TW201932409A - 懸空二維奈米材料的製備方法 - Google Patents
懸空二維奈米材料的製備方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201932409A TW201932409A TW107104856A TW107104856A TW201932409A TW 201932409 A TW201932409 A TW 201932409A TW 107104856 A TW107104856 A TW 107104856A TW 107104856 A TW107104856 A TW 107104856A TW 201932409 A TW201932409 A TW 201932409A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- nano
- dimensional
- substrate
- carbon tube
- film
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 claims abstract description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 34
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 etc. Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
- B32B37/025—Transfer laminating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0042—Assembling discrete nanostructures into nanostructural devices
- B82B3/0047—Bonding two or more elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0061—Methods for manipulating nanostructures
- B82B3/0076—Methods for manipulating nanostructures not provided for in groups B82B3/0066 - B82B3/0071
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
- B81C2201/0183—Selective deposition
- B81C2201/0188—Selective deposition techniques not provided for in B81C2201/0184 - B81C2201/0187
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本發明涉及一種懸空二維奈米材料的製備方法，該懸空二維納米材料的製備方法具體包括以下步驟：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料；將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面；用腐蝕液去除所述第一基底，將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗；提供一目標基底，所述目標基底具有至少一個通孔，利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述二維奈米材料與所述目標基底貼合併覆蓋所述目標基底的至少一個通孔；去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面，並在所述通孔的位置懸空。
Description
本發明屬於材料製備領域，涉及一種懸空二維奈米材料的製備方法。
二維奈米材料如石墨烯、二硫化鉬等由於優異的性質成為化學、材料學、物理學的研究熱點，在資訊技術、半導體、生物感測器、能源和環境保護等眾多領域有廣闊的應用前景。其中，製備高品質的懸空二維奈米材料一直是相關領域內科學技術人員研究的重點。
目前，製備懸空二維奈米材料的方法主要有兩種：轉移法和蝕刻法。轉移法一般採用高聚物如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為轉移介質，將二維奈米材料轉移至打孔的基底上，形成懸空的功能區，但由於二維奈米材料與高聚物之間具有較強的作用力，除去高分子聚合物時會在二維奈米材料表面留有殘膠，這些殘膠對二維奈米材料的性能有很大的影響，且去除高分子聚合物時亦容易造成二維奈米材料破損。蝕刻法是對二維奈米材料的生長襯底蝕刻打孔，不需要轉移二維奈米材料，但蝕刻法產生的化學污染會影響二維奈米材料的使用性能。
有鑑於此，確有必要提供一種懸空二維奈米材料的製備方法，該方法製備的懸空二維奈米材料乾淨、無污染、無破損。
一種懸空二維奈米材料的製備方法，其具體包括以下步驟：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料；將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面；用腐蝕液去除所述第一基底，將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗；提供一目標基底，所述目標基底具有至少一個通孔，利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述二維奈米材料與所述目標基底貼合併覆蓋所述目標基底的至少一個通孔；去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面，並在所述通孔的位置懸空。
與先前技術相比，本發明採用一奈米碳管膜結構將二維奈米材料轉移至一具有至少一個通孔的目標基底上而製備懸空二維奈米材料，得到的懸空二維奈米材料乾淨、無污染，且無破損、完整度高。
以下將結合附圖及具體實施例詳細說明本發明提供的懸空二維奈米材料的製備方法。
請一併參閱圖1，本發明實施例提供一種懸空二維奈米材料的製備方法，其具體包括以下步驟： S1，提供一第一基底101，所述第一基底101表面形成有二維奈米材料102； S2，將一奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面； S3，用腐蝕液去除所述第一基底101，並將所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗； S4，提供一目標基底104，所述目標基底104具有至少一個通孔105，利用所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述二維奈米材料102與所述目標基底104貼合併覆蓋所述目標基底104的至少一個通孔105； S5，去除所述奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面，並在所述通孔105的位置懸空。
以下將詳細說明步驟S1~S5。
步驟S1中，提供一第一基底101，所述第一基底101表面形成有二維奈米材料102。
所述第一基底101主要作為二維奈米材料生長和穩定存在的載體，其本身具有一定的穩定性，但可以藉由化學方法或物理方法去除。所述第一基底101根據不同的應用可選用半導體材料或金屬材料等，具體地，所述第一基底101可為矽片、銅箔、鎳箔或銅鎳合金等。
可以藉由各種方法如化學氣相沉積法在所述第一基底101表面形成所述二維奈米材料102。所述二維奈米材料102可為石墨烯、氮化硼、二硫化鉬等。所述二維奈米材料的層數不限，可為一層、兩層或多層。
本實施例中所述第一基底101為一銅箔，所述二維奈米材料為藉由化學氣相沉積法在銅箔表面生長得到的單層石墨烯。請一併參閱圖2，為生長於銅箔表面的單層石墨烯的光學顯微鏡照片。
步驟S2中，將一奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面。
所述奈米碳管膜結構103為一自支撐結構，由至少兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成，可以理解，所述奈米碳管膜的層數越多，所述奈米碳管膜結構103的透光性越弱而透明度越低，優選地，所述奈米碳管膜結構103由兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成。其中，所述奈米碳管膜包括複數藉由凡得瓦力首尾相連且沿同一方向延伸的奈米碳管，該複數奈米碳管的延伸方向基本平行於所述奈米碳管膜的表面，相鄰奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°＜α≤90°。
所述奈米碳管膜為直接從一奈米碳管陣列中拉取獲得，其具體包括下述步驟。
首先，提供一形成於一生長基底的奈米碳管陣列，該陣列為超順排的奈米碳管陣列。
該奈米碳管陣列採用化學氣相沉積法製備，該奈米碳管陣列為複數彼此平行且垂直於生長基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。該奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等，適於從中拉取奈米碳管膜。
其次，採用一拉伸工具從所述奈米碳管陣列中拉取奈米碳管獲得一奈米碳管膜，其具體包括以下步驟：從所述超順排奈米碳管陣列中選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管，可以採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管；以一定速度拉伸該選定的奈米碳管，從而形成首尾相連的複數奈米碳管片段，進而形成一連續的奈米碳管膜。該拉取方向沿基本垂直于奈米碳管陣列的生長方向。
在上述拉伸過程中，該複數奈米碳管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離生長基底的同時，由於凡得瓦力作用，該選定的複數奈米碳管片段分別與其它奈米碳管片段首尾相連地連續地被拉出，從而形成一連續、均勻且具有一定寬度的自支撐的奈米碳管膜。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管膜無需藉由一支撐體支撐，亦能保持一膜的形狀。該奈米碳管膜包括複數基本沿同一方向擇優取向排列且藉由凡得瓦力首尾相連的奈米碳管，該奈米碳管基本沿拉伸方向排列並平行於該奈米碳管膜表面。
製備出奈米碳管膜之後，將所述複數奈米碳管膜層迭且交叉鋪設以形成所述奈米碳管膜結構103。具體操作步驟包括：先將一奈米碳管膜沿一個方向覆蓋至一框架上；再將另一奈米碳管膜沿另一方向覆蓋至先前的奈米碳管膜表面，如此反復多次，在該框架上鋪設複數奈米碳管膜，從而形成一奈米碳管膜結構。注意地是，該複數奈米碳管膜可沿各自不同的方向鋪設，亦可僅沿兩個交叉的方向鋪設。
由於該奈米碳管膜具有較大的比表面積，是故該奈米碳管膜具有較大粘性，故多層奈米碳管膜可以相互藉由凡得瓦力緊密結合形成一穩定的奈米碳管膜結構103。
將所述奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面，所述奈米碳管膜結構103藉由凡得瓦力與所述第一基底101表面的二維奈米材料102貼合在一起而形成一第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構。進一步地，可以採用有機溶劑處理所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，利用有機溶劑揮發的表面張力增加所述奈米碳管膜結構103和所述二維奈米材料102之間的結合力。
所述使用有機溶劑處理的步驟具體為：將有機溶劑均勻滴加在所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構中奈米碳管膜結構103的表面上並浸潤整個奈米碳管膜結構103，或者，亦可將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。所述有機溶劑為常溫下易揮發的有機溶劑，可以選用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷和氯仿中一種或者幾種的混合。
藉由有機溶劑處理後，所述奈米碳管膜結構103和所述二維奈米材料102藉由凡得瓦力的作用和溶劑表面張力的作用而緊密貼合在一起。
本實施例中，所述奈米碳管膜結構103由兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成，所述兩層奈米碳管膜中奈米碳管的延伸方向形成的夾角為90度；待所述奈米碳管膜結構103覆蓋於所述銅箔生長有石墨烯的表面後，向覆蓋了奈米碳管膜結構的銅箔表面滴加乙醇，利用乙醇揮發的表面張力增加所述奈米碳管膜結構與石墨烯之間的結合力。請一併參閱圖3，為將奈米碳管膜結構覆蓋於所述銅箔生長有石墨烯的表面的光學顯微鏡照片；從圖3可以看出，所述奈米碳管膜結構具有一定的透明性，透過所述奈米碳管膜結構可以清楚地看到所述石墨烯的位置。
步驟S3中，用腐蝕液去除所述第一基底101，並將所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗。
可以將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構放置於腐蝕液中飄浮使所述第一基底101與所述腐蝕液發生化學反應，直至所述第一基底101被腐蝕乾淨，而所述奈米碳管膜結構103由於自身的疏水性漂浮在腐蝕液表面不會下沉，所述二維奈米材料102由於與所述奈米碳管膜結構103之間的凡得瓦力而緊緊地附著在所述奈米碳管膜結構103的下表面。由於所述奈米碳管膜結構103本身具有一定的自支撐作用，可以作為所述二維奈米材料102穩定存在的載體而不破壞或減少破壞所述二維奈米材料102。
所述腐蝕液的作用為腐蝕所述第一基底101，可以根據所述第一基底101的材料來選擇不同的腐蝕液。該腐蝕液可以是酸液、堿液或鹽溶液，例如氯化鐵溶液、過硫酸銨溶液、氫氧化鉀溶液等。可以理解，由於所述第一基底101的大小和厚度以及所使用腐蝕液的濃度和種類的不同，其所需要的腐蝕時間亦不同。本實施例中，所述腐蝕液為濃度為0.1mol/L的過硫酸銨溶液，所述腐蝕時間為2小時～3小時。
待所述第一基底101被腐蝕乾淨後，所述奈米碳管膜結構103與所述二維奈米材料102形成一二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構。可以進一步清洗所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構，去除所述二維奈米材料102表面殘留的雜質，其具體包括以下步驟：利用一載玻片從所述腐蝕液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構；藉由所述載玻片將所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構轉移到一清洗液表面，漂洗掉殘留的雜質，如此反復多次。
其中，所述清洗液為酸溶液或超純水，本實施例中，所述清洗液為超純水。
步驟S4中，提供一目標基底104，所述目標基底104具有至少一個通孔105，利用所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述二維奈米材料102與所述目標基底104貼合併覆蓋所述目標基底104的至少一個通孔105。
所述目標基底104用於承載所述二維奈米材料102。所述目標基底104的材料不限，可為金屬材料，例如金、鋁、鎳、鉻、銅等，可為半導體材料，例如矽、氮化鎵、砷化鎵等，亦可以絕緣材料，例如二氧化矽、氮化矽等。所述目標基底104的長度、寬度及厚度不限，可根據需要調整。所述目標基底104的表面可為一平面，亦可為一彎曲面。
所述目標基底104具有至少一個通孔105，所述通孔105可以藉由蝕刻的方法形成，所述通孔105的孔徑為0.1微米~100微米，優選地，所述通孔105的孔徑為0.5微米~50微米，所述通孔105的形狀可為圓形、四邊形、六邊形、八邊形或橢圓形等。當所述目標基底104具有複數通孔105時，所述複數通孔105的形狀及排列方式不限，所述複數通孔105之間的距離可相等或不等，優選地，所述複數通孔105均勻分佈在所述目標基底104中。
將所述目標基底104插入所述清洗液中，使所述目標基底104的至少一個通孔105在清洗液中對準所述二維奈米材料102、緩慢地撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，在撈起的過程中所述目標基底104與所述二維奈米材料102貼合，然後乾燥所述目標基底104及該目標基底104表面的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，這樣可以使所述目標基底104與所述二維奈米材料102緊緊地貼合在一起。
本案中，所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，在撈起的過程中該複合結構轉移至所述目標基底104的表面，可以減少所述二維奈米材料102表面的褶皺和裂紋，且有助於增強所述二維奈米材料102與所述目標基底104之間的結合力。
需要注意地是，由於所述奈米碳管膜結構103具有複數微孔，而具有一定的透光性、透明度較高，在體視顯微鏡下，透過所述奈米碳管膜結構103可以觀察到所述二維奈米材料102的位置，可以預先使所述目標基底104的至少一個通孔105在水下對準所述二維奈米材料102，再向上撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構，從而使得所述二維奈米材料102覆蓋所述目標基底104的至少一個通孔，可以實現所述二維奈米材料102的定點轉移，這是利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的優點之一。
本實施例中，所述目標基底104選用多孔氮化矽基底，所述多孔氮化矽基底的表面為一平面，所述多孔氮化矽基底的厚度為100奈米，所述多孔氮化矽基底具有複數通孔，所述通孔的孔徑為2微米。
具體實施時，所述多孔氮化矽基底設置於一矽襯底的表面，所述矽襯底用於支撐及保護所述多孔氮化矽基底，所述矽襯底具有一窗口，所述多孔氮化矽基底的具有複數通孔的部分設置於所述矽襯底的窗口，亦就是說，所述多孔氮化矽基底的具有複數通孔的部分在所述矽襯底的窗口懸空。所述矽襯底的厚度為100~500微米，所述窗口的尺寸為50微米~300微米。
步驟S5中，去除所述奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面，並在所述通孔105的位置懸空。
所述去除所述奈米碳管膜結構103的方法不限，只需保證將所述奈米碳管膜結構103完全去除即可。
本實施例提供了兩種去除所述奈米碳管膜結構103的方法。
第一種方法採用一高分子聚合物膜去除所述奈米碳管膜結構103，即在所述奈米碳管膜結構103遠離所述目標基底104的表面形成一高分子聚合物膜，經加熱或輻照處理後，撕下所述高分子聚合物膜，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜撕下而被去除，其具體包括下述步驟。
步驟（1），在所述奈米碳管膜結構103遠離所述目標基底104的表面形成一高分子聚合物膜105。
所述高分子聚合物膜選用加熱至一定溫度時交聯程度變高的材料，可為聚甲基矽氧烷（PDMS）、聚丙烯酸丁酯（PBA）等熱固性材料。所述高分子聚合物膜完全覆蓋所述奈米碳管膜結構103的表面，所述高分子聚合物膜的面積大於或等於所述奈米碳管膜結構103的面積。
步驟（2），在一定溫度下加熱一段時間，使所述高分子聚合物膜內部的交聯程度變高。
加熱溫度與加熱時間與所述高分子聚合物膜的材料有關，當高分子聚合物膜為PDMS膜時，在150攝氏度下加熱20分鐘~40分鐘即可。在一定溫度下加熱一段時間後，所述高分子聚合物膜內部的交聯程度變高，此時，所述高分子聚合物膜易被撕下，且所述高分子聚合物膜僅與所述奈米碳管膜結構103粘合在一起，所述高分子聚合物膜與所述奈米碳管膜結構103之間的結合力大於所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103之間的結合力，則撕下所述高分子聚合物膜時，所述奈米碳管膜結構103亦被撕下。
步驟（3），撕下所述高分子聚合物膜105，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜105撕下而被去除。
可以用鑷子等工具夾取所述高分子聚合膜的一側將所述高分子聚合物膜撕下，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜105撕下而被撕下，而所述二維奈米材料102完整地留在所述目標基底104的表面，所述二維奈米材料102表面無破損、無殘留。
第二種方法具體包括下述步驟。
（A）所述奈米碳管膜結構103由n層奈米碳管膜交叉層迭設置而成時，其中，n≥2，沿奈米碳管的延伸方向，用鑷子等工具依次撕下所述奈米碳管膜結構103表面的第1層~第n-1層奈米碳管膜。
（B）提供至少一條狀結構，將所述條狀結構放置在第n層奈米碳管膜的表面，所述條狀結構設置於所述二維奈米材料102所在區域的一側，且所述條狀結構的延伸方向垂直於所述第n層奈米碳管膜中奈米碳管的延伸方向。
優選地，提供至少兩個條狀結構，且所述至少兩個條狀結構設置於所述二維奈米材料102所在區域的兩側。
（C）沿所述奈米碳管的延伸方向撕下所述條狀結構，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被去除。
其中，所述條狀結構具有一定的粘性而能夠與所述第n層奈米碳管粘合在一起，所述條狀結構可為高分子聚合物膜或透明膠帶等，由於所述第n層奈米碳管膜為一連續性膜，故在撕下所述條狀結構的過程中，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被撕下，而所述二維奈米材料完整地保留在所述目標基底104的表面。
以上兩種方法，均可以完全去除所述二維奈米材料102表面的奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102表面無殘留，且所述二維奈米材料保持完整，沒有破損。
請一併參閱圖4，為轉移後的石墨烯的透射電鏡照片；從圖4可以看出，轉移後的石墨烯表面非常乾淨、無破損。
本發明提供的懸空二維奈米材料的製備方法利用奈米碳管膜將二維奈米材料轉移至一具有至少一個通孔的目標基底從而得到一懸空二維奈米材料，其具有以下優點：其一，製備的懸空二維奈米材料表面乾淨、沒有殘膠，且用奈米碳管膜轉移二維奈米材料為純碳轉移，不會引入其它的雜質；其二，製備的懸空二維奈米材料表面無褶皺和裂紋，幾乎無破損，完整度高；其三，奈米碳管膜具有一定的透光性而透明度較高，透過奈米碳管膜可以看到二維奈米材料的位置，在體視顯微鏡下可以精准地將二維奈米材料轉移到目標基底的特定位置；其四，奈米碳管膜具有一定的柔韌性，利用奈米碳管膜可以將二維奈米材料轉移至一曲面基底上，適用範圍廣。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
101‧‧‧第一基底
102‧‧‧二維奈米材料
103‧‧‧奈米碳管膜結構
104‧‧‧目標基底
105‧‧‧通孔
圖1為本發明實施例提供的製備懸空二維奈米材料的工藝流程圖。
圖2為生長於銅箔表面的單層石墨烯的光學顯微鏡照片。
圖3為將奈米碳管膜結構覆蓋於銅箔生長有石墨烯的表面的光學顯微鏡照片。
圖4為轉移後的石墨烯的透射電鏡照片。
無
Claims (10)
- 一種懸空二維奈米材料的製備方法，其具體包括以下步驟： 提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料； 將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面； 用腐蝕液去除所述第一基底，將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗； 提供一目標基底，所述目標基底具有至少一個通孔，利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述二維奈米材料與所述目標基底貼合併覆蓋所述目標基底的至少一個通孔； 去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面，並在所述通孔的位置懸空。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述二維奈米材料為石墨烯、硫化鉬及氮化硼中的一種。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述奈米碳管膜結構為一自支撐結構，由至少兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成。
- 如請求項第3項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述奈米碳管膜包括包括複數首尾相連且沿同一方向延伸的奈米碳管，所述複數奈米碳管的延伸方向基本平行於所述奈米碳管膜的表面，相鄰兩層奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°＜α≤90°。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述通孔的孔徑為0.1微米~100微米。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述清洗液為酸溶液或超純水。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述去除所述奈米碳管膜結構具體包括以下步驟： 在所述奈米碳管膜結構遠離所述目標基底的表面形成一高分子聚合物膜； 採用加熱或輻照處理所述高分子聚合物膜； 撕下所述高分子聚合物膜，所述奈米碳管膜結構隨所述高分子聚合物膜撕下而被去除。
- 如請求項第7項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，經加熱或輻照處理後，所述高分子聚合物膜內部交聯程度變高，所述奈米碳管膜結構與所述高分子聚合物膜之間的結合力大於所述奈米碳管膜結構與所述二維奈米材料之間的結合力。
- 如請求項第1項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述去除所述奈米碳管膜結構具體包括以下步驟： 所述奈米碳管膜結構由n層奈米碳管膜交叉層迭設置而成時，其中，n≥2，沿奈米碳管的延伸方向，用鑷子依次撕下所述奈米碳管膜結構表面的第1層~第n-1層奈米碳管膜； 提供至少一條狀結構，將所述條狀結構放置在第n層奈米碳管膜的表面，所述條狀結構設置於所述二維奈米材料所在區域的一側，且所述條狀結構的延伸方向垂直於所述第n層奈米碳管膜中奈米碳管的延伸方向； 沿所述奈米碳管的延伸方向撕下所述條狀結構，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被去除。
- 如請求項第9項所述的懸空二維奈米材料的製備方法，其中，所述條狀結構為高分子聚合物膜或透明膠帶。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810080247.7A CN110092349B (zh) | 2018-01-27 | 2018-01-27 | 悬空二维纳米材料的制备方法 |
| CN201810080247.7 | 2018-01-27 | ||
| ??201810080247.7 | 2018-01-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201932409A true TW201932409A (zh) | 2019-08-16 |
| TWI678333B TWI678333B (zh) | 2019-12-01 |
Family
ID=67391817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107104856A TWI678333B (zh) | 2018-01-27 | 2018-02-12 | 懸空二維奈米材料的製備方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10814597B2 (zh) |
| JP (1) | JP6666484B2 (zh) |
| CN (1) | CN110092349B (zh) |
| TW (1) | TWI678333B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI748348B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體型奈米碳管的獲取方法 |
| TWI824256B (zh) * | 2021-06-09 | 2023-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 掃描電子顯微鏡樣品的處理方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110092349B (zh) * | 2018-01-27 | 2022-08-16 | 清华大学 | 悬空二维纳米材料的制备方法 |
| CN110092350A (zh) * | 2018-01-27 | 2019-08-06 | 清华大学 | 利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法 |
| CN110098099B (zh) * | 2018-01-27 | 2020-09-29 | 清华大学 | 透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法 |
| CN112410752B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-11-16 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种单层二硫化钼及其洁净转移的方法与应用 |
| CN111703139A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-25 | 东旭光电科技股份有限公司 | 一种悬浮石墨烯薄膜及其制备方法 |
| US11784059B2 (en) * | 2020-09-23 | 2023-10-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for preparing semiconductor sample with etched pit suitable for microscope observation |
| CN113264522B (zh) * | 2021-06-21 | 2022-08-23 | 松山湖材料实验室 | 一种二维材料的转移方法 |
| CN113421845B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-05-17 | 中国科学技术大学 | 一种悬浮二维材料异质结的转移方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007053202A2 (en) * | 2005-06-17 | 2007-05-10 | Georgia Tech Research Corporation | Systems and methods for nanomaterial transfer |
| WO2007011076A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Attaching method of nano materials using langmuir-blodgett |
| US7850778B2 (en) * | 2005-09-06 | 2010-12-14 | Lemaire Charles A | Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom |
| WO2008059973A1 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Japan Science And Technology Agency | Procédé pour former des pores dans un nanomatériau de carbone graphite et procédé pour introduire un groupe contenant de l'oxygène dans des pores |
| US20100009165A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Zyvex Performance Materials, Llc | Multifunctional Nanomaterial-Containing Composites and Methods for the Production Thereof |
| JP5374354B2 (ja) | 2009-12-25 | 2013-12-25 | 日東電工株式会社 | カーボンナノチューブ複合構造体および粘着部材 |
| CN101764051A (zh) * | 2010-01-15 | 2010-06-30 | 电子科技大学 | 一种石墨烯薄膜的转移方法 |
| CN101901640A (zh) * | 2010-06-21 | 2010-12-01 | 南京邮电大学 | 一种柔性透明导电石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN102315058B (zh) * | 2010-07-07 | 2013-12-11 | 清华大学 | 透射电镜微栅及其制备方法 |
| CN102737935B (zh) | 2011-04-14 | 2015-08-26 | 清华大学 | 透射电镜微栅 |
| KR101248931B1 (ko) * | 2011-05-24 | 2013-04-01 | 성균관대학교산학협력단 | 마이크로 채널 및 이를 이용한 열 전도 장치 |
| CN102802109B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-10-08 | 清华大学 | 热致发声元件的制备方法 |
| CN102796991B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-08-20 | 清华大学 | 石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法 |
| CN102795613B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-09-10 | 清华大学 | 石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法 |
| US9177688B2 (en) * | 2011-11-22 | 2015-11-03 | International Business Machines Corporation | Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor |
| CN102602916A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-25 | 南京先丰纳米材料科技有限公司 | 一种大面积石墨烯薄膜的异地应用方法 |
| CN103359723B (zh) | 2012-04-05 | 2015-01-21 | 清华大学 | 石墨烯纳米窄带的制备方法 |
| WO2014064057A2 (en) | 2012-10-23 | 2014-05-01 | Universität Zürich | Method for preparing a substantially clean monolayer of a two-dimensional material |
| TWI520901B (zh) * | 2013-09-03 | 2016-02-11 | 中央研究院 | 石墨烯層轉印之方法 |
| CN103746072B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-06-22 | 河南省科学院应用物理研究所有限公司 | 一种图形化巨磁阻复合材料薄膜制备方法 |
| CN104973585B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-04-05 | 清华大学 | 碳纳米管膜的制备方法 |
| CN104973587B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-05-17 | 清华大学 | 碳纳米管膜的制备方法 |
| CN104973586B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-06-06 | 清华大学 | 碳纳米管膜的制备方法 |
| CN105271105B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-01-25 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
| CN105329872B (zh) * | 2014-06-16 | 2017-04-12 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
| KR102391844B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2022-04-29 | 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 그래핀의 제조 및 전사 방법 |
| US9449787B2 (en) | 2014-08-07 | 2016-09-20 | The Regents Of The University Of California | Liquid flow cells having graphene on nitride for microscopy |
| CN206163454U (zh) | 2016-07-20 | 2017-05-10 | 中国科学院物理研究所 | 多孔氮化硅支撑膜窗格及其用于透射电镜成像的装置 |
| CN110092349B (zh) * | 2018-01-27 | 2022-08-16 | 清华大学 | 悬空二维纳米材料的制备方法 |
| CN110092350A (zh) * | 2018-01-27 | 2019-08-06 | 清华大学 | 利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法 |
| CN110092351B (zh) * | 2018-01-27 | 2022-08-16 | 清华大学 | 利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法 |
-
2018
- 2018-01-27 CN CN201810080247.7A patent/CN110092349B/zh active Active
- 2018-02-12 TW TW107104856A patent/TWI678333B/zh active
-
2019
- 2019-01-20 US US16/252,701 patent/US10814597B2/en active Active
- 2019-01-24 JP JP2019010336A patent/JP6666484B2/ja active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI748348B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體型奈米碳管的獲取方法 |
| TWI824256B (zh) * | 2021-06-09 | 2023-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 掃描電子顯微鏡樣品的處理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019127434A (ja) | 2019-08-01 |
| CN110092349A (zh) | 2019-08-06 |
| JP6666484B2 (ja) | 2020-03-13 |
| TWI678333B (zh) | 2019-12-01 |
| US20190232631A1 (en) | 2019-08-01 |
| CN110092349B (zh) | 2022-08-16 |
| US10814597B2 (en) | 2020-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI678333B (zh) | 懸空二維奈米材料的製備方法 | |
| TWI688543B (zh) | 利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法 | |
| KR102513763B1 (ko) | 그래핀의 제조 및 전사 방법 | |
| Qing et al. | Towards large-scale graphene transfer | |
| US8580132B2 (en) | Method for making strip shaped graphene layer | |
| US9181100B2 (en) | Method of transferring a graphene film | |
| TWI679167B (zh) | 利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法 | |
| TWI705933B (zh) | 奈米碳管陣列的表面修復方法 | |
| TWI636003B (zh) | 奈米微結構的製備方法 | |
| TW201939567A (zh) | 透射電鏡微柵及透射電鏡微柵的製備方法 | |
| CN111115615B (zh) | 碳纳米管阵列的转移方法 | |
| TWI439374B (zh) | 石墨烯薄膜轉移方法 | |
| CN114394589B (zh) | 一种在含氧化层硅衬底上转移应变石墨烯的方法 | |
| CN111320164A (zh) | 一种悬空石墨烯结构的制备方法及由其得到的悬空石墨烯结构和应用 | |
| JP5878208B2 (ja) | ナノ構造体の転移方法 | |
| TW201203306A (en) | Transmission electron microscope grid and method for making same |