TW201946776A - 附防映入層之偏光板 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於,提供一種即便於高溫高濕環境下亦可抑制防映入層之剝離及褶皺的附防映入層之偏光板。本發明之附防映入層之偏光板具備:具有偏光元件及設置於該偏光元件之一側的保護層的偏光板;貼合於該保護層之防映入層,該防映入層係液晶化合物之配向固化層;防映入層用基材;以及設置於該偏光板與該防映入層之間的黏著劑層。該黏著劑層之蠕變值為40 μm/h以上。
Description
本發明係關於一種附防映入層之偏光板。
於圖像顯示裝置(例如,液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、量子點顯示裝置)中,由於其圖像形成方式,於多數情形時,於顯示單元之至少一側配置有偏光板。眾所周知,為了防止外部光映入至顯示畫面,於其可視側設置防反射層(實施防反射處理)、及/或設置防映入層。代表性而言,防映入層包含樹脂或黏著劑之基體及分散於該基體中之微粒。然而,近年,隨著圖像顯示裝置之薄型化之要求,亦強烈要求偏光板之薄型化,隨之亦要求防映入層之薄型化。其結果,對作為液晶化合物之配向固化層之防映入層進行研究。然而,此種防映入層存在以下問題:於高溫高濕環境下容易剝離,而且容易產生褶皺。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-191428號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明為了解決上述問題而成,其主要目的在於,提供一種即便於高溫高濕環境下亦能抑制防映入層之剝離及褶皺之附防映入層之偏光板。
[解決問題之技術手段]
[解決問題之技術手段]
本發明之附防映入層之偏光板具備:具有偏光元件及設置於該偏光元件之一側之保護層之偏光板;貼合於該保護層之作為液晶化合物之配向固化層之防映入層;防映入層用基材;以及設置於該偏光板與該防映入層之間之黏著劑層。於本發明之附防映入層之偏光板中,上述黏著劑層之蠕變值為40 μm/h以上。
於一個實施形態中,於上述防映入層與上述防映入層用基材之間進而具備配向膜,該配向膜包含聚乙烯醇系樹脂。
於一個實施形態中,上述黏著劑層之厚度為10 μm~40 μm。
於一個實施形態中,本發明之附防映入層之偏光板於上述防映入層用基材上進而積層有防反射層及防反射層用基材。
[發明之效果]
於一個實施形態中,於上述防映入層與上述防映入層用基材之間進而具備配向膜,該配向膜包含聚乙烯醇系樹脂。
於一個實施形態中,上述黏著劑層之厚度為10 μm~40 μm。
於一個實施形態中,本發明之附防映入層之偏光板於上述防映入層用基材上進而積層有防反射層及防反射層用基材。
[發明之效果]
根據本發明,藉由將附防映入層之偏光板中設置於偏光板與防映入層之間之黏著劑層之蠕變值設為40 μm/h以上,可實現即便於高溫高濕環境下亦可抑制防映入層之剝離及褶皺之附防映入層之偏光板。
以下,對本發明之實施形態進行說明,但本發明並不限定於該等實施形態。
A.附防映入層之偏光板之整體構成
圖1係本發明之1個實施形態之附防映入層之偏光板之概略剖面圖。附防映入層之偏光板100依次具備:具有偏光元件11及設置於偏光元件11之一側之保護層12之偏光板10;防映入層20;以及防映入層用基材30。偏光板10之保護層12與防映入層20經由黏著劑層40貼合在一起。防映入層20為液晶化合物之配向固化層。於本發明之附防映入層之偏光板中,黏著劑層40之蠕變值為40 μm/h以上。藉由經由此種黏著劑層將偏光板10與防映入層20貼合,即便於高溫高濕環境下亦可抑制防映入層之剝離及褶皺之產生。於本說明書中,「配向固化層」係指液晶化合物於層內沿著特定之方向配向、且其配向狀態固定之層。再者,「配向固化層」係包括使液晶單體硬化而獲得之配向固化層之概念。代表性而言,防映入層20藉由於形成於防映入層用基材30之配向膜(未圖示)之表面塗佈包含液晶化合物之組合物,並使該塗佈層固化及/或硬化而成。
圖1係本發明之1個實施形態之附防映入層之偏光板之概略剖面圖。附防映入層之偏光板100依次具備:具有偏光元件11及設置於偏光元件11之一側之保護層12之偏光板10;防映入層20;以及防映入層用基材30。偏光板10之保護層12與防映入層20經由黏著劑層40貼合在一起。防映入層20為液晶化合物之配向固化層。於本發明之附防映入層之偏光板中,黏著劑層40之蠕變值為40 μm/h以上。藉由經由此種黏著劑層將偏光板10與防映入層20貼合,即便於高溫高濕環境下亦可抑制防映入層之剝離及褶皺之產生。於本說明書中,「配向固化層」係指液晶化合物於層內沿著特定之方向配向、且其配向狀態固定之層。再者,「配向固化層」係包括使液晶單體硬化而獲得之配向固化層之概念。代表性而言,防映入層20藉由於形成於防映入層用基材30之配向膜(未圖示)之表面塗佈包含液晶化合物之組合物,並使該塗佈層固化及/或硬化而成。
於本發明之另一實施形態中,附防映入層之偏光板進而具備防反射層及防反射層用基材(未圖示)。於該實施形態中,可於防映入層基材30之不與防映入層20接觸之側積層防反射層用基材,並於該防反射層用基材上積層防反射層。防反射層可直接形成於防反射層用基材。於本說明書中,「直接」係指不經由接著層。於一個實施形態中,防反射層用基材可於防反射層側之表面具有硬塗層及/或密接層(均未圖示)。該構成亦包括於「防反射層直接形成於基材」之形態中。可根據需要進而於防反射層之表面設置防污層(未圖示)。
圖示例中,僅於偏光元件11之一側設置有保護層12,但亦可根據目的於偏光元件11之與保護層12之相反側設置其他保護層。該情形時,可於偏光元件之兩側設置保護層,亦可省略保護層12而僅設置其他保護層。於僅設置其他保護層之情形時,防映入層用基材30可作為可視側保護層發揮功能。此外,亦可根據目的設置任意適當之功能層。作為功能層之代表例,可列舉相位差層及導電層。功能層之種類、數量、組合、配置位置、特性(例如,折射率特性、面內相位差、厚度方向相位差、Nz係數之類之光學特性)可根據目的合適地設定。於一個實施形態中,可於偏光元件11之與保護層12之相反側設置具有nx>ny>nz之折射率特性之第1相位差層(未圖示)。該情形時,較佳為於第1相位差層之與偏光元件之相反側進而設置具有nz>nx>ny之折射率特性之第2相位差層。第1相位差層可同時作為偏光元件之可視側及相反側之保護層。進而,可於偏光元件11之與保護層12之相反側設置導電層。藉由於此種位置設置導電層,附防映入層之偏光板可適宜地用於內觸控面板型輸入顯示裝置。該情形時,可存在相位差層,亦可不存在相位差層。以下,對各構成要素進行說明。
B.偏光板
偏光板10包括偏光元件11及於其一面上具備之保護層12。偏光板10之水分率例如為0.5重量%以上,較佳為0.6重量%以上,更佳為0.8重量%以上,進而較佳為1.0重量%以上。偏光板之水分率例如為2.0重量%以下。藉由使偏光板具有如此高之水分率,可顯著地抑制偏光板之吸濕膨脹。其結果,可顯著地抑制高溫高濕環境下之偏光板之尺寸變化(特別是偏光元件之吸收軸方向之尺寸變化)。附防映入層之偏光板進而具備防反射層之情形時,藉由調整防反射層之水分率,可利用協同效果,於附防映入層之偏光板中進而抑制高溫高濕環境下之防映入層(液晶化合物之配向固化層)之剝離及褶皺。進而,藉由使偏光板具有如此高之水分率,本發明之實施形態之附防映入層之偏光板即便於高溫高濕環境下發生捲曲,該捲曲之朝向亦與通常成為反向。其結果,即便本發明之實施形態之附防映入層之偏光板發生捲曲,亦可使對圖像顯示裝置附來之不良影響變小。如以上,藉由因偏光板具有較高之水分率引起之尺寸變化之抑制與捲曲之朝向之協同效果,附防映入層之偏光板於應用於圖像顯示裝置之情形時,可顯著地抑制高溫高濕環境下之翹曲、剝離、及/或顯示特性之降低。
偏光板10包括偏光元件11及於其一面上具備之保護層12。偏光板10之水分率例如為0.5重量%以上,較佳為0.6重量%以上,更佳為0.8重量%以上,進而較佳為1.0重量%以上。偏光板之水分率例如為2.0重量%以下。藉由使偏光板具有如此高之水分率,可顯著地抑制偏光板之吸濕膨脹。其結果,可顯著地抑制高溫高濕環境下之偏光板之尺寸變化(特別是偏光元件之吸收軸方向之尺寸變化)。附防映入層之偏光板進而具備防反射層之情形時,藉由調整防反射層之水分率,可利用協同效果,於附防映入層之偏光板中進而抑制高溫高濕環境下之防映入層(液晶化合物之配向固化層)之剝離及褶皺。進而,藉由使偏光板具有如此高之水分率,本發明之實施形態之附防映入層之偏光板即便於高溫高濕環境下發生捲曲,該捲曲之朝向亦與通常成為反向。其結果,即便本發明之實施形態之附防映入層之偏光板發生捲曲,亦可使對圖像顯示裝置附來之不良影響變小。如以上,藉由因偏光板具有較高之水分率引起之尺寸變化之抑制與捲曲之朝向之協同效果,附防映入層之偏光板於應用於圖像顯示裝置之情形時,可顯著地抑制高溫高濕環境下之翹曲、剝離、及/或顯示特性之降低。
B-1.偏光元件
代表性而言,偏光元件11由包含二色性物質之樹脂膜構成。
代表性而言,偏光元件11由包含二色性物質之樹脂膜構成。
作為樹脂膜,可採用可作為偏光元件使用之任意適當之樹脂膜。代表性而言,樹脂膜為聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)膜。
作為形成上述PVA系樹脂膜之PVA系樹脂,可使用任意適當之樹脂。例如,可列舉聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而獲得。乙烯-乙烯醇共聚物藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而獲得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%~100莫耳%,較佳為95.0莫耳%~99.95莫耳%,進而較佳為99.0莫耳%~99.93莫耳%。皂化度可按照JIS K 6726-1994求出。藉由使用此種皂化度之PVA系樹脂,可獲得耐久性優異之偏光元件。於皂化度過高之情形時,存在凝膠化之虞。
PVA系樹脂之平均聚合度可根據目的合適地選擇。平均聚合度通常為1000~10000,較佳為1200~4500,進而較佳為1500~4300。再者,平均聚合度可按照JIS K 6726-1994求出。
作為樹脂膜中所含之二色性物質,例如可列舉:碘、有機染料等。該等可單獨使用,或者組合兩種以上使用。較佳使用碘。
樹脂膜可為單層之樹脂膜,亦可為兩層以上之積層體。
作為由單層之樹脂膜構成之偏光元件之具體例,可列舉對PVA系樹脂膜實施利用碘之染色處理及延伸處理(代表性而言為單軸延伸)而成之偏光元件。上述利用碘之染色藉由例如將PVA系膜浸漬於碘水溶液中進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3~7倍。延伸可於染色處理後進行,亦可一面染色一面進行。另外,亦可於延伸後進行染色。根據需要對PVA系樹脂膜實施膨潤處理、交聯處理、清洗處理、乾燥處理等。例如,藉由於染色前將PVA系樹脂膜浸漬於水中進行水洗,不僅可將PVA系膜表面之污垢、或抗黏連劑清洗,而且可使PVA系樹脂膜膨潤而防止染色不均等。
作為使用積層體獲得之偏光元件之具體例,可列舉使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或者使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件可藉由下述方法製作:例如,將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材,使其乾燥,於樹脂基材上形成PVA系樹脂層,獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體;將該積層體延伸及染色,將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中,延伸代表性而言包括將積層體浸漬於硼酸水溶液中來進行延伸。進而,延伸根據需要可進而包括於硼酸水溶液中之延伸之前將積層體於高溫(例如,95℃以上)下進行空中延伸。獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即,將樹脂基材製成偏光元件之保護層),亦可將樹脂基材自樹脂基材/偏光元件之積層體剝離,於該剝離面上積層與目的相應之任意適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳細情況記載於例如日本專利特開2012-73580號公報中。可將該公報之全部記載作為參考引用至本說明書中。
偏光元件之厚度較佳為15 μm以下,更佳為1 μm~12 μm,進而較佳為3 μm~10 μm,特別較佳為3 μm~8 μm。若偏光元件之厚度為此種範圍,則可良好地抑制加熱時之捲曲,獲得良好之加熱時之外觀耐久性。進而,若偏光元件之厚度為此種範圍,則可有助於附防映入層之偏光板(作為結果,為圖像顯示裝置)之薄型化。
偏光元件較佳為於波長380 nm~780 nm中之任意波長下顯示出吸收二色性。偏光元件之單體透射率較佳為43.0%~46.0%,更佳為44.5%~46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上,更佳為99.0%以上,進而較佳為99.9%以上。
B-2.保護層
作為保護層12,可使用任意適當之樹脂膜。作為樹脂膜之形成材料,例如可列舉,(甲基)丙烯酸系樹脂、雙乙醯纖維素、三乙醯纖維素等纖維素系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等之共聚物樹脂等。再者,「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂和/或甲基丙烯酸系樹脂。
作為保護層12,可使用任意適當之樹脂膜。作為樹脂膜之形成材料,例如可列舉,(甲基)丙烯酸系樹脂、雙乙醯纖維素、三乙醯纖維素等纖維素系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等之共聚物樹脂等。再者,「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂和/或甲基丙烯酸系樹脂。
於一個實施形態中,作為上述(甲基)丙烯酸系樹脂,使用具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂。具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂(以下亦稱為戊二醯亞胺樹脂)記載於例如日本專利特開2006-309033號公報、日本專利特開2006-317560號公報、日本專利特開2006-328329號公報、日本專利特開2006-328334號公報、日本專利特開2006-337491號公報、日本專利特開2006-337492號公報、日本專利特開2006-337493號公報、日本專利特開2006-337569號公報、日本專利特開2007-009182號公報、日本專利特開2009-161744號公報、日本專利特開2010-284840號公報中。將該等記載作為參考引用至本說明書中。
保護層12之透濕度較佳為1.0 g/m2
/24 hr以下,更佳為0.8 g/m2
/24 hr以下,進而較佳為0.6 g/m2
/24 hr以下,特別較佳為0.4 g/m2
/24 hr以下。若保護層之透濕度為此種範圍,則可進而抑制高溫高濕環境下之尺寸變化,其結果,可進而抑制防映入層之剝離及褶皺。
保護層之厚度代表性而言為10 μm~100 μm,較佳為20 μm~40 μm。代表性而言,保護層經由接著層(具體而言,接著劑層、黏著劑層)積層於偏光元件。接著劑層代表性而言由PVA系接著劑、或活化能量線硬化型接著劑形成。黏著劑層代表性而言由丙烯酸系黏著劑形成。該丙烯酸系黏著劑可與後述之構成黏著劑層40之黏著劑相同,亦可不同。
C.防映入層
為了防止圖像顯示裝置之使用者之臉、圖像顯示裝置之鍵盤、外部光(例如,螢光燈)等之映入而設置防映入層。於本發明之實施形態中,防映入層20為液晶化合物之配向固化層。於本說明書中,「配向固化層」係指,液晶化合物於層內沿著特定之方向配向且其配向狀態固定之層。再者,「配向固化層」係包括使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。液晶化合物可為棒狀液晶化合物,可為盤狀(圓盤狀)液晶化合物,亦可為該等之組合。
為了防止圖像顯示裝置之使用者之臉、圖像顯示裝置之鍵盤、外部光(例如,螢光燈)等之映入而設置防映入層。於本發明之實施形態中,防映入層20為液晶化合物之配向固化層。於本說明書中,「配向固化層」係指,液晶化合物於層內沿著特定之方向配向且其配向狀態固定之層。再者,「配向固化層」係包括使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。液晶化合物可為棒狀液晶化合物,可為盤狀(圓盤狀)液晶化合物,亦可為該等之組合。
於一個實施形態中,防映入層包含盤狀液晶化合物。更詳細而言,防映入層係於使盤狀液晶化合物沿著特定之方向配向之狀態下固定化而得到之層。盤狀液晶化合物通常係指具有圓盤狀之分子結構之液晶化合物,所述圓盤狀之分子結構係將苯、1,3,5-三嗪、杯芳烴等之類之環狀母核配置於分子之中心,並將直鏈之烷基、烷氧基、取代苯甲醯氧基等作為其側鏈放射狀地取代而成之結構。作為盤狀液晶之代表例,可列舉於C.Destrade等之研究報告、Mol.Cryst.Liq.Cryst.71卷、111頁(1981年)中記載之苯衍生物、苯并菲衍生物、三聚茚衍生物、酞菁衍生物、或B.Kohne等之研究報告、Angew.Chem.96卷、70頁(1984年)中記載之環己烷衍生物、以及J.M.Lehn等之研究報告、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,1794頁(1985年)、J.Zhang等之研究報告、J.Am.Chem.Soc.116卷、2655頁(1994年)中記載之氮雜冠系、苯基乙炔系之大環。作為盤狀液晶化合物之其他具體例,可例如列舉日本專利特開2006-133652號公報、日本專利特開2007-108732號公報、日本專利特開2010-244038號公報、日本專利特開2014-214177號公報中記載之化合物。將上述文獻及公報之記載作為參考引用至本說明書。代表性而言,包含盤狀液晶化合物之防映入層可為具有nx=nz>ny之折射率特性之所謂之負型A板。
於另一實施形態中,防映入層包含棒狀液晶化合物。更詳細而言,於防映入層中,棒狀液晶化合物於沿著特定之方向(代表性地為慢軸方向)排列之狀態下進行了配向(均勻配向)。作為棒狀液晶化合物,例如可列舉液晶相為向列相之液晶化合物(向列液晶)。作為此種液晶化合物,例如可使用液晶聚合物、或液晶單體。液晶化合物之液晶性之顯現機理可為溶致,亦可為熱致,可為任一種。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用,亦可組合。作為液晶單體,可採用任意適當之液晶單體。例如可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171、及GB2280445等中記載之聚合性液晶原基化合物等。作為此種聚合性液晶原基化合物之具體例,例如可列舉BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體,例如較佳為向列型液晶單體。液晶化合物之具體例記載於例如日本專利特開2006-163343號公報中。將該公報之記載作為參考引用至本說明書。代表性而言,包含棒狀液晶化合物之防映入層可為具有nx>ny=nz之折射率特性之所謂之正A板。
防映入層代表性而言可作為λ/2板發揮功能。於防映入層作為λ/2板發揮功能之情形時,藉由控制其配向角(或慢軸方向),可良好地防止映入。此種防映入層之面內相位差Re(550)為220 nm~320 nm,更佳為240 nm~300 nm,進而較佳為250 nm~280 nm。此處,Re(550)係於23℃下用波長550 nm之光測定之面內相位差。將層(膜)之厚度設為d(nm)時,藉由Re(550)=(nx-ny)×d求出Re(550)。nx係面內之折射率成為最大之方向(即慢軸方向)上之折射率,ny係於面內與慢軸正交之方向(即快軸方向)之折射率。
防映入層20之慢軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度較佳為35°~55°,更佳為40°~50°,進而較佳為約45°。藉由將作為λ/2板發揮功能之防映入層以此種軸角度配置,可良好地防止映入。
防映入層之厚度較佳為1 μm~5 μm,更佳為1 μm~3 μm。根據本發明之實施形態,即便為如此薄之防映入層,亦可良好地抑制高溫高濕環境下之剝離及褶皺。
液晶化合物之配向中使用配向膜時,附防映入層之偏光板進而於防映入層20與防映入層用基材30之間具備配向膜。配向膜通常包含聚合物材料作為主成分。作為聚合物材料之代表例,可列舉聚乙烯醇、聚醯亞胺及該等之衍生物。於本發明之實施形態中,較佳為改性或未改性之聚乙烯醇。作為配向膜,可使用例如WO01/88574A1、日本專利第3907735號中記載之改性聚乙烯醇。代表性而言,對配向膜實施配向處理。作為配向處理之代表例,可列舉摩擦處理、光配向處理。摩擦處理於業界眾所周知,因此省略詳細之說明。作為經光配向處理之配向膜(光配向膜),例如可使用WO2005/096041中記載之配向膜、Rolic echnologies公司製造之商品名LPP-JP265CP等。配向膜之厚度例如為0.01 μm~10 μm,較佳為0.01 μm~1 μm,更佳為0.01 μm~0.5 μm。
防映入層例如可藉由以下之順序形成。首先,於防映入層用基材上塗佈配向膜形成用塗佈液,使其乾燥,形成塗佈膜。對該塗佈膜於特定之方向上實施摩擦處理,於防映入層用基材上形成配向膜。該特定之方向可以與獲得之防映入層之慢軸方向對應。繼而,於形成之配向膜上塗佈防映入層形成用塗佈液(例如,包含液晶化合物及根據需要使用之交聯性單體之溶液),並進行加熱。藉由加熱,將塗佈液之溶劑除去,並且促進液晶化合物之配向。加熱可以1階段進行,亦可改變溫度以多階段進行。繼而,藉由紫外線照射使交聯性(或聚合性)單體交聯(或聚合),將液晶化合物之配向固定化。如此,於防映入層用基材上(實質上於配向膜上)形成防映入層。再者,使盤狀液晶化合物配向之方法記載於例如日本專利特開2014-214177號公報中,使棒狀液晶化合物配向之方法記載於例如日本專利特開2006-163343號公報中。將該等公報之記載作為參考引用至本說明書中。再者,可根據期望之配向狀態及液晶化合物之種類等而省略配向膜。
D.防映入層用基材
防映入層用基材30用於形成防映入層20。作為防映入層用基材,使用任意適當之樹脂膜。作為樹脂膜之形成材料,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、藉由環烯烴(例如,降冰片烯)與α-烯烴(例如,乙烯)加聚而獲得之樹脂(COC)、三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、丙烯酸系樹脂等。
防映入層用基材30用於形成防映入層20。作為防映入層用基材,使用任意適當之樹脂膜。作為樹脂膜之形成材料,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂、降冰片烯系樹脂等環烯烴系樹脂、藉由環烯烴(例如,降冰片烯)與α-烯烴(例如,乙烯)加聚而獲得之樹脂(COC)、三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、丙烯酸系樹脂等。
防映入層用基材之厚度可根據目的適宜地設定。防映入層用基材之厚度代表性而言為20 μm~200 μm,較佳為25 μm~100 μm。
E.黏著劑層
黏著劑層40設置於偏光板10與防映入層20之間。於圖示例中,對於偏光板10與防映入層20而言,保護層12與防映入層20經由黏著劑層40積層在一起,但於偏光板10僅具有設置於與保護層12相反側之其他保護層之情形時,偏光元件10與防映入層20亦可經由黏著劑層40積層在一起。
黏著劑層40設置於偏光板10與防映入層20之間。於圖示例中,對於偏光板10與防映入層20而言,保護層12與防映入層20經由黏著劑層40積層在一起,但於偏光板10僅具有設置於與保護層12相反側之其他保護層之情形時,偏光元件10與防映入層20亦可經由黏著劑層40積層在一起。
於本發明之附防映入層之偏光板中,黏著劑層40之蠕變值為40 μm/h以上。藉由經由此種黏著劑層將偏光板10與防映入層20貼合,即便於高溫高濕環境下亦可抑制防映入層之剝離及褶皺之產生。黏著劑層40之蠕變值較佳為50 μm/h以上,更優選為60 μm/h以上。於黏著劑層之蠕變值未達40 μm/h之情形時,有時不能充分抑制防映入層之剝離及褶皺之產生。另外,黏著劑層之蠕變值例如為200 μm/h以下。
可以如下所述地測定黏著劑層之蠕變值。於包含保護層及偏光元件之偏光板之保護層上塗佈黏著劑組合物,形成黏著劑層,製作附黏著劑層之偏光板。將製作之偏光板切斷成寬10 mm×長50 mm。將切斷之附黏著劑層之偏光板中寬10 mm×長10 mm之部分經由黏著劑層黏貼於不鏽鋼板,繼而,於高壓釜(50℃、5氣壓)中處理了15分鐘後,於室溫下放置1小時。放置後,對附黏著劑層之偏光板之未黏貼於不鏽鋼板之側之端部於23℃下負載500 g之載荷(延伸載荷)1小時,使用雷射式蠕變試驗機測定施加載荷後之黏著劑層之偏移量(變形量),藉此可測定黏著劑層之蠕變值。
黏著劑層之蠕變值可藉由任意適當之方法調整。例如,可根據形成黏著劑層之黏著劑中之基礎聚合物之分子量、該黏著劑中之交聯劑之添加量等來調整。更具體而言,藉由使用分子量較高之聚合物作為該基礎聚合物、及/或增加該交聯劑之添加量,可減少黏著劑層之蠕變值。另外,藉由使用分子量較低之聚合物作為該基礎聚合物、及/或減少該交聯劑之添加量,可增加黏著劑層之蠕變值。
黏著劑層之厚度較佳為1 μm~50 μm,更佳為10 μm~40 μm。
作為形成黏著劑層之黏著劑,可使用任意適當之黏著劑。作為黏著劑,例如可列舉:丙烯酸系黏著劑、丙烯酸胺基甲酸酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、有機矽系黏著劑、有機無機混合系黏著劑等。就透明性及耐久性之觀點而言,較佳為丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系黏著劑例如可列舉:將(甲基)丙烯酸烷基酯中之1種或2種以上作為單體成分使用之丙烯酸系聚合物,即將具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例,可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸異癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯。其中,可較佳使用具有碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之含有比例相對於基礎聚合物100重量份較佳為60重量份以上,更佳為80重量份以上。
以凝聚力、耐熱性、交聯性等之改性為目的,根據需要,上述丙烯酸系聚合物亦可含有來自可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體成分之結構單元。作為此種單體成分,例如可列舉:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體;馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體等。
於一個實施形態中,作為上述單體成分,使用含羥基單體。作為含羥基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。於使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑之情形時,就高效地確保與異氰酸酯基之交聯點之觀點而言,該等之中,較佳為丙烯酸4-羥基丁酯。來自含羥基單體之結構單元之含有比例相對於基礎聚合物100重量份較佳為0.1重量份~10重量份,更佳為0.5重量份~2重量份。
作為交聯劑,例如可列舉:異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、過氧化物系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、尿素系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳化二亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。其中,較佳使用異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑及/或過氧化物系交聯劑。交聯劑可單獨使用,亦可組合2種以上使用。
作為上述異氰酸酯系交聯劑,可使用任意適當之交聯劑。作為異氰酸酯系交聯劑,例如可列舉:甲苯二異氰酸酯、氯亞苯基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、經氫化之二苯基甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體;使該等異氰酸酯單體與三羥甲基丙烷等多元醇加成而獲得之異氰酸酯化合物等。
作為上述環氧系交聯劑,可使用任意適當之交聯劑。作為環氧系交聯劑,可使用例如分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂,具體而言,可列舉二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基間二甲苯二胺、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚等。
作為上述過氧化物系交聯劑,可使用任意適當之交聯劑。作為過氧化物系交聯劑,例如可列舉:過氧化二苯甲醯、過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化新戊酸第三己酯、過氧化新戊酸第三丁酯等。
上述交聯劑之添加量相對於基礎聚合物100重量份較佳為0.01重量份~5重量份,更佳為0.02重量份~3重量份,進而較佳為0.1重量份~2.5重量份,特別較佳為0.4重量份~1重量份。若為此種範圍,則可形成具有適當之蠕變值之黏著劑層。
於一個實施形態中,形成上述黏著劑層之黏著劑可進而含有矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑,例如可列舉:3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基矽烷偶合劑;3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-三乙氧基甲矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等含胺基矽烷偶合劑;含(甲基)丙烯酸基矽烷偶合劑;含異氰酸酯基矽烷偶合劑等。
上述矽烷偶合劑之添加量相對於基礎聚合物100重量份較佳為0.01重量份~1重量份,更佳為0.05重量份~0.5重量份。
根據需要,上述黏著劑可進而含有任意適當之添加劑。作為該添加劑,例如可列舉:增黏劑、增塑劑、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材料、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑等。
F.防反射層用基材
F-1.防反射層用基材主體
防反射層用基材用於形成防反射層。如後文所述,藉由於防反射層用基材上形成防反射層,並將防反射層用基材/防反射層之積層體與偏光板貼合,不需要將偏光板供於防反射層形成製程(代表性而言為濺鍍)。
F-1.防反射層用基材主體
防反射層用基材用於形成防反射層。如後文所述,藉由於防反射層用基材上形成防反射層,並將防反射層用基材/防反射層之積層體與偏光板貼合,不需要將偏光板供於防反射層形成製程(代表性而言為濺鍍)。
防反射層用基材之形成材料及厚度與上述之防映入層用基材同樣。
於一個實施形態中,防反射層用基材之水分率例如為2.0重量%以上,較佳為2.4重量%以上,更佳為2.7重量%以上,進而較佳為3.0重量%以上,特別較佳為3.5重量%以上。防反射層用基材之水分率例如為5.0重量%以下。藉由使防反射層用基材具有如此高之水分率,可抑制高溫高濕環境下之防映入層(液晶化合物之配向固化層)之剝離及褶皺。於本說明書中,「防反射層用基材之水分率」係指,於J項中後述之製造方法中貼合防反射積層體時之防反射層用基材之水分率。
F-2.硬塗層
可於防反射層用基材之防反射層側之表面形成硬塗層。藉由形成硬塗層,具有鉛筆硬度提高之優點。此外,藉由適宜地調整硬塗層與防反射層之折射率差,可進而降低反射率。
可於防反射層用基材之防反射層側之表面形成硬塗層。藉由形成硬塗層,具有鉛筆硬度提高之優點。此外,藉由適宜地調整硬塗層與防反射層之折射率差,可進而降低反射率。
硬塗層較佳為具有充分之表面硬度、優異之機械之強度、及優異之光透射性。硬塗層只要具有此種期望之特性,則可由任意適當之樹脂形成。作為樹脂之具體例,可列舉熱固型樹脂、熱塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、二液混合型樹脂。較佳為紫外線硬化型樹脂,其原因在於,可以簡便之操作及高效率形成硬塗層。
作為紫外線硬化型樹脂之具體例,可列舉聚酯系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、醯胺系、有機矽系、環氧類之紫外線硬化型樹脂。於紫外線硬化型樹脂中含有紫外線硬化型之單體、低聚物、聚合物。作為較佳之紫外線硬化型樹脂,可列舉包含具有較佳為2個以上、更佳為3~6個紫外線聚合性官能基之丙烯酸系之單體成分或低聚物成分之樹脂組合物。代表而言於紫外線硬化型樹脂中調配有光聚合起始劑。
硬塗層可藉由任意適當之方法形成。例如,硬塗層可藉由於防反射層用基材上塗敷硬塗層形成用樹脂組合物並使其乾燥、對乾燥之塗敷膜照射紫外線而使其硬化來形成。
硬塗層之厚度例如為0.5 μm~20 μm,較佳為1 μm~15 μm。
關於硬塗層、以及硬塗層與防反射層之密接結構之詳細情況記載於例如日本專利特開2016-224443號公報中。將該公報之記載作為參考引用至本說明書中。
G.防反射層
作為防反射層之構成,可採用任意適宜之構成。作為防反射層之代表性構成,可列舉:(1)光學膜厚為120 nm~140 nm、且折射率為1.35~1.55左右之低折射率層之單一層;(2)就防反射層用基材側起依次具有中折射率層、高折射率層及低折射率層之積層體;(3)高折射率層與低折射率層之交替多層積層體。
作為防反射層之構成,可採用任意適宜之構成。作為防反射層之代表性構成,可列舉:(1)光學膜厚為120 nm~140 nm、且折射率為1.35~1.55左右之低折射率層之單一層;(2)就防反射層用基材側起依次具有中折射率層、高折射率層及低折射率層之積層體;(3)高折射率層與低折射率層之交替多層積層體。
作為可形成低折射率層之材料,例如可列舉:氧化矽(SiO2
)、氟化鎂(MgF2
)。低折射率層之折射率代表性而言為1.35~1.55左右。作為可形成高折射率層之材料,例如可列舉:氧化鈦(TiO2
)、氧化鈮(Nb2
O3
或Nb2
O5
)、摻雜錫氧化銦(ITO)、摻雜銻氧化錫(ATO)、ZrO2
-TiO2
。高折射率層之折射率代表性而言為1.60~2.20左右。作為可形成中折射率層之材料,例如可列舉:氧化鈦(TiO2
)、可形成低折射率層之材料與可形成高折射率層之材料之混合物(例如,氧化鈦與氧化矽之混合物)。中折射率層之折射率代表性而言為1.50~1.85左右。低折射率層、中折射率層及高折射率層之厚度可按照實現與防反射層之層結構、期望之防反射性能等相應之適宜之光學膜厚之方式來設定。
防反射層代表性而言藉由乾燥製程形成。作為乾燥製程之具體例,可列舉PVD(Physical Vapor Deposition)法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法。作為PVD法,可列舉真空蒸鍍法、反應性蒸鍍法、離子束輔助法、濺鍍法、離子鍍敷法。作為CVD法,可列舉等電漿CVD法。較佳為濺鍍法。
防反射層之厚度例如為20 nm~300 nm左右。
防反射層於波長400 nm~700 nm範圍中之最大反射率與最小反射率之差較佳為2.0%以下,更佳為1.9%以下,進而較佳為1.8%以下。只要最大反射率與最小反射率之差為此種範圍,則可良好地防止反射光之著色。
根據需要,可於防反射層之表面設置防污層。防污層例如包含:含氟矽烷系化合物(例如,具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物)或含氟有機化合物。較佳為防污層顯示出水接觸角為110度以上之拒水性。
H.第1相位差層
第1相位差層可由根據目的具有任意適宜之光學特性及/或機械特性之相位差膜構成。於一個實施形態中,第1相位差層可作為λ/2板發揮功能。藉由使第1相位差層作為λ/2板發揮功能,對於與作為λ/4板發揮功能之第2相位差層積層後之波長分散特性(特別是相位差偏離λ/4之波長範圍)合適地調節相位差。此種第1相位差層之面內相位差Re(550)較佳為220 nm~320 nm,更佳為240 nm~300 nm,進而較佳為250 nm~280 nm。
第1相位差層可由根據目的具有任意適宜之光學特性及/或機械特性之相位差膜構成。於一個實施形態中,第1相位差層可作為λ/2板發揮功能。藉由使第1相位差層作為λ/2板發揮功能,對於與作為λ/4板發揮功能之第2相位差層積層後之波長分散特性(特別是相位差偏離λ/4之波長範圍)合適地調節相位差。此種第1相位差層之面內相位差Re(550)較佳為220 nm~320 nm,更佳為240 nm~300 nm,進而較佳為250 nm~280 nm。
第1相位差層之厚度可按照作為λ/2板最合適地發揮功能之方式設定。換言之,厚度可按照獲得期望之面內相位差之方式設定。具體而言,厚度較佳為10 μm~60 μm,更佳為30 μm~50 μm。
較佳為第1相位差層之折射率特性顯示出nx>ny>nz之關係。第1相位差層之Nz係數較佳為1.1~3.0,更佳為1.3~2.7。Nz係數藉由Nz=Rth/Re求出。Rth為厚度方向之相位差,例如,Rth(550)係於23℃下用波長550 nm之光測定之厚度方向之相位差,Rth(550)藉由Rth=(nx-nz)×d求出,nz為厚度方向之折射率。
第1相位差層可按照其慢軸與偏光元件之吸收軸形成較佳為10°~20°、更佳為12°~18°、進而較佳為約15°之角度之方式進行配置。再者,於本說明書中,提及角度時,包括順時針及逆時針此兩者。
第1相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10-11
m2
/N以下、更佳為2.0×10-13
m2
/N~1.5×10-11
m2
/N、進而較佳為1.0×10-12
m2
/N~1.2×10-11
m2
/N之樹脂。若光彈性係數之絕對值為此種範圍,則於加熱時產生收縮應力之情形時不易發生相位差變化。因此,藉由使用具有此種光彈性係數之絕對值之樹脂形成第1相位差層,於將附防映入層之偏光板應用於圖像顯示裝置之情形時可良好地防止熱不均。
第1相位差層可顯示出相位差值與測定光之波長相應地變大之逆分散波長特性,亦可顯示出相位差值與測定光之波長相應地變小之正之波長分散特性,亦可顯示出相位差值幾乎不隨著測定光之波長而變化之平坦之波長分散特性。較佳顯示出平坦之波長分散特性。具體而言,第1相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.99~1.03,Re(650)/Re(550)較佳為0.98~1.02。藉由以特定之軸角度配置具有平坦之波長分散特性之λ/2板(第1相位差層)及λ/4板(第2相位差層),可獲得與理想之逆波長分散特性相近之特性,其結果,可實現非常優異之防反射特性。
第1相位差層可由能夠滿足如上所述之特性之任意適宜之樹脂膜構成。作為此種樹脂之代表例,可列舉環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。其中,可合適地使用環狀烯烴系樹脂。第1相位差層藉由例如對由上述樹脂形成之膜進行延伸而獲得。對於環狀烯烴系樹脂及樹脂膜之延伸方法(相位差膜之形成方法)之詳細內容,記載於例如日本專利特開2015-210459號公報、日本專利特開2016-105166號公報中。將該公報之記載作為參考引用至本說明書中。
I.第2相位差層
第2相位差層可由根據目的具有任意適宜之光學特性及/或機械特性之相位差膜構成。於第1相位差層作為λ/2板發揮功能之情形時,第2相位差層可代表性地作為λ/4板發揮功能。根據作為上述λ/2板發揮功能之第1相位差層之光學特性對作為λ/4板發揮功能之第2相位差層之波長分散特性進行補正,藉此可發揮於寬波長範圍內之圓偏光功能。此種第2相位差層之面內相位差Re(550)較佳為100 nm~180 nm,更佳為110 nm~170 nm,進而較佳為120 nm~160 nm。
第2相位差層可由根據目的具有任意適宜之光學特性及/或機械特性之相位差膜構成。於第1相位差層作為λ/2板發揮功能之情形時,第2相位差層可代表性地作為λ/4板發揮功能。根據作為上述λ/2板發揮功能之第1相位差層之光學特性對作為λ/4板發揮功能之第2相位差層之波長分散特性進行補正,藉此可發揮於寬波長範圍內之圓偏光功能。此種第2相位差層之面內相位差Re(550)較佳為100 nm~180 nm,更佳為110 nm~170 nm,進而較佳為120 nm~160 nm。
第2相位差層之厚度可按照作為λ/4板最合適地發揮功能之方式來進行設定。換言之,厚度可按照期望之面內相位差之方式來進行設定。具體而言,厚度較佳為10 μm~50 μm,更佳為20 μm~40 μm。
較佳第2相位差層之折射率特性顯示出nz>nx>ny之關係。第2相位差層之Nz係數較佳為-10~-0.1,更佳為-5~-1。
第2相位差層可按照其慢軸與偏光元件之吸收軸形成較佳為70°~80°、更佳為72°~78°、進而較佳為約75°之角度之方式進行配置。
第2相位差層可由能夠滿足如上所述之特性之任意適宜之樹脂膜構成。代表性而言,此種樹脂可為具有負固有雙折射之聚合物。具有負固有雙折射之聚合物係指,於藉由延伸等使聚合物配向之情形時,其配向方向之折射率相對變小之聚合物。作為具有負固有雙折射之聚合物,例如可列舉:將芳香族基、或羰基等極化之各向異性較大之化學鍵、或官能基導入聚合物之側鏈而成之聚合物。作為具體例,可列舉改性聚烯烴系樹脂(例如,改性聚乙烯系樹脂)、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、富馬酸酯系樹脂等。第2相位差層可藉由例如對由上述樹脂形成之膜合適地進行延伸而獲得。
J.附防映入層之偏光板之製造方法
本發明之1個實施形態之附防映入層之偏光板之製造方法包括下述步驟:製造包含偏光元件及保護層之偏光元件積層體(偏光板);於防映入層用基材上形成防映入層,製作防映入積層體;以及將該偏光元件積層體及該防映入積層體貼合。於附防映入層之偏光板進而包含防反射層及防反射層用基材之情形時,附防映入層之偏光板之製造方法進而包括下述步驟:於防反射層用基材上形成防反射層,製作防反射積層體;以及將上述偏光元件積層體及防映入積層體與該防反射積層體貼合。
本發明之1個實施形態之附防映入層之偏光板之製造方法包括下述步驟:製造包含偏光元件及保護層之偏光元件積層體(偏光板);於防映入層用基材上形成防映入層,製作防映入積層體;以及將該偏光元件積層體及該防映入積層體貼合。於附防映入層之偏光板進而包含防反射層及防反射層用基材之情形時,附防映入層之偏光板之製造方法進而包括下述步驟:於防反射層用基材上形成防反射層,製作防反射積層體;以及將上述偏光元件積層體及防映入積層體與該防反射積層體貼合。
偏光元件積層體可藉由任意適宜之方法來製作。於使用由單層之樹脂膜構成之偏光元件之情形時,將偏光元件與構成保護層之樹脂膜藉由任意適宜之接著層(接著劑層或黏著劑層)貼合即可。於使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體之情形時,可將該積層體供於染色及延伸處理,將PVA系樹脂層製成偏光元件,並將該積層體直接作為偏光元件積層體使用。或者,可於該積層體之偏光元件表面貼合構成保護層之樹脂膜而使用。於該情形時,樹脂基材可剝離,亦可不剝離。於使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件之情形時,可如上述B-1項中所記載地(例如,如日本專利特開2012-73580號公報中所記載地)製作樹脂基材/偏光元件之積層體,並將該積層體直接作為偏光元件積層體。或者,可於該積層體之偏光元件表面貼合構成保護層之樹脂膜而使用。於該情形時,樹脂基材可剝離,亦可不剝離。
防映入積層體可藉由防映入層用基材上形成防映入層而製作。防映入層之形成順序如上述C項中所記載。
防反射積層體藉由於防反射層用基材上形成防反射層而製作。於形成防反射層時,可根據需要對防反射層用基材預先實施表面處理。作為表面處理,例如可列舉:低壓電漿處理、紫外線照射處理、電暈處理、火焰處理、酸或鹼處理。或者可於防反射層用基材表面形成例如包含SiOx之密接層。如上所述,防反射層代表性而言藉由乾燥製程(例如,濺鍍)形成。例如,於防反射層為高折射率層與低折射率層之交替多層積層體之情形時,可藉由濺鍍於防反射層用基材表面依次製膜例如Nb2
O5
膜(高折射率層)、SiO2
膜(低折射率層)、Nb2
O5
膜(高折射率層)、及SiO2
膜(低折射率層),從而形成防反射層。
最後,可藉由將偏光元件積層體、防映入積層體、根據需要使用之防反射積層體貼合而獲得附防映入層之偏光板。於附防映入層之偏光板進而包含防反射層及防反射層用基材之情形時,可將防反射積層體與防映入積層體/偏光元件積層體之積層體貼合,亦可將防反射積層體/防映入積層體之積層體與偏光元件積層體貼合。附防映入層之偏光板可藉由例如於偏光元件積層體之保護層表面經由上述黏著劑層貼合防映入積層體之防映入層而獲得。另外,於附防映入層之偏光板進而具備防反射層之情形時,可於將偏光元件積層體與防映入層積層體貼合後,繼而於防映入層用基材之表面經由任意適宜之接著層(例如,接著劑層、黏著劑層)貼合防反射積層體之防反射層用基材而獲得。
K.圖像顯示裝置
本發明之實施形態之附防映入層之偏光板可適用於圖像顯示裝置。代表性而言,可按照使防映入層成為可視側之方式配置於圖像顯示裝置之可視側。另外,於附防映入層之偏光板進而具備防反射層之情形時,附防映入層之偏光板可按照使防反射層成為可視側之方式配置於圖像顯示裝置之可視側。作為圖像顯示裝置之代表例,可列舉液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置、量子點顯示裝置。
本發明之實施形態之附防映入層之偏光板可適用於圖像顯示裝置。代表性而言,可按照使防映入層成為可視側之方式配置於圖像顯示裝置之可視側。另外,於附防映入層之偏光板進而具備防反射層之情形時,附防映入層之偏光板可按照使防反射層成為可視側之方式配置於圖像顯示裝置之可視側。作為圖像顯示裝置之代表例,可列舉液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置、量子點顯示裝置。
實施例
以下,藉由實施例具體地說明本發明,但本發明並不限定於該等實施例。再者,各特性之測定方法如下所述。
以下,藉由實施例具體地說明本發明,但本發明並不限定於該等實施例。再者,各特性之測定方法如下所述。
(1)黏著劑層之蠕變值
將切斷成寬10 mm×長50 mm之測定試樣之端部(寬10 mm×長10 mm)經由黏著劑層黏貼於不鏽鋼板,以50℃、5大氣壓進行15分鐘之高壓釜處理後,於室溫下放置1小時後,對與黏貼於不鏽鋼板之端部相反側之端部測定於23℃下負載500 g之載荷(延伸負載)1小時之時黏著劑層之偏移量(變形量),將其作為黏著劑層之蠕變值(雷射式蠕變試驗機)。
將切斷成寬10 mm×長50 mm之測定試樣之端部(寬10 mm×長10 mm)經由黏著劑層黏貼於不鏽鋼板,以50℃、5大氣壓進行15分鐘之高壓釜處理後,於室溫下放置1小時後,對與黏貼於不鏽鋼板之端部相反側之端部測定於23℃下負載500 g之載荷(延伸負載)1小時之時黏著劑層之偏移量(變形量),將其作為黏著劑層之蠕變值(雷射式蠕變試驗機)。
(2)剝離及褶皺
將實施例及比較例中獲得之附防映入層之偏光板以偏光元件之吸收軸方向為短邊之方式切出300 mm×180 mm,與玻璃板貼合,作為測定試樣。將該測定試樣於加濕條件下(65℃及90%RH之烘箱)放置72小時,用肉眼確認各試樣之四個角之剝離及褶皺之有無。於發生剝離及褶皺之情形時,用尺子測量自各角之頂點至剝離及褶皺為止之距離(R)。將於四個角測定之距離(R)之平均值作為偏光板之距離(R)。於距離(R)為5 mm以下之情形時,可耐受實際使用。
將實施例及比較例中獲得之附防映入層之偏光板以偏光元件之吸收軸方向為短邊之方式切出300 mm×180 mm,與玻璃板貼合,作為測定試樣。將該測定試樣於加濕條件下(65℃及90%RH之烘箱)放置72小時,用肉眼確認各試樣之四個角之剝離及褶皺之有無。於發生剝離及褶皺之情形時,用尺子測量自各角之頂點至剝離及褶皺為止之距離(R)。將於四個角測定之距離(R)之平均值作為偏光板之距離(R)。於距離(R)為5 mm以下之情形時,可耐受實際使用。
<合成例1>黏著劑1之合成
將丙烯酸丁酯100份、丙烯酸5份、丙烯酸2-羥基乙基酯0.075份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,製備溶液。繼而,一面於該溶液中吹入氮氣一面進行攪拌,於60℃下反應4小時,獲得含有重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液。進而於該含有丙烯酸系聚合物之溶液中添加乙酸乙酯,獲得將固體成分濃度調整為30%之丙烯酸系聚合物溶液(A1)。
相對於獲得之丙烯酸系聚合物溶液(A1)之固體成分100份,依次調配作為交聯劑之以0.6份之具有異氰酸酯基之化合物為主成分之交聯劑(日本聚胺酯股份有限公司製造,商品名「Coronate L」)、及作為矽烷偶合劑之0.075份之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業股份有限公司製造,商品名「KMB-403」),製備黏著劑1。
將丙烯酸丁酯100份、丙烯酸5份、丙烯酸2-羥基乙基酯0.075份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,製備溶液。繼而,一面於該溶液中吹入氮氣一面進行攪拌,於60℃下反應4小時,獲得含有重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液。進而於該含有丙烯酸系聚合物之溶液中添加乙酸乙酯,獲得將固體成分濃度調整為30%之丙烯酸系聚合物溶液(A1)。
相對於獲得之丙烯酸系聚合物溶液(A1)之固體成分100份,依次調配作為交聯劑之以0.6份之具有異氰酸酯基之化合物為主成分之交聯劑(日本聚胺酯股份有限公司製造,商品名「Coronate L」)、及作為矽烷偶合劑之0.075份之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業股份有限公司製造,商品名「KMB-403」),製備黏著劑1。
<合成例2>黏著劑2之合成
將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,於氮氣氣流下,於60℃下反應4小時。繼而,於反應液中添加乙酸乙酯,獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30%)。
將相對於100份獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固體成分為0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂製股份有限公司製造,商品名:NYPER BO-Y)、0.08份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學股份有限公司製造,商品名:Takenate D110N)及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造,商品名:A-100,含乙醯乙醯基矽烷偶合劑)添加至丙烯酸系聚合物溶液中,製備黏著劑2。
將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,於氮氣氣流下,於60℃下反應4小時。繼而,於反應液中添加乙酸乙酯,獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30%)。
將相對於100份獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固體成分為0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂製股份有限公司製造,商品名:NYPER BO-Y)、0.08份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學股份有限公司製造,商品名:Takenate D110N)及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造,商品名:A-100,含乙醯乙醯基矽烷偶合劑)添加至丙烯酸系聚合物溶液中,製備黏著劑2。
<合成例3>黏著劑3之合成
將相對於100份丙烯酸系聚合物溶液之固體成分為0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂股份有限公司製造,商品名:NYPER BO-Y)、0.02份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學股份有限公司製造,商品名:Takenate D110N)及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造,商品名:A-100,含乙醯乙醯基矽烷偶合劑)添加至丙烯酸系聚合物溶液中,除此以外,與合成例2同樣地製備黏著劑3。
將相對於100份丙烯酸系聚合物溶液之固體成分為0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂股份有限公司製造,商品名:NYPER BO-Y)、0.02份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學股份有限公司製造,商品名:Takenate D110N)及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造,商品名:A-100,含乙醯乙醯基矽烷偶合劑)添加至丙烯酸系聚合物溶液中,除此以外,與合成例2同樣地製備黏著劑3。
<合成例4>黏著劑組合物4之合成
將丙烯酸丁酯81.9份、丙烯酸苄酯13份、丙烯酸5份、丙烯酸4-羥基丁酯0.1份及作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,一面緩慢攪拌一面導入氮氣,進行氮置換。繼而,將燒瓶內之液溫保持於55℃附近,進行8小時之聚合反應,製備丙烯酸系聚合物溶液。
相對於獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份,將0.45份之異氰酸酯交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造,商品名:Coronate L,三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯之加合物)、0.1份之過氧化苯甲醯(日本油脂股份有限公司製造,商品名:NYPER BMT)以及0.1份之矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造,商品名:KBM403)添加至丙烯酸系聚合物溶液,製備黏著劑4。
將丙烯酸丁酯81.9份、丙烯酸苄酯13份、丙烯酸5份、丙烯酸4-羥基丁酯0.1份及作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起加入至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,一面緩慢攪拌一面導入氮氣,進行氮置換。繼而,將燒瓶內之液溫保持於55℃附近,進行8小時之聚合反應,製備丙烯酸系聚合物溶液。
相對於獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份,將0.45份之異氰酸酯交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造,商品名:Coronate L,三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯之加合物)、0.1份之過氧化苯甲醯(日本油脂股份有限公司製造,商品名:NYPER BMT)以及0.1份之矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造,商品名:KBM403)添加至丙烯酸系聚合物溶液,製備黏著劑4。
[實施例1]
1.偏光板(偏光元件積層體)之製作
作為樹脂基材,使用長條狀且吸水率為0.75%、Tg為75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯(IPA共聚PET)膜(厚度:100 μm)。對基材之單面實施電暈處理,並對該電暈處理面於25℃塗佈以9:1之比例包含聚乙烯醇(聚合度4200、皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙酸改性PVA(聚合度1200、乙醯乙酸改性度4.6%、皂化度99.0莫耳%以上,日本合成化學工業股份有限公司製造,商品名「GOHSEFIMER Z200」)之水溶液並進行乾燥,形成厚度11 μm之PVA系樹脂層,製作積層體。
將所得到之積層體於120℃之烘箱內於圓周速度不同之輥間進行沿縱向(長度方向)延伸至2.0倍之自由端單向延伸(氣體環境中之輔助延伸)。
繼而,將積層體於液溫30℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配硼酸4重量份而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(不溶化處理)。
繼而,於液溫30℃之染色浴中,一面以使偏光板達到特定透射率之方式調整碘濃度、浸漬時間,一面進行浸漬。於本實施例中,於相對於水100重量份調配碘0.2重量份、並調配碘化鉀1.5重量份而獲得之碘水溶液中浸漬60秒鐘(染色處理)。
繼而,於液溫30℃之交聯浴(相對於水100重量份調配碘化鉀3重量份、並調配硼酸而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(交聯處理)。
繼而,一面將積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於水100重量份調配硼酸4重量份、並調配碘化鉀而獲得之水溶液)中,一面於圓周速度不同之輥間沿著縱向(長度方向)以使總延伸倍率達到5.5倍之方式進行單向延伸(水中延伸)。
然後,將積層體浸漬於液溫30℃之清洗浴(相對於水100重量份調配碘化鉀4重量份而獲得之水溶液)中(清洗處理)。
繼而,於積層體之PVA系樹脂層(偏光元件)表面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製造,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%),並貼合構成保護層之甲基丙烯酸樹脂膜(厚度:25 μm、具有戊二醯亞胺結構),將其於保持為60℃之烘箱中加熱5分鐘。然後,將樹脂基材自PVA系樹脂層剝離。繼而,於積層體之PVA系樹脂層表面(樹脂基材剝離面)塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製造,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%),並貼合構成保護層之甲基丙烯酸樹脂膜(厚度:40 μm,具有戊二醯亞胺結構),將其於保持為60℃之烘箱中加熱5分鐘。如此方式,獲得偏光元件積層體(具有保護層/偏光元件/保護層之構成之偏光板)。再者,偏光元件之厚度為5 μm、單體透射率為42.3%。
1.偏光板(偏光元件積層體)之製作
作為樹脂基材,使用長條狀且吸水率為0.75%、Tg為75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯(IPA共聚PET)膜(厚度:100 μm)。對基材之單面實施電暈處理,並對該電暈處理面於25℃塗佈以9:1之比例包含聚乙烯醇(聚合度4200、皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙酸改性PVA(聚合度1200、乙醯乙酸改性度4.6%、皂化度99.0莫耳%以上,日本合成化學工業股份有限公司製造,商品名「GOHSEFIMER Z200」)之水溶液並進行乾燥,形成厚度11 μm之PVA系樹脂層,製作積層體。
將所得到之積層體於120℃之烘箱內於圓周速度不同之輥間進行沿縱向(長度方向)延伸至2.0倍之自由端單向延伸(氣體環境中之輔助延伸)。
繼而,將積層體於液溫30℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配硼酸4重量份而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(不溶化處理)。
繼而,於液溫30℃之染色浴中,一面以使偏光板達到特定透射率之方式調整碘濃度、浸漬時間,一面進行浸漬。於本實施例中,於相對於水100重量份調配碘0.2重量份、並調配碘化鉀1.5重量份而獲得之碘水溶液中浸漬60秒鐘(染色處理)。
繼而,於液溫30℃之交聯浴(相對於水100重量份調配碘化鉀3重量份、並調配硼酸而獲得之硼酸水溶液)中浸漬30秒鐘(交聯處理)。
繼而,一面將積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於水100重量份調配硼酸4重量份、並調配碘化鉀而獲得之水溶液)中,一面於圓周速度不同之輥間沿著縱向(長度方向)以使總延伸倍率達到5.5倍之方式進行單向延伸(水中延伸)。
然後,將積層體浸漬於液溫30℃之清洗浴(相對於水100重量份調配碘化鉀4重量份而獲得之水溶液)中(清洗處理)。
繼而,於積層體之PVA系樹脂層(偏光元件)表面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製造,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%),並貼合構成保護層之甲基丙烯酸樹脂膜(厚度:25 μm、具有戊二醯亞胺結構),將其於保持為60℃之烘箱中加熱5分鐘。然後,將樹脂基材自PVA系樹脂層剝離。繼而,於積層體之PVA系樹脂層表面(樹脂基材剝離面)塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製造,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%),並貼合構成保護層之甲基丙烯酸樹脂膜(厚度:40 μm,具有戊二醯亞胺結構),將其於保持為60℃之烘箱中加熱5分鐘。如此方式,獲得偏光元件積層體(具有保護層/偏光元件/保護層之構成之偏光板)。再者,偏光元件之厚度為5 μm、單體透射率為42.3%。
2.防映入積層體
於作為防映入層用基材之柯尼卡美能達股份有限公司製造之TAC膜(產品名:KC4UY,厚度:40 μm)之單面按照日本專利特開2014-214177號公報之<實施例1>中記載之方法形成配向膜及液晶化合物之配向固化層(防映入層),製作防映入積層體。再者,防映入層以面內相位差Re(550)為270 nm且其慢軸相對於偏光元件之吸收軸形成45°之角度之方式形成。
於作為防映入層用基材之柯尼卡美能達股份有限公司製造之TAC膜(產品名:KC4UY,厚度:40 μm)之單面按照日本專利特開2014-214177號公報之<實施例1>中記載之方法形成配向膜及液晶化合物之配向固化層(防映入層),製作防映入積層體。再者,防映入層以面內相位差Re(550)為270 nm且其慢軸相對於偏光元件之吸收軸形成45°之角度之方式形成。
3.防反射積層體之製作
藉由硬塗處理於柯尼卡美能達股份有限公司製造之TAC膜(產品名:KC2UA,厚度:25 μm)之單面形成硬塗(HC)層(厚度:7 μm),藉此獲得HC-TAC膜(厚度:32 μm)。將該HC-TAC膜作為防反射層用基材使用。於防反射層用基材之HC層表面藉由濺鍍形成包含SiOx之密接層(厚度:10 nm),進而於該密接層上依次製膜Nb2 O5 膜(高折射率層)、SiO2 膜(低折射率層)、Nb2 O5 膜(高折射率層)、及SiO2 膜(低折射率層),藉此形成防反射層(厚度或光學膜厚:200 nm)。此外,於防反射層上形成包含具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物之防污層(厚度:10 nm),製作防反射積層體。
藉由硬塗處理於柯尼卡美能達股份有限公司製造之TAC膜(產品名:KC2UA,厚度:25 μm)之單面形成硬塗(HC)層(厚度:7 μm),藉此獲得HC-TAC膜(厚度:32 μm)。將該HC-TAC膜作為防反射層用基材使用。於防反射層用基材之HC層表面藉由濺鍍形成包含SiOx之密接層(厚度:10 nm),進而於該密接層上依次製膜Nb2 O5 膜(高折射率層)、SiO2 膜(低折射率層)、Nb2 O5 膜(高折射率層)、及SiO2 膜(低折射率層),藉此形成防反射層(厚度或光學膜厚:200 nm)。此外,於防反射層上形成包含具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物之防污層(厚度:10 nm),製作防反射積層體。
4.附防映入層之偏光板之製作
於偏光元件積層體(偏光板)之40 μm保護層面上,以乾燥後之厚度成為20 μm之方式塗佈合成例1中獲得之黏著劑1,並貼合防映入積層體之防映入層。於獲得之積層體之防映入層用基材之表面,以乾燥後之厚度成為20 μm之方式塗佈黏著劑1,並將防反射積層體之HC-TAC膜貼合,獲得進而包含防反射層之附防映入層之偏光板。將獲得之附防映入層之偏光板供於上述(1)及(2)之評價,將結果示於表1。
於偏光元件積層體(偏光板)之40 μm保護層面上,以乾燥後之厚度成為20 μm之方式塗佈合成例1中獲得之黏著劑1,並貼合防映入積層體之防映入層。於獲得之積層體之防映入層用基材之表面,以乾燥後之厚度成為20 μm之方式塗佈黏著劑1,並將防反射積層體之HC-TAC膜貼合,獲得進而包含防反射層之附防映入層之偏光板。將獲得之附防映入層之偏光板供於上述(1)及(2)之評價,將結果示於表1。
[實施例2]
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例2中獲得之黏著劑2,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將獲得之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例2中獲得之黏著劑2,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將獲得之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
[實施例3]
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例3中獲得之黏著劑3,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將得到之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例3中獲得之黏著劑3,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將得到之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
[實施例4]
作為防映入用基材,使用丙烯酸系樹脂膜(厚度:40 μm)代替TAC膜,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。
作為防映入用基材,使用丙烯酸系樹脂膜(厚度:40 μm)代替TAC膜,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。
[實施例5]
作為防映入用基材,使用環烯烴系樹脂膜(厚度:40 μm)代替TAC膜,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。
作為防映入用基材,使用環烯烴系樹脂膜(厚度:40 μm)代替TAC膜,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。
(比較例1)
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例4中獲得之黏著劑4,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將獲得之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
於防映入層積層體與偏光元件積層體貼合時使用合成例4中獲得之黏著劑4,除此以外,與實施例1同樣地製作附防映入層之偏光板。將獲得之偏光板供於與實施例1同樣之評價。將結果示於表1。
[表1]
根據表1可明確,本發明之實施例之附防映入層之偏光板於高溫高濕環境下防映入層之剝離及褶皺之產生率或平均長均較比較例相比顯著抑制。
[產業上之可利用性]
[產業上之可利用性]
本發明之附防映入層之偏光板適用於液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、量子點顯示裝置之類之圖像顯示裝置。
10‧‧‧偏光板
11‧‧‧偏光元件
12‧‧‧保護層
20‧‧‧防映入層
30‧‧‧防映入層用基材
40‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧附防映入層之偏光板
圖1係本發明之1個實施形態之附防映入層之偏光板之概略剖面圖。
Claims (5)
- 一種附防映入層之偏光板,其具備: 具有偏光元件及設置於該偏光元件之一側之保護層之偏光板; 貼合於該保護層之作為液晶化合物之配向固化層之防映入層; 防映入層用基材;以及 設置於該偏光板與該防映入層之間之黏著劑層,且 該黏著劑層之蠕變值為40 μm/h以上。
- 如請求項1之附防映入層之偏光板,其中 於上述防映入層與上述防映入層用基材之間進而具備配向膜,該配向膜包含聚乙烯醇系樹脂。
- 如請求項1或2之附防映入層之偏光板,其中 上述黏著劑層之厚度為10 μm~40 μm。
- 如請求項1或2之附防映入層之偏光板,其中 於上述防映入層用基材上進而積層有防反射層及防反射層用基材。
- 如請求項3之附防映入層之偏光板,其中 於上述防映入層用基材上進而積層有防反射層及防反射層用基材。
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