JP5783859B2 - 基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係るSiCエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置300の一例を示す斜視図である。
温度センサとして、例えば被加熱体326の近傍に縦方向に3つのゾーンに分割して放射温度計354、356、358、360が配置されている。
放射温度計354は、縦方向の3つのゾーンのうち上部のゾーンに配置されており、放射温度計356、358は、縦方向の3つのゾーンのうち中部のゾーンに配置されており、放射温度計360は、縦方向の3つのゾーンのうち下部のゾーンに配置されている。
また、低温用放射温度計358の測定値が閾値Pを上回った場合、高温用放射温度計356による測定値に基づく温度制御に切り替える。
温度範囲の下限値をMin_Lowとすると、閾値P及び閾値Mは、以下の式を満たす。
同様に、低温用放射温度計358の測定値が閾値P以上となり、高温用放射温度計358の測定値が閾値KPMから閾値KPPであれば、高温用放射温度計356による制御へと切り替える。
また、低温用放射温度計358の測定値が閾値P未満であれば、低温用放射温度計358の使用を継続する。このとき、温度制御部362は、高温用放射温度計の測定値は切り替え判断において考慮しない。
図9に示されているように、高温用放射温度計356による温度制御から低温用放射温度計358による温度制御へと切り替える場合、高温用放射温度計356の測定値が闘値Mを下回った時点で低温用放射温度計358の測定値が闘値KMMから闘置KMPの範囲内にない場合には、低温用放射温度計又は高温用放射温度計の故障を検知する。
すなわち、温度制御部362は、高温用放射温度計356による温度制御から低温用放射温度計358による温度制御へと切り替える場合、高温用放射温度計356の測定値が閾値M未満となり、低温用放射温度計358の測定値が閾値KMPより高い場合や、閾値KMMより低い場合には低温用放射温度計又は高温用放射温度計の故障を検知する。
また、高温用放射温度計356の測定値が閾値M以上であれば、高温用放射温度計356の使用を継続する。このとき、温度制御部362は、低温用放射温度計の測定値は切り替え判断において考慮しない。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、
第1の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第1の温度検出手段と、
第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第2の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第2の温度検出手段と、
前記第1の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第1の制御手段と、
前記第2の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第2の制御手段と、
前記第1の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第2の温度検出手段に切り替え、前記第2の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第1の温度検出手段に切り替え、前記第1の温度検出手段又は前記第2の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、前記第1の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第2の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段と、
を有する基板処理装置。
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱し、
第1の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を第1の温度検出手段により検出し、
第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第2の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を第2の温度検出手段により検出し、
前記第1の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第2の温度検出手段に切り替える第1の制御と、前記第2の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の闘値を下回った場合には第1の温度検出手段に切り替える第2の制御と、を前記第1の温度検出手段又は前記第2の温度検出手段により検出された温度と予め定められた闘値とに基づいて切り替える、
基板処理装置の温度制御方法。
それぞれ測定温度帯が異なる複数の温度センサを有する熱処理装置において、温度帯に応じて温度センサを切り替える温度測定方法。
それぞれ測定温度帯が異なる複数の温度センサを有する熱処理装置において、温度帯に応じて温度センサを切り替える際に、他方の温度センサが許容範囲内であるかどうかに応じて判断する温度センサの故障検知方法。
付記3及び付記4の方法をプログラマ化し計算機上に実装した温度制御装置及び熱処理装置。
304 ウエハ(基板)
326 被加熱体(被誘導体)
328 処理炉
362 温度制御部
380 ガス供給ユニット
354、356、358,360 放射温度計
364、366、368 熱電対
448 コントローラ
Claims (2)
- 基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、
第1の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第1の温度検出手段と、
第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第2の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第2の温度検出手段と、
前記第1の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第1の制御手段と、
前記第2の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第2の制御手段と、
前記第1の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第2の温度検出手段に切り替え、前記第2の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第1の温度検出手段に切り替え、前記第1の温度検出手段又は前記第2の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、前記第1の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第2の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室を加熱手段により加熱し、
第1の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を第1の温度検出手段により検出し、
第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第1の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第2の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を第2の温度検出手段により検出し、
前記第1の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第2の温度検出手段に切り替える第1の制御と、前記第2の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の闘値を下回った場合には第1の温度検出手段に切り替える第2の制御と、を前記第1の温度検出手段又は前記第2の温度検出手段により検出された温度と予め定められた闘値とに基づいて切り替える、
基板処理装置の温度制御方法。
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