JP2011029597A - 半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決する手段】
基板を処理する反応室と、反応室内であって、少なくとも基板が載置された領域を囲うように形成され、一端が閉塞された筒形状の被加熱体と、反応室と被加熱体との間であって、被加熱体を囲うように形成され、被加熱体の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の断熱材と、反応室の外であって、少なくとも基板が載置された領域の周囲に設けられる誘導加熱部と、反応室内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給系と、ガス供給系が少なくとも原料ガスを反応室内へ供給し、基板を処理するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置を提供することで上記課題を解決する。
【選択図】図2
Description
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態に係るSiCエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10の一例であり、斜視図にて示す。この基板処理装置としての半導体製造装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体12を有する。半導体製造装置10には、例えば、Si又はSiC等で構成された基板としてのウエハ14を収納する基板収納器としてフープ(以下、ポッドという)16が、ウエハキャリアとして使用される。この筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されており、このポッドステージ18にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハ14が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18にセットされる。
図2及び図6に示すように被加熱体48とウエハ14との間に設置され、少なくともSi(シリコン)原子含有ガスとCl(塩素)原子含有ガスとC(炭素)原子含有ガスと還元ガスを供給する第1のガス供給口68と第1の排気口90、反応管42と断熱材53の間に1つの第2のガス供給口360、第2の排気口390が配置されている。それぞれについて詳細に説明をする。
次に第2実施形態について説明する。
次に第3実施形態について説明する。
以下に、本実施形態に係る好ましい態様を付記する。
基板を処理する反応室と、反応室内であって、少なくとも基板が載置された領域を囲うように形成され、一端が閉塞された筒形状の被加熱体と、反応室と被加熱体との間であって、被加熱体を囲うように形成され、被加熱体の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の断熱材と、反応室の外であって、少なくとも基板が載置された領域の周囲に設けられる誘導加熱部と、反応室内に少なくとも原料ガスを供給する第1ガス供給系と、ガス供給系が少なくとも原料ガスを反応室内へ供給し、基板を処理するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置。
反応室内に設けられた一端が閉塞された筒形状の断熱材の内側に断熱材の閉塞された一端の向きに閉塞された筒形状の被加熱体内へ基板を搬入する工程と、反応室の周囲に設けられた誘導加熱部により被加熱体を誘導加熱するとともに、断熱材により被加熱体の外への放熱を抑制し、被加熱体内に少なくとも原料ガスを供給して基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
反応室内に設けられ一端が閉塞された筒形状の断熱材の内側に断熱材の閉塞された一端の向きに閉塞された筒形状の被加熱体内へ基板を搬入する工程と、反応室の周囲に設けられた誘導加熱部により被加熱体を誘導加熱するとともに、断熱材により被加熱体の外への放熱を抑制し、被加熱体内に少なくとも原料ガスを供給して基板を処理する工程と、を有する基板製造方法。
12 筐体
14 ウエハ
16 ポッド
30 ボート
40 処理炉
42 反応管
44 処理室
48 被加熱体
50 磁気コイル
53 断熱部
54 側壁部
55 蓋部
68 第1のガス供給口
90 第1の排気口
150 主制御部
152 コントローラ
360 第2のガス供給口
390 第2の排気口
Claims (12)
- 基板を処理する反応室と、
前記反応室内であって、少なくとも前記基板が載置された領域を囲うように形成され、一端が閉塞された筒形状の被加熱体と、
前記反応室と前記被加熱体との間であって、前記被加熱体を囲うように形成され、前記被加熱体の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の断熱材と、
前記反応室の外であって、少なくとも前記基板が載置された領域の周囲に設けられる誘導加熱部と、
前記反応室内に少なくとも原料ガスを供給する第1ガス供給系と、
前記ガス供給系が少なくとも原料ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板を処理するよう制御するコントローラと、
を備える基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記側壁部と前記蓋部とは、異なる部材で構成される基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記側壁部の厚さは、前記基板が載置された領域より、前記蓋部が設けられる前記側壁部の下端側、または、前記側壁部の上端側のほうが厚い基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記蓋部の厚さは、前記蓋部の周縁部よりも前記蓋部の中央部の方が厚い基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記誘導加熱部は、前記基板が載置された領域から少なくとも前記蓋部まで延在する基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記誘導加熱部は、前記基板が載置された領域より、前記蓋部が設けられた前記側壁部の一端側、または、前記側壁部の他端側のほうが誘導電流密度の大きい基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、筒形状の側壁部と前記側壁部の一端側を閉塞する蓋部とで構成され、
前記誘導加熱部は、前記蓋部が設けられる前記側壁部の一端側より、前記側壁部の他端側のほうが誘導電流密度の大きい基板処理装置。 - 請求項1において、
前記断熱材は、複数の断熱部材で構成され、
前記複数の断熱部材の夫々の間には、空間が設けられる基板処理装置。 - 請求項8において、
前記複数の断熱部材の夫々の間の空間にガスを供給する第2ガス供給系を更に備える基板処理装置。 - 請求項8において、
前記複数の断熱部材の夫々は、複数の部材により前記被加熱体を囲うように構成され、
前記複数の部材の夫々の間には、隙間がある基板処理装置。 - 反応室内に設けられた一端が閉塞された筒形状の断熱材の内側に前記断熱材の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の被加熱体内へ基板を搬入する工程と、
前記反応室の周囲に設けられた誘導加熱部により前記被加熱体を誘導加熱するとともに、前記断熱材により前記被加熱体の外への放熱を抑制し、前記被加熱体内に少なくとも原料ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 反応室内に設けられ一端が閉塞された筒形状の断熱材の内側に前記断熱材の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の被加熱体内へ基板を搬入する工程と、
前記反応室の周囲に設けられた誘導加熱部により前記被加熱体を誘導加熱するとともに、前記断熱材により前記被加熱体の外への放熱を抑制し、前記被加熱体内に少なくとも原料ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
を有する基板製造方法。
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