TW201936973A - 成膜裝置 - Google Patents

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TW201936973A TW107143590A TW107143590A TW201936973A TW 201936973 A TW201936973 A TW 201936973A TW 107143590 A TW107143590 A TW 107143590A TW 107143590 A TW107143590 A TW 107143590A TW 201936973 A TW201936973 A TW 201936973A
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TW
Taiwan
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mounting table
film forming
forming apparatus
rotating shaft
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TW107143590A
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原島正幸
中村充一
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 以高加熱效率使被處理基板面內的溫度偏差降低。
[解決手段] 一種成膜裝置，在將載置台(20)上的SiC基板(W)加熱並對SiC基板(W)供應處理氣體，對該SiC基板(W)進行成膜處理，具備：具有收容載置台(20)的內部空間，將處理氣體供應至上述內部空間並感應加熱的基座(23)、將載置台(20)以可旋轉的方式支持該載置台(20)的旋轉軸部(21)、用來在外部的SiC基板(W)的搬送裝置與載置台(20)之間收授SiC基板(W)而讓SiC基板升降的升降部(22)；其中，旋轉軸部(21)及升降部(22)由熱傳導率為15W/m･K以下且熔點為1800℃以上的材料形成。

Description

成膜裝置
本發明係有關於對被處理基板進行成膜處理的成膜裝置。
近年，在半導體電力設備這種電子裝置會使用碳化矽(SiC)等化合物半導體。在這種電子裝置的製造中，藉由在單結晶的基板上使與基板結晶具有相同方位關係的膜成長的磊晶成長，形成SiC膜等化合物半導體膜。
在專利文獻1中，揭示作為磊晶成長形成的SiC膜的成膜裝置，具備載置作為被處理基板的SiC基板的載置台、將載置台以可旋轉的方式支持該載置台的旋轉軸部、具有收容載置台的內部空間的基座。在該專利文獻1的成膜裝置中，藉由將基座感應加熱而將SiC基板加熱，同時對基座內的載置台上的SiC基板供應處理氣體，來在SiC基板上形成SiC膜。又，在該專利文獻1的成膜裝置中，具備設於上述基座與載置台之間的隔熱材，設有該隔熱材的隔熱區域，形成於俯視時包含基座內的上述軸部的中心區域與周緣區域之間。上述中心區域及周緣區域的載置台在溫度有低的傾向時，如同上述形成隔熱區域，降低載置台的隔熱區域上方的溫度，使載置台上的SiC基板面內的溫度的偏差降低。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 特開2016-100462號公報
[發明所欲解決的問題]
如同專利文獻1揭示的成膜裝置，藉由使載置台上的SiC基板面內的溫度偏差降低，能期待抑制在SiC基板的低溫部產生的缺陷。又，如同上述藉由使SiC基板的面內的溫度偏差降低，能夠抑制SiC基板面內的雜質濃度偏差。但是，專利文獻1的成膜裝置，因為在加熱源即基座與被加熱體即載置台之間設置隔熱材，在加熱效率這點有改善的餘地。
再來，該載置台的熱會通過連接至載置台中心的旋轉軸部而溢散，載置台的面內溫度分佈變得不均勻，被處理基板的面內溫度分佈會有不均勻的問題。
本發明為鑑於上述情事完成者，目的為提供一種成膜裝置，能夠以高加熱效率使被處理基板面內的溫度偏差降低。

[解決問題的手段]
解決上述課題的本發明，為一種成膜裝置，係加熱載置台上的被處理基板並對該被處理基板供應處理氣體，對該被處理基板進行成膜處理的成膜裝置，具備：具有收容前述載置台的內部空間，將前述處理氣體供應至前述內部空間並感應加熱的收容部；將前述載置台以可旋轉的方式支持該載置台的旋轉軸部；在外部的前述被處理基板的搬送裝置與前述載置台之間用以收授前述被處理基板而讓前述被處理基板升降的升降部；前述旋轉軸部及/或前述升降部，係由熱傳導率為15W/m･K以下且熔點為1800℃以上的材料形成。
本發明的成膜裝置，因為未在加熱源即基座與被加熱體即載置台之間設置隔熱材，能夠以高加熱效率加熱被處理基板。又，上述旋轉軸部及/或前述升降部，因為由熱傳導率為15W/m･K以下的材料形成，載置台中央的溫度未降低。因此，與將上述旋轉軸部等以熱傳導率高的材料形成的情形相比，因為能降低載置台的中央區域與該載置台的中央區域的周圍區域的溫度差，能夠使被處理基板面內的溫度偏差降低。
前述材料的電阻率為10～50μΩ･m也可以。
前述材料為碳纖維強化碳複合材料也可以。
前述收容部由碳化矽及/或石墨形成也可以。
前述收容部的內部空間藉由感應加熱加熱至1600℃以上也可以。
該成膜裝置為藉由前述成膜處理形成SiC膜者也可以。

[發明的效果]
根據本發明，能夠以高加熱效率使被處理基板面內的溫度偏差降低。
以下，參照圖式說明有關本發明的實施形態。此外，在本說明書及圖式中，在具有實質上相同的機能構成的要素中，會藉由附加相同符號來省略重複說明。
圖1為示意地表示本發明的實施形態的成膜裝置的構成的概略的圖。
圖1的成膜裝置1具備略長方體狀的處理容器11。
處理容器11連接有排氣線12，處理容器11能藉由排氣線12調整至預定的減壓狀態(壓力)。排氣線12具有一端連接至處理容器11的排氣管12a。排氣管12a由排氣歧管等構成，在處理容器側的相反側連接有由機械升壓泵等構成的真空泵12b。在排氣管12a的處理容器11與真空泵12b之間，設有由APC(自動壓力控制)閥門及比例控制閥等構成的調整處理容器11內的壓力的壓力調整部12c。又，在處理容器11中設有壓力計13，壓力調整部12c所進行的處理容器11內的壓力調整係基於壓力計13的量測結果進行。
處理容器11具有：兩端具有開口部的中空四角柱狀的處理容器本體11a、以塞住上述開口部的方式分別連接至處理容器本體11a兩端的側壁部11b，處理容器本體11a及側壁部11b由石英等介電體材料形成。
處理容器本體11a的外側設有連接至高頻電源14a的線圈14。線圈14將處理容器11內的被處理基板及後述基座23等感應加熱。
對處理容器11內藉由氣體供應線15供應由成膜的原料組成的原料氣體等。氣體供應線15具有：連接至處理容器11的氣體供應管15a、連接至該氣體供應管15a的氣體供應管15b1 ～15b6 。
在氣體供應管15b1 ～15b6 分別設有質量流量控制器(MFC)15c1 ～15c6 及閥門15d1 ～15d6 。
在氣體供應管15b1 連接有氣體供應源15e1 ，從該供應源15e1 供應SiH4 氣體。同樣地，在氣體線15b2 ～15b6 分別連接氣體供應源15e2 ～15e6 ，從各氣體供應源15e2 ～15e6 供應C3 H8 氣體、H2 氣體、TMA(三甲基鋁)氣體、ClF3 氣體、Ar氣體。
在作為被處理基板的SiC基板上，藉由磊晶成長進行p型的SiC膜的成膜時，從氣體供應管15b1 ～15b4 ，供應作為用來成膜的原料氣體的SiH4 氣體、C3 H8 氣體、H2 氣體、TMA氣體至處理容器11。此外，為了n型SiC膜的成膜，預先設置N2 氣體用的氣體供應源與氣體供應管等也可以。
又，在將附著於處理容器11內的構造物的異物除去時，例如，從氣體供應管15b3 、15b5 、15b6 將ClF3 氣體、H2 氣體、Ar氣體之中的1種、或混合該等中的2種以上的氣體，供應至處理容器11。
又，成膜裝置1具備控制部100。控制部100例如為電腦，具有程式儲存部(圖未示)。程式儲存部中也儲存控制MFC15c1 ～15c6 及閥門15d1 ～15d6 、高頻電源14a、壓力調整部12c、後述旋轉驅動部及升降驅動部等用以進行成膜處理的程式。
此外，上述的程式，例如為記錄於電腦可讀取硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的電腦可讀取的記憶媒體中者，從該記憶媒體安裝至控制部100者也可以。
接著，說明關於處理容器11內的構成。圖2為示意地表示圖1的成膜裝置1的處理容器11內的構成的概略的剖面圖。
在處理容器11的內部，如圖2所示，將作為被處理基板的SiC基板W(以下，基板W)通過支架H載置的載置台20、使載置台20旋轉同時支持該載置台20的旋轉軸部21、使載置基板W的支架H升降的升降部22。又，在處理容器11的內部設有作為收容部的基座23，基座23具有收容載置台20的內部空間，而且處理氣體被以從載置台20的一端通過載置台20的中心上到達載置台20的另一端的方式供應至上述內部空間。
支架H為用來將複數枚基板W整理並搬出入至成膜裝置1者，保持複數枚基板W。又，支架H以耐熱性高且容易以感應加熱進行加熱的導電性材料形成，例如，搭載基板W的上面由藉由SiC塗佈的石墨製構件來構成。此外，支架H形成例如比載置台20還小徑的圓板狀。
載置台20形成在上面具有於鉛直方向下側凹陷的凹部20a的圓板狀，在處理容器11的內部以水平設置。又，在上述凹部20a嵌有支架H。再來，在凹部20a的底部中心，形成於鉛直方向下側凹陷的凹所20b，在該凹所20b嵌入後述支持部22a。該載置台20因旋轉軸部21的旋轉，支架H也跟著旋轉。
載置台20以耐熱性高且容易以感應加熱進行加熱的導電性材料形成，例如，上面由藉由SiC塗佈的石墨製構件來構成。
旋轉軸部21其一端連接至載置台20的下部中央，另一端從處理容器11的底部突出至其下方，連接至旋轉驅動機構(圖未示)。藉由上述旋轉驅動機構讓旋轉軸部21旋轉，使載置台20旋轉。
該旋轉軸部21以熱傳導率較低且電阻率較高的材料形成，具體來說，以熱傳導率為15W/m･K以下、熔點為1800℃以上例如電阻率為10～50μΩ･m的材料形成，更具體來說，以碳纖維強化碳複合材料形成。作為碳纖維強化碳複合材料，例如，可以使用與纖維軸平行的方向的熱傳導率為31W/m･K、與纖維軸垂直的方向的熱傳導率為12W/m･K、電阻率為22μΩ･m的東洋炭素股份公司製的CX-31。此外，使用上述CX-31時，形成旋轉軸部21，使得垂直於纖維軸的方向與旋轉軸部21的軸方向平行。
升降部22為用來在成膜裝置1的外部的基板W的搬送裝置與載置台20之間收授基板W者，在本例中，收授載置基板W的支架H。該升降部22具有：支持以比支架H還小徑的圓板狀形成的支架H的支持部22a、使連接至支持部22a下面的支持部22a升降的升降軸22b。升降軸22b因升降驅動機構(圖未示)而升降，支架H亦即基板W也跟著升降。
該支持部22a與升降軸22b以與旋轉軸部21同樣的材料形成。如同後述，藉由將旋轉軸部21、支持部22a、升降軸22b以碳纖維強化碳複合材料等熱傳導率為15W/m･K以下的材料形成，能夠使基板W的溫度的面內均勻性提升。
基座23形成在相互對向的二個面設有開口的長方體狀，成為從一面的開口供應處理氣體，從另一面的開口排出處理氣體的構造。在該構造中，供應至基板W上的處理氣體，沿著平行於基板W的方向供應，並排出。
基座23以耐熱性高且容易以感應加熱進行加熱的導電性材料形成，例如，基板W側的面由藉由SiC塗佈的石墨製構件來構成。
又，在基座23的外周設有將該基座23與處理容器11隔熱的隔熱材24。隔熱材24，例如，使用空隙率大的纖維狀碳材料形成。
此外，圖示雖省略，但在隔熱材24的外側，設有用來以使隔熱材24從處理容器11離間的狀態保持該隔熱材24的保持構造體。
接著，說明使用成膜裝置1的包含成膜處理的基板處理。
首先，將載置基板W的支架H搬入至處理容器11內(步驟S1)。具體來說，將上述支架H，使用成膜裝置1外部的搬送機構(圖未示)，從成膜裝置1的外部通過閘閥(圖未示)搬入至處理容器11內，使其位於載置台20上方。接著，使升降部22上升，藉由支持部22a來支持支架H。接著，使上述搬送機構從處理容器11內退避，並使升降部22下降，將支架H載置於載置台20上。
支架H的搬入後，對處理容器11內供應原料氣體，並從高頻電源14a對線圈14施加高頻電力來將基板W加熱，藉由磊晶成長在基板W上將p型的SiC膜成膜(步驟S2)。具體來說，將閥門15d1 ～15d4 設為開狀態，以MFC15c1 ～15c4 調整流量，對處理容器11內供應SiH4 氣體、C3 H8 氣體、H2 氣體、TMA氣體。又，藉由從高頻電源14a對線圈14施加高頻電力，藉由來自被感應加熱的支架H、載置台20、基座23的輻射及熱傳導將基板W加熱。此外，在成膜中，處理容器11內的壓力為例如10Torr～600Torr、基板W的溫度例如為1500℃～1700℃。
成膜結束後，將支持基板W的支架H從處理容器11搬出(步驟S3)。具體來說，將閥門15d1 ～15d4 設為閉狀態，在停止原料氣體的供應後，使升降部22上升，使支持基板W的支架H上升。接著，將成膜裝置1外部的搬送機構通過閘閥插入處理容器11內，使其位於升降部22的支持部22a下方。之後，使升降部22下降，將支架H從支持部22a收授至上述搬送機構，使該搬送機構從處理容器11退避，藉此將保持基板W的支架H從處理容器11搬出。此外，基板W的搬出中，雖也可以遮斷向線圈14的高頻電力的供應，但在次工程中控制成最適的載置台20及基座23的溫度的同時，供應至線圈14的高頻電力較佳。
支架H的搬出後，使處理回到步驟S1，將載置別的基板W的支架H搬入處理容器11內，重複步驟S1～步驟S3的處理。
接著，說明本實施形態的成膜裝置1的效果。
以與成膜裝置1的同樣構成將SiC膜成膜的裝置中，雖知道俯視時中央的區域(以下，省略為中央區域)中的載置台的溫度及支架的溫度低，但經由本發明者等人的銳意檢討，得知位於中央區域的構件的材料為中央區域中的載置台的溫度及支架的溫度低的原因的1個。具體來說如以下所述。
在從前的成膜裝置中，相當於位於本實施形態的成膜裝置1的中央區域的旋轉軸部21及升降部22者，係藉由SiC或石墨形成。SiC或石墨的熱傳導率雖比金屬材料等低，但為100W/m･K以上而較高。因此，在從前的成膜裝置中，即便將載置台及支架加熱，該等載置台及支架的中央部通過旋轉軸部及升降部散熱的結果，在載置台及支架的中央部，該等載置台及支架的溫度應該會變低。此外，中央部是位於上述中央區域的部分，表示位於旋轉軸部及升降部上方的部分。
相對於此，本實施形態的成膜裝置1，因位於中央區域的旋轉軸部21及升降部22的熱傳導率為15W/m･K又更低，在加熱載置台20及支架H時，因為該等載置台20及支架H的中央部不會通過旋轉軸部21及升降部22散熱，能夠防止在載置台20及支架H的中央部該等載置台20及支架H的溫度降低。
又，因為旋轉軸部21及升降部22的電阻率為更低的10～50μΩ･m，旋轉軸部21及升降部22雖藉由感應加熱而升溫，但應該是能防止載置台20及支架H的中央部的溫度降低的理由的1個。
因此，本實施形態的成膜裝置1，以覆蓋載置台20中央部的方式/架設於上述中央部的方式載置於該載置台20上的基板W的溫度的面內均勻性會提升。因此基板W的溫度的面內均勻性提升的結果，有以下的效果(1)～(3)。
(1) 缺陷發生的抑制
本實施形態的成膜裝置1，即便是以覆蓋載置台20中央部的方式/架設於上述中央部的方式載置於該載置台20上的基板W，或不得不例如以直徑6吋覆蓋上述中央部的方式/架設的方式載置的基板W，覆蓋基板W的上述中央部的部分/架設於中央部的部分(以下，有省略成基板W的中央位置部分的情形)的溫度不會降低。因此能夠抑制基板W的中央位置部分的熱起因或熱應力起因的缺陷(例如三角缺陷或基底面轉移缺陷)的產生。
(2) 低速成長中的膜厚均勻性的改善
成膜時膜的堆積速度其溫度相依性小，成膜時H2 氣體造成的蝕刻速度與溫度呈比例的溫度相依性大。接著，為了薄膜形成等而以低速成膜時，成膜時膜的沉積速度與成膜時H2 氣體造成的蝕刻速度幾乎沒有差別。因此，以低速成膜時，如同從前那樣載置台及支架的中央部的溫度越低，則被處理基板的中央位置部分上的膜厚就越厚。相對於此，在本實施形態中，因為基板W的中央位置部分的溫度沒有降低，能夠提升以低速成膜時膜厚的面內均勻性。
(3) p型SiC膜的成膜時的雜質濃度均勻性的改善
形成將鋁(Al)作為摻雜物的p型SiC膜時，混入SiC膜的雜質濃度，在SiC基板的溫度低的區域為高，在上述溫度高的區域為低。在本實施形態中，因為基板W的中央位置部分的溫度沒有降低，能夠提升p型SiC膜的成膜中的雜質濃度的面內均勻性。
此外，向使用ClF3 氣體的基座23的附著物的除去處理有溫度相依性。又，基座23的溫度受到與該基座23對向的載置台20的輻射熱的影響。本實施形態的成膜裝置1，如同前述因為載置台20的中央部的溫度沒有降低，對向於載置台20的中央部的基座23的中央部的溫度也沒有降低。因此，能夠在面內均勻地進行向基座23的附著物的除去。
又，本實施形態的成膜裝置1，如同前述因為支架H的中央部的溫度沒有降低，能夠緩和成膜時作用於支架H的熱應力。因此，能夠防止支架H彎曲、或成膜處理時原料氣體的亂流。
再來，在本實施形態中，旋轉軸部21及升降部22因為以碳纖維強化碳複合材料形成，與以SiC或石墨形成的情形一樣，耐熱性佳、對H2 氣體及ClF3 氣體有耐性、機械強度高。又，旋轉軸部21及升降部22因為以碳纖維強化碳複合材料形成而雜質濃度低，其等在成膜時不會變成不要的雜質源。
再來，碳纖維強化碳複合材料與SiC相比較低價。因此，藉由將旋轉軸部21及升降部22以碳纖維強化碳複合材料形成，能達到成本的降低。
又，在本實施形態中，成膜裝置1的旋轉軸部21等材料的熔點為1800℃以上，比利用成膜裝置1的基板處理中的基板W的最高溫度還低。因此，在上述基板處理中不會發生旋轉軸部21的溶化等。
在以上的說明中，旋轉軸部21、升降部22的支持部22a及升降軸22b全部設為由碳纖維強化碳複合材料等熱傳導率低的材料形成者。但是，不限於該例，旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的至少1個由碳纖維強化碳複合材料等熱傳導率低的材料形成即可。

[實施例]
(確認試驗1)
就支架H的面內溫度分佈進行確認試驗。該確認試驗(以下，確認試驗1)，沿著支架H的徑方向排列基板W，進行利用H2 氣體的蝕刻，從溫度相依性的蝕刻量與溫度的關係式算出支架H的溫度分佈。此外，旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b位於從支架H的邊緣於徑方向以140～160mm離間的區域內。
在實施例1中，利用圖1說明的成膜裝置1中，進行利用H2 氣體的蝕刻。在實施例2中，在僅有支持部22a以石墨形成而升降軸22b以SiC形成的點與上述成膜裝置1不同的成膜裝置中進行上述蝕刻。在比較例1中，在僅有旋轉軸部21及升降軸22b以SiC形成而支持部22a以石墨形成的點與上述成膜裝置1不同的成膜裝置中進行上述蝕刻。
如圖3所示，在旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b以SiC形成的比較例1中，在基板W中位於支架H的中央部與周緣部之間的中間區域的部分、和在基板W中位於支架H的中央部的部分的溫度差為40℃以上。相對於此，在旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b由碳纖維強化碳複合材料形成的實施例1中，基板W的上述溫度差為20℃以下。由碳纖維強化碳複合材料形成的實施例2也一樣，基板W的上述溫度差為30℃左右。
也就是說，旋轉軸部21、支持部22a、升降軸22b之中至少將旋轉軸部21以碳纖維強化碳複合材料形成，能夠使基板W的溫度的面內均勻性提升。
此外，基板W中位於支架H周緣部的部分的溫度低是因為在支架的周緣部附近設置處理氣體的導入口及排氣口，而支架的周緣部的熱會被處理氣體搶走。
(確認試驗2)
就在基板W中的覆蓋載置台20的中央部的部分/架設於中央部的部分的缺陷發生抑制進行確認試驗。在該確認試驗(確認試驗2)中，如圖4所示，以架設於直徑300mm的支架H的中央部的方式載置1枚直徑3吋的基板W(以下，內側基板W)在該內側基板W的徑方向外側又載置1枚直徑3吋的基板W(以下，外側基板W)進行SiC膜的成膜，將成膜的SiC膜中的基底面轉位缺陷以光致發光法檢出。
在實施例3中，如同用圖1等說明那樣以將旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b由碳纖維強化碳複合材料形成的成膜裝置1進行成膜。另一方面，在比較例2中，以僅有旋轉軸部21及升降軸22b以SiC形成而支持部22a以石墨形成的點與成膜裝置1不同的成膜裝置進行成膜。此外，在實施例3與比較例2中使用相同批量的基板W。又，以下缼陷的個數，是每1枚3吋晶圓的缺陷個數。
在比較例2中，於內側基板W與外側基板W，成膜的SiC膜之中的缺陷之數沒有多大的差別，一共約2500個左右。相對於此，在實施例3中，在外側基板W上成膜的SiC膜中的缺陷之數為2700個，雖與比較例2相差無幾，但在內側基板W上成膜的SiC膜中的缺陷之數為1600個左右，與比較例3相比大幅地減少了。
從該結果可以得知，在本實施形態的成膜裝置1中，能夠抑制基板W的中央位置部分的缺陷的產生。
(確認試驗3)
就以碳纖維強化碳複合材料形成的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的耐久性進行確認試驗。在該確認試驗(確認試驗3)中，首先使以碳纖維強化碳複合材料形成的未使用的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b曝露於H2 環境中。接著當暴露的時間超過400分以上時，算出旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的質量從未使用時的變化量。又，之後，將利用ClF3 氣體的前述除去處理進行1小時，算出該除去處理前後的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的質量變化量。此外，H2 退火處理在1600℃以上的H2 氣體環境下進行，除去處理在500℃以上的ClF3 氣體環境下進行。
在確認試驗3中，H2 退火處理造成的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的質量變化量分別為-0.03g以下、-0.02g以下、-0.005g以下，利用ClF3 氣體的除去處理造成的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b的質量變化量分別為-0.002g以下、0g、0.003g以下。從其結果也可以得知，以碳纖維強化碳複合材料形成的旋轉軸部21、支持部22a及升降軸22b也不會被高溫的H2 氣體及ClF3 氣體侵蝕。
以上，雖說明有關本發明的實施形態，但與本發明的例子並不以此為限。若是該技術領域中的知識者，在申請專利範圍所記載的技術思想的範疇內，明顯能夠想到各種變更例或修正例，關於該等情形，當然也屬於本揭示的技術範圍。

[產業上的利用可能性]
本發明在藉由磊晶成長將SiC膜成膜的技術是有用的。
1‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
14‧‧‧線圈
14a‧‧‧高頻電源
15‧‧‧氣體供應線
20‧‧‧載置台
21‧‧‧旋轉軸部
22‧‧‧升降部
22a‧‧‧支持部
22b‧‧‧升降軸
23‧‧‧基座
24‧‧‧隔熱材
100‧‧‧控制部
W‧‧‧SiC基板
[圖1] 示意地表示本發明的實施形態的成膜裝置的構成的概略的圖。
[圖2] 示意地表示圖1的成膜裝置的處理容器內的構成的概略的剖面圖。
[圖3] 表示確認試驗1的結果的圖。
[圖4] 說明在確認試驗2的成膜中的向支架上的SiC基板的載置態樣的平面圖。

Claims (6)

  1. 一種成膜裝置，係加熱載置台上的被處理基板並對該被處理基板供應處理氣體，對該被處理基板進行成膜處理的成膜裝置，具備： 具有收容前述載置台的內部空間，將前述處理氣體供應至前述內部空間並感應加熱的收容部； 將前述載置台以可旋轉的方式支持該載置台的旋轉軸部； 在外部的前述被處理基板的搬送裝置與前述載置台之間用以收授前述被處理基板而讓前述被處理基板升降的升降部； 前述旋轉軸部及/或前述升降部，係由熱傳導率為15W /m･K以下且熔點為1800℃以上的材料形成。
  2. 如請求項1記載的成膜裝置，其中，前述材料的電阻率為10～50μΩ･m。
  3. 如請求項1或2記載的成膜裝置，其中，前述材料為碳纖維強化碳複合材料。
  4. 如請求項1或2記載的成膜裝置，其中，前述收容部由碳化矽及/或石墨形成。
  5. 如請求項1或2記載的成膜裝置，其中，前述收容部的內部空間藉由感應加熱加熱至1600℃以上。
  6. 如請求項1或2記載的成膜裝置，其中，藉由前述成膜處理形成SiC膜。
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