TW202008708A - 電抗器 - Google Patents

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Abstract

[課題] 在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀組入在平面型鐵芯的電抗器中，將藉由控制繞組的控制電流所形成的磁通密度形成為均等，藉由控制繞組的控制電流來設定電抗器的電感。 [解決手段] 電抗器係在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀組入在平面型鐵芯而成的電抗器中，藉由將(a)主繞組所形成的磁通、及(b)控制繞組所形成的磁通形成為以下狀態，將控制電流所形成的磁通密度形成為均等者。在主繞組流通的高頻電流的主繞組電流係在一對的各內腳形成彼此相抵之磁場的方向為相反方向的交流磁通，在控制繞組流通的直流電流的控制電流係在交流磁通被相抵後之一對內腳形成均等的磁通密度的直流磁通。

Description

電抗器
本發明係關於電抗器，關於藉由磁通控制，使電感成為可變的磁通控制型電抗器。
由高頻發生裝置對負荷供給高頻電力時，為了整合高頻發生裝置的阻抗與負荷的阻抗，設有阻抗整合裝置。以往已知一種由可變電容元件、及可變電感元件所構成的阻抗整合裝置。阻抗整合係使可變電容元件的電容值及可變電感元件的電感值改變。
在處理高電力的阻抗整合裝置中，係使用可變電容器作為可變電容元件，使用線圈作為可變電感元件，以馬達驅動使可變電容器的電容值改變，使線圈的電感值，以馬達驅動使與線圈作滑動接觸的接點改變。在如上所示之機械上使阻抗改變的阻抗整合裝置中，電容值或電感值的變化速度係取決於馬達的動作速度，因此有阻抗整合所需時間受到限制的問題。
對於使上述阻抗在機械上改變的機構所具有的問題，已提案出一種使用磁通控制型電抗器來改變阻抗值的阻抗整合裝置。磁通控制型電抗器係在鐵芯捲繞主繞組及控制繞組，將藉由流至控制繞組的直流電流所發生的直流磁通設為偏置磁通，依流至控制繞組的直流電流的大小來改變主繞組的電感值。
圖11(a)係顯示習知的磁通控制型的可變電抗器的一構成例。可變電抗器100係在2個鐵芯101a、101b捲繞主繞組102a、102b而流通高頻電流，且以2個鐵芯101a、101b貫穿的方式，捲繞控制繞組103而流通直流電流。在主繞組102a、102b流通高頻電流，使鐵芯101a、101b相鄰的鐵芯部分發生磁通方向為相反方向的磁通，藉此使該部分的磁通彼此相抵。藉由在控制繞組103流通直流電流，在藉由高頻電流所致之交流磁通被相抵後的鐵芯部分形成直流磁通。藉由該直流磁通，藉由改變主繞組102a、102b的電感值來使阻抗改變(專利文獻1)。
此外，在對電感供給高頻電力的高頻變壓器等裝置中，已提案出平面型變壓器來取代繞組變壓器。圖11(b)係顯示平面型變壓器110的一構成例。平面型變壓器110係例如具備使E鐵芯或U鐵芯的突起部分彼此對向而配置的平面狀的平面型鐵芯111、112。圖11(c)的平面型EE鐵芯111係藉由E型鐵芯111a與E型鐵芯111b所構成，圖11(d)的平面型UU鐵芯112係藉由U型鐵芯112a～U型鐵芯112d所構成。平面型鐵芯係形成為由兩側以冷卻片或冷卻板夾著以層狀配置的鐵芯的平面部分的構成，藉此可提高因高頻所發生的熱的冷卻效率。此外，在平面型變壓器中，藉由設有線圈圖樣的印刷基板，形成1次繞組及2次繞組而多層化(專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利6,211,749 [專利文獻2]日本特開2016-15453
(發明所欲解決之課題)
在使用於阻抗整合裝置等的可變電抗器中，在使用平面型鐵芯的構成中，由於形成主繞組的印刷基板等配線基板由鐵芯的側部伸出至外側，因此有以下所示之問題。 (i)配線基板的一部分伸出至鐵芯的外側，因此電抗器的構裝面積變大。 (ii)由形成在已伸出至鐵芯的外側部的配線基板的線圈發生漏洩磁通。
(i)電抗器的構裝面積的問題 圖12係將平面型鐵芯121與配線基板(124，125)加以組合的可變電抗器120的構成例，圖12(a)係顯示概略構成，圖12(b)係顯示形成有主繞組122的主繞組基板124，圖12(c)係顯示形成有控制繞組123的控制繞組基板125。
平面型鐵芯121係具備：配置在中央的中央腳121a、及配置在兩側部的側部腳121b、121c的各腳部。中央腳121a、側部腳121b、121c、及平坦部係構成用以設置主繞組基板124及控制繞組基板125的開口部。主繞組基板124係具備：通過中央腳121a的開口部126a、及通過側部腳121b及121c的開口部126b及126c。此外，控制繞組基板125係具備通過中央腳121a的開口部127。
相對於平面型鐵芯121的橫向的長度WA，主繞組基板124係由側部分別以長度WB、WC伸出至外側，因此電抗器的構裝面積係比平面型鐵芯121的面積更大出伸出至外側的部分(長度WB、WC)。
(ii)漏洩磁通的問題 在伸出至平面型鐵芯121的外側部的配線基板上係形成有主繞組的一部分。因此，有在因高頻電流流至主繞組所發生的磁通之中，在鐵芯的外側的繞組所發生的磁通會漏洩至電抗器的外部的漏洩磁通的問題。
本發明之目的在解決前述習知之問題點，在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀組入在平面型鐵芯而成的電抗器中，減低構裝面積。此外，目的在抑制藉由主繞組所發生的磁通漏洩至電抗器之外的漏洩磁通。 (解決課題之手段)
本發明之電抗器係具備：形成有主繞組的主繞組基板、形成有控制繞組的控制繞組基板、及平面型鐵芯。
本發明之電抗器的平面型鐵芯係以鐵氧體等磁性材料所形成之概略平板狀的構件。平板狀構件係由在中央被分割的2個鐵芯構件所構成，各鐵芯構件的其中一面係平面形狀，在另一面係具有以相對平面形狀呈大致直角的方向突出的突起部分。將2個鐵芯構件的彼此的突起部分對向配置而形成層狀的鐵芯。本發明之電抗器的平面型鐵芯係可形成為使E型鐵芯或U型鐵芯的突起部分彼此相對向來作配置的構成。平面型鐵芯係藉由以冷卻片夾著兩側的平面部分，可提高冷卻效果。突起部分間的凹部係在鐵芯內形成貫穿孔。在貫穿孔係配置主繞組基板及控制繞組基板的配線基板。
本發明之電抗器係具備以下構成。 (a)主繞組基板與控制繞組基板係以層狀被組入在平面型鐵芯內。 (b)平面型鐵芯係具有：中央腳、配置在中央腳的兩側的一對內腳、及配置在內腳的外側的一對外腳的各腳部。 (c)在主繞組流通的高頻電流的主繞組電流係在一對的各內腳形成彼此相抵之磁場的方向為相反方向的交流磁通。 (d)在控制繞組流通的直流電流的控制電流係在鐵芯的全腳部形成均等磁通密度的直流磁通。
本發明之電抗器除了藉由上述構成來解決前述(i)、(ii)的課題之外，達成對電抗器為有效的效果。
(i)電抗器的構裝面積的低減 在本發明之電抗器中，藉由(a)主繞組基板與控制繞組基板係以層狀被組入在平面型鐵芯內的構成、及(b)平面型鐵芯係具有：中央腳、配置在中央腳的兩側的一對內腳、及配置在內腳的外側的一對外腳的各腳部的構成，達成電抗器的構裝面積的低減。
圖12(a)所示之電抗器的構成例係將習知之鐵芯(圖11(a))僅置換成平面型鐵芯(圖11(b))的構成。在該平面型鐵芯的構成例中，為了不改變施加電流而使磁通增加，而形成為在深度方向追加配置平面型鐵芯的構成，但是在該深度方向的配置中，係有電抗器的構裝面積增大的課題。
本發明之電抗器係使平面型鐵芯具有：中央腳、配置在中央腳的兩側的一對內腳、及配置在內腳的外側的一對外腳的各腳部的構成，該構成係在外形上將2個平面型鐵芯構成橫向的配置來取代深度方向的配置。該橫向的配置的構成係無須使鐵芯的個數或構裝面積增加，即可進行。
在本發明之平面型鐵芯的橫向配置中，將鐵芯的深度方向的長度形成為一半時的鐵芯的平面面積係與圖12(a)的平面型鐵芯的平面面積成為相同面積，無須放大鐵芯部分的構裝面積，即可構成。
此外，本發明之電抗器係配合無須放大前述鐵芯部分的構裝面積即可構成，形成為將主繞組基板及控制繞組基板以層狀組入在平面型鐵芯內的構成，藉此可廢除設在鐵芯的外側的配線基板，而減低電抗器的構裝面積。
(ii)漏洩磁通的抑制 在本發明之電抗器中，(a)主繞組基板與控制繞組基板係以層狀組入在平面型鐵芯內的構成，藉此達成磁通漏洩至電抗器的外部之漏洩磁通的抑制。此外，本發明之電抗器係達成均等磁通的形成、及磁場雜訊的低減。
(iii)均等磁通的形成 在藉由(c)的主繞組所致之磁通中，若高頻電流流至主繞組，在控制繞組被感應高頻成分。因該高頻成分的感應，會發生對控制電路施加高頻電流的障礙、在控制繞組發生過大電壓等障礙。為了抑制如上所示之障礙，在藉由主繞組所致之磁通形成中，形成為在控制繞組未感應高頻成分的磁通狀態。均等的磁通密度係可使捲繞各腳部的繞組發生均等的電感，且可使電抗器的電感按照控制電流而成為可變，因此構成不會感應高頻成分的磁通狀態。
本發明之電抗器係在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀被組入在平面型鐵芯的電抗器中，藉由將(c)主繞組所形成的磁通、及(d)控制繞組所形成的磁通形成為以下狀態，將控制電流所形成的磁通形成為均等的磁通密度。
在藉由(d)的控制繞組所致之磁通中，在高頻成分被去除的鐵芯的腳部中，形成控制繞組。在控制繞組流通的直流電流的控制電流係在包含交流磁通被相抵後的一對內腳的全腳部中，形成均等的磁通密度的直流磁通。將藉由控制繞組所形成的直流磁通的磁通密度在鐵芯的全腳部中形成為均等，藉此將對主繞組之電感的變化形成為均等。
本發明之電抗器所具備的配線基板係主繞組基板及控制繞組基板，藉由使該等配線基板積層而構成。主繞組基板係具備：第1主繞組基板、及第2主繞組基板。控制繞組基板係除了形成為藉由第1主繞組基板與第2主繞組基板夾著上下方向的配置之外，亦可配置在第1主繞組基板與第2主繞組基板的積層的任一方側。
本發明之電抗器所具備的配線基板係藉由形成為以2枚主繞組基板夾著控制繞組基板的構成，可在主繞組與控制繞組之間提高磁場的耦合度。
(iv)磁場雜訊的低減 本發明之電抗器係藉由高頻電流流至各主繞組而在控制繞組被感應高頻成分，但是(c)在主繞組流通的高頻電流的主繞組電流係在一對的各內腳形成磁場的方向彼此為相反方向的交流磁通，藉此，在控制繞組被感應到的高頻成分係被相抵。
在藉由2個主繞組的高頻電流所致之對控制繞組的感應中，因高頻電流流至其中一方主繞組而在控制繞組被感應的高頻成分的方向、及因高頻電流流至另一方主繞組而在控制繞組被感應的高頻成分由於大小相等、且方向彼此為相反方向，因此分別發生的高頻成分彼此相抵而高頻成分被去除。
藉此，抑制由控制繞組對控制電路流入高頻電流。此外，由於控制繞組的高頻成分被相抵，因此抑制在控制繞組局部發生的過大電壓。
此外，本發明之電抗器所具備的平面型鐵芯係形成為(a)鐵芯在內部所具備的貫穿孔內收納配線基板的構成，可使藉由漏洩磁通所致之磁場雜訊低減。藉由來自鐵芯的磁場雜訊的低減，可使電路零件等鄰接電抗器來作配置，可提高裝置全體中的構裝密度。
本發明之電抗器係具備：第1形態、及第2形態。 (第1形態) 在本發明之電抗器的第1形態中，第1主繞組基板的主繞組係將中央腳與一對內腳的其中一方的第1內腳一體包圍而形成，第2主繞組基板的主繞組係將中央腳與一對內腳的另一方的第2內腳一體包圍而形成。此外，控制繞組基板的控制繞組係將一對的第1內腳與第2內腳個別包圍而形成
將第1主繞組基板的主繞組形成為包圍中央腳與第1內腳的繞組圖樣，且將第2主繞組基板的主繞組形成為包圍中央腳與第2內腳的繞組圖樣，藉此，第1內腳及第2內腳中的磁通被相抵。此外，將控制繞組基板的繞組形成為個別包圍第1內腳與第2內腳的繞組圖樣，藉此，中央腳、及一對外腳中的交流磁通係成為均等。
藉由本發明之電抗器的第1形態，第1主繞組基板與第2主繞組基板係可使用共通的配線基板，因此可藉由零件共通化而減低製造成本。
(第2形態) 在本發明之電抗器的第2形態中，第1主繞組基板的主繞組係將中央腳與一對的第1內腳及第2內腳一體包圍而形成，第2主繞組基板的主繞組係將中央腳包圍而形成。此外，控制繞組基板的控制繞組係將一對的第1內腳與第2內腳個別包圍而形成。
將第1主繞組基板的主繞組形成為一體包圍中央腳與一對的第1內腳及第2內腳的繞組圖樣，且在第2主繞組基板的主繞組中形成為包圍中央腳的繞組圖樣，藉此，第1內腳及第2內腳中的交流磁通係被相抵。
此外，藉由將控制繞組基板的繞組形成為個別包圍一對的第1內腳及第2內腳的繞組圖樣，在包含中央腳、及第1、2內腳的全腳部中的磁通密度係成為均等。
藉由本發明之電抗器的第2形態，第2主繞組基板的繞組圖樣係包圍中央腳的構成，因此可縮小配線基板的面積。
在第1形態及第2形態中，第1內腳及第2內腳中的交流磁通係磁場的方向為彼此相反方向。
在本發明之電抗器中，控制電流係可形成為可變或固定。可藉由將控制電流形成為可變來構成磁通控制型可變電感，且可藉由將控制電流形成為固定，來構成磁通控制型固定電感。在磁通控制型固定電感中，係可藉由調整控制電流，將固定電感的電感值設定為預定值。 (發明之效果)
藉由本發明之電抗器，在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀組入在平面型鐵芯而成的電抗器中，可減低構裝面積。此外，可抑制藉由主繞組所發生的磁通漏洩至電抗器之外的漏洩磁通。
使用圖式，說明本發明之電抗器。以下，使用圖1，說明本發明之電抗器的概略構成，使用圖2，說明電抗器的構裝面積的低減，使用圖3，說明均等磁通。此外，使用圖4～6，說明本發明之電抗器的第1形態，使用圖7～9，說明本發明之電抗器的第2形態，使用圖10，說明控制繞組所具備的繞組圖樣的其他例。
(本發明之電抗器的概略構成) 使用圖1，說明本發明之電抗器的概略構成。圖1(a)係顯示電抗器所具備的平面型鐵芯的概略形狀，圖1(b)、(c)、(d)係顯示本發明之電抗器所具備的第1繞組基板、控制繞組基板、及第2繞組基板。圖1(e)係概略顯示藉由各繞組而形成在鐵芯的磁通狀態。
在圖1(a)中，電抗器10的平面型鐵芯11係由鐵氧體等磁性材料所形成的概略平板狀的構件，平板狀構件係由在中央的平面所被分割的2個鐵芯構件所構成。各鐵芯構件的其中一面係平面形狀，在另一面係具有以相對平面形狀呈大致直角的方向突出的突起部分，突起部分係構成鐵芯的腳部。
藉由將2個鐵芯構件的彼此的突起部分對向配置，形成層狀的鐵芯。突起部分間的凹部係在鐵芯內形成貫穿孔。在貫穿孔係配置第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的配線基板。
圖1(a)所示之平面型鐵芯11係顯示使用4個E型鐵芯作為鐵芯構件，具備有分別將2個E型鐵芯的突起部分對向配置所構成的2個平面型鐵芯11a、11b的構成例。其中，在此係顯示使用E型鐵芯的EE型鐵芯的構成例，惟亦可形成為使用8個U型鐵芯的UU型鐵芯的構成。
平面型鐵芯11係具有：中央腳16a、配置在該中央腳16a的兩側的一對內腳16b、16c、及另外配置在內腳16b、16c的外側的一對外腳16d、16e，在鄰接腳部之間的貫穿孔係配置配線基板。
在圖1(b)所示之第1主繞組基板14A的配線基板上係形成第1主繞組12b的繞組圖樣，在圖1(d)所示之第2主繞組基板14B的配線基板上係形成第2主繞組12c的繞組圖樣。此外，在圖1(c)所示之控制繞組基板15的配線基板上係形成控制繞組13a、13b的繞組圖樣。
在第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15係形成開口部，藉由在該開口部通過平面型鐵芯11的各腳部，配線基板係以層狀被組入在平面型鐵芯11內。其中，圖1(b)、(c)、(d)所示之配線基板係顯示對應本發明之電抗器的第1形態的構成。
圖1(e)所示之平面型鐵芯11係概略顯示藉由流至各繞組的繞組電流所形成的磁通狀態。
平面型鐵芯11係由其中一方側部依序具備：外腳16d、內腳16b、中央腳16a、內腳16c、外腳16e的各腳部，在各腳係藉由流至主繞組12b、12c的高頻電流而形成交流磁場的磁通，且藉由流至控制繞組13的直流電流，形成直流磁場的磁通。
藉由本發明之電抗器，在內腳16b及內腳16c係藉由高頻電流流至主繞組12b及主繞組12c的各主繞組而在控制繞組被感應高頻成分，但是在各內腳形成彼此為相反方向的磁場，且控制繞組所感應到的高頻成分係被相抵。
控制繞組13(13a、13b)的繞組圖樣係設成包圍內腳16b、16c，因此在全腳部形成藉由直流磁場所致之磁通。全腳部所形成的磁通係可藉由對控制繞組13(13a、13b)供給等電流值的控制電流而形成為均等。
平面型鐵芯11係可藉由組合在單側具備3個突起部分之剖面形狀為E字狀的E型鐵芯、在單側具備2個突起部分之剖面形狀為U字狀的U型鐵芯、及未具備突起部分之剖面形狀為I字形狀的I型鐵芯而構成。 在圖1(f)的構成例中，將2個E型鐵芯的突起部分彼此對向配置而構成EE型鐵芯，且藉由以橫向配列2個該EE型鐵芯而構成平面型鐵芯11。 在圖1(g)的構成例中，將2個U型鐵芯的突起部分彼此對向配置而構成U型鐵芯，且藉由以橫向配列4個該U型鐵芯而構成平面型鐵芯11。 在圖1(h)的構成例中，在1個E型鐵芯的突起部分配置I型鐵芯而構成EI型鐵芯，且藉由以橫向配列2個該EI型鐵芯而構成平面型鐵芯11。 在圖1(i)的構成例中，在1個U型鐵芯的突起部分配置I型鐵芯而構成UI型鐵芯，且藉由以橫向配列4個該UI型鐵芯而構成平面型鐵芯11。
(i)電抗器的構裝面積 本發明之電抗器在外形上為以橫向配置2個平面型鐵芯的構成，使用圖2，說明藉由該橫向配置所致之電抗器的鐵芯部分的構裝面積的抑制。其中，橫向配置平面型鐵芯係藉由本發明之電抗器所具備的中央腳、配置在中央腳的兩側的一對內腳、及配置在內腳的外側的一對外腳所構成。
圖2係用以說明藉由本發明之電抗器所致之構裝面積的低減的圖。圖2(a)係顯示在平面型鐵芯適用配線基板的構成，為圖12所示之構成例。在此，鐵芯的橫向寬幅為W、深度方向的長度為L，配線基板係由鐵芯的側部伸出ΔW。相對於鐵芯的平面面積S，所伸出的配線基板的面積(圖中的底模樣)在兩側部分別為ΔS，因此藉由圖2(a)的平面型鐵芯所致之構裝面積為(S+2ΔS)。
另一方面，圖2(b)係顯示本發明之電抗器的構成。本發明之電抗器由形狀來看，係對應於將圖2(a)的平面型鐵芯以深度方向二等分而以橫向配置的構成。若由鐵芯的配置形態的觀點來看，本發明之電抗器的構成係相當於橫向配置，習知的電抗器的構成係相當於縱向配列。圖2(b)的構成係為了進行與圖2(a)的構成的鐵芯的平面面積的比較，形成為將深度方向的長度設為L／2，且合計為圖2(a)的平面型鐵芯的平面面積S的構成。
若將圖2(b)的本發明之電抗器的鐵芯的平面面積、與圖2(a)的構成的鐵芯的平面面積進行比較，圖2(a)的構成的鐵芯的構裝面積係將鐵芯的平面面積S與伸出部分2ΔS加以合計的(S+2ΔS)。相對於此，本發明之電抗器的構裝面積並未具有伸出部分2ΔS，因此僅為鐵芯的平面面積S。因此，若比較構裝面積，本發明之電抗器的構裝面積為S，相對於此，將平面型鐵芯橫向配置的構成的構裝面積為(S+2ΔS)，因此，藉由本發明之電抗器，減低2ΔS的構裝面積。
因此，本發明之電抗器係可無須使鐵芯個數增加而構成，且與具有同面積的鐵芯的平面面積的平面型鐵芯的縱向配置相比較時，可抑制電抗器的構裝面積放大。
此外，本發明之電抗器所具備的平面型鐵芯係形成為鐵芯在內部所具備的貫穿孔內收納配線基板的構成，可使藉由漏洩磁通所致之磁場雜訊低減。藉由來自鐵芯的磁場雜訊的低減，可使電路零件等鄰接電抗器來作配置，可提高裝置全體中的構裝密度。
(ii)漏洩磁通的抑制 在本發明之電抗器中，藉由主繞組基板與控制繞組基板以層狀被組入在平面型鐵芯內的構成，達成抑制磁通漏洩至電抗器的外部的漏洩磁通。
(iii)不均等磁通的消除 以解決由鐵芯的外側部的繞組漏出的漏洩磁通的一手段而言，考慮將平面型鐵芯的側部以橫向延長，且將主繞組的線圈收容在鐵芯內的構成。但是，在將平面型鐵芯的側部僅以橫向延長而形成鐵芯的構成中，通過鐵芯的磁通因磁路而變得不均等，且電感變得不均等，因此有未作為磁通控制型電抗器來發揮功能的問題。
為了作為磁通控制型電抗器來發揮功能，圖求鐵芯的磁路的電感為均等。為了電感均等，交流磁通及直流磁通的磁通密度必須在鐵芯的主磁路為均等。此外，在交流磁通所流通的磁路，必須施加藉由控制電流所致之直流磁通作為偏置磁通。
以下說明構成例中的交流磁通及直流磁通的磁通密度的不均等、及因直流磁通所致之偏置磁通的不均等。
(交流磁通的磁通密度的不均等) 圖3係顯示藉由平面型鐵芯所致之電抗器所假想的構成例。在圖3(a)的概略構成中，平面型鐵芯係藉由將兩側部延長WB及WC，將主繞組(實線)收容在鐵芯內。其中，圖3(a)中的虛線係表示控制繞組的線圈。圖3(b)、(c)係顯示藉由主繞組所形成的交流磁通的磁通狀態。
圖3(b)係顯示藉由主繞組所發生的交流磁通的磁通狀態，圖3(c)係顯示等效的磁通狀態。鐵芯係具備：中央腳a、內腳b、c、及外腳d、e，在內腳b、c係分別捲繞第1主繞組及第2主繞組。圖3(b)、(c)所示之箭號係表示藉由流至主繞組的交流電流所發生之交流磁通之一例。中央腳a的磁通係由於藉由第1主繞組與第2主繞組所致之磁通方向成為相反方向，因此彼此互相消除而相抵。如圖3(c)的等效磁通狀態所示，由於中央腳a的磁通被相抵，因此形成通過外磁路d與內磁路b的磁路、通過內腳b與內腳c的磁路、及通過內腳c與外腳e的磁路的各磁路，作為交流磁通的磁路。該等磁路之中，外側的磁路的磁路長係l1 ，內側的磁路的磁路長係l2 ，磁路長l2 係比磁路長l1 為更長。磁通密度B係當將μ設為磁通係數、N設為線圈的匝數、I設為電流、l設為磁路長時，以B=μ×N×I／l表示，各磁路的電感L係當將S設為剖面積、N設為繞組的匝數時，以L=μ×S×N2 ／l表示。由該磁通密度B、電感L的關係式來看，磁路長l不同的磁路的磁通密度B及電感L係顯示不同。
因此，在圖3(a)的構成的電抗器中，在磁路中，交流磁通的磁通密度及電感成為不均等。
(藉由直流磁通所致之偏置磁通的不均等) 圖3(d)係顯示藉由控制繞組所形成的直流磁通的磁通狀態。控制繞組係被捲繞在中央腳a，且直流電流流至該控制繞組，藉此在通過內腳b與中央腳a的磁路、及通過內腳c與中央腳a的磁路形成磁通。在中央腳a係通過2個磁通，因此通過中央腳a的磁通密度係比通過內腳b及內腳c的磁路的磁通密度為更高。因此，在圖3(a)的構成的電抗器中，形成在各磁石路的偏置磁通的磁通密度係成為不均等。
圖3(e)係顯示將控制繞組的磁通與控制繞組的磁通合併後的磁通狀態。在外腳d及外腳e並未形成有藉由控制繞組所致之直流磁通，因此在主磁通所形成的交流磁通發生未被施加偏置磁通的磁路。
另一方面，圖3(f)、(g)係顯示本發明之電抗器的構成及磁通狀態。圖3(f)係顯示本發明之電抗器的概略構成，主繞組的配線基板及控制繞組的配線基板係配置在電抗器的鐵芯內。圖3(g)係顯示將藉由本發明之電抗器所致之控制繞組的磁通與控制繞組的磁通合併後的磁通狀態。在外腳d及外腳e亦形成藉由控制繞組所致之直流磁通，對主磁通所形成的全部交流磁通施加偏置磁通。藉此，在將配線基板以層狀組入在平面型鐵芯而成的電抗器中，將藉由控制繞組的控制電流所形成的磁通密度形成為均等，藉由控制繞組的控制電流來設定電抗器的電感。
本發明之電抗器係在將形成有主繞組的配線基板及形成有控制繞組的配線基板以層狀組入在平面型鐵芯而成的電抗器中，藉由將(a)主繞組所形成的磁通、及(b)控制繞組所形成的磁通形成為以下狀態，將控制電流所形成的磁通密度形成為均等者。
(a)若高頻電流流至主繞組，在控制繞組被感應高頻成分，藉由該高頻成分的感應，發生對控制電路施加高頻電流的障礙、在控制繞組發生過大電壓等障礙。為了抑制如上所示之障礙，在藉由主繞組所致之磁通形成中，形成為在控制繞組未感應高頻成分的磁通狀態。 (b)在高頻成分被去除的鐵芯的腳部中，形成控制繞組。
藉由均等的磁通密度，在捲繞各腳部的主繞組發生均等的電感，可將電抗器的電感按照控制電流而形成為可變。在主繞組流通的高頻電流的主繞組電流係在一對的各內腳形成磁場方向彼此為相反方向的交流磁通，且彼此相抵。
亦即，在藉由2個主繞組的高頻電流所致之對控制繞組的感應中，因高頻電流流至其中一方主繞組而在控制繞組被感應的高頻成分的方向、及因高頻電流流至另一方主繞組而在控制繞組被感應的高頻成分由於大小相等、且方向彼此為相反方向，因此分別發生的高頻成分彼此相抵而高頻成分被去除。
因高頻電流流至各主繞組而在控制繞組被感應高頻成分，但是因在各內腳形成彼此相反方向的磁場，在控制繞組被感應到的高頻成分係被相抵。
藉此，抑制由控制繞組對控制電路流入高頻電流。此外，由於控制繞組的高頻成分被相抵，因此抑制在控制繞組局部發生的過大電壓。
在控制繞組流通的直流電流的控制電流係在包含交流磁通被相抵後的一對內腳的全腳部，形成均等的磁通密度的直流磁通。藉由將藉由控制繞組所形成的直流磁通的磁通密度，在鐵芯的全腳部形成為均等，可使對主繞組的電感的變化成為均等。
本發明之電抗器所具備的配線基板係主繞組基板及控制繞組基板，藉由使該等配線基板積層而構成。主繞組基板係具備：第1主繞組基板、及第2主繞組基板。控制繞組基板係除了形成為藉由第1主繞組基板與第2主繞組基板夾著上下方向的配置之外，亦可配置在第1主繞組基板與第2主繞組基板的積層的任一方側。
本發明之電抗器所具備的配線基板係藉由形成為以2枚主繞組基板夾著控制繞組基板的構成，可在主繞組與控制繞組之間提高磁場的耦合度。
(電抗器的第1形態) 使用圖4～6，說明本發明之電抗器的第1形態。圖4係顯示本發明之電抗器的第1形態的概略。其中，在此對與圖1的構成為共通的部分係標註相同符號。
圖4(a)係顯示電抗器10的平面型鐵芯11的概略構成。平面型鐵芯11係與圖1(a)中所示構成相同，使用4個E型鐵芯作為鐵芯構件，藉由使2個E型鐵芯的突起部分對向配置，構成2個平面型鐵芯11a、11b。在此係顯示使用E型鐵芯的EE型鐵芯的構成，但是亦可形成為使用U型鐵芯的UU型鐵芯的構成，而非侷限於E型鐵芯。
平面型鐵芯11係具備：中央腳16a、及配置在中央腳16a的兩側的一對內腳16b、16c，另外在內腳16b、16c的外側具備一對外腳16d、16e。在鄰接腳部之間形成貫穿孔，在該貫穿孔內係配置第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的配線基板。
圖4(b)係顯示第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的各配線基板，圖4(c)係顯示形成在第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的各配線基板的繞組圖樣。
在第1主繞組基板14A係形成第1主繞組12b的繞組圖樣，並且形成用以通過內腳16b與中央腳16a的2個開口部。繞組圖樣係以包圍該2個開口部的方式形成。
在第2主繞組基板14B係形成第2主繞組12c的繞組圖樣，並且形成用以通過內腳16c與中央腳16a的2個開口部。繞組圖樣係以包圍該2個開口部的方式形成。
在控制繞組基板15係形成控制繞組13a、13b的繞組圖樣，並且形成用以通過內腳16b及內腳16c與中央腳16a的3個開口部。繞組圖樣係在該3個開口部之中，以包圍通過內腳16b及內腳16c的開口部的方式形成。
在第1主繞組12b與第2主繞組12c係被供給由未圖示的高頻電源所分歧的高頻電流，形成通過平面型鐵芯11的中央腳16a、內腳16b、16c、及外腳16d、16e的各腳部的交流磁通。另一方面，在控制繞組13a、13b係被供給直流電流，形成通過平面型鐵芯11的中央腳16a、內腳16b、16c、及外腳16d、16e的各腳部的直流磁通。
圖5係顯示流至各配線基板的繞組的電流狀態、與藉由電流所被感應的磁通狀態。圖5(a)係顯示電抗器10的平面型鐵芯11的概略構成，與圖5(a)相同。圖5(b)係顯示第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的電流狀態及磁通狀態。
其中，在圖5中，針對電流方向，以在圓中設置●的記號表示相對紙面以前方前進的電流方向，且使用在圓中設置×符號的記號表示相對紙面以後方前進的電流方向，此外，針對磁通方向，以在四角中設置●的記號表示相對紙面以前方前進的磁通方向，使用在四角中設置×符號的記號來表示相對紙面以後方前進的磁通方向。
・藉由主繞組所形成的磁通狀態： 在第1主繞組基板14A中，係藉由流至主繞組12b的高頻電流，在外腳16d、內腳16b、中央腳16a、及內腳16c形成磁通，在第2主繞組基板14B中，係藉由流至主繞組12c的高頻電流，在內腳16b、中央腳16a、內腳16c、及外腳16e形成磁通。
當主繞組12b的高頻電流為以箭號所示方向時，在各腳係形成圖示方向的磁通。在內腳16b係藉由流至主繞組12b的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通，且藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以前方前進的磁通方向的磁通。形成在內腳16b的2個磁通係方向相反，因此若主繞組12b與主繞組12c的繞組數及電流值相等，兩磁通係彼此相抵。同樣地，在內腳16c，係藉由流至主繞組12b的高頻電流，形成相對紙面以前方前進的磁通方向的磁通，且藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通。形成在內腳16c的2個磁通係方向相反，因此若主繞組12b與主繞組12c的繞組數及電流值相等，兩磁通係彼此相抵。
此外，在中央腳16a，係藉由流至主繞組12b的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通，且藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通。
圖5(c)係顯示以高頻電流所形成的磁通狀態，顯示藉由高頻電流而形成在內腳16b及內腳16c的磁通係彼此相抵。
・藉由控制繞組所形成的磁通狀態： 在控制繞組基板15中，係藉由流至控制繞組13a的直流電流，在外腳16d、內腳16b、及中央腳16a形成磁通，且藉由流至控制繞組13b的直流電流，在中央腳16a、內腳16c、及外腳16e形成磁通。其中，在圖5中，當控制繞組13a、13b的直流電流為以箭號所示方向時，在各腳係形成圖示方向的磁通。
在內腳16b及內腳16c，係藉由流至控制繞組13a、13b的直流電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通。在內腳16b及內腳16c係處於藉由高頻電流所形成的交流磁通被相抵後的狀態，因此在控制繞組13a、13b，藉由交流磁通，電流並未被感應，抑制發生對控制電路(未圖示)流入高頻電流或過大電壓。
圖5(d)係顯示以直流電流所形成的磁通狀態，藉由直流電流，在包含內腳16b、16c、及中央腳16a的鐵芯的全腳部，係形成均等的磁通密度的直流磁通。
因此，在第1形態的構成中，藉由將各配線基板積層而組入在平面型鐵芯11，第1主繞組12b與第2主繞組12c的繞組圖樣係均包圍中央腳16a。此外，在內腳16b中，流至第1主繞組12b與第2主繞組12c的主繞組電流所形成的磁場成為相反方向，磁通係彼此相抵。同樣地，在內腳16c中，流至第1主繞組12b與第2主繞組12c的主繞組電流所形成的磁場成為相反方向，磁通係彼此相抵。
圖6係概略顯示在平面型鐵芯的各腳部的磁通狀態，圖6(a)、(b)係分別顯示藉由第1主繞組、第2主繞組所形成的磁通狀態，圖6(c)係顯示將藉由2個主繞組所致之磁通合併後的狀態，圖6(d)係顯示藉由控制繞組所形成的磁通狀態，圖6(e)係顯示將藉由2個主繞組及控制繞組所致之磁通合併後的狀態。
藉由第1主繞組所形成的磁通係如圖6(a)所示，通過環繞外腳16d及內腳16b的路徑、及環繞中央腳16a及內腳16c的路徑，藉由第2主繞組所形成的磁通係如圖6(b)所示，通過環繞內腳16b及中央腳16a的路徑、及環繞內腳16c及外腳16e的路徑。在內腳16b、16c中藉由2個主繞組所形成的交流磁通係被相抵。圖6(c)中的虛線箭號係顯示相抵狀態。
藉由控制繞組所形成的直流磁通係如圖6(d)所示，通過交流磁通被相抵後的內腳16b及內腳16c，且在中央腳16a、及外腳16d、16e形成均等的磁通密度。
(電抗器的第2形態) 電抗器的第2形態係除了主繞組基板的構成之外，形成為與第1形態大致相同的構成，且達成與第1形態相同的磁通狀態。使用圖7～9，說明本發明之電抗器的第2形態。圖7係顯示本發明之電抗器的第2形態的概略。其中，在此對與圖1、及圖4～6的構成為共通的部分係標註相同符號。
圖7(a)係顯示電抗器10的平面型鐵芯11的概略構成。平面型鐵芯11係與圖4(a)所示構成相同，具備：中央腳16a、及配置在中央腳16a的兩側的一對內腳16b、16c，另外在內腳16b、16c的外側具備一對外腳16d、16e。在鄰接腳部之間係形成貫穿孔，且在該貫穿孔內配置第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的配線基板。
圖7(b)係顯示第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的各配線基板，圖7(c)係顯示形成在第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的各配線基板的繞組圖樣。
在第1主繞組基板14A係形成第1主繞組12b的繞組圖樣，並且形成用以通過內腳16b、16c與中央腳16a的3個開口部。繞組圖樣係以包圍該3個開口部的方式形成。
在第2主繞組基板14B係形成第1主繞組12c的繞組圖樣，並且形成用以通過中央腳16a的1個開口部。繞組圖樣係以包圍該1個開口部的方式形成。
在控制繞組基板15係形成控制繞組13a、13b的繞組圖樣，並且形成用以通過內腳16b及內腳16c與中央腳16a的3個開口部。繞組圖樣係在該3個開口部之中，以包圍通過內腳16b及內腳16c的開口部的方式形成。該控制繞組基板15的構成係與第1形態相同。
在第1主繞組12b與第2主繞組12c係被供給由未圖示的高頻電源所分歧的高頻電流，形成通過平面型鐵芯11的中央腳16a、內腳16b、16c、及外腳16d、16e的各腳部的交流磁通。另一方面，在控制繞組13a、13b係被供給直流電流，且在包含平面型鐵芯11的中央腳16a、及內腳16b、16c的各腳部的全腳部，形成相同磁通密度的直流磁通。
圖8係顯示流至各配線基板的繞組的電流狀態、與藉由電流所被感應的磁通狀態。圖8(a)係顯示電抗器10的平面型鐵芯11的概略構成，與圖7(a)相同。圖8(b)係顯示第1主繞組基板14A、第2主繞組基板14B、及控制繞組基板15的電流狀態及磁通狀態。
其中，在圖8中，表示電流方向的記號、及表示磁通方向的記號亦使用與第1形態相同的記號。
・藉由主繞組所形成的磁通狀態： 在第1主繞組基板14A中，藉由流至主繞組12b的高頻電流，在外腳16d、內腳16b、內腳16c及外腳16e形成磁通，且在第2主繞組基板14B中，藉由流至主繞組12c的高頻電流，在內腳16b、中央腳16a、及內腳16c形成磁通。
當主繞組12b的高頻電流為以箭號所示方向時，在各腳係形成圖示方向的磁通。在內腳16b，係藉由流至主繞組12b的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通，且藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以前方前進的磁通方向的磁通。形成在內腳16b的2個磁通係方向相反，因此若主繞組12b與主繞組12c的繞組數及電流值相等，兩磁通係彼此相抵。同樣地，在內腳16c，係藉由流至主繞組12b的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通，且藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以前方前進的磁通方向的磁通。形成在內腳16c的2個磁通係方向相反，因此若主繞組12b與主繞組12c的繞組數及電流值相等，兩磁通係彼此相抵。
此外，在中央腳16a係藉由流至主繞組12c的高頻電流，形成相對紙面以後方前進的磁通方向的磁通。
圖8(c)係顯示以高頻電流所形成的磁通狀態，藉由高頻電流而形成在內腳16b及內腳16c的磁通係彼此相抵。
・藉由控制繞組所形成的磁通狀態： 在控制繞組基板15中，係藉由流至控制繞組13a的直流電流，在外腳16d、內腳16b、及中央腳16a形成磁通，且藉由流至控制繞組13b的直流電流，在中央腳16a、內腳16c、及外腳16e形成磁通。藉由第2形態的控制繞組所致之磁通狀態係與藉由第1形態的控制繞組所致之磁通狀態相同。在圖8中，當控制繞組13a、13b的直流電流為以箭號所示方向時，在各腳係形成圖示方向的磁通。
在內腳16b及內腳16c係藉由流至控制繞組13a、13b的直流電流，形成相對紙面朝後方前進的磁通方向的磁通。在內腳16b及內腳16c，係處於藉由高頻電流所形成的交流磁通被相抵後的狀態，因此在控制繞組13a、13b，藉由交流磁通，電流並未被感應，抑制發生對控制電路(未圖示)流入高頻電流或過大電壓。
圖8(d)係顯示以直流電流所形成的磁通狀態，藉由直流電流，在包含內腳16b、16c、及中央腳16a的全腳部形成相同磁通密度的直流磁通。
因此，在第2形態的構成中，藉由積層各配線基板而組入在平面型鐵芯11，在內腳16b中，流至第1主繞組12b與第2主繞組12c的主繞組電流所形成的磁場係形成為相反方向，磁通係彼此相抵。同樣地，在內腳16c中，流至第1主繞組12b與第2主繞組12c的主繞組電流所形成的磁場係成為相反方向，磁通係彼此相抵。
圖9係概略顯示在平面型鐵芯的各腳部的磁通狀態，圖9(a)、(b)係分別顯示藉由第1主繞組、第2主繞組所形成的磁通狀態，圖9(c)係顯示將藉由2個主繞組所致之磁通合併後的狀態，圖9(d)係顯示藉由控制繞組所形成的磁通狀態，圖9(e)係顯示將藉由2個主繞組及控制繞組所致之磁通合併後的狀態。
藉由第1主繞組所形成的磁通係如圖9(a)所示，通過環繞外腳16d及內腳16b的路徑、及環繞內腳16c及外腳16e的路徑，藉由第2主繞組所形成的磁通係如圖9(b)所示，通過環繞內腳16b及中央腳16a的路徑、及環繞中央腳16a及內腳16c的路徑。在內腳16b、16c中藉由2個主繞組所形成的交流磁通係被相抵。圖9(c)中的虛線箭號係顯示相抵狀態。
藉由控制繞組所形成的直流磁通係如圖9(d)所示，通過交流磁通被相抵後的內腳16b及內腳16c，在中央腳16a、及外腳16d、16e係形成相同磁通密度的均等磁通。
(控制繞組的繞組圖樣) 控制繞組的繞組圖樣係除了以前述第1形態及第2形態所示構成之外，可形成為其他構成。
圖10(a)係顯示第1形態及第2形態的控制繞組的繞組圖樣。該繞組圖樣係在圖面上以右繞捲繞內腳16b的周圍預定次數後，同樣地在圖面上以右繞捲繞內腳16c的周圍預定次數而形成。
圖10(b)係針對控制繞組的繞組圖樣，顯示其他構成。該繞組圖樣係在圖面上以右繞捲繞內腳16b的周圍1匝後，同樣地在圖面上以右繞捲繞內腳16c的周圍1匝，且再次返回至內腳16b而捲繞內腳16b、16c的周圍1匝。藉由以預定次數進行跨越該兩內腳的捲繞而形成。
在圖10(a)的繞組圖樣、及圖10(b)的繞組圖樣的任一者中，亦對全腳部形成同樣的磁通。
其中，上述實施形態及變形例中的記述係本發明之電抗器之一例，本發明並非為限定於各實施形態者，可根據本發明之要旨，作各種變形，並非為由本發明之範圍排除該等者。 [產業上可利用性]
本發明之電抗器係可適用於阻抗整合裝置等。
10‧‧‧電抗器 11、11a、11b‧‧‧平面型鐵芯 12b、12c‧‧‧主繞組 13a、13b‧‧‧控制繞組 14A‧‧‧第1主繞組基板 14B‧‧‧第2主繞組基板 15‧‧‧控制繞組基板 16a‧‧‧中央腳 16b、16c‧‧‧內腳 16d、16e‧‧‧外腳 100‧‧‧可變電抗器 101a、101b‧‧‧鐵芯 102a、102b‧‧‧主繞組 103‧‧‧控制繞組 110‧‧‧平面型變壓器 111‧‧‧平面型EE鐵芯 111a、111b‧‧‧E型鐵芯 112‧‧‧平面型UU鐵芯 112a、112b、112c、112d‧‧‧U型鐵芯 121‧‧‧平面型鐵芯 121a‧‧‧中央腳 121b、121c‧‧‧側部腳 122‧‧‧主繞組 123‧‧‧控制繞組 124‧‧‧主繞組基板 125‧‧‧控制繞組基板 126a、126b、126c‧‧‧開口部
圖1係用以說明本發明之電抗器的概略構成的圖。 圖2係用以說明藉由本發明之電抗器所致之構裝面積的低減的圖。 圖3係用以說明藉由平面型鐵芯所致之電抗器之假想的構成例的圖。 圖4係用以說明本發明之電抗器的第1形態的圖。 圖5係在本發明之電抗器的第1形態中用以說明各電流狀態及各磁通狀態的圖。 圖6係在本發明之電抗器的第1形態中用以說明各電流狀態及各磁通狀態的圖。 圖7係用以說明本發明之電抗器的第2形態的圖。 圖8係在本發明之電抗器的第2形態中用以說明各電流狀態及各磁通狀態的圖。 圖9係在本發明之電抗器的第2形態中用以說明各電流狀態及各磁通狀態的圖。 圖10係用以說明本發明之電抗器的控制繞組所具備的繞組圖樣的其他例的圖。 圖11係顯示習知之可變電抗器之一構成例的圖。 圖12係用以說明將平面型鐵芯與配線基板加以組合的電抗器的構成例的圖。
10‧‧‧電抗器
11a、11b‧‧‧平面型鐵芯
12b、12c‧‧‧主繞組
13a、13b‧‧‧控制繞組
14A‧‧‧第1主繞組基板
14B‧‧‧第2主繞組基板
15‧‧‧控制繞組基板
16a‧‧‧中央腳
16b、16c‧‧‧內腳
16d、16e‧‧‧外腳

Claims (7)

  1. 一種電抗器，其特徵為： 具備：形成有主繞組的主繞組基板、形成有控制繞組的控制繞組基板、及平面型鐵芯， 前述主繞組基板與前述控制繞組基板係以層狀被組入在前述平面型鐵芯內， 前述平面型鐵芯係具有：中央腳、配置在該中央腳的兩側的一對內腳、及配置在前述內腳的外側的一對外腳，在前述主繞組流通的高頻電流的主繞組電流係在前述一對的各內腳形成彼此相抵之磁場的方向為相反方向的交流磁通， 在前述控制繞組流通的直流電流的控制電流係在鐵芯的全腳部形成均等的磁通密度的直流磁通。
  2. 如申請專利範圍第1項之電抗器，其中，前述主繞組基板係具備：以上下方向夾著前述控制繞組基板的第1主繞組基板、及第2主繞組基板， 前述第1主繞組基板的主繞組係將前述中央腳與前述一對內腳的其中一方的第1內腳一體包圍而形成， 前述第2主繞組基板的主繞組係將前述中央腳與前述一對內腳的另一方的第2內腳一體包圍而形成， 前述控制繞組基板的控制繞組係將前述一對的第1內腳與第2內腳個別包圍而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之電抗器，其中，前述主繞組基板係具備：以上下方向夾著前述控制繞組基板的第1主繞組基板、及第2主繞組基板， 前述第1主繞組基板的主繞組係將前述中央腳與前述一對的第1內腳及第2內腳一體包圍而形成， 前述第2主繞組基板的主繞組係將前述中央腳包圍而形成， 前述控制繞組基板的控制繞組係將前述一對的第1內腳與第2內腳個別包圍而形成。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之電抗器，其中，前述中央腳的磁通與前述內腳的磁通係磁場的方向彼此為相反方向。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之電抗器，其中，前述控制電流係藉由可變電流而形成為可變電感。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之電抗器，其中，前述控制電流係藉由固定電流而形成為固定電感。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之電抗器，其中，前述平面型鐵芯係將E型鐵芯或U型鐵芯的突起部分彼此對向配置而成的EE型鐵芯或UU型鐵芯以橫向配列的構成、或將在E型鐵芯或U型鐵芯的突起部分配置I型鐵芯而成的EI型鐵芯或UI型鐵芯以橫向配列的構成。
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