TW201938749A - 具有增強缺陷抑制之拋光組合物及拋光基板方法 - Google Patents
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Abstract
一種化學機械拋光組合物，其包括以下作為初始組分：水；磨料；鹼金屬之無機鹽或銨鹽或其混合物；具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物：
其中R1、R2及R3各自獨立地選自（C1-C4）烷基；陰離子；及具有式（II）之含羥基之四級銨化合物：
其中R4、R5、R6各自獨立地選自H及烷基；其中R7為伸烷基；以及陰離子。亦揭示了用化學機械拋光組合物拋光基板之方法。
Description
本發明係關於一種具有增強缺陷減少及良好介電移除速率之拋光組合物及拋光基板方法。更特定而言，本發明係關於一種具有增強缺陷減少及良好介電移除速率之拋光組合物及拋光基板方法，其中拋光組合物包括某些季氮化合物之組合，以增強包括氧化矽介電質之基板上缺陷之減少，並且其中自基板移除至少一些氧化矽。
在積體電路及其他電子裝置之製造中，將多層導體、半導體及介電材料沈積在半導體晶圓之表面上或自半導體晶圓之表面上移除。可以藉由多種沈積技術沈積導體、半導體及介電材料之薄層。現代處理中之常見沈積技術包括物理氣相沈積（PVD），亦稱為濺射，化學氣相沈積（CVD）、電漿增強化學氣相沈積（PECVD）及電化學電鍍（ECP）。
隨著材料層按順序沈積及移除，晶圓之最上表面變為非平面的。因為隨後之半導體處理（例如，金屬化）需要晶圓具有平坦表面，所以晶圓需要被平面化。平面化可用於移除不希望之表面形貌及表面缺陷，例如粗糙表面、附聚材料、晶格損傷、劃痕及污染之層或材料。
化學機械平面化或化學機械拋光（CMP）為用於平面化基板（例如半導體晶圓）之常用技術。在傳統的CMP中，晶圓被安裝在載體組件上並且定位成與CMP設備中之拋光墊接觸。載體組件向晶圓提供可控壓力，將其壓向拋光墊。藉由外部驅動力使墊相對於晶圓移動（例如，旋轉）。與此同時，在晶圓及拋光墊之間提供拋光組合物（「漿料」）或其他拋光溶液。因此，藉由墊表面及漿料之化學以及機械作用拋光晶圓表面並使其成為平面。
某些先進的裝置設計要求拋光組合物在較低之使用點（POU）磨料重量%下提供增強之氧化矽移除效率以及減少之劃痕缺陷，以改良整個拋光過程及產品產率%。隨著半導體裝置上之結構大小繼續縮小，對於平面化及減少拋光介電材料缺陷曾經可接受之效能標準變得越來越不可接受。曾經被認為可接受之劃痕現在變得限制了產量。
因此，需要拋光組合物及拋光方法，其表現出所需之平面化效率、均勻性及介電移除速率，同時使諸如劃痕之缺陷最小化。
本發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分：水；磨料；鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物；具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物：其中R1
、R2
及R3
各自獨立地選自（C1
-C4
）烷基；及具有式（II）之含羥基之四級銨化合物：其中R4
、R5
、R6
各自獨立地選自H及烷基；其中R7
為伸烷基。
本發明亦提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分：水；0.1至40重量%之磨料；0.001至5重量%之鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物；0.001至1重量%之具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物；其中式（I）之陰離子為平衡式（I）之陽離子上之+電荷之陰離子；0.001至1重量%之具有式（II）之含羥基之四級銨化合物；其中式（II）中之陰離子為平衡式（II）中陽離子上之+電荷之陰離子。
本發明進一步提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分：水；5至25重量%之磨料，其中所述磨料為平均粒徑為20至200 nm的膠體二氧化矽磨料；0.01至2重量%之鹼金屬或銨之無機鹽或混合物，其中鹼金屬選自鋰、鈉、鉀、銫中之一或多者，抗衡陰離子選自硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、鹵化物、磷酸鹽、二磷酸鹽、焦磷酸鹽、三磷酸鹽及硫酸鹽中之一或多者；0.01至1重量%之具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物，其中式（I）中之陰離子選自氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽及乙酸鹽中之一或多者；0.001至1重量%之具有式（II）之含羥基之四級銨化合物，其中式（II）之陰離子選自氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽及乙酸鹽中之一或多者。
本發明提供一種用於基板之化學機械拋光的方法，其包含：提供基板，其中所述基板包含氧化矽；提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分：水；磨料；鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物；具有（I）之苄基三烷基四級銨化合物：其中R1
、R2
及R3
各自獨立地選自（C1
-C4）烷基；及具有式（II）之含羥基之四級銨化合物：其中R4
、R5
、R6
各自獨立地選自H及烷基；其中R7
為伸烷基。
本發明亦提供了一種用於基板之化學機械拋光之方法，其包括：提供基板，其中所述基板包括氧化矽；提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分：水；磨料；鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物；具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物：其中R1
、R2
及R3
各自獨立地選自（C1
-C4
）烷基；及具有式（II）之含羥基之四級銨化合物：其中R4
、R5
、R6
各自獨立地選自H及烷基；其中R7
為（C1
-C4
）伸烷基；並且視情況，將pH調節劑添加至組合物以將化學機械拋光組合物之pH調節至＞ 7。
本發明亦提供一種化學機械拋光基板之方法，其包含：提供基板，其中所述基板包含至少一層氧化矽；提供如上所描述之化學機械拋光組合物；提供具有拋光表面之化學機械拋光墊；以0.69至69 kPa之向下力在化學機械拋光墊之拋光表面及基板之間的界面處產生動態接觸；將化學機械拋光組合物分配至化學機械拋光墊與基板之間界面處或附近之化學機械拋光墊上；其中所提供之化學機械拋光組合物之pH ＞ 7；且其中拋光所述基板。
本發明之化學機械拋光組合物及方法能夠增強缺陷之減少，能夠實現良好之氧化矽移除速率並且化學機械拋光組合物係穩定的。
除非上下文另有指示，否則本說明書中使用之以下縮寫具有以下含義：℃=攝氏度；g=公克；L=升；mL=毫升；m=μm=微米；kPa=千帕；Å=埃；mm=毫米；cm=公分；nm=奈米；min=分鐘；rpm=每分鐘轉數；lbs=磅；kg=公斤；wt%=重量百分比；RR=移除率；PS=本發明之拋光漿料；PC=比較拋光漿料。
術語「化學機械拋光」或「CMP」係指僅藉由化學及機械力拋光基板並且區別於其中將電偏壓施加至基板上之電化學-機械拋光（ECMP）的過程。術語「TEOS」係指由原矽酸四乙酯（Si(OC2
H5
)4
）之分解形成的氧化矽。術語「組合物」及「漿料」在整個說明書中可互換使用。術語「鹵化物」係指氯化物、溴化物、氟化物及碘化物。術語「一（a）」及「一（an）」係指單數及複數。除非另有指示，否則所有百分比均以重量計。所有數值範圍均為包括性的，並且可按任何順序組合，除非此等數值範圍被限制為加起來為100%係合乎邏輯的。
本發明之化學機械拋光方法可用於拋光包含氧化矽之基板。用於本發明方法之化學機械拋光組合物含有（較佳由以下組成）水；鹼金屬或銨之無機鹽，其呈用於提高氧化矽移除率之濃度；及具有式（I）之用以減少缺陷的苄基三烷基四級銨化合物：其中R1
、R2
及R3
各自獨立地選自（C1
-C4
）烷基；及具有式（II）之用以減少缺陷的含羥基之四級銨化合物：其中R4
、R5
、R6
各自獨立地選自H及烷基；其中R7
為伸烷基；並且，視情況，根據需要將pH調節劑添加至組合物以將化學機械拋光組合物之pH調節至＞ 7。
本文及所附申請專利範圍中使用之術語「經增強氧化矽移除速率」描述了由於向化學機械拋光組合物中添加無機鹽而導致的氧化矽之移除速率（對於以Å/min量測之移除速率）意謂至少滿足以下表達式： A ＞ A0
其中A為在實例中所述之拋光條件下量測之含有用於本發明方法中之所主張的無機鹽之化學機械拋光組合物之氧化矽移除速率（Å/min）；A0
為僅存在二氧化矽磨料之在相同條件下獲得的氧化矽移除速率（Å/min）。
本文及所附申請專利範圍中使用之術語「經改良拋光缺陷效能」描述藉由在用於本發明之化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物中包含具有式（I）之化合物及具有式（II）之化合物而獲得的缺陷效能意謂至少滿足以下表達式： X ＜ X0
其中X為在實例中所述之拋光條件下量測之含有用於本發明方法中之物質之化學機械拋光組合物之缺陷（亦即CMP/氟化氫（HF）後劃痕）；X0
為僅存在二氧化矽磨料之在相同條件下獲得的缺陷（亦即CMP/氟化氫（HF）後劃痕）。
在本發明之化學機械拋光方法中使用之化學機械拋光組合物中所含之水較佳為去離子及蒸餾中之至少一者，以限制偶然的雜質。
用於本發明化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物含有0.1至40重量%之磨料；較佳地，5至25重量%之磨料，更佳地8至12重量%。所用磨料之平均粒徑較佳＜ 200 nm；更佳75至150 nm；最佳100至150 nm。
用於本發明化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物中之磨料包括，例如，無機氧化物、無機氫氧化物、無機氫氧化物氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、聚合物顆粒及包含至少一種前述物質之混合物。適合之無機氧化物包括例如二氧化矽（SiO2
）、氧化鋁（Al2
O3
）、氧化鋯（ZrO2
）、二氧化鈰（CeO2
）、氧化錳（MnO2
）、氧化鈦（TiO2
）或其組合。若需要，亦可以使用此等無機氧化物之改性形式，例如有機聚合物塗覆之無機氧化物顆粒及無機塗覆之顆粒。適合之金屬碳化物、硼化物及氮化物包括例如碳化矽、氮化矽、碳氮化矽（SiCN）、碳化硼、碳化鎢、碳化鋯、硼化鋁、碳化鉭、碳化鈦或其組合。 用於本發明化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物之較佳磨料為膠體二氧化矽。較佳地，所用之膠體二氧化矽含有沈澱二氧化矽及附聚二氧化矽中之至少一者。較佳地，所用之膠體二氧化矽之平均粒徑＜ 200 nm，更佳地75-150 nm，最佳地100-150 nm；佔化學機械拋光組合物之0.1至40重量%，較佳地5至25重量%，更佳地8至12重量%。市售膠體二氧化矽之實例為Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，其平均粒徑為139 nm；Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，其平均粒徑為145 nm；及Klebosol™ II 1730膠體二氧化矽，其粒徑為130 nm，均由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）。
化學機械拋光組合物包括一或多種鹼金屬及銨之無機鹽。較佳地，化學機械拋光組合物中無機鹽之量為0.01至2重量%，較佳地0.1至1重量%，更佳地0.1至0.5重量%，最佳地0.2重量%至0.4重量%，其中鹼金屬選自鋰、鈉、鉀、銫中之一或多者，抗衡陰離子選自硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、鹵化物、磷酸鹽、二磷酸鹽、焦磷酸鹽、三磷酸鹽及硫酸鹽中之一或多者。最佳之無機鹽為碳酸鉀。
用於本發明化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物較佳含有0.001至5重量%之具有式I之化合物作為初始組分
其中R1
、R2
及R3
各自獨立地選自（C1
-C4
）烷基，較佳（C1
-C2
）烷基，最佳甲基；其中陰離子為用以中及苄基三甲基銨陽離子之+電荷的抗衡陰離子，其中陰離子為氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽或乙酸鹽，較佳地陰離子為氫氧化物或鹵化物。本發明之化學機械拋光組合物亦含有0.001至1重量%，更佳0.1至1重量%，最佳0.1至0.3重量%之具有式（I）的化合物作為初始組分。最佳地，具有式（I）之化合物為苄基三甲基氯化銨。
用於本發明之化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物亦包含具有式（II）之化合物作為初始組分：其中R4
、R5
、R6
各自獨立地選自H及烷基，較佳地（C1
-C4
）烷基，更佳地（C1
-C2
）烷基，最佳地甲基；其中R7
為伸烷基；R7
較佳地選自（C1
-C4
）伸烷基，更佳地R7
選自亞甲基及亞乙基中之一者，最佳地R7為伸乙基；陰離子中及含羥基之四級銨陽離子之+電荷，其中陰離子為氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽或乙酸鹽，較佳地陰離子為氫氧化物或鹵化物，最佳地陰離子為氯化物。
在本發明之化學機械拋光方法中使用之化學機械拋光組合物中包含具有式（II）之化合物有助於減少氧化矽上之缺陷，改良拋光效能，從而提高對氧化矽之移除率，並有助於在無機鹽存在下穩定膠體二氧化矽。本發明之化學機械拋光組合物亦含有0.001至1重量%，更佳0.1至1重量%，最佳0.2至0.3重量%之具有式（II）之化合物作為初始組分。
視情況，用於本發明化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物亦含有選自緩衝劑、消泡劑及殺生物劑中之一或多者的其他添加劑。
在本發明之化學機械拋光方法中使用之化學機械拋光組合物具有＞ 7、較佳7至12、更佳10至11之pH。所用之化學機械拋光組合物可視情況包括一或多種pH調節劑，以將pH保持在較佳之範圍內。較佳地，pH調節劑選自氫氧化鈉、氫氧化鉀及氨中之一或多者。
在本發明之化學機械拋光方法中拋光之基板包括氧化矽。基板中之氧化矽包括但不限於硼磷矽酸鹽玻璃（BPSG）、電漿蝕刻之原矽酸四乙酯（PETEOS）、熱氧化物、未摻雜之矽酸鹽玻璃、高密度電漿（HDP）氧化物。
視情況，在本發明之化學機械拋光方法中拋光之基板亦包括氮化矽。基板中之氮化矽（若存在）包括但不限於氮化矽材料，例如Si3
N4
。
在本發明之化學機械拋光方法中使用之化學機械拋光墊可為本領域已知之任何適合拋光墊。化學機械拋光墊可視情況選自織造及非織造拋光墊。化學機械拋光墊可由具有不同密度、硬度、厚度、可壓縮性及模量之任何適合聚合物製成。化學機械拋光墊可以根據需要開槽及穿孔。
用於本發明之化學機械拋光方法的本發明之漿料組合物提高了氧化矽之移除速率（以埃/分鐘，Å/分鐘量測）。若我們將氧化矽移除率之相對增強（ΔA）定義為ΔA=(A-A0
)/A0
，其中A及A0
代表在化學機械拋光組合物中添加（A）及未添加（A0
）至少式（I）及式（II）化合物及無機鹽（較佳碳酸鉀）之拋光組合物量測的氧化矽之移除速率（Å/min）。在本發明方法中使用之化學機械拋光組合物中包含式（I）及式（II）化合物及無機鹽（較佳碳酸鉀）較佳提供＞ 5%，更佳＞ 10%之氧化矽移除率之增強。亦即，較佳滿足以下等式中之至少一者： （i） (((A-A0
)/A0
)*100) ＞ 5；以及 （ii） (((A-A0
)/A0
)*100) ＞ 10， 所有均在實例中所闡述之拋光條件下量測。
在用於本發明之化學機械拋光方法之化學機械拋光組合物中包含具有式（I）之化合物（最佳苄基三甲基氯化銨）及具有式（II）之化合物（最佳氯化膽鹼）產生經改良拋光缺陷效能。較佳地，在化學機械拋光組合物中包含具有式（I）及式（II）之化合物作為初始組分提供＞ 50%；更佳＞ 60%；最佳＞ 70%之在實例中所闡述之拋光條件下量測之拋光缺陷（亦即CMP/氟化氫後劃痕）之降低。亦即，較佳滿足以下等式中之至少一者：
（i） (X0
-X)/X*100 ＞ 50；
（ii） (X0
-X)/X*100 ＞ 60；以及
（iii） (X0
-X)/X*100 ＞ 70；
其中X為在實例中列出之拋光條件下量測之含有根據式（I）及式（II）並用於本發明方法之之物質之化學機械拋光組合物的拋光缺陷（亦即CMP/氟化氫後劃痕）；X0
為在相同條件下僅存在二氧化矽磨料；或二氧化矽及無機鹽；或式（I）化合物以及二氧化矽及無機鹽而得到的拋光缺陷（亦即CMP/氟化氫後劃痕）。
在本發明之化學機械拋光方法中使用之化學機械拋光組合物能夠以低標稱拋光墊壓力操作，例如在3至35kPa下操作。低標稱拋光墊壓力藉由減少劃痕及其他不希望的拋光缺陷來改良拋光效能，並使對易碎材料之損壞最小化。
以下實例旨在說明本發明，但不旨在限制其範圍。 在以下實例中，除非另有指示，溫度及壓力之條件為環境溫度及標準壓力。 以下實例中使用以下材料： PC =碳酸鉀，99.9重量%（Aldrich）。 CC =氯化膽鹼，99%（Aldrich） BTMAC =苄基三甲基氯化銨（60%，Starchem. Inc.）
在8英吋之毯式晶圓上進行拋光移除速率實驗。將Applied Materials Mirra®拋光機用於所有實例。所有拋光實驗均使用VisionPad 5000TM
聚氨酯拋光墊（可自Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.商購獲得），以向下力為34.5 kPa（5 psi），化學機械拋光漿料組合物流速為125 mL/min，工作台轉速為93 rpm，載體轉速為87 rpm進行。藉由使用KLA-Tencor FX200計量工具量測拋光前後的膜厚度來測定移除速率。在氟化氫後拋光洗滌（「PstHF」）之後，使用掃描電子顯微鏡測定實例中報道之缺陷效能。使用可自科磊（KLA-Tencor）獲得之Surfscan® SP2缺陷檢查系統檢查Pst-HF洗滌後的所有TEOS晶圓。缺陷資訊，包括他們在晶圓上之座標，記錄在KLARF（KLA結果檔案）中，然後轉移至科磊提供的eDR-5200缺陷審查系統。由eDR-5200系統選擇並審查100個缺陷圖像之隨機樣本。此100個圖像被分類為各種缺陷類型，例如，顫痕（劃痕）、顆粒及墊碎片。基於來自此100個圖像之分類結果，測定晶圓上之劃痕總數。實例 1 本發明之化學機械拋光組合物
本發明之以下化學機械拋光組合物為拋光漿料，並且製備成包括下表1中揭示之組分及量。將組分合併，餘量為去離子水，無需進一步調節pH。 表1
*磨料1：Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，平均粒徑為139 nm，由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）；以及£
磨料2：Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，平均粒徑為145 nm，由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）。實例 2 比較化學機械拋光組合物
以下比較化學機械拋光組合物為拋光漿料，並且製備成包括下表2中揭示之組分及量。將組分合併，餘量為去離子水，無需進一步調節pH。 表2
*磨料1：Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，平均粒徑為139 nm，由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）； ᶨ磨料2：Klebosol™ II 1730膠體二氧化矽，平均粒徑為130 nm，由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）；以及£
磨料3：Klebosol™ II 1630膠體二氧化矽，平均粒徑為145 nm，由德國達姆施塔特市之默克公司（Merck KgAA）製造，均可購自陶氏化學（The Dow Chemical Company）。實例 3 TEOS 移除速率及缺陷效能
將上述實例1中表1之本發明化學機械拋光漿料組合物之TEOS移除速率及缺陷效能與上述實例2中表2中揭示之比較漿料之TEOS移除速率及缺陷效能進行比較。效能結果見下表3。 表3
Claims (8)
- 一種化學機械拋光組合物，其包含以下作為初始組分： 水； 磨料； 鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物； 具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物：其中R1 、R2 及R3 各自獨立地選自（C1 -C4 ）烷基；及具有式（II）之含羥基之四級銨化合物：其中R4 、R5 、R6 各自獨立地選自H及烷基；其中R7 為伸烷基。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械拋光組合物，其中所述化學機械拋光組合物包含以下作為初始組分： 水； 0.1至40重量%之磨料； 0.001至5重量%之鹼金屬或銨之無機鹽或其混合物； 0.001至1重量%之具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物；以及， 0.001至1重量%之具有式（II）之含羥基之四級銨化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械拋光組合物，其中所述化學機械拋光組合物包含以下作為初始組分： 水； 0.1至40重量%之磨料； 0.001至5重量%之鹼金屬之無機鹽或銨鹽或其混合物，其中所述鹼金屬選自Li+ 、Na+ 、K+ 及Cs+ 中之一或多者；且陰離子選自硝酸鹽、碳酸鹽、鹵化物、碳酸氫鹽、磷酸鹽、二磷酸鹽、焦磷酸鹽、三磷酸鹽、硫酸鹽中之一或多者； 0.001至1重量%之具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物，其中式（I）中之陰離子選自氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、乙酸鹽中之一或多者； 0.001至1重量%之具有式（II）之含羥基之四級銨化合物，其中式（II）之陰離子選自氫氧化物、鹵化物、硝酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、乙酸鹽中之一或多者。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械拋光漿料組合物，其中所述化學機械拋光組合物之pH為＞ pH7。
- 一種基板之化學機械拋光方法，其包含： 提供基板，其中所述基板包含氧化矽； 提供如申請專利範圍第1項所述之化學機械拋光組合物； 提供具有拋光表面之化學機械拋光墊； 在所述化學機械拋光墊之所述拋光表面及所述基板之間的界面處以0.69至69 kPa之向下力產生動態接觸；以及 將所述化學機械拋光組合物分配至所述化學機械拋光墊及所述基板之間界面處或附近的所述化學機械拋光墊上； 其中所提供之化學機械拋光組合物之pH ＞ 7； 其中對所述基板進行拋光；並且，其中至少一些氧化矽自所述基板上移除。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中所提供之化學機械拋光組合物包含以下作為初始組分： 水； 0.1至40重量%之所述磨料，其中所述磨料為膠體二氧化矽磨料，其平均粒徑為20-200 nm； 0.001至5重量%之鹼金屬之無機鹽或銨鹽； 0.001至1重量%之具有式（I）之苄基三烷基四級銨化合物；以及， 0.001至1重量%具有式（II）之含羥基之四級銨化合物。 其中所提供之化學機械拋光組合物之pH ＞ 7。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中所述基板包含氧化矽，並且其中所述化學機械拋光組合物之氧化矽移除速率為1,000至6,000 Å/min。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中所述基板包含氧化矽，並且其中所述化學機械拋光漿料組合物表現出pst-HF劃痕缺陷＜ 100/晶圓。
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