TW201930613A

TW201930613A - 墊片、硬碟及墊片之製造方法

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Publication number: TW201930613A
Application number: TW107145917A
Authority: TW
Inventors: 西田幸寬; 河野明訓; 坪井耕一; 溝口太一朗; 鈴木聡
Original assignee: 日商日新製鋼股份有限公司
Priority date: 2017-12-26
Filing date: 2018-12-19
Publication date: 2019-08-01
Also published as: WO2019131084A1; JP2019112706A; CN111511937B; PH12020550939A1; CN111511937A; TWI758572B; JP6753613B2

Abstract

本案實現了具有良好磁特性的墊片。墊片(12)係將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀之後，將成形為環狀的該板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度一邊加熱一邊加壓製造而成。

Description

墊片、硬碟及墊片之製造方法

本發明關於墊片、硬碟及墊片之製造方法。

磁碟裝置(例如硬碟)的小型化以及大容量化從過去持續不斷地發展。儲存容量為大容量的磁碟裝置具備複數個磁碟，環狀的墊片插入於該等磁碟之間，墊片與磁碟一起旋轉。

於此，傳統的墊片大多是將具有良好切削性的快削不銹鋼進行切削加工而製造，然而由於快削不銹鋼含有S或Pb，因此鋼材價格高而攸關成本攀升。是以，比起快削不銹鋼來說，S或Pb的含量較少且相對較便宜的肥粒鐵系不銹鋼的板材，對其進行沖孔加工等以製造墊片的技術研究正持續進行中。

例如，專利文獻1當中揭示了一種墊圈的製造方法，其為將具特定板厚的金屬板作沖孔以形成大致環狀的原型圈，將經由特定製程而形成於元件環的環狀舌片的底端以剪切工具剪切而製造出墊圈。此外，例如專利文獻2當中揭示了一種墊片，其係使用表面硬度的變化在以平均值為中心情況下為上下4%以內，晶粒度號數為5.0～9.0，且殘留壓縮應力為80MPa以下的肥粒鐵系不銹鋼的軋延板材所製造。此墊片係藉由將軋延板材作沖孔加工而加工為環狀進而成形。

[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利公開公報「特開平2001-167548 (2001年6月22日公開) 」
[專利文獻2] 日本專利公開公報「特開平2013-222487 (2013年10月28日公開) 」

[發明所欲解決問題]
然而，藉由於專利文獻1中所揭示的方法所製造的墊圈的內部會產生殘留應力，因此於製造製程的最後階段或是組裝進磁碟中時，形狀不穩定而成為磁碟扭曲的因素。關於此點，於專利文獻2所揭示的墊片在關於殘留應力的問題上雖然在一定程度上得到解決，但由於其為藉由沖孔加工成形，因此磁特性受損。而上述墊圈也同樣地由於施加了沖孔加工或是沖壓加工，因而與上述墊片同樣的磁特性受損。然而，在專利文獻1及2當中，都未記載或是暗示有關施加不會損害墊圈及墊片的磁特性的處理以提升配置於硬碟的馬達的旋轉性能之技術。

本發明的一態樣為有鑑於上述各問題點，以提供一種以高效率實現能源負荷小的硬碟，並且具有良好磁特性的墊片為目的。

[解決問題之手段]
為了解決上述問題，本發明一態樣的墊片係為一種墊片，其配置於硬碟中，且該墊片係將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀之後，將成形為環狀的該板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1(以下僅記載為「Acl」)的溫度一邊加熱一邊加壓製造而成。

此外，為了解決上述問題，本發明一態樣的墊片之製造方法為一種配置於硬碟的墊片的製造方法，其包含：第一製程，將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀；及第二製程，將於該第一製程成形為環狀的該板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度一邊加熱一邊加壓。

[發明之功效]
根據本發明一態樣，可提供以高效率實現能源負荷小的硬碟，並且具有良好磁特性的墊片。

以下，針對本發明的實施型態進行說明。此外，以下記載內容為促使充分瞭解本發明之主旨，若無特別指定則並不限定本發明。此外，於本說明書中所謂「A～B」表示A以上B以下。

使用於製造本發明之一態樣的墊片的肥粒鐵系不銹鋼，係適用於製造相對較小(例如直徑50mm以下或是高度20mm以下)且要求高尺寸精確度的成形品的不銹鋼。

此外，於本說明書當中所謂的沃斯田鐵變態開始溫度Ac1(以下或僅記載為「Ac1」)，係指因加熱而於環狀的鋼材組織中開始形成沃斯田鐵的溫度，其因應肥粒鐵系不銹鋼的含有成分的比例而變化。於試驗室中確認到，用於本發明一態樣之肥粒鐵系不銹鋼的Acl與含有成分之間具有下述式1的關係。因此，於本發明當中，將於式(1)所求得的值AC[℃]作為加熱溫度上限的指標，也就是Acl。於本實施型態中，使用令AC為約1150℃以下的含有成分比例的肥粒鐵系不銹鋼。

(式1)
AC[℃]＝- 221C + 64Si - 40Mn - 80Ni + 20Cr - 247N + 1240Al + 486Ti + 602

＜硬碟的結構＞
首先，參照圖1，針對本發明一實施型態中的硬碟1的結構進行說明。圖1係表示本發明一實施型態之硬碟1的概略構成的剖面圖。如圖1所示，硬碟1於護罩2內具備3片的碟片11，護罩2為將裝置內部密閉起的密閉盒狀。碟片11藉由轉軸馬達20旋轉，而些微地從碟片11表面浮起的磁頭30進行碟片11的寫入以及讀取。

旁鄰的2片碟片11之間分別設置有墊片12(詳細待後述)。此墊片12為環狀且配置為包圍著轉軸馬達20的旋轉轂21周圍。將圓盤狀的夾持器22以螺絲緊固於旋轉轂21的上端部。藉由夾持器22的彈性變形來擠壓碟片11的內周部，將複數個的碟片11與複數個的墊片12，保持於旋轉轂21底部的大直徑部分與夾持器22之間。此外，亦可藉由螺絲23以外的部件來固定夾持器22。

硬碟通常有2.5英寸的規格以及3.5英寸的規格。於3.5吋規格的硬碟當中，為了要使用玻璃碟片及不銹鋼墊片的組合，因而對於不銹鋼製墊片的尺寸精確度較為要求。

＜墊片的磁特性及轉軸馬達的性能之間的關係＞
接著，參照圖2說明關於墊片12的磁特性與轉軸馬達20的性能之間的關係。圖2表示配置於硬碟的轉軸馬達20的概略構成的剖面圖以及表示墊片12周邊的磁通密度的變化的圖。

如圖2所示，轉軸馬達20當中，6個定子鐵芯20b由旋轉軸20a朝向旋轉轂21突出，並且沿著旋轉軸20a的側面延伸。各個定子鐵芯分別纏繞著定子線圈20c。

首先，使電流流經定子線圈20c以使定子鐵芯20b磁化，進而使磁化的定子鐵芯10b與磁石21a之間產生斥力或是引力。磁石21a配置於旋轉轂21中旋轉軸20a側的區域，與定子鐵芯20b相對向。接著，利用產生的斥力等，使旋轉轂21、夾持器22及碟片11旋轉。

由於旋轉轂21當中構成了極力地降低所謂「漏磁通量(leakage magnetic flux)」的磁路，因此具有作為提升轉軸馬達20性能的軛(具體來說為背軛(back yoke)之作用。所謂「漏磁通量」係指經過原本磁路之外的部分，且無助於產生斥力等的磁力線。

於此，藉著使用具有良好磁特性的墊片，使得旋轉轂21作為軛的作用更為強化。也就是說，由於墊片的磁特性係以墊片的磁通密度(或是磁導率)的大小來決定，因此當墊片的磁通密度(或磁導率)越大，「漏磁通量」就越小(圖2中從面向紙張右上角圖狀態變成右下角圖狀態)，進而提升轉軸馬達20的性能。

尤其是使用於近線(near line)用途或大容量伺服器的3.5吋規格的硬碟，其每台的碟片堆疊片數量多，施加到轉軸馬達的旋轉負載也就變大。因此，期望有著有別於習知技術的高效率轉軸馬達，而為了實現此高效率的轉軸馬達，墊片的磁特性改善也就成為了大問題。

關於此點，由於轉軸馬達20係使用具有良好磁特性的墊片12，因此，旋轉轂21作為軛的作用更為強化，其功能較習知的轉軸馬達更為提升。

＜肥粒鐵系不銹鋼的含有成分之組成＞
使用於製造墊片12的肥粒鐵不銹鋼的含有成分之組成如下所示。此外，以下所示的各種成分以外的剩餘部分為鐵(Fe)及無法避免混入的少量雜質(無法避免的雜質)。

(鉻：Cr)
Cr對肥粒鐵系不銹鋼來說為必須的元素，為了要確保其耐蝕性，以Cr濃度為11質量%以上為佳。惟，若大量含有Cr，則不鏽鋼會過度地硬質化，因此Cr濃度以19質量%以下為佳；以13質量%以下為較佳。Cr含量的調整方法並不特別限制，例如可藉由控制Cr氧化物的還原反應來調整Cr含量。

(錳：Mn)
Mn係因產生硫化物而導致對於耐釋氣性及磁特性有負面影響的元素。因此，使用於製造墊片12的肥粒鐵系不銹鋼當中，Mn的含量以儘可能少量為佳，以0.60質量%以下為佳。

(鈦：Ti)
Ti係與Nb同樣為藉由與C或N反應使肥粒鐵系不銹鋼於900～1000℃成為肥粒鐵系單相的元素。另一方面，晶粒越大磁特性就越提升，而不同於Nb，Ti對於高溫下的肥粒鐵系不銹鋼的晶粒成長幾乎無妨礙，因此由磁特性的觀點來看添加Ti更勝於添加Nb。另一方面，由於過度地添加Ti，會導致不鏽鋼的表面性質的負面影響而降低製造性，因此以含有0.05～0.50質量%以下的Ti為佳。

(碳：C)
C係因產生碳化物而導致磁特性降低的有害元素，因此C的含量為0.08質量%以下，又以0.02質量%以下為佳。

(矽：Si)
Si係作為製鋼時的脫氧劑的有效元素。惟，若大量含有Si會因固溶強化而使得不鏽鋼過度地硬質化。因此，Si的含量以0.80%質量以下為佳。

(磷：P)
P會隨著其含量而導致熱加工性降低。因此，P的含量以下0.04質量%以下為佳。

(硫磺：S)
若肥粒鐵系不銹鋼當中S的含量多會使得存在於鋼裡並以MnS為主體的A系夾雜物變多而使磁特性劣化。因此，S的含量以0.03質量%以下為佳。

作為S含量的調整方法，由於在還原・後期冶煉期間，當進行Cr氧化物的還原及脫氧時，因連同脫氧進行造渣而產生脫硫，因此可為了促進此脫硫反應而降低S的含量。S含量的調整方法使用公知的方法即可，並不限定該調整方法。

(鎳：Ni)
由於Ni會增加於高溫度範圍中沃斯田鐵相的比例，因此在提升熱軋延時的加工性為有效。然而若過度地含有會導致α－γ變態點溫度降低，進而無法確保充分的再結晶溫度。此外，Ni亦為昂貴的元素。因此，Ni的含量以0.50質量%以下為佳。

(氮：N)
若過度地添加N會與其他元素形成氮化物，而導致磁特性下降。因此，N的含量以0.02質量%以下為佳。

(鋁：Al)
Al係提高鋼清淨度的元素，但另一方面若含量高會與C、N形成化合物而降低磁特性，因此以0.05質量%以下為佳。

此外，上述的含有成分之組成僅為一例，即使是各種含有成分的含量(質量%)為上述例之外的情形下仍可實現對於墊片12施加外部磁場10Oe時的磁通密度B10為0.6T以上的具良好磁特性的墊片12，並且為平行度5μm以下、平面度1μm的墊片12。此外，即可是含有上述各種成分以外成分的墊片12仍可實現磁通密度B10為0.6T以上，平行度5μm以下且平面度為1μm以下的墊片12。

＜墊片的製造方法＞
關於含有成分之組成，以下說明滿足上述條件的肥粒鐵系不銹鋼的墊片12的製造方法之一例。具體地說，藉著下述(1)～(4)的各製程來製造墊片12。

(1)首先，對於施加了退火處理的肥粒鐵系不銹鋼的軋延板材(板材：未示出)，使用模具來進行精密的沖孔加工。此就是說，藉著針對軋延板材進行外徑沖孔加工，並接著進行內徑沖孔加工，以獲得成形為環狀的鋼材(板材：未示出))(第一製程)。

於此環狀的鋼材中，大致上於沖孔端面上並沒有產生下垂，大幅地改善了沖孔端面性質。然而，於第一製程結束後的環狀鋼材，其相較於進行第一製程之前的軋延板材，磁特性下降了約10～20%。此外，於此製程當中，相較於執行第一製程前的軋延板材來說，磁特性降低了約10～20%。此外，於此製程當中進一步地再施加沖壓加工時，磁特性降低了約50%以上。

(2)接著，針對藉著沖孔加工而獲得的環狀鋼材，一邊將其以900℃ 以上但小於Acl之溫度來加熱，一邊進行加壓(第二製程)。

藉著施加第二製程，使得相較於其他加熱處理及加壓處理上，除了能夠大幅地減少產生的析出物及夾雜物的量以外，所產生的析出物等的大小也變大。此外，環狀的鋼材組織係藉一邊以900℃以上溫度加熱一邊加壓而使得晶粒變大。此外，由於加熱溫度為未滿Acl，因此環狀的鋼材為α單相。進一步地，可具效果地去除小於環狀鋼材的殘留應力。由於發生此等狀況，因此，藉著此等現象的產生，使得完成了第二製程的環狀鋼材的磁特性大幅提升。

具體來說，第二製程結束後的環狀鋼材在外部磁場H=10Oe(796A/m)時的磁通密度B10為至少0.6T以上。此外補充說明，環狀鋼材的磁通密度B10為0.8T以上為佳；可藉由適當地調整加熱溫度或是壓力來獲得此數值。

作為第二製程，可示例例如將環狀鋼材以900℃以上且小於Acl之溫度進行加壓退火處理；或是以900℃以上且小於Acl的溫度進行熱密閉鍛壓處理等。

加壓退火係退火的一種，係指將環狀鋼材一邊加熱到特定溫度，一邊加壓，並且以該特定溫度維持特定時間之後逐漸冷卻之處理。此外，熱密閉鍛壓係指將已加熱至特定溫度的環狀板材放進模具內的封閉狀態下，使複動式(double acting)沖頭複動地進入至模具內，藉此使鋼材填滿模具內部。兩種處理皆為具效果地去除環狀鋼材的殘留應力之功效，並有助於提升墊片12的磁特性。

此外，作為加壓退火，除了後述的堆疊加壓退火之外，亦可示例例如施加加壓回火處理於環狀鋼材，而該加壓回火處理係對板材或各種部件作形狀校正時所採用的加壓回火處理。加壓回火處理係指於回火(temper)時進行加壓(press)處理。

此外，作為熱密閉鍛壓，可示例例如利用油壓多軸加壓機等的熱密閉鍛壓。閉密鍛造與一般的鍛造不同，可於封閉於模具成形出環狀板材而不帶毛刺。

此外，關於堆疊加壓退火的加壓力，就尺寸精確度來看，以0.001MPa～200MPa為佳。當加壓小於0.01MPa時，因加壓不足使得平面度、平行度的控制變得困難。另一方面，當大於200MPa時，由於加壓力過大，使得板厚的控制變得困難。

(3)接著，針對結束第二製程後的環狀鋼材，使用例如精磨劑(金剛石漿料)以作為磨粒，進行精磨(lapping)加工，以研磨環狀鋼材的表面。然後，將精磨加工後的鋼材隨著顆粒狀的研磨劑及介質(化合物)一起置入滾筒器中，進行滾筒研磨，以去除毛刺(第三製程)。

於此，由於環狀鋼材可抑制於沖孔端面產生下垂，因此可縮短於精磨研磨以及滾筒研磨當中的研磨時間，進而減少切削加工費用。此外，可以降低施加到剛才上的研磨負荷，並可抑制最終製品即墊片12產生翹曲。藉由以上所述可在提升生產效率的同時也提升材料良率。

(4)其後，清洗滾筒研磨後的鋼材(第四製程)，於此，由磁特性的觀點來看，必須極力降低夾雜物，使用於製造墊片12的肥粒鐵系不銹鋼以依日本工業基準JIS G0555所規範的清淨度計算方式所算出的清淨度在0.04%以下為佳。惟，當含有0.004質量%～0.02質量%的TiN系夾雜物時，可將磁特性降低情形抑制到最小限度，並且更進一步地抑制沖孔端面產生下垂，而同時部件的清洗度也並未降低。

藉著進行第四製程完成墊片12之製造。此外，要製造具有良好磁特性的墊片12，最少只要執行第一製程及第二製程即可，第三製程及第四製程並非製造墊片12上的必要製程。

＜實施例＞
於本實施例當中，使用具有下表1所示成分・組成的各種肥粒鐵系不銹鋼(第一發明鋼、第二發明鋼及比較鋼)製造出墊片。此外，第一發明鋼的Acl為984℃；第二發明鋼的Acl為1089℃。此外，以特定的方法來測量各種墊片的磁性，比較此等墊片的磁特性。此外，也探討了應變量與磁通密度之間的關係。

[表1]

(墊片之製造)
關於第一發明鋼及第二發明鋼，將板厚1.8mm的冷軋延退火酸洗板(軋延板材)熱調質(thermal refining)至1.80t/1.60t的板厚之後，進行精密沖料壓力加工(fine blanking press)(第一製程)，並將得到的環狀鋼材於真空(0.005Pa)中進行堆疊加壓退火(第二製程)。其後進行前述第三製程、第四製程以製造墊片12。

於此，針對第一發明鋼，以950℃的加熱溫度進行2小時堆疊加壓退火。也就是說，以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1(984℃)的溫度來加熱且同時加壓第一發明鋼。此外，針對第二發明鋼，以1050℃的加熱溫度進行2小時的堆疊加壓退火處理。也就是說，以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1(1089℃)的溫度一邊加熱且一邊加壓第二發明鋼。堆疊加壓退火係指於相對向的2個環狀鋼材之間插入著隔板狀態下層壓出複數個的環狀鋼材，且該隔板為與所述鋼材相同材料並預先氧化過的隔板。此外，堆疊沉片使得層壓體的上表面的面壓為0.01MPa，並於真空中進行退火之處理。

另一方面，針對比較鋼進行處理，將比較鋼的圓棒作切片，將得到的薄板狀的鋼材進一步進行切割加工以製造環狀的墊片。此製造方法與適用於2.5吋規格的硬碟的習知墊片的製造方法相同。

使用第一發明鋼及第二發明鋼所製造的各墊片12與使用比較鋼而製造的墊片(以下稱為「第一比較用墊片」)皆為厚度1.60mm、內徑25.0mm、外徑32mm的環狀物。此為適於3.5吋規格的硬碟的形狀與尺寸。

(測量磁性之方法)
針對使用第一發明鋼及第二發明鋼而製造的各墊片12及第一比較用墊片，以同樣的方法分別地測量其磁性。具體來說，使用0.32mmφ的漆包銅線，針對所有的各墊片12及第一比較用墊片，使用100匝的初級線圈、90匝的次級線圈與B-H測量儀(B-H tracer，磁材磁特性測量儀)以測量外部磁場H=10Oe時的磁通密度B10。

此外，針對所有的各墊片12及第一比較用墊片進行平面度、平行度的測量。關於平面度以1.50μm以下為合格；關於平行度以5.00μm以下為合格(表2中標示為○)；大於此等數值者為不合格(表2中標示為×)。將測量結果顯示於以下表2。

[表2]

(測量磁性的結果)
如表2所示，使用第一發明鋼而製造的墊片12的磁通密度B10為1.0T。此外，使用第二發明鋼而製造的墊片12的磁通密度B10為0.9T。兩種墊片12的磁通密度B10皆為0.8T以上，呈現出良好的磁特性。

另一方面，第一比較用墊片的磁通密度B10為0.5T，低於墊片磁特性優劣基準值0.6T。此外，針對板厚1.8mm的第一發明鋼的冷軋延退火酸洗板僅施加熱調質與精密沖料壓力加工而製造出的第二比較用墊片(對應表2中的「第一發明鋼/省略退火製程」)的磁通密度B10為0.4，也低於0.6T。

由此等情況來看，顯而易見地，根據本發明一態樣的製造方法所製造出的墊片，相較於依照其他製造方法所製造出的墊片，其磁特性大幅地提升了。

此外，關於平面度及平行度，不論何種製造方法，使用第一發明鋼或使用第二發明鋼所製造的墊片皆為合格(○)。一般來說，由於平面度以1μm以下、平行度以5μm以下為佳，因此顯然可知為了要提升墊片的平面度及平行度，在關於含有成分的組成上，以使用滿足本實施型態中說明條件的肥粒鐵系不銹鋼為佳。

(應變量與磁通密度之間的關係)
對使用第一發明鋼所製且完成第二製程後的墊片12施加特定壓力，分別地測量出因其壓力所產生的應變量、加壓時的外部磁場H=10Oe時的磁通密度B10。並且使用測量結果製作縱軸為磁通密度B10；橫軸為應變量的圖表，製作好的圖表如圖3所示。於圖3的圖表當中，以虛線作為比較用來表示第一比較用墊片的圖表。

如圖3所示，認定了以下事實：關於使用第一發明鋼來製造且進行到第二製程為止而製造出的墊片12，在未產生應變的狀態下，磁通密度B10為1.2T，相較於第一比較用墊片具有2倍以上的磁通密度B10。此外，當應變量從0%增加至約0.5%的其間中，磁通密度B10急速地降低，而在應變量大於約0.5%附近起，磁通密度B10的降低情形變得緩和。

由此顯然可知，要製造具有良好磁特性的墊片，也就是具有高磁通密度的墊片，除去成形時所施加的應變的作法係為有效。由此點來看，本發明一態樣中的墊片的製造方法可謂有用，該製造方法能夠將環狀鋼材的殘留應力具效果地除去。

＜整理＞
為了解決本發明所欲解決之問題，本發明一態樣中的墊片係配置於硬碟的墊片，其係將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀之後，將成形為環狀的該板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1(以下或僅單記載為「Acl」)的溫度一邊加熱一邊加壓製造而成。

根據上述構成，成形為環狀的肥粒鐵系不銹鋼之板材係以900℃以上且小於Acl之溫度一邊加熱一邊加壓。因此，因成形為環狀而一度磁特性下降的板材，又因為加熱・加壓的關係而提升磁特性。因此，相較於例如成形為環狀之後未施加任何處理而製造的墊片，可實現提升了磁特性的墊片。

此外，為了解決上述問題，較佳地，本發明一態樣中的墊片係為當對該墊片施加外部磁場10Oe時的磁通密度B10為0.6T以上，平行度為5μm以下，平面度為1μm以下。

此外，為了解決上述問題，較佳地，本發明一態樣中的墊片由：C的含量為0.08質量%以下；Si的含量為0.80質量%以下；Mn的含量為0.60質量%以下；P的含量為0.04質量%以下；S的含量為0.03質量%以下；Ni的含量為0.50質量%以下；Cr的含量為11質量%以上19質量%以下；N的含量為0.02質量%以下；Al的含量為0.05質量%以下；Ti的含量為0.05質量%以上0.50質量%以下，剩餘部分為Fe及無法避免的雜質所構成，且清淨度為0.04%以下。

此外，為了解決上述課題，較佳地，本發明一態樣的墊片當中，C的含量為0.02質量%以下。

此外，為了解決上述課題，較佳地，本發明一態樣的墊片當中，TiN系夾雜物的含量為0.004質量%以上且0.02質量%以下。

此外，為了解決上述課題，較佳地，本發明一態樣的墊片當中，環狀的該板材係以900℃以上且小於Acl的溫度進行加壓退火。

根據上述構成，成形為環狀的肥粒鐵系不銹鋼之板材係以900℃小於Acl的溫度進行加壓退火。因此，因成形為環狀而使得磁特性一度降低的該板材會因為加壓退火而使得磁特性得到提升。因此可實現改善了磁特性的墊片。

此外，為了解決上述問題，較佳地，本發明一態樣的墊片中，環狀的該板材係以900℃以上且小於Acl的溫度進行熱密閉鍛壓。

根據上述構成，成形為環狀的肥粒鐵系不銹鋼的板材係以900℃以上且小於Acl的溫度進行熱密閉鍛壓。因此，因成形為環狀而磁特性一度降低的該板材會因為熱密閉鍛壓使得磁特性得到提升。因此可實現改善了磁特性的墊片。

此外，為了解決上述問題，較佳地，本發明一態樣之硬碟具備該墊片。根據上述構成，可因具備具良好磁特性的墊片，而能夠降低於硬碟當中施加至轉軸馬達的旋轉負荷。

此外，為了解決上述問題，較佳地，本發明一態樣之墊片的製造方法為配置於硬碟的墊片的製造方法，其包含：第一製程，將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀；及第二製程，將於該第一製程成形為環狀的板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度一邊加熱一邊加壓。

根據上述構成，相較於例如成形為環狀之後未再施加任何處理的墊片，可製造出改善了磁特性的墊片。

＜補充事項＞
本發明並不受到上述各實施型態所限制，可於請求項中所示範圍內進行各種的變更，關於以不同實施型態所分別揭示的技術手段並將其適當組合所得的實施型態，亦包含在本發明的技術範圍內。此外，亦可藉著將各實施形態中所揭示的技術手段作組合，以形成新的技術特徵。

1‧‧‧硬碟

2‧‧‧護罩

11‧‧‧旋轉轂

12‧‧‧墊片

20‧‧‧轉軸馬達

20a‧‧‧旋轉軸

20b‧‧‧定子鐵芯

20c‧‧‧子線圈

21‧‧‧旋轉轂

21a‧‧‧磁石

S‧‧‧S極

N‧‧‧N極

22‧‧‧夾持器

23‧‧‧螺絲

30‧‧‧磁頭

［圖1］係表示本發明一實施型態之硬碟的概略構成的剖面圖。

［圖2］係表示配置於硬碟的轉軸馬達(spindle motor)的概略構成的剖面圖以及表示墊片周邊的磁通密度的變化的圖。

［圖3］係表示關於肥粒鐵系不銹鋼的應變量與磁通密度之間的關係的圖表。

Claims

一種墊片，其配置於硬碟中，且，該墊片係將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀之後，將成形為環狀的板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度一邊加熱一邊加壓製造而成。
如請求項1所述之墊片，其中，當對該墊片施加外部磁場10Oe時的磁通密度B10為0.6T以上，平行度為5μm以下，平面度為1μm以下。
如請求項1或2所述之墊片，其中，該墊片係由：C的含量為0.08質量%以下；Si的含量為0.80質量%以下；Mn的含量為0.60質量%以下；P的含量為0.04質量%以下；S的含量為0.03質量%以下；Ni的含量為0.50質量%以下；Cr的含量為11質量%以上19質量%以下；N的含量為0.02質量%以下；Al的含量為0.05質量%以下；Ti的含量為0.05質量%以上0.50質量%以下，剩餘部分為Fe及無法避免的雜質所構成，且清淨度為0.04%以下。
如請求項3所述之墊片，其中，C的含量為0.02質量%以下。
如請求項3所述之墊片，其中，TiN系夾雜物的含量為0.004質量%以上0.02質量%以下。
如請求項1或2所述之墊片，其中，該環狀的板材係以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度進行加壓退火。
如請求項1或2所述之墊片，其中，該環狀的板材係以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度進行熱密閉鍛壓。
一種硬碟，其特徵為具備如請求項1或2所述之墊片。
一種墊片之製造方法，其中該墊片配置於硬碟中，該製造方法包含：第一製程，將肥粒鐵系不銹鋼的板材成形為環狀；及第二製程，將於該第一製程成形為環狀的板材以900℃以上且小於沃斯田鐵變態開始溫度Ac1的溫度一邊加熱一邊加壓。