TWI679167B - 利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其包括將一奈米碳管複合膜覆蓋在一形成有二維奈米材料的基底的表面，去除所述基底後形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構及將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至一目標基底的表面，最後去除所述奈米碳管複合膜，從而實現二維奈米材料的轉移。與先前技術相比，本發明提供的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，乾淨、不會引入其它雜質，轉移後的二維奈米材料幾乎無破損、完整度高。

Description

利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法
本發明涉及一種二維奈米材料的轉移方法，尤其涉及一種利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法。
二維奈米材料如石墨烯、氮化硼、二硫化鉬等由於優異的性質成為化學、材料學、物理學的研究熱點。規模化製備和轉移仍然是二維奈米材料研究的重點。目前，從銅等基底轉移二維奈米材料的最常用的方法是：採用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或熱釋放膠帶等作為轉移媒介，蝕刻銅後，將二維奈米材料和轉移媒介轉移到目標基底上，最後去除轉移媒介。但在實際操作中，PMMA或熱釋放膠帶不易清除乾淨，殘留的有機粘合劑會對二維奈米材料造成很大的污染，進而影響性能表徵和器件製備。
此外，還有人提出一種無膠轉移法，即不使用轉移媒介，直接將目標基底與生長基底上生長的二維奈米材料接觸並熱壓印，蝕刻去除生長基底，完成二維奈米材料由生長基底至目標基底的轉移。但使用這種方法，轉移後的二維奈米材料褶皺和皺紋較多，二維奈米材料在轉移過程中容易破損。
有鑑於此，確有必要提供一種乾淨、無污染、二維奈米材料不易破損的轉移方法。
一種利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料；提供一奈米碳管複合膜，將所述奈米碳管複合膜覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面，所述奈米碳管複合膜包括一奈米碳管膜結構和形成於該奈米碳管膜結構一表面的奈米材料，所述奈米碳管膜結構的另一表面與所述二維奈米材料接觸；去除所述第一基底，所述二維奈米材料與所述奈米碳管複合膜形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構；提供一目標基底，將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至該目標基底的表面，且所述目標基底與所述二維奈米材料接觸；去除所述奈米碳管複合膜，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面。
與先前技術相比，本發明提供的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，乾淨、不會引入其它雜質，轉移後的二維奈米材料幾乎無破損、完整度高。
101‧‧‧第一基底
102‧‧‧二維奈米材料
103‧‧‧奈米碳管複合膜
104‧‧‧目標基底
105‧‧‧奈米碳管膜結構
106‧‧‧奈米材料
圖1為本發明第一實施例提供的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的工藝流程圖。
圖2為本發明第一實施例提供的奈米碳管複合膜的結構示意圖。
圖3為本發明第一實施例提供的奈米碳管複合膜的體視顯微鏡照片。
圖4為轉移後的石墨烯的透射電鏡照片。
圖5為轉移後的硫化鉬的光學顯微鏡照片。
以下將結合附圖及具體實施例詳細說明本發明提供的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法。
請一併參閱圖1，本發明第一實施例提供一種利用碳奈米複合膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟：S1，提供一第一基底101，所述第一基底101表面形成有二維奈米材料102；S2，提供一奈米碳管複合膜103，將所述奈米碳管複合膜103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面，所述奈米碳管複合膜包括一奈米碳管膜結構105和形成於該奈米碳管膜結構105一表面的奈米材料106，所述奈米碳管膜結構105的另一表面與所述二維奈米材料102接觸；S3，去除所述第一基底101，所述二維奈米材料102與所述奈米碳管複合膜103形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構；S4，提供一目標基底104，將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至該目標基底104表面，且該目標基底104與所述二維奈米材料102接觸；S5，去除所述奈米碳管複合膜103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面。
步驟S1中，提供一第一基底101，所述第一基底101表面形成有二維奈米材料102。
所述第一基底101主要作為二維奈米材料生長和穩定存在的載體，其本身具有一定的穩定性，但可以籍由化學方法或物理方法去除。所述第一基底101根據不同的應用可選用半導體材料或金屬材料等，具體地，所述第一基底101可為矽片、銅箔、鎳箔或銅鎳合金等。
可以籍由各種方法如化學氣相沉積法在所述第一基底101表面形成所述二維奈米材料102。所述二維奈米材料102可為石墨烯、氮化硼、二硫化鉬等。所述二維奈米材料的層數不限，可為一層、兩層或多層。
本實施例中，所述第一基底101為一銅箔，所述二維奈米材料102為籍由化學氣相沉積法在銅箔表面生長得到的單層石墨烯。
步驟S2中，提供一奈米碳管複合膜103，將所述奈米碳管複合膜103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面，所述奈米碳管複合膜包括一奈米碳管膜結構105和形成於該奈米碳管膜結構105一表面的奈米材料106，所述奈米碳管膜結構105的另一表面與所述二維奈米材料102接觸。
請一併參閱圖2，所述奈米碳管複合膜103包括一奈米碳管膜結構105及一奈米材料106，所述奈米材料106僅形成於所述奈米碳管膜結構105的其中一個表面。
所述奈米碳管膜結構105為一自支撐結構，由多層奈米碳管膜層迭設置而成，其中，所述奈米碳管膜包括複數籍由凡得瓦力首尾相連且沿同一方向擇優取向排列的奈米碳管，所述複數奈米碳管的延伸方向基本平行於所述奈米碳管膜的表面，相鄰兩層奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°<α
Figure TWI679167B_D0001
90°。所述奈米碳管膜結構105具有複數微孔，可以理解，所述奈米碳管膜結構105中奈米碳管膜的層數越多，所述微孔的孔徑越小、數量越少，優選地，所述奈米碳管膜結構105由兩層奈米碳管膜層迭設置而成。
所述奈米碳管膜為直接從一奈米碳管陣列中拉取獲得，其具體包括下述步驟。
首先，提供一形成於一生長基底的奈米碳管陣列，該陣列為超順排的奈米碳管陣列。
該奈米碳管陣列採用化學氣相沉積法製備，該奈米碳管陣列為複數彼此平行且垂直於生長基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。該奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等，適於從中拉取奈米碳管膜。
其次，採用一拉伸工具從所述奈米碳管陣列中拉取奈米碳管獲得一奈米碳管膜，其具體包括以下步驟：從所述超順排奈米碳管陣列中選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管，可以採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管；以一定速度拉伸該選定的奈米碳管，從而形成首尾相連的複數奈米碳管片段，進而形成一連續的奈米碳管膜。該拉取方向沿基本垂直于奈米碳管陣列的生長方向。
在上述拉伸過程中，該複數奈米碳管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離生長基底的同時，由於凡得瓦力作用，該選定的複數奈米碳管片段分別與其它奈米碳管片段首尾相連地連續地被拉出，從而形成一連續、均勻且具有一定寬度的自支撐的奈米碳管膜。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管膜無需籍由一支撐體支撐，亦能保持一膜的形狀。該奈米碳管膜包括複數基本沿同一方向擇優取向排列且籍由凡得瓦力首尾相連的奈米碳管，該奈米碳管基本沿拉伸方向排列並平行於該奈米碳管膜表面。
製備出奈米碳管膜之後，將所述複數奈米碳管膜層迭且交叉鋪設以形成所述奈米碳管膜結構105。具體操作步驟包括：先將一奈米碳管膜沿一個方向覆蓋至一框架上；再將另一奈米碳管膜沿另一方向覆蓋至先前的奈米碳管膜表面，如此反復多次，在該框架上鋪設複數奈米碳管膜，從而形成一奈米碳管複合膜。注意地是，該複數奈米碳管膜可沿各自不同的方向鋪設，亦可僅沿兩個交叉的方向鋪設。
由於該奈米碳管膜具有較大的比表面積，是以該奈米碳管膜具有較大粘性，故多層奈米碳管膜可以相互籍由凡得瓦力緊密結合形成一穩定的奈米碳管膜結構105。
所述奈米碳管膜結構105具有兩個表面，所述奈米材料106僅形成於所述奈米碳管膜結構105的其中一個表面。所述奈米材料106可以連續，所述奈米材料106連續地形成於所述奈米碳管膜結構105中每個奈米碳管的表面而形成一連續的層狀結構。所述奈米材料106亦可以不連續，所述奈米材料106僅形成於相鄰兩層奈米碳管膜中的奈米碳管的交叉位置。無論奈米材料106連續與否，在奈米碳管的交叉位置，奈米碳管表面的奈米材料106連成一體，進一步將該相鄰的奈米碳管固定在一起，從而可提高整個奈米碳管膜結構105的結構穩定性，使所述奈米碳管複合膜103成為一個穩定的整體結構。
所述奈米材料106的材料為具有一定化學穩定性的材料，可為惰性金屬、金屬氧化物、半導體氧化物、氮化物等，具體地，可為金、鉑、鈦、氧化鋁、二氧化矽、氮化硼以及氮化矽等中的一種或多種。所述奈米材料106的厚度為1奈米~500奈米，優選地，厚度為10奈米~100奈米。可以採用化學氣相沉積法等化學方法或蒸鍍、濺射等物理方法在所述奈米碳管膜結構105的一個表面形成所述奈米材料106。需要注意地是，在奈米碳管膜結構105的一個表面形成所述奈米材料106之前，預先使用有機溶劑處理所述奈米碳管膜結構105，即採用有機溶劑浸潤所述奈米碳管膜結構105，使所述奈米碳管膜結構中的相鄰兩層奈米碳管膜結合更緊密，有利於奈米碳管交叉位置處形成的奈米材料形連成一體。
由於所述奈米材料106的厚度較小，並不會使得所述奈米碳管膜結構105中的微孔被完全填滿，是以，所述奈米碳管複合膜103仍具有複數微孔，所述複數微孔從所述奈米碳管複合膜的厚度方向貫穿該奈米碳管複合膜，故所 述奈米碳管複合膜103具有一定的透光性而具有透明度，圖3(a)圖為金與奈米碳管膜結構複合而成的奈米碳管複合膜的體視顯微鏡照片，所述奈米碳管複合膜鋪設在一表面形成金電極的矽片上，從圖3(a)圖可以看出，所述奈米碳管複合膜透明度較高，透過所述奈米碳管複合膜可以清楚的看到金電極的位置。
此外，所述奈米材料106的厚度較小，所以奈米碳管膜結構105的柔韌性不會受到影響，所述奈米碳管複合膜103具有較好的柔韌性，故可以利用該奈米碳管複合膜103可以將二維奈米材料102轉移至一曲面基底的表面。
將所述奈米碳管複合膜103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面，所述奈米碳管複合膜103籍由凡得瓦力與所述第一基底101表面的二維奈米材料102貼合在一起而形成一第一基底/二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構。進一步地，可以採用有機溶劑處理所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構，利用有機溶劑揮發的表面張力增加所述奈米碳管複合膜103和所述二維奈米材料102之間的結合力。
所述使用有機溶劑處理的步驟具體為：將有機溶劑均勻滴加在所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構中奈米碳管複合膜103的表面上並浸潤整個奈米碳管複合膜103，或者，亦可將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。所述有機溶劑為常溫下易揮發的有機溶劑，可選用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷和氯仿中一種或者幾種的混合。
籍由有機溶劑處理後，所述奈米碳管複合膜103和所述二維奈米材料102籍由凡得瓦力的作用和溶劑表面張力的作用而緊密貼合在一起。
本實施例中，所述奈米碳管膜結構105由兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成，所述奈米材料為金，所述金的厚度為30奈米；待所述奈米碳管複合膜103覆蓋於所述銅箔生長有石墨烯的表面後，向覆蓋了奈米碳管複合膜的 銅箔表面滴加乙醇，利用乙醇揮發的表面張力增加所述奈米碳管複合膜103與石墨烯之間的結合力。
步驟S3中，去除所述第一基底101，所述二維奈米材料102與所述奈米碳管複合膜103形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構。
可以採用一腐蝕液去除所述第一基底101，具體地，可以將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構放置於腐蝕液中飄浮使所述第一基底101與所述腐蝕液發生化學反應，直至所述第一基底101被腐蝕乾淨，而所述奈米碳管複合膜103由於自身的疏水性漂浮在腐蝕液表面不會下沉，所述二維奈米材料102由於與所述奈米碳管複合膜103之間的凡得瓦力而緊緊地附著在所述奈米碳管複合膜103的下表面。所述奈米碳管複合膜103本身具有一定的自支撐作用，可以作為所述二維奈米材料102穩定存在的載體而不破壞或減少破壞所述二維奈米材料102。
所述腐蝕液的作用為腐蝕所述第一基底101。所述腐蝕液可以是酸液、堿液或鹽溶液，例如氯化鐵溶液、過硫酸銨溶液等，然選擇腐蝕液時，既要保證所述腐蝕液能夠腐蝕去除所述第一基底101，又要保證所述腐蝕液不能與所述奈米材料106發生反應。可以理解，由於所述第一基底101的大小和厚度以及所使用腐蝕液的濃度和種類的不同，其所需要的腐蝕時間亦不同。
待所述第一基底101被腐蝕乾淨後，所述奈米碳管複合膜103與所述二維奈米材料102形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構。可以進一步清洗所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構，去除所述二維奈米材料表面殘留的雜質，其具體包括以下步驟：利用一載玻片從所述腐蝕液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構； 籍由所述載玻片將所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合複合結構轉移到一清洗液表面，漂洗掉殘留的雜質，如此反復多次。
其中，所述清洗液為酸溶液或超純水。
本實施例中，所述腐蝕液為濃度為0.1mol/L的過硫酸銨溶液，所述腐蝕時間為2小時~3小時，所述清洗液為超純水。
步驟S4中，提供一目標基底104，將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至該目標基底104表面，且該目標基底104與所述二維奈米材料102接觸。
所述目標基底104用於承載所述二維奈米材料102。所述目標基底104的材料不限，可為金屬材料，例如金、鋁、鎳、鉻、銅等，可為半導體材料，例如矽、氮化鎵、砷化鎵等，亦可以絕緣材料，例如二氧化矽、氮化矽等。所述目標基底104的長度、寬度及厚度不限，可根據需要調整。所述目標基底104的表面可為一平面，亦可為一曲面。所述目標基底104可為一沒有通孔的基底。所述目標基底104亦可為一具有至少通孔的基底，所述通孔可以籍由蝕刻的方法形成，所述通孔的孔徑為0.1微米~100微米，優選地，所述通孔的孔徑為0.5微米~50微米，所述通孔的形狀可為圓形、四邊形、六邊形、八邊形或橢圓形等。當所述目標基底104具有複數通孔時，所述複數通孔的形狀及排列方式不限，所述複數通孔之間的距離可相等或不等，優選地，所述複數通孔均勻分佈在所述目標基底104中。本實施例中，所述目標基底104選用多孔氮化矽基底，所述多孔氮化矽基底的表面為一平面，所述多孔氮化矽基底具有複數通孔，所述通孔的孔徑為2微米。
所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底104表面的方式不限，只需要保證轉移之後所述二維奈米材料102與所述目標基底104接觸即可，例如可以用鑷子夾取所述奈米碳管複合膜的一側而將所述二 維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底104的表面。本實施例中，所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底104表面具體包括以下步驟：將所述目標基底104插入所述清洗液中；利用所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構，使所述目標基底104與所述二維奈米材料102貼合；乾燥所述目標基底104及該目標基底104表面的二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構。
本實施例中，所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構，在撈起的過程中該複合結構轉移至所述目標基底104的表面，可以減少所述二維奈米材料102表面的褶皺和裂紋，且有助於增強所述二維奈米材料102與所述目標基底104之間的結合力。
需要注意地是，由於所述奈米碳管複合膜103具有一定的透光性而透明度較高，在體視顯微鏡下，透過所述奈米碳管複合膜103可以觀察到所述二維奈米材料102的位置，可以預先使所述二維奈米材料102對準所述目標基底104，再將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底104的表面，從而可使得所述所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的特定位置，而實現所述二維奈米材料102的定點轉移，這是利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的優點之一。
步驟S5中，去除所述奈米碳管複合膜103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面。
所述奈米材料106將所述奈米碳管膜結構105中的相鄰的奈米碳管固定在一起，所述奈米碳管膜結構105與所述奈米材料106形成的奈米碳管複合膜103為一個穩定的整體結構，是以，在體視顯微鏡下，可以直接用鑷子等工 具夾取所述奈米碳管複合膜103的一側而撕下所述奈米碳管複合膜103，這樣可以完全去除所述二維奈米材料102表面的奈米碳管複合膜103，所述二維奈米材料102表面無殘留、無破損。
請一併參閱圖3(b)圖，在體視顯微鏡下，夾取所述奈米碳管複合膜103的一角即可完全撕下所述奈米碳管複合膜103。
圖4為本實施例提供的轉移後的石墨烯的透射電鏡照片；從圖4可以看出，轉移後的石墨烯表面非常乾淨、無破損。
本發明第二實施例提供了一種利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法。本發明第二實施例提供的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法與本發明第一實施例提供的方法基本相同，其區別在於，本發明第二實施例中，所述二維奈米材料為生長於矽基底表面的硫化鉬，所述目標基底為一表面鋪設有金電極的矽片。圖5為轉移後的硫化鉬的光學顯微鏡照片；從圖5可以看出，硫化鉬的形狀維持三角形，表面保持完整、無破損。
本發明提供的一種利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法具有以下優點：其一，與以往用PMMA等聚合物轉移二維奈米材料的方法相比，本發明轉移後的二維奈米材料表面乾淨、無殘膠；其二，與沒有轉移媒介的轉移方法相比，本發明轉移後的二維奈米材料褶皺和裂紋少、破損率低、完整度高；其三，奈米碳管複合膜透明度較高，在體視顯微鏡下透過奈米碳管複合膜可以看到二維奈米材料的位置，可以精准地將二維奈米材料轉移到目標基底的特定位置；其四，奈米碳管複合膜具有一定的柔韌性，可以將二維奈米材料轉移至一曲面基底上；其五，利用奈米碳管複合膜可以地將二維奈米材料轉移至一具有至少一個通孔的目標基底上，從而得到一懸空二維奈米材料。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專 利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料；提供一奈米碳管複合膜，將所述奈米碳管複合膜覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面，所述奈米碳管複合膜包括一奈米碳管膜結構和形成於該奈米碳管膜結構一表面的奈米材料，所述奈米碳管膜結構的另一表面與所述二維奈米材料接觸；去除所述第一基底，所述二維奈米材料與所述奈米碳管複合膜形成一二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構；提供一目標基底，將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底的表面，且所述目標基底與所述二維奈米材料接觸；去除所述奈米碳管複合膜，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面。
  2. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米碳管膜結構為一自支撐結構，由至少兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成。
  3. 如請求項2所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米碳管膜包括複數籍由凡得瓦力首尾相連且沿同一方向擇優取向延伸的奈米碳管，所述複數奈米碳管的延伸方向平行於所述奈米碳管膜結構的表面，相鄰奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°<α90°。
  4. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米材料為惰性金屬、金屬氧化物、半導體氧化物及氮化物中的一種或多種。
  5. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米碳管複合膜具有複數微孔，所述複數微孔從所述奈米碳管複合膜的厚度方向貫穿該奈米碳管複合膜。
  6. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米材料將奈米碳管膜結構中的相鄰的奈米碳管固定在一起。
  7. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米材料的厚度為10奈米~100奈米。
  8. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，去除所述第一基底後，進一步將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構放置於一清洗液漂洗。
  9. 如請求項8所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述將所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構轉移至所述目標基底的表面具體包括以下步驟：將所述目標基底插入所述清洗液中；利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構，使所述目標基底與所述二維奈米材料貼合；乾燥所述目標基底及該目標基底表面的二維奈米材料/奈米碳管複合膜複合結構。
  10. 如請求項1所述的利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述去除所述奈米碳管複合膜的方法為用鑷子夾取所述奈米碳管複合膜的一側而撕下所述奈米碳管複合膜。
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