CN111471401B - 具有增强的缺陷抑制的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种酸性化学机械抛光组合物，其包含具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒以及选择的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物以增强减少诸如二氧化硅和氮化硅的衬底的介电材料上的缺陷。还公开了用于用所述酸性化学机械抛光组合物抛光衬底以移除诸如二氧化硅和氮化硅的所述介电材料的一些的方法。

Description

具有增强的缺陷抑制的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法
技术领域
本发明涉及具有增强的缺陷减少与良好的电介质移除速率的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法。更具体地，本发明涉及具有增强的缺陷减少与良好的电介质移除速率的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法，其中所述酸性抛光组合物包含具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒以及选择的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物以增强减少衬底上的缺陷，所述衬底包括二氧化硅和氮化硅的电介质，并且其中从所述衬底上移除所述电介质中的至少一些。
背景技术
在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积在半导体晶片的表面上或从半导体晶片的表面上移除。可以通过若干种沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代加工中常见的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学电镀(ECP)。
随着材料层被依次地沉积和移除，晶片的最上表面变成非平面的。因为后续的半导体加工(例如金属化)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化可用于移除不希望的表面形貌和表面缺陷，诸如粗糙表面、附聚的材料、晶格损伤、划痕、以及被污染的层或材料。
化学机械平坦化、或化学机械抛光(CMP)是用于将衬底(诸如半导体晶片)平坦化的常见技术。在常规的CMP中，晶片被安装在托架组件上并且被定位成与CMP设备中的抛光垫接触。托架组件向晶片提供可控的压力，从而将晶片压靠在抛光垫上。所述垫通过外部驱动力相对于晶片移动(例如旋转)。与此同时，在晶片与抛光垫之间提供抛光组合物(“浆料”)或其他抛光液。因此，通过垫表面和浆料的化学和机械作用将晶片表面抛光并且使其成为平面。
某些先进装置设计要求在较低的使用点(POU)磨料wt％下提供良好的二氧化硅和氮化硅移除效率以及减少的划痕缺陷以改进整个抛光方法和产物产率％的抛光组合物。随着半导体装置上结构大小不断缩小，曾经可接受用于平坦化和减少抛光介电材料的缺陷的性能标准变得越来越难以接受。曾经被认为是可接受的划痕现今成为产率限制。
因此，需要展现出所希望的平坦化效率、均匀性和电介质移除速率同时最小化诸如划痕的缺陷的抛光组合物和抛光方法。
发明内容
本发明提供一种酸性化学机械抛光组合物，其包含以下项作为初始组分：水；
具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒；
具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物：
Figure GDA0003096645340000021
其中当n是1或2时R1选自(C1-C4)烷基；R2是甲氧基、乙氧基、或甲氧基亚乙基氧基；并且n可以是0、1或2；
pH<7；以及
任选地选自pH调节剂、季铵化合物和杀生物剂的一种或多种添加剂。
本发明还提供一种酸性化学机械抛光组合物，其包含以下项作为初始组分：
水；
0.1至40wt％的具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料；
0.0001至0.1wt％的具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物：
Figure GDA0003096645340000031
其中当n是1或2时R1选自(C1-C4)烷基；R2是甲氧基、乙氧基、或甲氧基亚乙基氧基；并且n可以是0、1或2；
2至6.5的pH；以及
任选地选自pH调节剂、季铵化合物和杀生物剂的一种或多种添加剂。
本发明进一步提供一种用于对衬底进行化学机械抛光的方法，所述方法包括：
提供衬底，其中所述衬底包括二氧化硅、氮化硅或其组合的介电材料；
提供酸性化学机械抛光组合物，其包含以下项作为初始组分：
水；
具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒；
具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物：
Figure GDA0003096645340000032
其中当n是1或2时R1选自(C1-C4)烷基；R2是甲氧基、乙氧基、或甲氧基亚乙基氧基；并且n可以是0、1或2：pH<7；以及
任选地选自pH调节剂、季铵化合物和杀生物剂的一种或多种添加剂；
提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；
用0.69至34.5kPa的下压力在所述化学机械抛光垫的抛光表面与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及
在所述酸性化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或界面附近将所述酸性化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上；并且其中所述衬底被抛光并且所述介电材料的一些被抛光掉。
本发明的酸性化学机械抛光组合物和方法使增强的缺陷减少以及良好的二氧化硅和氮化硅移除速率成为可能。
具体实施方式
如本说明书通篇所使用的，除非上下文另外指示，否则以下缩写具有以下含义：℃＝摄氏度；g＝克；L＝升；mL＝毫升；μ＝μm＝微米；kPa＝千帕；
Figure GDA0003096645340000042
＝埃；mm＝毫米；cm＝厘米；nm＝纳米；min＝分钟；rpm＝每分钟转数；lbs＝磅；kg＝千克；wt％＝重量百分比；RR＝移除速率；Si＝硅；Si3N4＝氮化硅；DEAMS＝(N,N-二乙基氨基甲基)三乙氧基硅烷，98％(宾夕法尼亚州莫里斯维尔Gelest公司(Gelest Inc.))；TMOS＝原硅酸四甲酯；TMAH＝氢氧化四甲基铵；TEA＝四乙基铵；以及EDA＝乙二胺；PS＝本发明的抛光浆料；CS＝对比抛光浆料。
术语“化学机械抛光”或“CMP”是指单独地凭借化学和机械力来抛光衬底的工艺，并且其区别于其中向衬底施加电偏压的电化学-机械抛光(ECMP)。术语“TEOS”意指由原硅酸四乙酯(Si(OC2H5)4)分解而形成的氧化硅。在通篇说明书中，术语“组合物”和“浆料”可互换使用。术语“亚烷基”与有机基团的更通用化学术语-“烷二基”同义。术语“卤离子”意指氯离子、溴离子、氟离子和碘离子。术语“一个/种(a/an)”是指单数和复数二者。除非另外指出，否则所有百分比均为按重量计的。所有数值范围都是包含端值的，并且可按任何顺序组合，除了此数值范围被限制为加起来最高达100％是合乎逻辑的情况之外。
本发明的酸性化学机械抛光组合物和方法可用于抛光包括介电材料的衬底并且对介电材料具有改进的抛光缺陷率性能，所述介电材料包括二氧化硅、氮化硅或其组合。本发明的酸性化学机械抛光组合物含有以下项(优选地由以下项组成)：水；减少介电材料上的缺陷和划痕的具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物：
Figure GDA0003096645340000041
其中当变量n是1或2时，R1选自(C1-C4)烷基，诸如甲基、乙基、丙基或丁基，优选甲基或乙基，更优选甲基；R2是甲氧基、乙氧基、或甲氧基亚乙基氧基，优选甲氧基和乙氧基，更优选乙氧基；并且变量n可以是0、1或2；其中R1和R2与Si共价键合；并且当n＝0时，仅R2与Si共价键合；pH<7；以及任选地选自pH调节剂、季铵化合物和杀生物剂的一种或多种添加剂。
本文和所附权利要求中用于描述通过将具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物包含在用于本发明的酸性化学机械抛光方法的酸性化学机械抛光组合物中而获得的缺陷率性能的术语“改进的抛光缺陷率性能”意指满足至少以下表达式：
X<X0(方程式I)，
其中X是如在实例中陈述的抛光条件下测量的含有本发明方法中使用的物质的酸性化学机械抛光组合物的缺陷率(即，后CMP/氟化氢(HF)划痕)；并且X0是在相同条件下仅用存在的具有(+)正ζ电势的二氧化硅磨料获得的缺陷率(即，后CMP/氟化氢划痕)。
示例性优选的具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐化合物由以下项组成：
3-三甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R2＝甲氧基并且n＝0)；
3-甲基二甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝甲氧基并且n＝1)；
3-二甲基甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝甲氧基并且n＝2)；
3-三乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R2＝乙氧基并且n＝0)；
3-甲基二乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝乙氧基并且n＝1)；
3-二甲基乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝乙氧基并且n＝2)；
3-三-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R2＝甲氧基亚乙氧基并且n＝0)；
3-甲基双-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝甲氧基亚乙氧基并且n＝1)；以及
3-二甲基甲氧基亚乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐(R1＝甲基，R2＝甲氧基亚乙氧基并且n＝2)。
本发明的最优选的烷氧基硅烷琥珀酸酐是具有式(II)的3-三乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐：
Figure GDA0003096645340000061
在本发明的酸性化学机械抛光方法中使用的酸性化学机械抛光组合物含有0.0001至0.1wt％的具有式(I)或式(II)的烷氧基硅烷琥珀酸酐，优选0.00075至0.006wt％、更优选0.003至0.006wt％的具有式(I)或式(II)的烷氧基硅烷琥珀酸酐作为初始组分。
在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物中含有的水优选地是去离子水和蒸馏水中的至少一种，以限制附带的杂质。
在本发明的酸性化学机械抛光方法中使用的酸性化学机械抛光组合物含有0.1至40wt％的具有净正ζ电势的胶体二氧化硅磨料；优选1至25wt％、更优选1至12wt％、最优选1至3wt％的具有净正ζ电势的胶体二氧化硅磨料。具有净正ζ电势的胶体二氧化硅磨料优选地具有<200nm；更优选75至150nm；最优选100至150nm的平均粒度，如通过动态光散射技术(DLS)测量的。
在本发明的酸性化学机械抛光组合物中，所提供的酸性化学机械抛光组合物含有具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒作为初始组分，其中所述胶体二氧化硅磨料颗粒包括含氮化合物。此类含氮化合物可以掺入胶体二氧化硅磨料颗粒内，或者可以掺入胶体二氧化硅磨料颗粒的表面上，或者本发明的化学机械抛光组合物可以含有具有组合的胶体二氧化硅磨料颗粒作为初始组分，其中含氮化合物掺入具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒内，并且其中，含氮化合物掺入胶体二氧化硅磨料颗粒的表面上。
包括含氮化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒是可商购的，或者可以如化学和胶体二氧化硅磨料颗粒文献中描述的由本领域普通技术人员制备。可商购的包括含氮化合物的胶体二氧化硅颗粒的实例是KLEBOSOLTM1598-B25表面改性的胶体二氧化硅颗粒(由AZ电子材料公司(AZ Electronics Materials)制造，从密歇根州米德兰陶氏化学公司(DowChemical company)可获得)；以及FUSOTMBS-3(日本大阪扶桑化学工业株式会社(FusoChemical Co.,Ltd.))。此类胶体二氧化硅磨料颗粒优选通过本领域普通技术人员众所周知的Stober方法制备。
本发明的酸性化学机械抛光组合物可具有与没有含氮化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒混合的包括含氮化合物的具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒。适合于实践本发明的磨料包括但不限于DEAMS表面改性的FUSO BS-3TM磨料浆料(80ppm DEAMS至1wt％的二氧化硅)以及KLEBOSOLTM1598-B25浆料(由AZ电子材料公司制造，从陶氏化学公司可获得)。也可以使用此类磨料的混合物。
优选地，本发明的具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒包括(在胶体二氧化硅磨料颗粒的表面上、在胶体二氧化硅磨料颗粒内、或其组合)含氮化合物，所述含氮化合物包括但不限于具有以下通式的铵化合物：
R3R4R5R6N+(III)
其中R3、R4、R5和R6独立地选自氢、(C1-C6)烷基、(C7-C12)芳基烷基和(C6-C10)芳基。此类基团可以被一个或多个羟基取代。可以由本领域或文献中已知的方法制备含有铵化合物的此类胶体二氧化硅磨料。
此类含氮铵化合物的实例是四甲基铵、四乙基铵、四丙基铵、四丁基铵、四戊基铵、乙基三甲基铵和二乙基二甲基铵。
含氮化合物还可包括但不限于具有氨基的化合物，诸如伯胺、仲胺、叔胺或季胺。此类含氮化合物还可包括具有一至八个碳原子的氨基酸，诸如赖氨酸、谷氨酰胺、甘氨酸、亚氨基二乙酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸和苏氨酸。
在各种实施例中，在本发明的胶体二氧化硅磨料颗粒中化学物质与二氧化硅的摩尔比优选大于0.1％且小于10％。
氨基硅烷化合物是最优选的掺入本发明的化学机械抛光组合物的胶体二氧化硅磨料颗粒的表面上或胶体二氧化硅磨料颗粒内的含氮化合物。此类氨基硅烷化合物包括但不限于伯氨基硅烷、仲氨基硅烷、叔氨基硅烷、季氨基硅烷和多足的(例如，二足的)氨基硅烷。氨基硅烷化合物可以包括基本上任何合适的氨基硅烷。可以用于实践本发明的氨基硅烷的实例是双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷)、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基丙基三烷氧基硅烷)、氨基丙基三烷氧基硅烷、(2-N-苄基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷)、三烷氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三甲基铵、N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基铵、(双(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、双(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)-乙二胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺、3-氨基丙基三烷氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二烷氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二烷氧基硅烷、3-氨基丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N-三烷氧基甲硅烷基丙基)聚乙烯亚胺、三烷氧基甲硅烷基丙基二亚乙基三胺、N-苯基-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、4-氨基丁基-三烷氧基硅烷、(N,N-二乙基氨基甲基)三乙氧基硅烷、以及其混合物。本领域普通技术人员容易理解，氨基硅烷化合物通常在水性介质中水解(或部分水解)。因此，通过列举氨基硅烷化合物，应理解，可以将氨基硅烷或其水解的(或部分水解的)物质或缩合的物质掺入胶体二氧化硅磨料颗粒中。
在各种实施例中，在胶体二氧化硅磨料颗粒中氨基硅烷物质与二氧化硅的摩尔比优选大于0.1％且小于10％。
包括掺入胶体二氧化硅磨料颗粒内的含氮化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒优选通过Stober方法制备，其中有机烷氧基硅烷诸如TMOS和TEOS用作二氧化硅合成的前体，并且含氮化合物用作催化剂。TMOS和TEOS作为前体在水性碱性环境中经受水解和缩合。用于维持碱性pH的催化剂是含氮物质，诸如但不限于氨、TMAH、TEA和EDA。作为抗衡离子，这些含氮化合物在颗粒生长期间不可避免地被捕获在胶体二氧化硅磨料颗粒内部，因此导致包括内部掺入到胶体二氧化硅磨料颗粒内的含氮化合物的胶体二氧化硅磨料颗粒。包括掺入颗粒内的含氮化合物的可商购的胶体二氧化硅磨料颗粒的实例是从FUSOTM可获得的颗粒，诸如FUSO BS-3TM胶体二氧化硅磨料颗粒。
任选地，所提供的酸性化学机械抛光组合物含有pH调节剂作为初始组分。此类pH调节剂包括二羧酸，其中所述二羧酸包括但不限于丙二酸、草酸、琥珀酸、己二酸、马来酸、苹果酸、戊二酸、酒石酸、其盐或其混合物。更优选地，所提供的酸性化学机械抛光组合物含有二羧酸作为初始组分，其中所述二羧酸选自由以下项组成的组：丙二酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、其盐以及其混合物。还更优选地，所提供的酸性化学机械抛光组合物含有二羧酸作为初始组分，其中所述二羧酸选自由以下项组成的组：丙二酸、草酸、琥珀酸、其盐以及其混合物。最优选地，所提供的酸性化学机械抛光组合物含有二羧酸琥珀酸或其盐作为初始组分。此类二羧酸包含在酸性化学机械抛光组合物中以维持所希望的酸性pH。
用于本发明的酸性化学机械抛光方法中的酸性化学机械抛光组合物具有<7、优选2至6.5、更优选3至6、最优选4至5的pH。将酸性化学机械抛光组合物维持在所希望的酸性pH范围下的最优选的pH调节剂是琥珀酸。
任选地，本发明的酸性化学机械抛光组合物包含一种或多种季铵化合物。此类季铵化合物包括但不限于具有通式(IV)的化合物：
Figure GDA0003096645340000091
其中R7选自饱和或不饱和的(C1-C15)烷基、(C6-C15)芳基、以及(C6-C15)芳烷基，优选(C2-C10)烷基，更优选(C2-C6)烷基，还更优选-(CH2)6-和–(CH2)4-，最优选–(CH2)4-；其中R8、R9、R10、R11、R12和R13各自独立地选自氢、饱和或不饱和的(C1-C15)烷基、(C6-C15)芳基、(C6-C15)芳烷基、以及(C6-C15)烷芳基，优选氢和(C1-C6)烷基，更优选氢和丁基，最优选丁基；并且，其中阴离子是用于中和阳离子的(2+)电荷的抗衡阴离子，其中所述阴离子是氢氧根、卤离子、硝酸根、碳酸根、硫酸根、磷酸根或乙酸根，优选地，所述阴离子是氢氧根或卤离子，更优选地所述阴离子是氢氧根。本发明的酸性化学机械抛光组合物任选地包含0.001至1wt％、更优选0.1至1wt％、最优选0.1至0.3wt％的具有式(I)的化合物作为初始组分。最优选地，具有式(IV)的化合物是N,N,N,N’,N’,N’-六丁基-1,4-丁烷二铵二氢氧化物。
任选地，酸性化学机械抛光组合物可以含有杀生物剂，诸如KORDEXTMMLX(9.5％-9.9％的甲基-4-异噻唑啉-3-酮、89.1％-89.5％的水以及≤1.0％的相关反应产物)或含有活性成分2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮和5-氯-2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮的KATHONTMICP III，每个均由陶氏化学公司(KATHONTM和KORDEXTM是陶氏化学公司的商标)制造。此类杀生物剂可以以如本领域普通技术人员已知的常规量包含在本发明的酸性化学机械抛光组合物中。
在本发明的酸性化学机械抛光方法中被抛光的衬底包括二氧化硅。衬底中的二氧化硅包括但不限于原硅酸四乙酯(TEOS)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、等离子体蚀刻的原硅酸四乙酯(PETEOS)、热氧化物、未掺杂的硅酸盐玻璃、高密度等离子体(HDP)氧化物。
任选地，在本发明的酸性化学机械抛光方法中被抛光的衬底进一步包括氮化硅。如果存在的话，衬底中的氮化硅包括但不限于氮化硅材料，诸如Si3N4。
优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，所提供的化学机械抛光垫可以是本领域已知的任何合适的抛光垫。本领域普通技术人员知道选择用在本发明方法中适当的化学机械抛光垫。更优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，所提供的化学机械抛光垫选自织造抛光垫和非织造抛光垫。还更优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，所提供的化学机械抛光垫包括聚氨酯抛光层。最优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，所提供的化学机械抛光垫包括含有聚合物中空芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。优选地，所提供的化学机械抛光垫在抛光表面上具有至少一个凹槽。
优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，在化学机械抛光垫与衬底之间的界面处或界面附近将所提供的化学机械抛光组合物分配到所提供的化学机械抛光垫的抛光表面上。
优选地，在本发明的抛光衬底的方法中，使用0.69至34.5kPa的垂直于被抛光衬底的表面的下压力，在所提供的化学机械抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触。
在抛光包括二氧化硅、氮化硅或其组合的衬底的方法中，在200mm的抛光机上在93-113转/分钟的压板速度、87-111转/分钟的托架速度、125-300mL/min的酸性化学机械抛光组合物流速、21.4kPa的标称下压力下进行抛光；并且其中，所述化学机械抛光垫包含含有聚合物中空芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。
以下实例旨在说明本发明，但是并不旨在限制其范围。
在以下实例中，除非另外指示，否则温度和压力条件是环境温度和标准压力。
在八英寸的毯覆式晶片上进行抛光移除速率实验。Applied Materials
Figure GDA0003096645340000111
抛光机用于所有实例。所有抛光实验均使用AMAT Reflexion IC1000聚氨酯抛光垫或VisionPad 6000TM聚氨酯抛光垫(从罗门哈斯电子材料CMP公司(Rohm and HaasElectronic Materials CMP Inc.)可商购)，用34.5kPa(5psi)的下压力、125mL/min的酸性化学机械抛光组合物流速、93rpm的台旋转速度以及87rpm的托架旋转速度进行。通过使用KLA-Tencor FX200度量工具测量抛光之前和之后的膜厚度来确定移除速率。实例中报告的缺陷率性能是在氟化氢后抛光洗涤(“Pst HF”)之后使用扫描电子显微镜确定的。使用从科磊公司(KLA-Tencor)可获得的
Figure GDA0003096645340000113
SP2缺陷检查系统检查在Pst-HF洗涤后的所有TEOS晶片。缺陷信息(包括其在晶片上的坐标)记录在KLARF(KLA结果文件)中，然后将其转移到从科磊公司可获得的eDR-5200缺陷评审系统中。选择了100个缺陷图像的随机样本，并通过DR-5200系统对其进行了评审。这100个图像被分类为各种缺陷类型，例如，颤痕(划痕)、颗粒和垫碎片。基于来自这100个图像的分类结果，确定了晶片上划痕的总数。
实例1
化学机械抛光组合物
以下化学机械抛光组合物为抛光浆料，并且制备成包含下表1中公开的组分和量。将组分与余量去离子水组合，而没有进一步调节pH。用水性琥珀酸维持pH。
表1
Figure GDA0003096645340000112
a磨料：由AZ电子材料公司制造从陶氏化学公司可获得的(80ppm DEAMS至1wt％的二氧化硅)表面改性的FUSO BS-3TM净(+)ζ电势的磨料浆料与具有净(+)ζ电势的KLEBOSOLTM1598-B25磨料浆料的3:1重量比的混合磨料。
实例2
TEOS移除速率和缺陷性能
将实例1中的以上表1的本发明的化学机械抛光浆料组合物(PS-3和PS-4)的TEOS移除速率和缺陷性能与同样在实例1中的以上表1中公开的对比浆料(CS-2)的TEOS移除速率和缺陷性能进行比较。AMAT Reflexion IC1000聚氨酯抛光垫用于抛光衬底。性能结果在下表2中。
表2
Figure GDA0003096645340000121
与对照配制品相对比，本发明的酸性化学机械抛光组合物示出显著减少的二氧化硅介电材料的缺陷和划痕。此外，本发明的酸性化学机械抛光组合物即使具有减少的二氧化硅介电材料的缺陷和划痕，也仍然具有良好的TEOS RR。
实例3
TEOS移除速率和缺陷性能
用来自以上实例1的表1的CS-3和PS-5重复化学机械抛光浆料组合物的TEOS移除速率和缺陷性能。VisionPad 6000TM聚氨酯抛光垫用于抛光衬底。所有其他抛光条件和参数与以上实例2中的相同。性能结果在下表3中。
表3
Figure GDA0003096645340000122
如以上实例2中的，与对照配制品相对比，本发明的酸性化学机械抛光组合物示出显著减少的二氧化硅介电材料的缺陷和划痕。此外，本发明的酸性化学机械抛光组合物仍然具有良好的TEOS RR。
实例4
TEOS和SiN移除速率
在八英寸的毯覆式晶片上进行抛光移除速率实验。Applied Materials
Figure GDA0003096645340000132
抛光机用于所有实例。所有抛光实验均使用VisionPad 6000TM聚氨酯抛光垫(从罗门哈斯电子材料CMP公司可商购)，用34.5kPa(5psi)的下压力、125mL/min的化学机械抛光浆料组合物流速、93rpm的台旋转速度以及87rpm的托架旋转速度进行。通过使用KLA-Tencor FX200度量工具测量抛光之前和之后的膜厚度来确定移除速率。抛光结果在下表4中示出。
表4
Figure GDA0003096645340000131
尽管引入三乙氧基甲硅烷基丙基-琥珀酸酐使良好的TEOS和Si3N4移除速率成为可能，但是三乙氧基甲硅烷基丙基-琥珀酸酐似乎对目标TEOS移除速率产生了较小的影响，而Si3N4移除速率具有轻微的增加。

Claims (10)

1.一种酸性化学机械抛光组合物，其包含以下项作为初始组分：
水；
具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒，它的量是0.1至40重量％；
具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐，它的量是0.0001至0.1重量％：
Figure FDA0003096645330000011
其中当n是1或2时R1选自C1-C4烷基；R2是甲氧基、乙氧基、或甲氧基亚乙基氧基；并且n是0、1或2；
pH<7；
任选地pH调节剂；
任选地季铵化合物；以及
任选地杀生物剂。
2.如权利要求1所述的酸性化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含以下项作为初始组分：
所述水；
所述pH为2至6.5；
任选地所述pH调节剂；
任选地所述季铵化合物；以及
任选地所述杀生物剂。
3.如权利要求1所述的酸性化学机械抛光组合物，其中，所述具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐选自下组，所述组由以下项组成：3-三甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基二甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-二甲基甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-三乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基二乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-二甲基乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-三-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基双-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐；以及3-二甲基甲氧基亚乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐。
4.如权利要求1所述的酸性化学机械抛光组合物，其中，所述具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒包括含氮化合物。
5.如权利要求4所述的酸性化学机械抛光组合物，其中，所述含氮化合物是氨基硅烷化合物。
6.一种用于对衬底进行化学机械抛光的方法，所述方法包括：
提供衬底，其中所述衬底包括氧化硅、氮化硅或其组合的介电材料；
提供如权利要求1所述的酸性化学机械抛光组合物；
提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；
用0.69至34.5kPa的下压力在所述酸性化学机械抛光垫的抛光表面与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及
在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或界面附近将所述酸性化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上；
其中所述衬底被抛光；并且其中，将所述氧化硅、氮化硅或其组合中的至少一些从所述衬底上移除。
7.如权利要求6所述的方法，其中，在200mm的抛光机上在93-113转/分钟的压板速度、87-111转/分钟的托架速度、125-300mL/min的酸性化学机械抛光组合物流速、21.4kPa的标称下压力下进行抛光；并且其中，所述化学机械抛光垫包含含有聚合物中空芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。
8.如权利要求6所述的方法，其中，所提供的所述酸性化学机械抛光组合物包含以下项作为初始组分：
水；
0.1至40wt％的量的具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒；
0.0001至0.1wt％的量的具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐；
2至6.5的pH；
任选地所述pH调节剂；
任选地所述季铵化合物；以及
任选地所述杀生物剂。
9.如权利要求6所述的方法，其中，所述具有式(I)的烷氧基硅烷琥珀酸酐选自下组，所述组由以下项组成：3-三甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基二甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-二甲基甲氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-三乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基二乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-二甲基乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-三-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐；3-甲基双-(甲氧基亚乙氧基)-甲硅烷基丙基琥珀酸酐；以及3-二甲基甲氧基亚乙氧基甲硅烷基丙基琥珀酸酐。
10.如权利要求6所述的方法，其中，所述具有正ζ电势的胶体二氧化硅磨料颗粒包括含氮化合物。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220049424A (ko) * 2020-10-14 2022-04-21 삼성에스디아이 주식회사 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법
CN112341667B (zh) * 2020-12-01 2022-06-07 甘肃中科凯越硅材料科技有限公司 一种改性硅微粉的制备和在高分子复合材料中的应用

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9403025D0 (en) 1994-02-17 1994-04-06 Hewlett Packard Ltd Methods and apparatus for storing data and auxilli ary information
CA2253498A1 (en) * 1996-05-08 1997-11-13 Kam W. Law Abrasive article comprising an antiloading component
US6727309B1 (en) * 2002-10-08 2004-04-27 3M Innovative Properties Company Floor finish composition
US7044836B2 (en) 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
US7279223B2 (en) * 2003-12-16 2007-10-09 General Electric Company Underfill composition and packaged solid state device
EP1838173B1 (en) * 2004-12-16 2013-10-16 Dow Corning Corporation Method of preventing or reducing off-flavor in a beverage using silane-treated silica filter media
DE102007021002A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Wacker Chemie Ag Dispergierbare Nanopartikel
EP2197972B1 (en) * 2007-09-21 2020-04-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
WO2009077412A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Akzo Nobel N.V. Aqueous slurry comprising inorganic oxygen-containing particulates
SG196817A1 (en) * 2009-02-16 2014-02-13 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent for copper polishing and polishing method using same
KR101330956B1 (ko) * 2009-08-19 2013-11-18 히타치가세이가부시끼가이샤 Ｃｍｐ 연마액 및 연마 방법
US9309448B2 (en) * 2010-02-24 2016-04-12 Basf Se Abrasive articles, method for their preparation and method of their use
KR101243331B1 (ko) * 2010-12-17 2013-03-13 솔브레인 주식회사 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
CN102585706B (zh) * 2012-01-09 2013-11-20 清华大学 酸性化学机械抛光组合物
KR102415960B1 (ko) * 2016-02-05 2022-07-01 동우 화인켐 주식회사 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법
CN107138134B (zh) * 2017-07-03 2019-07-02 兰州大学 一种改性二氧化硅材料及其制备方法和用途

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