CN110890400B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括：具有显示区和非显示区的基板；布置在基板的显示区上的薄膜晶体管；布置在薄膜晶体管上的至少两个平坦化层；布置在基板的非显示区上的信号链接线；以及与至少两个平坦化层隔开并且被配置为与信号链接线的上表面和侧表面交叠的外覆盖层，从而防止或减少对信号链接线的损坏。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地，涉及具有高清晰度和高分辨率的显示装置。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息和通信时代的核心技术，并且已经进行开发以满足薄、重量轻、便携和高性能的趋势。因此，可以减小重量和体积以弥补阴极射线管(CRT)的缺点的有机发光二极管(OLED)显示器现在是关注的焦点。这样的有机发光二极管显示器是自发光装置并且具有诸如功耗低、响应速度快、发光效率高、亮度高、视角宽的优点。这样的有机发光二极管显示器通过以矩阵形式布置的多个子像素来实现图像。每个子像素包括发光元件和包括多个晶体管以独立驱动发光元件的像素电路。
随着有机发光二极管显示器被开发为具有高清晰度和高分辨率，施加到各条信号线和各个电极的负载大大增加，因此对图像质量和驱动特性产生负面影响的电阻-电容(RC)延迟逐渐增加。特别地，会发生由于发光元件和晶体管之间的RC负载引起的信号延迟，因此可能导致难以将驱动信号施加到每个子像素。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示装置。
本发明的目的在于提供一种具有高清晰度和高分辨率的显示装置。
本发明的其它优点、目的和特征将部分地在下面的描述中进行阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员来说在研究下文后将变得显而易见。本发明的目的和其它优点可以通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中具体和广泛描述地，显示装置包括：具有显示区和非显示区的基板；布置在基板的显示区上的薄膜晶体管；布置在薄膜晶体管上的至少两个平坦化层；布置在基板的非显示区上的信号链接线；以及被配置为与信号链接线的上表面和侧表面交叠的外覆盖层，从而实现高清晰度和高分辨率，并且防止对信号链接线和位于信号链接线上的保护膜的损坏。
应当理解，本发明的前述一般性描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是例示了根据本发明一个实施方式的有机发光二极管显示器的平面图；
图2A和图2B是沿线I-I'和线II-II'截取的例示了图1的有机发光二极管显示器的截面图；
图3是例示了具有与图1所示的有机发光二极管显示器的外覆盖层不同的外覆盖层的有机发光二极管显示器的平面图；
图4A和图4B是沿线III-III'截取的例示了图3的有机发光二极管显示器的截面图；
图5A和图5B是例示了根据比较示例的不具有外覆盖层的有机发光二极管显示器的截面图；
图6A和图6B是例示了根据本发明的示例的具有外覆盖层的有机发光二极管显示器的截面图；
图7是例示了根据本发明另一个实施方式的有机发光二极管显示器的平面图；并且
图8是沿线IV-IV'截取的例示了图7的有机发光二极管显示器的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的优选实施方式进行说明，其示例在附图中示出。
图1是例示了根据本发明一个实施方式的有机发光二极管显示器的平面图，并且图2A和图2B是沿线I-I'和线II-II'截取的例示了图1的有机发光二极管显示器的截面图。
图1、图2A和图2B所示的有机发光二极管显示器划分为显示区AA和布置在显示区AA的周边处的非显示区NA。
多个子像素以矩阵形式布置在显示区AA中以显示图像。每个子像素包括像素驱动电路和连接到像素驱动电路的发光元件130。
像素驱动电路包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD和存储电容器Cst(未示出)。在本发明中，示例性地描述了具有包括两个晶体管TS和TD以及一个电容器C的结构的像素驱动电路，但不限于此。
当扫描脉冲被提供给s扫描线SL时，开关晶体管Ts导通，从而将提供到数据线DL的数据信号提供给存储电容器Cst和驱动晶体管TD的栅极102。为此目的，如图1中示例性地所示，开关晶体管TS包括连接到扫描线SL的栅极GE、连接到数据线DL的源极SE、连接到驱动晶体管TD的漏极DE、以及在源极SE和漏极DE之间形成沟道的半导体层ACT。
驱动晶体管TD响应于提供至驱动晶体管TD的栅极102的数据信号来控制从高电压(VDD)供给线VL提供给发光元件130的电流，从而调节从发光元件130发出的光的量。此外，即使开关晶体管TS断开，驱动晶体管TD也通过充入到存储电容器Cst的电压来提供恒定电流直到提供下一帧的数据信号，因此，发光元件130保持发光。
为此目的，如图1以及图2A和图2B中示例性地所示，驱动晶体管TD包括：布置在有源缓冲层114上的半导体层104、与半导体层104交叠并且其间设置有栅极绝缘膜112的栅极102、形成在层间绝缘膜116上并接触半导体层104的源极106和漏极108。换句话说，可以认为交叠是指两个元件在平面图中至少部分地占有相同空间。可以认为交叠不需要该两个元件之间的直接物理接触。
半导体层104由非晶半导体材料、多晶半导体材料或氧化物半导体材料中的至少一种形成。半导体层104形成在有源缓冲层114上。半导体层104包括沟道区、源区和漏区。沟道区与栅极102交叠并且其间设置有栅极绝缘膜112，并且沟道区形成在源极106和漏极108之间。源区通过穿过栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116的源接触孔110S可导电地连接到源极106。漏区通过穿过栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116的漏接触孔110D可导电地连接到漏极108。多缓冲层140和有源缓冲层114布置在半导体层104和基板101之间。多缓冲层140延迟渗透基板101的湿气和/或氧的扩散。有源缓冲层114用作保护半导体层104并阻挡从基板101引入的各种缺陷。
本文中，多缓冲层140中的与有源缓冲层114接触的最上层由具有与多缓冲层140中的其余层、有源缓冲层114、栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116不同的蚀刻特性的材料形成。多层缓冲层140中的与有源缓冲层114接触的最上层由SiNx和SiOx中的一种形成，并且多缓冲层140中的其余层、有源缓冲层114、栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116由SiNx和SiOx中的另一种形成。例如，多缓冲层140中的与有源缓冲层114接触的最上层由SiNx形成，并且多缓冲层140中的其余层、有源缓冲层114、栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116由SiOx形成。
栅极102形成在栅极绝缘膜112上，并且与半导体层104的沟道区交叠，栅极绝缘膜112插入在栅极102和半导体层104之间。栅极102由具有单层或多层结构的第一导电材料形成，该单层或多层结构使用选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金构成的组中的一种。
源极106连接到半导体层104的通过穿过栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116的源接触孔110S露出的源区。漏极108与源极106相对设置并且通过穿过栅极绝缘膜112和层间绝缘膜116的漏接触孔110D连接到半导体层104的漏区。源极106和漏极108由具有单层或多层结构的第二导电材料形成，该单层或多层结构使用选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金构成的组中的一种。
像素连接电极142布置在第一平坦化层128和第二平坦化层148之间。像素连接电极142通过穿过保护膜118和第一平坦化层128的第一像素接触孔140露出，并且连接到漏极108。像素连接电极142由具有与漏极108相同或相近的低特定电阻率的材料形成。换句话说，可以认为具有低特定电阻率的材料是指具有低电阻率的材料。本文中可以认为，具有低特定电阻率的材料可以是金属。
与数据线DL并联设置的高电压供给线VL包括通过穿过保护膜118和第一平坦化层128的线接触孔180连接的第一高电压供给线VL1和第二高电压供给线VL2。第一高电压供给线VL1由与驱动晶体管TD的源极106和漏极108相同的材料形成，以与源极106和漏极108共面，并且第二高电压供给线VL2由与像素连接电极142相同的材料形成，以与像素连接电极142共面。例如，第二高电压供给线VL2和像素连接电极142由具有单层或多层结构的第三材料形成，该单层或多层结构使用选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、或其合金构成的组中的一个。本文中，该导电材料可以被称作第三导电材料。
这样，本发明的高电压供给线VL包括通过线接触孔180可导电地连接的第一高电压供给线VL1和第二高电压供给线VL2，因此可以减小高电压供给线VL的电阻并且可以减小RC时间常数。因此，可以防止从高电压供给线VL到驱动晶体管TD的源极106的高电压(VDD)的传输延迟，因此可以实现高清晰度和高分辨率。
发光元件130包括阳极132、形成在阳极132上的至少一个发光叠层134、以及形成在至少一个发光叠层134上的阴极136。
阳极132可导电地连接到通过穿过布置在第一平坦化层128上的第二平坦化层148的第二像素接触孔120露出的像素连接电极142。
各个子像素的阳极132形成为通过堤部138露出。这样的堤部138可以由不透明材料(例如，黑色材料)形成，以防止相邻子像素之间的光学相干。在这种情况下，堤部138包括由选自由彩色颜料、有机黑色颜料和碳构成的组中的至少一种形成的遮光材料。
至少一个发光叠层134在由堤部138制备的发光区域中形成在阳极132上。至少一个发光叠层134通过在阳极132上以规律顺序或相反顺序堆叠空穴相关层、有机发光层和电子相关层而形成。另外，至少一个发光叠层134可以包括彼此相对设置的第一发光叠层和第二发光叠层，在它们之间插入有电荷产生层。在这种情况下，第一发光叠层和第二发光叠层中的一个的有机发光层产生蓝光、第一发光叠层和第二发光叠层中的另一个的有机发光层产生黄绿光，因此通过第一发光叠层和第二发光叠层产生白光。由至少一个发光叠层134产生的白光入射到位于至少一个发光叠层134上或下方的滤色器(未示出)上，从而实现彩色图像。另外，在没有单独滤色器的情况下，每个发光叠层124可以产生与每个子像素相对应的彩色光，从而实现彩色图像。也就是说，红色(R)子像素的发光叠层134可以产生红光，绿色(G)子像素的发光叠层134可以产生绿光，并且蓝色(B)子像素的发光叠层134可以产生蓝光。
阴极136与阳极132相对地形成，在它们之间设置有至少一个发光叠层34，并且阳极136连接到低电压(VSS)供给线。
连接到数据线DL的数据焊盘DP、连接到扫描线SL的扫描焊盘SP、以及连接到低电压(VSS)供给线和高电压(VDD)供给线的电源焊盘(未示出)布置在非显示区NA。数据焊盘DP、扫描焊盘SP和电源焊盘可以布置在被布置在基板101的一侧和另一侧中的任何一个处的非显示区NA中，或者数据焊盘DP、扫描焊盘SP和电源焊盘可以布置在被布置在基板101的不同区域处的非显示区NA中。数据焊盘DP、扫描焊盘SP和电源焊盘的布置不限于图1所示的结构，并且可以根据显示器的设计规定进行各种变型。
数据焊盘DP、扫描焊盘SP或电源焊盘中的至少一个导电焊盘通过信号链接线连接到相应信号线。信号链接线可以包括下链接线122和上链接线124，如图1、图2A和图2B中示例性地示出。信号链接线在本文中可以被称作“信号链接线区域”。信号链接线可以包括从基板101的平面图来看下链接线122和上链接线124交叠的区域。
下链接线122从导电焊盘和信号线中的一个延伸，并且上链接线124从导电焊盘和信号线中的另一个延伸。
下链接线122通过穿过布置在源极106和漏极108与栅极102之间的至少一个层间绝缘膜116的至少一个链接线接触孔126露出，并连接到上链接线124。下链接线122由与驱动晶体管TD的栅极102相同的材料形成，以与栅极102共面(例如，以布置在栅极绝缘膜112上)，并且上链接线124由与驱动晶体管TD的源极106和漏极108相同的材料形成，以与源极106和漏极108共面(例如，以布置在层间绝缘膜116上)。
由无机绝缘材料形成的保护膜118布置在上链接线124上，并且由与第一平坦化层128相同的有机绝缘材料形成的外覆盖层146布置在保护膜118上。
由有机绝缘材料形成的外覆盖层146被形成为与第一平坦化层128和第二平坦化层148隔开。换句话说，可以认为“与……隔开”可以是指将两个元件布置成使得它们物理上不接触的布置方式。因此，防止湿气或氧气从外部通过外覆盖层146以及第一平坦化层128和第二平坦化层148进入到发光元件130中，从而可以防止对发光元件130的损坏。
如图1中示例性地示出，外覆盖层146可以形成为一对多地对应于布置在基板101上的多条信号链接线(换句话说，可以认为一个外覆盖层对应于大于一个信号链接线)，或者如图3和图4A以及图4B中示例性地所示地，外覆盖层146链接线可以形成为一对一地对应于信号链接线(换句话说，可以认为一个外覆盖层对应于一个信号链接线)。换句话说，可以认为信号链接线可以是显示装置的两个元件之间的导电路径。
如图4A中示例性地示出，外覆盖层146可以形成为在上链接线124上具有平坦的上表面，或者如图4B中示例性地所示，外覆盖层146可以形成为具有阶梯状的上表面，使得外覆盖层146的厚度沿朝向其边缘的方向减小。具有阶梯状的上表面的外覆盖层146可以防止在外覆盖层146的后续工序期间由产生阶梯形部分而导致的外覆盖层146的缺陷。
外覆盖层146形成为不仅与链接线接触孔126交叠，而且与上链接线124的上表面和侧表面交叠。特别地，外覆盖层146形成在覆盖由链接线接触孔126产生的阶梯形部分和由上链接线124的侧表面产生的阶梯形部分的保护膜118上，以与链接线接触孔126交叠。
因此，本发明可以防止在第一平坦化层128的后续工序期间保护膜118的损失和上链接线124的损坏。这将参考图5A和图5B以及图6A和图6B进行详细描述。
图5A和图5B是例示了根据比较示例的不具有外覆盖层的有机发光二极管显示器的截面图，并且图6A和6B是例示了根据本发明的示例的具有外覆盖层的有机发光二极管显示器的截面图。
在图5A和图5B中所示的比较示例中，在顺序形成下链接线122、层间绝缘膜116、上链接线124、保护膜118和第一平坦化层128之后，在显示区中形成像素连接电极142。本文中，在用于形成像素连接电极142的干蚀刻工序期间，保护膜118的与由链接接触孔126产生的阶梯形部分对应的部分可以被移除。并且，可以通过保护膜118的被移除的部分(区域A)来露出上链接线124。露出的上链接线124导致与在形成像素连接电极142之后形成的阳极132或阴极136中的至少一个的导电材料短路。
此外，在用于形成像素连接电极142或阳极132中的至少一个的干蚀刻工序期间，如果保护膜118丢失(区域B)，则保护膜118下方的上链接线122被释放或损坏。在这种情况下，会发生下链接线122和上链接线124之间的接触缺陷，并且在阳极132的蚀刻工序期间，从上链接线124释放的材料可以通过湿法蚀刻溶液移动到显示区。并且，移动到显示区的被释放的材料可能会引起异物缺陷。
此外，在用于形成像素连接电极142的干蚀刻工序期间，在上链接线124周围可能会产生包括像素连接电极142的剩余材料142A的尖端(称作尖端缺陷)(区域C)。像素连接电极142的剩余材料142A在阳极132的湿法蚀刻工序期间可能会通过湿法蚀刻溶液移动到显示区。并且，移动到显示区的被释放的材料142A可能会引起异物缺陷。
相反，在图6A和图6B中所示的示例中，在顺序形成下链接线122、层间绝缘膜116、上链接线124和保护膜118之后，同时形成第一平坦化层128和外覆盖层146。此后，在显示区中形成像素连接电极142。在用于形成像素连接电极142的干蚀刻工序期间，外覆盖层146覆盖在上链接线124上的保护膜118。在用于形成像素连接电极142的干蚀刻工序期间，外覆盖层146覆盖在由链接线接触孔126产生的阶梯形部分处的保护膜118。因此，可以防止或减少在用于形成像素连接电极142的干蚀刻工序期间保护膜118的损失和上链接线124的露出。因此，可以防止或减少由上链接线124或像素连接电极142中的至少一个的导电材料导致的在上链接线124与阳极132或阴极136中的至少一个的导电材料之间的短路、在上链接线124与下链接线122之间的接触缺陷、以及由于异物引起的缺陷。
图7是例示了根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器的平面图，并且图8是沿线IV-IV'截取的例示了图7的有机发光二极管显示器的截面图。
除了图7和图8中所示的显示器还包括封装单元150、多个坝158和第二外覆盖层164之外，图7和图8所示的显示器包括与图1和图2中所示的显示器相同的元件。因此，将省略对根据该实施方式的有机发光二极管显示器的与根据在前实施方式的有机发光二极管显示器相同的元件的详细描述。
封装单元150防止或减少外部湿气或氧气渗透到易受外部湿气或氧气影响的发光元件130。为此目的，封装单元150包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在本发明中，将示例性地描述具有顺序堆叠了第一无机封装层152、有机封装层154和第二无机封装单元156的结构的封装单元150。
第一无机封装层152形成在设置有形成于其上的阴极136的基板101上。第二无机封装层156形成在设置有形成于其上的有机封装单元154的基板101上，并且第一无机封装层152和第二无机封装层156形成为围绕有机封装层154的上表面、下表面和侧表面。第一无机封装层152和第二无机封装层156最小化或阻挡外部湿气或氧气渗入发光叠层134中。第一无机封装层152和第二无机封装层156由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)的可以低温沉积的无机绝缘材料形成。因此，由于第一无机封装层152和第二无机封装层156在低温环境中沉积，所以可以防止或减少在第一无机封装层152和第二无机封装层156的沉积工序期间对易受高温环境影响的发光叠层124的损坏。
有机封装层154用作缓冲器，以抑制各层之间基于有机发光二极管显示器的弯曲而产生的应力，并增强有机发光二极管显示器的平坦化性能。有机封装层154在设置有形成于其上的第一无机封装层152的基板101上，由诸如聚己内酯(PCL)、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或碳氧化硅(SiOC)的非光敏有机绝缘材料，或者诸如光学丙烯酸的光敏有机绝缘材料形成。如果通过喷墨方法形成有机封装层154，则布置坝158以防止或减少处于液态的有机封装层154扩散到基板101的边缘中。将坝158布置成比有机封装层154更靠近基板101的边缘。坝158可以防止或减少有机封装层154扩散到布置有在基板101的最外区域中布置的导电焊盘的焊盘区域。
第二外覆盖层164可以布置在图1和图2所示的、没有被外覆盖层146覆盖的区域中。例如，第二外覆盖层164布置在坝158与导电焊盘SP和DP之间的区域中，在该区域中可以不布置由有机绝缘材料形成的薄膜(例如，可用作外部湿气或氧气的移动路径)。在一些实施方式中，形成第二外覆盖层164，而不是外覆盖层146。在其它实施方式中，除外覆盖层146以外还形成有第二外覆盖层。
第二外覆盖层164与像素连接电极142通过同一掩模工序形成。即，第二外覆盖层164可以在保护膜118上由第三导电材料(即，与像素连接电极142相同的材料)形成，以与像素连接电极142共面。第二外覆盖层164布置在由第二导电材料(即，与源极106和漏极108相同的材料)形成的信号链接线162上。信号链接线162可以是将导电焊盘(例如，数据焊盘)电连接到对应信号线的单个线。第二外覆盖层164具有比信号链接线162的线宽w1更大的线宽w2。由于第二外覆盖层164具有比信号链接线162更宽的线宽，所以第二外覆盖层164覆盖信号链接线162的上表面和侧表面。由于保护膜118可以布置在信号链接线162上方，所以第二外覆盖层164还可以布置在保护膜上方。因此，在用于形成第二外覆盖层164和像素连接电极142的蚀刻工序期间，第二外覆盖层164的第三导电材料覆盖信号在信号链接线162上的保护膜118。因此，本发明可以防止或减少布置在信号链接线162上的保护膜118的损失、对信号链接线162的损坏、以及第三导电材料的尖端缺陷。
由与第二平坦化层148相同的材料形成的第三外覆盖层166布置在第二外覆盖层164上。第三外覆盖层166具有比第二外覆盖层164的线宽w2更大的线宽，以覆盖第二外覆盖层164的侧表面和上表面。这样的第三外覆盖层166被形成为具有小于第二平坦化层148的厚度的厚度，从而可以减少由于第三外覆盖层166导致的阶梯形部分的产生。因此，在将信号传输膜(例如，柔性印刷电路(FPC)或带载封装(TCP))按压到与第三外覆盖层166相邻的导电焊盘的工序期间，可以防止或减少由于第三外覆盖层166的厚度引起的按压工序缺陷。
尽管本发明的在前实施方式示例性地描述了包括外覆盖层146的结构，并且本发明的在后实施方式示例性地描述了包括第二覆盖层164和第三覆盖层166的结构，但是本发明的又一实施方式可以描述包括外覆盖层146以及第二覆盖层164和第三覆盖层166的结构。
此外，本发明示例性地描述了外覆盖层146布置在具有链接线接触孔126的信号链接线122和124上并且第二外覆盖层164和第三外覆盖层166布置在没有链接线接触孔126的信号链接线162上的结构，但是本发明的公开不限于此。第二外覆盖层164和第三外覆盖层166可以布置在具有链接线接触孔126的信号链接线122和124上，并且外覆盖层146可以布置在没有链接线接触孔126的信号链接线162上。
而且，尽管本发明示例性地描述了外覆盖层146以及第二外覆盖层164和第三外覆盖层166布置在连接到数据焊盘DP的信号链接线122、124和162上的结构，但是外覆盖层146以及第二外覆盖层164和第三外覆盖层166可以布置在连接到扫描焊盘SP和/或电源焊盘的信号链接线上。
此外，尽管本发明示例性地描述了有机发光二极管显示器，但是本发明的公开可以应用于包括薄膜晶体管的所有显示装置。
从以上描述显而易见，在根据本发明的显示装置中，薄膜晶体管的漏极通过由具有低特定电阻率的材料形成的像素连接电极连接到发光元件的阳极。因此，根据本发明的显示装置可以减小由于发光元件和薄膜晶体管之间的RC负载引起的信号延迟，从而实现高清晰度和高分辨率。
此外，根据本发明的显示装置包括与由信号链接线的侧表面产生的阶梯形部分和由将信号链接线互连的链接线接触孔产生的阶梯形部分交叠的外覆盖层。因此，根据本发明的显示装置可以防止或减少在用于形成像素连接电极的蚀刻工序期间覆盖信号链接线的保护膜的损失、信号链接线的释放和第三导电材料的尖端缺陷。
对于本领域技术人员将会显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可以进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。
本申请要求于2018年9月11日提交的韩国专利申请No.P2018-0108411的优先权，该申请通过引用包含于此，如同在此完全阐述一样。

Claims (16)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板具有显示区和非显示区；
薄膜晶体管，该薄膜晶体管布置在所述基板的显示区上；
至少两个平坦化层，该至少两个平坦化层布置在所述薄膜晶体管上；
信号链接线，该信号链接线布置在所述基板的非显示区上，
其中，所述信号链接线中的每一个包括：
下链接线，该下链接线由与所述薄膜晶体管的栅极相同的材料形成并与所述栅极共面；以及
上链接线，该上链接线由与所述薄膜晶体管的源极和漏极相同的材料形成，所述上链接线与所述源极和所述漏极共面，
其中，所述下链接线通过层间绝缘层中的至少一个链接线接触孔露出并连接到所述上链接线；
保护膜，该保护膜布置在所述上链接线上；以及
外覆盖层，该外覆盖层布置在所述保护膜上并被配置为与所述信号链接线的上表面和侧表面交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述外覆盖层与所述至少两个平坦化层隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少两个平坦化层包括：
第一平坦化层，该第一平坦化层布置在被配置为覆盖所述薄膜晶体管的所述保护膜上；以及
第二平坦化层，该第二平坦化层布置在所述第一平坦化层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，该显示装置还包括：
像素连接电极，该像素连接电极连接到所述薄膜晶体管的所述漏极并且布置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述像素连接电极由与所述漏极相同的材料形成。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述外覆盖层由与所述第一平坦化层相同的材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述至少一个链接线接触孔布置在所述源极和所述漏极两者与所述栅极之间，以露出所述下链接线，并且
其中，所述外覆盖层与所述至少一个链接线接触孔交叠。
8.根据权利要求4所述的显示装置，该显示装置还包括：
导电焊盘，该导电焊盘连接到所述信号链接线；
发光元件，该发光元件连接到所述薄膜晶体管；
封装单元，该封装单元布置在所述发光元件上；
至少一个坝，该至少一个坝布置在所述导电焊盘和所述发光元件之间；以及
第二外覆盖层，该第二外覆盖层布置在所述至少一个坝和所述导电焊盘之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述封装单元包括有机封装层、第一无机封装层和第二无机封装层，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层由无机绝缘材料形成。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二外覆盖层形成在所述信号链接线上，以具有比所述信号链接线的线宽更大的线宽。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二外覆盖层由与所述像素连接电极相同的材料形成，以位于与所述像素连接电极相同的层中。
12.根据权利要求8所述的显示装置，该显示装置还包括：
第三外覆盖层，该第三外覆盖层形成在所述第二外覆盖层上，以具有比所述第二外覆盖层的线宽更大的线宽，
其中，所述第三外覆盖层由与所述第二平坦化层相同的材料形成。
13.根据权利要求3所述的显示装置，该显示装置还包括：
高电压供给线，该高电压供给线包括第一高电压供给线和第二高电压供给线，所述第一高电压供给线和所述第二高电压供给线通过穿过所述保护膜和所述第一平坦化层的线接触孔连接。
14.根据权利要求13所述的显示装置，该显示装置还包括：
像素连接电极，该像素连接电极布置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，
其中，所述第一高电压供给线由与所述薄膜晶体管的源极和漏极相同的材料形成，以与所述源极和所述漏极共面，并且所述第二高电压供给线由与所述像素连接电极相同的材料形成，以与所述像素连接电极共面。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述外覆盖层包括多个外覆盖层部分，所述多个外覆盖层部分分别对应于所述信号链接线中的多个信号链接线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述多个外覆盖层部分中的每一个在所述信号链接线上具有平坦的上表面或者阶梯状的上表面。
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