TW201942230A - 樹脂組成物、片狀層合材料、印刷配線板及半導體裝置 - Google Patents

樹脂組成物、片狀層合材料、印刷配線板及半導體裝置 Download PDF

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Abstract

本發明的課題為提供一種介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性良好之樹脂組成物。
本發明的解決手段為一種樹脂組成物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂及(D)脂肪族膦系化合物。

Description

樹脂組成物、片狀層合材料、印刷配線板及半導體裝置
本發明係關於樹脂組成物。進而係關於使用該樹脂組成物之片狀層合材料、印刷配線板及半導體裝置。
作為印刷配線板之製造技術，已知有藉由於內層基板上交替堆疊絕緣層與導體層之堆積方式之製造方法。在藉由堆積方式之製造方法，絕緣層一般而言係藉由硬化樹脂組成物形成。例如，專利文獻1中記載有一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)自由基聚合性化合物、(B)環氧樹脂、(C)硬化劑及(D)粗糙化成分。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-034580號公報
[發明欲解決之課題]
近年來，對於可形成介電正切低之絕緣層的樹脂組成物之需求正提高。又，電子設備之小型化、高性能化進展，在印刷配線板，複層化堆積層，尋求配線之微細化及高密度化。
為了達成配線之更加微細化及高密度化，雖尋求介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性良好之樹脂組成物，但尚未充分滿足此等全部乃為現狀。
本發明之課題為提供一種介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性良好之樹脂組成物。

[用以解決課題之手段]
本發明者們針對上述之課題進行努力研究的結果，發現藉由在包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑之樹脂組成物，組合(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂與(D)脂肪族膦系化合物並進行摻合，可解決上述課題，而終至完成本發明。
亦即，本發明係包含以下之內容。
[1] 一種樹脂組成物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂及(D)脂肪族膦系化合物。
[2] 如[1]所記載之樹脂組成物，其中，(D)成分具有直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
[3] 如[1]或[2]所記載之樹脂組成物，其中，(D)成分於1分子中具有1～4個直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
[4] 如[1]～[3]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(D)成分係於1分子中具有2～40個脂肪族碳原子。
[5] 如[1]～[4]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(D)成分為式(D1)或式(D2)表示之化合物，

(式中，
Rd1 及Rd2 分別獨立表示氫原子或式：-(R-O)l -R’表示之1價基，於此，l表示0～5之整數，R表示可具有取代基之2價芳香族基，或可具有取代基之2價脂肪族基，R’表示可具有取代基之1價芳香族基，或可具有取代基之1價脂肪族基，R為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異，
Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，於此，m表示0～5之整數，R’’表示可具有取代基之2價脂肪族基，R’’’表示可具有取代基之1價脂肪族基，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異)

(式中，
Rd1 及Rd2 係與上述同義，
L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基，於此，n表示0～5之整數，R’’係與上述同義，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異，
Rd4 及Rd5 分別獨立表示氫原子、式：-(R-O)l -R’表示之1價基或式：-L-P(-Rd1 )(-Rd2 )表示之1價基，於此，l、R、R’、L、Rd1 及Rd2 係與上述同義)。
[6] 如[1]～[5]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(D)成分係包含下述式中任一個表示之化合物，
。
[7] 如[1]～[6]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，將樹脂成分定為100質量%時，(D)成分的含量為0.001質量%～10質量%。
[8] 如[1]～[7]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(A)成分係包含聯苯型環氧樹脂。
[9] 如[1]～[8]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(B)成分係包含活性酯系硬化劑。
[10] 如[1]～[9]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(C)成分係包含碳-碳雙鍵。
[11] 如[1]～[10]中任一項所記載之樹脂組成物，其中，(C)成分係具有選自由丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯基、烯丙基、乙烯基、丙烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之1個以上之基。
[12] 如[1]～[11]中任一項所記載之樹脂組成物，其係進一步包含(E)無機填充材。
[13] 如[12]所記載之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(E)無機填充材的含量為50質量%以上。
[14] 如[1]～[13]中任一項所記載之樹脂組成物，其係用以形成導體層之絕緣層用。
[15] 一種片狀層合材料，其係含有如[1]～[14]中任一項所記載之樹脂組成物。
[16] 一種印刷配線板，其係包含由如[1]～[14]中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物所構成之絕緣層。
[17] 一種半導體裝置，其係包含如[1]～[14]中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物。

[發明效果]
根據本發明，可提供一種介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性良好之樹脂組成物。
＜用語之說明＞
在本說明書，所謂「脂肪族膦系化合物」，係意指有機膦化合物當中，與磷原子鍵結之有機基中之至少1個為脂肪族基之化合物。在本說明書，所謂脂肪族基，係廣泛意指非芳香族性之有機基，(i)非芳香族烴基之外，亦包含(ii)氧原子、氮原子、硫原子、硼原子及矽原子等之含有雜原子之非芳香族性的有機基。脂肪族基為含有雜原子之非芳香族性的有機基時，該有機基之碳原子與磷原子鍵結。據此，在本發明之「脂肪族膦系化合物」，其特徵為包含直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
在本說明書，被附在基之正前面所謂「可具有取代基」之用語，係意指該基之氫原子未被取代基取代的情況，及該基之氫原子的一部分或全部被取代基取代的情況雙方。
在本說明書，所謂「取代基」之用語，除非另有說明，係意指鹵素原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、1價雜環基、亞烷基、胺基、矽烷基、膦基、巰基、甲醯基、醯基、醯氧基、羧基、氰基、硝基、羥基及側氧基。
作為作為取代基使用之鹵素原子，例如可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為取代基使用之烷基可為直鏈狀或分枝狀之任一種。該烷基之碳原子數較佳為1～12，更佳為1～6，再更佳為1～3。作為取代基使用之環烷基的碳原子數較佳為3～12，更佳為3～6。作為取代基使用之烷氧基可為直鏈狀或分枝狀之任一種。該烷氧基之碳原子數較佳為1～12，更佳為1～6。作為取代基使用之環烷氧基的碳原子數較佳為3～12，更佳為3～6。作為取代基使用之芳基的碳原子數較佳為6～14，更佳為6～10。作為取代基使用之芳氧基的碳原子數較佳為6～14，更佳為6～10。作為取代基使用之芳基烷基的碳原子數較佳為7～15，更佳為7～11。作為取代基使用之芳基烷氧基的碳原子數較佳為7～15，更佳為7～11。所謂作為取代基使用之1價雜環基，係指從雜環式化合物之雜環去除1個氫原子之基。該1價雜環基之碳原子數較佳為3～15，更佳為3～9。該1價雜環基中亦包含1價芳香族雜環基(雜芳基)。所謂作為取代基使用之亞烷基，係指從烷烴之同一個碳原子去除2個氫原子之基。該亞烷基之碳原子數較佳為1～12，更佳為1～6，特佳為1～3。所謂作為取代基使用之胺基、矽烷基、膦基及巰基，分別係指式：-NH2 表示之基、式：-SiH3 表示之基、式：-PH2 表示之基及式：-SH表示之基。作為取代基使用之醯基，係指式：-C(=O)-RS 表示之基(式中，RS 為烷基或芳基)。RS 表示之烷基可為直鏈狀或分枝狀之任一種。該醯基之碳原子數較佳為2～13，再更佳為2～7。作為取代基使用之醯氧基係式：-O-C(=O)-RS 表示之基(式中，RS 係與上述同義)。該醯氧基之碳原子數較佳為2～13，更佳為2～7。上述之取代基可進一步具有取代基(有「二次取代基」的情況)。作為二次取代基，除非另有說明，可使用與上述之取代基相同者。作為具有二次取代基之取代基，例如可列舉二甲基胺基。
以下，將本發明符合該合適之實施形態進行詳細說明。
[樹脂組成物]
本發明之樹脂組成物，其特徵為包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂及(D)脂肪族膦系化合物。
在包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑之樹脂組成物，組合(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂與(D)脂肪族膦系化合物，並摻合之本發明之樹脂組成物，可帶來介電正切低，且鍍敷密著性(對於鍍敷導體層之密著性)及基底密著性(對於基底導體層之密著性)良好之硬化物。
＜(A)環氧樹脂＞
本發明之樹脂組成物作為(A)成分，係包含環氧樹脂。作為環氧樹脂，例如可列舉雙酚型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、tert-丁基-鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂。環氧樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。雙酚型環氧樹脂係指具有雙酚構造之環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂。聯苯型環氧樹脂係指具有聯苯構造之環氧樹脂，於此聯苯構造係可具有烷基、烷氧基、芳基等之取代基。據此，雙二甲酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂亦包含聯苯型環氧樹脂。
作為環氧樹脂，較佳為芳香族系之環氧樹脂。於此，所謂芳香族系之環氧樹脂，係意指其分子內具有芳香環之環氧樹脂。芳香環中不僅包含苯環等之單環構造，亦包含萘環等之多環芳香族構造及芳香族雜環構造。其中，從在(C)成分及(D)成分之組合，實現優異之鍍敷密著性及基底密著性的觀點來看，(A)成分較佳為選自由雙酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂所構成之群組中之1種類以上，更佳為選自由雙酚型環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂所構成之群組中之1種以上，再更佳為聯苯型環氧樹脂。在合適之一實施形態，(A)成分係包含聯苯型環氧樹脂。
環氧樹脂較佳為於1分子中具有2個以上環氧基。將環氧樹脂之不揮發成分定為100質量%時，於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂的比例較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，再更佳為70質量%以上。
環氧樹脂中有於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下亦稱為「液狀環氧樹脂」)、與於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下亦稱為「固體狀環氧樹脂」)。本發明之樹脂組成物作為(A)成分，可單獨包含液狀環氧樹脂，亦可單獨包含固體狀環氧樹脂，亦可組合包含液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂。其中，本發明之樹脂組成物作為(A)成分，較佳為包含固體狀環氧樹脂，以單獨固體狀環氧樹脂，或組合包含固體狀環氧樹脂與液狀環氧樹脂較佳。
作為固體狀環氧樹脂，較佳為於1分子中具有3個以上環氧基之固體狀環氧樹脂，更佳為於1分子中具有3個以上環氧基之芳香族系之固體狀環氧樹脂。
作為固體狀環氧樹脂，較佳為聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為雙二甲酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂，再更佳為雙二甲酚型環氧樹脂。
作為固體狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)；DIC公司製之「N-690」(甲酚酚醛型環氧樹脂)；DIC公司製之「N-695」(甲酚酚醛型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-7200」(雙環戊二烯型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC7000L」(萘酚酚醛型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯芳烷基型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN485」(萘酚酚醛型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX8800」(蔥型環氧樹脂)；大阪燃氣化學公司製之「PG-100」、「CG-500」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)。此等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
作為液狀環氧樹脂，較佳為於1分子中具有2個以上環氧基之液狀環氧樹脂，更佳為於1分子中具有2個以上環氧基之芳香族系的液狀環氧樹脂。
作為液狀環氧樹脂，較佳為雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂及具有丁二烯構造之環氧樹脂，更佳為環氧丙基胺型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂，特佳為雙酚A型環氧樹脂。
作為液狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「828US」、「jER828US」、「jER828EL」、「825」、「EPIKOTE 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER152」(酚酚醛型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「630」、「630LSD」(環氧丙基胺型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)；Nagase ChemteX公司製之「EX-721」(環氧丙基酯型環氧樹脂)；Daicel公司製之「Celloxide2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)；Daicel公司製之「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-環氧丙基環己烷型環氧樹脂)；等。此等可1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。
作為環氧樹脂，組合液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂使用時，該等之質量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)較佳為1：0.1～1：15，更佳為1：0.5～1：10，特佳為1：1～1：8。藉由液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之質量比為前述的範圍，得到i)於以片狀層合材料的形態使用時，帶來適度之黏著性、ii)於以片狀層合材料的形態使用時，得到充分可撓性，提昇操作性、以及iii)可得到具有充分之斷裂強度的絕緣層等之效果。
環氧樹脂之環氧當量較佳為50～5000，更佳為50～3000，再更佳為80～2000，特佳為110～1000。藉由環氧樹脂之環氧當量為前述的範圍，可得到樹脂組成物的硬化物之交聯密度變充分，表面粗糙度小之絕緣層。尚，環氧當量係包含1當量之環氧基之樹脂的質量，可依照JIS K7236測定。
環氧樹脂的重量平均分子量較佳為100～5000，更佳為250～3000，再更佳為400～1500。環氧樹脂等之樹脂的重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
樹脂組成物中之(A)成分的含量，從得到顯示良好之機械強度及絕緣信賴性之硬化物的觀點來看，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，再更佳為8質量%以上。(A)成分的含量的上限，只要能發揮本發明之效果，雖並未特別限定，但較佳為70質量%以下，更佳為50質量%以下，再更佳為30質量%以下或20質量%以下。
尚，在本發明，構成樹脂組成物之各成分的含量，係將脂組成物中之不揮發成分的合計定為100質量%時之值。
＜(B)硬化劑＞
本發明之樹脂組成物作為(B)成分，係包含硬化劑。作為硬化劑，只要具有硬化環氧樹脂之機能，則並未特別限定，例如可列舉酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及碳二醯亞胺系硬化劑。硬化劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，從耐熱性及耐水性的觀點來看，較佳為具有酚醛構造之酚系硬化劑或具有酚醛構造之萘酚系硬化劑。又，從與導體層之密著強度(剝離強度)的觀點來看，較佳為含氮酚系硬化劑或含氮萘酚系硬化劑，更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑或含有三嗪骨架之萘酚系硬化劑。其中，從高度滿足耐熱性、耐水性及與導體層之密著強度的觀點來看，較佳為含有三嗪骨架之酚酚醛樹脂。作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，例如可列舉明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學(股)製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC(股)製之「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」、「LA-1356」、「TD2090」等。
作為活性酯系硬化劑，雖並未特別限制，但一般而言，較佳為使用於1分子中具有2個以上之酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之反應活性高之酯基的化合物。該活性酯系硬化劑較佳為藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應所獲得者。尤其是從提昇耐熱性的觀點來看，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，更佳為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。作為羧酸化合物，例如可列舉苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。作為酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、雙環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛等。於此，所謂「雙環戊二烯型二酚化合物」，係指於雙環戊二烯1分子縮合酚2分子所得之二酚化合物。
具體而言，較佳為包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造之活性酯化合物、包含酚酚醛之乙醯化物之活性酯化合物、包含酚酚醛之苯甲醯基化物之活性酯化合物，其中，更佳為包含萘構造之活性酯化合物、包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物。所謂「雙環戊二烯型二酚構造」，係表示由伸苯基-雙環戊二烯-伸苯基所構成之2價構造單位。
作為活性酯系硬化劑之市售品，作為包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC(股)製)，作為包含萘構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9416-70BK」(DIC(股)製)，作為包含酚酚醛之乙醯化物之活性酯化合物，可列舉「DC808」(三菱化學(股)製)，作為包含酚酚醛之苯甲醯基化物之活性酯化合物，可列舉「YLH1026」(三菱化學(股)製)等。
作為苯并噁嗪系硬化劑之具體例，可列舉昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。
作為氰酸酯系硬化劑，例如可列舉衍生自雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯(寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯))、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、酚酚醛及甲酚酚醛等之多官能氰酸酯樹脂、一部分三嗪化此等氰酸酯樹脂之預聚物等。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，可列舉Lonza Japan(股)製之「PT30」及「PT60」(皆為酚酚醛型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」(成為雙酚A二氰酸酯的一部分或全部被三嗪化之三聚物之預聚物)等。
作為碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可列舉日清紡化學(股)製之「V-03」、「V-07」等。
從得到耐熱性優異之硬化物的觀點、在(C)成分及(D)成分之組合實現良好之鍍敷密著性及基底密著性的觀點來看，(B)成分較佳為包含活性酯系硬化劑。
(A)環氧樹脂與(B)硬化劑之量比以[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基的合計數]的比率，較佳為1：0.2～1：2的範圍，更佳為1：0.3～1：1.5，再更佳為1：0.4～1：1.2。於此，所謂硬化劑之反應基，係活性羥基、活性酯基等，因硬化劑的種類而異。又，所謂環氧樹脂之環氧基的合計數，係針對全部之環氧樹脂將各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值進行合計之值。所謂硬化劑之反應基的合計數，係針對全部之硬化劑將各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值進行合計之值。藉由將環氧樹脂與硬化劑之量比定為該範圍，更加提昇所得之絕緣層的耐熱性。
＜(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂＞
本發明之樹脂組成物作為(C)成分，係包含具有自由基聚合性不飽和基(亦稱為乙烯性或乙炔性不飽和基)之樹脂。在以下之說明，亦有將作為(C)成分之「具有自由基聚合性不飽和基之樹脂」稱為「不飽和樹脂」的情況。具有自由基聚合性之碳-碳不飽和鍵(乙烯性或乙炔性不飽和鍵)，係於(C)不飽和樹脂之1分子中不僅可包含1個，亦可包含複數個。包含(C)不飽和樹脂之樹脂組成物的硬化物，通常包含(C)不飽和樹脂之不飽和鍵部位進行反應所形成之分子構造部位。藉此，硬化物之極性縮小，可縮小介電正切之值。(C)成分可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
(C)不飽和樹脂所具有之自由基聚合性不飽和基，較佳為具有碳-碳雙鍵之乙烯性不飽和基。據此，在一實施形態，(C)成分係具有碳-碳雙鍵。在更合適之實施形態，自由基聚合性不飽和基較佳為選自由丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯基、烯烴基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之1個以上之基。作為烯烴基之較佳之例，可列舉烯丙基、乙烯基、丙烯基。因此，在合適之一實施形態，(C)成分係具有選自由丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯基、烯丙基、乙烯基、丙烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之1個以上之基。
(C)不飽和樹脂較佳為具有5員環以上之環狀醚構造之樹脂(以下亦稱為「含有環狀醚構造之不飽和樹脂」)。含有環狀醚構造之不飽和樹脂，由於通常分子運動受到限制，可有效果地降低介電正切。
含有環狀醚構造之不飽和樹脂可僅包含1個環狀醚構造，亦可包含複數個。
環狀醚構造可具有僅包含1個環之單環構造，亦可具有包含2個以上之環的多環構造，亦可具有包含稠合環之稠合環構造。
1個環狀醚構造所包含之氧原子數，從顯著得到本發明之所期望之效果的觀點來看，較佳為1以上，更佳為2以上，較佳為5以下，更佳為4以下，再更佳為3以下。
環狀醚構造較佳為5～10員環，更佳為5～8員環，再更佳為5～6員環。作為5員環以上之環狀醚構造之具體例，可列舉呋喃構造、四氫呋喃構造、二氧戊環構造、吡喃構造、二氫吡喃構造、四氫吡喃構造、二噁烷構造。其中，從提昇樹脂組成物之相溶性的觀點來看，較佳為二噁烷構造。二噁烷構造中係包含1,2-二噁烷構造、1,3-二噁烷構造及1,4-二噁烷構造，較佳為1,3-二噁烷構造。
環狀醚構造可具有取代基。取代基之種類並未特別限定，可為先述之取代基之任一種，例如可列舉烷基、烷氧基。該取代基之碳原子數雖如先述，但較佳為1～6，更佳為1～3。
含有環狀醚構造之不飽和樹脂當中，較佳為具有乙烯基之樹脂。藉由將具有乙烯基之含有環狀醚構造之不飽和樹脂(亦即，作為自由基聚合性不飽和基，具有乙烯基，且具有5員環以上之環狀醚構造的樹脂)作為(C)不飽和樹脂使用，可顯著得到本發明所期望的效果。進而通常可有效果地降低樹脂組成物之介電正切。
列舉(C)不飽和樹脂之較佳之例時，可列舉下述式(C1)表示之化合物、下述式(C6)表示之化合物、下述式(C7)表示之化合物、下述式(C9)表示之化合物及下述式(C10)表示之化合物。其中，特佳為式(C7)表示之化合物為含有環狀醚構造之不飽和樹脂。(C)不飽和樹脂亦可為苯并環丁烯樹脂。
在式(C1)，R1 ～R6 分別獨立表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，較佳為表示氫原子。在式(C1)，A表示下述式(C2)或下述式(C3)表示之2價基。
式(C2)中，B表示下述式(C2-1)、(C2-2)或(C2-3)表示之2價基。
在式(C2-1)，R15 ～R18 分別獨立表示氫原子、碳原子數6以下之烷基或苯基，較佳為表示氫原子或甲基。
在式(C2-2)，R19 ～R26 分別獨立表示氫原子、碳原子數6以下之烷基或苯基，較佳為表示氫原子或甲基。
在式(C2-3)，R27 ～R34 分別獨立表示氫原子、碳原子數6以下之烷基或苯，較佳為表示氫原子或甲基。又，在式(C2-3)，E表示碳原子數20以下之直鏈狀、分枝狀或環狀之2價烴基。
在式(C3)，D表示下述式(C4)表示之2價基。
在式(C4)，R7 ～R14 分別獨立表示氫原子、碳原子數6以下之烷基或苯基，較佳為表示氫原子或甲基。尤其是R7 、R8 、R13 及R14 更佳為表示甲基。在式(C4)，a及b係至少一者並非0，而是0以上100以下之整數。在式(C4)，B表示前述之式(C2-1)、(C2-2)或(C2-3)表示之2價基。
前述式(C1)表示之化合物較佳為下述式(C5)表示之化合物。
在式(C5)，R1 ～R6 係與前述式(C1)中之R1 ～R6 同義，B係與前述式(C2)中之B同義，a及b係與前述式(C4)中之a及b同義。
在式(C7)，環F表示具有5員環以上之環狀醚構造的2價基。環狀醚構造的範圍係如上述。又，環狀醚構造如上述可具有取代基。
作為具有5員環以上之環狀醚構造之2價基，例如可列舉呋喃-2,5-二基、四氫呋喃-2,5-二基、二氧戊環-2,5-二基、吡喃-2,5-二基、二氫吡喃-2,5-二基、四氫吡喃-2,5-二基、1,2-二噁烷-3,6-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1,4-二噁烷-2,5-二基、5-乙基-1,3-二噁烷-2,5-二基。其中，較佳為5-乙基-1,3-二噁烷-2,5-二基。
在式(C7)，B1 及B2 分別獨立表示單鍵或2價連結基。B1 及B2 較佳為2價連結基。作為2價連結基，例如可列舉可具有取代基之伸烷基、可具有取代基之伸烯基、可具有取代基之伸炔基、可具有取代基之伸芳基、可具有取代基之雜伸芳基、-COO-表示之基、-CO-表示之基、 -CONH-表示之基、-NHCONH-表示之基、-NHCOO-表示之基、-C(=O)-表示之基、-S-表示之基、-SO-表示之基、 -NH-表示之基，及複數組合此等之基的基。
此等當中，B1 及B2 較佳為組合選自由可具有取代基之伸烷基、可具有取代基之伸烯基、可具有取代基之亞炔基、-COO-表示之基及-O-表示之基所構成之群組中之2個以上之基的基。尤其是B1 及B2 更佳為組合選自由可具有取代基之伸烷基及-COO-表示之基所構成之群組中之2個以上之基的基。
在式(C7)，C1 及C2 分別獨立表示官能基。作為官能基，例如可列舉乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、烯丙基、苯乙烯基、丙烯基、環氧基。在合適之一實施形態，C1 及C2 為乙烯基。
作為式(C7)表示之化合物之具體例，可列舉下述式(C8)表示之化合物。
式(C10)中，n表示1～5。
作為(C)不飽和樹脂，例如可列舉三菱瓦斯化學公司製「OPE-2St 1200」(苯乙烯改質聚伸苯基醚樹脂、數平均分子量1200、相當於前述式(C5))、三菱化學公司製「YL7776」(雙二甲酚二烯丙基醚樹脂、數平均分子量331、相當於前述式(C6))、新中村化學工業公司製「A-DOG」(二噁烷丙烯醯基單體甘醇二丙烯酸酯、數平均分子量326、相當於前述式(C8))、日本化藥公司製「KAYARAD R-604」(相當於前述式(C8))、新中村化學工業公司製「A-DCP」(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、數平均分子量304、相當於前述式(C9))、日本化藥公司製「MIR-3000-70MT」、相當於前述式(C10))。又，(C)不飽和樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
(C)不飽和樹脂之數平均分子量較佳為100以上，更佳為200以上，較佳為10000以下，更佳為3000以下。藉由(C)不飽和樹脂之數平均分子量為前述的範圍，可抑制樹脂清漆之乾燥時的揮發，或是可抑制樹脂組成物之熔融黏度變過大。數平均分子量可藉由凝膠滲透層析(GPC)法，以聚苯乙烯換算之值測定。藉由GPC法之數平均分子量的測定，例如作為測定裝置，係使用島津製作所公司製「LC-9A/RID-6A」，作為管柱，係使用昭和電工公司製「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」，作為移動相，係使用氯仿，可在管柱溫度40℃測定。
樹脂組成物中之(C)成分的含量，從得到帶來介電正切低之硬化物的樹脂組成物的觀點來看，較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上或5質量%以上。(C)成分的含量的上限，從提昇樹脂組成物之相溶性的觀點來看，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下或10質量%以下。
＜(D)脂肪族膦系化合物＞
本發明之樹脂組成物作為(D)成分，係包含脂肪族膦系化合物。藉由組合該(D)成分與先述之(C)成分進行摻合，可得到帶來介電正切低且鍍敷密著性及基底密著性優異之硬化物的樹脂組成物。
如先述，藉由摻合(C)成分，可降低樹脂組成物的硬化物之介電正切。然而，另一方面，本發明者們發現回歸於鍍敷密著性及基底密著性劣化之硬化物。本發明者們對於該課題進行努力研究的結果，藉由與(C)成分組合摻合(D)成分，可降低樹脂組成物的硬化物之介電正切，所謂直接維持藉由使用(C)成分之特長，終至達成帶來鍍敷密著性及基底密著性亦優異之硬化物的樹脂組成物。
(D)成分如先述，其特徵為包含直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。此點，本發明者們確認即使為有機膦化合物，不具有直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子者，在與(C)成分之組合，無法達成所期望的效果(後述之比較例2)。藉由顯示推電子性之脂肪族碳原子直接鍵結在磷原子，磷原子成為富電子的狀態。該富電子之磷原子被認為是進行促進(A)成分與(C)成分之反應等，再現有助於對於導體之密著性的硬化物組成者。從達成帶來鍍敷密著性及基底密著性更為優異之硬化物的樹脂組成物的觀點來看，(D)成分較佳為包含脂肪族碳原子與芳香族碳原子雙方直接鍵結之磷原子。
(D)成分每1分子所包含之直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子的個數，並未特別限定，但通常為1～10個，較佳為1～8個，更佳為1～6個、1～4個或1～3個，再更佳為1或2個。只要包含直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子，(D)成分於該分子中可包含未直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
(D)成分每1分子所包含之脂肪族碳原子之個數雖並未特別限定，但較佳為2個以上，更佳為3個以上或4個以上。於此，所謂脂肪族碳原子之個數，係(D)成分所包含之芳香族碳原子以外之碳原子的合計個數。例如，(D)成分為於1分子中具有2個苯基與1個環己基時，其脂肪族碳原子的個數為6個。又，(D)成分為於1分子中包含1個苯基與2個環辛基時，其脂肪族碳原子的個數為16個。(D)成分每1分子所包含之脂肪族碳原子之個數的上限並未特別限定，但通常為100個以下，較佳為80個以下，更佳為60個以下，再更佳為40個以下、20個以下、12個以下或8個以下。
在一實施形態，(D)成分為以下之式(D1)或式(D2)表示之化合物。

(式(D1)中，
Rd1 及Rd2 分別獨立表示氫原子或式：-(R-O)l -R’表示之1價基，於此，l表示0～5之整數，R表示可具有取代基之2價芳香族基，或可具有取代基之2價脂肪族基，R’表示可具有取代基之1價芳香族基，或可具有取代基之1價脂肪族基，R為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異，
Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，於此，m表示0～5之整數，R’’表示可具有取代基之2價脂肪族基，R’’’表示可具有取代基之1價脂肪族基，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異)。

(式(D2)中，
Rd1 及Rd2 係與上述同義，
L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基，於此，n表示0～5之整數，R’’係與上述同義，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異，
Rd4 及Rd5 分別獨立表示氫原子、式：-(R-O)l -R’表示之1價基或式：-L-P(-Rd1 )(-Rd2 )表示之1價基，於此，l、R、R’、L、Rd1 及Rd2 係與上述同義)。
式(D1)中，Rd1 及Rd2 分別獨立表示氫原子或式：-(R-O)l -R’表示之1價基。l表示0～5之整數，R表示可具有取代基之2價芳香族基，或可具有取代基之2價脂肪族基，R’表示可具有取代基之1價芳香族基，或可具有取代基之1價脂肪族基。R為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異。在合適之一實施形態，Rd1 及Rd2 之至少一者表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，與磷原子直接鍵結之R(l=1～5時)、R’(l=0時)分別表示可具有取代基之2價芳香族基、可具有取代基之1價芳香族基。
在本說明書，所謂「2價芳香族基」，係指從芳香族化合物之芳香環去除2個氫原子之基。在合適之一實施形態，2價芳香族基包含伸芳基、雜伸芳基。所謂雜伸芳基，係指從芳香族雜環式化合物之雜環去除2個氫原子之基。所謂雜環，係指作為構成環之原子，不僅是碳原子，亦為包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子及矽原子等之雜原子之環。又，在本說明書，所謂「1價芳香族基」，係指從芳香族化合物之芳香環去除1個氫原子之基，在合適之一實施形態，包含芳基、雜芳基。雜芳基係指從芳香族雜環式化合物之雜環去除1個氫原子之基，除了從雜環去除之氫原子為1個這點之外，其他與雜伸芳基相同。
在本說明書，所謂「2價脂肪族基」，係指從脂肪族化合物去除2個氫原子之基。於此，脂肪族化合物可為飽和脂肪族化合物亦可為不飽和脂肪族化合物。在合適之一實施形態，2價脂肪族基包含伸烷基、伸烯基、環伸烷基、環伸烯基、雜環伸烷基、雜環伸烯基。所謂雜環伸烷基，係指從飽和脂肪族雜環式化合物之雜環(亦即，飽和雜環)去除2個氫原子之基，所謂雜環伸烯基，係指從具有碳-碳雙鍵之不飽和脂肪族雜環式化合物之雜環(亦即，具有碳-碳雙鍵之不飽和雜環)，去除2個氫原子之基。雜環所包含之雜原子係與上述相同。又，在本說明書，所謂「1價脂肪族基」，係指從脂肪族化合物去除1個氫原子之基。在合適之一實施形態，1價脂肪族基係包含烷基、烯基、環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基。雜環烷基係指從飽和脂肪族雜環式化合物之雜環去除1個氫原子之基，除了從雜環去除之氫原子為1個這點之外，其他與雜環伸烷基相同。又，雜環烯基係指從具有碳-碳雙鍵之不飽和脂肪族雜環式化合物之雜環，去除1個碳原子之基，除了從雜環去除之氫原子為1個這點之外，其他與雜環伸烯基相同。
l較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，再更佳為0或1，又再更佳為0。
在合適之一實施形態，R係表示可具有取代基之伸芳基、可具有取代基之雜伸芳基、可具有取代基之伸烷基、可具有取代基之伸烯基、可具有取代基之環伸烷基、可具有取代基之環伸烯基、可具有取代基之雜環伸烷基或可具有取代基之雜環伸烯基。
在R之伸芳基之碳原子數較佳為6～24，更佳為6～18，再更佳為6～14，又再更佳為6～10。作為該伸芳基之具體例，可列舉伸苯基、萘基、伸蒽基(Anthracenylene)。
在R之雜伸芳基之碳原子數較佳為3～21，更佳為3～15，再更佳為3～9，又再更佳為3～6。作為該雜伸芳基之具體例，可列舉芘二基、吡咯二基、呋喃二基、噻吩二基、吡啶二基、噠嗪二基、嘧啶二基、吡嗪二基、三嗪二基、吡咯啉二基、哌啶二基、三唑二基、嘌呤二基、蒽醌二基、咔唑二基、茀二基、喹啉二基及異喹啉二基。
在R之伸烷基可為直鏈狀或分枝狀之任一種，其碳原子數較佳為1～12，更佳為1～9，再更佳為1～6或1～4。作為該伸烷基之具體例，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基。
在R之伸烯基可為直鏈狀或分枝狀之任一種，其碳原子數較佳為2～12，更佳為2～9，再更佳為2～6或2～4。作為該伸烯基之具體例，可列舉亞乙烯基、亞丙烯基，亞丁烯基，亞戊烯基，亞己烯基、亞庚烯基，亞辛烯基，亞壬烯基、亞癸烯基，亞十一烯基，亞十二烯基。
在R之環伸烷基之碳原子數較佳為3～12，更佳為3～10、3～8或3～6。作為該環伸烷基之具體例，例如可列舉環伸丙基、環伸丁基、環伸戊基、環伸己基、十氫化萘基、伸降冰片烷基(Norbornanylene)及伸金剛烷基(adamantylene)。
在R之環伸烯基之碳原子數較佳為3～10，更佳為3～6。作為該環伸烯基之具體例可列舉環亞丙烯基、環亞丁烯基、環亞戊烯基、環亞己烯基及伸降冰片烯基(Norbornenylene)。
在R之雜環伸烷基之碳原子數較佳為2～21，更佳為2～15，再更佳為2～9、2～6或2～5。作為構成雜環伸烷基之雜原子，較佳為包含選自由氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子及矽原子所構成之群組中之1種以上，更佳為包含選自由氧原子、硫原子及氮原子所構成之群組中之1種以上。作為該雜環伸烷基之具體例，可列舉環氧乙烷二基、氮丙啶二基、吖呾二基、環氧丙烷二基、硫呾二基、吡咯啶二基、二氫呋喃二基、四氫呋喃二基。
在R之雜環伸烯基之碳原子數較佳為2～21，更佳為2～15，再更佳為2～9、2～6或2～5。合適之雜原子係與對於雜環伸烷基所說明者相同。作為該雜環伸烯基之具體例，可列舉芳基氧雜丙烯(oxylene)二基、 氧環丁烯(Oxetene)二基。
在R之2價基可具有之取代基係如先述。在R之2價基具有複數個取代基時，該等可為相同亦可為相異。
在合適之一實施形態，R’係表示可具有取代基之芳基、可具有取代基之雜芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基、可具有取代基之環烷基、可具有取代基之環烯基、可具有取代基之雜環烷基或可具有取代基之雜環烯基。
在R’之芳基、雜芳基、烷基、烯基、環烷基、環烯基、雜環烷基及雜環烯基之合適之碳原子數，分別與對於在R之伸芳基、雜伸芳基、伸烷基、伸烯基、環伸烷基、環伸烯基、雜環伸烷基及雜環伸烯基所說明之合適的碳原子數相同。
式(D1)中，Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，於此，m表示0～5之整數，R’’表示可具有取代基之2價脂肪族基，R’’’表示可具有取代基之1價脂肪族基。R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異。
m較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，再更佳為0或1，又再更佳為0。
在合適之一實施形態，R’’係表示可具有取代基之伸烷基、可具有取代基之伸烯基、可具有取代基之環伸烷基、可具有取代基之環伸烯基、可具有取代基之雜環伸烷基或可具有取代基之雜環伸烯基。
在合適之一實施形態，R’’’係表示可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基、可具有取代基之環烷基、可具有取代基之環烯基、可具有取代基之雜環烷基或可具有取代基之雜環烯基。
在R’’之伸烷基、伸烯基、環伸烷基、環伸烯基、雜環伸烷基及雜環伸烯基之合適之碳原子數，分別與對於在R之伸烷基、伸烯基、環伸烷基、環伸烯基、雜環伸烷基及雜環伸烯基所說明之合適的碳原子數相同。又，在R’’’之烷基、烯基、環烷基、環烯基、雜環烷基及雜環烯基之合適的碳原子數，分別與對於在R之伸烷基、伸烯基、環伸烷基、環伸烯基、雜環伸烷基及雜環伸烯基所說明之合適的碳原子數相同。
R’’為可具有取代基之雜環伸烷基(或雜環伸烯基)時，構成雜環伸烷基(或雜環伸烯基)之碳原子係與磷原子鍵結。m為0，且R’’’為可具有取代基之雜環烷基(或雜環烯基)時，構成雜環烷基(或雜環烯基)之碳原子係與磷原子鍵結。
在一實施形態，式(D1)中，
i)Rd1 及Rd2 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’表示可具有取代基之芳基，
ii)Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，m為0～2之整數，R’’為可具有取代基之伸烷基或可具有取代基之環伸烷基，R’’’為可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基或可具有取代基之環烷基。
在合適之一實施形態，式(D1)中，
i)Rd1 及Rd2 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之苯基，
ii)Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，m為0，R’’’為可具有取代基之環烷基。
在其他一實施形態，式(D1)中，
i)Rd1 表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之芳基，
ii)Rd2 表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之烷基或可具有取代基之烯基，
iii)Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，m為0～2之整數，R’’為可具有取代基之伸烷基或可具有取代基之環伸烷基，R’’’為可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基或可具有取代基之環烷基。
在合適之其他一實施形態，式(D1)中，
i)Rd1 表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之苯基，
ii)Rd1 表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之烷基，
iii)Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，m為0，R’’’為可具有取代基之烷基。
式(D2)中，Rd1 及Rd2 係與上述同義，亦即，與式(D1)中之Rd1 及Rd2 同義。
式(D2)中，L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基。n表示0～5之整數，R’’係與上述同義，亦即，係與針對式(D1)中之Rd3 說明之R’’同義，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異。
n較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，再更佳為0或1，又再更佳為0。
式(D2)中，Rd4 及Rd5 分別獨立表示氫原子、式：-(R-O)l -R’表示之1價基或式：-L-P(-Rd1 )(-Rd2 )表示之1價基，於此，l、R、R’、L、Rd1 及Rd2 係與上述同義。
在一實施形態，式(D2)中，
i)Rd1 及Rd2 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之芳基，
ii)L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基，n為0～2之整數，R’’為可具有取代基之伸烷基或可具有取代基之環伸烷基，
iii)Rd4 及Rd5 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之芳基。
在合適之一實施形態，式(D2)中，
i)Rd1 及Rd2 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之苯基，
ii)L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基，n為0，R’’為可具有取代基之伸烷基，
iii)Rd4 及Rd5 任一皆為表示式：-(R-O)l -R’表示之1價基，l為0，R’為可具有取代基之苯基。
在一實施形態，(D)成分係包含下述式中任一個表示之化合物。
作為(D)成分，例如可列舉北興化學公司製之「DPPE」(1,3-雙二苯基膦基乙烷)、「DPPP」(1,3-雙二苯基膦基丙烷)、「DPPB」(1,3-雙二苯基膦基丁烷)、「DPCP」(二苯基環己基膦)、「TCHP」(三環己基膦)、「Amphos」([4-(N,N-二甲基胺基)苯基]二-tert-丁基膦)。
將樹脂組成物中之樹脂成分的合計定為100質量%時，(D)成分的含量即使為低至0.001質量%的情況，在與(C)成分之組合，可實現帶來介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性優異之硬化物的樹脂組成物。樹脂組成物中之(D)成分的含量，從在與(C)成分之組合，實現帶來鍍敷密著性及基底密著性顯著優異之硬化物的樹脂組成物的觀點來看，將樹脂組成物中之樹脂成分的合計定為100質量%時，較佳為0.001質量%以上，更佳為0.01質量%以上、0.05質量%以上、0.1質量%以上、0.2質量%以上、0.3質量%以上或0.5質量%以上。尚，所謂「樹脂成分」，係指構成樹脂組成物之不揮發成分當中，去除後述之(E)無機填充材的成分。
(D)成分如先述，已具有直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子，該富電子之磷原子被認為是進行促進(A)成分與(C)成分之反應等，再現有助於對於導體之密著性的硬化物組成者。從其反應促進效果的高度，摻合(D)成分時，有樹脂組成物之熔融黏度隨著時間增大的情況。因此，從調製樹脂組成物後至使用為止的保管時間長的情況等，有因使用態樣導致樹脂組成物的增黏顯在化的情況。此點，將樹脂組成物中之樹脂成分的合計定為100質量%時，藉由將(D)成分的含量定為10質量%以下，可有效果地抑制增黏。該(D)成分的含量的上限，從得到適用期良好之樹脂組成物的觀點來看，較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下、6質量%以下、5質量%以下或3質量%以下。
本發明之樹脂組成物如有必要可進一步含有選自由無機填充材、硬化促進劑、茚香豆酮樹脂、熱塑性樹脂、阻燃劑及有機填充材所構成之群組中之1種以上的添加劑。
-(E)無機填充材-
本發明之樹脂組成物作為(E)成分，可進一步包含無機填充材。藉由包含無機填充材，可實現線熱膨脹係數及介電正切更一層低之硬化物。
無機填充材之材料雖並未特別限定，但例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等，特別適合二氧化矽。作為二氧化矽，例如可列舉無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又，作為二氧化矽，較佳為球形二氧化矽。無機填充材可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。作為市售之球形二氧化矽，可列舉(股)Admatechs製「SO-C2」、「SO-C1」、Unimin公司製「IMSIL A-8」、「IMSIL A-10」等。
無機填充材之平均粒徑較佳為4μm以下，更佳為3μm以下，再更佳為2.5μm以下，又再更佳為2μm以下，特佳為1μm以下、0.7μm以下或0.5μm以下。無機填充材之平均粒徑之下限較佳為0.01μm以上，更佳為0.03μm以上，再更佳為0.05μm以上、0.07μm以上或0.1μm以上。無機填充材之平均粒徑可根據米氏(Mie)散射理論，藉由雷射繞射･散射法測定。具體而言，藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置，將無機填充材之粒度分布以體積基準作成，可藉由將其中位徑作為平均粒徑來測定。測定樣品可優選使用將無機填充材藉由超音波分散在水中者。作為雷射繞射式粒度分布測定裝置，可使用(股)堀場製作所製「LA-500」、「LA-750」、「LA-950」等。
又，無機填充材之比表面積，從顯著得到本發明之效果的觀點來看，較佳為1m2 /g以上，更佳為2m2 /g以上，特佳為5m2 /g以上。上限雖並無特別限制，但較佳為60m2 /g以下、50m2 /g以下或40m2 /g以下。無機填充材之比表面積可藉由BET法測定。
無機填充材從提高耐濕性及分散性的觀點來看，較佳為以胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上的表面處理劑處理。作為表面處理劑之市售品，例如可列舉信越化學工業(股)製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。
藉由表面處理劑之表面處理的程度，可藉由無機填充材之每一單位表面積的碳量評估。無機填充材之每一單位表面積之碳量，從提昇無機填充材之分散性的觀點來看，較佳為0.02mg/m2 以上，更佳為0.1mg/m2 以上，再更佳為0.2mg/m2 以上。另一方面，從防止樹脂清漆之熔融黏度或於片形態之熔融黏度的上昇的觀點來看，較佳為1mg/m2 以下，更佳為0.8mg/m2 以下，再更佳為0.5mg/m2 以下。
無機填充材之每一單位表面積的碳量，可將表面處理後之無機填充材藉由溶劑(例如，甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後測定。具體而言，作為溶劑，將充分的量之MEK加入以表面處理劑表面處理之無機填充材，於25℃進行5分鐘超音波洗淨。去除上清液，使固體成分乾燥後，可使用碳分析計，測定無機填充材之每一單位表面積的碳量。作為碳分析計，可使用(股)堀場製作所製「EMIA-320V」等。
從得到線熱膨脹係數及介電正切低之硬化物的觀點來看，樹脂組成物中之無機填充材的含量較佳為50質量%以上，更佳為55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上或70質量%以上。樹脂組成物中之無機填充材的含量的上限，從所得之硬化物的機械強度的觀點來看，較佳為90質量%以下，更佳為85質量%以下，再更佳為80質量%以下。
-(F)硬化促進劑-
本發明之樹脂組成物作為(F)成分，可進一步包含硬化促進劑。作為硬化促進劑，例如可列舉胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑、過氧化物系硬化促進劑等。其中，較佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、過氧化物系硬化促進劑。硬化促進劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。使用硬化促進劑時，樹脂組成物中之硬化促進劑的含量較佳為0.005質量%～1質量%，更佳為0.01質量%～0.5質量%。
-(G)茚香豆酮樹脂-
本發明之樹脂組成物作為(G)成分，可進一步包含茚香豆酮樹脂。藉由包含茚香豆酮樹脂，可更加提高藉由組合(C)成分與(D)成分進行摻合之本發明之有利的效果。作為茚香豆酮樹脂，例如可列舉茚及香豆酮之共聚物、茚、香豆酮及苯乙烯之共聚物。作為茚香豆酮樹脂之具體例，可列舉日塗化學(股)製「H-100」、「V-120S」、「V-120」。茚香豆酮樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。使用茚香豆酮樹脂時，樹脂組成物中之茚香豆酮樹脂的含量，從得到相溶性良好之樹脂組成物的觀點來看，較佳為1～4質量%，更佳為2～3.5質量%。
-熱塑性樹脂-
本發明之樹脂組成物，可進一步包含熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可列舉苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。熱塑性樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
熱塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量較佳為8,000～70,000的範圍，更佳為10,000～60,000的範圍，再更佳為20,000～60,000的範圍。熱塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，作為測定裝置，係使用(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A，作為管柱，係使用昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L，作為移動相，係使用氯仿等，在管柱溫度40℃測定，可使用標準聚苯乙烯之檢量線算出。
作為苯氧基樹脂，例如可列舉具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛骨架、聯苯骨架、茀骨架、雙環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蔥骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架及三甲基環己烷骨架所構成之群組中之1種以上的骨架之苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任一種官能基。苯氧基樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。作為苯氧基樹脂之具體例，可列舉三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(皆為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)，其他亦可列舉新日鐵住金化學(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YX7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
作為聚乙烯縮醛樹脂，例如可列舉聚乙烯縮甲醛樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂，較佳為聚乙烯縮丁醛樹脂。作為聚乙烯縮醛樹脂之具體例，例如可列舉電氣化學工業(股)製之「電化縮丁醛4000-2」、「電化縮丁醛5000-A」、「電化縮丁醛6000-C」、「電化縮丁醛6000-EP」、積水化學工業(股)製之S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
作為聚醯亞胺樹脂之具體例，可列舉新日本理化(股)製之「RIKACOAT SN20」及「RIKACOAT PN20」。作為聚醯亞胺樹脂之具體例，又，可列舉使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四鹼酸酐進行反應所得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報所記載者)、含有聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載者)等之改質聚醯亞胺。
作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，可列舉東洋紡(股)製之「VYLOMAX HR11NN」及「VYLOMAX HR16NN」。作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，又，可列舉日立化成工業(股)製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。
作為聚醚碸樹脂之具體例，可列舉住友化學(股)製之「PES5003P」等。
作為聚碸樹脂之具體例，可列舉Solvay Specialty Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
使用熱塑性樹脂時，樹脂組成物中之熱塑性樹脂的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.2質量%～10質量%，再更佳為0.3質量%～5質量%。
-阻燃劑-
本發明之樹脂組成物可進一步包含阻燃劑。作為阻燃劑，例如可列舉有機磷系阻燃劑、含有有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系阻燃劑、金屬氫氧化物等。阻燃劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。使用阻燃劑時，樹脂組成物中之阻燃劑的含量雖並未特別限定，但較佳為0.1質量%～15質量%，更佳為0.5質量%～10質量%。
-有機填充材-
本發明之樹脂組成物可進一步包含有機填充材。作為有機填充材，可使用可於形成印刷配線板之絕緣層時所使用之任意的有機填充材，例如可列舉橡膠粒子、聚醯胺微粒子、聚矽氧粒子等，較佳為橡膠粒子。
作為橡膠粒子，對顯示橡膠彈性之樹脂實施化學性交聯處理，只要為作為不溶且不熔於有機溶劑之樹脂的微粒子體，則並未特別限定，例如可列舉丙烯腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠粒子、丙烯醯基橡膠粒子等。作為橡膠粒子，具體而言，可列舉XER-91(日本合成橡膠(股)製)、STAPHYLOID AC3355、AC3816、AC3816N、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上為AICA工業(股)製)PARALOID EXL2655、EXL2602(以上為吳羽化學工業(股)製)等。
有機填充材之平均粒子徑較佳為0.005μm～1μm的範圍，更佳為0.2μm～0.6μm的範圍。有機填充材之平均粒子徑可使用動態光散射法測定。例如，可藉由於適當之有機溶劑將有機填充材藉由超音波等使其均一分散，使用濃厚系粒徑分析儀(大塚電子(股)製「FPAR-1000」)，將有機填充材之粒度分布以質量基準作成，將其中位徑作為平均粒子徑來測定。使用有機填充材時，樹脂組成物中之有機填充材的含量，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，較佳為1質量%～10質量%，更佳為2質量%～5質量%。
本發明之樹脂組成物如有必要可包含其他成分。作為該其他成分，例如可列舉有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物、以及增黏劑、消泡劑、整平劑、密著性賦予劑、著色劑等之樹脂添加劑等。
本發明之樹脂組成物的調製方法並非被特別限定者，例如可列舉將摻合成分視必要而添加溶媒等，使用回轉混合機等進行混合･分散之方法等。
本發明之樹脂組成物可帶來介電正切低之硬化物。本發明之樹脂組成物的硬化物之介電正切，可藉由後述之＜介電正切的測定＞所記載之方法測定。具體而言，可藉由腔共振攝動法以頻率數5.8GHz、測定溫度23℃測定。從於高頻率之發熱防止、信號延遲及信號雜訊之減低的觀點來看，介電正切較佳為0.010以下，更佳為0.009以下、0.008以下、0.007以下、0.006以下或0.005以下，再更佳為0.004以下或0.0035以下。介電正切之下限雖越低越好，但通常可成為0.001以上等。
本發明之樹脂組成物可帶來與鍍敷導體層之密著性(鍍敷密著性)及與基底導體層之密著性(基底密著性)優異之硬化物。本發明之樹脂組成物的硬化物之鍍敷密著性，可藉由後述之＜鍍敷密著性的測定＞所記載之方法測定。又，本發明之樹脂組成物的硬化物之基底密著性，可藉由後述之＜基底密著性的測定＞所記載之方法測定。所得之硬化物的鍍敷密著性，亦即，與鍍敷導體層之密著強度(剝離強度)較佳為超過0.40kgf/cm。所得之硬化物的基底密著性，亦即，與基底導體層之密著強度(剝離強度)較佳為超過0.50kgf/cm。此等該密著強度的上限並未特別限定，但通常可成為1.2kgf/cm以下等。
本發明之樹脂組成物可帶來介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性優異之硬化物。據此，本發明之樹脂組成物，可適合作為用以形成與其接觸形成導體層(包含再配線層)而成之絕緣層的樹脂組成物(用以形成導體層之絕緣層用樹脂組成物)使用。又，可適合作為用以形成印刷配線板之絕緣層的樹脂組成物(印刷配線板之絕緣層形成用樹脂組成物)使用，可適合作為用以形成印刷配線板之層間絕緣層的樹脂組成物(印刷配線板之層間絕緣層形成用樹脂組成物)使用。又，本發明之樹脂組成物，可適合作為用以在半導體封裝嵌入半導體零件，或在零件內藏電路板嵌入零件之樹脂組成物(零件嵌入用樹脂組成物)使用。本發明之樹脂組成物，又，可使用在接著薄膜、預浸料等之片狀層合材料、阻焊劑、底部填充材料、晶片接合材料、填充樹脂等樹脂組成物作為必要之用途的廣泛範圍。
[片狀層合材料]
本發明之樹脂組成物雖亦可以清漆狀態進行塗佈來使用，但工業上一般而言，適合以含有該樹脂組成物之片狀層合材料的形態使用。
作為片狀層合材料，較佳為以下所示之接著薄膜、預浸料。
在一實施形態，接著薄膜係包含支持體、與和該支持體接合之樹脂組成物層(接著層)而成，樹脂組成物層(接著層)係由本發明之樹脂組成物形成。
樹脂組成物層的厚度，從印刷配線板之薄型化的觀點來看，較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，再更佳為60μm以下或50μm以下。樹脂組成物層的厚度之下限雖並未特別限定，但通常可成為1μm以上、5μm以上等。
作為支持體，例如可列舉由塑料材料所構成之薄膜、金屬箔、脫模紙，由塑料材料所構成之薄膜，較佳為金屬箔。
作為支持體，使用由塑料材料所構成之薄膜時，作為塑料材料，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯醯基、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜之聚對苯二甲酸乙二酯。
作為支持體，使用金屬箔時，作為金屬箔，例如可列舉銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。作為銅箔，可使用由銅之單金屬所構成之箔，亦可使用由銅與其他金屬(例如，錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所構成之箔。
支持體可於與樹脂組成物層接合側的表面，實施消光處理、電暈處理。又，作為支持體，可使用於與樹脂組成物層接合之側的表面具有脫模層之附脫模層的支持體。作為使用在附脫模層之支持體的脫模層之脫模劑，例如可列舉選自由醇酸樹脂、烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂所構成之群組中之1種以上的脫模劑。作為脫模劑之市售品，例如可列舉醇酸樹脂系脫模劑即Lintec(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。
支持體的厚度雖並未特別限定，但較佳為5μm～75μm的範圍，更佳為10μm～60μm的範圍。尚，支持體為附脫模層之支持體時，較佳為附脫模層之支持體全體的厚度為上述範圍。
接著薄膜，例如可藉由於有機溶劑調製溶解樹脂組成物之樹脂清漆，將此樹脂清漆使用模具塗佈機等，塗佈在支持體上，進而使其乾燥而形成樹脂組成物層來製造。
作為有機溶劑，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯及二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶媒等。有機溶劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
乾燥可藉由加熱、熱風吹附等公知之方法實施。乾燥條件並未特別限定，但以樹脂組成物層中之有機溶劑的含量成為10質量%以下，較佳為成為5質量%以下的方式進行乾燥。雖因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而異，但例如使用包含30質量%～60質量%之有機溶劑的樹脂清漆時，可藉由以50℃～150℃乾燥3分鐘～10分鐘，形成樹脂組成物層。
在接著薄膜，未與樹脂組成物層之支持體接合的面(亦即，與支持體相反側的面)上，可進一步層合根據支持體之保護薄膜。保護薄膜的厚度雖並非被特別限定者，但例如為1μm～40μm。藉由層合保護薄膜，可防止對樹脂組成物層的表面之塵埃等之附著或傷痕。接著薄膜可捲繞成輥狀保存。接著薄膜具有保護薄膜時，藉由剝離保護薄膜變成可使用。
在一實施形態，預浸料係於片狀纖維基材含浸本發明之樹脂組成物而形成。
預浸料所使用之片狀纖維基材並未特別限定，可使用作為玻璃布、芳綸不織布、液晶聚合物不織布等之預浸料用基材常用者。從印刷配線板之薄型化的觀點來看，片狀纖維基材的厚度較佳為50μm以下，更佳為40μm以下，再更佳為30μm以下，又再更佳為20μm以下。片狀纖維基材的厚度之下限並未特別限定，但通常為10μm以上。
預浸料可藉由熱熔法、溶劑法等公知之方法製造。
預浸料的厚度可成為與在上述之接著薄膜的樹脂組成物層相同的範圍。
在片狀層合材料，樹脂組成物層之最低熔融黏度，因應印刷配線板之具體的設計(內層基板之電路厚度、線/空間比、零件內藏電路板之製造時用以零件收容之腔(Cavity)尺寸等)，用以達成良好之電路嵌入性、零件嵌入性之最適值不同。因此，通過製造片狀層合材料，樹脂組成物層係以展示所期待之最低熔融黏度的方式設計。然而，關於使用包含硬化促進劑之以往樹脂組成物的片狀層合材料，有於保管時緩慢進行樹脂組成物的硬化增加黏度的情況，使用在印刷配線板的製造時，有顯示較所期望之值更顯著高之最低熔融黏度的情況。
對此，關於組合(C)成分與(D)成分進行摻合之本發明之樹脂組成物，不僅可實現介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性優異之硬化物，並且抑制保管時之樹脂組成物硬化的進行，有利於保持所期望之最低熔融黏度。在一實施形態，本發明之片狀層合材料系將其剛製造後之樹脂組成物層的最低熔融黏度定為V1 (泊)，將在室溫(25℃)保管24小時後之樹脂組成物層的最低熔融黏度定為V2 (泊)時，V2 /V1 之比(以下亦稱為「增黏倍率」)較佳為2以下，更佳為1.8以下，再更佳為1.6以下，又再更佳為1.5以下，特佳為1.4以下、1.3以下、1.2以下或1.1以下。增黏倍率之下限較佳為1。
於此，所謂樹脂組成物層之「最低熔融黏度」，係指熔融樹脂組成物層之樹脂時呈現樹脂組成物層之最低的黏度。詳細而言，以一定之昇溫速度加熱樹脂組成物層，使樹脂熔融時，初期階段熔融黏度隨著溫度上昇而下降，然後，超過某溫度時，隨著溫度上昇，熔融黏度上昇。所謂「最低熔融黏度」，係指該極小點之熔融黏度。樹脂組成物層之最低熔融黏度可藉由後述之＜最低熔融黏度的測定＞所記載之方法測定。具體而言，樹脂組成物層之最低熔融黏度，可藉由以測定開始溫度60℃、昇溫速度5℃/分鐘、振動數1Hz、應力1deg的條件，進行動態黏彈性測定而獲得。作為動態黏彈性測定裝置，例如可列舉(股)UBM公司製之「Rheosol-G3000」。
[印刷配線板]
本發明之印刷配線板係包含由本發明之樹脂組成物的硬化物所構成之絕緣層。
在一實施形態，本發明之印刷配線板可藉由使用上述之接著薄膜，包含下述(I)及(II)步驟之方法製造。
(I)於內層基板上，將接著薄膜以該接著薄膜之樹脂組成物層與內層基板接合的方式層合之步驟
(II)熱硬化樹脂組成物層，形成絕緣層之步驟
所謂於步驟(I)使用之「內層基板」，主要係指玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等之基板或形成圖型加工在該基板之單面或兩面之導體層(電路)的電路基板。又，製造印刷配線板時，進而，應形成絕緣層及/或導體層之中間製造物的內層電路基板，亦包含在本發明所謂之「內層基板」。印刷配線板為零件內藏電路板時，使用內藏零件之內層基板即可。
內層基板與接著薄膜之層合，例如，可藉由從支持體側將接著薄膜加熱壓著在內層基板進行。作為將接著薄膜加熱壓著在內層基板之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳為並非將加熱壓著構件直接沖壓在接著薄膜，而是於內層基板的表面凹凸以接著薄膜充分跟隨的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材進行沖壓。
內層基板與接著薄膜之層合可藉由真空層壓法實施。在真空層壓法，加熱壓著溫度較佳為60℃～160℃，更佳為80℃～140℃的範圍，加熱壓著壓力較佳為0.098MPa～1.77MPa，更佳為0.29MPa～1.47MPa的範圍，加熱壓著時間較佳為20秒～400秒，更佳為30秒～300秒的範圍。層合較佳為以壓力26.7hPa以下之減壓條件下實施。
層合可藉由市售之真空層壓機進行。作為市售之真空層壓機，例如可列舉(股)名機製作所製之真空加壓式層壓機、Nikko-Materials (股)製之真空吸塵器(Vacuum appliquer)等。
層合後，常壓下(大氣壓下)，例如可藉由將加熱壓著構件從支持體側進行沖壓，進行經層合之接著薄膜的平滑化處理。平滑化處理的沖壓條件可成為與上述層合之加熱壓著條件相同的條件。平滑化處理可藉由市售之層壓機進行。尚，層合與平滑化處理，可使用上述之市售之真空層壓機連續性進行。
支持體可於步驟(I)與步驟(II)之間去除，亦可於步驟(II)之後去除。
在步驟(II)，熱硬化樹脂組成物層，形成絕緣層。
樹脂組成物層之熱硬化條件並未特別限定，可使用形成印刷配線板之絕緣層時通常所採用之條件。
例如，樹脂組成物層之熱硬化條件雖因樹脂組成物的種類等而異，但硬化溫度可定為120℃～240℃的範圍(較佳為150℃～220℃的範圍，更佳為170℃～200℃的範圍)，硬化時間可定為5分鐘～120分鐘的範圍(較佳為10分鐘～100分鐘，更佳為15分鐘～90分鐘)。
熱硬化樹脂組成物層前，可將樹脂組成物層在較硬化溫度更低的溫度進行預備加熱。例如，在熱硬化樹脂組成物層之前，在50℃以上未滿120℃(較佳為60℃以上110℃以下，更佳為70℃以上100℃以下)的溫度，可將樹脂組成物層預備加熱5分鐘以上(較佳為5～150分鐘，更佳為15～120分鐘)。
製造印刷配線板時，可進一步實施(III)鑽孔在絕緣層之步驟、(IV)粗糙化處理絕緣層之步驟、(V)於絕緣層表面形成導體層之步驟。此等之步驟(III)至(V)使用在印刷配線板的製造，對本發明領域具有通常知識者可依照公知知各種方法實施。尚，將支持體於步驟(II)之後去除時，該支持體的去除可於步驟(II)與步驟(III)之間、步驟(III)與步驟(IV)知間或步驟(IV)與步驟(V)之間實施。
在其他實施形態，本發明之印刷配線板可使用上述之預浸料製造。製造方法基本上與使用接著薄膜的情況相同。
步驟(III)係鑽孔在絕緣層之步驟，藉此可於絕緣層形成通孔、貫通孔等之孔。步驟(III)可因應絕緣層的形成所使用之樹脂組成物的組成等，例如使用鑽頭、雷射、電漿等實施。孔之尺寸或形狀可因應印刷配線板的設計適當決定。
步驟(IV)係粗糙化處理絕緣層之步驟。粗糙化處理之順序、條件並未特別限定，可採用形成印刷配線板之絕緣層時通常所使用之公知的順序、條件。例如，可將藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗糙化處理、藉由中和液之中和處理依此順序實施，粗糙化處理絕緣層。作為膨潤液並未特別限定，但可列舉鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，作為該鹼溶液，更佳為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。作為市售之膨潤液，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip Securiganth SBU」等。藉由膨潤液之膨潤處理雖並未特別限定，但例如可藉由於30℃～90℃之膨潤液將絕緣層浸漬1分鐘～20分鐘進行。從將絕緣層之樹脂的膨潤抑制在適度水準的觀點來看，較佳為於40℃～80℃之膨潤液浸漬硬化體5分鐘～15分鐘。作為氧化劑，雖並未特別限定，但例如可列舉於氫氧化鈉之水溶液溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液。鹼性過錳酸溶液等之藉由氧化劑之粗糙化處理，較佳為於加熱至60℃～80℃之氧化劑溶液浸漬絕緣層10分鐘～30分鐘來進行。又，較佳為在鹼性過錳酸溶液之過錳酸鹽的濃度為5質量%～10質量%。作為市售之氧化劑，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Concentrate･Compact CP」、「Reduction solution･Securiganth P」等之鹼性過錳酸溶液。又，作為中和液，較佳為酸性之水溶液，作為市售品，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Reduction solution･Securigant P」。藉由中和液之處理可藉由將經由氧化劑之粗糙化處理的處理面於30℃～80℃之中和液浸漬5分鐘～30分鐘來進行。從作業性等之點來看，較佳為將經藉由氧化劑之粗糙化處理的對象物於40℃～70℃之中和液浸漬5分鐘～20分鐘之方法。
步驟(V)係形成導體層之步驟。
導體層所使用之導體材料並未特別限定。合適之實施形態中，導體層係包含選自由金、白金、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所構成之群組中之1種以上的金屬。導體層可為單金屬層，亦可為合金層，作為合金層，例如可列舉選自由上述之群組中之2種以上的金屬合金(例如鎳･鉻合金、銅･鎳合金及銅･鈦合金)所形成之層。其中，從導體層形成之通用性、成本、圖型化之容易性等的觀點來看，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或是銅之單金屬層或鎳･鉻合金、銅･鎳合金、銅･鈦合金之合金層，更佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或是銅之單金屬層或鎳･鉻合金之合金層，再更佳為銅之單金屬層。
導體層可為單層構造，亦可為層合2層以上由不同種類之金屬或是合金所構成之單金屬層或合金層的複層構造。導體層為複層構造時，與絕緣層接觸之層較佳為鉻、鋅或是鈦之單金屬層或鎳･鉻合金之合金層。
導體層的厚度雖因所期望之印刷配線板的設計而異，但一般為3μm～35μm，較佳為5μm～30μm。
在一實施形態，導體層可藉由鍍敷形成。例如，可藉由半加成法、完全加成法等之以往公知技術，鍍敷絕緣層的表面，形成具有所期望之配線圖型的導體層。
在其他實施形態，導體層可使用金屬箔形成。使用金屬箔形成導體層時，步驟(V)適合於步驟(I)與步驟(II)之間實施。例如，步驟(I)之後，去除支持體，於經露出之樹脂組成物層的表面層合金屬箔。樹脂組成物層與金屬箔之層合可藉由真空層壓法實施。層合的條件可定為與對於步驟(I)所說明之條件相同。其次，實施步驟(II)形成絕緣層。然後，利用絕緣層上之金屬箔，藉由消去(Subtractive)法、改良半加成(modified semi-additive)法等之以往公知之技術，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。
金屬箔例如可藉由電解法、壓延法等公知之方法製造。作為金屬箔之市售品，例如可列舉JX日鑛日石金屬(股)製之HLP箔、JXUT-III箔、三井金屬鑛山(股)製之3EC-III箔、TP-III箔等。
使用包含組合特定之(C)成分與(D)成分的本發明之樹脂組成物，製造印刷配線板時，可實現介電正切低，且鍍敷密著性及基底密著性優異之絕緣層。
[半導體封裝]
本發明之半導體封裝係包含電路基板、與實裝在該電路基板之半導體零件、與嵌入(密封)該半導體零件之密封材。本發明之半導體封裝，其特徵為密封材係由本發明之樹脂組成物的硬化物形成。於此，構成本發明之半導體封裝之電路基板、半導體零件的構造･種類並未特別限定，可使用形成半導體封裝時通常所使用之任意電路基板、半導體零件。
本發明之半導體封裝可藉由由本發明之樹脂組成物嵌入(密封)半導體零件來製造。密封半導體時之條件並未特別限定，可採用製造半導體封裝時通常所使用之任意密封條件。
[半導體裝置]
本發明之半導體裝置係包含本發明之樹脂組成物的硬化物。本發明之半導體裝置可使用本發明之印刷配線板或半導體封裝製造。
作為半導體裝置，可列舉供於電氣製品(例如，電腦、手機、數位相機及電視等)及車輛(例如，機車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。

[實施例]
以下，針對本發明，顯示實施例具體說明。惟，本發明並非被限定於以下所示之實施例。在以下之說明，表示量之「份」及「%」除非另有說明分別意指「質量份」及「質量%」。
首先，針對在於本說明書之物性評估的測定･評估方法進行說明。
＜硬化物性評估用樣品之製作＞
藉由將於實施例及比較例所得之接著薄膜在200℃熱硬化90分鐘，剝離支持體，製作片狀的硬化物評估用樣品。
＜介電正切的測定＞
從硬化物性評估用樣品，切出寬度2mm、長度80mm之試驗片。針對切出之試驗片，使用Agilent Technologies公司製之測定裝置「HP8362B」，藉由腔共振攝動法在測定頻率數5.8GHz、測定溫度23℃測定介電正切。將介電正切為0.0035以下的情況評估為「〇」(良)，將超過0.0035且0.0040以下評估為「△」(可)，將超過0.0040超評估為「×」(不良)。
＜評估基板的調製＞
(1)內層電路基板之基底處理
將形成內層電路之玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(銅箔的厚度18μm、基板的厚度0.4mm、Panasonic(股)製「R1515A」)的兩面，浸漬在微蝕刻劑(MEC(股)製「CZ8101」)蝕刻1μm，進行銅表面之粗糙化處理。
(2)接著薄膜之層合
將於實施例及比較例製作之接著薄膜使用批次式真空加壓層壓機((股)名機製作所製「MVLP-500」)，以樹脂組成物層與內層電路基板接合的方式，層合在內層電路基板的兩面。層合係藉由減壓30秒將氣壓定為13hPa以下後，以100℃、壓力0.74MPa壓著30秒來實施。
(3)樹脂組成物層之硬化
將經層合之接著薄膜以200℃熱硬化90分鐘，於內層電路基板的兩面上形成硬化物(絕緣層)。然後，從接著薄膜剝離支持體。
(4)粗糙化處理
將形成絕緣層之內層電路基板，於膨潤液(Atotech Japan(股)「Swelling Dip Securiganth P」、含有二乙二醇單丁基醚之氫氧化鈉水溶液)以60℃浸漬10分鐘，其次，於粗糙化液(Atotech Japan(股)「Concentrate･Compact P」、過錳酸鉀濃度60g/L、氫氧化鈉濃度40g/L之水溶液)以80℃浸漬20分鐘，最後於中和液(Atotech Japan(股)「Reduction solution･Securigant P」、硫酸羥基胺水溶液)以40℃浸漬5分鐘。其次，以80℃乾燥30分鐘。將所得之基板稱為「評估基板A」。
(5)鍍敷導體層之形成
依照半加成法，於評估基板A的表面形成鍍敷導體層(第2導體層)。具體而言，將評估基板A於包含PdCl2 之無電解鍍敷用溶液以40℃浸漬5分鐘，其次，於無電解銅鍍敷液以25℃浸漬20分鐘。將所得之評估基板A以150℃加熱30分鐘，進行退火處理後，實施硫酸銅電解鍍敷，以30μm的厚度形成鍍敷導體層。將形成鍍敷導體層之評估基板A以190℃退火處理60分鐘。將所得之基板稱為「評估基板B」。
＜鍍敷密著性的測定＞
於評估基板B之鍍敷導體層(第2導體層)，放入寬度10mm、長度100mm部分之切片，剝離此一端以挾具挾住，在室溫(25℃)中以50mm/分鐘的速度，測定於垂直方向剝離35mm時之荷重(kgf/cm(N/cm))。測定係使用拉伸試驗機((股)TSE製「AC-50C-SL」)。將荷重超過0.4kgf/cm的情況評估為「○」(良)，將為0.4kgf/cm以下的情況評估為「×」(不良)。
＜基底密著性的測定＞
(1)銅箔之基底處理
將三井金屬鑛山(股)製「3EC-III」(電場銅箔、35μm)之光澤面浸漬在微蝕刻劑(MEC(股)製「CZ8101」)，對銅表面進行粗糙化處理(Ra值=1μm)，實施防銹處理(CL8300)。將此銅箔稱為CZ銅箔。進而，以130℃之烤箱加熱處理30分鐘。
(2)銅箔之層合與絕緣層形成
進行與上述＜評估基板的調製＞之「(2)接著薄膜之層合」同樣的操作，準備剝離支持體之基板。於該樹脂組成物層上，將「3EC-III」之CZ銅箔的處理面以與上述＜評估基板的調製＞之「(2)接著薄膜之層合」同樣的條件進行層合。而且，藉由以190℃、90分鐘的硬化條件硬化樹脂組成物層，形成絕緣層，來製作樣品。
(3)銅箔剝離強度(基底密著性)的測定
將經製作之樣品切斷成150×30mm之小片。於小片之銅箔部分使用切刀，放入寬度10mm、長度100mm部分之切片，剝離銅箔之一端以挾具((股)TSE製「AC-50C-SL」)挾住，使用英斯特朗萬能試驗機，在室溫中以50mm/分鐘的速度，依照JIS C6481測定於垂直方向剝離35mm時之荷重。將荷重超過0.5kgf/cm的情況評估為「○」(良)，將為0.5kgf/cm以下的情況評估為「×」(不良)。
＜最低熔融黏度的測定＞
針對於實施例及比較例製作之接著薄膜的樹脂組成物層，係藉由以模具進行壓縮，製作測定用製粒(直徑18mm、1.2～1.3g)。針對所得之測定用製粒，係使用動態黏彈性測定裝置((股)UBM製「Rheosol-G3000」)，測定熔融黏度。針對測定用製粒，使用直徑18mm之平行板，以昇溫速度5℃/分鐘從開始溫度60℃昇溫至200℃，以測定溫度間隔2.5℃、振動數1Hz、應力1deg的測定條件，測定動態黏彈性率，算出最低熔融黏度(poise)。針對各樹脂組成物層，求出剛接著薄膜製作後之初期的最低熔融黏度V1 (泊)、與以室溫(25℃)保管24小時後之最低熔融黏度V2 (泊)，算出增黏倍率(V2 /V1 )。
將增黏倍率超過2的情況評估為「△」，為2以下的情況評估為「○」。
＜實施例1＞
邊將雙二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)30份於溶劑石腦油30份攪拌邊進行加熱溶解，然後冷卻至室溫。混合以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積的碳量0.38mg/m2 )250份，在以三輥混練使其分散。對其混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC-8000-65T」、活性基當量約223之不揮發分65%之甲苯溶液)53.8份、具有丙烯醯基之樹脂(新中村化學工業公司製「A-DOG」)20份、具有苯乙烯基之樹脂(三菱瓦斯化學公司製「OPE-2St 1200」、不揮發分60%之甲苯溶液)10份、茚香豆酮樹脂(日塗化學(股)製「H-100」)5份、作為硬化促進劑之4-二甲基胺基吡啶(DMAP)之5%之MEK溶液2份及過氧化二異丙苯(日油公司製「PERCUMYL D」)0.13份、1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)1份，以回轉混合機均一分散，調製樹脂清漆1。
其次，於醇酸樹脂系附脫模層之PET薄膜(Lintec公司製「AL-5」、厚度38μm)之脫模層上，以乾燥後之樹脂組成物層的厚度成為40μm的方式，將樹脂清漆1以模具塗佈機均一塗佈，再於80～110℃(平均95℃)乾燥5分鐘，製作接著薄膜1。
＜實施例2＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)的摻合量從1份變更為0.5份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆2及接著薄膜2。
＜實施例3＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)的摻合量從1份變更為0.01份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆3及接著薄膜3。
＜實施例4＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)的摻合量從1份變更為10份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆4及接著薄膜4。
＜實施例5＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)1份變更為二苯基環己基膦(北興化學公司製「DPCP」)1份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆5及接著薄膜5。
＜實施例6＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)1份變更為1,3-雙二苯基膦基丁烷(北興化學公司製「DPBP」)1份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆6及接著薄膜6。
＜實施例7＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)1份變更為[4-(N,N-二甲基胺基)苯基]二-tert-丁基膦(北興化學公司製「Amphos」)1份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆7及接著薄膜7。
＜實施例8＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)的摻合量從1份變更為15份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆8及接著薄膜8。
＜比較例1＞
除了未摻合1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆9及接著薄膜9。
＜比較例2＞
除了將1,3-雙二苯基膦基丙烷(北興化學公司製「DPPP」)1份變更為三苯基膦(北興化學公司製「TPPP」)1份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆10及接著薄膜10。
＜比較例3＞
除了未摻合具有丙烯醯基之樹脂(新中村化學工業公司製「A-DOG」)20份、具有苯乙烯基之樹脂(三菱瓦斯化學公司製「OPE-2St 1200」、不揮發分60%之甲苯溶液)10份之外，其他與實施例1同樣進行，製作樹脂清漆11及接著薄膜11。
將實施例及比較例之各評估結果示於表1。
關於未摻合球形二氧化矽「SO-C2」的情況、未摻合硬化促進劑(二甲基胺基吡啶(DMAP)及「PERCUMYL D」)的情況、未摻合茚香豆酮樹脂「H-100」的情況，雖程度上有差，但確認皆回歸到與上述實施例相同的結果。

Claims (17)

  1. 一種樹脂組成物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有自由基聚合性不飽和基之樹脂及(D)脂肪族膦系化合物。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(D)成分具有直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(D)成分於1分子中具有1～4個直接鍵結脂肪族碳原子之磷原子。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(D)成分係於1分子中具有2～40個脂肪族碳原子。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(D)成分為式(D1)或式(D2)表示之化合物， (式中， Rd1 及Rd2 分別獨立表示氫原子或式：-(R-O)l -R’表示之1價基，於此，l表示0～5之整數，R表示可具有取代基之2價芳香族基，或可具有取代基之2價脂肪族基，R’表示可具有取代基之1價芳香族基，或可具有取代基之1價脂肪族基，R為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異， Rd3 表示式：-(R’’-O)m -R’’’表示之1價基，於此，m表示0～5之整數，R’’表示可具有取代基之2價脂肪族基，R’’’表示可具有取代基之1價脂肪族基，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異) (式中， Rd1 及Rd2 係與上述同義， L表示式：-(R’’-O)n -R’’-表示之2價基，於此，n表示0～5之整數，R’’係與上述同義，R’’為複數存在時，該等可彼此相同，亦可彼此相異， Rd4 及Rd5 分別獨立表示氫原子、式：-(R-O)l -R’表示之1價基或式：-L-P(-Rd1 )(-Rd2 )表示之1價基，於此，l、R、R’、L、Rd1 及Rd2 係與上述同義)。
  6. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(D)成分係包含下述式中任一個表示之化合物，。
  7. 如請求項1之樹脂組成物，其中，將樹脂成分定為100質量%時，(D)成分的含量為0.001質量%～10質量%。
  8. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(A)成分係包含聯苯型環氧樹脂。
  9. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(B)成分係包含活性酯系硬化劑。
  10. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)成分係包含碳-碳雙鍵。
  11. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)成分係具有選自由丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯基、烯丙基、乙烯基、丙烯基及馬來醯亞胺基所構成之群組中之1個以上之基。
  12. 如請求項1之樹脂組成物，其係進一步包含(E)無機填充材。
  13. 如請求項12之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(E)無機填充材的含量為50質量%以上。
  14. 如請求項1之樹脂組成物，其係用以形成導體層之絕緣層用。
  15. 一種片狀層合材料，其係含有如請求項1～14中任一項之樹脂組成物。
  16. 一種印刷配線板，其係包含由如請求項1～14中任一項之樹脂組成物的硬化物所構成之絕緣層。
  17. 一種半導體裝置，其係包含如請求項1～14中任一項之樹脂組成物的硬化物。
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