TW201943658A - 用於加熱熔融材料的設備 - Google Patents

Abstract

設備可包含一容器，該容器包含藉由一底壁之一內表面及一側壁之一內表面限定的一圍阻區。一第一及第二電極中之每一者的一部分可定位在該側壁之一各別第一及第二貫穿開口內。在一些實施例中，限定該底壁之該內表面之一部分的一壁材料可包含在1500℃至1600℃之一溫度範圍內在約200歐姆•公分至625 歐姆•公分之一範圍內的60 Hz下之一電阻率。在一些實施例中，該壁材料與一熔融材料之間的一1600℃電阻率比可在約1.0至約3.0之一範圍內。在一些實施例中，一冷卻裝置可接觸該側壁之一部分之一外表面。

Description

用於加熱熔融材料的設備

相關申請案之交互參照

本申請案根據專利法主張在2018年4月6日申請之美國臨時申請案第62/653886號的優先權權益，該美國臨時申請案之內容係可靠的且以全文引用的方式併入本文中。

本發明大體上係關於用於加熱熔融材料的設備，且更特別地，係關於具有電極的用於加熱熔融材料的設備。

加熱容器之內部內的材料以產生一些熔融材料且將該熔融材料加熱至一預定溫度係已知的。習知技術包括藉由使電經由該熔融材料自該第一電極傳遞至該第二電極來加熱該熔融材料。

下文呈現本發明之一簡要概述以提供對在實施方式中描述的一些實施例之基本瞭解。

在一些實例實施例中，一種用於加熱熔融材料的設備可包含一容器，該容器包含一底壁及自該底壁延伸之一側壁。該底壁之一內表面及該側壁之一內表面可限定該容器之一圍阻區。該設備可進一步包括一第一電極，該第一電極包含定位在該側壁之一第一貫穿開口內之一部分。該設備亦可包括一第二電極，該第二電極包含定位在該側壁之一第二貫穿開口內之一部分。一壁材料可限定該底壁之該內表面之一部分，且可包含在1500℃至1600℃之一溫度範圍內在60 Hz下之約200歐姆•公分至625 歐姆•公分之一範圍內的一電阻率。

在其他實例實施例中，一種用於加熱熔融材料的設備可包含一容器，該容器包含一底壁及自該底壁延伸之一側壁。該底壁之一內表面及該側壁之一內表面可限定該容器之一圍阻區。該設備可進一步包括定位在該圍阻區內之熔融材料。該設備亦可包括一第一電極，該第一電極包含定位在該側壁之一第一貫穿開口內之一部分。該第一電極之一外部末端可接觸該熔融材料。該設備仍亦可包括一第二電極，該第二電極包含定位在該側壁之一第二貫穿開口內之一部分。該第二電極之一外部末端亦可接觸該熔融材料。一壁材料可限定該底壁之該內表面之一部分。該壁材料與該熔融材料之間的一1600℃電阻率比在約1.0至約3.0之一範圍內。

在一些實施例中，該壁材料可包含在1500℃至1600℃之一溫度範圍內在60 Hz下之約200歐姆•公分至625 歐姆•公分之一範圍內的一電阻率。

在一些實施例中，該壁材料可限定連接該第一貫穿開口與該第二貫穿開口之一完整路徑之一內表面。

在一些實施例中，該側壁可包含一側壁部分，該側壁部分在高度上限定在該底壁之一標高與該第一貫穿開口之一下部周邊的一標高之間。

在一些實施例中，該設備可進一步包含一冷卻裝置，該冷卻裝置接觸該側壁部分之一外表面。

在一些實施例中，該冷卻裝置可包含一板。

在一些實施例中，該設備可進一步包含一棒，該棒經定位以在朝向該側壁部分之該外表面之一方向上強迫該板。

在一些實施例中，該設備可進一步包含一墊，該墊定位在該棒與該板之間以增大該棒與該板之間的一電阻。

在一些其他實施例中，一種用於加熱熔融材料的設備可包含一容器，該容器包含一底壁及自該底壁延伸之一側壁。該底壁之一內表面及該側壁之一內表面可限定該容器之一圍阻區。該設備可進一步包含一第一電極，該第一電極包含定位在該側壁之一第一貫穿開口內之一部分。該設備仍可進一步包含一第二電極，該第二電極包含定位在該側壁之一第二貫穿開口內之一部分。該側壁可包含一側壁部分，該側壁部分在高度上限定在該底壁之一標高與該第一貫穿開口之一下部周邊的一標高之間。該設備可進一步包含一冷卻裝置，該冷卻裝置接觸該側壁部分之一外表面。

在一些實施例中，該冷卻裝置可包含一板。

在一些實施例中，該設備可進一步包含一棒，該棒經定位以在朝向該側壁部分之該外表面之一方向上強迫該板。

在一些實施例中，該設備可進一步包含一墊，該墊定位在該棒與該板之間以增大該棒與該板之間的一電阻。

在一些實施例中，該壁材料限定連接該第一貫穿開口與該第二貫穿開口之一完整路徑之一內表面。

在一些實施例中，藉由以上設備之實施例來加熱熔融材料的方法可包含藉由使電經由該圍阻區內之熔融材料自該第一電極傳遞至該第二電極來加熱該熔融材料。該方法可進一步包含利用藉由該冷卻裝置的該側壁之該側壁部分之針對性增強冷卻來冷卻該側壁部分。

在該方法之一些實施例中，利用該冷卻裝置的該側壁部分之該冷卻可針對該第一貫穿開口之一下部周邊正下方。

在該方法之一些實施例中，可藉由用該冷卻裝置使流體循環來冷卻該側壁部分。

在該方法之一些實施例中，可在朝向該側壁部分之一方向上強迫該冷卻裝置之一冷卻板。

現將參考附圖在下文更全面地描述實施例，在附圖中展示了實例實施例。只要有可能，遍及圖式使用相同的元件符號來指代相同或類似之部分。然而，本發明可以許多不同形式來體現且不應被理解為限於本文中所陳述之實施例。

將理解，本文中所揭示之特定實施例意欲為例示性的，且因此為非限制性的。出於本發明之目的，在一些實施例中，玻璃製造設備可視情況包括由一些熔融材料形成玻璃物件(例如，玻璃帶及/或玻璃片)之玻璃形成設備。舉例而言，在一些實施例中，玻璃製造設備可視情況包含形成玻璃物件之玻璃形成設備，諸如拉槽設備、浮浴 設備、下拉設備、上拉設備、壓滾設備，或其他玻璃形成設備。在一些實施例中，玻璃物件可用於具有所要光學特性之多種物件(例如，眼用物件、顯示器物件)中。舉例而言，在一些實施例中，該設備可用於生產可用於廣泛多種顯示器應用中之顯示器物件(例如，顯示器玻璃片)，該等顯示器應用包括但不限於液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、電泳顯示器(electrophoretic display；EPD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display；OLED)、電漿顯示面板(plasma display panel；PDP)以及其他電子顯示器。

如第 1 圖 中示意性地圖示，在一些實施例中，例示性玻璃製造設備100 可包括一玻璃形成設備101 ，該玻璃形成設備包括經設計以自一些熔融材料121 生產玻璃帶103 之一成形容器140 。在一些實施例中，玻璃帶103 可包括一中心部分152 ，該中心部分安置於沿著玻璃帶103 之第一外邊緣153 及第二外邊緣155 形成的對置之相對較厚邊緣珠之間。另外，在一些實施例中，一玻璃片104 可藉由玻璃分離器149 (例如，劃線、刻痕輪、鑽石鑽頭、雷射等)沿著分離路徑151 與玻璃帶103 分離。在一些實施例中，在將玻璃片104 與玻璃帶103 分離之前或之後，可移除沿著第一外邊緣153 及第二外邊緣155 形成的相對較厚邊珠，以提供中心部分152 作為具有均勻厚度之高品質玻璃片104 。在一些實施例中，所得之高品質玻璃片104 因而可處於進行處理及在多種應用中使用中之一者。

在一些實施例中，玻璃製造設備100 可包括一熔化容器105 ，該熔化容器經定向以接收來自儲存倉109 之批量材料107 。批量材料107 可藉由批量輸送裝置111 引入，該批量輸送裝置藉由馬達113 供電。在一些實施例中，可選控制器115 可操作以啟動馬達113 ，以將所要量之批量材料107 引入至熔化容器105 中，如箭頭117 所指示。熔化容器105 可加熱批量材料107 以提供熔融材料121 。在一些實施例中，玻璃熔化探頭119 可用於量測豎管123 內之熔融材料121 之位準且藉助於通信線125 將量測資訊傳達至控制器115 。

另外，在一些實施例中，玻璃製造設備100 可包括一第一調節站，該第一調節站包括一淨化容器127 ，該淨化容器位於熔化容器105 下游且藉助於第一連接管道129 耦接至熔化容器105 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉助於第一連接管道129 自熔化容器105 重力饋送至淨化容器127 。舉例而言，在一些實施例中，重力可驅使熔融材料121 經由第一連接管道129 之內部路徑自熔化容器105 傳遞至淨化容器127 。另外，在一些實施例中，可藉由各種技術將氣泡自淨化容器127 內之熔融材料121 移除。

在一些實施例中，玻璃製造設備100 可進一步包括一第二調節站，該第二調節站包括一混合室131 ，該混合室可位於淨化容器127 下游。混合室131 可用於提供熔融材料121 之均質組合物，由此減小或消除否則可存在於退出淨化容器127 之熔融材料121 內的非均質性。如所示，淨化容器127 可藉助於第二連接管道135 耦接至混合室131 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉助於第二連接管道135 自淨化容器127 重力饋送至混合室131 。舉例而言，在一些實施例中，重力可驅使熔融材料121 經由第二連接管道135 之內部路徑自淨化容器127 傳遞至混合室131 。

另外，在一些實施例中，玻璃製造設備100 可包括一第三調節站，該第三調節站包括一輸送容器133 ，該輸送容器可位於混合室131 下游。在一些實施例中，輸送容器133 可調節待饋送至進入管道141 中之熔融材料121 。舉例而言，輸送容器133 可充當聚集器及/或流量控制器以調整熔融材料且將一致流量之熔融材料121 提供至進入管道141 。如所示，混合室131 可藉助於第三連接管道137 耦接至輸送容器133 。在一些實施例中，熔融材料121 可藉助於第三連接管道137 自混合室131 重力饋送至輸送容器133 。舉例而言，在一些實施例中，重力可驅使熔融材料121 經由第三連接管道137 之內部路徑自混合室131 傳遞至輸送容器133 。如另外所圖示，在一些實施例中，輸送管139 (例如，降流管)可經定位以將熔融材料121 輸送至成形容器140 之進入管道141 。

成形容器之各種實施例可根據本發明之特徵來提供，該等實施例包括具有用於熔合拉動玻璃帶之楔狀物的成形容器、具有槽以對玻璃帶拉槽的成形容器或具備壓輥以壓滾來自成形容器之玻璃帶的成形容器。作為說明，可提供所展示且在下文揭示之成形容器140 以將熔融材料121 熔合拉離成形楔狀物209 之根部145 ，從而產生玻璃帶103 。舉例而言，在一些實施例中，熔融材料121 可自進入管道141輸送至成形容器140 。接著可基於成形容器140 之結構而將熔融材料121 形成為玻璃帶103 。舉例而言，如所示，熔融材料121 可沿著在玻璃製造設備100 之抽拉方向157 上延伸的抽拉路徑自成形容器140 之底部邊緣(例如，根部145 )抽拉。在一些實施例中，邊緣導向器163a 、163b 可引導離開成形容器140 之熔融材料121 且限定玻璃帶103 之寬度「WR 」。在一些實施例中，玻璃帶103 之寬度「WR 」可在玻璃帶103 之第一外邊緣153 與玻璃帶103 之第二外邊緣155 之間延伸。

第 2 圖 展示沿著第 1 圖 之線2-2 的玻璃製造設備100 之橫截面透視圖。在一些實施例中，成形容器140 可包括一流槽201 ，該流槽經定向以接收來自進入管道141 之熔融材料121 。出於說明目的，為清楚起見，自第 2 圖 移除熔融材料121 之交叉影線。成形容器140 可進一步包括成形楔狀物209 ，該成形楔狀物包括一對在成形楔狀物209 的對置末端210a 、210b (參見第 1 圖 )之間延伸的向下傾斜之漸縮表面部分207a 、207b 。成形楔狀物209 之該對向下傾斜之漸縮表面部分207a 、207b 可沿著抽拉方向157 彙聚以沿著成形楔狀物209 之底部邊緣相交，從而限定成形容器140 之根部145 。玻璃製造設備100 之抽拉平面213 可沿著抽拉方向157 延伸穿過根部145 。在一些實施例中，可沿著抽拉平面213 在抽拉方向157 上拉製玻璃帶103 。如所示，儘管在一些實施例中，抽拉平面213 可相對於根部145 以其他定向延伸，但抽拉平面213 可平分根部145 。

另外，在一些實施例中，熔融材料121 可在方向159 中流至成形容器140 之流槽201 中。熔融材料121 接著可藉由同時流過對應堰203a 、203b 且在對應堰203a 、203b 的外表面205a 、205b 上向下流而自流槽201 溢流。熔融材料121 之各別流接著可沿著成形楔狀物209 的向下傾斜之漸縮表面部分207a 、207b 流動，從而自成形容器140 之根部145 抽拉，該等流在根部處彙聚且熔合成玻璃帶103 。接著可在抽拉平面213 中沿著抽拉方向157 自根部145 熔合抽拉玻璃帶103 。在一些實施例中，玻璃分離器149 (參見第 1 圖 )可接著隨後沿著分離路徑151 將玻璃片104 與玻璃帶103 分離。如所示，在一些實施例中，分離路徑151 可沿著第一外邊緣153 與第二外邊緣155 之間的玻璃帶103 之寬度「WR 」延伸。另外，在一些實施例中，分離路徑151 可實質上垂直於玻璃帶103 之抽拉方向157 延伸。此外，在一些實施例中，抽拉方向157 可為自成形容器140 熔合抽拉之玻璃帶103 的熔合抽拉方向。

如第 2 圖 所示，以玻璃帶103 之第一主表面215a 及玻璃帶103 之第二主表面215b 面向相反方向且限定玻璃帶103 之厚度「T 」(例如，平均厚度)的方式，可自根部145 抽拉玻璃帶103 。在一些實施例中，玻璃帶103 之厚度「T 」可小於或等於約2毫米(mm)、小於或等於約1毫米、小於或等於約0.5毫米、小於或等於約500微米(μm)，例如小於或等於約300 μm、小於或等於約200 μm或小於或等於約100 μm，儘管在其他實施例中可提供其他厚度。舉例而言，在一些實施例中，玻璃帶103 之厚度「T 」可為約50 μm至約750 μm、約100 μm至約700 μm、約200 μm至約600 μm、約300 μm至約500 μm、約50 μm至約500 μm、約50 μm至約700 μm、約50 μm至約600 μm、約50 μm至約500 μm、約50 μm至約400 μm、約50 μm至約300 μm、約50 μm至約200 μm、約50 μm至約100 μm，包括介於其間的厚度之所有範圍及子範圍。另外，玻璃帶103 可包括多種組合物，包括但不限於鈉鈣玻璃、硼矽玻璃、鋁硼矽玻璃、含鹼玻璃或不含鹼玻璃。

第 3 圖至第 7 圖 展示用於加熱熔融材料121 之加熱設備300 之一實施例。加熱設備300 可包括一容器，該容器包括用於圍阻熔融材料之一圍阻區。加熱設備300 可適用於玻璃製造設備100 中之各種容器。舉例而言，加熱設備300 可用於能夠以廣泛範圍之方式處理材料的容器，該等方式包括但不限於淨化、調節、圍阻、攪拌、化學反應、在材料中冒氣泡、冷卻、加熱、成形、保持以及流動。

在一些實施例中，關於第 1 圖 之玻璃製造設備100 ，加熱設備300 可包括一容器，該容器包含但不限於熔化容器105 、第一連接管道129 、淨化容器127 、豎管123 、第二連接管道135 、混合室131 、第三連接管道137 、輸送容器133 、輸送管139 、進入管道141 以及成形容器140 。

如第 3 圖 至第 7 圖 所示，以舉例方式說明，加熱設備300 包含熔化容器105 ，該熔化容器包括底壁313 及自底壁313 延伸之側壁310 。底壁313 連接至側壁310 之底部以形成圍阻區315 。底壁313 及側壁310 可由可容納高溫下之熔融材料的耐火材料磚形成。在所說明實施例中，儘管可提供其他形狀，但側壁310 可包括一矩形(例如，正方形)形狀，如在第 3 圖 中自頂部查看。實際上，如第 3 圖 所示，側壁310 可包括以一矩形(例如，正方形)形狀配置之四個側壁區段。儘管展示了四個側壁區段，但將理解，在其他實施例中，可提供單一側壁區段。舉例而言，側壁可包含具有曲線形狀(例如，橢圓形、長橢圓形、圓形)之單一側壁區段。此外，儘管圖示了四個側壁區段，但在其他實施例中，可提供三個或多於四個的側壁區段。

第 3 圖 展示沿著第 1 圖 之線3-3 的玻璃製造設備100 之包括熔化容器105 之一部分的平面圖，為清楚起見，移除熔化容器105 之一頂部部分(例如，蓋、頂壁、天花板)。因此，除非另有說明，否則將理解，在一些實施例中，在不背離本發明之範疇的情況下，熔化容器105 可包括一固定或可移除頂部部分。另外，除非另有說明，否則在一些實施例中，熔化容器105 之頂部部分可對例如熔化容器105 外的環境開放，且熔融材料121 之一自由表面可面向開放的頂部部分。

如第 4 圖 所示，在一些實施例中，側壁310 之內表面311 及底壁313 之內表面312可限定該容器之圍阻區315 。圍阻區315 可包括廣泛範圍之三維形狀，諸如但不限於球形、矩形盒、圓柱形、錐形或經定向以提供圍阻區315 之其他三維形狀。上文所論述之例示性加熱設備300 的例示性實施例已關於加熱熔化容器105 之圍阻區315 內所含的熔融材料121 描述，條件為，除非另有說明，否則在一些實施例中，加熱設備300 之一或多個特徵可單獨地或組合地使用，以加熱玻璃製造設備100 之其他容器之一圍阻區內所含的材料。如所示，在一些實施例中，圍阻區315 可容納材料(例如，批量材料107 、熔融材料121 )；然而，除非另有說明，否則將理解，在不背離本發明之範疇的情況下，在一些實施例中，熔化容器105 可為空的(例如，不具有材料)。

在一些實施例中，熔化容器105 之側壁310 可包括金屬及/或非金屬材料(例如，由金屬及/或非金屬材料製造)，該等材料包括但不限於以下各項中的一個或多個：熱絕緣耐火材料(例如，陶瓷、碳化矽、氧化鋯、鋯石、氧化鉻)。另外，如第 5 圖 所示，在一些實施例中，熔化容器105 之內表面311 、312 之一部分可由側壁310 及底壁313 之壁材料501 限定以提供圍阻區315 ，該圍阻區具有針對圍阻區315 內所含之材料107 、121 的防腐蝕障壁。在一些實施例中，熔化容器105 之 側壁310 及底壁313 可包括經選擇以抵抗由受到以下各項中之一或多者造成的結構劣化及變形(例如，翹曲、松垂、蠕變、疲勞、腐蝕、破裂、開裂、熱衝擊、結構衝擊等)之材料：升高溫度(例如，等於或低於2100℃之溫度) 、 腐蝕性化學品(例如，硼、磷、鈉氧化物)及外力。在一些實施例中，側壁310 及/或底壁313 可製造成實心的單石結構；然而，在一些實施例中，複數個單獨結構(例如，磚)可組合(例如，堆疊、置放)，以提供側壁310 之一部分及/或底壁313 之一部分。出於本發明之目的，不管側壁310 及底壁313 之建構方式如何，圍阻容器可具備內表面311 、312 ，該等內表面限定經定向以在圍阻區315 內容納材料107 、121 的圍阻區315 之一部分。

在一些實施例中，用於加熱熔融材料之加熱設備300 可包括第一電極301 及第二電極302 ，該等電極可操作以加熱(例如，熔化)批量材料107 以提供熔融材料121 及/或加熱圍阻區315 內所含之熔融材料121 。在一些實施例中，第一電極301 及第二電極302 可彼此相同。因而，在本發明之論述中，第一電極301 之特徵可等同於第二電極302 之特徵。在其他實施例中，與第一電極301 相關聯及/或可操作之結構可等同於與第二電極302 相關聯及/或可操作之結構。因而，本發明中對第一電極301 之特徵及與第一電極301 相關聯及/或可操作之結構的論述可相等地適用於第二電極302 之特徵及與第二電極302 相關聯及/或可操作之結構。此外，儘管未示出，但第二電極302 之特徵及/或與第二電極302 相關聯及/或可操作之結構可以不等同於第一電極301 之對應特徵及/或與第一電極301 相關聯之對應結構。

如第 4 圖 所示，第一電極301 可包括定位在側壁310 之第一貫穿開口401 內之一部分。如所示，第一電極301 之一外部末端的正面303 可接觸含於圍阻區315 內之熔融材料121 。如另外所圖示，第二電極302 可包括定位在側壁310 之第二貫穿開口402 內的一部分。第二電極302 之一外部末端的正面304 亦可接觸圍阻區315 內所含之熔融材料121 。

在一些實施例中，一加熱電路包括電連接至第一電極301 之第一電引線307 及電連接至第二電極302 之第二電引線308 。在一些實施例中，材料(例如，批量材料107 、熔融材料121 )可包括使材料充當電力電阻器之材料性質，該電力電阻器基於焦耳加熱之原理將通過材料107 、121 的電流325 轉換成熱能。因此，在一些實施例中，焦耳加熱可基於焦耳定律(P = I² x R)，其中「P」係電加熱功率，「I」係電流325 ，且「R」係電流325 穿過之材料的電阻率。舉例而言，在一些實施例中，電流325 經由圍阻區315 內所含之材料107 、121 自第一電極301 之正面303 可傳遞至第二電極302 的正面304 。同樣地，在一些實施例中，電流325 經由圍阻區315 內所含之材料107 、121 自第二電極302 之正面304 傳遞至第一電極301 之正面303 。因此，在一些實施例中，基於電流325 至熱能之轉換，加熱設備300 之一或多個特徵可操作以提高材料107 、121 之溫度及/或維持圍阻區315 內所含之材料107 、121 的溫度。

在一些實施例中，基於由電流325 提供之熱能，第一電極301 之背面305 的溫度可低於第一電極301 之正面303 的溫度。同樣地，在一些實施例中，基於由電流325 提供之熱能，第二電極302 之背面306 的溫度可低於第二電極302 之正面304 的溫度。在一些實施例中，一冷卻裝置(例如，冷卻板)可以與每一電極301 、302 之背面305 、306 接觸之方式置放以幫助使電極冷卻。使電極冷卻可幫助減小電極之磨損率。此外，電極之背面之冷卻可幫助防止加熱電路與該等電極之間的電氣連接過熱。

每一貫穿開口401 、402 可全部延伸穿過側壁310 ，以允許每一電極301 、302 穿過該壁插入且在對應之向內方向351 、352 上平移。如所示，每一開口401 、402 可延伸穿過側壁310 之四個側壁區段的對置側壁區段。在具有單一側壁或其他形狀側壁之實施例中，每一開口401 、402 可視情況提供在側壁之對置部分上。如所示，在一些實施例中，第一貫穿開口401 及第二貫穿開口402 可沿著一共同軸線對準。如進一步所示，在一些實施例中，第一電極301 之正面303 可面向第二電極302 之正面304 ，方式為正面303 、304 接觸熔化容器105 之圍阻區315 內所含之材料107 、121 。因此，在一些實施例中，電流325 可經由圍阻區315 內所含之材料107 、121 自定在第一開口401 中的第一電極301 之正面303 傳遞至定位在第二開口402 中的第二電極302 之正面304 。同樣地，在一些實施例中，電流325 可經由圍阻區315 內所含之材料107 、121 自定在第二開口402 中的第二電極302 之正面304 傳遞至定位在第一開口401 中的第一電極301 之正面303 。

在一些實施例中，第一電極301 之正面303 及第二電極302 之正面304 中的一者可基於加熱設備300 之操作及與材料107 、121 接觸而例如在持續時間期間磨損。在一些實施例中，第一電極301 可相對於第一開口401 加以調整以使正面303 在向內方向351上沿著調整路徑平移，由此補償由操作玻璃製造設備100 時之磨損導致的正面303 之結構劣化。同樣地，在一些實施例中，第二電極302 可相對於第二開口404 加以調整以使正面304 在向內方向352 上沿著調整路徑平移，由此補償由操作玻璃製造設備100 時之磨損導致的正面304 之結構劣化。在一些實施例中，側壁310 及底壁313 之內表面311 、312 以及第一電極301 之正面303 及第二電極302 之正面304 可限定熔化容器105 之圍阻區315 。

在一些實施例中，第一電極301 及/或第二電極302 可包括金屬材料及/或非金屬材料(例如，由金屬材料及/或非金屬材料製造)，該等材料包括但不限於氧化錫、碳、氧化鋯、鉬、鉑及鉑合金中之一或多種。如先前所論述，在一些實施例中，第一電極301 的外部末端之正面303 及第二電極302 的外部末端之正面304 可接觸熔化容器105 之圍阻區315 內所含的材料107 、121 。因此，在一些實施例中，第一電極301 及/或第二電極302 可包括經選擇以抵抗(resist)由受到以下各項中之一或多者造成的結構劣化及變形(例如，翹曲、松垂、蠕變、疲勞、腐蝕、破裂、開裂、熱衝擊、結構衝擊等)之材料：升高溫度(例如，等於或低於2100℃之溫度)、腐蝕性化學品(例如，硼、磷、鈉氧化物)及外力。此外，在一些實施例中，第一電極301 及/或第二電極302 可製造為單一單石結構；然而，在一些實施例中，複數個單獨結構(例如，磚)可組合(例如，堆疊)以提供第一電極301 及/或第二電極302 之一部分。自複數個單獨結構(例如，磚)構建電極可幫助簡化及降低電極之製造成本。

在一些實施例中，可提供一或多個其他加熱裝置(未示出)以例如最初熔化批量材料107 以提供圍阻區315 內所含之熔融材料121 ，接著可將加熱設備300 用於進一步熔化批量材料107 及/或進一步加熱熔融材料121 。此外，在一些實施例中，在不背離本發明之範疇的情況下，可提供一或多個額外加熱裝置(未示出)，包括但不限於氣體加熱器、電子加熱器及電阻加熱器，以將額外熱提供至熔化容器105 之圍阻區315 內所含之材料107 、121 。

在一些實施例中，加熱設備300 因此可用於例如加熱熔化容器105 之圍阻區315 內所含之材料107 、121 。舉例而言，如箭頭317 所示，在一些實施例中，熔融材料121 可經由圍阻區315 流至第一連接管道129 (例如，跨電流325 )，同時藉由加熱設備300 加熱。在一些實施例中，接著可將熔融材料121 提供至玻璃形成設備101 以進行進一步處理，從而例如形成玻璃帶103 (參見第 1 圖 )。

在一些實施例中，加熱設備300 可用於加熱包括廣泛範圍之電阻率的廣泛範圍之熔融材料121 。在一些實施例中，熔融材料(M1、M2、M3)之實例樣本可包括如下面表1中所陳述的60赫茲(Hz)交流電下的在1500℃及1600℃下之電阻率(歐姆•公分)。
表1

因此，在一些實施例中，該熔融材料可包含在1500℃及1600℃之一溫度範圍內的在60 Hz下之約127 (Ω•cm)至約432 (Ω•cm)之一範圍內的電阻率。舉例而言，實例熔融材料M1可包括在1500℃及1600℃之一溫度範圍內的在60 Hz下之約127 (Ω•cm)至約330 (Ω•cm)之一範圍內的電阻率。在另一實例中，熔融材料M2可包括在1500℃及1600℃之一溫度範圍內的在60 Hz下之約178 (Ω•cm)至約406 (Ω•cm)之一範圍內的電阻率。在另一實例中，熔融材料M3可包括在1500℃及1600℃之一溫度範圍內的在60 Hz下之約191 (Ω•cm)至約432 (Ω•cm)之一範圍內的電阻率。在一些實施例中，針對經組態以形成為諸如第 1 圖 中所示之玻璃帶103 之玻璃物件的熔融材料，可提供上文所論述之熔融材料121 的實例電阻率。

在一些實施例中，該壁材料可包含氧化鋯熔鑄材料。舉例而言，該壁材料可包含可自Saint-Gobain SEFPRO獲得之XiLEC 9氧化鋯熔鑄材料，該材料具有如下的典型化學組成：88.4% ZrO₂ 、9.0 % SiO₂ 、1% Ta₂ O₅ / Nb₂ O₅ 、0.7% B₂ O₃ 、0.5% Al₂ O₃ 以及其他小於0.3% (TiO₂ +Fe₂ O₃ +Na₂ O+Y₂ O₃ )。XiLEC 9氧化鋯熔鑄材料可包括89.5%之單斜氧化鋯及10.5%之玻化相。

在其他實施例中，該壁材料可包含可自Saint-Gobain SEFPRO獲得之XiLEC 5氧化鋯熔鑄材料，該材料具有如下的典型化學組成：92.6% ZrO₂ 、5.0 % SiO₂ 、1.1% Ta₂ O₅ / Nb₂ O₅ 、0.5% B₂ O₃ 、5% Al₂ O₃ 以及其他小於0.3% (TiO₂ +Fe₂ O₃ +Na₂ O+Y₂ O₃ )。XiLEC 5氧化鋯熔鑄材料可包括93.5%之單斜氧化鋯及6.5%之玻化相。

已知XiLEC 5(參見下面表2中之X5)及XiLEC 9 (參見下面表2中之X9)之電阻率包括如下面表2中所陳述的60赫茲(Hz)交流電下的在1500℃及1600℃下之電阻率(歐姆•公分)。
表2

因此，在一些實施例中，壁材料501 可包含在1500℃及1600℃之一溫度範圍內的在約200 (Ω•cm)至約625 (Ω•cm)之一範圍內的60 Hz交流電下之電阻率。舉例而言，關於上文之表2中所示之XiLEC 5，60 Hz下之電阻率在1500℃及1600℃之一溫度範圍內可在約200 (Ω•cm)至約350 (Ω•cm)之一範圍內。關於上文之表2中所示之XiLEC 9，60 Hz下之電阻率在1500℃及1600℃之一溫度範圍內可在約375 (Ω•cm)至約625 (Ω•cm)之一範圍內。

下面的表3列出表2中列出之電阻率XiLEC 5 (X5)及XiLEC 9 (X9)相對於上文之表1中列出之熔融材料(M1、M2、M3)之樣本的電阻率比。
表3

可選擇壁材料501，使得壁材料501在60 Hz交流電下且在1600℃溫度下的電阻率與由電極加熱之熔融材料121 在60 Hz交流電下且在1600℃溫度下的電阻率之間的1600℃電阻率比可大於或等於1.0。實際上，如上文之表3的1600℃行中所示，壁材料與熔融材料之間的1600℃電阻率比可在約1.0至約3.0之一範圍內。舉例而言，當使用XiLEC 5作為壁材料時，XiLEC 5壁材料與熔融材料之間的1600℃電阻率比可在約1.0至約1.6之一範圍內。替代地，當使用XiLEC 9作為壁材料，效能可得到改良。實際上，XiLEC 9壁材料與熔融材料之間的1600℃電阻率比可在約2.0至約3.0之一範圍內。比較上文之表3中之1500℃電阻率比與1600℃電阻率比，電阻率比隨著溫度升高而增大，由此暗示隨著溫度升高，玻璃之樣本的電阻率與比由XiLEC 9及XiLEC 5材料製造之壁材料相比相對更快地下降。因而，該證據表明，在自1700℃至1750℃的進一步提高操作溫度下，XiLEC 9及XiLEC 5材料可提供壁材料與熔融材料之間的更大電阻率比，以更強地抵抗升高操作溫度下的電流短路。

如第 4 圖 中所示意性地展示，壁材料501 可限定連接第一貫穿開口401 與第二貫穿開口402 之一完整路徑之一內表面。因而，藉由使壁材料501 具備比沿著電極之間的最短路徑的熔融材料相對較高之電阻率，壁材料501 之相對較高電阻率可進一步幫助防止電極301 、302 之間的電短路。

參看第 4 圖 ，在一些實施例中，側壁310 包含第一側壁部分403a ，該第一側壁部分在高度上限定在底壁313 之一標高與該第一貫穿開口之一下部周邊的一標高之間。如第 5 圖 所示，第一側壁部分403a 之高度「H1 」可定義為第一貫穿開口401 之下部周邊的標高與底壁313 的標高之間的差。實際上，如第 5 圖 所示，第一側壁部分403a 之高度「H1 」可為在側壁310 之內表面311 處的第一開口401 之最低部分與在低於第一開口401 之一位置處的底壁313 之內表面312 的標高之間的距離。參看第 4 圖 ，側壁310 可進一步包含第二側壁部分403b ，該第二側壁部分在高度上限定在底壁313 之一標高與第二貫穿開口402 之一下部周邊的一標高之間。第二側壁部分403b 亦可包括一對應高度，該對應高度亦定義為第二開口402 之最低部分及側壁310 之內表面311 與在低於第二開口402 的位置處的底壁313 之內表面312 的標高之間的距離。在一些實施例中，第一側壁部分403a 及/或第二側壁部分403b 之高度「H1 」可大於2吋 (約5 cm)，諸如大於6吋 (約15 cm)，以增大電極301 、302 之間的最短距離，由此降低電極301 、302 經由側壁310 及底壁313 之內表面311 、312 電流短路的可能性。在一些實施例中，可提供增大第一側壁部分403a 及/或第二側壁部分403b 之高度「H1 」，同時亦提供限定內表面311 、312 之部分的壁材料501 (例如，如上文所論述)，以進一步增大側壁及底壁之電阻率，從而更進一步降低電極301 、302 經由電極之間的側壁310 及底壁313 之內表面311 、312 短路的可能性。

歸因於加熱設備300 之操作條件，當加熱圍阻區315 內之材料時，與側壁310 之其他部分相比，位於開口401 、402 之寬度「W 」下方的側壁310 之側壁部分403a 、403b 可升高至相對高的溫度。在開口401 、402 為矩形之一些實施例中，開口401 、402 的一對下部角落701a 、701b 可升高至特別相對高之溫度。舉例而言，如第 7 圖 所示，位於第一開口401 之寬度「W 」下方的側壁310 之第一側壁部分403a 可經歷過熱。熱條件可在開口之下部角落701a 、701b 處提供進一步過熱。在一些實施例中，過熱可導致側壁310 之不必要磨損，該磨損可導致容器隨時間過去發生故障及/或容器之其他效能低效率。此外，過熱可使壁材料501 之電阻率減小；由此不當地增加電極301 、302 之間的短路之機會。

參看第 4 圖 ，側壁310 之第一側壁部分403a 可具備第一冷卻裝置405a ，且側壁310 之第二側壁部分403b 可具備第二冷卻裝置405b 。冷卻裝置405a 、405b 可提供側壁310 及/或底壁313 之針對性增強冷卻，以降低與位於開口之寬度「W 」下方的側壁310 之側壁部分403a 、403b 及/或開口401 、402 之下部角落701a 、701b 相關聯的其他相對較高溫度。在整個發明中，針對性增強冷卻意味冷卻在預定目標區域處相對於在其他區域可能或可不發生的冷卻而言增強。在一些實施例中，一冷卻裝置可實體地接觸目標區域(例如，整個目標區域)以促進目標區域處之針對性增強冷卻。針對性增強冷卻可為所需的，以避免容器的在使用中並不另外經歷過熱之其他區域過冷。因而，藉由使用針對性增強冷卻，能量消耗可減少，且可避免容器之壁中的不需要溫度差。

參看第 4 圖 ，在一些實施例中，針對性增強冷卻可在側壁310 及/或底壁313 之一標高處發生，該標高小於或等於電極301 、302 之高度「H2 」之25%處的標高「E 」。在一些實施例中，標高「E 」可對應於自底壁313 之下部表面314起的距離「D 」，等於壁部分之高度「H1 」加上底壁313 之厚度「T 」及電極之高度「H2 」的25%。儘管在一個實施例中距離「D 」圖示為延伸超出開口401 、402 之最低部分，但針對性增強冷卻可在圍繞開口401 、402 之側壁310 及/或底壁313 處發生。因此，針對性增強冷卻之區域可包括處於或低於開口401 、402 之下部周邊的區域，及延伸至開口401 、402 之橫向側邊直至距離「D 」的橫向部分。在開口401 、402 之最低部分上方(諸如直至如上文所論述的電極之高度「H2 」的25%)的針對性增強冷卻可幫助考慮到在開口401 、402 之最低部分上方的過熱部分，從而產生與開口401 、402 之下部角落701a 、401 b 相關聯且在上文論述之開口401 、402 下面的相對較高溫度。

在其他實施例中，針對性增強冷卻可在處於或低於開口401 、402 之下部周邊的側壁310 及/或底壁313 之標高處發生。舉例而言，針對性增強冷卻可以自底壁313 之下部表面314起的距離「D 」發生，該距離等於底壁313 之厚度「T 」加上側壁部分之高度「H1 」。在另外其他實施例中，針對性增強冷卻可在處於或低於開口401 、402 之下部周邊的側壁310 及/或底壁313 之標高處且在開口401 、402 之橫向寬度「W 」內發生。在另外其他實施例中，如第 6 圖 所示，且如第 7 圖 中之虛線703 所示，針對性增強冷卻可限於在該側壁部分之高度「H1 」內且在開口401 、402 下方的開口401 、402 之橫向寬度「W 」內的側壁部分403a 、403b 。在一些實施例中，此等針對性增強冷卻位置可考慮到與下部角落701a 、701b 相關聯且在上文論述之開口401 、402 下面的相對較高溫度。

將描述第一冷卻裝置405a 之特徵，應理解此等特徵亦可在第二冷卻裝置405b 中發現。如第 5 圖 所示，第一冷卻裝置405a 可接觸第一側壁部分403a 的外表面503 。在一些實施例中，該冷卻裝置可包含所圖示之板505 以提供自第一側壁部分403a 的增加熱轉移。在一個實施例中，棒507 可經定位以在朝向第一側壁部分403a 的外表面503 之一方向509 上強迫板505 ，以增強自第一側壁部分403a 至板505 之熱轉移。如第 6 圖 所示，板505 之每一側面可視情況包括一支架601 。推力板603 可耦接至棒507 之末端，以幫助將力分散在較大區域上，由此減小施加在支架601 之表面上的壓力。可選地，墊605 定位在棒507 與板505 之間，以增大棒507 與板505 之間的電阻。舉例而言，所圖示之墊605 可包含可夾在推力板603 與支架601 之間的一電絕緣材料。因而，可避免電流經由該棒自電極301 、302 短路至接地。

板505 可包含經設計提供用於第一側壁部分403a 之散熱片之一實心板。替代地，如所示，板505 可包含一內部流體通路511 以增強由板505 提供之熱轉移。如第 5 圖 所示，內部流體通路511 可視情況限定一蛇形線路徑607 (參見第 6 圖 )。板505 可包括一流體入口埠609 及一流體出口埠611 。一入口管道613 可耦接至流體入口埠609 ，其中一入口冷卻流體流615 可引入至板505 之內部流體通路511 中。該流體流接著可沿著蛇形線路徑607 行進，以在推出流體出口埠611 以作為出口熱流體流619 由出口管道617 帶走之前提供對流熱轉移。

為了更進一步增加板505 與第一側壁部分403a 之間的熱轉移，一適型導電墊513 可置放於板505 與第一側壁部分403a 的外表面503 之間。該適型墊能夠增強板505 與第一側壁部分403a 之間的熱通信。導電墊513 可由寬範圍之材料形成，諸如可壓縮以順應板505 之嚙合表面及第一側壁部分403a 的外表面503 的金屬網墊。

在一些實施例中，板505 接觸上文所論述的針對性增強冷卻之整個區域之一部分。因此，具有或不具導電墊513 ，板505 可壓緊第一側壁部分403a 的外表面503 ，且亦可在上文所論述的針對性增強冷卻之一部分或整個區域處壓緊底壁313 之對應外表面。在一些實施例中，板505 不接觸與開口相關聯之電極，以幫助防止電極之短路。

現將最初參考加熱熔化容器105 內之熔融材料121 來論述加熱熔融材料的方法，應理解，可進行類似方法以加熱玻璃製造設備100 之其他容器中之熔融材料121 。參看第 1 圖 ，如箭頭117 所指示，在一些實施例中，批量材料107 可藉由批量輸送裝置111 引入至熔化容器105 之圍阻區315 中。在一些實施例中，熔化容器105 可加熱批量材料107 以在圍阻區315 內提供熔融材料121 。在其他實施例中，熔化容器105 可以可操作以升高或降低圍阻區315 內所含之熔融材料的溫度。如第 3 圖 至第 4 圖 所示，加熱圍阻區315 內之熔融材料121 的方法可包括經由熔融材料121 將電流325 自第一電極301 傳遞至第二電極302 。

在一些實施例中，該方法可包括利用藉由冷卻裝置405a 、405b 的側壁部分403a 、403b 之針對性增強冷卻來冷卻側壁部分403a 、403b 。在一些實施例中，利用冷卻裝置405a 、405b 的側壁部分403a 、403b 之冷卻可針對個別貫穿開口401 、402 之下部周邊正下方。提供針對性增強冷卻可另外降低電極301 、302 下方之過度溫度，以保留容器之完整性。在具備壁材料501 之其他實施例中，針對性增強冷卻可幫助防止限定側壁部分403a 、403b 之內表面311 之壁材料501 過熱，以幫助防止電極301 、302 之間的電流之短路。藉由防止電流經由壁材料501 短路，藉由穿過電極301 、302 之間的熔融材料121 之電流325 提供之加熱效率可提高，且可避免對壁材料501 之損害。

在一些實施例中，側壁部分403a _、 403b 可藉由用冷卻裝置405a _、 405b 使流體循環來冷卻。該流體可包含可以經由內部流體通路511 自流體入口埠609 循環至流體出口埠611 之液體(例如，水)或氣體(例如，空氣)。當該流體沿著蛇形線路徑607 循環時，對流熱轉移可幫助將熱自側壁部分403a 、403b 轉移至經由內部流體通路511 循環之該流體。因而，所吸收之熱可自側壁部分403a 、403b 移除，且由退出流體出口埠611 之該流體帶走。在一些實施例中，該流體可在一封閉式系統內循環，在該封閉式系統中，當流體自流體出口埠611 返回到流體入口埠609 時，一熱交換器自流體移除吸收的熱。

在另外其他實施例中，該方法可包括在朝向側壁部分403a 、403b 之方向509 上強迫冷卻裝置405a _、 405b 。參看第 5 圖 ，在一個實施例中，驅動螺母515 可以可旋轉地安裝至緊固至底支撐件519 之支架517 。棒507 可包括外螺紋，該等外螺紋收納在驅動螺母515 之螺紋穿孔內。馬達(未示出)可使驅動螺母515 旋轉以在方向509 上強迫棒507 。在一些實施例中，由棒507 施加之力可使適型導電墊513 部分地塌陷，以允許該墊模製至板505 及側壁部分603a 、603b 之面向表面的表面形貌。因此，由棒507 施加之力可確保板505 與側壁部分603a 、603b 之間的熱接觸，同時亦允許導電墊513 符合板505 及側壁部分603a 、603b 且進一步增強板505 與側壁部分603a 、603b 之熱耦合效率。

本文中所描述之實施例及功能操作可在以下各者中實施：數位電子電路；或電腦軟體、韌體或硬體，包括本說明書中所揭示之結構及其結構等效物；或前述各者中之一或多者的組合。本文中所描述之實施例可實施為一或多個電腦程式產品，即電腦程式指令之一或多個模組，該等電腦程式指令編碼在有形程式載體上以供資料處理設備執行或用以控制資料處理設備之操作。有形程式載體可為電腦可讀媒體。電腦可讀媒體可為機器可讀儲存裝置、機器可讀儲存基板、記憶體裝置，或前述各者中之一或多者的組合。

術語「處理器」或「控制器」可涵蓋用於處理資料之所有設備、裝置及機器，以實例說明，包括一可程式化處理器、一電腦或多個處理器或電腦。除硬體外，處理器亦可包括建立用於所提及之電腦程式之執行環境的程式碼，例如，構成處理器韌體、協定堆疊、資料庫管理系統、作業系統或前述各者中之一或多者的組合的程式碼。

電腦程式(亦稱為程式、軟體、軟體應用程式、腳本或程式碼)可以包括編譯或解譯語言或宣告或程序語言的任何形式之程式設計語言編寫，且電腦程式可以任何形式部署，包括部署為獨立程式或模組、組件、次常式或適合用於計算環境中之其他單元。電腦程式未必對應於檔案系統中之檔案。程式可儲存於保持其他程式或資料(例如，儲存於標記語言文件中之一或多個腳本)之檔案的一部分中、儲存於專用於所提及之程式的單一檔案中或儲存於多個協調檔案(例如，儲存一或多個模組、子程式或程式碼之部分的檔案)中。電腦程式可經部署以在一個電腦上或在多個電腦上執行，該多個電腦位於一個場所或分散在多個場所中且藉由通信網路互連。

本文中所描述之程序可藉由一或多個可程式化處理器執行一或多個電腦程式來執行，以藉由對輸入資料進行運算及產生輸出來執行功能。該等程序及邏輯流亦可藉由專用邏輯電路來執行，且設備亦可實施為專用邏輯電路，該專用邏輯電路例如現場可程式化閘陣列(field programmable gate array；FPGA)或特殊應用積體電路(application specific integrated circuit；ASIC)，僅舉幾個例子。

以實例說明，適合執行電腦程式之處理器包括通用及專用微處理器兩者，及任何種類的數位電腦之任何一或多個處理器。一般而言，處理器將自唯讀記憶體或隨機存取記憶體或兩者接收指令及資料。電腦之基本元件係用於執行指令之處理器，及用於儲存指令及資料之一或多資料記憶體裝置。一般而言，電腦亦將包括用於儲存資料之一或多個大容量儲存裝置，或可操作地耦接以自該一或多個大容量儲存裝置接收資料或將資料轉移至一或多個大容量儲存裝置，或兩種情況皆有，大容量儲存裝置例如磁碟、磁光碟或光碟。然而，電腦不必具有此等裝置。此外，電腦可嵌入於另一裝置中，例如行動電話、個人數位助理(personal digital assistant；PDA)，僅舉幾個例子。

適合儲存電腦程式指令及資料之電腦可讀媒體包括所有形式之資料記憶體，包括非揮發性記憶體、媒體及記憶體裝置，以實例說明，包括：半導體記憶體裝置，例如，EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，例如，內部硬碟或可移式磁碟；磁光碟；及CD ROM及DVD-ROM碟片。處理器及記憶體可藉由專用邏輯電路補充或併入專用邏輯電路中。

為了提供與使用者之交互作用，本文中所描述之實施例可在具有以下各者之電腦上實施：顯示器裝置，例如陰極射線管(cathode ray tube；CRT)或液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)監視器，或用於向使用者顯示資訊之類似裝置；及鍵盤與指標裝置，例如滑鼠或軌跡球；或觸控螢幕，使用者藉由觸控螢幕可提供輸入至電腦。亦可使用其他種類之裝置以提供與使用者之交互作用；例如，來自使用者之輸入可以包括聲學、語言或觸覺輸入的任何形式接收。

本文中所描述之實施例可在計算系統中實施，該計算系統包括例如作為資料伺服器的後端組件，或包括例如應用程式伺服器之中間軟體組件，或包括前端組件，例如具有使用者能夠用來與本文中所描述之標的之實施交互作用的圖形使用者介面或網頁瀏覽器的用戶端電腦，或此類後端、中間軟體或前端組件之任何組合。該系統之該等組件可藉由例如通信網路的任何形式或媒體之數位資料通信來互連。通信網路之實例包括區域網路(local area network; 「LAN」)及廣域網路(wide area network; 「WAN」)，例如，網際網路。

計算系統可包括用戶端及伺服器。用戶端及伺服器通常彼此遠離且典型地經由通信網絡交互作用。用戶端與伺服器之關係由於電腦程式而產生，該等電腦程式在各別電腦上執行且彼此具有用戶端-伺服器關係。

將瞭解，各種揭示之實施例可涉及關於特定實施例描述之特定特徵、元件或步驟。亦將瞭解，儘管一特定特徵、元件或步驟係關於一個特定實施例來描述，但該特定特徵、元件或步驟可以各種未說明之組合或排列與替代實施例互換或組合。

亦將理解，如本文中所使用，術語「該」或「一」意味「至少一個」且不應限於「僅一個」，除非明確指示相反。同樣地，「複數個」意欲表示「多於一個」。

範圍在本文中可表達為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表達此範圍時，實施例包括自該一個特定值及/或至該另一特定值。類似地，當值藉由使用前述詞「約」表達為近似值時，將理解，特定值形成另一實施例。將進一步理解，該等範圍中之每一者的端點不僅關於另一端點有意義，而且獨立於另一端點。

如本文中所使用之術語「實質」、「實質上」及其變形意欲說明，一所描述特徵等於或近似等於一值或描述。

除非另外明確說明，否則絕不希望本文中所陳述之任何方法被解釋為需要方法之步驟以特定次序執行。因此，在方法項未實際引用方法步驟應遵循之次序或在申請專利範圍或描述中未另外特別說明步驟應限於特定次序的情況下，絕不希望推斷任何特定次序。

儘管特定實施例之各種特徵、元件或步驟可使用轉折詞「包含」來揭示，但將理解，暗示了包括可使用轉折詞「由……構成」或「基本上由……構成」描述之各種特徵、元件或步驟的替代實施例。因此，例如，所暗示的包含A+B+C之設備的替代實施例包括設備由A+B+C構成之實施例及設備基本上由A+B+C構成之實施例。

熟習此項技術者容易瞭解，在不背離所附申請專利範圍之精神及範疇的情況下，可對本發明作出各種修改及改變。因此，希望本發明涵蓋本文中之實施例的修改及改變，假設該等修改及改變在隨附技術方案及其等效物的之範疇內。

100‧‧‧例示性玻璃製造設備

101‧‧‧玻璃形成設備

105‧‧‧熔化容器

107‧‧‧批量材料

109‧‧‧儲存倉

111‧‧‧批量輸送裝置

113‧‧‧馬達

115‧‧‧控制器

117‧‧‧箭頭

119‧‧‧玻璃熔化探頭

121‧‧‧熔融材料

123‧‧‧豎管

125‧‧‧通信線

127‧‧‧淨化容器

129‧‧‧第一連接管道

131‧‧‧混合室

103‧‧‧玻璃帶

104‧‧‧玻璃板

133‧‧‧輸送容器

135‧‧‧第二連接管道

137‧‧‧第三連接管道

139‧‧‧輸送管

140‧‧‧成形容器

141‧‧‧進入管道

145‧‧‧根部

149‧‧‧玻璃分離器

151‧‧‧分離路徑

152‧‧‧中心部分

153‧‧‧第一外邊緣

155‧‧‧第二外邊緣

157‧‧‧抽拉方向

159‧‧‧方向

163a‧‧‧邊緣導向器

163b‧‧‧邊緣導向器

201‧‧‧流槽

203a‧‧‧堰

203b‧‧‧堰

205a‧‧‧外表面

205b‧‧‧外表面

207a‧‧‧漸縮表面部分

207b‧‧‧漸縮表面部分

209‧‧‧成形楔狀物

210a‧‧‧末端

210b‧‧‧末端

213‧‧‧抽拉平面

215a‧‧‧第一主表面

215b‧‧‧第二主表面

300‧‧‧加熱設備

301‧‧‧第一電極

302‧‧‧第二電極

303‧‧‧正面

304‧‧‧正面

305‧‧‧背面

306‧‧‧背面

307‧‧‧第一電引線

308‧‧‧第二電引線

310‧‧‧側壁

311‧‧‧內表面

313‧‧‧底壁

312‧‧‧內表面

314‧‧‧下部表面

315‧‧‧圍阻區

317‧‧‧箭頭

325‧‧‧電流

351‧‧‧向內方向

352‧‧‧向內方向

401‧‧‧第一貫穿開口

402‧‧‧第二貫穿開口

403a‧‧‧第一側壁部分

403b‧‧‧第二側壁部分

405a‧‧‧第一冷卻裝置

405b‧‧‧第二冷卻裝置

501‧‧‧壁材料

503‧‧‧外表面

505‧‧‧板

507‧‧‧棒

509‧‧‧方向

511‧‧‧內部流體通路

513‧‧‧適型導電墊

515‧‧‧驅動螺母

517‧‧‧支架

519‧‧‧底支撐件

601‧‧‧支架

603‧‧‧推力板

605‧‧‧墊

607‧‧‧蛇形路徑

609‧‧‧流體入口埠

611‧‧‧流體出口埠

613‧‧‧入口管道

615‧‧‧入口冷卻流體流

617‧‧‧出口管道

619‧‧‧出口熱流體流

701a‧‧‧角落

701b‧‧‧角落

703‧‧‧虛線

5A‧‧‧視圖

5B‧‧‧視圖

D‧‧‧距離

E‧‧‧標高

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

T‧‧‧玻璃帶厚度

W‧‧‧開口寬度

WR‧‧‧玻璃帶寬度

當參考附圖閱讀以下詳細描述時會更好地瞭解此等及其他特徵、實施例及優點，在附圖中：

第 1 圖 根據本發明之實施例示意性地圖示玻璃製造設備之一例示性實施例；

第 2 圖 根據本發明之實施例展示沿著第 1 圖 之線2-2 的玻璃製造設備之透視橫截面圖；

第 3 圖 根據本發明之實施例展示沿著第 1 圖 之線3-3 的玻璃製造設備之一部分之示意圖；

第 4 圖 根據本發明之實施例展示沿著第 3 圖 之線4-4 的玻璃製造設備之示意性橫截面圖；

第 5 圖 展示在第 4 圖 之視圖5A 處截取的玻璃製造設備之橫截面圖之放大部分，其中在第 4 圖 之視圖5B 處截取的玻璃製造設備之橫截面圖之放大部分可包含第 5 圖 之鏡像；

第 6 圖 展示沿著第 5 圖 之線6-6 截取的玻璃製造設備之部分橫截面圖；以及

第 7 圖 展示沿著第 5 圖 之線7-7 截取的玻璃製造設備之部分橫截面圖。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (16)

1. 一種用於加熱熔融材料的設備，該設備包含： 一容器，該容器包含一底壁及自該底壁延伸之一側壁，其中該底壁之一內表面及該側壁之一內表面限定該容器之一圍阻區；一第一電極，該第一電極包含定位在該側壁之一第一貫穿開口內之一部分；一第二電極，該第二電極包含定位在該側壁之一第二貫穿開口內之一部分；以及一壁材料，該壁材料限定該底壁之該內表面之一部分且包含在1500℃至1600℃之一溫度範圍內在60 Hz下之約200歐姆•公分至625 歐姆•公分之一範圍內的一電阻率。
2. 如請求項1所述之設備，其中該壁材料限定連接該第一貫穿開口與該第二貫穿開口之一完整路徑之一內表面。
3. 如請求項2所述之設備，其中該側壁包含一側壁部分，該側壁部分在高度上限定在該底壁之一標高與該第一貫穿開口之一下部周邊的一標高之間。
4. 如請求項3所述之設備，該設備進一步包含一冷卻裝置，該冷卻裝置接觸該側壁部分之一外表面。
5. 如請求項4所述之設備，其中該冷卻裝置包含一板。
6. 如請求項5所述之設備，該設備進一步包含一棒，該棒經定位以在朝向該側壁部分之該外表面之一方向上強迫該板。
7. 如請求項6所述之設備，該設備進一步包含一墊，該墊定位在該棒與該板之間以增大該棒與該板之間的一電阻。
8. 一種用於加熱熔融材料的設備，該設備包含： 一容器，該容器包含一底壁及自該底壁延伸之一側壁，其中該底壁之一內表面及該側壁之一內表面限定該容器之一圍阻區；一第一電極，該第一電極包含定位在該側壁之一第一貫穿開口內之一部分；一第二電極，該第二電極包含定位在該側壁之一第二貫穿開口內之一部分；該側壁包含一側壁部分，該側壁部分在高度上限定在該底壁之一標高與該第一貫穿開口之一下部周邊的一標高之間；以及一冷卻裝置，該冷卻裝置接觸該側壁部分之一外表面。
9. 如請求項8所述之設備，其中該冷卻裝置包含一板。
10. 如請求項9所述之設備，該設備進一步包含一棒，該棒經定位以在朝向該側壁部分之該外表面之一方向上強迫該板。
11. 如請求項10所述之設備，該設備進一步包含一墊，該墊定位在該棒與該板之間以增大該棒與該板之間的一電阻。
12. 如請求項11所述之設備，其中該壁材料限定連接該第一貫穿開口與該第二貫穿開口之一完整路徑之一內表面。
13. 一種利用請求項8所述之設備來加熱熔融材料的方法，所述方法包含以下步驟： 藉由使電經由該圍阻區內之熔融材料自該第一電極傳遞至該第二電極來加熱該熔融材料；以及利用藉由該冷卻裝置的該側壁部分之針對性增強冷卻來冷卻該側壁部分。
14. 如請求項13所述之加熱熔融材料的方法，其中利用該冷卻裝置的該側壁部分之該冷卻係針對該第一貫穿開口之一下部周邊正下方。
15. 如請求項14所述之方法，其中藉由用該冷卻裝置使流體循環來冷卻該側壁部分。
16. 如請求項15所述之方法，其中在朝向該側壁部分之一方向上強迫該冷卻裝置之一冷卻板。