、信號鏈路
126‧‧‧鏈路接觸孔
128‧‧‧第一平坦層
130‧‧‧發光元件
132‧‧‧陽極
134‧‧‧發光疊層
136‧‧‧陰極
138‧‧‧堤部
140‧‧‧多緩衝層
142‧‧‧像素連接電極
146‧‧‧外覆蓋層
148‧‧‧第二平坦層
150‧‧‧封裝單元
152‧‧‧第一無機封裝層
154‧‧‧有機封裝層
156‧‧‧第二無機封裝層
158‧‧‧擋板
162‧‧‧信號鏈路
164‧‧‧第二外覆蓋層
166‧‧‧的第三外覆蓋層
180‧‧‧鏈路接觸孔
110D‧‧‧汲極接觸孔
110S‧‧‧源極接觸孔
142A‧‧‧殘留材料
AA‧‧‧主動區域
ACT‧‧‧半導體層
DE‧‧‧汲極電極
DL‧‧‧資料線
DP‧‧‧資料墊
GE‧‧‧閘極電極
NA‧‧‧非主動區域
SE‧‧‧源極電極
SL‧‧‧掃描線
SP‧‧‧掃描墊
TD‧‧‧驅動電晶體
TS‧‧‧開關電晶體
VL‧‧‧高壓供電線
VL1‧‧‧第一高壓供電線
VL2‧‧‧第二高壓供電線
W1、W2‧‧‧線寬
A、B、C‧‧‧區域
附圖說明，附圖包含提供對本發明的進一步理解，並且併入構成本申請的一部分，附圖說明了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖示中：
圖1為說明根據本發明一個實施例之有機發光二極體顯示器的平面圖；
圖2A和圖2B為說明圖1之有機發光二極體顯示器沿I-I'線和II-II'線所截取的橫截面圖；
圖3為說明具有與圖1中所示之發光二極體顯示器的外覆蓋層不同的外覆蓋層的有機發光二極體顯示器的平面圖；
圖4A和圖4B為說明圖3之有機發光二極體顯示器沿III-III'線所截取的橫截面圖；
圖5A和圖5B為說明根據比較例之不具有外覆蓋層的有機發光二極體顯示器的橫截面圖；
圖6A和圖6B為說明根據本發明一示例之具有外覆蓋層的有機發光二極體顯示器的橫截面圖；
圖7為說明根據本發明另一個實施例之有機發光二極體顯示器的平面圖；以及
圖8為說明圖7之有機發光二極體顯示器沿IV-IV'線所截取的橫截面圖。
現在將詳細參考本發明較佳的實施例，其示例在附圖中示出。
圖1為說明根據本發明一個實施例之有機發光二極體顯示器的平面圖；以及圖2A和圖2B為說明圖1之有機發光二極體顯示器沿I-I'線和II-II'線所截取的橫截面圖。
圖1、圖2A和圖2B中所示的有機發光二極體顯示器分成主動區域AA和設置在主動區域AA周邊的非主動區域NA。
複數個子像素以矩陣形式設置在主動區域AA中以顯示影像。每個子像素皆包含像素驅動電路和連接到該像素驅動電路的發光元件130。
像素驅動電路包含開關電晶體TS、驅動電晶體TD和儲存電容器Cst(圖未示出)。在本發明中，示例性地描述了具有包含兩個電晶體TS和TD及一個電容器C的結構的像素驅動電路，但不限於此。
當掃描脈衝供應給掃描線SL時，開關電晶體TS導通，從而將供應給資料線DL的資料信號提供給儲存電容器Cst和驅動電晶體TD的閘極電極102。為此目的，如圖1中示例性所示，開關電晶體TS包含：連接到掃描線SL的閘極電極GE；連接到資料線DL的源極電極SE；連接到驅動電晶體TD的汲極電極DE；以及形成源極電極SE與汲極電極DE之間的通道的半導體層ACT。
驅動電晶體TD控制從高壓(VDD)供電線VL供應給發光元件130的電流，以響應供應給驅動電晶體TD的閘極電極102的資料信號，從而調節從發光元件130發出的光量。此外，即使開關電晶體TS關閉，驅動電晶體TD也透過對儲存電容器Cst充電直到供應下一訊框的資料信號來供應恆定電流，因此，發光元件130保持發光。
為此目的，如圖1、圖2A和圖2B中示例性所示，驅動電晶體TD1包含：半導體層104，設置在主動緩衝層114上；閘極電極102，與半導體層104重疊，閘極絕緣膜112設置在其間；以及源極電極106和汲極電極108，形成在層間絕緣膜116上並與半導體層104接觸。換句話說，可以表示為本文中的重疊可以指在平面圖中至少部分地佔據相同空間的兩個元件。可以表示為本文中的重疊不需要兩個元件之間直接的物理接觸。
半導體層104由非晶半導體材料、多晶半導體材料和氧化物半導體材料中的至少一種形成。半導體層104形成在主動緩衝層114上。半導體層104 包含通道區域、源極區域和汲極區域。通道區域與閘極電極102重疊，閘極絕緣膜112設置在其間，並形成在源極電極106與汲極電極108之間。源極區域透過穿過閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116的源極接觸孔110S，導電地連接到源極電極106。汲極區域透過穿過閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116的汲極接觸孔110D，導電地連接到汲極電極108。多緩衝層140和主動緩衝層114設置在半導體層104與基板101之間。多緩衝層140延遲滲透基板101的水分及/或氧的擴散。主動緩衝層114作用以保護半導體層104並阻擋基板101所引入的各種缺陷。
本文中，多緩衝層140與主動緩衝層114接觸的最上層是由與多緩衝層140、主動緩衝層114、閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116以外的剩餘層不相同的蝕刻特性的材料形成。多緩衝層140與主動緩衝層114接觸的最上層由SiNx和SiOx中的一種形成，而多緩衝層140、主動緩衝層114、閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116以外的剩餘層由SiNx和SiOx中的另一種形成。例如，多緩衝層140中與主動緩衝層114接觸的最上層由SiNx形成，而多緩衝層140、主動緩衝層114、閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116以外的剩餘層由SiOx形成。
閘極電極102形成在閘極絕緣膜112上，並與半導體層104的通道區域重疊，閘極絕緣膜112插入其間。閘極電極102由具有單層或多層結構的第一導電材料形成，使用選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金所組成的群組中的一種。
源極電極106連接到透過源極接觸孔110S暴露的半導體層104的源極區域，該源極接觸孔110S穿過閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116。汲極電極108與源極電極106相對設置，並且透過汲極接觸孔110D連接到半導體層104的汲極區域，該汲極接觸孔110D穿過閘極絕緣膜112和層間絕緣膜116。源極電極106和汲極區域108由具有單層或多層結構的第二導電材料形成，使用選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金所組成的群組中的一種。
像素連接電極142設置在第一平坦層128與第二平坦層148之間。像素連接電極142透過第一像素接觸孔100曝露並連接到汲極電極108，該第一像素接觸孔100穿過保護膜118和第一平坦層128。像素連接電極142由具有低電阻係數的材料形成，該材料與汲極電極108相同或相近。換句話說，可以表示為本 文中具有低電阻係數的材料是指具有低電阻的材料。這裡可以表示為，具有低電阻率的材料可以是金屬。
與資料線DL並聯設置的高壓電源線VL包含第一高壓供應線VL1和第二高壓供應線VL2，該第一高壓供應線VL1和該第二高壓供應線VL2透過穿過保護膜118和第一平坦層128的鏈路接觸孔180相互連接。第一高壓供應線VL1由與驅動電晶體TD的源極電極106和汲極電極108相同的材料形成，以便與源極電極106和汲極電極108共面(例如，在同一層中)，而第二高壓供應線VL2由與像素連接電極142相同的材料形成，以便與像素連接電極142共面。例如，第二高壓供應線VL2和像素連接電極142由具有單層或多層結構的導電材料形成，使用選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金所組成的群組中的一種。本文中可以將導電材料稱為第三導電材料。
如此一來，本發明的高壓供電線VL包含第一高壓供電線VL1和第二高壓供電線VL2，該第一高壓供電線VL1和該第二高壓供電線VL2透過鏈路接觸孔180導電連接，因此，可以減少高壓電源線VL的電阻，並且可以減少RC時間常數。因此，可以防止高電壓(VDD)從高壓供應線VL傳輸到驅動電晶體TD的源極電極106的延遲，因此可以實現高清晰度和高解析度。
發光元件130包含：陽極132；形成在陽極132上的至少一個發光疊層134；以及形成在至少一個發光疊層134上的陰極136。
陽極132導電地連接到透過第二像素接觸孔120曝露的像素連接電極142，該第二像素接觸孔120穿過設置在第一平坦層128上的第二平坦層148。
各個子像素的陽極132形成為由堤部138曝露。如此的堤部138可以由不透明材料(例如，黑色材料)形成，以便防止相鄰子像素之間的光學干涉。在這種情況下，堤部138包含由選自彩色顏料、有機黑色顏料和碳中的至少一種所形成的遮光材料。
至少一個發光疊層134形成在位於由堤部138製備的發光區域中的陽極132上。藉由依正常順序或相反順序在陽極132上堆疊的電洞相關層、有機發光層和電子相關層，來形成至少一個發光疊層134。另外，至少一個發光疊層134可以包含彼此相對設置的第一發光疊層和第二發光疊層，電荷產生層插入其間。在這種情況下，第一發光疊層和第二發光疊層其中一個的有機發光層產 生藍光，第一發光疊層和第二發光疊層中的另一個的有機發光層產生黃綠光，因此透第一發光疊層和第二發光疊層產生出白光。由至少一個發光疊層134產生的白光入射在位於至少一個發光疊層134上或下方的濾色器(圖未示出)上，從而實現彩色影像。除此以外，在沒有單獨的濾色器的情況下，每個發光堆疊134可以產生與每個子像素相對應的顏色光，從而實現彩色影像。也就是說，紅色(R)子像素的發光疊層134可以產生紅光，綠色(G)子像素的發光疊層134可以產生綠光，而藍色(B)子像素的發光疊層134可以產生藍光。
陰極136與陽極132相對地形成，至少一個發光疊層134設置在其間並且連接到低壓(VSS)供電線。
連接到資料線DL的資料墊DP、連接到掃描線SL的掃描墊SP、以及連接到低壓(VSS)電源線和高壓(VDD)電源線的電源墊(圖未示出)皆設置在非活動區域NA。資料墊DP、掃描墊SP和電源墊可以設置在非主動區域NA中，該非主動區域NA設置在基板101的一側和另一側中的任何一側，或者，資料墊DP、掃描墊SP和電源墊可以設置在非主動區域NA中，該非主動區域NA設置在基板101上的不同區域。資料墊DP、掃描墊SP和電源墊的設置不限於圖1中所示的結構，並且可以根據顯示器的設計規格進行各種修改。
資料墊DP、掃描墊SP和電源墊中的至少一個導電墊透過信號鏈路連接到相應的信號線。該信號鏈路可以包含下鏈路122和上鏈路124，如圖1、圖2A和圖2B中示例性所示。該信號鏈路在本文中可以稱為「信號鏈路區域」。該信號鏈路可以包含下鏈路122和上鏈路124在基板101平面視角上重疊的區域。
下鏈路122從導電墊和信號線的其中之一延伸，而上鏈路124從導電墊和信號線中的另一個延伸。
下鏈路122透過穿過至少一個層間絕緣膜116的至少一個鏈路接觸孔126曝露並連接到上鏈路124，該層間絕緣膜116設置在源極電極106和汲極電極108與閘極電極102之間。下鏈路122由與驅動電晶體TD的閘極電極102相同的材料形成，以便與閘極電極102共面(例如，設置在閘極絕緣膜112上)，而上鏈路124由與驅動晶體管TD的源極電極106和汲極電極108相同的材料形成，以便與源極電極106和汲極電極108共面(例如，設置在層間絕緣膜116上)。
由無機絕緣材料形成的保護膜118設置在上鏈路124上，而由與第一平坦層128相同的有機絕緣材料形成的外覆蓋層146設置在保護膜118上。
由有機絕緣材料形成的外覆蓋層146形成為與第一平坦層128和第二平坦層148相互間隔開。換句話說，本文中「與...間隔開」可以指的是，其中兩個組件設置為處於非物理接觸。因此，防止了水分或氧氣從外部透過外覆蓋層146以及第一平坦層128和第二平坦層148流入發光元件130中，因此可以防止發光元件130損壞。
外覆蓋層146可以形成以一對多地對應於設置在基板101上的複數個信號鏈路(換句話說，可以表示為一個外覆蓋層對應於多個信號鏈路)，如圖1中示例性所示，或者形成為與信號鏈路一對一對應(換句話說，可以表示為一個外覆蓋層對應於一個信號鏈路)，如圖3、圖4A和圖4B中示例性所示。換句話說，可以表示為信號鏈路可以是顯示裝置的兩個組件之間的導電路徑。
外覆蓋層146可以形成以在上鏈路124上具有平坦的上表面，如圖4A中示例性所示，或者形成為具有階梯式上表面，因此外覆蓋層146的厚度沿朝向其邊緣的方向上減小，如圖4B中所示例性所示。具有階梯狀上表面的外覆蓋層146可以防止在外覆蓋層146的後續製程中，由階梯部分產生所引起的外覆蓋層146的缺陷。
外覆蓋層146形成以不僅與鏈路接觸孔126重疊，而且與上鏈路124的上表面和側表面重疊。特別是，外覆蓋層146形成在保護膜118上，保護膜118覆蓋由鏈路接觸孔126產生的台階部分和由上鏈路124的側表面產生的台階部分，以便與鏈路接觸孔126重疊。
因此，本發明可以在第一平坦層128的後續製程中，有效防止保護膜118的損失和上鏈路124的損壞。將參考圖5A和圖5B以及圖6A和圖6B詳細描述上述優點。
圖5A和圖5B為說明根據比較例之不具有外覆蓋層的有機發光二極體顯示器的橫截面圖；以及圖6A和圖6B為說明根據本發明一示例之具有外覆蓋層的有機發光二極體顯示器的橫截面圖。
在圖5A和圖5B所示的比較示例中，在下鏈路122之後，依次形成層間絕緣膜116、上鏈路124、保護膜118和第一平坦層128，像素連接電極142形成在主動區域中。本文中，在形成像素連接電極142的乾式蝕刻製程期間，可以去除保護膜118與由鏈路接觸孔126產生的台階部分對應的部分。並且，上鏈路124可以透過保護膜118之被去除的部分(區域A)曝露。曝露的上鏈路124導致 其與在形成像素連接電極142之後所形成的陽極132或陰極136中的至少一個的導電材料相互短路。
此外，在用於形成像素連接電極142和陽極132中的至少一個的乾式蝕刻製程期間，如果損失保護膜118(區域B)，則保護膜118下方的上鏈路124可能被釋出或損壞。在這種情況下，在下鏈路122與上鏈路124之間產生接觸缺陷，並且在陽極132的蝕刻製程期間，從上鏈路124釋放的材料可以透過濕蝕刻溶液移動到主動區域。並且，可能由移動到主動區域的釋放材料產生異物缺陷。
此外，在用於形成像素連接電極142的乾式蝕刻製程期間，在上鏈路124周圍可以產生包含像素連接電極142的殘留材料142A(區域C)的尖端(稱為尖端缺陷)。在陽極132的濕式蝕刻製程期間，像素連接電極142的殘留材料142A可以透過蝕刻溶液移動到主動區域。並且可能由移動到主動區域的殘留材料產生異物缺陷。
相反地，在圖6A和圖6B所示的示例中，在下鏈路122之後依次形成層間絕緣膜116、上鏈路124和保護膜118，同時形成第一平坦層128和外覆蓋層146。此後，像素連接電極142形成在主動區域中。在用於形成像素連接電極142的乾式蝕刻製程期間，外覆蓋層146覆蓋位於上鏈路124上的保護膜118。在用於形成像素連接電極142的乾式蝕刻製程期間，外覆蓋層146覆蓋位於由鏈路接觸孔126所產生的台階部分的保護膜118。因此，可以防止或減少在用於形成像素連接電極142的乾式蝕刻製程期間，保護膜118的損失和上鏈路124的暴露。因此，可以防止或減少上鏈路124與陽極132和陰極136中的至少一個的導電材料之間的短路、上鏈路124與下鏈路122之間的接觸缺陷、以及由於由上鏈路124和像素連接電極142中的至少一個的導電材料造成的異物所引起的缺陷。
圖7為說明根據本發明另一個實施例之有機發光二極體顯示器的平面圖；以及圖8為說明圖7之有機發光二極體顯示器沿IV-IV'線所截取的橫截面圖。
除了圖7和圖8中所示的顯示器進一步包括封裝單元150、複數個擋板158和第二外覆蓋層164以外，圖7和圖8中所示的顯示器包括與圖1、圖2A和圖2B中所示的顯示器相同的元件。因此，下文中將省略根據本實施例之有機發光二極體顯示器中與根據前一實施例的有機發光二極體顯示器相同的元件的詳細描述。
封裝單元150有效防止或減少外部濕氣或氧氣滲透到易受外部濕氣或氧氣影響的發光元件130。為此目的，封裝單元150包含至少一個無機封裝層和至少一個有機封裝層。在本發明中，將示例性地描述封裝單元150，其具有按順序堆疊的第一無機封裝層152、有機封裝層154和第二無機封裝層156的結構。
第一無機封裝層152形成在其上設置有陰極136的基板101上。第二無機封裝層156形成在其上設置有有機封裝層154的基板101上，並且第一無機封裝層152和第二無機封裝層156形成以圍繞有機封裝層154的上表面、下表面和側表面。第一無機封裝層152和第二無機封裝層156最小化或阻止外部濕氣或氧氣滲透到發光疊層134中。第一無機封裝層152和第二無機封裝層156由可以在低溫下沉積的無機絕緣材料形成，例如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)。因此，由於第一無機封裝層152和第二無機封裝層156在低溫環境中沉積，所以在第一無機封裝層152和第二無機封裝層156的沉積製程期間，可以防止或減少易受高溫環境影響的發光疊層134的損壞。
有機封裝層154作為緩衝器，以根據有機發光二極體顯示器的彎曲抑制各層之間的應力，並且增強有機發光二極體顯示器的平坦性。有機封裝層154由非光敏有機絕緣材料形成，例如聚己內酯(PCL)、丙烯樹脂，環氧樹脂，聚酰亞胺，聚乙烯或碳氧化矽(SiOC)、或由感光型有機絕緣材料形成，例如光丙烯酸，該有機封裝層154位於其上設置有所形成的第一無機封裝層152的基板101上。如果透過噴墨方法形成有機封裝層154，則設置擋板158，以防止或減少液態的有機封裝層154擴散到基板101的邊緣。擋板158設置為比有機封裝層154更靠近基板101的邊緣。擋板158可以防止或減少有機封裝層154擴散到墊區域，其中設置有佈置在基板101的最外區域中的導電墊。
第二外覆蓋層164可以設置在不被外覆蓋層146覆蓋的區域中，如圖1、圖2A和圖2B所示。例如，第二外覆蓋層164設置在擋板158與導電墊(掃描墊SP和資料墊DP)之間的區域中，其中可以不設置由有機絕緣材料形成的薄膜(例如，作為外部濕氣或氧氣的移動路徑)。在一些實施例中，形成第二外覆蓋層164來代替外覆蓋層146。在其他實施例中，除了外覆蓋層146以外，進一步形成第二外覆蓋層164。
第二外覆蓋層164透過與像素連接電極142相同的光罩製程來形成。也就是說，第二外覆蓋層164可以由保護膜118上的第三導電材料(即，與像素連接電極142相同的材料)形成，以便與像素連接電極142共面。第二外覆蓋層164設置在由第二導電材料(即，與源極電極106和汲極電極108相同的材料)形成的信號鏈路162上。信號鏈路162可以是將導電墊(例如，資料墊)電性連接到對應信號線的一條單線。第二外覆蓋層164的線寬W2大於信號鏈路162的線寬W1。因為第二外覆蓋層164具有比信號鏈路162更大的線寬，所以第二外覆蓋層164覆蓋信號鏈路162的上表面和側表面。由於保護膜118可以設置在信號鏈路162上方，所以第二外覆蓋層164也可以設置在保護膜118上方。因此，在用於形成第二外覆蓋層164和像素連接電極142的蝕刻製程期間，第二外覆蓋層164的第三導電材料覆蓋在信號鏈路162上的保護膜118。因此，本發明可以有效防止或減少設置在信號鏈路162上的保護膜118的損失、信號鏈路162的損壞、以及第三導電材料的尖端缺陷。
與第二平坦層148使用相同的材料形成的第三外覆蓋層166設置在第二外覆蓋層164上。第三外覆蓋層166具有比第二外覆蓋層164的線寬W2更大的線寬，以便覆蓋第二外覆蓋層164的側表面和上表面。如此第三外覆蓋層166形成以具有小於第二平坦層148的厚度，因此，其可以減少由於第三外覆蓋層166而產生的階梯部分。因此，在將信號傳輸膜(例如，可撓性印刷電路(FPC)或捲帶式晶片載體封裝(TCP))壓製到與第三外覆蓋層166相鄰的導電墊的過程期間，可以防止或減少由於第三外覆蓋層166的厚度所引起的壓製製程缺陷。
儘管本發明的前一實施例示例性地描述包含外覆蓋層146的結構，但是本發明的後一實施例示例性地描述包含第二覆蓋層164和第三覆蓋層166的結構，而本發明的另一實施例可以描述包含外覆蓋層146以及第二覆蓋層164和第三覆蓋層166的結構。
此外，本發明示例性地描述了外覆蓋層146設置在具有鏈路接觸孔126的信號鏈路122和124上，而第二覆蓋層164和第三覆蓋層166設置在沒有連接接觸孔126的信號鏈路162上的結構，但是本發明所揭露的內容不限於此。第二覆蓋層164和第三覆蓋層166可以設置在具有鏈路接觸孔126的信號鏈路122和124上，而外覆蓋層146可以設置在不具有鏈路接觸孔126的信號鏈路162上。
而且，儘管本發明示例性地描述外覆蓋層146以及第二外覆蓋層164和第三外覆蓋層166設置在連接到資料墊DP的信號鏈路122、124和162上的結構，但是外覆蓋層146以及第二外覆蓋層164和第三外覆蓋層166可以設置在連接到掃描墊SP及/或電源墊的信號鏈路上。
此外，儘管本發明示例性地描述了有機發光二極體顯示器，但是本發明所揭露的內容可以應用於包含薄膜電晶體的所有顯示裝置。
從以上描述顯而易見，在根據本發明的顯示裝置中，薄膜電晶體的汲極電極透過由具有低電阻率的材料形成的像素連接電極連接到發光元件的陽極。因此，根據本發明的顯示裝置可以減少由於發光元件與薄膜電晶體之間的RC負載所引起的信號延遲，從而實現高清晰度和高解析度。
此外，根據本發明的顯示裝置包括：外覆蓋層，與信號鏈路的側表面所產生的台階部分和由連接信號鏈路的鏈路接觸孔所產生的台階部分重疊。因此，根據本發明的顯示裝置可以在用於形成像素連接電極的蝕刻製程期間，防止覆蓋信號鏈路的保護膜的損失、信號鏈路的釋放和第三導電材料的尖端缺陷。
對於本技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範疇的情況下，可以在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋落入申請專利範圍以及其等同物的範圍內的本發明的修改和變化。
本發明主張於2018年9月11日提交的韓國專利申請第10-2018-0108411號的優先權權益，其揭露內容透過引用結合於此。
100‧‧‧第一像素接觸孔
101‧‧‧基板
102‧‧‧閘極電極
104‧‧‧半導體層
106‧‧‧源極電極
108‧‧‧汲極電極
112‧‧‧閘極絕緣膜
114‧‧‧主動緩衝層
116‧‧‧層間絕緣膜
118‧‧‧保護膜
120‧‧‧第二像素接觸孔
128‧‧‧第一平坦層
130‧‧‧發光元件
132‧‧‧陽極
134‧‧‧發光疊層
136‧‧‧陰極
138‧‧‧堤部
140‧‧‧多緩衝層
142‧‧‧像素連接電極
148‧‧‧第二平坦層
110D‧‧‧汲極接觸孔
110S‧‧‧源極接觸孔
TD‧‧‧驅動電晶體

Claims (16)

  1. 一種顯示裝置，包括：
    一基板，具有一主動區域和一非主動區域；
    一薄膜電晶體，設置在該基板的該主動區域上；
    至少兩個平坦層，設置在該薄膜電晶體上；
    複數條信號鏈路，設置在該基板的該非主動區域上；以及
    一外覆蓋層，配置以與該等信號鏈路的上表面和側表面重疊。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該外覆蓋層與該至少兩個平坦層相互隔開。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該至少兩個平坦層包括：
    一第一平坦層，設置在一保護膜上，該保護膜配置以覆蓋該薄膜電晶體；以及
    一第二平坦層，設置在該第一平坦層上。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括一像素連接電極，連接到該薄膜電晶體的一汲極電極並設置在該第一平坦層與該第二平坦層之間。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中，該像素連接電極由與該汲極電極相同的材料形成。
  6. 根據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中：
    該等信號鏈路包括：
    一下鏈路，由與該薄膜電晶體的一閘極電極相同的材料形成，並與該閘極電極共面；以及
    一上鏈路，由與該薄膜電晶體的一源極電極和該汲極電極相同的材料形成，其中該上鏈路與該源極電極和該汲極電極共面，並連接到該下鏈路，
    其中，該外覆蓋層由與該第一平坦層相同的材料形成並設置在該保護膜上，以及
    其中該保護膜設置在該上鏈路。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，進一步包括：至少一個鏈路接觸孔，位於一層間絕緣膜中，該層間絕緣膜設置在該源極電極和該汲極電極與該閘極電極之間，該鏈路接觸孔曝露該下鏈路，其中：
    該上鏈路透過該至少一個鏈路接觸孔連接到該下鏈路；以及
    該外覆蓋層與該至少一個鏈路接觸孔重疊。
  8. 根據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，進一步包括：
    複數個導電墊，連接到該等信號鏈路；
    一發光元件，連接到該薄膜電晶體；
    一封裝單元，設置在該發光元件上；
    至少一個擋板，設置在該等導電墊與該發光元件之間；以及
    一第二外覆蓋層，設置在該至少一個擋板與該等導電墊之間。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該封裝單元包括：一有機封裝層、一第一無機封裝層、以及一第二無機封裝層，其中該第一無機封裝層和該第二無機封裝層由一無機絕緣材料形成。
  10. 根據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中，該第二外覆蓋層形成在該等信號鏈路上，使其線寬大於該等信號鏈路的線寬。
  11. 根據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中：
    該等信號鏈路由與該薄膜電晶體的一源極電極和該汲極電極相同的材料形成；以及
    該第二外覆蓋層由與該像素連接電極相同的材料形成，以便與該像素連接電極位於同一層。
  12. 根據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，進一步包括一第三外覆蓋層，形成在該第二外覆蓋層上，使其線寬大於該第二外覆蓋層的線寬，
    其中該第三外覆蓋層由與該第二平坦層相同的材料形成。
  13. 根據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，進一步包括：
    複數條高壓供電線，包含一第一高壓供電線和一第二高壓供電線，透過穿過該保護膜和該第一平坦層的複數個鏈路接觸孔相互連接。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述的顯示裝置，其中該第一高壓供應線由與該薄膜電晶體的一源極電極和該汲極電極相同的材料形成，以便與該源極電極和該汲極電極共面，而該第二高壓供應線由與該像素連接電極相同的材料形成，以便與該像素連接電極共面。
  15. 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該外覆蓋層包含複數個外覆蓋層部分，分別與該等信號鏈路中的複數個信號鏈路相對應。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述的顯示裝置，其中該複數個外覆蓋層部分中的每一個在該信號鏈路上具有平坦或階梯式的上表面。
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