JPH0774123A - 縦型拡散・ｃｖｄ装置用ヒータ - Google Patents
縦型拡散・ｃｖｄ装置用ヒータInfo
- Publication number
- JPH0774123A JPH0774123A JP21880893A JP21880893A JPH0774123A JP H0774123 A JPH0774123 A JP H0774123A JP 21880893 A JP21880893 A JP 21880893A JP 21880893 A JP21880893 A JP 21880893A JP H0774123 A JPH0774123 A JP H0774123A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- heat insulating
- heater
- thickness
- furnace temperature
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炉内温度の降温特性を改善し、炉内温度の安
定性を高める。 【構成】 発熱体２を保持する円筒状ヒータ断熱層１の
上部断熱層１Ａ側の厚さよりも下部側断熱層１Ｂ側の厚
さを厚くし、又は円筒状断熱層１の上端側より下端側に
行くに従って徐々に厚くする。
定性を高める。 【構成】 発熱体２を保持する円筒状ヒータ断熱層１の
上部断熱層１Ａ側の厚さよりも下部側断熱層１Ｂ側の厚
さを厚くし、又は円筒状断熱層１の上端側より下端側に
行くに従って徐々に厚くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は内部のウェーハを加熱す
る縦型拡散・ＣＶＤ装置用ヒータに関する。
る縦型拡散・ＣＶＤ装置用ヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来ヒータは、図３に示すようにヒータ
断熱層１とその内側に配置された発熱体２からなるヒー
タ３が縦に配置され、その内部にＳｉＣ製均熱管４，更
にその内部に石英あるいはＳｉＣ製反応管５があり、そ
の中に挿入される形で保温筒６にシリコンウェーハ７あ
るいは資料を装填するためのＳｉＣ製ボート８が載せら
れる。反応管５にはガスを導入するためのガス導入ノズ
ル９とそれを排気するためのガス排気ノズル１０が装着
されている。反応管５下部の開口フランジに、外気と遮
断するためＯリング１１を有し、炉口はボート８を載せ
た保温筒６が載置された載置板１２で、該Ｏリング１１
を介して密閉される。
断熱層１とその内側に配置された発熱体２からなるヒー
タ３が縦に配置され、その内部にＳｉＣ製均熱管４，更
にその内部に石英あるいはＳｉＣ製反応管５があり、そ
の中に挿入される形で保温筒６にシリコンウェーハ７あ
るいは資料を装填するためのＳｉＣ製ボート８が載せら
れる。反応管５にはガスを導入するためのガス導入ノズ
ル９とそれを排気するためのガス排気ノズル１０が装着
されている。反応管５下部の開口フランジに、外気と遮
断するためＯリング１１を有し、炉口はボート８を載せ
た保温筒６が載置された載置板１２で、該Ｏリング１１
を介して密閉される。
【０００３】このような構成の縦型拡散装置のヒータ３
は、上端が閉のため、熱対流はヒータの上部へ流れる形
となり、ヒータ上部の温度安定性に優れているが、下部
領域では、さらにウェーハを出し入れするために開放と
なっており、熱伝導又は熱輻射により炉口部から放熱し
易い。炉口部の放熱のし易さに対して、ヒータの断熱層
を厚くする等して、熱容量を増やし、炉内下部領域での
温度の安定性を良くすると、炉上部での降温速度（−℃
／min ）が著しく遅くなる。上部での降温速度（−℃／
min ）を速くするべく、ヒータの断熱層を薄くする等し
て、熱容量を減らすと、ヒータ下部での炉内温度の安定
性が悪くなる。
は、上端が閉のため、熱対流はヒータの上部へ流れる形
となり、ヒータ上部の温度安定性に優れているが、下部
領域では、さらにウェーハを出し入れするために開放と
なっており、熱伝導又は熱輻射により炉口部から放熱し
易い。炉口部の放熱のし易さに対して、ヒータの断熱層
を厚くする等して、熱容量を増やし、炉内下部領域での
温度の安定性を良くすると、炉上部での降温速度（−℃
／min ）が著しく遅くなる。上部での降温速度（−℃／
min ）を速くするべく、ヒータの断熱層を薄くする等し
て、熱容量を減らすと、ヒータ下部での炉内温度の安定
性が悪くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来例に
あっては、反応管５内へのガス導入と反応管外へのガス
排出をガス導入，排気ノズル９，１０により行っている
ので、反応管（炉）内温度の降温特性と安定性を同時に
満足でき難いことと相まって炉内温度が局所的に変化
し、膜厚，膜質が均一になる被処理基板の熱処理ができ
ない。又、反応管５の形状が複雑になるのでその加工が
難しいばかりでなく、１１００℃以上の熱処理に耐える
装置が得難く、又、炉内温度の安定化を図ることが難し
いなどの課題がある。
あっては、反応管５内へのガス導入と反応管外へのガス
排出をガス導入，排気ノズル９，１０により行っている
ので、反応管（炉）内温度の降温特性と安定性を同時に
満足でき難いことと相まって炉内温度が局所的に変化
し、膜厚，膜質が均一になる被処理基板の熱処理ができ
ない。又、反応管５の形状が複雑になるのでその加工が
難しいばかりでなく、１１００℃以上の熱処理に耐える
装置が得難く、又、炉内温度の安定化を図ることが難し
いなどの課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明ヒータは、上記の
課題を解決するため、発熱体２を保持するヒータ断熱層
１の厚さｔを上，下部断熱層１Ａ，１Ｂ側の厚さｔ1 ，
ｔ2 を異ならしめ、ｔ 1 ＜ｔ2 とするか又は上端側から
下端側に行くに従って徐々に厚くすることを特徴とす
る。
課題を解決するため、発熱体２を保持するヒータ断熱層
１の厚さｔを上，下部断熱層１Ａ，１Ｂ側の厚さｔ1 ，
ｔ2 を異ならしめ、ｔ 1 ＜ｔ2 とするか又は上端側から
下端側に行くに従って徐々に厚くすることを特徴とす
る。
【０００６】
【作用】このような構成とすることにより、閉塞側であ
る上部側の炉内温度を低下させ、開口側である下部側の
炉内温度を高めることになり、炉内温度の降温特性を改
善することができると共に炉内温度の安定性を高めるこ
とができることになる。
る上部側の炉内温度を低下させ、開口側である下部側の
炉内温度を高めることになり、炉内温度の降温特性を改
善することができると共に炉内温度の安定性を高めるこ
とができることになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明ヒータの第１実施例の構成を示
す簡略断面図である。この第１実施例は、上端が上端部
断熱層１′で閉塞され、内側に発熱体２を保持する円筒
状ヒータ断熱層１の上部断熱層１Ａ側（上部発熱ゾーン
Ｚ１，Ｚ２側）の厚さｔ1 を従来より薄くし、下部断熱
層１Ｂ側（下部発熱ゾーンＺ３，Ｚ４側）の厚さｔ2 を
従来よりも厚くした場合の例である。図２は第２実施例
の構成を示す簡略断面図である。この第２実施例は、円
筒状断熱層１の厚さを上端側より下端側に行くに従って
徐々に厚くした場合の例である。いずれの実施例による
ヒータも図３に示す装置のヒータとして使用できること
は明白である。
す簡略断面図である。この第１実施例は、上端が上端部
断熱層１′で閉塞され、内側に発熱体２を保持する円筒
状ヒータ断熱層１の上部断熱層１Ａ側（上部発熱ゾーン
Ｚ１，Ｚ２側）の厚さｔ1 を従来より薄くし、下部断熱
層１Ｂ側（下部発熱ゾーンＺ３，Ｚ４側）の厚さｔ2 を
従来よりも厚くした場合の例である。図２は第２実施例
の構成を示す簡略断面図である。この第２実施例は、円
筒状断熱層１の厚さを上端側より下端側に行くに従って
徐々に厚くした場合の例である。いずれの実施例による
ヒータも図３に示す装置のヒータとして使用できること
は明白である。
【０００８】上記第１，第２実施例は、上記のような構
成であるから、閉塞側である上部側の炉内温度を低下さ
せ、開口側（ウェーハ搬出入口側）である下部側の炉内
温度を高めることになり、炉内温度の降温特性を改善す
ることができると共に炉内温度の安定性を高めることが
できる。即ち、今まで炉内温度の降温特性を上げるとヒ
ータ下部での温度安定性が下がり、温度安定性を挙げる
とヒータ上部での降温特性が下がるという課題を解決す
ることができると共に、短いヒータで長い均熱特性（一
定温度領域の長さ）が得られ、経済的にも有利である。
成であるから、閉塞側である上部側の炉内温度を低下さ
せ、開口側（ウェーハ搬出入口側）である下部側の炉内
温度を高めることになり、炉内温度の降温特性を改善す
ることができると共に炉内温度の安定性を高めることが
できる。即ち、今まで炉内温度の降温特性を上げるとヒ
ータ下部での温度安定性が下がり、温度安定性を挙げる
とヒータ上部での降温特性が下がるという課題を解決す
ることができると共に、短いヒータで長い均熱特性（一
定温度領域の長さ）が得られ、経済的にも有利である。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、発熱体を
保持する断熱層の厚さを、上，下部で異ならしめて上部
断熱層側の熱容量よりも下部断熱層側の熱容量を大きく
したことを特徴とするので、閉塞側である上部側の炉内
温度を低下させ、開口側である下部側の炉内温度を高め
ることになり、炉内温度の降温特性を改善することがで
きると共に炉内温度の安定性を高めることができる。
保持する断熱層の厚さを、上，下部で異ならしめて上部
断熱層側の熱容量よりも下部断熱層側の熱容量を大きく
したことを特徴とするので、閉塞側である上部側の炉内
温度を低下させ、開口側である下部側の炉内温度を高め
ることになり、炉内温度の降温特性を改善することがで
きると共に炉内温度の安定性を高めることができる。
【図１】本発明ヒータの第１実施例の構成を示す簡略断
面図である。
面図である。
【図２】第２実施例の構成を示す簡略断面図である。
【図３】従来装置の１例の構成を示す断面図である。
１′上端部断熱層 １ （円筒状）ヒータ断熱層 １Ａ 上部断熱層 １Ｂ 下部断熱層 ２ 発熱体 Ｚ１〜Ｚ４ 発熱ゾーン ３ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31
Claims (3)
- 【請求項１】 内部のウェーハを加熱する縦型拡散・Ｃ
ＶＤ装置用ヒータにおいて、発熱体を保持する断熱層の
厚さを、上，下部で異ならしめて上部断熱層側の熱容量
よりも下部断熱層側の熱容量を大きくしたことを特徴と
する縦型拡散・ＣＶＤ装置用ヒータ。 - 【請求項２】 断熱層の上部断熱層側の厚さよりも下部
断熱層側の厚さを厚くすることを特徴とする請求項１の
縦型拡散・ＣＶＤ装置用ヒータ。 - 【請求項３】 断熱層の厚さを上端側より下端側に行く
に従って厚くすることを特徴とする請求項１の縦型拡散
・ＣＶＤ装置用ヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21880893A JPH0774123A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置用ヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21880893A JPH0774123A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置用ヒータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774123A true JPH0774123A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16725672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21880893A Pending JPH0774123A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置用ヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029597A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-02-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理装置 |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP21880893A patent/JPH0774123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029597A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-02-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理装置 |
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