CN115247028A - 具有增强的缺陷减少的抛光组合物和抛光衬底的方法 - Google Patents
具有增强的缺陷减少的抛光组合物和抛光衬底的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115247028A CN115247028A CN202210436744.2A CN202210436744A CN115247028A CN 115247028 A CN115247028 A CN 115247028A CN 202210436744 A CN202210436744 A CN 202210436744A CN 115247028 A CN115247028 A CN 115247028A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mechanical polishing
- chemical mechanical
- group
- polishing composition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 title abstract description 27
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims description 12
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 11
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 11
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 iodide ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 4
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MQAYPFVXSPHGJM-UHFFFAOYSA-M trimethyl(phenyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 MQAYPFVXSPHGJM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 2
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 2
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 2
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N octhilinone Chemical compound CCCCCCCCN1SC=CC1=O JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNMJFQWRASXXMS-UHFFFAOYSA-M trimethyl(phenyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 GNMJFQWRASXXMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- 229940100484 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] Chemical compound [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N chloromethylisothiazolinone Chemical compound CN1SC(Cl)=CC1=O DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
一种含水碱性化学机械抛光组合物，其包含具有苯基的季铵化合物，该季铵化合物使能够实现氧化硅衬底上的增强的缺陷减少，并使能够在化学机械抛光期间实现良好的氧化硅去除速率。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有增强的缺陷减少与良好的电介质去除速率的碱性抛光组合物和抛光衬底的方法。更具体地，本发明涉及一种具有增强的缺陷减少与良好的电介质去除速率的碱性抛光组合物和抛光衬底的方法，其中抛光组合物包含具有苯基的季铵化合物以增强减少衬底上的缺陷，这些衬底包括氧化硅的电介质，并且其中从该衬底上去除该氧化硅中的至少一些。
背景技术
在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积在半导体晶片的表面上或从半导体晶片的表面上去除。可以通过若干种沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代加工中常见的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学电镀(ECP)。
随着材料层被依次地沉积和去除，晶片的最上表面变成非平面的。因为后续的半导体加工(例如，金属化)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化可用于去除不希望的表面形貌和表面缺陷，诸如粗糙表面、附聚的材料、晶格损伤、划痕、以及被污染的层或材料。
化学机械平坦化、或化学机械抛光(CMP)是用于将衬底(诸如半导体晶片)平坦化的常见技术。在常规的CMP中，晶片被安装在托架组件上并且被定位成与CMP设备中的抛光垫接触。托架组件向晶片提供可控的压力，从而将晶片压靠在抛光垫上。该垫通过外部驱动力相对于晶片移动(例如，旋转)。与此同时，在晶片与抛光垫之间提供抛光组合物(“浆料”)或其他抛光液。因此，通过垫表面和浆料的化学和机械作用将晶片表面抛光并且使其成为平面。
某些先进装置设计要求在较低的使用点(POU)磨料重量％下提供增强的氧化硅去除效率以及减少的划痕缺陷以改进整个抛光方法和产物产率％的抛光组合物。随着半导体装置上结构大小不断缩小，曾经可接受用于平坦化和减少抛光介电材料的缺陷的性能标准变得越来越难以接受。曾经被认为是可接受的划痕现今成为产率限制。
因此，需要展现出所希望的平坦化效率、均匀性和电介质去除速率同时最小化诸如划痕的缺陷的抛光组合物和抛光方法。
发明内容
本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；以及具有式(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
本发明还提供了一种化学机械抛光组合物，其包含：水；0.1至40wt％的磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；0.001至1wt％的具有式(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
本发明进一步提供了一种化学机械抛光组合物，其包含：水；5至25wt％的胶体二氧化硅磨料；pH调节剂；任选地杀生物剂；8-13的pH；0.001至1wt％的具有式(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
本发明提供了一种用于对衬底进行化学机械抛光的方法，所述方法包括：提供衬底，其中所述衬底包含氧化硅；提供化学机械抛光组合物，其包含：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；具有(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子；
提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；用3至35kPa的下压力在所述化学机械抛光垫的抛光表面与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上；并且其中将所述氧化硅中的一些从所述衬底上去除。
本发明的化学机械抛光组合物和方法使能够实现增强的缺陷减少，并且使能够实现良好的氧化硅去除速率。
具体实施方式
如本说明书通篇所使用的，除非上下文另外指示，否则以下缩写具有以下含义：L＝升；mL＝毫升；kPa＝千帕；
＝埃；nm＝纳米；min＝分钟；rpm＝每分钟转数；wt％＝重量百分比；RR＝去除速率；mmol＝毫摩尔；Br-＝溴离子；Cl-＝氯离子；I-＝碘离子；F-＝氟离子；OH-＝氢氧根；PS＝本发明的抛光浆料；PC＝对比抛光浆料。
术语“化学机械抛光”或“CMP”是指单独地凭借化学和机械力来抛光衬底的工艺，并且其区别于其中向衬底施加电偏压的电化学-机械抛光(ECMP)。在说明书中术语“季铵化合物”和“季铵盐”可互换使用，因为季铵化合物是水溶性或水可分散性盐。术语“TEOS”意指由原硅酸四乙酯(Si(OC2H5)4)分解而形成的氧化硅。在通篇说明书中，术语“组合物”和“浆料”可互换使用。术语“卤离子”意指氯离子、溴离子、氟离子和碘离子。术语“一个/种(a/an)”是指单数和复数二者。除非另外指出，否则所有百分比均为按重量计的。所有数值范围都是包含端值的，并且可按任何顺序组合，除了此数值范围被限制为加起来最高达100％是合乎逻辑的情况之外。
本发明的化学机械抛光组合物可用于抛光包含氧化硅的衬底。化学机械抛光组合物包含以下项(优选由以下项组成)：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；以及用于减少缺陷并提高氧化硅从衬底的去除速率的具有式(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。本发明的季铵化合物的混合物还可包含在本发明的化学机械抛光组合物中。
本文中用于描述由使用含有具有苯基的季铵化合物的化学机械抛光组合物抛光衬底而获得的氧化硅去除速率(去除速率以
测量)的术语“提高的氧化硅去除速率”意指满足至少以下表达式：
A>A0
其中A是如在实例中陈述的抛光条件下测量的本发明的抛光衬底的方法中使用的含有所要求保护的季铵化合物的化学机械抛光组合物的氧化硅去除速率(以
计)；A0是在相同条件下仅用存在的二氧化硅磨料获得的氧化硅去除速率
本文中用于描述通过将具有式(I)的季铵化合物包含在用于本发明的化学机械抛光方法的化学机械抛光组合物中而获得的缺陷率性能的术语“改进的抛光缺陷率性能”意指满足至少以下表达式：
X<X0
其中X是如在实例中陈述的抛光条件下测量的含有本发明方法中使用的物质的化学机械抛光组合物的缺陷率(即，CMP/氟化氢(HF)后划痕或缺陷)；并且X0是在相同条件下仅用存在的二氧化硅磨料获得的缺陷率(即，CMP/氟化氢后划痕或缺陷)。
优选地，本发明的化学机械抛光组合物包含以0.001至1wt％、更优选从0.1至1wt％、最优选从0.1至0.5wt％的量的具有式(I)的季铵化合物。
优选地，本发明的季铵化合物具有式(I)：
其中R1、R2和R3独立地选自由苯基和C1-C2烷基组成的组，并且X-是选自由Br-、Cl-和OH-组成的组的阴离子；更优选地，R1、R2和R3独立地选自由C1-C2烷基组成的组，并且X-是选自由Br-和Cl-组成的卤离子；最优选地，R1、R2和R3是C1烷基或甲基(-CH3)，并且X-是选自由Br-和Cl-组成的卤离子。优选的季铵化合物的混合物还可包含在本发明的化学机械抛光组合物中。
前述优选的季铵化合物的示例性季铵化合物是选自由苯基三甲基氯化铵、苯基三甲基溴化铵和苯基三甲基氢氧化铵组成的组的季铵盐。最优选的季铵盐是选自由苯基三甲基氯化铵和苯基三甲基溴化铵组成的组。此类季铵盐的混合物可包含在本发明的化学机械抛光组合物中。
在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物中含有的水优选地是去离子水和蒸馏水中的至少一种，以限制附带的杂质。
在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物含有：0.1至40wt％磨料；优选5至30wt％、更优选10至20wt％磨料。使用的磨料优选具有<200nm；更优选75至150nm；最优选100至150nm的平均粒度。
用于在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物中的磨料包括例如无机氧化物、无机氢氧化物、无机氢氧化物氧化物、金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物、聚合物颗粒以及包含前述中的至少一项的混合物。合适的无机氧化物包括例如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铈(CeO2)、氧化锰(MnO2)、氧化钛(TiO2)或其组合。如果需要的话，还可以使用这些无机氧化物的改性形式，如有机聚合物涂覆的无机氧化物颗粒和无机涂覆颗粒。合适的金属碳化物、硼化物和氮化物包括例如碳化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、碳化硼、碳化钨、碳化锆、硼化铝、碳化钽、碳化钛或其组合。
用于在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物中的优选磨料是胶体二氧化硅。优选地，使用的胶体二氧化硅含有沉淀二氧化硅和团聚二氧化硅中的至少一种。优选地，所使用的胶体二氧化硅具有<200nm、更优选75至150nm、最优选100至150nm的平均粒度；并且占化学机械抛光组合物的0.1至40wt％、优选5至30wt％、更优选10至20wt％。可商购的胶体二氧化硅的实例是具有139nm平均粒度的KlebosolTM II 1630胶体二氧化硅；具有145nm平均粒度的KlebosolTM II1630胶体二氧化硅；以及具有130nm粒度的KlebosolTM II 1730胶体二氧化硅，所有都是由德国达姆施塔特默克集团(Merck KgAA)制造的，所有都是从杜邦公司(DuPont)可获得的。
任选地，化学机械抛光组合物含有杀生物剂，如KORDEKTM MLX(9.5％-9.9％的甲基-4-异噻唑啉-3-酮、89.1％-89.5％的水以及≤1.0％的相关反应产物)或含有活性成分2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮和5-氯-2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮的KATHONTM ICP III，各自由国际香精香料公司(International Flavors&Fragrances,Inc.)制造(KATHON和KORDEK是国际香精香料公司的商标)。
当本发明的化学机械抛光组合物中包含杀生物剂时，杀生物剂以0.0001wt％至0.1wt％，优选0.001wt％至0.05wt％，更优选0.001wt％至0.01wt％，还更优选0.001wt％至0.005wt％的量被包含。
用于本发明的化学机械抛光方法中的化学机械抛光组合物具有>7、优选7至12、更优选10至11的pH。
所使用的化学机械抛光组合物可以任选地包含一种或多种pH调节剂，以将pH保持在优选的范围内。优选地，pH调节剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、以及铵盐，如卤化铵或硝酸铵中的一种或多种。
在本发明的化学机械抛光方法中被抛光的衬底包含氧化硅。衬底中的氧化硅包括但不限于硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、等离子体增强的原硅酸四乙酯(PETEOS)、热氧化物、未掺杂的硅酸盐玻璃、高密度等离子体(HDP)氧化物。
在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光垫可以是本领域已知的任何合适的抛光垫。化学机械抛光垫可以任选地选自织造抛光垫和非织造抛光垫。化学机械抛光垫可以由具有不同的密度、硬度、厚度、可压缩性和模量的任何合适的聚合物制成。可以如所希望的对化学机械抛光垫进行开槽和穿孔。
包含在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物中的具有式(I)的季铵化合物导致改进的抛光缺陷率性能。优选地，将具有式(I)的季铵化合物包含在化学机械抛光组合物中提供了如在实例中陈述的抛光条件下测量的>50％减少的抛光缺陷率(即，CMP/氟化氢后划痕)。也就是说，优选满足以下公式：
(X0-X)/X0*100>50；
其中X是如在实例中陈述的抛光条件下测量的含有根据式(I)的不对称季铵化合物且本发明方法中使用的化学机械抛光组合物的抛光缺陷率(即，CMP/氟化氢后划痕或缺陷)；并且X0是在相同条件下仅用存在的二氧化硅磨料获得的抛光缺陷率(即，CMP/氟化氢后划痕或缺陷)。
在本发明的化学机械抛光方法中使用的化学机械抛光组合物使得能够在低的标称抛光垫压力下(例如在3至35kPa下)进行操作。低的标称抛光垫压力通过减少划痕和其他不希望的抛光缺陷而改进了抛光性能并且使对易碎材料造成的损害最小化。
以下实例旨在说明本发明，但是并不旨在限制其范围。
在以下实例中，除非另外指示，否则温度和压力条件是环境温度和标准压力。
在随后实例中使用了以下材料：
在八英寸的毯覆式晶片上进行抛光去除速率实验。Applied Materials
抛光机用于实例1，并且Applied Materials
抛光机用于实例2。抛光实例1使用VisionPad 5000/K7TM聚氨酯抛光垫并且抛光实例2使用IC1010聚氨酯抛光垫(两者都从罗门哈斯电子材料CMP公司(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)可商购)进行，其中下压力为20.7kPa(3psi)，在实例1中化学机械抛光浆料组合物流速为150mL/min且在实例2中为250mL/min，台旋转速度为93rpm以及托架旋转速度为87rpm。通过使用KLA-Tencor FX200度量工具测量抛光之前和之后的膜厚度来确定去除速率。实例中报告的缺陷率性能是在氟化氢抛光后洗涤(“Pst HF”)之后使用扫描电子显微镜确定的。使用从科磊公司(KLA-Tencor)可获得的
SP2缺陷检查系统检查在Pst-HF洗涤后的所有TEOS晶片。缺陷信息(包括其在晶片上的坐标)记录在KLARF(KLA结果文件)中，然后将其转移到从科磊公司可获得的eDR-5200缺陷评审系统中。选择了100个缺陷图像的随机样本，并通过eDR-5200系统对其进行了评审。这100个图像被分类为各种缺陷类型，例如，颤痕(划痕)、颗粒和垫碎片。基于来自这100个图像的分类结果，确定了晶片上划痕的总数。
实例1
化学机械抛光组合物、TEOS RR和缺陷减少
如下表1所示制备含水化学机械抛光浆料。将2wt％KOH水溶液添加到每个浆料中以保持希望的pH。
表1
磨料：具有139nm平均粒度的KlebosolTM II 1630胶体二氧化硅，其由德国达姆施塔特默克集团制造的，从杜邦公司可获得的。
表2
与两种对比浆料PC-1和PC-2相比，本发明的浆料PS-1示出改进的TEOS RR、减少的缺陷计数以及减少的划痕。
实例2
化学机械抛光组合物、TEOS RR和缺陷减少
如下表3所示制备含水化学机械抛光浆料。将2wt％KOH水溶液添加到每个浆料中以保持希望的pH。
表3
磨料：具有139nm平均粒度的KlebosolTM II 1630胶体二氧化硅，其由德国达姆施塔特默克集团制造的，从杜邦公司可获得的。
表4
与仅包括磨料和水的对比物PC-3相比，本发明的包含苯基三甲基氯化铵的浆料PS-2、PS-3和PS-4表现示增强的TEOS RR和减少的划痕。
Claims (7)
1.一种化学机械抛光组合物，其包含：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；以及具有式(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含：所述水；0.1至40wt％的所述磨料；任选地所述pH调节剂；任选地所述杀生物剂；所述大于7的pH；0.001至1wt％的具有所述式(I)的所述季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含：所述水；5至25wt％的所述磨料，其中所述磨料是胶体二氧化硅磨料；所述pH调节剂；所述杀生物剂；8-13的pH；0.01至1wt％的具有所述式(I)的所述季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子。
4.如权利要求3所述的化学机械抛光组合物，其中，所述pH调节剂选自由以下组成的组：氢氧化钾、氢氧化钠、铵盐及其混合物。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述季铵化合物具有所述式(I)：
其中R1、R2和R3独立地选自由C1-C2烷基组成的组，并且X-是选自由Br-、Cl-和OH-组成的组的阴离子。
6.一种用于对衬底进行化学机械抛光的方法，所述方法包括：提供衬底，其中所述衬底包含氧化硅；提供化学机械抛光组合物，其包含：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；具有(I)的季铵化合物：
其中R1、R2和R3独立地选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1-C5烷基；并且X-是选自由Br-、Cl-、I-、F-和OH-组成的组的阴离子；
提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；用3至35kPa的下压力在所述化学机械抛光垫的所述抛光表面与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上；并且其中将所述氧化硅中的一些从所述衬底上去除。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光衬底的方法，其中，所述季铵化合物具有下式(I)：
其中R1、R2和R3独立地选自由C1-C2烷基组成的组，并且X-是选自由Br-、Cl-和OH-组成的组。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/241399 | 2021-04-27 | ||
| US17/241,399 US20220348788A1 (en) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect reduction |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115247028A true CN115247028A (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=83698910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210436744.2A Pending CN115247028A (zh) | 2021-04-27 | 2022-04-24 | 具有增强的缺陷减少的抛光组合物和抛光衬底的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20220348788A1 (zh) |
| JP (1) | JP2022169478A (zh) |
| KR (1) | KR20220147526A (zh) |
| CN (1) | CN115247028A (zh) |
| TW (1) | TW202309211A (zh) |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000311874A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Seimi Chem Co Ltd | 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤 |
| CN1359997A (zh) * | 2000-12-20 | 2002-07-24 | 拜尔公司 | 化学机械法抛光二氧化硅薄膜用抛光膏 |
| CN1517424A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-08-04 | ������������ʽ���� | 研磨液组合物 |
| CN101168647A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 |
| TW200914593A (en) * | 2007-08-29 | 2009-04-01 | Nippon Chemical Ind | Polishing compound for semiconductor wafer and polishing method |
| CN101490203A (zh) * | 2006-07-24 | 2009-07-22 | 卡伯特微电子公司 | 用于介电膜的提高速率的化学机械抛光组合物 |
| CN102206465A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 使用适合提高氧化硅的去除的抛光组合物对基片进行化学机械抛光的方法 |
| TW201323589A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-16 | Uwiz Technology Co Ltd | 研漿組成物 |
| CN105315894A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-02-10 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 化学机械抛光组合物和用于抛光钨的方法 |
| TW201726880A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-08-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| CN109251676A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN110283532A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-27 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 具有增强缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底方法 |
| US20200172760A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for metal cmp |
| CN112490120A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法 |
| CN112500798A (zh) * | 2019-09-13 | 2021-03-16 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2356192B1 (en) * | 2008-09-19 | 2020-01-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Barrier slurry for low-k dielectrics |
| US8545715B1 (en) * | 2012-10-09 | 2013-10-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method |
| JP6482234B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2019-03-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| KR20200010806A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 삼성전자주식회사 | 연마 슬러리 및 그 제조 방법과 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2021
- 2021-04-27 US US17/241,399 patent/US20220348788A1/en active Pending
-
2022
- 2022-04-24 CN CN202210436744.2A patent/CN115247028A/zh active Pending
- 2022-04-25 KR KR1020220050985A patent/KR20220147526A/ko unknown
- 2022-04-25 TW TW111115596A patent/TW202309211A/zh unknown
- 2022-04-26 JP JP2022072275A patent/JP2022169478A/ja active Pending
- 2022-10-13 US US18/046,180 patent/US12024652B2/en active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000311874A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Seimi Chem Co Ltd | 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤 |
| CN1359997A (zh) * | 2000-12-20 | 2002-07-24 | 拜尔公司 | 化学机械法抛光二氧化硅薄膜用抛光膏 |
| CN1517424A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-08-04 | ������������ʽ���� | 研磨液组合物 |
| CN101490203A (zh) * | 2006-07-24 | 2009-07-22 | 卡伯特微电子公司 | 用于介电膜的提高速率的化学机械抛光组合物 |
| CN101168647A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 |
| TW200914593A (en) * | 2007-08-29 | 2009-04-01 | Nippon Chemical Ind | Polishing compound for semiconductor wafer and polishing method |
| CN102206465A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 使用适合提高氧化硅的去除的抛光组合物对基片进行化学机械抛光的方法 |
| TW201323589A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-16 | Uwiz Technology Co Ltd | 研漿組成物 |
| CN105315894A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-02-10 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 化学机械抛光组合物和用于抛光钨的方法 |
| TW201726880A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-08-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| CN109251676A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN110283532A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-27 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 具有增强缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底方法 |
| US20200172760A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for metal cmp |
| CN113166587A (zh) * | 2018-12-04 | 2021-07-23 | Cmc材料股份有限公司 | 用于金属的化学机械抛光的组合物及方法 |
| CN112490120A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法 |
| CN112500798A (zh) * | 2019-09-13 | 2021-03-16 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230083732A1 (en) | 2023-03-16 |
| JP2022169478A (ja) | 2022-11-09 |
| KR20220147526A (ko) | 2022-11-03 |
| TW202309211A (zh) | 2023-03-01 |
| US12024652B2 (en) | 2024-07-02 |
| US20220348788A1 (en) | 2022-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI500750B (zh) | 包含多晶矽、氧化矽及氮化矽之基板的研磨方法 | |
| JP5861906B2 (ja) | 酸化ケイ素除去を増大させるように適合した研磨組成物で基体を化学機械研磨する方法 | |
| TWI508154B (zh) | 包含多晶矽及氧化矽與氮化矽之至少一者之基板的研磨方法 | |
| JP2011151405A (ja) | 半導体素子の表面平坦化方法 | |
| CN111944429B (zh) | 化学机械抛光组合物以及方法 | |
| TWI496878B (zh) | 包含多晶矽及氧化矽與氮化矽之至少一者之基板的研磨方法 | |
| CN110283532B (zh) | 具有增强缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底方法 | |
| CN111471401B (zh) | 具有增强的缺陷抑制的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法 | |
| JP6251765B2 (ja) | 研磨スラリー及びこれを用いた基板の研磨方法 | |
| KR20230044961A (ko) | 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법 | |
| US12024652B2 (en) | Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect reduction | |
| JP7548689B2 (ja) | タングステン用の化学機械研磨組成物及び方法 | |
| CN115247027B (zh) | 具有增强的缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |