TW201929931A - 藥液、藥液的製造方法及被檢液的分析方法 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種即使在應用於利用KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光進行之阻劑步驟時亦具有優異的缺陷抑制性能之藥液。又，本發明的另一課題為提供一種被檢液的分析方法及藥液的製造方法。本發明的藥液含有：有機溶劑；及含金屬粒子，含有金屬原子且粒徑為10～100nm，該藥液中，含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ 。

Description

藥液、藥液的製造方法及被檢液的分析方法

本發明係有關一種藥液、藥液的製造方法及被檢液的分析方法。

藉由包含光微影之配線形成製程製造半導體器件時，可使用含有水和/或有機溶劑之藥液來作為預濕液、阻劑液（阻劑組成物）、顯影液、沖洗液、剝離液、化學機械性研磨（CMP：Chemical Mechanical Polishing）漿料及CMP之後的清洗液等其本身或它們的稀釋液。
近年來，圖案的微細化隨著光微影技術的進步而不斷發展。作為圖案的微細化的方法，可使用將曝光光源進行短波長化之方法，已嘗試使用以往所使用之紫外線、KrF準分子雷射及ArF準分子雷射等來作為曝光光源而形成圖案。
關於利用上述KrF準分子雷射及ArF準分子雷射等之圖案形成，作為阻劑圖案的線和/或空間寬度，將20～80 nm作為目標來進行開發，對於該步驟中所使用之上述藥液要求更加優異的缺陷抑制性能。另外，所謂缺陷抑制性能，係指在半導體器件的製造製程中，藉由藥液對半導體基板進行處理時，在半導體基板上難以產生缺陷之性能。

作為以往用於形成阻劑圖案之藥液的製造方法，在專利文獻1中記載有“一種阻劑組成物的製造方法，其用於半導體裝置製造製程中，該方法的特徵為，利用清洗液清洗阻劑組成物的製造裝置，從製造裝置取出該清洗液來旋轉塗佈到評價基板上，並進行清洗直至該評價基板上的塗佈前後的尺寸在100 nm以上的缺陷中的缺陷密度的變化成為0.2個/cm² 以下之後，利用製造裝置製造阻劑組成物。”，在上述文獻中記載有：使用藉由該方法製造之藥液（阻劑組成物）進行ArF曝光之結果，可抑制圖案缺陷等。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

專利文獻1：日本特開2015-049395號公報

使用含有藉由上述製造方法製造之藥液之阻劑組成物並藉由KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光形成圖案之結果，本發明人等發現了缺陷的抑制不一定充分。
因此，本發明的課題為提供一種藥液，其即使在應用於利用KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光進行之阻劑步驟時亦難以產生缺陷、換言之即使在應用於利用KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光進行之阻劑步驟時亦具有優異的缺陷抑制性能。
又，本發明的另一課題為提供一種被檢液的分析方法及藥液的製造方法。

為了解決上述問題，本發明人等進行深入研究之結果，發現了能夠藉由以下構成解決上述問題。

[1]一種藥液，其含有：有機溶劑；及含金屬粒子，含有金屬原子且粒徑為10～100 nm，該藥液中，含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ 。
[2]如[2]所述之藥液，其用於製造半導體器件。
[3]如[1]或[2]所述之藥液，其中含金屬粒子由選自包含含有金屬原子的單體之粒子A、含有金屬原子的氧化物之粒子B及含有金屬原子的單體及金屬原子的氧化物之粒子C之群組中之至少一種組成。
[4]如[3]所述之藥液，其中粒子C為具有金屬原子的單體及以覆蓋金屬原子的單體的表面的至少一部分之方式配置之金屬原子的氧化物之粒子D。
[5]如[3]或[4]所述之藥液，其中藥液的每單位體積的、粒子C的含有粒子數與粒子B的含有粒子數之含有粒子數比為1以上。
[6]如[3]至[5]中任一項所述之藥液，其中藥液的每單位體積的、粒子A的含有粒子數與粒子B的含有粒子數及粒子C的含有粒子數的總計之含有粒子數比小於1.0。
[7]如[3]至[6]中任一項所述之藥液，其中藥液的每單位體積的、粒子A的含有粒子數與粒子B的含有粒子數及粒子C的含有粒子數的總計之含有粒子數比為1.0×10^-1 以下。
[8]如[3]至[7]中任一項所述之藥液，其中粒子A包含含有單一的金屬原子之粒子E及含有2種以上的金屬原子之粒子F，藥液的每單位體積的、粒子E的含有粒子數與粒子F的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10^-2 ～1.0×10² 。
[9]如[1]至[8]中任一項所述之藥液，其還含有沸點為300℃以上的有機化合物。
[10]如[9]所述之藥液，其中含金屬粒子的至少一部分為含有有機化合物之粒子U。
[11]如[9]或[10]所述之藥液，其中含金屬粒子的至少一部分為含有有機化合物之粒子U及不含有機化合物之粒子V，藥液的每單位體積的、粒子U的含有粒子數與粒子V的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10¹ 以上。
[12]如[10]或[11]所述之藥液，其中藥液的每單位體積的、粒子U的含有粒子數為5.0×10^-2 ～1.0×10¹¹ 個/cm³ 。
[13]如[1]至[12]中任一項所述之藥液，其中含金屬粒子的至少一部分為選自包含含有Pb原子之含Pb粒子及含有Ti原子之含Ti粒子之群組中之至少一種。
[14]如[1]至[13]中任一項所述之藥液，其中含金屬粒子的至少一部分為含有Pb原子之含Pb粒子及含有Ti原子之含Ti粒子，藥液的每單位體積的、含Pb粒子的含有粒子數與含Ti粒子的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10^-5 ～1.0。
[15]一種藥液的製造方法，其用於製造[1]至[14]中任一項所述之藥液，該方法具有使用過濾器過濾含有有機溶劑之被純化物來獲得藥液之過濾製程。
[16]如[15]所述之藥液的製造方法，其中被純化物含有沸點為300℃以上的有機化合物，在過濾製程之前，還具有對被純化物進行蒸餾，以獲得已蒸餾之被純化物之蒸餾製程，已蒸餾之被純化物中的有機化合物的含量為1.0×10^-3 質量ppt～1.0×10³ 質量ppm。
[17]如[15]或[16]所述之藥液的製造方法，其中過濾製程為使被純化物通過選自包含過濾器的材料、細孔直徑及細孔結構之群組中之至少一種不同之2種以上的過濾器之多級過濾製程。
[18]如[15]至[17]中任一項所述之藥液的製造方法，其中在使用1個過濾器之情形下，過濾器的細孔直徑為5 nm以下，在使用2個以上的過濾器之情形下，過濾器中具有最小細孔直徑之過濾器的細孔直徑為5 nm以下。
[19]一種被檢液的分析方法，其依次具有：將含有有機溶劑及含有金屬原子且粒徑為10～100 nm的含金屬粒子之被檢液塗佈於基板上，並在基板上形成被檢液層之製程A；及分析基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數之製程。
[發明效果]

依本發明，能夠提供一種即使在應用於利用KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光進行之阻劑步驟時亦具有優異的缺陷抑制性能之藥液。又，本發明還能夠提供一種被檢液的分析方法及藥液的製造方法。

以下，對本發明進行詳細說明。
關於以下所記載之構成要件的說明，有時依據本發明的代表性的實施形態來進行，但是本發明並不限定於該種實施形態。
另外，本說明書中，利用“～”表示之數值範圍係指將記載於“～”前後之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。
又，本發明中，“ppm”係指“parts-per-million（10^-6 ）：百萬分點”，“ppb”係指“parts-per-billion（10^-9 ）：十億分點”，“ppt”係指“parts-per-trillion（10^-12 ）：兆分點”，“ppq”係指“parts-per-quadrillion（10^-15 ）：千兆分點”。
又，在本發明中的基團（原子團）的標記中，未標有取代及未取代之標記在不損害本發明的效果之範圍內不僅包含不具有取代基者，還包含具有取代基者。例如，所謂“烴基”，不僅包含不具有取代基之烴基（未取代烴基），還包含具有取代基之烴基（取代烴基）。關於該內容，對於各化合物亦相同。

[藥液]
本發明的實施形態之藥液（以下，還稱為“本藥液”。）含有：有機溶劑；及含金屬粒子，含有金屬原子且粒徑為10～100 nm，該藥液中，含金屬粒子在藥液中的每單位體積的含有粒子數為1.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ 。
雖然藉由本藥液解決上述問題之機理尚不明確，但是關於該機理，本發明人推測如下。另外，以下機理為推測，即使在藉由不同的機理獲得本發明的效果之情形下，亦包含於本發明的範圍內。

本藥液的特徵之一為，將含金屬粒子中粒徑為10～100 nm的含金屬粒子在藥液中的含有粒子數控制在01.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ 。
利用了KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光之步驟中，要求阻劑的圖案間隔、圖案寬度及將該等週期性排列之1個圖案寬度和圖案間隔相加而得之圖案的間距的窄小化、以及所製造之配線的間隔、配線的寬度及將該等週期性排列之1個配線寬度和配線間隔相加而得之配線的間距的窄小化。
具體而言，圖案寬度或圖案間隔通常係20～80 nm左右（作為間距，係40～160 nm左右）。在該種情形下，本發明人等發現了要求將在以往的步驟中不會成為太大的問題之、更加微細的粒子以其個數單位進行控制。

上述粒子中，將藥液塗佈於基板上時，粒徑小於10 nm的粒子更容易凝聚，其結果，推測通常形成粗大的粒子。因此，在光阻步驟中（例如以如沖洗那樣的形式）通常被去除，推測對藥液的缺陷抑制性能的影響不係很大。
另一方面，上述粒子中粒徑為100 nm以上的粒子相較於所要求之圖案間隔及阻劑間距充分大，因此與上述同樣地，在步驟中通常被去除，推測對藥液的缺陷抑制性能的影響不係很大。

推測粒徑為10～100 nm的含金屬粒子對藥液的缺陷抑制性能的影響更大。尤其，利用了KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光之步驟中，所要求之圖案寬度或圖案間隔為20～80 nm左右，推測粒徑為10～100 nm的含金屬粒子對藥液的缺陷抑制性能的影響特別大。
關於本發明的藥液，藥液的每單位體積的含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10^-2 個/cm³ 以上，含金屬粒子彼此容易凝聚，在步驟中更容易被去除，其結果，推測藥液具有優異的缺陷抑制性能。
另一方面，關於本發明的藥液，藥液的每單位體積的含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10¹² 個/cm³ 以下，抑制含金屬粒子本身成為缺陷的原因，其結果，推測藥液具有優異的缺陷抑制性能。

[有機溶劑]
藥液含有有機溶劑。作為藥液中的有機溶劑的含量，並無特別限制，但是通常相對於藥液的總質量，98.0質量%以上為較佳，99.0質量%以上為更佳，99.9質量%以上為進一步較佳，99.99質量%以上為特佳。上限並無特別限制，但是通常小於100質量%。
有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。在同時使用2種以上的有機溶劑之情形下，總含量在上述範圍內為較佳。

另外，本說明書中，所謂有機溶劑，係指相對於上述藥液的總質量，以超過10000質量ppm之含量含有每1種成分之液態有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量，超過10000質量ppm而含有之液態有機化合物相當於有機溶劑。
另外，本說明書中，所謂液態，係指在25℃、大氣壓下為液體。

作為上述有機溶劑的種類，並無特別限制，能夠使用公知的有機溶劑。作為有機溶劑，例如可舉出伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯（較佳為碳數4～10）、可以具有環之單酮化合物（較佳為碳數4～10）、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等。
又，作為有機溶劑，例如可以使用日本特開2016-057614號公報、日本特開2014-219664號公報、日本特開2016-138219號公報及日本特開2015-135379號公報中所記載者。

作為有機溶劑，選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚（PGME）、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、乳酸乙酯（EL）、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮（CHN）、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯（nBA）、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯（PC）、環丁碸、環庚酮、1-己醇、癸烷及2-庚酮之群組中之至少一種為較佳。其中，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，CHN、PGMEA、PGME、nBA、PC及它們的混合物為較佳。
另外，有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。
另外，藥液中的有機溶劑的種類及含量能夠使用氣相色譜質譜儀來進行測量。

[含金屬粒子]
本藥液包含含有金屬原子且粒徑為10~100 nm之含金屬粒子。
本藥液的製造方法的較佳形態將在後面進行敘述，但是通常本藥液能夠對含有上述說明之有機溶劑及雜質之被純化物進行純化來製造。含金屬粒子可以在藥液的製造製程中有意地添加，亦可以原本包含在被純化物中或還可以在藥液的製造過程中，從藥液的製造裝置等轉移（所謂的污染）。

作為金屬原子，並無特別限制，但是可舉出Fe原子、Al原子、Cr原子、Ni原子、Pb原子、Zn原子及Ti原子等。其中，若將含有選自包含Fe原子、Al原子、Pb原子、Zn原子及Ti原子之群組中之至少一種之含金屬粒子的含有粒子數控制在上述範圍內，則容易獲得更加優異的缺陷抑制性能，若將含有選自包含Pb原子及Ti原子之群組中之至少一種之含金屬粒子的含有粒子數控制在上述範圍內，則容易獲得進一步優異的缺陷抑制性能。
亦即，作為金屬原子，選自包含Fe原子、Al原子、Cr原子、Ni原子、Pb原子、Zn原子及Ti原子等之群組中之至少一種為較佳，選自包含Fe原子、Al原子、Pb原子、Zn原子及Ti原子之群組中之至少一種為更佳，選自包含Pb原子及Ti原子之群組中之至少一種為進一步較佳，藥液包含含有Pb原子之含金屬粒子及含有Ti原子之含金屬粒子這兩者為特佳。
另外，含金屬粒子可以單獨含有1種上述金屬原子，亦可以同時含有2種以上。

含金屬粒子的粒徑為10～100 nm。依本發明人的研究已知，尤其在應用於ArF準分子雷射曝光的光阻步驟之藥液中，藉由控制其粒徑為10～100 nm的含金屬粒子在藥液中的含有粒子數，容易獲得具有優異的缺陷抑制性能之藥液。如上述說明那樣，KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光的光阻步驟中，通常要求20～80 nm這樣的微細的圖案寬度和/或空間寬度。在該種情形下，要求將在以往步驟中不會成為太大的問題之、更加微細的粒子以其個數單位進行控制。

藥液的每單位體積的含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ ，就本藥液具有更加優異的本發明的效果之觀點而言，作為含有粒子數，1.0×10^-1 個/cm³ 以上為較佳，1.0個/cm³ 以上為更佳，5.0×10¹¹ 個/cm³ 以下為較佳，小於1.0×10¹¹ 個/cm³ 為更佳，3.5×10¹⁰ 個/cm³ 以下為進一步較佳。
若藥液的每單位體積的含金屬粒子的含有粒子數為1.0～3.5×10¹⁰ 個/cm³ ，藥液具有更加優異的缺陷抑制性能。

作為藥液中的含有Pb原子之含Pb粒子與含有Ti原子之含Ti粒子之含有粒子數比（Pb/Ti），並無特別限制，但是通常係1.0×10^-6 ～3.0為較佳，1.0×10^-5 ～1.0為更加。
作為下限值，1.0×10^-4 以上為進一步較佳，1.0×10^-3 以上為特佳，1.0×10^-2 以上為最佳，1.0×10^-1 以上為進一步最佳。
若Pb/Ti為1.0×10^-5 ～1.0，則藥液具有更加優異的本發明的效果，尤其具有更加優異的橋接缺陷抑制性能。
本發明人等發現了：Pb奈米粒子和Ti奈米粒子容易締合，且在阻劑膜的顯影時容易成為缺陷的原因（尤其，橋接缺陷的原因）。
若Pb/Ti為1.0×10^-5 ～1.0，則出人意料的是更加容易抑制缺陷的產生。
另外，本說明書中，藥液的每單位體積的含金屬粒子的含量（個數）可藉由實施例中所記載之方法來進行測量，對於其值以有效數字成為2位之方式進行四捨五入。

含金屬粒子可以含有金屬原子，其形態並無特別限制。例如，可舉出含有金屬原子的單體或金屬原子之化合物（以下，還稱為“金屬化合物”。）、以及它們的複合物等。又，含金屬粒子可以含有複數種金屬原子。另外，在金屬奈米粒子含有複數種金屬之情形下，將上述複數種金屬中含量（atm%）最多的金屬原子作為主要成分。因此，就含Pb粒子而言，係指在含有複數種金屬之情形下，在複數種金屬中，Pb原子為主要成分之情形。

作為複合物，並無特別限制，但是可舉出：所謂的芯殼型粒子，具有金屬原子的單體和覆蓋上述金屬原子的單體的至少一部分之金屬化合物；固溶體粒子，包含金屬原子和其他原子；共晶粒子，包含金屬原子和其他原子；金屬原子的單體和金屬化合物的凝聚體粒子；種類不同之金屬化合物的凝聚體粒子；及金屬化合物，組成從粒子表面向中心連續或斷續地發生變化；等。

作為金屬化合物所含有之除金屬原子以外的原子，並無特別限制，但是例如可舉出碳原子、氧原子、氮原子、氫原子、硫原子及磷原子等，其中，氧原子為較佳。作為金屬化合物含有氧原子之形態，並無特別限制，但是金屬原子的氧化物為更佳。

＜含金屬粒子的較佳形態1＞
其中，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，作為含金屬粒子，由選自包含含有金屬原子的單體之粒子A、含有金屬原子的氧化物之粒子B及含有金屬原子的單體及金屬原子的氧化物之粒子C之群組中之至少一種組成為較佳。
作為粒子C的形態，係具有金屬原子的單體及以覆蓋金屬原子的單體的表面的至少一部分之方式配置之金屬原子的氧化物之粒子D為較佳。

作為藥液的每單位體積的、粒子C的含有粒子數與粒子B的含有粒子數之含有粒子數比（B/C），並無特別限制，但是就藥液具有更加優異的本發明的效果之觀點而言，1.0以上為較佳，1.1以上為更加。作為上限值，並無特別限制，但是通常係1.0×10¹ 以下為較佳，5.0以下為更加。若B/C在上述範圍內，則藥液具有更加優異的橋接缺陷抑制性能。

又，作為藥液的每單位體積的、粒子A的含有粒子數與粒子B的含有粒子數及粒子C的含有粒子數的總計之含有粒子數比（以下，還稱為“A/（B+C）”。），並無特別限制，但是就藥液具有更加優異的本發明的效果之觀點而言，小於1.0為較佳，1.0×10^-1 以下為更加。作為下限值，並無特別限制，但是通常係1.0×10^-2 以上為較佳。若A/（B+C）在上述範圍內，則尤其在將藥液用作預濕液和/或顯影液之情形下，具有更加優異的缺陷抑制性能。雖然該理由尚不明確，但是推測與粒子A相比，粒子B及C為更加親水性，因此依據與通常係拒水性之阻劑膜的關係，更難以殘留於基板上（不容易成為殘渣缺陷的原因）。

＜含金屬粒子的較佳形態2＞
又，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，作為含金屬粒子，含有包含單一的金屬原子之粒子E及包含2種以上的金屬原子之粒子F為較佳。
作為藥液的每單位體積的粒子D的含有粒子數與粒子E的含有粒子數之含有粒子數比（E/F），並無特別限制，但是1.0×10^-3 ～1.0×10³ 為較佳，1.0×10^-2 ～1.0×10² 為更佳，1.0×10^-2 ～9.0×10¹ 為進一步較佳。若E/F為1.0×^-2 ～1.0×10² ，則藥液具有更加優異的橋接缺陷抑制性能。

[其他成分]
藥液還可以含有除上述以外的其他成分。作為其他成分，例如可舉出除有機溶劑以外的有機化合物（尤其，沸點為300℃以上的有機化合物）、水及樹脂等。

＜除有機溶劑以外的有機化合物＞
藥液還可以含有除有機溶劑以外的有機化合物（以下，還稱為“特定有機化合物”。）。本說明書中，所謂特定有機化合物，為與藥液中所含有之有機溶劑不同之化合物，且係指相對於上述藥液的總質量，以10000質量ppm以下的含量含有之有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量，以10000質量ppm以下的含量含有之有機化合物相當於特定有機化合物，且不相當於有機溶劑。
另外，在藥液中含有複數種有機化合物，且以上述之10000質量ppm以下的含量含有各有機化合物之情形下，各自相當於特定有機化合物。

特定有機化合物可以添加到藥液中，亦可以在藥液的製造製程中無意被混合。作為在藥液的製造製程中無意被混合之情形，例如可舉出在用於製造藥液之原料（例如，有機溶劑）中含有特定有機化合物之情形及在藥液的製造製程中混合（例如，污染）特定有機化合物等，但是並不限制於上述。

另外，上述藥液中的特定有機化合物的含量能夠使用GCMS（氣體層析質譜分析裝置；gas chromatography mass spectrometry）來進行測量。

作為特定有機化合物的碳數，並無特別限制，但是就藥液具有更加優異的本發明的效果之觀點而言，8以上為較佳，12以上為更佳。另外，作為碳數的上限，並無特別限制，但是通常係30以下為較佳。

作為特定有機化合物，例如，可以係隨著有機溶劑的合成而生成之副產物和/或未反應的原料（以下，還稱為“副產物等”。）等。
作為上述副產物等，例如可舉出由下述式I~V表示之化合物等。

[化1]

式I中，R₁ 及R₂ 分別獨立地表示烷基或環烷基、或者彼此鍵結而形成環。

作為由R₁ 及R₂ 表示之烷基或環烷基，碳數1～12的烷基或碳數6～12的環烷基為較佳，碳數1～8的烷基或碳數6～8的環烷基為更佳。

R₁ 及R₂ 彼此鍵結而形成之環為內酯環，4～9員環的內酯環為較佳，4～6員環的內酯環為更佳。

另外，R₁ 及R₂ 滿足由式I表示之化合物的碳數成為8以上的關係為較佳。

式II中，R₃ 及R₄ 分別獨立地表示氫原子、烷基、烯基、環烷基或環烯基、或者彼此鍵結而形成環。其中，不會R₃ 及R₄ 這兩者均係氫原子。

作為由R₃ 及R₄ 表示之烷基，例如，碳數1～12的烷基為較佳，碳數1～8的烷基為更佳。

作為由R₃ 及R₄ 表示之烯基，例如，碳數2～12的烯基為較佳，碳數2～8的烯基為更佳。

作為由R₃ 及R₄ 表示之環烷基，碳數6～12的環烷基為較佳，碳數6～8的環烷基為更佳。

作為由R₃ 及R₄ 表示之環烯基，例如，碳數3～12的環烯基為較佳，碳數6～8的環烯基為更佳。

R₃ 及R₄ 彼此鍵結而形成之環為環狀酮結構，可以係飽和環狀酮，亦可以係不飽和環狀酮。該環狀酮係6～10員環為較佳，6～8員環為更佳。

另外，R₃ 及R₄ 滿足由式II表示之化合物的碳數成為8以上的關係為較佳。

式III中，R₅ 表示烷基或者環烷基。

由R₅ 表示之烷基係碳數6以上的烷基為較佳，碳數6～12的烷基為更佳，碳數6～10的烷基為進一步較佳。
上述烷基可以在鏈中具有醚鍵，亦可以具有羥基等取代基。

由R₅ 表示之環烷基係碳數6以上的環烷基為較佳，碳數6～12的環烷基為更佳，碳數6～10的環烷基為進一步較佳。

式IV中，R₆ 及R₇ 分別獨立地表示烷基或環烷基、或者彼此鍵結而形成環。

作為由R₆ 及R₇ 表示之烷基，碳數1～12的烷基為較佳，碳數1～8的烷基為更佳。

作為由R₆ 及R₇ 表示之環烷基，碳數6～12的環烷基為較佳，碳數6～8的環烷基為更佳。

R₆ 及R₇ 彼此鍵結而形成之環為環狀醚結構。該環狀醚結構係4～8員環為較佳，5～7員環為更佳。

另外，R₆ 及R₇ 滿足由式IV表示之化合物的碳數成為8以上的關係為較佳。

式V中，R₈ 及R₉ 分別獨立地表示烷基或環烷基、或者彼此鍵結而形成環。L表示單鍵或伸烷基。

作為由R₈ 及R₉ 表示之烷基，例如，碳數6～12的烷基為較佳，碳數6～10的烷基為更佳。

作為由R₈ 及R₉ 表示之環烷基，碳數6～12的環烷基為較佳，碳數6～10的環烷基為更佳。

R₈ 及R₉ 彼此鍵結而形成之環為環狀二酮結構。該環狀二酮結構係6～12員環為較佳，係6～10員環為更佳。

作為由L表示之伸烷基，例如，碳數1～12的伸烷基為較佳，碳數1～10的伸烷基為更佳。
另外，R₈ 、R₉ 及L滿足由式V表示之化合物的碳數成為8以上的關係。
雖然無特別限制，但是在有機溶劑為醯胺化合物、醯亞胺化合物及亞碸化合物之情形下，一形態中，可舉出碳數為6以上的醯胺化合物、醯亞胺化合物及亞碸化合物。又，作為特定有機化合物，例如還可舉出下述化合物。

[化2]

[化3]

又，作為特定有機化合物，還可舉出：二丁基羥基甲苯（BHT）、硫代二丙酸二硬脂醇酯（DSTP）、4,4’-亞丁基雙-（6-三級丁基-3-甲基苯酚）、2,2’-亞甲基雙-（4-乙基-6-三級丁基苯酚）及日本特開2015-200775號公報中所記載之抗氧化劑等抗氧化劑；未反應的原料；製造有機溶劑時產生之結構異構物及副產物；及來自構成有機溶劑的製造裝置之構件等之溶出物（例如，從O型環等橡膠構件溶出之可塑劑）；等。

又，作為特定有機化合物，還可舉出鄰苯二甲酸二辛酯（DOP）、鄰苯二甲酸雙（2-乙基己酯）（DEHP）、鄰苯二甲酸雙（2-丙基庚基）（DPHP）、鄰苯二甲酸二丁酯（DBP）、鄰苯二甲酸苄基丁酯（BBzP）、鄰苯二甲酸二異癸酯（DIDP）、鄰苯二甲酸二異辛酯（DIOP）、鄰苯二甲酸二乙酯（DEP）、鄰苯二甲酸二異丁酯（DIBP）、鄰苯二甲酸二己酯、鄰苯二甲酸二異壬酯（DINP）、偏苯三酸三（2-乙基己基）（TEHTM）、偏苯三酸三（正辛基-正癸基）（ATM）、己二酸雙（2-乙基己基）（DEHA）、己二酸單甲酯（MMAD）、己二酸二辛脂（DOA）、癸二酸二丁酯（DBS）、馬來酸二丁酯（DBM）、馬來酸二異丁酯（DIBM）、壬二酸酯、苯甲酸酯、對苯二甲酸（例：對苯二甲酸二辛酯（DEHT））、1,2-環己烷二羧酸二異壬基酯（DINCH）、環氧化植物油、磺醯胺（例：N-（2-羥丙基）苯磺醯胺（HP BSA）、N-（正丁基）苯磺醯胺（BBSA-NBBS））、有機磷酸酯（例：磷酸三甲苯酯（TCP）、磷酸三丁酯（TBP））、乙醯化單甘油酯、檸檬酸三乙酯（TEC）、乙醯基檸檬酸三乙酯（ATEC）、檸檬酸三丁酯（TBC）、乙醯基檸檬酸三丁酯（ATBC）、檸檬酸三辛酯（TOC）、乙醯基檸檬酸三辛酯（ATOC）、檸檬酸三己酯（THC）、乙醯基檸檬酸三己酯（ATHC）、環氧化大豆油、乙丙烯橡膠、聚丁烯、5-亞乙基-2-降莰烯的加成聚合物及以下所例示之高分子可塑劑。
推測該等特定有機化合物係從在純化製程中接觸之過濾器、配管、罐、O型環（O-ring）及容器等混入到被純化物或藥液中者。尤其，除烷基烯烴以外的化合物與橋接缺陷的產生相關。

[化4]

（沸點為300℃以上的有機化合物）
藥液可以含有沸點為300℃以上的有機化合物（高沸點有機化合物）。在藥液含有沸點為300℃以上的有機化合物之情形下，沸點高，且在光微影的步驟中不容易揮發。因此，為了獲得具有優異的缺陷抑制性能之藥液，需要嚴格地管理高沸點有機化合物在藥液中的含量及存在形態等。
作為該種高沸點有機化合物，例如確認有鄰苯二甲酸二辛酯（沸點為385℃）、鄰苯二甲酸二異壬酯（沸點為403℃）、己二酸二辛脂（沸點為335℃）、鄰苯二甲酸二丁酯（沸點為340℃）及乙丙烯橡膠（沸點為300～450℃）等。

本發明人等發現了：在藥液中含有高沸點有機化合物之情形下，存在各種形態。作為高沸點有機化合物在藥液中的存在形態，可舉出：包含金屬原子或金屬化合物之粒子與高沸點有機化合物粒子凝聚而得之粒子；具有包含金屬原子或金屬化合物之粒子和以被覆上述粒子的至少一部分之方式配置之高沸點有機化合物之粒子；及金屬原子與高沸點有機化合物配位鍵結而形成之粒子；等。

（含金屬粒子的較佳形態3）
又，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，係含金屬粒子的至少一部分為含有有機化合物（較佳為高沸點有機化合物）之粒子U及不含有機化合物（較佳為高沸點有機化合物）之粒子V之形態亦為較佳。
此時，作為藥液的每單位體積的、粒子U的含有粒子數與粒子V的含有粒子數之含有粒子數比（U/V），並無特別限制，但是就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，1.0以上為較佳，1.0×10¹ 以上為更加。作為上限值，並無特別限制，但是通常係50以下為較佳。
若U/V在上述範圍內，則藥液具有更加優異的缺陷抑制性能。雖然該理由尚不明確，但是推測是因為：尤其在將藥液用作顯影液之情形下，與粒子V相比，粒子U更容易被去除，因此更難以殘留於阻劑膜上。

＜水＞
上述藥液可以含有水。作為水，並無特別限制，例如能夠使用蒸餾水、離子交換水及純水等。另外，在上述有機雜質中不含水。
水可以添加到藥液中，亦可以在藥液的製造製程中無意混合到藥液中。作為在藥液的製造製程中無意被混合之情形，例如可舉出在用於製造藥液之原料（例如，有機溶劑）中含有水之情形及在藥液的製造製程中混合（例如，污染）水等，但是並不限制於上述。

作為上述藥液中的水的含量，並無特別限制，但是通常，相對於藥液的總質量，係0.05～2.0質量%為較佳。藥液中的水的含量係指使用以卡爾費休（Karl Fischer）水分測量法作為測量原理之裝置測量之水分含量。

＜樹脂＞
上述藥液還可以含有樹脂。作為樹脂，具有藉由酸的作用而分解並產生極性基之基團之樹脂P為更佳。作為上述樹脂，藉由酸的作用而使對將有機溶劑作為主要成分之顯影液的溶解性減少之樹脂亦即具有後述之由式（AI）表示之重複單元之樹脂為更佳。具有後述之由式（AI）表示之重複單元之樹脂，具有藉由酸的作用而分解並產生鹼可溶性基之基團（以下，還稱為“酸分解性基”）。
作為極性基，可舉出鹼可溶性基。作為鹼可溶性基，例如可舉出羧基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）、酚性羥基及磺酸基。

酸分解性基中，極性基被藉由酸消除之基團（酸消除性基）保護。作為酸消除性基，例如可舉出-C(R₃₆ )(R₃₇ )(R₃₈ )、-C(R₃₆ )(R₃₇ )(OR₃₉ )及-C(R₀₁ )(R₀₂ )(OR₃₉ )等。

式中，R₃₆ ～R₃₉ 分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。R₃₆ 與R₃₇ 可以彼此鍵結而形成環。

R₀₁ 及R₀₂ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。

以下，對於藉由酸的作用而使將有機溶劑作為主要成分之顯影液的溶解性減少之樹脂P，進行詳細敘述。

（式（AI）：具有酸分解性基之重複單元）
樹脂P含有由式（AI）表示之重複單元為較佳。

[化5]

式（AI）中，
Xa₁ 表示氫原子或可以具有取代基之烷基。
T表示單鍵或2價的連結基。
Ra₁ ～Ra₃ 分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）或環烷基（單環或多環）。
Ra₁ ～Ra₃ 中的2個可以鍵結而形成環烷基（單環或多環）。

作為由Xa₁ 表示之、可以具有取代基之烷基，例如可舉出甲基及由-CH₂ -R₁₁ 表示之基團。R₁₁ 表示鹵素原子（氟原子等）、羥基、或1價的有機基。
Xa₁ 係氫原子、甲基、三氟甲基或羥甲基為較佳。

作為T的2價的連結基，可舉出伸烷基、-COO-Rt-基及-O-Rt-基等。式中，Rt表示伸烷基或環伸烷基。
T係單鍵或-COO-Rt-基為較佳。Rt係碳數1～5的伸烷基為較佳，-CH₂ -基、-(CH₂ )₂ -基或-(CH₂ )₃ -基為更佳。

作為Ra₁ ～Ra₃ 的烷基，碳數1～4者為較佳。

作為Ra₁ ～Ra₃ 的環烷基，環戊基或環己基等單環的環烷基、或者降莰基、四環癸基、四環十二烷基（tetracyclo dodecanyl group）或金剛烷基等多環的環烷基為較佳。
作為Ra₁ ～Ra₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，環戊基或環己基等單環的環烷基、或者降莰基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等多環的環烷基為較佳。碳數5～6的單環的環烷基為更佳。

Ra₁ ～Ra₃ 中的2個鍵結而形成之上述環烷基中，例如，構成環之亞甲基中的1個可以被具有氧原子等雜原子、或羰基等雜原子之基團取代。

由式（AI）表示之重複單元例如係Ra₁ 為甲基或乙基，且Ra₂ 與Ra₃ 鍵結而形成上述環烷基之態樣為較佳。

上述各基團可以具有取代基，作為取代基，例如可舉出烷基（碳數1～4）、鹵素原子、羥基、烷氧基（碳數1～4）、羧基及烷氧羰基（碳數2～6）等，碳數8以下為較佳。

相對於樹脂P中的所有重複單元，由式（AI）表示之重複單元的含量係20～90莫耳%為較佳，25～85莫耳%為更佳，30～80莫耳%為進一步較佳。

（具有內酯結構之重複單元）
又，樹脂P含有具有內酯結構之重複單元Q為較佳。

具有內酯結構之重複單元Q在側鏈上具有內酯結構為較佳，源自（甲基）丙烯酸衍生物單體之重複單元為更佳。
具有內酯結構之重複單元Q可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上，但是單獨使用1種為較佳。
相對於樹脂P中的所有重複單元，具有內酯結構之重複單元Q的含量係3～80莫耳%為較佳，3～60莫耳%為更佳。

作為內酯結構，5～7員環的內酯結構為較佳，以在5～7員環的內酯結構形成雙環結構或螺旋結構之形式縮合有其他環結構之結構為更佳。
含有具有由下述式（LC1-1）～（LC1-17）中的任一個表示之內酯結構來作為內酯結構之重複單元為較佳。作為內酯結構，由式（LC1-1）、式（LC1-4）、式（LC1-5）或式（LC1-8）表示之內酯結構為較佳，由式（LC1-4）表示之內酯結構為更佳。

[化6]

內酯結構部分可以具有取代基（Rb₂ ）。作為較佳的取代基（Rb₂ ），可舉出碳數1～8的烷基、碳數4～7的環烷基、碳數1～8的烷氧基、碳數2～8的烷氧羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基及酸分解性基等。n₂ 表示0～4的整數。n₂ 為2以上時，存在複數個之取代基（Rb₂ ）可以相同，亦可以不同，又，存在複數個之取代基（Rb₂ ）彼此還可以鍵結而形成環。

（具有酚性羥基之重複單元）
又，樹脂P可以含有具有酚性羥基之重複單元。
作為具有酚性羥基之重複單元，例如可舉出由下述通式（I）表示之重複單元。

[化7]

式中，
R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 分別獨立地表示氫原子、烷基、鹵素原子、氰基或烷氧羰基。其中，R₄₂ 可以與Ar₄ 鍵結而形成環，此時的R₄₂ 表示單鍵或伸烷基。

X₄ 表示單鍵、-COO-或-CONR₆₄ -，R₆₄ 表示氫原子或烷基。
L₄ 表示單鍵或伸烷基。
Ar₄ 表示（n+1）價的芳香環基，在與R₄₂ 鍵結而形成環之情形下，表示（n+2）價的芳香環基。
n表示1～5的整數。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷基，可以具有取代基之、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳數20以下的烷基為較佳，碳數8以下的烷基為更佳，碳數3以下的烷基為進一步較佳。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的環烷基，可以係單環型，亦可以係多環型。作為環烷基，可以具有取代基之、環丙基、環戊基及環己基等碳數3～8且單環型環烷基為較佳。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，氟原子為較佳。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷氧羰基中所含之烷基，與上述R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中的烷基相同者為較佳。

作為上述各基團中的取代基，例如可舉出烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧羰基、氰基及硝基等，取代基的碳數係8以下為較佳。

Ar₄ 表示（n+1）價的芳香環基。在n為1之情形下，2價的芳香環基可以具有取代基，例如可舉出伸苯基、甲伸苯基、伸萘基及伸蒽基等碳數6～18的伸芳基、以及噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三𠯤、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑及噻唑等包含雜環之芳香環基。

作為n為2以上的整數時之（n+1）價的芳香環基的具體例，可舉出從2價的芳香環基的上述之具體例去除（n-1）個任意的氫原子而成之基團。
（n+1）價的芳香環基還可以具有取代基。

作為上述之烷基、環烷基、烷氧羰基、伸烷基及（n+1）價的芳香環基能夠具有之取代基，例如可舉出通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中所舉出之烷基；甲氧基、乙氧基、羥乙氧基、丙氧基、羥丙氧基及丁氧基等烷氧基；苯基等芳基。

作為由X₄ 表示之-CONR₆₄ -（R₆₄ 表示氫原子或烷基）中的R₆₄ 的烷基，可舉出可以具有取代基之、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳數20以下的烷基，碳數8以下的烷基為更佳。

作為X₄ ，單鍵、-COO-或-CONH-為較佳，單鍵或-COO-為更佳。

作為L₄ 中的伸烷基，可以具有取代基之、亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基及伸辛基等碳數1～8的伸烷基為較佳。

作為Ar₄ ，可以具有取代基之碳數6～18的芳香環基為較佳，苯環基、萘環基或聯伸苯基環基為更佳。

由通式（I）表示之重複單元具備羥基苯乙烯結構為較佳。亦即，Ar₄ 為苯環基為較佳。

相對於樹脂P中的所有重複單元，具有酚性羥基之重複單元的含量係0～50莫耳%為較佳，0～45莫耳%為更佳，0～40莫耳%為進一步較佳。

（含有具有極性基之有機基之重複單元）
樹脂P還可以包含含有具有極性基之有機基之重複單元、尤其具有被極性基取代而得之脂環烴結構之重複單元。藉此，基板密合性、顯影液親和性得到提高。
作為被極性基取代而得之脂環烴結構的脂環烴結構，金剛烷基、鑽石烷基（diamantyl group）或降莰烷基為較佳。作為極性基，羥基或氰基為較佳。

在樹脂P包含含有具有極性基之有機基之重複單元之情形下，相對於樹脂P中的所有重複單元，其含量係1～50莫耳%為較佳，1～30莫耳%為更佳，5～25莫耳%為進一步較佳，5～20莫耳%為特佳。

（由通式（VI）表示之重複單元）
樹脂P可以含有由下述通式（VI）表示之重複單元。

[化8]

通式（VI）中，
R₆₁ 、R₆₂ 及R₆₃ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基、或烷氧羰基。其中，R₆₂ 可以與Ar₆ 鍵結而形成環，此時的R₆₂ 表示單鍵或伸烷基。
X₆ 表示單鍵、-COO-或-CONR₆₄ -。R₆₄ 表示氫原子或烷基。
L₆ 表示單鍵或伸烷基。
Ar₆ 表示（n+1）價的芳香環基，在與R₆₂ 鍵結而形成環之情形下，表示（n+2）價的芳香環基。
關於Y₂ ，在n≥2之情形下，分別獨立地表示氫原子或藉由酸的作用而消除之基團。其中，Y₂ 中的至少1個表示藉由酸的作用而消除之基團。
n表示1～4的整數。

作為藉由酸的作用而消除之基團Y₂ ，由下述通式（VI-A）表示之結構為較佳。

[化9]

L₁ 及L₂ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、或組合伸烷基和芳基而得之基團。
M表示單鍵或2價的連結基。
Q表示烷基、可以包含雜原子之環烷基、可以包含雜原子之芳基、胺基、銨基、巰基、氰基或醛基。
Q、M、L₁ 中的至少2個可以鍵結而形成環（較佳為5員環或6員環）。

由上述通式（VI）表示之重複單元係由下述通式（3）表示之重複單元為較佳。

[化10]

通式（3）中，
Ar₃ 表示芳香環基。
R₃ 表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、醯基或雜環基。
M₃ 表示單鍵或2價的連結基。
Q₃ 表示烷基、環烷基、芳基或雜環基。
Q₃ 、M₃ 及R₃ 中的至少2個可以鍵結而形成環。

Ar₃ 所表示之芳香環基與在上述通式（VI）中的n為1之情形下之、上述通式（VI）中的Ar₆ 相同，伸苯基或伸萘基為較佳，伸苯基為更佳。

（在側鏈上具有矽原子之重複單元）
樹脂P還可以含有在側鏈上具有矽原子之重複單元。作為在側鏈上具有矽原子之重複單元，例如可舉出具有矽原子之（甲基）丙烯酸酯系重複單元及具有矽原子之乙烯基系重複單元等。在側鏈上具有矽原子之重複單元，典型地為在側鏈上具備具有矽原子之基團之重複單元，作為具有矽原子之基團，例如可舉出三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、三苯基甲矽烷基、三環己基甲矽烷基、三（三甲基甲矽烷氧基）甲矽烷基、三（三甲基甲矽烷基）甲矽烷基、甲基雙三甲基甲矽烷基甲矽烷基、甲基雙三甲基甲矽烷氧基甲矽烷基、二甲基三甲基甲矽烷基甲矽烷基、二甲基三甲基甲矽烷氧基甲矽烷基及如下述之環狀或直鏈狀聚矽氧烷、或者籠型或梯型或無規型倍半矽氧烷結構等。式中，R及R¹ 分別獨立地表示1價的取代基。*表示直鏈狀鍵結鍵。

[化11]

作為具有上述基團之重複單元，例如，源自具有上述基團之丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物之重複單元或源自具有上述基團和乙烯基之化合物之重複單元為較佳。

在樹脂P具有在上述側鏈上具有矽原子之重複單元之情形下，相對於樹脂P中的所有重複單元，其含量係1～30莫耳%為較佳，5～25莫耳%為更佳，5～20莫耳%為進一步較佳。

關於樹脂P的重量平均分子量，藉由GPC（Gel permeation chromatography：凝膠滲透層析）法以聚苯乙烯換算值計，係1,000～200,000為較佳，3,000～20,000為更佳，5,000～15,000為進一步較佳。藉由將重量平均分子量設為1,000～200,000，能夠防止耐熱性及乾蝕刻耐性的惡化，且能夠防止顯影性惡化或者黏度變高而製膜性惡化。

分散度（分子量分佈）通常為1～5，1～3為較佳，1.2～3.0為更佳，1.2～2.0為進一步較佳。

關於藥液中所含之其他成分（例如酸產生劑、鹼性化合物、猝滅劑、疏水性樹脂、界面活性劑及溶劑等），均能夠使用公知者。

[藥液的用途]
上述實施形態之藥液較佳地用於製造半導體器件。尤其，更佳地用於包含利用了KrF準分子雷射及ArF準分子雷射之圖案形成之製程。
上述實施形態之藥液能夠較佳地用作用於圖案寬度和/或圖案間隔為20～80 nm的阻劑步驟之藥液。又，上述實施形態之藥液能夠較佳地用作用於所獲得之配線寬度和/或配線間隔為20～80 nm的阻劑步驟之藥液。更具體而言，較佳為上述阻劑步驟中所使用之預濕液、顯影液、沖洗液、阻劑液其本身、阻劑液的溶劑及剝離液等。換言之，進一步較佳地用於製造使用圖案寬度和/或圖案間隔為20～80 nm的阻劑膜製造之半導體器件。
具體而言，含有微影製程、蝕刻製程、離子植入製程及剝離製程等之半導體器件的製造製程中，在各製程結束之後或轉移至下一製程之前，用於處理有機物，具體而言，較佳地用作預濕液、顯影液、沖洗液及剝離液等。例如，亦能夠用於阻劑塗佈前後的半導體基板的邊緣線的沖洗。
又，上述藥液還能夠用作阻劑液中所含之樹脂的稀釋液、阻劑液中所含之溶劑。又，還可以藉由其他有機溶劑和/或水等進行稀釋。又，還可以藉由其他有機溶劑和/或水等進行稀釋。

又，上述藥液還能夠較佳地用於除了用於製造半導體器件以外的其他用途，還能夠用作聚醯亞胺、感測器用阻劑、透鏡用阻劑等顯影液及沖洗液等。
又，上述藥液還能夠用作醫療用途或清洗用途的溶劑。尤其，能夠較佳地用於容器、配管及基板（例如，晶圓及玻璃等）等的清洗。

其中，本藥液在應用於利用了KrF準分子雷射曝光及ArF準分子雷射曝光之圖案形成中之、阻劑液、預濕液、顯影液及沖洗液之情形下，發揮更加優異的效果。

[分析方法]
本發明的實施形態之被檢液的分析方法為依次具有如下製程之被檢液的分析方法：將含有有機溶劑及含有金屬原子之含金屬粒子之被檢液塗佈於基板上，並在基板上形成被檢液層之製程A；及分析基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數之製程。

（製程A）
製程A為將被檢液塗佈於基板上並在基板上形成被檢液層之製程。
作為被檢液，並無特別限制，但是能夠適當地使用上述之藥液及後述之藥液的製造中所使用之被純化物等。
作為將被檢液塗佈於基板上之方法，並無特別限制，但是就能夠將既定量的被檢液均勻地塗佈於基板上之觀點而言，將被檢液滴加到所旋轉之基板上之方法、或將濃縮液滴加到基板上之後，使基板旋轉之方法為較佳。
作為被檢液的滴加量，並無特別限制，但是通常係10～1000 μL左右為較佳。
塗佈製程還可以具有使被檢液層乾燥並去除有機溶劑之製程。在該情形下，作為加熱的方法，並無特別限制，但是就被檢液中的成分變化少，且能夠在短時間內實施之觀點而言，照射光線之方法為較佳。作為光線，並無特別限制，但是紅外線為較佳。

（製程B）
製程B為測量基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數（個/cm² ）之製程。作為對基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數進行評價之方法，並無特別限制，但是例如能夠藉由缺陷檢測裝置及能量分散型X射線分析裝置的組合進行評價。
所謂缺陷檢測裝置，係使雷射光線照射到塗佈於晶圓上之藥液上，並檢測因存在於晶圓上之缺陷而散射之雷射光線，檢測存在於晶圓上之缺陷之裝置。在使雷射光線照射時，一邊使晶圓旋轉一邊進行測量，藉此能夠由晶圓的旋轉角度和雷射光線的半徑位置，推斷雜質及缺陷的坐標位置。若利用能量分散型X射線分析法在所確定之缺陷的位置進行元素分析，則能夠對該缺陷的組成進行評價。此時，能夠將含有金屬原子之缺陷判斷為含金屬粒子。

作為該種裝置，可舉出KLA Tencor製造的“SP-5”，但是，除此以外，還可以係具有“SP-5”的解析度以上的解析度之晶圓上表面檢測裝置（典型地，“SP-5”的下一代產品等）。
又，若組合使用上述和Applied Materials, Inc.的全自動缺陷複檢分類裝置“SEMVision G6”，則能夠對基板的每單位面積的含金屬粒子的個數進行評價。另外，具體順序如實施例中所記載。

而且，製程B還可以具有由基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數計算藥液的每單位體積的含金屬粒子的個數（個/cm³ ）之製程。作為藥液的每單位體積的含金屬粒子的個數（個/cm³ ）的計算方法，並無特別限制，但是能夠由基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數及塗佈於基板上之藥液的量（cm³ ）求出。可以用塗佈於基板上之藥液的量（cm³ ）除以基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數（個數/cm² ）與塗佈了被檢液之基板的面積（cm² ）之積。

[藥液的製造方法]
作為上述藥液的製造方法，並無特別限制，能夠使用公知的製造方法。其中，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，藥液的製造方法具有使用過濾器過濾含有有機溶劑之被純化物來獲得藥液之過濾製程為較佳。

過濾製程中所使用之被純化物藉由基於購買等之供應及使原料進行反應來獲得。作為被純化物，使用上述說明之含金屬粒子和/或雜質的含量少者為較佳。作為該種被純化物的市售品，例如可舉出稱作“高純度等級品”者。

作為使原料進行反應來獲得被純化物（典型地，為含有有機溶劑之被純化物）之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，可舉出在觸媒的存在下使一種或複數種原料進行反應來獲得有機溶劑之方法。
更具體而言，例如可舉出：在硫酸的存在下使乙酸與正丁醇進行反應來獲得乙酸丁酯之方法；在Al(C₂ H₅ )₃ 的存在下使伸乙基、氧及水進行反應來獲得1-己醇之方法；在Ipc2BH（Diisopinocampheylborane：二異松蒎烯基磞烷）的存在下使順式-4-甲基-2-戊烯進行反應來獲得4-甲基-2-戊醇之方法；在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應來獲得PGMEA（丙二醇1-單甲酯醚2-乙酸酯）之方法；在氧化銅-氧化鋅-氧化鋁的存在下使丙酮及氫進行反應來獲得IPA（isopropyl alcohol：異丙醇）之方法；及使乳酸及乙醇進行反應來獲得乳酸乙酯之方法；等。

＜過濾製程＞
本發明的實施形態之藥液的製造方法具有使用過濾器過濾上述被純化物來獲得藥液之過濾製程。作為使用過濾器過濾被純化物之方法，並無特別限制，但是在加壓或未加壓下使被純化物通過（通液）具有殼體和收容於殼體中之濾筒之過濾器單元為較佳。

•過濾器的細孔直徑
作為過濾器的細孔直徑，並無特別限制，能夠使用通常用於被純化物的過濾之細孔直徑的過濾器。其中，就更加容易將粒徑為10～100 nm的粒子在藥液中的含有粒子數控制在所期望的範圍內之觀點而言，過濾器的細孔直徑係200 nm以下為較佳，20 nm以下為更佳，10 nm以下為進一步較佳，5 nm以下為特佳，3 nm以下為最佳。作為下限值，並無特別限制，但是就生產率的觀點而言，通常係1 nm以上為較佳。
另外，本說明書中，所謂過濾器的細孔直徑及細孔直徑分佈，係指藉由異丙醇（IPA）或HFE-7200（“Novec7200”，3M Company製造，氫氟醚，C₄ F₉ OC₂ H₅ ）的泡點（bubble point）確定之細孔直徑及細孔直徑分佈。

若過濾器的細孔直徑為5 nm以下，則就更加容易控制粒徑為10～100 nm的粒子在藥液中的含有粒子數之觀點而言，為較佳。以下，還將細孔直徑為5 nm以下的過濾器稱為“微小孔徑過濾器”。
另外，微小孔徑過濾器可以單獨使用，亦可以與具有其他細孔直徑之過濾器同時使用。其中，就生產率更加優異的觀點而言，與具有更大的細孔直徑之過濾器同時使用為較佳。在該情形下，使預先藉由具有更大的細孔直徑之過濾器進行過濾而得之被純化物通過微小孔徑過濾器，藉此能夠防止微小孔徑過濾器的堵塞。
亦即，作為過濾器的細孔直徑，在使用1個過濾器之情形下，細孔直徑係5.0 nm以下為較佳，在使用2個以上的過濾器之情形下，具有最小細孔直徑之過濾器的細孔直徑係5.0 nm以下為較佳。

作為依次使用細孔直徑不同的2種以上的過濾器之形態，並無特別限制，但是可舉出沿著輸送被純化物之管道，依次配置上述說明之過濾器單元之方法。此時，若作為管道整體，欲使被純化物的每單位時間的流量一定，則有時與細孔直徑更大的過濾器單元相比，對細孔直徑更小的過濾器單元施加更大的壓力。在該情形下，在過濾器單元之間配置壓力調節閥及阻尼器等，並使對具有較小的細孔直徑之過濾器單元施加之壓力一定，或者、且沿著管道並聯配置收容有相同的過濾器之過濾器單元，以增加過濾面積為較佳。藉此，能夠更加穩定地控制10～100 nm的粒子在藥液中的含有粒子數。

•過濾器的材料
作為過濾器的材料，並無特別限制，作為過濾器的材料，能夠使用公知者。具體而言，在為樹脂之情形下，可舉出6-尼龍及6,6-尼龍等聚醯胺；聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴；聚苯乙烯；聚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚（甲基）丙烯酸酯；聚四氟乙烯、全氟烷氧基乙烯、全氟乙烯丙烯共聚物、乙烯•四氟乙烯共聚物、乙烯-氯三氟乙烯共聚物、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯及聚氟乙烯等聚氟烴；聚乙烯醇；聚酯；纖維素；纖維素乙酸酯等。其中，就具有更加優異的耐溶劑性，且所獲得之藥液具有更加優異的缺陷抑制性能之觀點而言，選自包含尼龍（其中，6,6-尼龍為較佳）、聚烯烴（其中，聚乙烯為較佳）、聚（甲基）丙烯酸酯及聚氟烴（其中，聚四氟乙烯（PTFE）、全氟烷氧基乙烯（PFA）為較佳。）之群組中之至少一種為較佳。該等聚合物能夠單獨使用或組合2種以上來使用。
又，除樹脂以外，還可以為矽藻土及玻璃等。

又，過濾器可以係經表面處理者。作為表面處理的方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。作為表面處理的方法，例如可舉出化學修飾處理、電漿處理、疏水處理、塗佈、氣體處理及燒結等。

關於電漿處理，由於過濾器的表面被親水化，因此為較佳。作為進行電漿處理而被親水化之過濾材料的表面上的水接觸角，並無特別限制，但是藉由接觸角儀測量出之25℃下的靜態接觸角係60°以下為較佳，50°以下為更佳，30°以下為進一步較佳。

作為化學修飾處理，將離子交換基引入到基材之方法為較佳。
亦即，作為過濾器，將在上述中舉出之各材料作為基材，並將離子交換基引入到上述基材而得者為較佳。典型地，包含在表面具有離子交換基之基材之過濾器為較佳。作為經表面修飾之基材，並無特別限制，就製造更加容易之觀點而言，將離子交換基引入到上述聚合物而得者為較佳。

作為離子交換基，作為陽離子交換基，可舉出磺酸基、羧基及磷酸基等，作為陰離子交換基，可舉出四級銨基等。作為將離子交換基引入到聚合物之方法，並無特別限制，但是可舉出使具有離子交換基和聚合性基團之化合物與聚合物進行反應並典型地進行接枝之方法。

作為離子交換基的引入方法，並無特別限制，但是對上述樹脂的纖維照射電離放射線（α射線、β射線、γ射線、X射線及電子束等）而在樹脂中生成活性部分（自由基）。將該照射後的樹脂浸漬於含單體的溶液中而使單體與基材接枝聚合。其結果，生成該單體作為接枝聚合側鏈而與樹脂纖維鍵結而得者。藉由使具有該所生成之聚合物來作為側鏈之樹脂與具有陰離子交換基或陽離子交換基之化合物進行接觸反應，將離子交換基引入到經接枝聚合之側鏈的聚合物來獲得最終產物。

又，過濾器可以係組合藉由放射線接枝聚合法形成有離子交換基之織布或不織布及以往的玻璃棉、織布或不織布的過濾材料而得之結構。

若使用具有離子交換基之過濾器，則更加容易地將含有金屬原子之粒子在藥液中的含量控制在所期望的範圍內。作為具有離子交換基之過濾器的材料，並無特別限制，但是可舉出將離子交換基引入到聚氟烴及聚烯烴而得者等，將離子交換基引入到聚氟烴而得者為更佳。
作為具有離子交換基之過濾器的細孔直徑，並無特別限制，但是1～30 nm為較佳，5～20 nm為更佳。具有離子交換基之過濾器可以兼作上述說明之具有最小細孔直徑之過濾器，亦可以與具有最小細孔直徑之過濾器分開使用。其中，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，過濾製程同時使用具有離子交換基之過濾器和不具有離子交換基且具有最小細孔直徑之過濾器之形態為較佳。
作為上述說明之具有最小細孔直徑之過濾器的材料，並無特別限制，但是就耐溶劑性等的觀點而言，通常選自包含聚氟烴及聚烯烴之群組中之至少一種為較佳，聚烯烴為更佳。

又，若過濾器的材料為聚醯胺（尤其，尼龍），則能夠更加容易地控制高沸點有機化合物等在藥液中的含量，尤其，能夠進一步容易地控制含有高沸點有機化合物之含金屬粒子在藥液中的含量。
因此，作為過濾製程中所使用之過濾器，使用材料不同的2種以上的過濾器為較佳，使用選自包含聚烯烴、聚氟烴、聚醯胺及將離子交換基引入到它們中而得者之群組中之2種以上為更佳。

•過濾器的細孔結構
作為過濾器的細孔結構，並無特別限制，可以依據被純化物中的成分適當選擇。本說明書中，所謂過濾器的細孔結構，係指細孔直徑分佈、過濾器中的細孔的位置分佈及細孔的形狀等，典型地，能夠藉由過濾器的製造方法來控制。
例如，若燒結樹脂等粉末而形成，則可獲得多孔膜及若藉由靜電紡絲、電吹（Electro blowing）及熔融吹襲紡絲等方法形成，則可獲得纖維膜。它們各自的細孔結構不同。

所謂“多孔膜”，係指雖然保持凝膠、粒子、膠體、細胞及聚寡聚物等被純化物中的成分，但是實質上小於細孔之成分通過細孔之膜。利用多孔膜之被純化物中的成分的保持，有時取決於動作條件、例如面速度、界面活性劑的使用、pH及它們的組合，且能夠取決於多孔膜的孔徑、結構及應去除之粒子的尺寸及結構（硬質粒子或凝膠等）。

在被純化物中包含含有高沸點有機化合物之粒子（可以係凝膠狀）來作為雜質之情形下，含有高沸點有機化合物之粒子通常帶負電，為了去除該種粒子，聚醯胺製過濾器實現非篩膜的功能。在典型的非篩膜中包含尼龍-6膜及尼龍-6,6膜等尼龍膜，但是並不限制於該等。
另外，本說明書中所使用之利用“非篩”之保持機構，係指藉由與過濾器的壓力下降或細孔直徑無關之、干擾、擴散及吸附等的機構產生之保持。

非篩保持包含與過濾器的壓力下降或過濾器的細孔直徑無關地，去除被純化物中的去除對象粒子之、干擾、擴散及吸附等的保持機構。粒子在過濾器表面上的吸附，例如能夠藉由分子間的範德華力及靜電力等來傳送。在具有彎曲狀路徑之非篩膜層中進行移動之粒子無法充分迅速地改變方向以免與非篩膜接觸之情形下，產生干擾效果。基於擴散之粒子輸送，係通過生成粒子與過濾材料碰撞之一定的概率之、主要由小粒子的不規則運動或布朗運動而產生。在粒子與過濾器之間不存在排斥力之情形下，非篩保持機構能夠變得活躍。

UPE（超高分子量聚乙烯）過濾器，典型地為篩膜。篩膜係指主要經由篩子保持機構捕獲粒子之膜或為了經由篩子保持機構捕獲粒子而最佳化之膜。
作為篩膜的典型的例子，包含聚四氟乙烯（PTFE）膜和UPE膜，但是並不限制於該等。
另外，所謂“篩子保持機構”，係指基於去除對象粒子大於多孔膜的細孔直徑之結果的保持。篩子保持力能夠藉由形成濾餅（膜的表面上的成為去除對象之粒子的凝聚）來提高。濾餅有效地實現次級過濾器的功能。

纖維層的材質只要係能夠形成纖維層之聚合物，則並無特別限制。作為聚合物，例如可舉出聚醯胺等。作為聚醯胺，例如可舉出尼龍6及尼龍6,6等。作為形成纖維膜之聚合物，可以係聚（醚碸）。在纖維膜處於多孔膜的一次側之情形下，纖維膜的表面能高於作為處於二次側之多孔膜的材質之聚合物為較佳。作為該種組合，例如可舉出纖維膜的材料為尼龍且多孔膜為聚乙烯（UPE）之情形。

作為過濾製程中所使用之過濾器，使用細孔結構不同之2種以上的過濾器為較佳，具有多孔膜及纖維膜的過濾器為較佳。具體而言，同時使用尼龍纖維膜的過濾器及UPE多孔膜的過濾器為較佳。

如上所述，本發明的實施形態之過濾製程係使被純化物通過選自包含過濾器的材料、細孔直徑及細孔結構之群組中之至少一種不同之2種以上的過濾器之多級過濾製程為較佳。

（多級過濾製程）
多級過濾製程能夠使用公知的純化裝置來實施。圖1係表示能夠實施多級過濾製程之純化裝置的典型例之示意圖。純化裝置10具有製造罐11、過濾裝置16及填充裝置13，上述各單元藉由管道14而連接。
過濾裝置16具有藉由管道14而連接之過濾器單元12（a）及過濾器單元12（b）。在上述過濾器單元12（a）及過濾器單元12（b）之間的管道配置有調節閥15（a）。

圖1中，被純化物儲存於製造罐11中。接著，配置於管道14中之未圖示之泵運轉，被純化物從製造罐11經由管道14，被送出至過濾裝置16。純化裝置10中的被純化物的輸送方向由圖1中的F₁ 表示。

過濾裝置16包含藉由管道14而連接之過濾器單元12（a）及過濾器單元12（b），在上述2個過濾器單元中，分別收容有具有選自包含細孔直徑、材料及細孔結構之群組中之至少一種不同之過濾器之過濾芯。過濾裝置16具有使用過濾器過濾通過管道而被供給之被純化物之功能。
作為收容於各過濾器單元中之過濾器，並無特別限制，但是具有最小細孔直徑之過濾器收容於過濾器單元12（b）中為較佳。

藉由泵運轉，將被純化物供給至過濾器單元12（a），並進行過濾。對於藉由過濾器單元12（a）過濾之被純化物，藉由調節閥15（a）依需要進行減壓，供給至過濾器單元12（b），並進行過濾。

另外，純化裝置可以不具有調節閥15（a）。又，即使在具有調節閥15（a）之情形下，其位置可以不係過濾器單元12（b）的一次側，亦可以係過濾器單元12（a）的一次側。
又，作為能夠調節被純化物的供給壓力之裝置，可以使用除調節閥以外者。作為該種構件，例如可舉出阻尼器等。

又，過濾裝置16中，各過濾器形成有過濾芯，但是在本實施形態之純化方法中能夠使用之過濾器並不限制於上述形態。例如，可以係使被純化物通過形成為平板狀之過濾器之形態。

又，上述純化裝置10中，構成為將經由了過濾器單元12（b）之過濾之後的被純化物輸送至填充裝置13，並收容於容器中，但是作為實施上述純化方法之過濾裝置，並不限制於上述，可以構成為將經由過濾器單元12（b）而被過濾之被純化物送回到製造罐11中，並再次使其通過過濾器單元12（a）及過濾器單元12（b）。將如上述之過濾方法稱為循環過濾。利用循環過濾之被純化物的純化中，將2種以上的過濾器中的至少1個使用2次以上。另外，本說明書中，將藉由各過濾器單元被過濾之已過濾之被純化物送回到製造罐中之操作計數為1次循環次數。
循環次數可以依據被純化物中的成分等適當選擇。

作為上述純化裝置的接液部（係指被純化物及藥液有可能接觸之內壁面等）的材料，並無特別限制，但是由選自包含非金屬材料及經電解研磨之金屬材料之群組中之至少一種（以下，還將它們統稱為“耐腐蝕材料”。）形成為較佳。例如，所謂製造罐的接液部由耐腐蝕材料形成，可舉出製造罐本身由耐腐蝕材料形成、或由耐腐蝕材料被覆製造罐的內壁面等之情形。

作為上述非金屬材料，並無特別限制，能夠使用公知的材料。
作為非金屬材料，例如可舉出選自包含聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯-聚丙烯樹脂、四氟乙烯樹脂、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚合體、四氟乙烯-六氟丙烯共聚合樹脂、四氟乙烯-乙烯共聚合體樹脂、三氟氯乙烯-乙烯共聚合樹脂、偏二氟乙烯樹脂、三氟氯乙烯共聚合樹脂及氟乙烯樹脂之群組中之至少一種，但是並不限制於此。

作為上述金屬材料，並無特別限制，能夠使用公知的材料。
作為金屬材料，例如可舉出相對於金屬材料總質量，鉻及鎳的總含量超過25質量%之金屬材料，其中，30質量%以上為較佳。作為金屬材料中的鉻及鎳的總含量的上限值，並無特別限制，但是90質量%以下為較佳。
作為金屬材料，例如可舉出不鏽鋼及鎳-鉻合金等。

作為不鏽鋼，並無特別限制，能夠使用公知的不鏽鋼。其中，含有8質量%以上的鎳之合金為較佳，含有8質量%以上的鎳之沃斯田鐵系不鏽鋼為更佳。作為沃斯田鐵系不鏽鋼，例如可舉出SUS（Steel Use Stainless：日本不鏽鋼標準）304（Ni含量為8質量%，Cr含量為18質量%）、SUS304L（Ni含量為9質量%，Cr含量為18質量%）、SUS316（Ni含量為10質量%，Cr含量為16質量%）及SUS316L（Ni含量為12質量%，Cr含量為16質量%）等。

作為鎳-鉻合金，並無特別限制，能夠使用公知的鎳-鉻合金。其中，鎳含量係40～75質量%且鉻含量係1～30質量%之鎳-鉻合金為較佳。
作為鎳-鉻合金，例如可舉出赫史特合金（商品名稱，以下相同。）、蒙乃爾合金（商品名稱，以下相同）及英高鎳合金（商品名稱，以下相同）等。更具體而言，可舉出赫史特合金C-276（Ni含量為63質量%，Cr含量為16質量%）、赫史特合金-C（Ni含量為60質量%，Cr含量為17質量%）及赫史特合金C-22（Ni含量為61質量%，Cr含量為22質量%）等。
又，依需要，除上述合金以外，鎳-鉻合金還可以含有硼、矽、鎢、鉬、銅及鈷等。

作為將金屬材料進行電解研磨之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用日本特開2015-227501號公報的0011～0014段及日本特開2008-264929號公報的0036～0042段等中所記載之方法。

推測金屬材料藉由電解研磨而使表面的鈍化層中的鉻的含量多於母相的鉻的含量。因此推測，若使用接液部由經電解研磨之金屬材料形成之純化裝置，則含金屬粒子不容易流出至被純化物中。
另外，可以對金屬材料進行拋光。拋光的方法並無特別限制，能夠使用公知的方法。用於精拋之研磨粒的尺寸並無特別限制，但是就金屬材料的表面的凹凸更加容易變小之觀點而言，#400以下為較佳。另外，拋光在電解研磨之前進行為較佳。

＜其他製程＞
作為本發明的實施形態之藥液的製造方法，只要具有過濾製程，則並無特別限制，還可以具有除過濾製程以外的製程。作為除過濾製程以外的製程，例如可舉出蒸餾製程、反應製程及除電製程等。

（蒸餾製程）
蒸餾製程為蒸餾含有有機溶劑之被純化物來獲得已蒸餾之被純化物之製程。作為蒸餾被純化物之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。典型地，可舉出在上述說明之純化裝置的一次側配置蒸餾塔，並將經蒸餾之被純化物引入到製造罐中之方法。
此時，作為蒸餾塔的接液部，並無特別限制，但是由上述說明之耐腐蝕材料形成為較佳。

作為蒸餾製程，就可獲得具有更加優異的本發明的效果之藥液之觀點而言，被純化物含有有機溶劑和沸點為300℃以上的有機化合物，已蒸餾之被純化物中的有機化合物的含量為1.0×10^-3 質量ppt～1.0×10³ 質量ppm製程為更加。
作為已蒸餾之被純化物中的有機化合物的含量，1.0質量ppt～1.0×10³ 質量ppm為更佳，1.0質量ppb～1.0×10² 質量ppm為更加。

（反應製程）
反應製程為使原料進行反應來生成作為反應物之含有有機溶劑之被純化物之製程。作為生成被純化物之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。典型地，可舉出在上述說明之純化裝置的製造罐（或蒸餾塔）的一次側配置反應槽，並將反應物引入到製造罐（或蒸餾塔）中之方法。
此時，作為反應槽的接液部，並無特別限制，但是由上述說明之耐腐蝕材料形成為較佳。

（除電製程）
除電製程為藉由對被純化物進行除電來降低被純化物的帶電電位之製程。
作為除電方法，並無特別限制，能夠使用公知的除電方法。作為除電方法，例如可舉出使被純化物與導電性材料接觸之方法。
使被純化物與導電性材料接觸之接觸時間係0.001～60秒為較佳，0.001～1秒為更佳，0.01～0.1秒為進一步較佳。作為導電性材料，可舉出不鏽鋼、金、鉑、金剛石及玻璃碳等。
作為使被純化物與導電性材料接觸之方法，例如可舉出將由導電性材料製成之經接地之篩網配置在管道內部，且使被純化物通過該篩網之方法等。

關於藥液的純化、附帶在其中之容器的開封、容器及裝置的清洗、溶液的收容以及分析等均在無塵室中進行為較佳。無塵室係國際標準化組織所規定之國際標準ISO14644-1：2015中規定之等級4以上的清潔度的無塵室為較佳。具體而言，滿足ISO等級1、ISO等級2、ISO等級3及ISO等級4中的任一個為較佳，滿足ISO等級1或ISO等級2為更佳，滿足ISO等級1為進一步較佳。

作為藥液的保管溫度，並無特別限制，但是藥液所含之微量的雜質等更加不容易溶出，其結果，就可獲得更加優異的本發明的效果之觀點而言，作為保管溫度，4℃以上為較佳。

[藥液的製造方法的其他實施形態]
作為本發明的藥液的製造方法的其他實施形態，係具有如下製程之藥液的製造方法：第1製程，對包含含有金屬原子且粒徑為10～100 nm的含金屬粒子之被純化物進行純化來獲得已純化之被純化物；第2製程，取出已純化之被純化物的一部分來獲得被檢液；及第3製程，將被檢液塗佈於基板上，測量塗佈後的基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數，並重複實施第1製程及第2製程直至其測量值成為預先確定之值以下，以獲得藥液。
依上述藥液的製造方法，能夠容易地製造具有更加優異的本發明的效果之藥液。

（第1製程）
第1製程為對被純化物進行純化來獲得已純化之被純化物之製程。作為被純化物及對被純化物進行純化之方法，如上所述。

（第2製程）
第2製程為取出已純化之被純化物的一部分來獲得被檢液之製程。作為從已純化之被純化物取出之被檢液的量，並無特別限制，足以實施上述之分析方法之量即可。
又，作為從已純化之被純化物取出被檢液之方法，並無特別限制，可以從藥液的製造裝置中的罐及管道等取出，亦可以使用收容於容器中之已純化之被純化物的一部分。

（第3製程）
第3製程為如下製程，即，將被檢液塗佈於基板上，測量塗佈後的基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數，並重複實施第1製程及第2製程直至其測量值成為預先確定之基準值以下之製程。
作為測量基板上的每單位面積的含金屬粒子的個數之方法，並無特別限制，但是使用上述之分析方法為較佳。又，基準值可以預先確定，其值及確定方法並無特別限制。基於藥液所需之缺陷抑制性能等，例如能夠將缺陷數量設為基準值。

[藥液收容體]
藉由上述純化方法製造之藥液可以收容於容器中並進行保管直至使用為止。
將該種容器及收容於容器中之藥液（或阻劑組成物）統稱為藥液收容體。從經保管之藥液收容體中取出藥液並進行使用。

作為保管上述藥液之容器，面向半導體器件製造用途，容器內的清潔度高且雜質的溶出少者為較佳。
作為能夠使用之容器，具體而言，可舉出AICELLO CHEMICAL CO., LTD.製造的“清潔瓶”系列及KODAMA PLASTICS Co.,Ltd.製造的“潔淨瓶（Pure bottle）”等，但是並不限制於該等。

作為容器，為了防止雜質混入藥液中（污染），使用將容器內壁設為利用6種樹脂之6層結構之多層瓶或設為利用6種樹脂之7層結構之多層瓶亦為較佳。作為該等容器，例如可舉出日本特開2015-123351號公報中所記載之容器。

該容器的接液部由上述說明之耐腐蝕材料或玻璃製成為較佳。就可獲得更加優異的本發明的效果之觀點而言，接液部的90%以上的面積由上述材料製成為較佳，接液部的全部由上述材料製成為更佳。
[實施例]

以下，依據實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下實施例中所示之材料、用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的宗旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示之實施例來作限定性解釋。

又，製備實施例及比較例的藥液時，容器的處理、藥液的製備、填充、保管及分析測量，均在滿足ISO等級2或1之清潔度的無塵室中進行。為了提高測量精度，有機雜質的含量的測量及金屬原子的含量的測量中，藉由通常的測量進行檢測界限以下者的測量時，濃縮成能夠檢測之濃度（例如，將藥液以體積換算計設為100分之1）並進行測量，換算成濃縮之前的溶液的濃度並算出了含量。

[藥液1的純化]
準備含有環己酮（CHN）來作為有機溶劑之被純化物（市售品），並具有沿著管道串聯配置4個過濾器單元，且不具有調節閥之過濾裝置及具有能夠將藉由最下游側的過濾器單元過濾之後，將已過濾之被純化物送回到製造罐中之管道，除此以外，使用與圖1中所記載者相同的純化裝置進行過濾，以製造了藥液。在各過濾器單元中，從一次側配置有以下過濾器。（在表1中，分別記載為第1過濾器～第4過濾器。）
•聚丙烯製過濾器（細孔直徑：200 nm，多孔膜，在表中記載為“PP”）
•具有離子交換基之聚氟烴製過濾器（細孔直徑：10 nm，PTFE與PES（聚乙烯磺酸）的聚合物的纖維膜，在表中記載為“IEX”。）
•尼龍製過濾器（細孔直徑：5 nm，纖維膜，在表中記載為“Nylon”。）
•UPE製過濾器（細孔直徑：1 nm，多孔膜，在表中記載為“UPE”。）
將通過了上述4個過濾器單元之被純化物送回到製造罐中，並將其重複進行5次（記載於表1的“循環次數”），以獲得了藥液。

[藥液2～藥液33的純化]
關於藥液2～藥液33，在表1中所記載之條件下，對含有表1中所記載之有機溶劑之被純化物進行純化而獲得。另外，關於各藥液，使被純化物在表1中所記載之各過濾器中依次通過第1過濾器至第5過濾器（另外，過濾器欄為空白欄的藥液表示未使用該過濾器之情形。例如，若為藥液2，則通過了第1過濾器～第4過濾器），並將其重複進行“循環次數”中所記載之次數而獲得。
另外，表1中所記載之被純化物分別為採購批次不同者。因此，有時除在各被純化物中最初含有之有機溶劑以外的成分不同。另外，表1分為表1（其1）和表1（其2）。

[表1]

[表2]

另外，表1中的縮寫分別表示以下內容。
•PGMEA/PGME （7:3）：7:3（v/v）的PGMEA與PGME的混合液
•nBA：乙酸正丁酯
•PC/PGMEA （1:9）：1:9（v/v）的PC與PGMEA的混合液
•EL：乳酸乙酯
•iAA：乙酸異戊酯
•MIBC：甲基異丁基甲醇
•IPA：異丙醇
•PTFE：聚四氟乙烯製過濾器（為多孔膜）
•UPE：超高分子量聚乙烯製過濾器（為多孔膜。）
•IEX：具有離子交換基之聚氟烴製過濾器
•Nylon：尼龍製過濾器（為纖維膜。）

[藥液中的粒徑為10～100 nm的含有粒子數的測量]
藥液中的粒徑為10～100 nm的粒子的含有粒子數藉由以下方法來進行了測量。首先，在矽基板上塗佈一定量的藥液而形成帶藥液層之基板，藉由雷射光掃描帶藥液層之基板的表面，並對散射光進行了檢測。藉此，確定了在帶藥液層之基板的表面上存在之缺陷的位置及粒徑。接著，將其缺陷的位置作為基準藉由EDX（能量分析型X射線）分析法進行元素分析，並檢查了缺陷的組成。藉由該方法，求出含金屬粒子在基板上的粒子數，並將其換算成藥液的每單位體積的含有粒子數（個/cm³ ）。
又，還以相同的方式，鑑定了含金屬粒子的組成及與高沸點有機化合物的締合狀態等。
另外，為了分析，組合使用了KLA-Tencor公司製造的晶圓檢查裝置“SP-5”和Applied Materials, Inc.的全自動缺陷複檢分類裝置“SEMVision G6”。又，關於是否含有高沸點有機化合物，藉由氣體層析質譜分析法進行了測量。
將基於各藥液之測量結果及測量結果算出之含有粒子數比等示於表2中。

[表3]

[表4]

[表5]

另外，表2分為表2（其1）～表2（其3）這3個，關於各藥液的組成等，記載於與表2（其1）～表2（其3）相對應之各行中。
例如，若為藥液1，則含有環己酮（CHN）來作為有機溶劑，藥液的每單位體積的含金屬粒子的個數（含有粒子數）為5.0×10⁸ 個/cm³ 。若將含金屬粒子進行分類（與“含金屬粒子的構成1”相對應。），則含金屬粒子的100個數%中，含有3個數%的粒子A，且分別含有23個數%的粒子B和77個數%的粒子C。又，其中，將粒子A設為100個數%時，其中，10個數%為粒子E，90個數%為粒子F。另外，B/C為3.3×10⁰ ，A/（B+C）為3.1×10^-2 ，E/F為1.1×10^-1 。又，藥液1含有高沸點有機化合物。又，若以另一形態將含金屬粒子進行分類（與“含金屬粒子的構成2”相對應。），則含金屬粒子的100個數%中，含有95個數%（作為粒子數，係4.8×10⁸ 個）的粒子U，含有5個數%的粒子V，U/V為1.9×10¹ 。又，藥液1中的含Pb粒子的粒子數為5.0×10⁶ 個/cm³ ，含Ti粒子的粒子數為6.0×10⁶ 個/cm³ ，Pb/Ti為8.3×10^-1 。
關於其他藥液，以與上述相同的要點進行了測量。

[實施例1]
將在上述製備之藥液1用作預濕液，並對缺陷抑制性能進行了評價。另外，所使用之阻劑組成物如下。

[阻劑組成物]
阻劑組成物藉由下述組成混合各成分而獲得。

酸分解性樹脂（由下述式表示之樹脂（重量平均分子量（Mw）7500）：各重複單元中所記載之數值係指莫耳%。）：100質量份

[化12]

下述所示之光酸產生劑：8質量份

[化13]

下述所示之猝滅劑：5質量份（質量比從左依次設為0.1:0.3:0.3:0.2。）。另外，下述猝滅劑中，聚合物類型者的重量平均分子量（Mw）為5000。又，各重複單元中所記載之數值係指莫耳比。

[化14]

下述所示之疏水性樹脂：4質量份（質量比從左依次設為0.5:0.5。）另外，下述疏水性樹脂中，左側的疏水性樹脂的重量平均分子量（Mw）為7000，右側的疏水性樹脂的重量平均分子量（Mw）為8000。另外，各疏水性樹脂中，各重複單元中所記載之數值係指莫耳比。

[化15]

溶劑：
PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）：3質量份
環己酮：600質量份
γ-BL（γ-丁內酯）：100質量份

（殘渣缺陷抑制性能及橋接缺陷抑制性能）
藉由以下方法，對藥液的殘渣缺陷抑制性能及橋接缺陷抑制性能進行了評價。使用Tokyo Electron Limited製造的旋塗機“ACT-8”，在實施了六甲基二矽氮烷處理之8吋的Si基板（Advanced Materials Technology公司製造（以下，還稱為“基板”。））上，不設置防反射層，而用藥液1進行預濕，接著，在基板為靜止之狀態下滴加了阻劑組成物。滴加之後，使基板進行旋轉，對於其轉速，以500 rpm保持3秒鐘，然後以100 rpm保持2秒鐘，進而以500 rpm保持3秒鐘，再次以100 rpm保持2秒鐘之後，提高轉速並保持了60秒鐘。然後，在加熱板上以150℃經90秒鐘進行加熱乾燥，形成了厚度為9 μm的阻劑膜。
相對於該阻劑膜，隔著具有如在縮小投影曝光及顯影之後形成之圖案的線寬成為60 nm，且空間寬度成為60 nm之、線與空間圖案之遮罩，使用KrF準分子雷射掃描儀（ASML製造，PAS5500/850C波長為248 nm），在NA=0.60、σ=0.75的曝光條件下進行了圖案曝光。照射之後，在120℃下經60秒鐘進行烘烤，然後，進行顯影及沖洗，在110℃下經60秒鐘進行烘烤，形成了線寬為60 nm且空間寬度為60 nm的阻劑圖案。

獲取上述阻劑圖案的圖像，並測量了每單位面積的未曝光部中的殘渣數量及圖案彼此的交聯狀的不良數量。關於結果，依據以下基準進行評價，並示於表4中。另外，下述評價基準中，所謂“缺陷數量”，分別表示殘渣缺陷數量及橋接缺陷數量。

AA：缺陷數量小於30個。
A：缺陷數量為30個以上且小於60個。
B：缺陷數量為60個以上且小於90個。
C：缺陷數量為90個以上且小於120個。
D：缺陷數量為120個以上且小於150個。
E：缺陷數量為150個以上且小於180個。
F：缺陷數量為180個以上。

（圖案寬度的均勻性能）
使用測量掃描電子顯微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope（Hitachi High-Technologies Corporation製造，CG-4100））觀察上述圖案，並求出了LWR（Line Width Roughness：線寬粗糙度）。亦即，從圖案上部觀察時，在任意點觀測從圖案的中心至邊緣的距離，並藉由3σ對其測量偏差進行了評價。關於結果，依據以下基準進行評價，並設為圖案寬度的均勻性能的評價。將結果示於表4中。

AA：3σ小於1 nm。
A：3σ為1 nm以上且小於3 nm。
B：3σ為3 nm以上且小於5 nm。
C：3σ為5 nm以上且小於8 nm。
D：3σ為8 nm以上且小於10 nm。
E：3σ為10 nm以上且小於12 nm。
F：3σ為12 nm以上。

[實施例2～實施例23及實施例25～實施例31]
使用藥液2～藥液23及藥液25～藥液31來代替藥液1，除此之外，以與上述相同的方式對各藥液的殘渣缺陷抑制性能、橋接缺陷抑制性能及圖案寬度的均勻性能進行了評價。將結果示於表4中。

[比較例1、比較例2]
使用藥液32及藥液33來代替藥液1，除此之外，以與上述相同的方式對藥液32及藥液33的殘渣缺陷抑制性能、橋接缺陷抑制性能及圖案寬度的均勻性能進行了評價。將結果示於表4中。

[實施例24]
除了未使用預濕液之情形及將藥液24用作顯影液之情形以外，以與上述相同的方式，對藥液24的殘渣缺陷抑制性能、橋接缺陷抑制性能及圖案寬度的均勻性能進行了評價。將結果示於表4中。

[實施例32]
使用藉由實施例1中所記載之藥液1的純化方法進行純化而得之3質量份的PGMEA、藉由實施例1中所記載之藥液1的純化方法進行純化而得之600質量份的環己酮、藉由實施例1中所記載之藥液1的純化方法進行純化而得之100質量份的γ-BL（γ-丁內酯），來代替阻劑組成物1中的3質量份的PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）、600質量份的環己酮、100質量份的γ-BL（γ-丁內酯），除此以外，使用與阻劑組成物1相同的方法及成分，獲得了作為藥液之阻劑組成物2。

接著，關於阻劑組成物2，藉由與上述相同的方法，對藥液中的含金屬粒子的粒子數進行評價之結果，為與藥液1相同程度。
又，使用阻劑組成物2，且未使用預濕液，除此之外，藉由與實施例1相同的方法形成圖案，檢查殘渣缺陷抑制性能、橋接缺陷抑制性能及圖案寬度的均勻性能之結果，為與實施例1相同的結果。

[表6]

依據表4的實施例1～實施例23及實施例25～實施例31的結果，已知本發明的藥液在用作預濕液之情形下，可獲得優異的缺陷抑制性能。又，依據實施例24的結果，已知本發明的藥液在用作顯影液之情形下，可獲得優異的缺陷抑制性能。又，依據實施例32的結果，已知本發明的藥液在用作阻劑液之情形下，可獲得優異的缺陷抑制性能。
又，已知C/B為1.0以上的藥液1相較於藥液6具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，橋接缺陷抑制性能）。
又，已知A/（B+C）小於1.0的藥液1相較於藥液8具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，殘渣缺陷抑制性能）。
又，已知A/（B+C）為0.1以下的藥液1相較於藥液9具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，殘渣缺陷抑制性能）。
又，已知E/F為1.0×10^-2 以上的藥液1相較於藥液11具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，橋接缺陷抑制性能）。
又，已知E/F為1.0×10² 以下的藥液1相較於藥液13具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，橋接缺陷抑制性能）。
又，已知U/V超過10的藥液1相較於藥液4具有更加優異的缺陷抑制性能。
又，粒子U的含有粒子數為5.0×10^-2 個/cm³ 以上的藥液1相較於藥液15具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，殘渣缺陷抑制性能）。
又，粒子U的含有粒子數為1.0×10¹¹ 個/cm³ 以下的藥液1相較於藥液16具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，圖案寬度均勻性能）。
又，Pb/Ti為1.0×10^-5 以上的藥液1相較於藥液18具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，橋接缺陷抑制性能）。
又，Pb/Ti為1.0以下的藥液1相較於藥液17具有更加優異的缺陷抑制性能（尤其，橋接缺陷抑制性能）。

10‧‧‧純化裝置

11‧‧‧製造罐

12（a）、12（b）‧‧‧過濾器單元

13‧‧‧填充裝置

14‧‧‧管道

15（a）‧‧‧調節閥

16‧‧‧過濾裝置

圖1係表示能夠實施多級過濾製程之純化裝置的典型例之示意圖。

Claims (19)

1. 一種藥液，其含有： 有機溶劑；及 含金屬粒子，含有金屬原子且粒徑為10～100 nm， 該藥液中， 該含金屬粒子的含有粒子數為1.0×10^-2 ～1.0×10¹² 個/cm³ 。
2. 如申請專利範圍第1項所述之藥液，其用於製造半導體器件。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之藥液，其中 該含金屬粒子由選自包含含有該金屬原子的單體之粒子A、含有該金屬原子的氧化物之粒子B及含有該金屬原子的單體及該金屬原子的氧化物之粒子C之群組中之至少一種組成。
4. 如申請專利範圍第3項所述之藥液，其中 該粒子C為具有該金屬原子的單體及以覆蓋該金屬原子的單體的表面的至少一部分之方式配置之該金屬原子的氧化物之粒子D。
5. 如申請專利範圍第3項所述之藥液，其中 該藥液的每單位體積的、該粒子C的含有粒子數與該粒子B的含有粒子數之含有粒子數比為1.0以上。
6. 如申請專利範圍第3項所述之藥液，其中 該藥液的每單位體積的、該粒子A的含有粒子數與該粒子B的含有粒子數及該粒子C的含有粒子數的總計之含有粒子數比小於1.0。
7. 如申請專利範圍第3項所述之藥液，其中 該藥液的每單位體積的、該粒子A的含有粒子數與該粒子B的含有粒子數及該粒子C的含有粒子數的總計之含有粒子數比為1.0×10^-1 以下。
8. 如申請專利範圍第3項所述之藥液，其中 該粒子A包含含有單一的該金屬原子之粒子E及含有2種以上的該金屬原子之粒子F， 該藥液的每單位體積的、該粒子E的含有粒子數與該粒子F的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10^-2 ～1.0×10² 。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之藥液，其還含有沸點為300℃以上的有機化合物。
10. 如申請專利範圍第9項所述之藥液，其中 該含金屬粒子的至少一部分為含有該有機化合物之粒子U。
11. 如申請專利範圍第9項所述之藥液，其中 該含金屬粒子的至少一部分為含有該有機化合物之粒子U及不含該有機化合物之粒子V， 該藥液的每單位體積的、該粒子U的含有粒子數與該粒子V的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10¹ 以上。
12. 如申請專利範圍第10項所述之藥液，其中 該藥液的每單位體積的、該粒子U的含有粒子數為5.0×10^-2 ～1.0×10¹¹ 個/cm³ 。
13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之藥液，其中 該含金屬粒子的至少一部分為選自包含含有Pb原子之含Pb粒子及含有Ti原子之含Ti粒子之群組中之至少一種。
14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之藥液，其中 該含金屬粒子的至少一部分為含有Pb原子之含Pb粒子及含有Ti原子之含Ti粒子， 該藥液的每單位體積的、該含Pb粒子的含有粒子數與該含Ti粒子的含有粒子數之含有粒子數比為1.0×10^-5 ～1.0。
15. 一種藥液的製造方法，其用於製造如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述之藥液，該方法具有使用過濾器過濾含有有機溶劑之被純化物來獲得藥液之過濾製程。
16. 如申請專利範圍第15項所述之藥液的製造方法，其中 該被純化物含有沸點為300℃以上的有機化合物， 在該過濾製程之前，還具有對被純化物進行蒸餾，以獲得已蒸餾之被純化物之蒸餾製程， 該已蒸餾之被純化物中的該有機化合物的含量為1.0×10^-3 質量ppt～1.0×10³ 質量ppm。
17. 如申請專利範圍第15項所述之藥液的製造方法，其中 該過濾製程為使被純化物通過選自包含過濾器的材料、細孔直徑及細孔結構之群組中之至少一種不同之2種以上的過濾器之多級過濾製程。
18. 如申請專利範圍第15項所述之藥液的製造方法，其中 在使用1個該過濾器之情形下，該過濾器的細孔直徑為5 nm以下，在使用2個以上的該過濾器之情形下，該過濾器中具有最小細孔直徑之過濾器的細孔直徑為5 nm以下。
19. 一種被檢液的分析方法，其依次具有： 將含有有機溶劑及含有金屬原子且粒徑為10～100 nm的含金屬粒子之被檢液塗佈於基板上，並在基板上形成被檢液層之製程A；及 分析該基板上的每單位面積的該含金屬粒子的個數之製程。