TW201937529A - 離子研磨裝置及離子研磨裝置的離子源調整方法 - Google Patents

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Abstract

提高藉由對試料照射非集束的離子束，加工前述試料的離子研磨裝置的加工精度、或加工面形狀的狀重現精度。因此，具有：試料室(6)、設置於試料室的離子源位置調整機構(5)；通過離子源位置調整機構安裝於試料室，射出離子束的離子源(1)；以旋轉中心為軸旋轉的試料載台(2)；將離子束的離子束中心B0 與旋轉中心R0 一致時的旋轉中心的延伸的方向設為Z方向、將與Z方向垂直的面設為XY面時，離子源位置調整機構(5)能調整離子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。

Description

離子研磨裝置及離子研磨裝置的離子源調整方法
本發明係有關於離子研磨裝置及離子研磨裝置的離子源調整方法。
為了觀察/分析試料的內部構造，需要使作為目的的內部構造露出至表面。雖從以前就有藉由割斷及機械研磨來製作試料的方法，但該等方法無法避免施加物理性的壓力至試料所造成的變形及損傷的發生。離子研磨裝置在試料(例如、金屬、半導體、玻璃、陶瓷等)的表面或者剖面，例如照射加速至數kV的非集束的氬離子束，藉由濺鍍現象讓試料表面的原子無應力地彈飛，能夠將試料表面平滑化。這是藉由以掃描電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)或透過電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)為代表的電子顯微鏡進行為了觀察試料的表面或剖面所需的平滑加工的優良特性。
離子研磨裝置為了在真空環境中進行試料的加工，使離子束產生的離子束照射部安裝於真空容器中。加工試料後因為從加工面產生的試料而來的微小粒子會附著於離子束照射部，需要定期清掃離子研磨裝置。因此，會從真空容器將離子束照射部，於維護後再度安裝，但再安裝時，離子束照射部會產生安裝誤差，從離子束照射部照射的離子束的照射方向會有與之前不同的情形發生。
專利文獻1揭示將試料(這裡為基板)保持於基板支架，使其以横切離子束的照射區域的方式進行往復運動，讓離子束照射部對基板照射離子束的離子束照射裝置。針對上述課題，在正對於離子束照射部的真空容器壁面，設置測定照射的離子束的束電流密度分佈的離子束測定機構。藉由離子束測定機構測定離子束中心位置，將藉由基板的往復運動的行程中心位置設定在離子束中心位置或基於該位置所決定的預定位置，即便在離子束照射部產生安裝誤差，也能夠擔保向基板的離子照射量的均勻性。
另一方面，因為在近年的半導體裝置中集積度飛躍地提高，將具有微細立體構造圖案集積成三維的半導體裝置的開發持續進展。為了將這樣的立體構造(三維構造)圖案集積的裝置的製造管理，需要剖面方向的圖案的評價。專利文獻2為了實現在這種立體構造圖案的深度方向(或者高度方向)的高精度測定，揭示在試料表面形成傾斜面，進行圖案的深度方向(高度方向)的測定。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：特開2017-199554號公報
專利文獻2：國際公開第2016/002341號
[發明所欲解決的問題]
在專利文獻2中，為了形成在試料表面使立體構造圖案的剖面露出所需的傾斜面，使用集束離子束(FIB：Focused Ion Beam)裝置。不過，集束離子束裝置的加工速度慢，又因為加工範圍小，在試料表面形成作為目的的傾斜面需要時間。因此，發明者們檢討了加工速度快，藉由使用非集束的離子束的離子研磨裝置來形成傾斜面。
將非集束的離子束用在試料的加工時，該加工速度相依於照射至試料的離子束強度，具體上相依於以加速電壓施加的離子的速度和離子之數、及離子的照射角度。其中，從離子源放出的離子束的強度，理想上應該是在離子束中心為最高，而向周邊強度漸減的二項式分佈的形狀。不過，從離子源放出的離子束，會受到構成離子源的電極部件的汙染、因電極部件的消耗而生成的離子數的變動、或環境中電場等的外擾的影響，將照射至試料的離子束強度持續維持一定是困難的。又，因為試料的組成及入射角度造成的研磨速度之差會形成凹凸，對試料照射非集束的離子束而進行加工時，藉由在離子研磨裝置中以離子束中心為軸使試料旋轉並同時照射離子束，能抑制凹凸的形成，得到適合電子顯微鏡的觀察及量測的平滑加工面。
說明本發明的課題。圖2A中表示離子研磨裝置的主要部。具有：離子源21、載置試料20的試料載台22、以旋轉中心R0 為軸在R方向使試料載台22旋轉的試料載台旋轉驅動源23。來自離子源21的離子束，在以離子束中心B0 為中心放射狀擴散的狀態下，照射至載置於試料載台22的試料載置面的試料20。本來，雖以旋轉中心R0 與離子束中心B0 一致為前提，但因為離子源21的安裝誤差，如圖2A所示旋轉中心R0 與離子束中心B0 會有成為偏差ε的狀態的情形。此時，形成於試料20表面的加工深度示於圖2B。如波形25所示，從旋轉中心R0 偏差ε的位置，在離子束強度成為最高的離子束中心B0 加工深度成為最深，從此處開始隨著距離遠離而加工深度變小。相對於此，將旋轉中心R0 與離子束中心B0 一致時的加工深度以波形26表示。因此，因為離子源21的安裝誤差加工面的形狀會比本來意圖的加工面還平滑，極端情形會如圖2B的波形25所示，加工面呈波浪狀。特別是為了進行微細的立體構造圖案的觀察及量測，而意圖在試料形成觀察面、傾斜面時，這種加工面的形狀變化無法無視。
此外，圖2A之例中以離子束中心B0 相對於試料20的表面(或者試料載台22的試料載置面)垂直的方式照射離子束，但也可以使試料載台22向C方向傾斜，讓離子束以低入射角度照射試料20表面。藉此，能夠得到廣範的加工面。此時，因為試料載台22也一樣在傾斜的狀態下以旋轉中心R0 為軸旋轉同時對試料20照射離子束，若旋轉中心R0 與離子束中心B0 有偏差(在試料20的表面，旋轉中心R0 與離子束中心B0 未相交)的話，同樣地有旋轉中心R0 與離子束中心B0 間偏差作為加工面的形狀變化表現，而無法得到所期望的觀察面、傾斜面之虞。
如同從前裝置那樣採用將離子源直接安裝於真空容器的構成時，為了定期清掃需要將離子源設為可裝卸，無法使離子源及試料室的離子源裝設部的機械加工公差成為0。因此，將離子源再度安裝時無法避免位置偏差產生。這是如同利用圖2A、B說明的，與離子研磨裝置造成的加工精度的偏差及使加工面形狀的再現性降低有關連。
又，離子束遠離離子源的射出口的距離越長離子束徑會擴大，電流/離子密度降低。因此，如專利文獻1那樣離子束測定位置從實際的試料加工位置遠離時，為了離子束的測定而考慮必須將施加至離子源的電壓，設定成比進行實際加工時的條件還高。但是，變更離子束的射出條件的話，因為離子束所具有的能量會發生變化，研磨速度改變，又，離子的密度分佈也跟著改變，再來外擾賦予的影響的大小也會改變，故調整以與實際加工時的射出條件相同的條件進行較佳。因此，為了以實際的加工時的射出條件進行位置調整，離子研磨裝置的操作者，也有在試料載台上，例如在安裝如銅箔這種加工對象的前提下，照射實際加工條件的離子束在銅箔上留下束痕，以使束痕與旋轉中心R0 一致的方式，實施離子源的位置調整的情形。但是，在這樣的束痕造成的目視或顯微鏡觀察下的調整在正確性上存在極限，常需要重複多次離子源的脫附來進行對位，因為欠缺即時性故操作者的調整負擔大。
本發明鑑於該種課題，將提供一種能容易且正確地調整離子源脫附後的離子束中心與試料旋轉中心的離子研磨裝置、及離子源調整方法。

[解決問題的手段]
本發明的一實施形態的離子研磨裝置，係藉由對試料照射非集束的離子束，加工前述試料的離子研磨裝置，具有：試料室、設置於試料室的離子源位置調整機構；通過離子源位置調整機構安裝於試料室，射出離子束的離子源；以旋轉中心為軸旋轉的試料載台；將離子束的離子束中心與旋轉中心一致時的旋轉中心的延伸的方向設為Z方向、將與Z方向垂直的面設為XY面時，離子源位置調整機構能調整離子源的XY面上的位置及Z方向的位置。
其他課題與新穎的特徵，參照本說明書的記載及圖式即可明白。

[發明的效果]
能夠提升離子研磨裝置的加工精度、或加工面形狀的重現精度。又，能夠縮短離子研磨裝置的維護時間。
以下，根據圖式說明本發明的實施例。

實施例1
圖1為實施例1的離子研磨裝置的要部構成圖。具有：可保持真空狀態的試料室6、離子源1、加工時設置試料(圖未示)的試料載台2、以旋轉中心R0 為軸在R方向使試料載台2旋轉的試料載台旋轉驅動源3。此外，如圖2A所示，試料載台2具備用來改變離子束的入射角度的傾斜機構也可以。此外，在試料室6設有用以觀察加工的試料的觀察窗7。
其中，離子源1通過在X方向、Y方向、及Z方向微調整其位置的離子源位置調整機構5安裝至試料室6。藉此，能微調整離子源1的離子束中心B0 的位置，具體來說能微調整XY面(X方向及Y方向面)上的位置及動作距離(Z方向的位置，具體來說指從離子源1的離子束放出位置到試料載台2為止的距離)。又，如同後述，因試料載台2的試料載置板可替換，進行離子源1的位置調整時取代試料載置板，設置靶板，該靶板在旋轉中心R0 的範圍內設置包含用來檢出離子束的電流的導電材4。圖1示出該狀態。
離子源位置調整機構5具有：固定離子源1的支持部、將離子源位置調整機構5設置於試料室6的基板、可使設於基板的支持部在X方向、Y方向、Z方向獨立移動的離子源移動機構。作為離子源移動機構，例如，能夠藉由用於微米計的精密螺絲機構將離子源1的位置在各方向微調整。
藉由對離子源1施加預定的電壓，從離子源1以離子束中心B0 為中心，以放射狀射出離子束，照射設置於試料載台2的在包含旋轉中心R0 的範圍內設置導電材4的靶板。從離子源1射出的離子束，在離子束中心B0 電流/離子密度高，朝向外側電流/離子密度漸漸地降低。又，遠離離子源1的距離越長電流/離子密度就越降低。在此，利用導電材4檢出離子束電流，以離子束電流成為所期望的大小的方式藉由離子源位置調整機構5來微調整離子源1的位置，以實現所期望的加工精度、或加工面形狀的重現精度。
圖3表示試料載台2的構成例。示出設置具有導電材4的靶板30的狀態。靶板30設置成該導電材4與導電材連接板31連接。此時，導電材4的中心位於與一點鏈線所示的旋轉中心R0 一致的位置。來自離子源的離子束雖照射以導電材4為中心的區域，但因離子束從離子源1以放射狀射出，根據離子源1與導電材4的距離，離子束也有照射導電材4之外的可能性。在這種情形中，為了防止在除了試料載台以外的構成部件，離子束照射產生的電流流入導電材4，導電材4的周圍的靶板30設為絕緣材。導電材連接板31連接至使試料旋轉的旋轉軸33，藉由試料載台旋轉驅動源3驅動的旋轉齒輪34的動力使導電材4旋轉，但為了防止導電材4受到的電流流入旋轉軸33，在導電材連接板31與旋轉軸33之間設置絕緣材32，遮斷電流的流動。又，導電材4受到的電流，藉由接觸導電材連接板31的旋轉接觸接點35及束電流檢出配線36導出，檢出電流值。此外，旋轉接觸接點35及束電流檢出配線36藉由束電流檢出配線連接器37與其他的構成部件絕緣。
圖4表示實施例1的離子研磨裝置的離子源1的位置調整的區塊圖。雖沒有特別限定發明，但這裡示出作為離子源1使用潘寧(Penning)放電的離子源之例。在陰極電極11a，11b之間配置圓筒型的陽極電極12，在陰極電極11a，11b與陽極電極12之間施加放電電壓Vd 。從配管15將氬氣導入離子源1內，由磁體13在陽極電極12內使磁場作用，藉此在陽極電極12內產生離子。發生的離子藉由施加加速電壓Va 的加速電極14來加速，從離子源1作為離子束放出。
放電電壓Vd 及加速電壓Va 藉由電源部40生成。又，電源部40具有電流計，電流計41量測放電電流Vd ，電流計42量測由導電材4受到的離子束電流。此外，放電電壓Vd 及加速電壓Va 之值藉由控制部45來設定。
又，離子源1固定於離子源位置調整機構5的支持部16，藉由能將支持部16在X方向、Y方向、Z方向獨立移動的離子源移動機構17，能夠微調整離子源1的位置。
電源部40、離子源移動機構17及試料載台旋轉驅動源3連接至控制部45，從控制部45設定離子束射出條件，又依照預定的流程，執行離子源的調整及試料的加工。再來，控制部45連接至顯示部46，作為對於控制部45的來自操作者的使用者介面作用，同時也進行表示控制部45收集到的離子研磨裝置的動作狀態的感測資料的顯示等。例如，作為顯示於顯示部46的感測資料，包含來自電源部40的放電電壓值Vd 、放電電流值、加速電壓值Va 、離子束電流值等。
在圖4表示的離子研磨裝置中，控制部45執行的離子源1的調整流程示於圖5。
步驟S51：控制部45藉由試料載台旋轉驅動源3開始試料載台2的旋轉。如圖4所示，設置試料載台2，使導電材4的表面垂直於從離子源1射出的離子束。藉由使試料載台2旋轉，能夠抑制導電材4造成的電流檢出不均。
步驟S52：控制部45控制電源部等，從離子源1將離子束照射至導電材4。此時，電源部40施加至離子源1的放電電壓Vd 及加速電壓Va 設成依照實際加工試料時施加的電壓施加條件。藉此，能夠高精度地重現加工試料時的離子束。
步驟S53：藉由電流計42量測離子束電流。控制部45接收電流計42量測到的離子束電流值。
步驟S54：控制部45控制離子源位置調整機構5，使得量測的離子束電流值滿足預先制定的基準。其中，離子源位置調整機構5的離子源移動機構17作為由控制部45進行馬達驅動者，首先使其在X方向、接著在Y方向移動，調整離子源1的XY面上的位置至離子束電流值成為最大的位置。之後，藉由因應必要使其在Z方向移動，基於離子束電流值之值，微調整離子源1的離子束中心B0 的XY面上的位置及動作距離(Z方向的位置)。該調整例為一例，能夠依照控制部45具備的演算法，微調整離子源1的離子束中心B0 的XY面上的位置及動作距離(Z方向的位置)。
例如，取代離子源位置調整機構5所致的Z方向的微調整，或與Z方向的微調整一起，調整施加至離子源1的放電電壓值Vd 也可以。又，進行離子源1的調整時作為目標的離子束電流值，不限於離子束電流的最大值，例如，設定成前次加工實施時的離子束電流值也可以。
又，在試料載台2，也可以替換導電材4的形狀不同的靶板30、或相對於靶板30形狀不同的導電材4。例如，圖6A為作為導電材配置以旋轉中心R0 為中心的圓形狀的導電材60之例。再來，即便是相同的圓形狀，使用具有複數徑的同心圓形狀的導電材靶板也可以。藉此，利用具有一致於離子束的徑的檢出範圍的導電材能夠行離子源的調整。作為一例，利用導電材4的直徑比照射至靶板的離子束徑還小的導電材，能夠進行以導電材4檢測的離子束電流值成為最大值的方式，使離子源1在Z方向微動的調整。
另一方面，圖6B為作為導電材將徑比圓形狀的導電材61及導電材61還大的圓環形狀的導電材62，以旋轉中心R0 為中心配置成同心圓狀之例。此時，由導電材61檢出的離子束電流值與由導電材62檢出的離子束電流值設定成能事先藉由電源部40獨立量測。具體來說，在試料載台2設置對應導電材61與導電材62的2系列離子束電流導出部，藉由電源部40量測各自的離子束電流值。藉此，包含照射的離子束分佈(能夠近似成二項分佈的離子束的擴展狀態)能夠進行評價，能夠更加提高離子研磨裝置的加工精度、或加工面形狀的重現精度。
關於實施例1的離子研磨裝置，雖特別以該離子源的位置調整為中心說明，但各種變形也是可能的。例如，控制部45將由電流計42量測到的離子束電流值顯示於顯示部46，操作者確認顯示於顯示部46的離子束電流值同時以手動調整離子源位置調整機構5的離子源移動機構17的移動量、或者離子源1的放電電壓Vd 也可以。

實施例2
圖7為實施例2的離子研磨裝置的要部構成圖。實施例2能以更簡易的機構進行離子束中心B0 與旋轉中心R0 的對位。其中，關於與實施例1的機能相等的構成要素使用相同的符號並省略重複說明。
在試料室6的上方設置觀察用的顯微鏡(光學顯微鏡)73，能夠從觀察窗7觀察試料載台2的試料載置面。又，在試料載台2的試料載置面設有鏡面構件71。作為鏡面構件，是能將離子源1的電漿發光反射的構件即可，例如除了一般的鏡以外，也可以是晶圓。鏡面構件在試料載台的試料載置板取代試料搭載也可以。試料載台2具有傾斜機構，能以在X方向延伸的軸72為中心在C方向傾斜。軸72在試料載台2的試料載置面，位於與旋轉中心R0 相交的位置。圖7中，表示試料載台2以傾斜角T傾斜的狀態。此外，傾斜角T作為離子束中心B0 與試料載台2的試料載置面的法線所夾的角定義。
在以這樣構成的離子研磨裝置中，關於進行離子源1的位置調整的方法，利用圖8說明。
步驟S81：使試料載台2相對於離子束中心B0 以傾斜角T為45°傾斜。其中，因為試料載台2的傾斜機構使軸72傾斜至中心，若離子束中心B0 與旋轉中心R0 呈一致的狀態的話，即便改變試料載台2的傾斜，與離子源1的距離也不會產生變化。因此，在試料加工時，傾斜角T設為45°以外的所期望的傾斜角也無妨。
步驟S82：藉由試料載台旋轉驅動源3使試料載台2開始旋轉。
步驟S83：從離子源1將離子束照射至鏡面構件71。此時，電源部40施加至離子源1的放電電壓Vd 及加速電壓Va 設成依照實際加工試料時施加的電壓施加條件。藉此，能夠高精度地重現加工試料時的離子束。
步驟S84：藉由觀察用顯微鏡73觀察鏡面構件71，確認從離子源1的射出口放出的電漿發光輝度的中心位置。若離子束中心B0 與旋轉中心R0 呈一致的狀態的話，鏡面構件71的旋轉中心R0 附近會看見點狀或圓形狀發光，若離子束中心B0 與旋轉中心R0 未呈一致的狀態的話，藉由試料載台2的旋轉會看見圓環狀發光。
步驟S85：以使在步驟S84確認到的離子源1的電漿發光輝度中心位置一致於試料載台2的旋轉中心R0 的方式，藉由離子源位置調整機構5微調整離子源1的位置。
此外，以上之例中雖說明在試料載台2設置鏡面構件71，取而代之，設置藉由離子束的照射而發光的發光構件，例如、雷射發光元件、或塗佈螢光體的試料也能達到相同的效果。
1、21‧‧‧離子源
2、22‧‧‧試料載台
3、23‧‧‧試料載台旋轉驅動源
4、60、61、62‧‧‧導電材
5‧‧‧離子源位置調整機構
6‧‧‧試料室
7‧‧‧觀察窗
11a、11b‧‧‧陰極電極
12‧‧‧陽極電極
13‧‧‧磁體
14‧‧‧加速電極
15‧‧‧配管
16‧‧‧支持部
17‧‧‧離子源移動機構
20‧‧‧試料
30‧‧‧靶板
31‧‧‧導電材連接板
32‧‧‧絕緣材
33‧‧‧旋轉軸
34‧‧‧旋轉齒輪
35‧‧‧旋轉接觸接點
36‧‧‧束電流檢出配線
37‧‧‧束電流檢出配線連接器
40‧‧‧電源部
41、42‧‧‧電流計
45‧‧‧控制部
46‧‧‧顯示部
71‧‧‧鏡面構件
72‧‧‧軸
73‧‧‧顯微鏡
[圖1] 實施例1的離子研磨裝置的要部構成圖。
[圖2A] 說明本發明的課題的圖。
[圖2B] 說明本發明的課題的圖。
[圖3] 表示試料載台的構成例的圖。
[圖4] 離子源的位置調整的區塊圖。
[圖5] 實施例1的離子源的位置調整流程。
[圖6A] 靶板中的導電體的形狀之一例。
[圖6B] 靶板中的導電體的形狀之別的一例。
[圖7] 實施例2的離子研磨裝置的要部構成圖。
[圖8] 實施例2的離子源的位置調整流程。

Claims (15)

  1. 一種離子研磨裝置，係藉由對試料照射非集束的離子束，加工前述試料的離子研磨裝置，具有： 試料室； 設置於前述試料室的離子源位置調整機構； 通過前述離子源位置調整機構安裝於前述試料室，射出前述離子束的離子源； 以旋轉中心為軸旋轉的試料載台； 將前述離子束的離子束中心與前述旋轉中心一致時的前述旋轉中心的延伸的方向設為Z方向、將與前述Z方向垂直的面設為XY面時，前述離子源位置調整機構能調整前述離子源的前述XY面上的位置及前述Z方向的位置。
  2. 如請求項1的離子研磨裝置，具有： 設置於前述試料載台，在包含前述旋轉中心的範圍內設有導電材的靶板； 量測前述導電材受到的離子束電流的電流計。
  3. 如請求項2的離子研磨裝置，其中， 前述導電材具有以前述旋轉中心為中心的圓形狀。
  4. 如請求項2的離子研磨裝置，其中， 前述導電材具有：以前述旋轉中心為中心配置成同心圓狀的，圓形狀的第1導電材、及徑的大小比前述第1導電材還大的圓環形狀的第2導電材； 獨立量測前述第1導電材受到的離子束電流與前述第2導電材受到的離子束電流。
  5. 如請求項2的離子研磨裝置，具有： 對前述離子源施加預定電壓的電源部； 控制部； 顯示部； 前述控制部收集包含前述電源部施加至前述離子源的放電電壓值、放電電流值、加速電壓值、及前述電流計量測的離子束電流值的感測資料，並顯示於前述顯示部。
  6. 如請求項2的離子研磨裝置，具有： 對前述離子源施加預定電壓的電源部； 控制部； 前述控制部基於前述電流計量測的離子束電流值，藉由前述離子源位置調整機構，調整前述離子源的前述XY面上的位置及前述Z方向的位置。
  7. 如請求項6的離子研磨裝置，其中， 前述控制部，取代前述離子源位置調整機構進行的前述Z方向的位置調整、或與前述離子源位置調整機構進行前述Z方向的位置調整一起，調整前述電源部施加至前述離子源的放電電壓。
  8. 一種離子研磨裝置的離子源調整方法，係藉由對置於試料室內的試料照射非集束的離子束，加工前述試料的離子研磨裝置的離子源調整方法，其中， 試料載台旋轉驅動源，使設置有在包含旋轉中心的範圍內設有導電材的靶板的試料載台，以前述旋轉中心為軸旋轉； 離子源向前述靶板照射前述離子束； 電流計量測前述導電材受到的離子束電流； 前述離子源，通過能調整前述離子源的位置的離子源位置調整機構安裝至前述試料室； 藉由前述離子源位置調整機構調整的前述離子源的位置，設定成使藉由前述電流計量測的離子束電流值滿足預定的目標。
  9. 如請求項8的離子源調整方法，其中， 將前述離子束的離子束中心與前述旋轉中心一致時的前述旋轉中心的延伸的方向設為Z方向、將與前述Z方向垂直的面設為XY面時，藉由前述離子源位置調整機構調整的前述離子源的位置，包含前述離子源的前述XY面上的位置及前述Z方向的位置。
  10. 如請求項8的離子源調整方法，其中， 前述離子源的的放電電壓之值，設定成使藉由前述電流計量測的離子束電流值滿足前述預定的目標。
  11. 如請求項8的離子源調整方法，其中， 向前述靶板照射前述離子束時的前述離子源的射出條件，設定成與加工前述試料時的前述離子源的射出條件相等。
  12. 如請求項8的離子源調整方法，其中， 作為前述預定的目標，設為前述離子束電流的最大值或前次加工實施時的離子束電流值。
  13. 一種離子研磨裝置的離子源調整方法，係藉由對置於試料室內的試料照射非集束的離子束，加工前述試料的離子研磨裝置的離子源調整方法，其中， 試料載台旋轉驅動源，使在包含旋轉中心的範圍內設置鏡面構件的試料載台，在將前述試料載台的傾斜角傾斜成45°的狀態下，以前述旋轉中心為軸旋轉； 離子源向前述鏡面構件照射前述離子束； 前述離子源，通過能調整前述離子源的位置的離子源位置調整機構安裝至前述試料室； 藉由前述離子源位置調整機構調整的前述離子源的位置，設定成前述鏡面構件中的前述旋轉中心附近，以能看見點狀或圓形狀發光的狀態。
  14. 如請求項13的離子源調整方法，其中， 取代前述鏡面構件，將反應前述離子束而發光的發光構件設置於前述試料載台。
  15. 如請求項13或14的離子源調整方法，其中， 向前述鏡面構件或前述發光構件照射前述離子束時的前述離子源的射出條件，設定成與加工前述試料時的前述離子源的射出條件相等。
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