JP2000165175A

JP2000165175A - インピーダンス整合装置

Info

Publication number: JP2000165175A
Application number: JP10338208A
Authority: JP
Inventors: Itsuo Yuzurihara; 逸男譲原; Satoru Matsukawa; 悟松川
Original assignee: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-11-27
Filing date: 1998-11-27
Publication date: 2000-06-16
Also published as: DE19924937A1; US6211749B1

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の課題は、高周波発生装置のインピー
ダンスと負荷装置のインピーダンスを高速に整合させる
ことが可能なインピーダンス整合装置を提供することを
目的とする。【解決手段】コア３に巻かれた主巻き線１と制御巻き
線２とからなる結合回路において、制御巻き線２に流す
制御電流（直流電流）の値を増減させて、コア３の透磁
率を増減させることにより、主巻き線１のインダクタン
ス（Ｌ）は値を増減する。この主巻き線１のインダクタ
ンス（Ｌ）の値が制御巻き線に流れる制御電流の値によ
り変化することを利用して、高周波発生装置と負荷装置
のインピーダンスを整合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、負荷装置と高周波
発生装置とのインピーダンスを整合させるインピーダン
ス整合装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波発生装置から負荷装置へ高周波電
力を供給する際に、高周波発生装置のインピーダンスと
負荷装置のインピーダンスとの整合がとれていなけれ
ば、高周波発生装置から負荷装置への高周波電力の供給
効率が低い。

【０００３】そして、高周波発生装置のインピーダンス
の値は、５０（Ω）又は７５（Ω）の固定値である。一
方、負荷装置のインピーダンスの値は、その構造や設置
状態によって大きく変化する上、負荷装置に加えられた
高周波電力によって内部に生じる温度上昇等の物理的変
化や、負荷装置内の原材料の一部が分解して発生するガ
ス等の化学変化によっても短時間に大きく変化する。

【０００４】そこで、高周波発生装置のインピーダンス
と負荷装置のインピーダンスを整合させるため、インピ
ーダンス整合装置が高周波発生装置と負荷装置との間に
設けられている。

【０００５】以下では、高周波発生装置と負荷装置との
間に設けられている従来のインピーダンス整合装置につ
いて図１２を参照して説明する。図１２は、従来のイン
ピーダンス整合装置の主要部の回路構成を示す図であ
る。なお、図１２には、複数の回路構成を示している
が、基本的回路動作は同一であるため、図１２（ａ）に
ついてのみ説明し、図１２（ｂ）から図１２（ｈ）の説
明は省略する。

【０００６】図１２のインピーダンス整合装置において
は、可変容量素子ＶＣと可変インダクタンス素子ＶＬか
らなる。可変容量素子ＶＣの一端は端子ａに接続され、
その他端は端子ｂと端子ｄに接続される。また、可変イ
ンダクタンス素子ＶＬの一端は端子ａ及び可変容量素子
ＶＣの一端に接続され、その他端は端子ｃに接続され
る。例えば、端子ａ及び端子ｂに高周波発生装置（不図
示）が接続され、端子ｃ及び端子ｄに負荷装置（不図
示）が接続される。

【０００７】高周波発生装置のインピーダンスと負荷回
路のインピーダンスとを整合させるため、可変容量素子
ＶＣの容量値及び可変インダクタンス素子ＶＬのインダ
クタンス値を変化させる。

【０００８】なお、この詳細は省略するが、端子ａと端
子ｂ間の定在波を測定し、測定結果から電圧定在波比
（Voltage Standind Wave Ratio）を求め、高周波発生
装置のインピーダンスと負荷回路のインピーダンスとを
整合させるための可変容量素子ＶＣの容量値と可変イン
ダクタンス素子ＶＬのインダクタンス値とを算出し、そ
の算出結果を基に、可変容量素子ＶＣの容量値と可変イ
ンダクタンス素子ＶＬのインダクタンス値とを変化させ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のインピーダンス整合装置においては、工業的用途で
扱われる高周波電力は少なくとも数十ワット以上である
ため、可変容量素子ＶＣとしてバリコン（可変コンデン
サ：Variable Condenser）を利用し、当該バリコンの容
量値をモータを利用して変化させていた。また、可変イ
ンダクタンス素子ＶＬを構成するコイル上の接点（摺動
子）をモータで移動させて、当該コイルのインダクタン
ス値を変化させていた。

【００１０】上述したモータを利用して可変容量素子Ｖ
Ｃとして利用されるバリコンの容量値や可変インダクタ
ンス素子ＶＬを構成するコイルのインダクタンス値を変
化させる手法では、当該容量値や当該インダクタンス値
を変化させる速度はモータの動作速度により制限される
ため、高周波発生装置のインピーダンスと負荷装置のイ
ンピーダンスとを整合させるまでの所要時間は、長くな
らざるを得なかった。

【００１１】また、高周波発生装置のインピーダンスと
負荷装置のインピーダンスの整合がとれた後に、負荷装
置のインピーダンスが急激に変化した場合には、同様の
理由により、負荷装置のインピーダンスの変化に、可変
容量素子ＶＣとして利用されるバリコンの容量値や可変
インダクタンス素子ＶＬを構成するコイルのインダクタ
ンス値の変化が追従できないという問題点があった。

【００１２】さらに、接点（摺動子）等の機械部分が存
在するため、定期的な注油や消耗部品の交換等、保守作
業が必要になるなどの問題点もあった。

【００１３】本発明の課題は、高速にインダクタンス値
等を変化させることができるとともに、高周波発生装置
のインピーダンスと負荷装置のインピーダンスを高速に
整合させることが可能なインピーダンス整合装置を提供
することを目的とする。また、保守作業の不要なインピ
ーダンス整合装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
高周波発生装置と負荷装置の間に設けられ、高周波発生
装置のインピーダンスと負荷装置のインピーダンスを整
合させるインピーダンス整合装置において、コアに主巻
き線と制御巻き線が巻かれ、当該制御巻き線に流れる直
流電流の大きさによって当該主巻き線のインダクタンス
の値が変化して前記インピーダンス整合装置のインピー
ダンスを変化させる少なくとも一つの結合回路を有する
インピーダンス整合装置である。

【００１５】請求項１記載の発明によれば、結合回路の
制御巻き線に流れる電流の値により主巻き線のインダク
タンスの値を変化させることにより、インピーダンス整
合装置のインピーダンスの値を変化させているため、従
来のインピーダンス整合装置のようにモータ等を利用し
て機械的にインピーダンスを変化させる場合に比べ、イ
ンピーダンス整合を高速に行うことができるとともに、
保守作業の不要なインピーダンス整合装置となる。

【００１６】請求項２記載の発明は、高周波発生装置と
負荷装置の間に設けられ、高周波発生装置のインピーダ
ンスと負荷装置のインピーダンスを整合させるインピー
ダンス整合装置において、第１のコアに第１の主巻き線
が巻かれ、第２のコアに第２の主巻き線が巻かれ、制御
巻き線の一巻きに当該第１のコア及び当該第２のコアが
貫通するように当該第１のコア及び当該第２のコアに当
該制御巻き線が巻かれ、当該制御巻き線に流れる直流電
流の大きさによって当該第１の主巻き線及び当該第２の
主巻き線のインダクタンスの値が変化して前記インピー
ダンス整合装置のインピーダンスを変化させる少なくと
も一つの結合回路を有するインピーダンス整合装置であ
る。

【００１７】請求項２記載の発明によれば、結合回路の
制御巻き線に流れる電流の値により第１の主巻き線及び
第２の主巻き線のインダクタンスの値を変化させること
により、インピーダンス整合装置のインピーダンスの値
を変化させているため、従来のインピーダンス整合装置
のようにモータ等を利用して機械的にインピーダンスを
変化させる場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行
うことができるとともに、保守作業の不要なインピーダ
ンス整合装置となる。さらに、第１の主巻き線に高周波
電流が流れることにより制御巻き線に誘起される高周波
成分と第２の主巻き線に高周波電流が流れることにより
制御巻き線に誘起される高周波成分が、制御巻き線の一
巻き（１ターム）ごとに、相殺されて高周波成分が除去
されるので、制御巻き線に局所的に大電圧が発生するこ
とがなく、結合回路の絶縁破壊を防止することができ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
るインピーダンス整合装置の実施の形態について詳細に
説明する。

【００１９】まず、本発明に係るインピーダンス整合装
置の実施の形態を説明する前に、高周波発生装置のイン
ピーダンスと負荷装置のインピーダンスを整合させるた
めに、インダクタンス（Ｌ）の値を変化させる本発明の
手段について、図１及び図２を参照して説明する。

【００２０】図１は、インダクタンスを変化させる回路
を説明するための図であり、図２は、Ｂ−Ｈ曲線（磁気
飽和曲線、あるいは磁化曲線ともいう）を示す図であ
る。

【００２１】図１の回路では、トロイダルコア等のコア
３に巻かれた主巻き線１と制御巻き線２とからなり、主
巻き線１のインダクタンス（Ｌ）の値は、当該制御巻き
線２に流れる制御電流の値の増減によって増減する。

【００２２】このことを、図２を利用して説明する。な
お、磁界の強さ（Ｈ）が正である場合について説明する
が、負の場合であっても同様の説明が適用できる。図２
に示すＢ−Ｈ曲線においては、磁界の強さ（Ｈ）を増加
させると、磁束密度（Ｂ）は増加するが、磁界の強さ
（Ｈ）が増加するにつれて、磁界の強さ（Ｈ）の微小間
隔（ΔＨ）に対する磁束密度（Ｂ）の微小間隔（ΔＢ）
の値（ΔＢ／ΔＨ）は減少する。すなわち、（Ｂ／Ｈ）
の値は、磁界の強さ（Ｈ）が増加するにつれて、減少す
る。

【００２３】また、磁界の強さ（Ｈ）、磁束密度
（Ｂ）、及び透磁率（μ）は、Ｂ＝μ×Ｈの関係式を満
たす。よって、磁界の強さ（Ｈ）を増加させると、透磁
率（μ）の値は減少することになる。

【００２４】そして、インダクタンス（Ｌ）の値は、透
磁率（μ）の値と比例関係にあることから、インダクタ
ンス（Ｌ）の値は、透磁率（μ）の値が小さくなれば、
小さくなる。上述した磁界の強さ（Ｈ）を増加させると
透磁率（μ）の値は減少することを踏まえれば、インダ
クタンス（Ｌ）の値は、磁界の強さ（Ｈ）が増加すれ
ば、減少する。

【００２５】さらに、コイルに流す電流値と磁界の強さ
（Ｈ）は比例関係にあることから、コイルに流す電流値
が増加すれば、磁界の強さ（Ｈ）は強くなる。以上のこ
とから、コイルに流す電流の値が増加すれば、インダク
タンス（Ｌ）の値は小さくなる。

【００２６】したがって、図１の回路では、主巻き線１
のインダクタンス（Ｌ）の値は、制御巻き線２に流す制
御電流の値が増加すれば減少し、制御巻き線２に流す制
御電流の値が減少すれば増加する。

【００２７】以下の各第１から第６の実施の形態では、
この制御巻き線２に流す電流を増減させれば主巻き線１
のインダクタンス（Ｌ）の値が増減することを利用し
て、高周波発生装置と負荷装置のインピーダンス整合を
図るものである。

【００２８】なお、実際のＢ−Ｈ曲線については、磁界
の強さ（Ｈ）が増加するにつれて、磁束密度（Ｂ）の増
加する割合が常に減少すると言うものではないが、コイ
ルに流す電流値を変化させることにより、インダクタン
ス（Ｌ）の値が変化するという、上記考え方は利用でき
る。

【００２９】（第１の実施の形態）本発明を適用した第
１の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図３を用いて説明する。図３は、インピーダンス整合
装置４の主要回路部を示すブロック図である。図３にお
ける回路図は、高周波発生装置５と、負荷装置６と、高
周波発生装置５と負荷装置６に接続され高周波発生装置
５と負荷装置６のインピーダンスを整合させるインピー
ダンス整合装置４と、からなる。

【００３０】インピーダンス整合装置４は、ＶＳＷＲ
（Voltage Standing Wave Ratio）回路部４１、演算部
４２、第１の制御電流発生部４３、第２の制御電流発生
部４４、結合回路４５、ローパスフィルタ４６、結合回
路４７、ローパスフィルタ４８、及びコンデンサ４９か
らなる。

【００３１】ＶＳＷＲ回路部４１は、端子Ａと結合回路
４５の後述する主巻き線４５ａに接続され、高周波発生
装置５から負荷装置６へ供給された高周波電圧が負荷装
置６で反射されて戻ってくる定在波を測定し、該測定し
た定在波から電圧定在波比を算出し、算出結果の電圧定
在波比を演算部４２へ出力する。

【００３２】演算部４２は、ＶＳＷＲ回路部４１から入
力される電圧定在波比から、結合回路４５の後述する制
御巻き線４５ｂへ供給する直流電流（第１の制御電流）
の値と結合回路４７の後述する制御巻き線４７ｂへ供給
する直流電流（第２の制御電流）の値とを算出し、該算
出結果である第１の制御電流の値を示す第１の制御信号
を第１の制御電流発生部４３へ出力するとともに、該算
出結果である第２の制御電流の値を示す第２の制御信号
を第２の制御電流発生部４４へ出力する。

【００３３】第１の制御電流発生部４３は、演算部４２
から入力される第１の制御信号が示す電流値の第１の制
御電流を発生し、該発生した第１の制御電流を端子Ａ
１、Ａ２へ出力する。

【００３４】第２の制御電流発生部４４は、演算部４２
から入力される第２の制御信号が示す電流値の第２の制
御電流を発生し、該発生した第２の制御電流を端子Ｂ
１、Ｂ２へ出力する。

【００３５】結合回路４５は、コア４５ｃに巻かれた主
巻き線４５ａと制御巻き線４５ｂからなる。そして、結
合回路４５は、その主巻き線４５ａの一端がＶＳＷＲ回
路部４１に接続され、その他端が端子Ｃに接続されてい
る。また、その制御巻き線４５ｂの一端がローパスフィ
ルタ４６の後述するコイル４６ａの一端に接続され、そ
の他端がローパスフィルタ４６の後述するコンデンサ４
６ｂの一端に接続されている。そして、結合回路４５
は、第１の制御電流発生部４３から、ローパスフィルタ
４６を介して入力される第１の制御電流により、主巻き
線４５ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。

【００３６】ローパスフィルタ４６は、コイル４６ａと
コンデンサ４６ｂのＬＣ回路により構成されている。そ
して、コイル４６ａの一端は、結合回路４５の制御巻き
線４５ｂの一端に接続され、その他端はコンデンサ４６
ｂの他端と端子Ａ１に接続される。また、コンデンサ４
６ｂの一端は、結合回路４５の制御巻き線４５ｂの他端
と端子Ａ２に接続され、その他端は、コイル４５ａの他
端と端子Ａ１に接続される。

【００３７】ローパスフィルタ４６は、結合回路４５の
主巻き線４５ａに高周波発生装置５から入力される高周
波電流等の高周波成分が印加された場合に、制御巻き線
４５ｂに誘起される高周波成分が第１の制御電流発生部
４３側へ印加されるのを防ぐフィルタである。

【００３８】例えば、第１の制御電流発生部４３に使用
されるＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果ト
ランジスタ）等に高周波成分の電流等が印加されるとＦ
ＥＴ等が破損するが、この破損を防止するためにローパ
スフィルタが設けられている。

【００３９】結合回路４７は、コア４７ｃに巻かれた主
巻き線４７ａと制御巻き線４７ｂからなる。そして、結
合回路４７は、その主巻き線４７ａの一端がコンデンサ
４９の一端に接続され、その他端が端子Ｂ、Ｄに接続さ
れている。また、その制御巻き線４７ｂの一端がローパ
スフィルタ４８の後述するコイル４８ａの一端に接続さ
れ、その他端がローパスフィルタ４８の後述するコンデ
ンサ４８ｂの一端に接続されている。そして、結合回路
４７は、第２の制御電流発生部４４から、ローパスフィ
ルタ４８を介して入力される第２の制御電流により、主
巻き線４７ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。

【００４０】ローパスフィルタ４８は、コイル４８ａと
コンデンサ４８ｂのＬＣ回路により構成されている。そ
して、コイル４８ａの一端は、結合回路４７の制御巻き
線４７ｂの一端に接続され、その他端はコンデンサ４８
ｂの他端と端子Ｂ１に接続される。また、コンデンサ４
８ｂの一端は、結合回路４７の制御巻き線４７ｂの他端
と端子Ｂ２に接続され、その他端は、コイル４８ａの他
端と端子Ｂ１に接続される。

【００４１】ローパスフィルタ４８は、結合回路４７の
主巻き線４７ａに高周波発生装置５から入力される高周
波電流等の高周波成分が印加された場合に、制御巻き線
４７ｂに誘起される高周波成分が第２の制御電流発生部
４４側へ印加されるのを防ぐフィルタである。

【００４２】例えば、第２の制御電流発生部４４に使用
されるＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果ト
ランジスタ）等に高周波成分の電流等が印加されるとＦ
ＥＴ等が破損するが、この破損を防止するためにローパ
スフィルタが設けられている。

【００４３】コンデンサ４９は、その一端が結合回路４
７の主巻き線４７ａの一端に接続され、その他端がＶＳ
ＷＲ回路部４１に接続される。

【００４４】このコンデンサ４９が設けられているの
は、結合回路４５の主巻き線４５ａのインピーダンスを
ｊ×Ｘ（Ｘ≧０）とすれば、結合回路４７の主巻き線４
７ａとコンデンサ４９の合成インピーダンスをｊ×Ｙ
（Ｙ≦０）とするためである。

【００４５】このインピーダンス整合装置４では、第１
の制御電流発生部４３から結合回路４５の制御巻き線４
５ｂへ入力される第１の制御電流の値の増減により、結
合回路４５の主巻き線４５ａのインダクタンス（Ｌ）の
値が増減する。さらに、第２の制御電流発生部４４から
結合回路４７の制御巻き線４７ｂに入力される第２の制
御電流の値の増減により、結合回路４７の主巻き線４７
ａのインダクタンス（Ｌ）の値が増減する。このことを
利用し、当該インピーダンス整合装置４のインピーダン
スを増減させて、高周波発生装置５と負荷装置６とのイ
ンピーダンスを整合させるものである。なお、インピー
ダンス整合装置４のインピーダンス整合動作において、
例えば、高周波発生装置５と負荷装置６のインピーダン
スの虚数部を結合回路４５で調整し、当該インピーダン
スの実数部を結合回路４７とコンデンサ４９とで調整す
る。

【００４６】上記回路構成を示した回路の動作を簡単に
説明する。高周波発生装置５から負荷装置６へ電力が供
給されると、ＶＳＷＲ回路部４１は、負荷装置６から反
射して戻ってくる定在波を測定し、該測定した定在波か
ら電圧定在波比を算出し、算出結果の電圧定在波比を演
算部４２へ出力する。

【００４７】演算部４２は、ＶＳＷＲ回路部４１から入
力される電圧定在波比から、結合回路４５の制御巻き線
４５ｂへ供給する第１の制御電流の値と結合回路４７の
制御巻き線４７ｂへ供給する第２の制御電流の値とを算
出し、該算出結果である第１の制御電流の値を示す第１
の制御信号を第１の制御電流発生部４３へ出力するとと
もに、該算出結果である第２の制御電流の値を示す第２
の制御信号を第２の制御電流発生部４４へ出力する。

【００４８】第１の制御電流発生部４３は、演算部４２
から入力される第１の制御信号が示す電流値の第１の制
御電流を発生し、該発生した第１の制御電流を端子Ａ
１、Ａ２へ出力し、この第１の制御電流が結合回路４５
の制御巻き線４５ｂに流れる。また、第２の制御電流発
生部４４は、演算部４２から入力される第２の制御信号
が示す電流値の第２の制御電流を発生し、該発生した第
２の制御電流を端子Ｂ１、Ｂ２へ出力し、この第２の制
御電流が結合回路４７の制御巻き線４７ｂに流れる。

【００４９】結合回路４５の主巻き線４５ａのインダク
タンス（Ｌ）の値は制御巻き線４５ｂに流れる第１の制
御電流の値に応じた値となり、結合回路４７の主巻き線
４７ａのインダクタンス（Ｌ）の値は制御巻き線４７ｂ
に流れる第２の制御電流の値に応じた値となる。

【００５０】このように、結合回路４５の主巻き線４５
ａのインダクタンス（Ｌ）と結合回路４７の主巻き線４
７ａのインダクタンス（Ｌ）が適切な値になり、高周波
発生装置５のインピーダンスと負荷装置６のインピーダ
ンスとの整合がはかられる。

【００５１】例えば、高周波発生装置５のインピーダン
スの値が５０（Ω）、負荷装置６のインピーダンスの値
が２５（Ω）の場合には、電圧定在波比を基に、結合回
路４５の主巻き線４５ａのインピーダンス（ｊ×Ｘ１）
が、ｊ×Ｘ１＝ｊ×２５（Ω）を満たすように、コンデ
ンサ４９と結合回路４７の主巻き線４７ａの合成インピ
ーダンス（ｊ×Ｘ２）が、ｊ×Ｘ＝−ｊ×５０（Ω）を
満たすように、演算部４２において、第１の制御電流と
第２の制御電流の値が決定される。

【００５２】上記第１の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置４によれば、結合回路４５の制御巻き線４
５ｂに流れる電流の値により主巻き線４５ａのインダク
タンス（Ｌ）の値を変化させ、また結合回路４７の制御
巻き線４７ｂに流れる電流の値により主巻き線４７ａの
インダクタンス（Ｌ）の値を変化させることにより、イ
ンピーダンス整合装置のインピーダンスの値を変化させ
ているため、従来のインピーダンス整合装置のようにモ
ータ等を利用して機械的にインピーダンスを変化させる
場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行うことがで
きるとともに、保守作業の不要なインピーダンス整合装
置となる。

【００５３】なお、第２から第６の実施の形態において
は、インピーダンス整合装置４の結合回路４５、ローパ
スフィルタ４６、結合回路４７、ローパスフィルタ４
８、及びコンデンサ４９に相当する回路部のみ説明す
る。また、ＶＳＷＲ回路部４１、演算部４２、第１の制
御電流発生部４３、第２の制御電流発生部４４に相当す
る回路部については、以下では、一括して制御回路と称
す。

【００５４】（第２の実施の形態）本発明を適用した第
２の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図４を用いて説明する。図４は、インピーダンス整合
装置７の主要回路部を示すブロック図である。図３に示
す第１の実施の形態においては、結合回路（結合回路４
５、結合回路４７）で発生する高周波成分を、ＬＣ回路
からなるローパスフィルタ（ローパスフィルタ４６、ロ
ーパスフィルタ４８）で除去する。これに対して、本第
２の実施の形態におけるインピーダンス整合装置は、結
合回路とローパスフィルタで構成する回路部の代わり
に、主巻き線と制御巻き線の巻く方向を逆にした１対の
結合回路を設け、各結合回路で発生した高周波成分を互
いに相殺することにより除去するものである。

【００５５】本第２の実施の形態におけるインピーダン
ス整合装置７の回路構成について説明する。インピーダ
ンス整合装置７は、結合回路７１、結合回路７２、結合
回路７３、結合回路７４、及びコンデンサ７５からな
る。

【００５６】結合回路７１は、コア７１ｃに巻かれた主
巻き線７１ａと制御巻き線７１ｂからなる。そして、結
合回路７１は、その主巻き線７１ａの一端が端子Ａに、
その他端が結合回路７２の後述する主巻き線７２ａの一
端に接続されている。また、その制御巻き線７１ｂの一
端が端子Ａ２に接続され、その他端が結合回路７２の後
述する制御巻き線７２ｂの一端に接続される。そして、
結合回路７１は、制御回路から制御巻き線７１ｂに流れ
る制御電流により、主巻き線７１ａのインダクタンス
（Ｌ）の値が変化する。

【００５７】結合回路７２は、コア７２ｃに巻かれた主
巻き線７２ａと制御巻き線７２ｂからなる。そして、結
合回路７２は、その主巻き線７２ａの一端が結合回路７
１の主巻き線７１ａの他端に、その他端が端子Ｃに接続
されている。また、その制御巻き線７２ｂの一端が結合
回路７１の制御巻き線７１ｂの他端に接続され、その他
端が端子Ａ１に接続されている。そして、結合回路７２
は、制御回路から制御巻き線７２ｂに流れる制御電流に
より、主巻き線７２ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変
化する。

【００５８】ここで、結合回路７１の主巻き線７１ａと
制御巻き線７１ｂの巻く方向の関係と、結合回路７２の
主巻き線７２ａと制御巻き線７２ｂの巻く方向の関係
は、互いに逆になるような関係にある。また、結合回路
７１の主巻き線７１ａと結合回路７２の主巻き線７２ａ
の巻き数は等しく、結合回路７１の制御巻き線７１ｂと
結合回路７２の制御巻き線７２ｂの巻き数は等しい。

【００５９】上記関係にあることから、結合回路７１の
主巻き線７１ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線７１ｂに誘起される高周波成分の方向と、結合回路
７２の主巻き線７２ａに高周波電流が流れることにより
制御巻き線７２ｂに誘起される高周波成分の方向とは、
互いに反対方向であり、また、結合回路７１の主巻き線
７１ａに高周波電流が流れることにより制御巻き線７１
ｂに誘起される高周波成分の大きさと、結合回路７２の
主巻き線７２ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線７２ｂに誘起される高周波成分の大きさは、互いに
等しいので、それぞれに発生する高周波成分が互いに相
殺して高周波成分が除去され、端子Ａ１、Ａ２から制御
回路に高周波成分が印加されることが防がれる。

【００６０】結合回路７３は、コア７３ｃに巻かれた主
巻き線７３ａと制御巻き線７３ｂからなる。そして、結
合回路７３は、その主巻き線７３ａの一端がコンデンサ
７５の一端に接続され、その他端が結合回路７４の後述
する主巻き線７４ａの一端に接続されている。また、そ
の制御巻き線７３ｂの一端が端子Ｂ１に接続され、その
他端が結合回路７４の後述する制御巻き線７４ｂの一端
に接続されている。そして、結合回路７３は、制御回路
から制御巻き線７３ｂに流れる制御電流により、主巻き
線７３ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。

【００６１】結合回路７４は、コア７４ｃに巻かれた主
巻き線７４ａと制御巻き線７４ｂからなる。そして、
結合回路７４は、その主巻き線７４ａの一端が結合回路
７３の主巻き線７３ａの他端に、その他端が端子Ｂ及び
端子Ｄに接続されている。また、その制御巻き線７４ｂ
の一端が結合回路７３の制御巻き線７３ｂの他端に接続
され、その他端が端子Ｂ２に接続されている。そして、
結合回路７４は、制御回路から制御巻き線７４ｂに流れ
る制御電流により、主巻き線７４ａのインダクタンス
（Ｌ）の値が変化する。

【００６２】ここで、結合回路７３の主巻き線７３ａと
制御巻き線７３ｂの巻く方向の関係と、結合回路７４の
主巻き線７４ａと制御巻き線７４ｂの巻く方向の関係
は、互いに逆になるような関係にある。また、結合回路
７３の主巻き線７３ａと結合回路７４の主巻き線７４ａ
の巻き数は等しく、結合回路７３の制御巻き線７３ｂと
結合回路７４の制御巻き線７４ｂの巻き数は等しい。

【００６３】上記関係にあることから、結合回路７３の
主巻き線７３ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線７３ｂに誘起される高周波成分の方向と、結合回路
７４の主巻き線７４ａに高周波電流が流れることにより
制御巻き線７４ｂに誘起される高周波成分の方向とは、
互いに反対方向であり、また、結合回路７３の主巻き線
７３ａに高周波電流が流れることにより制御巻き線７３
ｂに誘起される高周波成分の大きさと、結合回路７４の
主巻き線７４ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線７４ｂに誘起される高周波成分の大きさは、互いに
等しいので、それぞれに発生する高周波成分が互いに相
殺して高周波成分が除去され、端子Ｂ１、Ｂ２から制御
回路に高周波成分が印加されることが防がれる。

【００６４】コンデンサ７５は、一端が結合回路７３の
主巻き線７３ａの一端に接続され、その他端が端子Ａに
接続される。このコンデンサ７５が設けられているの
は、上記第１の実施の形態で説明したのと同様の理由で
ある。

【００６５】このインピーダンス整合装置７では、制御
回路から結合回路７１の制御巻き線７１ｂへ入力される
制御電流の値の増減により、結合回路７１の主巻き線７
１ａのインダクタンス（Ｌ）の値が増減し、制御回路か
ら結合回路７２の制御巻き線７２ｂへ入力される制御電
流の値の増減により、結合回路７２の主巻き線７２ａの
インダクタンス（Ｌ）の値が増減する。制御回路から結
合回路７３の制御巻き線７３ｂへ入力される制御電流の
値の増減により、結合回路７３の主巻き線７３ａのイン
ダクタンス（Ｌ）の値が増減し、制御回路から結合回路
７４の制御巻き線７４ｂへ入力される制御電流の値の増
減により、結合回路７４の主巻き線７４ａのインダクタ
ンス（Ｌ）の値が増減する。このことを利用し、当該イ
ンピーダンス整合装置７のインピーダンスを増減させ
て、高周波発生装置５と負荷装置６とのインピーダンス
を整合させるものである。

【００６６】なお、インピーダンス整合に関する回路動
作については、上記第１の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置４の回路動作と、考え方が同一であるた
め、詳細を省略する。

【００６７】上記第２の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置７によれば、第１の実施の形態におけるイ
ンピーダンス整合装置４と同様、結合回路７１の制御巻
き線７１ｂに流れる電流の値により主巻き線７１ａのイ
ンダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、結合回路７２の制
御巻き線７２ｂに流れる電流の値により主巻き線７２ａ
のインダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、さらに、結合
回路７３の制御巻き線７３ｂに流れる電流の値により主
巻き線７３ａのインダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、
結合回路７４の制御巻き線７４ｂに流れる電流の値によ
り主巻き線７４ａのインダクタンス（Ｌ）の値を変化さ
せて、インピーダンス整合装置７のインピーダンスの値
を変化させているため、従来のインピーダンス整合装置
のようにモータ等を利用して機械的にインピーダンスを
変化させる場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行
うことができるとともに、保守作業の不要なインピーダ
ンス整合装置となる。

【００６８】また、第１の実施の形態において利用され
ている高周波成分をカットする高周波カット用のコンデ
ンサが不要であるため、低コスト化が図られる。

【００６９】（第３の実施の形態）本発明を適用した第
３の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図５を用いて説明する。図５は、インピーダンス整合
装置８の主要回路部を示すブロック図である。本第３の
実施の形態におけるインピーダンス整合装置８は、図４
に示した第２の実施の形態におけるインピーダンス整合
装置７の一変形例である。

【００７０】第２の実施の形態のインピーダンス整合装
置では、一対の結合回路（結合回路７１と結合回路７
２、結合回路７３と結合回路７４）を直列に接続するこ
とにより、各結合回路で発生する高周波成分を相殺する
ことにより除去するものであるのに対し、本第３の実施
の形態のインピーダンス整合装置では、一対の結合回路
を並列に接続することにより、各結合回路で発生する高
周波成分を相殺することにより除去するものである。

【００７１】本第３の実施の形態におけるインピーダン
ス整合装置の回路構成について説明する。インピーダン
ス整合装置８は、結合回路８１、結合回路８２、結合回
路８３、結合回路８４、及びコンデンサ８５からなる。

【００７２】結合回路８１は、コア８１ｃに巻かれた主
巻き線８１ａと制御巻き線８１ｂからなる。そして、結
合回路８１は、その主巻き線８１ａの一端が端子Ａ及び
結合回路８２の後述する主巻き線８２ａの一端に接続さ
れ、その他端が端子Ｃ及び結合回路８２の後述する主巻
き線８２ａの他端に接続されている。また、その制御巻
き線８１ｂの一端が端子Ａ１に接続され、その他端が結
合回路８２の後述する制御巻き線８２ｂの一端に接続さ
れている。そして、結合回路８１は、制御回路から制御
巻き線８１ｂに流れる制御電流により、主巻き線８１ａ
のインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。

【００７３】結合回路８２は、コア８２ｃに巻かれた主
巻き線８２ａと制御巻き線８２ｂからなる。そして、そ
の主巻き線８２ａの一端が端子Ａ及び結合回路８１の主
巻き線８１ａの一端に接続され、その他端が端子Ｃ及び
結合回路８１の主巻き線８１ａの他端に接続されてい
る。また、その制御巻き線８２ｂの一端が結合回路８１
の制御巻き線８１ｂの他端に接続され、その他端が端子
Ａ２に接続されている。そして、結合回路８２は、制御
回路から制御巻き線８２ｂに流れる制御電流により、主
巻き線８２ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。

【００７４】ここで、結合回路８１の主巻き線８１ａと
制御巻き線８１ｂの巻く方向の関係と、結合回路８２の
主巻き線８２ａと制御巻き線８２ｂの巻く方向の関係
は、互いに逆になるような関係にある。また、結合回路
８１の主巻き線８１ａと結合回路８２の主巻き線８２ａ
の巻き数は等しく、結合回路８１の制御巻き線８１ｂと
結合回路８２の制御巻き線８２ｂの巻き数は等しい。

【００７５】上記関係にあることから、結合回路８１の
主巻き線８１ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線８１ｂに誘起される高周波成分の方向と、結合回路
８２の主巻き線８２ａに高周波電流が流れることにより
制御巻き線８２ｂに誘起される高周波成分の方向とは、
互いに反対方向であり、また、結合回路８１の主巻き線
８１ａに高周波電流が流れることにより制御巻き線８１
ｂに誘起される高周波成分の大きさと、結合回路８２の
主巻き線８２ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線８２ｂに誘起される高周波成分の大きさは、互いに
等しいので、それぞれに発生する高周波成分が互いに相
殺して高周波成分が除去され、端子Ａ１、Ａ２から制御
回路に高周波成分が印可されることが防がれる。

【００７６】結合回路８３は、コア８３ｃに巻かれた主
巻き線８３ａと制御巻き線８３ｂからなる。そして、結
合回路８３は、その主巻き線８３ａの一端がコンデンサ
８５の一端及び結合回路８４の後述する主巻き線８４ａ
の一端に接続され、その他端が端子Ｂ、Ｄ及び結合回路
８４の後述する主巻き線８４ａの他端に接続されてい
る。また、その制御巻き線８３ｂの一端が端子Ｂ２に接
続され、その他端が結合回路８４の後述する制御巻き線
８４ｂの一端に接続される。そして、結合回路８３は、
制御回路から制御巻き線８３ｂに流れる制御電流によ
り、主巻き線８３ａのインダクタンス（Ｌ）の値が変化
する。

【００７７】結合回路８４は、コア８４ｃに巻かれた主
巻き線８４ａと制御巻き線８４ｂからなる。そして、結
合回路８４は、その主巻き線８４ａの一端がコンデンサ
８５の一端及び結合回路８３の主巻き線８３ａの一端に
接続され、その他端が端子Ｂ、Ｄ及び結合回路８３の主
巻き線８３ａの他端に接続される。また、その制御巻き
線８４ｂの一端が結合回路８３の制御巻き線８３ｂの他
端に接続され、その他端が端子Ｂ１に接続されている。
そして、結合回路８４は、制御回路から制御巻き線８４
ｂに流れる制御電流により、主巻き線８４ａのインダク
タンス（Ｌ）の値が変化する。

【００７８】ここで、結合回路８３の主巻き線８３ａと
制御巻き線８３ｂの巻く方向の関係と、結合回路８４の
主巻き線８４ａと制御巻き線８４ｂの巻く方向の関係
は、互いに逆になるような関係にある。また、結合回路
８３の主巻き線８３ａと結合回路８４の主巻き線８４ａ
の巻き数は等しく、結合回路８３の制御巻き線８３ｂと
結合回路８４の制御巻き線８４ｂの巻き数は等しい。

【００７９】上記関係にあることから、結合回路８３の
主巻き線８３ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線８３ｂに誘起される高周波成分の方向と、結合回路
８４の主巻き線８４ａに高周波電流が流れることにより
制御巻き線８４ｂに誘起される高周波成分の方向とは、
互いに反対方向であり、また、結合回路８３の主巻き線
８３ａに高周波電流が流れることにより制御巻き線８３
ｂに誘起される高周波成分の大きさと、結合回路８４の
主巻き線８４ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線８４ｂに誘起される高周波成分の大きさは、互いに
等しいので、それぞれに発生する高周波成分が互いに相
殺して高周波成分が除去され、端子Ｂ１、Ｂ２から制御
回路に高周波成分が印加されることが防がれる。

【００８０】コンデンサ８５は、その一端が結合回路８
３の主巻き線８３ａ及び結合回路８４の主巻き線８４ａ
の一端に接続され、その他端が端子Ａに接続される。こ
のコンデンサ８５が設けられているのは、上記第１の実
施の形態で説明したのと同様の理由である。

【００８１】このインピーダンス整合装置８では、制御
回路から結合回路８１の制御巻き線８１ｂへ入力される
制御電流の値の増減により、結合回路８１の主巻き線８
１ａのインダクタンス（Ｌ）の値が増減し、制御回路か
ら結合回路８２の制御巻き線８２ｂへ入力される制御電
流の値の増減により、結合回路８２の主巻き線８２ａの
インダクタンス（Ｌ）の値が増減する。制御回路から結
合回路８３の制御巻き線８３ｂへ入力される制御電流の
値の増減により、結合回路８３の主巻き線８３ａのイン
ダクタンス（Ｌ）の値が増減し、制御回路から結合回路
８４の制御巻き線８４ｂへ入力される制御電流の値の増
減により、結合回路８４の主巻き線８４ａのインダクタ
ンス（Ｌ）の値が増減する。このことを利用し、当該イ
ンピーダンス整合装置８のインピーダンスを増減させ
て、高周波発生装置５と負荷装置６とのインピーダンス
を整合させるものである。

【００８２】なお、インピーダンス整合に関する回路動
作については、上記第１の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置４の回路動作と、考え方が同一であるた
め、詳細を省略する。

【００８３】上記第３の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置８によれば、第１の実施の形態におけるイ
ンピーダンス整合装置４と同様、結合回路８１の制御巻
き線８１ｂに流れる電流の値により主巻き線８１ａのイ
ンダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、結合回路８２の制
御巻き線８２ｂに流れる電流の値により主巻き線８２ａ
のインダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、さらに、結合
回路８３の制御巻き線８３ｂに流れる電流の値により主
巻き線８３ａのインダクタンス（Ｌ）の値を変化させ、
結合回路８４の制御巻き線８４ｂに流れる電流の値によ
り主巻き線８４ａのインダクタンス（Ｌ）の値を変化さ
せて、インピーダンス整合装置８のインピーダンスの値
を変化させているため、従来のインピーダンス整合装置
のようにモータ等を利用して機械的にインピーダンスを
変化させる場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行
うことができるとともに、保守作業の不要なインピーダ
ンス整合装置となる。

【００８４】また、第２の実施の形態と同様、第１の実
施の形態において利用されている高周波成分をカットす
る高周波カット用コンデンサが不要であるため、低コス
ト化が図られる。

【００８５】（第４の実施の形態）本発明を適用した第
４の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図９を用いて説明する。本第４の実施の形態における
インピーダンス整合装置を説明する前に、以下の実施の
形態で用いる回路の表記、及び高周波成分を除去する原
理について図６、及び図７を参照して記す。

【００８６】図６（ａ）は、コアに対する巻き線の巻き
方の一例を示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に
示すコアに対する巻き線の巻き方の表記法を説明するた
めの図である。

【００８７】図６（ａ）では、コアとして二つのトロイ
ダルコア９４、９５からなる。その一つのトロイダルコ
ア９４に一の主巻き線９１が巻かれており、他のトロイ
ダルコア９５にも他の主巻き線９２が巻かれている。さ
らに、制御巻き線９３は、その一巻き（１ターム）内に
トロイダルコア９４、９５の両方が貫通するように巻か
れている。そして、主巻き線９１と主巻き線９２が端子
Ｔ１と端子Ｔ２からみて等価的に並列接続されている。

【００８８】このように構成した場合には、各主巻き線
９１、９２に高周波電流が流れることにより制御巻き線
９３に高周波成分が誘起されるが、この制御巻き線９３
に誘起された高周波成分が制御巻き線９３の１ターム毎
に相殺されて除去されることになる。

【００８９】以下において、この理由を詳述する。主巻
き線９１に高周波電流が端子Ｔ１から端子Ｔ２に流れる
と（図中実線）、トロイダルコア９４の制御巻き線９３
が巻かれている部分においては、図中下から上方向の磁
界（図中実線）が発生する。

【００９０】一方、主巻き線９２に高周波電流が端子Ｔ
１から端子Ｔ２に流れると（図中実線）、トロイダルコ
ア９５の制御巻き線９３が巻かれている部分において
は、図中上から下方向の磁界（図中実線）が発生する。

【００９１】上述したことから分かるように、制御巻き
線９３の１タームを鎖交する、主巻き線９１により発生
する磁界の向きと、主巻き線９２により発生する磁界の
向きとは、逆方向になる。

【００９２】同様に、主巻き線９１に高周波電流が端子
Ｔ２から端子Ｔ１に流れると（図中点線）、トロイダル
コア９４の制御巻き線９３が巻かれている部分において
は、図中上から下方向の磁界（図中点線）が発生する。

【００９３】一方、主巻き線９２に高周波電流が端子Ｔ
２から端子Ｔ１に流れると（図中点線）、トロイダルコ
ア９５の制御巻き線９３が巻かれている部分において
は、図中下から上方向の磁界（図中点線）が発生する。

【００９４】上述したことから分かるように、制御巻き
線９３の１タームを鎖交する、主巻き線９１により発生
する磁界の向きと、主巻き線９２により発生する磁界の
向きとは、逆方向になる。

【００９５】したがって、主巻き線９１、９２に高周波
電流が流れた場合に、主巻き線９１により制御巻き線９
３に発生する高周波成分と主巻き線９２により制御巻き
線９３に発生する高周波成分とが、制御巻き線９３の１
ターム毎に相殺しあって高周波成分が除去される。

【００９６】次に、上記記した図６（ａ）の各部と図６
（ｂ）の各部は、次のような対応関係にある。図６
（ａ）中トロイダルコア９４と図６（ｂ）中コア１０４
が対応し、図６（ａ）中トロイダルコア９５と図６
（ｂ）中コア１０５が対応する。また、図６（ａ）中主
巻き線９１と図６（ｂ）中主巻き線１０１が対応し、図
６（ａ）中主巻き線９２と図６（ｂ）中主巻き線１０２
が対応する。さらに、図６（ａ）中制御巻き線９３と図
６（ｂ）中制御巻き線１０３が対応する。さらに、図６
（ａ）中端子Ｔ１と図６（ｂ）中端子Ｔ１が対応し、図
６（ａ）中端子Ｔ２と図６（ｂ）中端子Ｔ２が対応す
る。図６（ａ）中端子Ｔ３と図６（ｂ）中端子Ｔ３が対
応し、図６（ａ）中端子Ｔ４と図６（ｂ）中端子Ｔ４が
対応する。

【００９７】さらに、他の場合について説明する。図７
（ａ）は、コアに対する巻き線の巻き方の一例を示す図
であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すコアに対する
巻き線の巻き方の表記法を説明するための図である。

【００９８】図７（ａ）では、コアとして二つのトロイ
ダルコア１１４、１１５からなる。その一つのトロイダ
ルコア１１４に一の主巻き線１１１が巻かれており、他
のトロイダルコア１１５にも他の主巻き線１１２が巻か
れている。さらに、制御巻き線１１３は、その一巻き
（１ターム）内にトロイダルコア１１４、１１５の両方
が貫通するように巻かれている。そして、主巻き線１１
１と主巻き線１１２は、図中で互いに接続されてお
り、主巻き線１１１と主巻き線１１２が端子Ｔ１と端子
Ｔ２からみて等価的に直列接続されている。

【００９９】このように構成した場合には、各主巻き線
１１１、１１２に高周波電流が流れることにより制御巻
き線１１３に高周波成分が誘起されるが、この制御巻き
線１１３に誘起された高周波成分が制御巻き線１１３の
１ターム毎に相殺されて除去されることになる。なお、
この原理は、図６（ａ）の場合と同様であるので、詳細
は省略する。

【０１００】次に、上記記した図７（ａ）の各部と図７
（ｂ）の各部は、次のような対応関係にある。図７
（ａ）中トロイダルコア１１４と図７（ｂ）中コア１２
４が対応し、図７（ａ）中トロイダルコア１１５と図７
（ｂ）中コア１２５が対応する。また、図７（ａ）中主
巻き線１１１と図７（ｂ）中主巻き線１２１が対応し、
図７（ａ）中主巻き線１１２と図７（ｂ）中主巻き線１
２２が対応する。さらに、図７（ａ）中制御巻き線１１
３と図７（ｂ）中制御巻き線１２３が対応する。さら
に、図７（ａ）中端子Ｔ１と図７（ｂ）中端子Ｔ１が対
応し、図７（ａ）中端子Ｔ２と図７（ｂ）中端子Ｔ２が
対応する。図７（ａ）中端子Ｔ３と図７（ｂ）中端子Ｔ
３が対応し、図７（ａ）中端子Ｔ４と図７（ｂ）中端子
Ｔ４が対応する。

【０１０１】図８は、各コアの形状を示す図であり、上
記表記法においては、図８（ａ）に示す二つのトロイダ
ルコアを利用したものであるが、図８（ｂ）に示すＵ型
コアを二つ利用して、二つの主巻き線と一つの制御巻き
線を二つのＵ型コアに巻き付けるようにしてもよい。ま
た、図８（ｃ）に示すメガネコアを利用するものであっ
てもよい。さらに、図８（ｄ）に示すＥ型コアを利用す
るものであってもよい。

【０１０２】以下、第４の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置について図９を用いて説明する。図９
は、インピーダンス整合装置１３の主要回路部を示すブ
ロック図である。第２の実施の形態のインピーダンス整
合装置は、主巻き線と制御巻き線の巻く方向を逆にした
１対の結合回路（結合回路７１と結合回路７２、結合回
路７３と結合回路７４）を設けることにより、各結合回
路で発生した高周波成分を互いに相殺することにより除
去する。これに対し、第４の実施の形態のインピーダン
ス整合装置は、１対の結合回路を設ける代わりに、図７
で示した構成の結合回路を設け、制御巻き線の１ターム
毎に制御巻き線に発生する高周波成分を相殺して除去す
るものである。

【０１０３】インピーダンス整合装置１３は、結合回路
１３１、結合回路１３２、及びコンデンサ１３３からな
る。

【０１０４】結合回路１３１は、図７（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１３１ａ、１３１ｂ、制御巻き線
１３１ｃ、コア１３１ｄ、１３１ｅからなる。

【０１０５】結合回路１３１の主巻き線１３１ａの一端
は端子Ａに接続され、その他端は主巻き線１３１ｂの一
端に接続される。主巻き線１３１ｂの一端は主巻き線１
３１ａの他端に接続され、その他端は端子Ｃに接続され
る。制御巻き線１３１ｃの一端は端子Ａ１に接続され、
その他端は端子Ａ２に接続される。そして、結合回路１
３１は、制御回路から制御巻き線１３１ｃに流れる制御
電流により、主巻き線１３１ａ及び主巻き線１３１ｂの
インダクタンス（Ｌ）の値が変化する。また、主巻き線
１３１ａと主巻き線１３１ｂの巻き数は等しい。

【０１０６】図７（ａ）を利用して説明したと同じ考え
方により、主巻き線１３１ａに高周波電流が流れること
により制御巻き線１３１ｃに誘起される高周波成分の方
向と、主巻き線１３１ｂに高周波電流が流れることによ
り制御巻き線１３１ｃに誘起される高周波成分の方向と
は、互いに反対方向になり、また、主巻き線１３１ａに
高周波電流が流れることにより制御巻き線１３１ｃに誘
起される高周波成分の大きさと、主巻き線１３１ｂに高
周波電流が流れることにより制御巻き線１３１ｃに誘起
される高周波成分の大きさは、互いに等しいので、それ
ぞれに発生する高周波成分が互いに相殺して高周波成分
が除去され、端子Ａ１、Ａ２から制御回路に高周波成分
が印加されることが防がれる。さらに、上述したよう
に、制御巻き線１３１ｃの１タームごとに、高周波成分
が相殺されて高周波成分が除去されるので、第２及び第
３の実施の形態のように構成した場合に制御巻き線に局
所的に発生していた大電圧が、制御巻き線１３１ｃに発
生することがない。

【０１０７】結合回路１３２は、図７（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１３２ａ、１３２ｂ、制御巻き線
１３２ｃ、コア１３２ｄ、１３２ｅからなる。

【０１０８】結合回路１３２の主巻き線１３２ａの一端
はコンデンサ１３３の一端に接続され、その他端は主巻
き線１３２ｂの一端に接続される。主巻き線１３２ｂの
一端は主巻き線１３２ａの他端に接続され、その他端は
端子Ｂ及び端子Ｄに接続される。制御巻き線１３２ｃの
一端は端子Ｂ１に接続され、その他端は端子Ｂ２に接続
される。そして、結合回路１３２は、制御回路から制御
巻き線１３２ｃに流れる制御電流により、主巻き線１３
２ａ及び主巻き線１３２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値
が変化する。また、主巻き線１３２ａと主巻き線１３２
ｂの巻き数は等しい。

【０１０９】図７（ａ）を利用して説明したと同じ考え
方により、主巻き線１３２ａに高周波電流が流れること
により制御巻き線１３２ｃに誘起される高周波成分の方
向と、主巻き線１３２ｂに高周波電流が流れることによ
り制御巻き線１３２ｃに誘起される高周波成分の方向と
は、互いに反対方向になり、また、主巻き線１３２ａに
高周波電流が流れることにより制御巻き線１３２ｃに誘
起される高周波成分の大きさと、主巻き線１３２ｂに高
周波電流が流れることにより制御巻き線１３２ｃに誘起
される高周波成分の大きさは、互いに等しいので、それ
ぞれに発生する高周波成分が互いに相殺して高周波成分
が除去され、端子Ｂ１、Ｂ２から制御回路に高周波成分
が印加されることが防がれる。さらに、上述したよう
に、制御巻き線１３２ｃの１タームごとに、高周波成分
が相殺されて高周波成分が除去されるので、第２及び第
３の実施の形態のように構成した場合に制御巻き線に局
所的に発生していた大電圧が、制御巻き線１３２ｃに発
生することがない。

【０１１０】コンデンサ１３３は、その一端が結合回路
１３２の主巻き線１３２ａの一端に接続され、その他端
が端子Ａに接続される。このコンデンサ１３３が設けら
れているのは、上記第１の実施の形態で説明したのと同
様の理由である。

【０１１１】このインピーダンス整合装置１３では、制
御回路から結合回路１３１の制御巻き線１３１ｃへ入力
される制御電流の値の増減により、結合回路１３１の主
巻き線１３１ａ及び主巻き線１３１ｂのインダクタンス
（Ｌ）の値が増減し、制御回路から結合回路１３２の制
御巻き線１３２ｃへ入力される制御電流の値の増減によ
り、結合回路１３２の主巻き線１３２ａ及び主巻き線１
３２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値が増減することを利
用し、当該インピーダンス整合装置１３のインピーダン
スを増減させて、高周波発生装置５と負荷装置６とのイ
ンピーダンスを整合させるものである。

【０１１２】なお、インピーダンス整合に関する回路動
作については、上記第１の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置４の回路動作と、考え方が同一であるた
め、詳細を省略する。

【０１１３】上記第４の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置１３によれば、第１の実施の形態における
インピーダンス整合装置４と同様、結合回路１３１の制
御巻き線１３１ｃに流れる電流の値により主巻き線１３
１ａ及び主巻き線１３１ｂのインダクタンス（Ｌ）の値
を変化させ、結合回路１３２の制御巻き線１３２ｃに流
れる電流の値により主巻き線１３２ａ及び主巻き線１３
２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値を変化させて、インピ
ーダンス整合装置１３のインピーダンスの値を変化させ
ているため、従来のインピーダンス整合装置のようにモ
ータ等を利用して機械的にインピーダンスを変化させる
場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行うことがで
きるとともに、保守作業の不要なインピーダンス整合装
置となる。

【０１１４】また、第２の実施の形態と同様、第１の実
施の形態において利用されている高周波成分をカットす
る高周波カット用コンデンサが不要であるため、低コス
ト化が図られる。

【０１１５】さらに、各制御巻き線の１タームごとに、
高周波成分が相殺されて高周波成分が除去されるので、
各制御巻き線に局所的に大電圧が発生することもない。

【０１１６】（第５の実施の形態）本発明を適用した第
５の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図１０を用いて説明する。図１０は、インピーダンス
整合装置１４の主要回路部を示すブロック図である。本
第５の実施の形態におけるインピーダンス整合装置は、
第４の実施の形態におけるインピーダンス整合装置の一
の変形例である。

【０１１７】インピーダンス整合装置１４は、結合回路
１４１、結合回路１４２、及びコンデンサ１４３からな
る。

【０１１８】結合回路１４１は、図７（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１４１ａ、１４１ｂ、制御巻き線
１４１ｃ、コア１４１ｄ、１４１ｅからなる。

【０１１９】結合回路１４１の主巻き線１４１ａの一端
は端子Ａに接続され、その他端は主巻き線１４１ｂの一
端に接続される。主巻き線１４１ｂの一端は主巻き線１
４１ａの他端に接続され、その他端は端子Ｃに接続され
る。制御巻き線１４１ｃの一端は端子Ａ１に接続され、
その他端は端子Ａ２に接続される。そして、結合回路１
４１は、制御回路から制御巻き線１４１ｃに流れる制御
電流により、主巻き線１４１ａ及び主巻き線１４１ｂの
インダクタンス（Ｌ）の値が変化する。また、主巻き線
１４１ａと主巻き線１４１ｂの巻き数は等しい。

【０１２０】図７（ａ）を利用して説明したと同じ考え
方により、主巻き線１４１ａに高周波電流が流れること
により制御巻き線１４１ｃに誘起される高周波成分の方
向と、主巻き線１４１ｂに高周波電流が流れることによ
り制御巻き線１４１ｃに誘起される高周波成分の方向と
は、互いに反対方向になり、また、主巻き線１４１ａに
高周波電流が流れることにより制御巻き線１４１ｃに誘
起される高周波成分の大きさと、主巻き線１４１ｂに高
周波電流が流れることにより制御巻き線１４１ｃに誘起
される高周波成分の大きさは、互いに等しいので、それ
ぞれに発生する高周波成分が互いに相殺して高周波成分
が除去され、端子Ａ１、Ａ２から制御回路に高周波成分
が印加されることが防がれる。さらに、上述したよう
に、制御巻き線１４１ｃの１タームごとに、高周波成分
が相殺されて高周波成分が除去されるので、第２及び第
３の実施の形態のように構成した場合に制御巻き線に局
所的に発生していた大電圧が、制御巻き線１４１ｃに発
生することがない。

【０１２１】結合回路１４２は、図７（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１４２ａ、１４２ｂ、制御巻き線
１４２ｃ、コア１４２ｄ、１４２ｅからなる。

【０１２２】結合回路１４２の主巻き線１４２ａの一端
は端子Ａに接続され、その他端は主巻き線１４２ｂの一
端に接続される。主巻き線１４２ｂの一端は主巻き線１
４２ａの他端に接続され、その他端は端子Ｂ及び端子Ｄ
に接続される。制御巻き線１４２ｃの一端は端子Ｂ１に
接続され、その他端は端子Ｂ２に接続される。そして、
結合回路１４２は、制御回路から制御巻き線１４２ｃに
流れる制御電流により、主巻き線１４２ａ及び主巻き線
１４２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値が変化する。ま
た、主巻き線１４２ａと主巻き線１４２ｂの巻き数は等
しい。

【０１２３】図７（ａ）を利用して説明したと同じ考え
方により、主巻き線１４２ａに高周波電流が流れること
により制御巻き線１４２ｃに誘起される高周波成分の方
向と、主巻き線１４２ｂに高周波電流が流れることによ
り制御巻き線１４２ｃに誘起される高周波成分の方向と
は、互いに反対方向になり、また、主巻き線１４２ａに
高周波電流が流れることにより制御巻き線１４２ｃに誘
起される高周波成分の大きさと、主巻き線１４２ｂに高
周波電流が流れることにより制御巻き線１４２ｃに誘起
される高周波成分の大きさは、互いに等しいので、それ
ぞれに発生する高周波成分が互いに相殺して高周波成分
が除去され、端子Ｂ１、Ｂ２から制御回路に高周波成分
が印加されることが防がれる。さらに、上述したよう
に、制御巻き線１４２ｃの１タームごとに、高周波成分
が相殺されて高周波成分が除去されるので、第２及び第
３の実施の形態のように構成した場合に制御巻き線に局
所的に発生していた大電圧が、制御巻き線１４２ｃに発
生することがない。

【０１２４】コンデンサ１４３は、その一端が端子Ａに
接続され、その他端が端子Ｂ及び端子Ｄに接続される。
このコンデンサ１４３が設けられているのは、上記第１
の実施の形態で説明したのと同様の理由である。

【０１２５】このインピーダンス整合装置１４では、制
御回路から結合回路１４１の制御巻き線１４１ｃへ入力
される制御電流の値の増減により、結合回路１４１の主
巻き線１４１ａ及び主巻き線１４１ｂのインダクタンス
（Ｌ）の値が増減し、制御回路から結合回路１４２の制
御巻き線１４２ｃへ入力される制御電流の値の増減によ
り、結合回路１４２の主巻き線１４２ａ及び主巻き線１
４２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値が増減することを利
用し、当該インピーダンス整合装置１４のインピーダン
スを増減させて、高周波発生装置５と負荷装置６とのイ
ンピーダンスを整合させるものである。

【０１２６】なお、インピーダンス整合に関する回路動
作については、上記第１の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置４の回路動作と、考え方が同一であるた
め、詳細を省略する。

【０１２７】上記第５の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置１４によれば、第１の実施の形態における
インピーダンス整合装置４と同様、結合回路１４１の制
御巻き線１４１ｃに流れる電流の値により主巻き線１４
１ａ及び主巻き線１４１ｂのインダクタンス（Ｌ）の値
を変化させ、結合回路１４２の制御巻き線１４２ｃに流
れる電流の値により主巻き線１４２ａ及び主巻き線１４
２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値を変化させて、インピ
ーダンス整合装置１４のインピーダンスの値を変化させ
ているため、従来のインピーダンス整合装置のようにモ
ータ等を利用して機械的にインピーダンスを変化させる
場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行うことがで
きるとともに、保守作業の不要なインピーダンス整合装
置となる。

【０１２８】また、第２の実施の形態と同様、第１の実
施の形態において利用されている高周波成分をカットす
る高周波カット用コンデンサが不要であるため、低コス
ト化が図られる。

【０１２９】さらに、第４の実施の形態と同様、各制御
巻き線の１タームごとに、高周波成分が相殺されて高周
波成分が除去されるので、各制御巻き線に局所的に大電
圧が発生することもない。

【０１３０】（第６の実施の形態）本発明を適用した第
６の実施の形態におけるインピーダンス整合装置につい
て図１１を用いて説明する。図１１は、インピーダンス
整合装置１５の主要回路部を示すブロック図である。本
第６の実施の形態におけるインピーダンス整合装置は、
第４の実施の形態におけるインピーダンス整合装置の他
の変形例である。

【０１３１】インピーダンス整合装置１５は、結合回路
１５１、結合回路１５２、及びコンデンサ１５３からな
る。

【０１３２】結合回路１５１は、図６（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１５１ａ、１５１ｂ、制御巻き線
１５１ｃ、コア１５１ｄ、１５１ｅからなる。

【０１３３】結合回路１５１の主巻き線１５１ａの一端
は端子Ａ及び主巻き線１５１ｂの一端に接続され、その
他端は端子Ｃ及び主巻き線１５１ｂの他端に接続され
る。主巻き線１５１ｂの一端は端子Ａ及び主巻き線１５
１ａの一端に接続され、その他端は端子Ｃ及び主巻き線
１５１ａの他端に接続される。制御巻き線１５１ｃの一
端は端子Ａ１に接続され、その他端は端子Ａ２に接続さ
れる。そして、結合回路１５１は、制御回路から制御巻
き線１５１ｃに流れる制御電流により、主巻き線１５１
ａ及び主巻き線１５１ｂのインダクタンス（Ｌ）の値が
変化する。また、主巻き線１５１ａと主巻き線１５１ｂ
の巻き数は等しい。

【０１３４】図６（ａ）を利用して説明したように、主
巻き線１５１ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線１５１ｃに誘起される高周波成分の方向と、主巻き
線１５１ｂに高周波電流が流れることにより制御巻き線
１５１ｃに誘起される高周波成分の方向とは、互いに反
対方向になり、また、主巻き線１５１ａに高周波電流が
流れることにより制御巻き線１５１ｃに誘起される高周
波成分の大きさと、主巻き線１５１ｂに高周波電流が流
れることにより制御巻き線１５１ｃに誘起される高周波
成分の大きさは、互いに等しいので、それぞれに発生す
る高周波成分が互いに相殺して高周波成分が除去され、
端子Ａ１、Ａ２から制御回路に高周波成分が印加される
ことが防がれる。さらに、上述したように、制御巻き線
１５１ｃの１タームごとに、高周波成分が相殺されて高
周波成分が除去されるので、第２及び第３の実施の形態
のように構成した場合に制御巻き線に局所的に発生して
いた大電圧が、制御巻き線１５１ｃに発生することがな
い。

【０１３５】結合回路１５２は、図６（ａ）に示した構
成を有し、、主巻き線１５２ａ、１５２ｂ、制御巻き線
１５２ｃ、コア１５２ｄ、１５２ｅからなる。

【０１３６】結合回路１５２の主巻き線１５２ａの一端
は、コンデンサ１５３の一端及び主巻き線１５２ｂの一
端に接続され、その他端は、端子Ｂ、端子Ｄ及び主巻き
線１５２ｂの他端に接続される。主巻き線１５２ｂの一
端は、コンデンサ１５３の一端及び主巻き線１５２ａの
一端に接続され、その他端は端子Ｂ、端子Ｄ及び主巻き
線１５２ａの他端に接続される。制御巻き線１５２ｃの
一端は端子Ｂ１に接続され、その他端は端子Ｂ２に接続
される。そして、結合回路１５２は、制御回路から制御
巻き線１５２ｃに流れる制御電流により、主巻き線１５
２ａ及び主巻き線１５２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値
が変化する。また、主巻き線１５２ａと主巻き線１５２
ｂの巻き数は等しい。

【０１３７】図６（ａ）を利用して説明したように、主
巻き線１５２ａに高周波電流が流れることにより制御巻
き線１５２ｃに誘起される高周波成分の方向と、主巻き
線１５２ｂに高周波電流が流れることにより制御巻き線
１５２ｃに誘起される高周波成分の方向とは、互いに反
対方向になり、また、主巻き線１５２ａに高周波電流が
流れることにより制御巻き線１５２ｃに誘起される高周
波成分の大きさと、主巻き線１５２ｂに高周波電流が流
れることにより制御巻き線１５２ｃに誘起される高周波
成分の大きさは、互いに等しいので、それぞれに発生す
る高周波成分が互いに相殺して高周波成分が除去され、
端子Ｂ１、Ｂ２から制御回路に高周波成分が印加される
ことが防がれる。さらに、上述したように、制御巻き線
１５２ｃの１タームごとに、高周波成分が相殺されて高
周波成分が除去されるので、第２及び第３の実施の形態
のように構成した場合に制御巻き線に局所的に発生して
いた大電圧が、制御巻き線１５２ｃに発生することがな
い。

【０１３８】コンデンサ１５３は、その一端が結合回路
１５２の主巻き線１５２ａ及び主巻き線１５２ｂの一端
に接続され、その他端が端子Ａに接続される。このコン
デンサ１５３が設けられているのは、上記第１の実施の
形態で説明したのと同様の理由である。

【０１３９】このインピーダンス整合装置１５では、制
御回路から結合回路１５１の制御巻き線１５１ｃへ入力
される制御電流の値の増減により、結合回路１５１の主
巻き線１５１ａ及び主巻き線１５１ｂのインダクタンス
（Ｌ）の値が増減し、制御回路から結合回路１５２の制
御巻き線１５２ｃへ入力される制御電流の値の増減によ
り、結合回路１５２の主巻き線１５２ａ及び主巻き線１
５２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値が増減することを利
用し、当該インピーダンス整合装置１５のインピーダン
スを増減させて、高周波発生装置５と負荷装置６とのイ
ンピーダンスを整合させるものである。

【０１４０】なお、インピーダンス整合に関する回路動
作については、上記第１の実施の形態におけるインピー
ダンス整合装置４の回路動作と、考え方が同一であるた
め、詳細を省略する。

【０１４１】上記第６の実施の形態におけるインピーダ
ンス整合装置１５によれば、第１の実施の形態における
インピーダンス整合装置４と同様、結合回路１５１の制
御巻き線１５１ｃに流れる電流の値により主巻き線１５
１ａ及び主巻き線１５１ｂのインダクタンス（Ｌ）の値
を変化させ、結合回路１５２の制御巻き線１５２ｃに流
れる電流の値により主巻き線１５２ａ及び主巻き線１５
２ｂのインダクタンス（Ｌ）の値を変化させて、インピ
ーダンス整合装置１５のインピーダンスの値を変化させ
ているため、従来のインピーダンス整合装置のようにモ
ータ等を利用して機械的にインピーダンスを変化させる
場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行うことがで
きるとともに、保守作業の不要なインピーダンス整合装
置となる。

【０１４２】また、第２の実施の形態と同様、第１の実
施の形態において利用されている高周波成分をカットす
る高周波カット用コンデンサが不要であるため、低コス
ト化が図られる。

【０１４３】さらに、第４の実施の形態と同様、各制御
巻き線の１タームごとに、高周波成分が相殺されて高周
波成分が除去されるので、各制御巻き線に局所的に大電
圧が発生することもない。

【０１４４】なお、上記第１乃至第６の実施の形態にお
いては、図１２（ｄ）の回路構成に対応するインピーダ
ンス整合装置ついて説明したが、図１２（ａ）から図１
２（ｈ）の他の回路構成に対応し上記第１乃至第６の実
施の形態の考え方を取り入れたインピーダンス整合装置
を構成してもよいことは言うまでもない。

【０１４５】なお、半導体や液晶ディスプレイ等の製造
装置、真空メッキに使用する真空蒸着装置、合成樹脂の
加熱・溶融装置、通信装置等の高周波を利用する装置に
おいて、インピーダンス整合を行うことが必要な場合
に、利用価値が高いものである。

【０１４６】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、結合回路
の制御巻き線に流れる電流の値により主巻き線のインダ
クタンスの値を変化させることにより、インピーダンス
整合装置のインピーダンスの値を変化させているため、
従来のインピーダンス整合装置のようにモータ等を利用
して機械的にインピーダンスを変化させる場合に比べ、
インピーダンス整合を高速に行うことができるととも
に、保守作業の不要なインピーダンス整合装置となる。

【０１４７】請求項２記載の発明によれば、結合回路の
制御巻き線に流れる電流の値により第１の主巻き線及び
第２の主巻き線のインダクタンスの値を変化させること
により、インピーダンス整合装置のインピーダンスの値
を変化させているため、従来のインピーダンス整合装置
のようにモータ等を利用して機械的にインピーダンスを
変化させる場合に比べ、インピーダンス整合を高速に行
うことができるとともに、保守作業の不要なインピーダ
ンス整合装置となる。

【０１４８】さらに、第１の主巻き線に高周波電流が流
れることにより制御巻き線に誘起される高周波成分と第
２の主巻き線に高周波電流が流れることにより制御巻き
線に誘起される高周波成分が、制御巻き線の一巻き（１
ターム）ごとに、相殺されて高周波成分が除去されるの
で、制御巻き線に局所的に大電圧が発生することがな
く、結合回路の絶縁破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、インダクタンスを変化させる回路を説
明するための図である。

【図２】図２は、Ｂ−Ｈ曲線を示す図である。

【図３】図３は、インピーダンス整合装置４の主要回路
部を示すブロック図である。

【図４】図４は、インピーダンス整合装置７の主要回路
部を示すブロック図である。

【図５】図５は、インピーダンス整合装置８の主要回路
部を示すブロック図である。

【図６】図６（ａ）は、コアに対する巻き線の巻き方の
一例を示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す
コアに対する巻き線の巻き方の表記法を説明するための
図である。

【図７】図７（ａ）は、コアに対する巻き線の巻き方の
一例を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す
コアに対する巻き線の巻き方の表記法を説明するための
図である。

【図８】図８は、各コアの形状を示す図である。

【図９】図９は、インピーダンス整合装置１３の主要回
路部を示すブロック図である。

【図１０】図１０は、インピーダンス整合装置１４の主
要回路部を示すブロック図である。

【図１１】図１１は、インピーダンス整合装置１５の主
要回路部を示すブロック図である。

【図１２】図１２は、従来のインピーダンス整合装置の
主要部の回路構成を示す図である。

【符号の説明】

１主巻き線２制御巻き線３コア４インピーダンス整合装置４１ＶＳＷＲ回路部４２演算部４３第１の制御電流発生部４４第２の制御電流発生部４５結合回路４６ローパスフィルタ４７結合回路４８ローパスフィルタ４９コンデンサ５高周波発生装置６負荷装置

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１１月２９日（１９９９．１１．
２９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
高周波発生装置と負荷装置の間に設けられ、高周波発生
装置のインピーダンスと負荷装置のインピーダンスを整
合させるインピーダンス整合装置において、コアに主巻
き線と制御巻き線が巻かれ、当該制御巻き線に流れる直
流電流の大きさによって当該主巻き線のインダクタンス
の値が変化して前記インピーダンス整合装置のインピー
ダンスを変化させる２または４つの結合回路を有するイ
ンピーダンス整合装置である。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】請求項２記載の発明は、高周波発生装置と
負荷装置の間に設けられ、高周波発生装置のインピーダ
ンスと負荷装置のインピーダンスを整合させるインピー
ダンス整合装置において、第１のコアに第１の主巻き線
が巻かれ、第２のコアに第２の主巻き線が巻かれ、制御
巻き線の一巻きに当該第１のコア及び当該第２のコアが
貫通するように当該第１のコア及び当該第２のコアに当
該制御巻き線が巻かれ、当該制御巻き線に流れる直流電
流の大きさによって当該第１の主巻き線及び当該第２の
主巻き線のインダクタンスの値が変化して前記インピー
ダンス整合装置のインピーダンスを変化させる２または
４つの結合回路を有するインピーダンス整合装置であ
る。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１４５】なお、半導体や液晶ディスプレイ等の製造
装置、真空メッキに使用する真空蒸着装置のように高周
波を利用する装置において、インピーダンス整合を行う
ことが必要な場合に、利用価値が高いものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波発生装置と負荷装置の間に設けら
れ、高周波発生装置のインピーダンスと負荷装置のイン
ピーダンスを整合させるインピーダンス整合装置におい
て、コアに主巻き線と制御巻き線が巻かれ、当該制御巻き線
に流れる直流電流の大きさによって当該主巻き線のイン
ダクタンスの値が変化して前記インピーダンス整合装置
のインピーダンスを変化させる少なくとも一つの結合回
路を有することを特徴とするインピーダンス整合装置。
【請求項２】高周波発生装置と負荷装置の間に設けら
れ、高周波発生装置のインピーダンスと負荷装置のイン
ピーダンスを整合させるインピーダンス整合装置におい
て、第１のコアに第１の主巻き線が巻かれ、第２のコアに第
２の主巻き線が巻かれ、制御巻き線の一巻きに当該第１
のコア及び当該第２のコアが貫通するように当該第１の
コア及び当該第２のコアに当該制御巻き線が巻かれ、当
該制御巻き線に流れる直流電流の大きさによって当該第
１の主巻き線及び当該第２の主巻き線のインダクタンス
の値が変化して前記インピーダンス整合装置のインピー
ダンスを変化させる少なくとも一つの結合回路を有する
ことを特徴とするインピーダンス整合装置。