KR20230044961A - 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법 - Google Patents

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KR20230044961A
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Abstract

기판으로부터 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법은 물, 유기 산 및 연마재를 함유하는 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 물, 연마재, 저급 알킬 아민 화합물을 함유하는 알칼리성 용액과 혼합하는 단계; 폴리싱 표면을 갖는 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계; 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및 화학적 기계적 폴리싱 슬러리와 알칼리성 용액의 혼합물을 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 폴리싱 표면 위로 분배하여, 폴리규소의 일부가 기판으로부터 폴리싱 제거되는 단계를 포함한다.

Description

폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법{METHOD OF ENHANCING THE REMOVAL RATE OF POLYSILICON}
본 발명은 기판으로부터 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 물, 유기 산 및 연마재 입자를 함유하는 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 물, 저급 알킬 사슬 아민 화합물을 함유하는 알칼리성 용액과 혼합하는 단계; 폴리싱 표면을 갖는 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계; 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및 화학적 기계적 폴리싱 슬러리와 알칼리성 용액의 혼합물을 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 폴리싱 표면 위로 분배하여, 폴리규소의 일부가 기판으로부터 폴리싱 제거되는 단계에 의해 기판으로부터 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법에 관한 것이다.
집적 회로 및 다른 전자 장치의 제작에서, 전도성 재료, 반도체 재료 및 유전체 재료의 다중 층은 반도체 웨이퍼의 표면 상에 증착되거나 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 제거된다. 전도성 재료, 반전도체 재료 및 유전체 재료의 박층은 다수의 증착 기법에 의해 증착될 수 있다. 최신 공정에서의 일반적인 증착 기술은 스퍼터링으로도 알려진 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD), 및 전기화학 도금(ECP)을 포함한다.
재료의 층들이 순차적으로 증착되고 제거됨에 따라, 웨이퍼의 최상측 표면은 비평면이 된다. 후속 반도체 공정(예를 들어, 금속화)은 웨이퍼가 편평한 표면을 갖도록 요구하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 원하지 않는 표면 토포그래피(topography) 및 표면 결함, 예컨대 거친 표면, 응집된 재료, 결정 격자 손상, 스크래치, 및 오염된 층 또는 재료를 제거하는 데 유용하다.
화학적 기계적 평탄화, 또는 화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 평탄화하는 데 사용되는 일반적인 기술이다. 통상적인 CMP에서, 웨이퍼는 캐리어 어셈블리 상에 장착되고, CMP 장치에서 폴리싱 패드와 접촉한 상태로 배치된다. 캐리어 어셈블리는 웨이퍼에 제어 가능한 압력을 제공하여, 웨이퍼를 폴리싱 패드에 대해 가압한다. 패드는 외부 구동력에 의해 웨이퍼에 대하여 움직인다(예를 들어, 회전된다). 이와 동시에, 폴리싱 조성물("슬러리") 또는 다른 폴리싱 용액이 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 제공된다. 따라서, 웨이퍼 표면은 패드 표면과 슬러리의 화학적 및 기계적 작용에 의해 폴리싱되고 평면을 이룬다. 그러나, CMP와 관련된 많은 복잡성이 존재한다. 각각의 유형의 재료는 특유의 폴리싱 조성물, 적절하게 설계된 폴리싱 패드, 폴리싱 및 CMP-후 세정 둘 모두를 위한 최적화된 공정 설정, 및 특정한 재료를 폴리싱하는 용도에 개별적으로 맞춰져야 하는 다른 요소들을 필요로 한다.
예를 들어, 산성 산화물 슬러리는 28 nm 이하와 같은 진보된 기술 노드(node)에 점점 더 적용되고 있다. 그러한 슬러리에 존재하는 연마재는 다양한 화학 물질 또는 첨가제 시도를 통해 양의 전하를 갖는다. 그러한 슬러리는 알칼리성 상대물질보다 훨씬 낮은 사용 지점(POU)의 실리카 중량%와 함께 뛰어난 결함율 및 평탄화 효율(PE) 성능을 나타낸다.
한편, 이용자는 미국 특허 U.S. 8,435,420에 개시된 바와 같은 폴리규소 화학적 기계적 폴리싱을 포함한 여러 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 대해서 하나의 소모적인 세트를 융통적으로 유지하는 것이 매우 바람직하다. 화학적 기계적 폴리싱 산업은 산성 산화물 슬러리를 사용하여 폴리규소를 폴리싱하면 우수한 PE 및 감소된 디싱(dishing)이 나타난다는 것을 발견하였지만, 주요 단점은 폴리규소 제거 속도가 비교적 낮다는 것이다. 예를 들어, 6 미만의 pH를 갖는 1 내지 2 중량%의 콜로이드성 실리카 입자를 함유하는 수성 슬러리는 약 1600 Å/min의 폴리규소 제거 속도를 제공한다. 최근에, 화학적 기계적 폴리싱 산업에서 약 2 내지 3 μm의 폴리규소가 기판으로부터 제거될 필요가 있는 두꺼운 폴리규소 용도에 대해서 산성 산화물 슬러리에 의해 폴리규소 제거 속도를 상승시키려는 요구가 있었다.
따라서, 화학적 기계적 폴리싱 산업에서 기판으로부터 폴리규소의 제거 속도를 향상시키는 방법을 제공할 필요성이 있다.
본 발명은 다음의 단계를 포함하는, 폴리규소를 화학적 기계적 폴리싱하는 방법에 관한 것이다:
폴리규소를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
다음으로 이루어진 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 제공하는 단계:
물;
연마재 입자;
유기 산;
선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물;
선택적으로 살생물제;
다음으로 이루어진 알칼리성 용액을 제공하는 단계:
물;
하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
[화학식 I]
Figure pat00001
[식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다];
선택적으로 살생물제;
상기 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 알칼리성 용액과 혼합하여 상기 물, 상기 연마재 입자, 상기 유기 산, 상기 아민 화합물 및 선택적으로 상기 살생물제; 선택적으로 상기 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물로 이루어진 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성하는 단계;
폴리싱 표면을 갖는 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계;
상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및
상기 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면 위로 분배하여 상기 폴리규소의 적어도 일부를 제거하는 단계.
추가로, 본 발명은 다음의 단계를 포함하는, 폴리규소를 화학적 기계적 폴리싱하는 방법에 관한 것이다:
폴리규소를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 제공하는 단계로서, 상기 슬러리는
물;
연마재 입자;
유기 산;
선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물;
선택적으로 살생물제로 이루어지고,
상기 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리의 pH는 6 미만인, 단계;
알칼리성 용액을 제공하는 단계로서, 상기 용액은
물;
3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 아민 화합물;
선택적으로 살생물제로 이루어지고,
상기 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 용액의 pH는 7 초과인, 단계;
상기 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 알칼리성 용액과 혼합하여 상기 물, 상기 연마재 입자, 상기 유기 산, 상기 아민 화합물, 선택적으로 상기 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 선택적으로 상기 살생물제로 이루어진 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성하는 단계로서, 상기 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리의 pH는 7 초과인, 단계;
폴리싱 표면을 갖는 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계;
상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및
상기 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면 위로 분배하여 상기 폴리규소의 적어도 일부를 제거하는 단계.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에 의해 폴리규소 제거 속도가 향상될 수 있고, 정적 에칭 속도가 감소될 수 있으며, 폴리싱된 평탄한 폴리규소 표면이 제공된다. 본 발명의 방법은 또한 TEOS에 대해 폴리규소를 선택적으로 폴리싱한다.
본 명세서 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, 문맥에서 달리 나타내지 않는 한, 하기 약어는 다음의 의미를 갖는다: mL = 밀리리터; μ = μm = 마이크로미터; kPa = 킬로파스칼; Å = 옹스트롬; DI = 탈이온화; ppm = 백만분율 = mg/L; 1 중량% = 10,000 ppm; mm = 밀리미터; cm = 센티미터; min = 분; rpm = 분당 회전수; lbs = 파운드; kg = 킬로그램; 2.54 cm = 1 인치; Poly-Si = 폴리규소; DLS = 동적 광 산란; wt% = 중량 백분율; RR = 제거 속도; S = 슬러리; PS = 본 발명의 폴리싱 슬러리; CS = 대조군 슬러리; ES = 본 발명의 에칭 용액; CES = 비교예 에칭 용액; POU = 사용 지점; EDA = 에틸렌디아민; PEI = 폴리에틸렌이민; DEAMS = (N,N-디에틸아미노메틸) 트리에톡시실란, 98% (Gelest Inc., 미국 펜실베이니아주 모리스빌 소재); TMOS = 테트라메틸 오르토실리케이트; TMAH = 테트라메틸 암모늄 히드록사이드; TEA = 테트라에틸 암모늄; TEAH = 테트라에틸암모늄 히드록사이드; diquat = N,N,N,N',N'N'-헥사부틸-1,4-부탄디암모늄 디히드록사이드; 및 SiN = 질화규소.
용어 "화학적 기계적 폴리싱" 또는 "CMP"는 화학적 및 기계적 힘만으로 기판이 폴리싱되는 공정을 지칭하며, 기판에 전기 바이어스가 인가되는 전기화학-기계적 폴리싱(ECMP)과는 구별된다. 용어 "슬러리"는 물에 현탁되는 물보다 더 진한 고형물들의 혼합물을 의미한다. 용어 "용액"은 소수 성분(용질)이 주요 성분(용매)에 실질적으로 균일하게 용해되어 있고, 여기서 용매가 물인, 혼합물을 의미한다. 용어 "켐팩(chempack)"은 하나 이상의 저급 알킬 아민 화합물을 함유하는 알칼리성 수용액을 의미한다. 용어 "폴리규소"는 다결정질 규소 또는 멀티-결정질 규소를 의미한다. 용어 "TEOS"는 테트라에틸 오르토실리케이트(Si(OC2H5)4)의 분해로부터 형성되는 이산화규소를 의미한다. 용어 "알킬렌"은 알켄에서 이중 결합의 개방에 의해(예컨대, 에틸렌: -CH2-CH2- 또는 메틸렌: -CH2-), 또는 알칸에서 상이한 탄소 원자로부터 2개의 수소 원자의 제거에 의해 유도된 것으로 간주된 2가 포화 지방족 기 또는 모이어티를 의미한다. 용어 "알킬"은 일반 화학식: CnH2n+1을 갖는 유기 기를 의미하며, 여기서 "n"은 정수이고, 어미 "일"은 수소를 제거함으로써 형성된 알칸의 단편을 의미한다. 용어 "평면"은 길이와 폭의 2개 치수를 갖는 실질적으로 편평한 표면 또는 편평한 토포그래피를 의미한다. 용어 "조성물" 및 "슬러리"는 본 명세서에 걸쳐 상호 교환적으로 사용된다. 단수형은 단수형 및 복수형 둘 모두를 지칭한다. KLEBOSOL™ 입자(AZ Electronic Materials에 의해 제조됨, The DuPont Electronics, Inc.로부터 입수가능), 예컨대 KLEBOSOL™ 1598-B25 입자는 물 유리 공정에 의해 제조된다. 모든 백분율은 달리 언급되어 있지 않는 한, 중량 기준이다. 수치 범위가 최대 100%까지 제한되는 것이 논리적인 경우를 제외하고, 모든 수치 범위는 임의의 순서로 포함되고 조합될 수 있다.
본 발명의 폴리규소를 함유하는 기판을 폴리싱하는 방법은 물, 연마재 입자, 유기 산, 선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 및 선택적으로 살생물제로 이루어진 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 제공하는 단계; 및 물, 하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
[화학식 I]
Figure pat00002
[식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다]
및 선택적으로 살생물제로 이루어진 알칼리성 수용액을 제공하는 단계; 및 상기 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 알칼리성 수용액과 혼합하여 상기 물, 상기 연마재 입자, 상기 유기 산, 상기 아민 화합물, 선택적으로 상기 살생물제, 및 선택적으로 상기 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물로 이루어진 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 폴리규소를 포함하는 기판을 화학적 기계적 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 용액에 함유된 물은 부수적인 불순물을 제한하기 위한 탈이온수 및 증류수 중 적어도 하나이다.
바람직하게는, 화학적 기계적 폴리싱 슬러리에 사용되는 연마재는 무기 산화물, 무기 수산화물, 무기 수산화 산화물, 금속 붕소화물, 금속 탄화물, 금속 질화물 및 상기 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 적합한 무기 산화물에는, 예를 들어 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 세리아(CeO2), 산화망간(MnO2), 산화티타늄(TiO2) 또는 상기 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 조합이 포함된다. 이러한 무기 산화물의 개질된 형태, 예컨대 무기 코팅된 입자가 또한 바람직한 경우 이용될 수 있다. 적합한 금속 탄화물, 붕소화물 및 질화물에는, 예를 들어 탄화규소, 질화규소, 탄소질화규소(SiCN), 탄화붕소, 탄화텅스텐, 탄화지르코늄, 붕소화알루미늄, 탄화탄탈럼, 탄화티타늄, 또는 상기 금속 탄화물, 붕소화물 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 조합이 포함된다. 보다 바람직하게는, 연마재는 콜로이드성 실리카 연마재이다. 바람직하게는, 콜로이드성 실리카 연마재는 건식 실리카, 침강 실리카 및 응집 실리카 중 적어도 하나를 함유한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 사용되는 연마재는 평균 입자 크기가 < 100 nm(보다 바람직하게는, 1 내지 100 nm)이다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 사용되는 연마재는 동적 광 산란 기술(DLS)에 의해 측정할 경우 평균 입자 크기가 < 100 nm(바람직하게는, 1 내지 100 nm; 보다 바람직하게는, 10 내지 80 nm; 보다 더 바람직하게는, 20 내지 80 nm; 가장 바람직하게는, 60 내지 30 nm)인 콜로이드성 실리카 연마재이다.
가장 바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 콜로이드성 실리카 연마재 입자는 물 유리 공정에 의해 제조된 콜로이드성 실리카 연마재 입자이다. 물 유리 공정에 의해 제조된 상업적으로 입수가능한 콜로이드성 실리카 연마재 입자의 예는 KLEBOSOL™ 1598-B25 슬러리(AZ Electronics Materials에 의해 제조됨, DuPont Electronics, Inc.로부터 입수가능)이다. 그러한 콜로이드성 실리카 연마재는 질소-함유 실란 화합물과 혼합될 수 있다. 그러한 혼합물의 예는 KLEBOSOL™ 1598-B25 슬러리(AZ Electronics Materials에 의해 제조됨, DuPont Electronics, Inc.로부터 입수가능) 플러스 (0.01 ~ 0.02 중량% DEAMS 내지 1 중량% 실리카)이다.
선택적이지만 바람직하게는, 수성 산성 연마재 슬러리는 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 예컨대 N,N,N,N',N',N'-헥실부틸-1,4-부탄디암모늄 디히드록사이드(HBBAH)를 포함한다. 그러한 화합물은 수성 산성 슬러리에 포함되어 높은 폴리규소 제거 속도를 유지하면서 저장, 수송 및 가열 숙성 동안 슬러리의 안정화를 향상시킨다. 이러한 화합물은 통상적인 양, 바람직하게는 1 내지 100 ppm, 보다 바람직하게는 5 내지 50 ppm POU로 수성 산성 연마재 슬러리에 포함된다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 포함될 수 있는 추가의 질소-함유 화합물은 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 아미노산, 예컨대 리신, 글루타민, 글리신, 이미노디아세트산, 알라닌, 발린, 류신, 이소류신, 세린 및 트레오닌이다.
바람직하게는, 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 6 중량% 이하의 연마재 입자, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%, 보다 더 바람직하게는 1 내지 3 중량%, 훨씬 더 바람직하게는 1 내지 2 중량%의 연마재 입자를 함유한다.
본 발명의 방법에서 수성 산성 슬러리는 6 미만, 바람직하게는 3 내지 5, 보다 바람직하게는 4 내지 5의 pH를 제공하기 위해 하나 이상의 유기 산을 포함한다. 유기 산에는 디카복실산이 포함되지만 이로 한정되지 않으며, 디카복실산에는 옥살산, 석신산, 아디프산, 말레산, 말산, 글루타르산, 타르타르산, 이들의 염 또는 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 보다 바람직하게는, 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 디카복실산을 함유하며, 디카복실산은 옥살산, 석신산, 타르타르산, 이들의 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 훨씬 더 바람직하게는, 디카복실산은 옥살산, 석신산, 이들의 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 디카복실산은 석신산 또는 이들의 염이다.
산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 1 내지 2,600 ppm, 바람직하게는 100 내지 1,400 ppm, 보다 바람직하게는 100 내지 1,350 ppm, 보다 더 바람직하게는 100 내지 1,000 ppm의 디카복실산과 같은 유기 산을 함유할 수 있으며, 디카복실산에는 옥살산, 석신산, 아디프산, 말레산, 말산, 글루타르산, 타르타르산, 이들의 염 또는 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다.
켐팩 또는 알칼리성 수용액에 포함되는 아민 화합물의 양은 10 내지 10,000 ppm, 바람직하게는 50 내지 5000 ppm, 보다 바람직하게는 100 내지 5000 ppm, 가장 바람직하게는 100 내지 2500 ppm이다.
바람직하게는, 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민이다.
본 발명의 폴리규소를 포함하는 기판을 폴리싱하는 방법에서, 아민을 함유하는 알칼리성 수용액은 pH가 7 초과이다. 바람직하게는, 알칼리성 수용액은 pH가 7 초과 내지 13이다. 보다 바람직하게는, 알칼리성 수용액은 pH가 8 내지 12이다. 보다 더 바람직하게는, 알칼리성 수용액은 pH가 10 내지 12이고; 가장 바람직하게는, pH가 10 내지 11.5이고, 예컨대 10.5 내지 11.5가 매우 가장 바람직한 범위이다.
선택적으로, 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 용액은 살생물제, 예컨대 KORDEX™ MLX(9.5 내지 9.9 중량%의 메틸-4-이소티아졸린-3-온, 89.1 내지 89.5 중량%의 물, 및 1.0% 이하의 관련 반응 생성물) 또는 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온 및 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온의 활성 성분을 함유하는 KATHON™ ICP III을 함유할 수 있고, 각각은 The Dow Chemical Company에 의해 제조된다(KATHON™ 및 KORDEX™은 DuPont Electronics, Inc.의 상표명임). 그러한 살생물제는 당업자에게 알려진 바와 같이 통상적인 양으로 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 용액에 포함될 수 있다.
수성 산성 슬러리 및 알칼리성 수용액은 당업계에 알려진 임의의 통상적인 방법에 의해 함께 혼합되어 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성할 수 있다. 전형적으로, 조절가능한 속도로 자성 혼합기를 사용하여 산성 슬러리와 알칼리성 용액을 혼합할 수 있다. 혼합은 실온에서 수행된다. 산성 슬러리 및 알칼리성 용액은 1:100 내지 100:1, 바람직하게는 1:7 내지 7:1, 보다 바람직하게는 1:3 내지 3:1, 가장 바람직하게는 1:1의 중량비로 혼합된다. 폴리셔 압반 위에서 또는 폴리셔 압반으로 산성 슬러리 및 알칼리성 용액을 적용하기 전에 혼합을 수행할 수 있다.
혼합된 산성 슬러리 및 켐팩 또는 알칼리성 수용액은 pH가 7 초과인 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성한다. 산성 슬러리와 켐팩의 혼합은 저급 사슬 알킬 아민으로 인해 혼합물의 pH를 알칼리성으로 상승시킨다. 혼합 공정 동안 산성 슬러리의 pH의 비교적 빠른 상승은 연마재 입자의 응집을 방지한다. 바람직하게는, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 pH가 7 초과 내지 13이고, 보다 바람직하게는, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 pH가 8 내지 12이고, 보다 더 바람직하게는, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 pH가 10 내지 12이고, 가장 바람직하게는, pH가 10 내지 11.5이고, 예컨대 10.5 내지 11.5가 매우 가장 바람직한 범위이다.
바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 물, 연마재 입자, 유기 산, 하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
[화학식 I]
Figure pat00003
[식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다],
선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 및 선택적으로 살생물제로 이루어지고, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리의 pH는 10 초과이다.
바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 중의 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 중의 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민이다.
바람직하게는, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 6 중량% 이하의 연마재 입자, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%, 보다 더 바람직하게는 1 내지 3 중량%, 훨씬 더 바람직하게는 1 내지 2 중량%의 연마재 입자를 함유한다.
수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 1 내지 2,600 ppm, 바람직하게는 100 내지 1,400 ppm, 보다 바람직하게는 100 내지 1,350 ppm, 보다 더 바람직하게는 100 내지 1,000 ppm의 유기 산을 함유할 수 있다. 바람직하게는, 유기 산은 디카복실산이다.
아민은 25 내지 10,000 ppm, 바람직하게는 50 내지 10000 ppm, 보다 바람직하게는 50 내지 5000 ppm, 가장 바람직하게는 100 내지 2500 ppm의 양으로 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리에 포함된다.
선택적이지만 바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 기재된 바와 같은 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물을 포함한다.
상기 기재된 살생물제는 당업자에게 익히 알려진 통상적인 양으로 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 슬러리에 포함될 수 있다.
보다 바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 물, 1 내지 3 중량%의 연마재 입자, 100 내지 1,350 ppm의 디카복실산, 50 내지 5000 ppm의 하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
[화학식 I]
Figure pat00004
[식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다],
선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 및 선택적으로 살생물제로 이루어지고, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리의 pH는 10 초과 내지 11.5이다.
보다 더 바람직하게는, 본 발명의 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 물, 1 내지 2 중량%의 연마재 입자, 100 내지 1000 ppm의 디카복실산, 100 내지 2500 ppm의 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 아민 화합물로 이루어진다. 보다 바람직하게는, 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물, 및 선택적으로 살생물제로 이루어지고, 수성 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리의 pH는 10.5 내지 11.5이다.
바람직하게는, 제공되는 기판은 폴리규소 및 유전체, 예컨대 TEOS 또는 SiN을 포함하는 반도체 기판이고, 보다 바람직하게는 기판은 폴리규소 및 TEOS를 포함하는 반도체이다.
바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드는 당업계에 알려진 임의의 적합한 폴리싱 패드일 수 있다. 당업자는 본 발명의 방법에 사용하기에 적절한 화학적 기계적 폴리싱 패드를 선택할 줄 안다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드는 직포 및 부직포 폴리싱 패드로부터 선택된다. 보다 더 바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드는 폴리우레탄 폴리싱 층을 포함한다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드는 중합체성 중공 코어 미세입자를 함유하는 폴리우레탄 폴리싱 층 및 폴리우레탄 함침 부직포 서브패드를 포함한다. 바람직하게는, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드는 폴리싱 표면에 적어도 하나의 홈을 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면 위로 분배된다.
바람직하게는, 본 발명의 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이의 계면에서 폴리싱될 기판의 표면에 수직인 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 동적 접촉이 생성된다.
본 발명의 폴리규소를 포함하는 기판을 폴리싱하는 방법에서, 제공되는 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 폴리규소 제거 속도가 500 Å/min 이상; 바람직하게는 폴리규소 제거 속도가 700 Å/min 이상; 보다 바람직하게는 1,000 Å/min 이상; 더욱 바람직하게는 1200 Å/min 이상; 훨씬 더 바람직하게는 2000 Å/min 이상이고, 300 mm 폴리싱 기계에서의 압반 속도는 93 내지 123의 분당 회전수이고, 캐리어 속도는 87 내지 117의 분당 회전수이고, 화학적 기계적 폴리싱 조성물 유량은 40 내지 300 mL/min이고, 공칭 하향력은 21.4 내지 24.1 kPa이며; 화학적 기계적 폴리싱 패드는 중합체성 중공 코어 미세입자를 함유하는 폴리우레탄 폴리싱 층 및 폴리우레탄 함침 부직포 서브패드를 포함한다.
다음의 실시예들은 본 발명을 예시하고자 하는 것으로, 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다.
실시예 1
슬러리 제형
실온에서 KLEBOSOL™ 1598-B25 또는 KLEBOSOL™ 1598-B25 플러스 (0.01 ~ 0.02 중량% DEAMS 내지 1 중량% 실리카)의 연마재를 물과 혼합함으로써 본 실시예의 수성 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 제조하였다. 통상적인 실험실용 자성 혼합기를 사용하여 혼합을 수행하였다. 석신산 또는 질산 중 어느 하나로 pH를 조정하였다.
[표 1]
Figure pat00005
실시예 2
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 슬러리
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 하기 표에 나타낸 바와 같이 제조하였다. 아민을 상기 실시예 1의 슬러리와 혼합하였다. 성분들을 실온에서 혼합하였다.
[표 2]
Figure pat00006
실시예 3
비교예 화학적 기계적 폴리싱 슬러리
비교예 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 하기 표에 나타낸 바와 같이 제조하였다. 아민을 상기 실시예 1의 슬러리와 혼합하였다. 성분들을 실온에서 혼합하였다.
[표 3]
Figure pat00007
실시예 4
폴리규소 및 TEOS 제거 속도
상기 표 2 및 3의 폴리싱 슬러리에 대한 폴리싱 실험을 Strasbaugh 6EC 폴리싱 기계에 설치된 20.32 cm(8 인치) 정사각형 블랭킷 웨이퍼에서 수행하였다. 폴리싱 제거 속도 실험을 Novellus로부터의 20.32 cm 정사각형 블랭킷 15 kÅ 두께의 TEOS 시트 웨이퍼 및 WaferNet Inc., Silicon Valley Microelectronics 또는 SKW Associates, Inc.로부터 입수가능한 폴리규소 블랭킷 웨이퍼에서 수행하였다. 21.4 kPa(3.1 psi)의 전형적인 하향력, 150 mL/min의 화학적 기계적 폴리싱 조성물 유량, 93 rpm의 테이블 회전 속도 및 87 rpm의 캐리어 회전 속도에 의해 SP2310 서브패드(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.로부터 상업적으로 입수가능)와 쌍을 지은 IC1010 폴리우레탄 폴리싱 패드를 사용하여 모든 폴리싱 실험을 수행하였다. Kinik PDA33A-3 다이아몬드 패드 컨디셔너(Kinik Company로부터 상업적으로 입수가능)를 사용하여 폴리싱 패드를 드레싱하였다. 폴리싱 패드를 80 rpm(압반)/36 rpm(컨디셔너)에서 15분 동안 9 lbs(4.1 kg) 및 15분 동안 7 lbs(3.2 kg)의 하향력을 사용하여 컨디셔너에 의해 파괴하였다. 24초 동안 7 lbs(3.2 kg)의 하향력을 사용하여 폴리싱 전에 엑스-시튜(ex-situ)로 폴리싱 패드를 추가로 컨디셔닝하였다. KLA ASET F5X 계측 도구를 사용하여 폴리규소 및 TEOS 제거 속도를 결정하였다.
[표 4]
Figure pat00008
실시예 5
폴리규소 정적 에칭 속도
에칭 수용액은 하기 표 5에 있다. 수용액은 어떠한 pH 조정 없이 2500 ppm의 아민을 함유하였다. CES1은 오직 물 및 pH = 4.44를 유지하기 위해 충분양의 석신산을 포함하였다. 폴리규소 블랭킷 웨이퍼(직경 20 cm)를 2000 g의 샘플에 침지하여 정적 부식 시험을 수행하였다. 30분 후 시험된 용액으로부터 폴리규소 웨이퍼를 꺼냈다. KLA Spectral FX200 계측 도구를 사용하여 폴리규소 필름의 에칭-전 및 에칭-후 두께를 측정하였다. 에칭-전 두께로부터 에칭-후 두께를 차감함으로써 총 제거 양을 결정하였다(웨이퍼 상의 49개의 지점에서 측정함). 이어서 전체 제거 양(Å/30 min)에 의해 정적 에칭 속도(Å/min)를 계산하였다. 표준 편차는 에칭 균일성을 반영하여 웨이퍼를 가로지른 49개의 지점의 에칭 속도 값으로부터 계산하였다.
[표 5]
Figure pat00009
ES1 및 CES1은 최적의 결과를 가지며, 여기서 웨이퍼는 어떠한 관찰가능한 표면의 조면화 없이 평탄하고 깨끗한 것으로 보였다. 반면에, CES2 및 CES3은 그의 표면에 관찰가능한 조면화가 상당히 있었다. CES4는 관찰가능한 표면 조면화가 약간 있었고, CES5의 표면은 유의적인 조면화에 의해 열등한 것으로 보였다.
실시예 6
N,N-디메틸에틸렌디아민 및 에틸렌디아민의 폴리규소 정적 에칭 속도
수용액은 2500 ppm N,N-디메틸에틸렌디아민 또는 에틸렌디아민을 함유하였다. 용액을 어떠한 pH 조정 없이 그대로 방치시켰다.
폴리규소 블랭킷 웨이퍼(직경 20 cm)를 2000 g의 샘플에 침지하여 정적 부식 시험을 수행하였다. 30분 후 시험된 용액으로부터 폴리규소 웨이퍼를 꺼냈다. 에칭-전 두께로부터 에칭-후 두께를 차감함으로써 총 제거 양을 결정하였다(웨이퍼 상의 49개의 지점에서 측정함). 이어서 전체 제거 양(Å/30 min)에 의해 정적 에칭 속도(Å/min)를 계산하였다. 표준 편차는 에칭 균일성을 반영하여 웨이퍼를 가로지른 49개의 지점의 에칭 속도 값으로부터 계산하였다.
[표 6]
Figure pat00010
ES2는 CES6과 대조적으로 폴리규소의 정적 에칭 속도가 상당히 감소한 것으로 나타났다.

Claims (10)

  1. 다음의 단계를 포함하는, 폴리규소를 화학적 기계적 폴리싱하는 방법:
    폴리규소를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    다음으로 이루어진 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 제공하는 단계:
    물;
    연마재 입자;
    유기 산;
    선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물;
    선택적으로 살생물제;
    다음으로 이루어진 알칼리성 용액을 제공하는 단계:
    물;
    하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
    [화학식 I]
    Figure pat00011

    [식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다];
    선택적으로 살생물제;
    상기 산성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 알칼리성 용액과 혼합하여 상기 물, 상기 연마재 입자, 상기 유기 산, 상기 아민 화합물 및 선택적으로 상기 살생물제; 선택적으로 상기 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물로 이루어진 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 형성하는 단계;
    폴리싱 표면을 갖는 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계;
    상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및
    상기 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리를 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드와 상기 기판 사이의 계면에서 또는 그 근처에서 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면 위로 분배하여 상기 폴리규소의 적어도 일부를 제거하는 단계.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마재 입자는 무기 산화물, 무기 수산화물, 무기 수산화 산화물, 금속 붕소화물, 금속 탄화물, 금속 질화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아민은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기 산은 디카복실산인, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 디카복실산은 옥살산, 석신산, 아디프산, 말레산, 말산, 글루타르산, 타르타르산, 이들의 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 산성 슬러리의 pH는 6 미만인, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리성 슬러리의 pH는 7 초과인, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 알칼리성 화학적 기계적 폴리싱 슬러리는 폴리규소 제거 속도가 500 Å/min 이상이고, 200 mm 폴리싱 기계에서의 압반 속도는 93 내지 123의 분당 회전수이고, 캐리어 속도는 87 내지 117의 분당 회전수이고, 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 유량은 125 내지 300 mL/min이고, 공칭 하향력은 21.4 내지 24.1 kPa이며, 상기 화학적 기계적 폴리싱 패드는 중합체성 중공 코어 미세입자를 함유하는 폴리우레탄 폴리싱 층 및 폴리우레탄 함침 부직포 서브패드를 포함하는, 방법.
  9. 화학적 기계적 폴리싱 조성물로서,
    물;
    연마재 입자;
    하기 화학식 I을 갖는 아민 화합물:
    [화학식 I]
    Figure pat00012

    [식 중, R1 및 R2는 C1-C4 알킬로부터 독립적으로 선택되고, R'는 C1-C4 알킬렌이다];
    유기 산;
    선택적으로 2개의 4급 암모늄 기를 함유하는 화합물;
    선택적으로 살생물제
    로 이루어지고,
    pH는 10초과인, 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 아민 화합물은 3-(디에틸아미노)프로필아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸렌디아민, N,N-디-n-부틸에틸렌디아민, 3-(디메틸아미노)-1-프로필아민, N-이소프로필-1,3-디프로판디아민, 2-디메틸아미노-2-프로필아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6533832B2 (en) 1998-06-26 2003-03-18 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for using same
KR20020086949A (ko) * 2000-04-11 2002-11-20 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 실리콘 옥사이드의 선택적 제거를 위한 시스템
TWI228538B (en) * 2000-10-23 2005-03-01 Kao Corp Polishing composition
TW200424299A (en) * 2002-12-26 2004-11-16 Kao Corp Polishing composition
US7314578B2 (en) 2003-12-12 2008-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Slurry compositions and CMP methods using the same
KR100611064B1 (ko) 2004-07-15 2006-08-10 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 공정용 슬러리 조성물, 상기 슬러리조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법 및 상기 방법을이용한 게이트 패턴의 형성 방법
US20080274618A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Ferro Corporation Polishing composition and method for high selectivity polysilicon cmp
US8017524B2 (en) 2008-05-23 2011-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Stable, high rate silicon slurry
US8435420B1 (en) 2011-10-27 2013-05-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing using tunable polishing formulation
KR20190074594A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물

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