TW201929034A - 電漿處理裝置及其方法 - Google Patents

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Abstract

本案提出一種電漿處理裝置及其方法。在一示範實施中，該電漿處理裝置包括一處理室。該電漿處理裝置包括放置在該處理室內的一支架。該支架可操作以支撐一工件。該電漿處理裝置包括置於該處理室的垂直上方的一電漿室。該電漿室包括一介電質側壁。該電漿處理裝置包括將處理室與電漿室分開的一分離網格。該電漿處理裝置包括鄰近該介電質側壁的一第一電漿源。第一電漿源可操作以在該電漿室內分離網格上方生成一遠端電漿。該電漿處理裝置包括第二電漿源。第二電漿源可加以操作用以在該電漿室內分離網格下方生成一直接電漿。

Description

電漿處理裝置及其方法
本申請案主張依2017年12月27列案之美國臨時專利申請案號62/610,573的優先權，其案名為「電漿處理裝置及其方法」(Plasma Processing Apparatus and Methods)，該文件全盤納入本文列為參考。
【技術領域】
本案一般而言係關於使用一電漿源處理一工件的裝置、系統及方法。
電漿處理廣泛使用在半導體工業，用於半導體晶圓和其他基板的沉積、蝕刻、抗蝕劑移除以及相關處理。電漿源(例如，微波、ECR、感應式，等等)常用於電漿處理，以產生用於處理基板的高密度電漿及活性物種。
電漿剝離器具可被用於剝離處理，例如像是光阻劑移除。電漿剝離器具可包括電漿係在其中生成的一或多個電漿室，以及一或多個工件係在其中接受處理的一或多個分開的處理室。該等一或多個處理室可以在一或多個電漿室的「下游」，以致於該等一或多個工件並未直接曝露於電漿。分離網格可被用來將該等一或多個處理室與該等一或多個電漿室分開。該等分離網格可讓中性物種通過，但不讓來自該電漿的帶電物種通過。 該等一或多個分離網格可包括帶有開孔的一片狀材料。
電漿蝕刻器具可將一工件直接曝露至一電漿。該電漿可包含可被用來處理工件的多個物種，例如像是離子、自由基以及受激原子和分子，例如像是用於在該工件上實行一反應離子蝕刻(RIE)製程。在一RIE製程處理期間，一電漿內的離子和其他物種可被用來例如移除沉積在一工件上的材料。
本案之具體實施例的觀點及優點將有部分在以下描述中闡明，或可從具體實施例的描述習得，或可經由實行該等具體實施例而學會。
本發明一示例觀點是關於一電漿處理裝置。該電漿處理裝置包括一處理室。該電漿處理裝置包括放置在該處理室內的一支架。該支架可操作以固定一工件。該電漿處理裝置包括置於該處理室的垂直上方的一電漿室。該電漿室包括一介電質側壁。該電漿處理裝置包括將處理室與電漿室分開的一分離網格。該電漿處理裝置包括鄰近該介電質側壁的一第一電漿源。第一電漿源可操作以在該電漿室內分離網格上方生成一遠端電漿。該電漿處理裝置包括第二電漿源。第二電漿源可加以操作用以在該電漿室內分離網格下方生成一直接電漿。
本案的其他示例觀點是關於用於電漿處理一工件的器具、方法、程序以及裝置。
參照以下描述以及隨附申請專利範圍，將能更加瞭解各種具體實施例的這些以及其他特徵、觀點及優勢。納入本文並構成本說明書一部分的所附圖示，描繪出本案的具體實施例，並與詳細描述共同用來解釋 相關原理。
100‧‧‧電漿處理裝置
110‧‧‧處理室
112‧‧‧支架
114‧‧‧工件
115‧‧‧直接電漿
116‧‧‧分離網格
116b‧‧‧第二分離網格
116a‧‧‧第一分離網格
116c‧‧‧第三網格板
118‧‧‧介電質窗口
117‧‧‧氣體注入源
118‧‧‧氣體注入源
119‧‧‧法拉第屏蔽
120‧‧‧電漿室
122‧‧‧介電質側壁
125‧‧‧遠端電漿
128‧‧‧法拉第屏蔽
130‧‧‧感應線圈
132‧‧‧匹配電路
134‧‧‧射頻電力產生器
135‧‧‧第一電漿源
140‧‧‧感應線圈
142‧‧‧匹配網路
144‧‧‧射頻電力產生器
145‧‧‧第二電漿源
150‧‧‧氣體供應
154‧‧‧頂板
160‧‧‧泵系統
170‧‧‧抬升銷
200‧‧‧電漿處理裝置
210‧‧‧處理室
212‧‧‧支架
214‧‧‧工件
216‧‧‧分離網格
220‧‧‧電漿室
222‧‧‧介電質側壁
228‧‧‧法拉第屏蔽
230‧‧‧感應線圈
232‧‧‧匹配電路
234‧‧‧射頻電力產生器
235‧‧‧電漿源
250‧‧‧氣體供應
254‧‧‧頂板
260‧‧‧渦輪泵組件
262‧‧‧壓力控制瓣膜
264‧‧‧泵送選擇控制瓣膜
266‧‧‧渦輪泵
268‧‧‧前級泵
270‧‧‧射頻偏壓源
275‧‧‧偏壓電極
300‧‧‧電漿處理裝置
310‧‧‧處理室
312‧‧‧基板架
316‧‧‧分離網格
318‧‧‧介電質窗口
319‧‧‧法拉第屏蔽
320‧‧‧電漿室
322‧‧‧介電質側壁
328‧‧‧法拉第屏蔽
330‧‧‧感應線圈
334‧‧‧射頻電力產生器
335‧‧‧第一電漿源
340‧‧‧感應線圈
344‧‧‧射頻電力產生器
345‧‧‧第二電漿源
350‧‧‧氣體供應
354‧‧‧頂板
360‧‧‧渦輪泵組件
370‧‧‧射頻偏壓源
375‧‧‧偏壓電極
400‧‧‧電漿處理裝置
410‧‧‧處理室
412‧‧‧支架
414‧‧‧工件
416‧‧‧分離網格
418‧‧‧介電質窗口
419‧‧‧法拉第屏蔽
420‧‧‧電漿室
422‧‧‧介電質側壁
428‧‧‧法拉第屏蔽
430‧‧‧感應線圈
434‧‧‧射頻電力產生器
435‧‧‧第一電漿源
440‧‧‧感應線圈
444‧‧‧射頻電力產生器
445‧‧‧第二電漿源
450‧‧‧氣體供應
454‧‧‧頂板
460‧‧‧渦輪泵組件
470‧‧‧射頻偏壓源
475‧‧‧偏壓電極
針對本技藝中具一般能力者的具體實施例之詳細討論，將在本說明書中參照附屬圖示提出，其中：第一圖顯示的是依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置；第二A及二B圖顯示的是依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置內一工件的示例垂直定位；第三A、三B及二C圖係依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置內一工件的示例垂直定位；第四圖顯示的是依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置；第五圖顯示的是依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置；第六圖顯示的是依據本案示範具體實施例的一電漿處理裝置；第七圖顯示的是依據本案示範具體實施例的後電漿氣體注入(PPGI)；第八及第九圖所繪出的表格，顯示依據本案示範實施例之示例表面處理程序關聯的參數。
現在將詳細參照具體實施例，其一或多個示範例已在圖示中 繪出。所提出各示範例係用以解釋該等具體實施例，並非對本案揭露內容加以限制。事實上，熟習此項技術者應能輕易看出，該等具體實施例可有各種修飾及變更，而不會偏離本案的範疇及精神。舉例來說，繪出或描述為一具體實施例之某部分的特徵，可配合另一具體實施使用，以產出又更進一步的具體實施例。因此，本案意圖涵蓋此等修飾及變更。
本發明的示例觀點是關於電漿處理裝置，用於在工件(例如像是半導體晶圓)上實行電漿製程(例如，乾式剝除及/或乾式蝕刻)以及其他製程。依據本發明的示例觀點，該電漿處理裝置可提供作為利用一遠端生成電漿以及/或直接曝露至電漿的電漿處理。如此一來，電漿處理裝置可在單一處理裝置內，運用於依據中性自由基的表面處理製程(例如，剝除製程)，以及依據離子的表面處理製程(例如，活性離子蝕刻製程)兩者上。
舉例來說，在某些具體實施例中，一電漿處理裝置可包括一處理室，其具有一支架能夠支撐一工件用於電漿處理。該裝置可包括置於在該處理室之上的一垂直位置的一電漿室。一分離網格可將該該電漿室與該處理室分開。該裝置可包括一第一電漿源，其係經配置以在該電漿室內生成一遠端電漿。分離網格可過濾遠端電漿中生成的離子，並容許中性物種(例如，中性自由基)通至用於實行一電漿製程的處理室。如本文中所用的「遠端電漿」，所指的是遠離一工件，例如像是藉由一分離網格而與一工件分開的電漿室內，所生成的電漿。
此外，一電漿處理裝置可包括一第二電漿源，用來在該分離網格下方的處理室中生成一直接電漿，用於直接曝露至該工件。直接電漿 中生成的離子、中性物種以及其他物種，可被用來對該工件實行一電漿製程。如本文中所用的「直接電漿」，是指直接暴露至一工件的電漿，例如像是在具有一支架用來支撐該工件的處理室內所生成的電漿。
在某些具體實施例中，電漿室可包括一圓柱狀介電質側壁。第一電漿源可包括一置於該圓柱狀介電質側壁上的感應線圈。可用由一射頻產生器而來的射頻能量供能給該感應線圈，以在該電漿室內感應一遠端電漿。
若第一電漿源並不是以射頻能量供能，電漿室和分離網格可充做一噴灑頭，用於將一處理氣體饋入該處理室。可使用該第二電漿源在該處理氣體內生成一直接電漿。若係以射頻能量供能給第一電漿源以生成一遠端電漿，該第二電漿源可被用來再解離穿過該分離網格的中性自由基，以生成該直接電漿。
在某些具體實施例中，電漿處理裝置可包括一介電質窗口，形成該處理室的一部分(例如，至少一部分的處理室天花板)。該介電質窗口可在該電漿室之下採水平方向張開(例如，朝外張開)。第二電漿源可包括鄰近第二介電質窗口放置的一感應線圈。可用由一射頻產生器而來的射頻能量供能給該感應線圈，以便在該電漿室內的分離網格下方感應一直接電漿。
在某些具體實施例中，第二電漿源可包括一射頻偏壓源，耦合至支架中的一偏壓電極。可用來自射頻偏壓源的射頻能量供能給此偏壓電極，以在處理室內存在的一處理氣體以及/或中性自由基當中生成一直接電漿。
在某些具體實施例中，該電漿處理裝置可包括一第一電漿源，可供操作而在該電漿室內一分離網格之上生成一遠端電漿。第一電漿源可包括一鄰近電漿室放置的感應線圈。該電漿處理裝置可包括一第二電漿源，可供操作而在處理室內分離網格之下感應一直接電漿。第二電漿源可包括一靠近形成處理室的一部分之一介電質窗口放置的第二感應線圈。該電漿處理裝置可進一步包括一射頻偏壓源，其係耦合至在該處理室內用於支撐一工件的一支架中的一偏壓電極。在某些具體實施例中，可用來自偏壓源的射頻能量供能給該偏壓電極，以在該處理室內生成一直接電漿。
在某些具體實施例中，電漿處理裝置可經組態用以提供工件相對於電漿室/分離網格的垂直運動。舉例來說，電漿處理裝置可包括可在一垂直方向中移動的一支架，以及/或者可在垂直方向中移動的一或多個抬升銷。工件可被放在第一垂直位置(例如，靠近分離網格)，用於使用該遠端電漿的第一電漿製程(例如，乾式剝除)。工件可被放在第二垂直位置(例如，遠離分離網格)，用於使用該直接電漿的第二電漿製程(例如，乾式蝕刻)。
為圖解及討論之目的，參照一「工件」或「晶圓」討論本案之觀點。本技術領域中具有通常知識者，使用本文所提供的揭示，應能理解本案的示例觀點可與任何半導體基板或其他適當基板配合使用。此外，「大約」一詞與一數值合用指的是在所提出數值的10%之內。
現在將參照圖示，提出本案的示範具體實施例。第一圖描繪的是依據本案示範具體實施例的一示例電漿處理裝置(100)。電漿處理裝置(100)可包括一處理室(110)，以及與該處理室(110)分開的一電漿室(120)。電 漿室(120)可置於處理室(110)上方的一垂直位置。
處理室(110)可包括一支架或基板固定座(112)，可操作以支撐一工件(114)。支架(112)可包括一或多個加熱器、靜電吸盤、偏壓電極等等。在某些具體實施例中，支架(112)可在一垂直方向活動，如後文將進一步討論。
裝置(100)可包括一第一電漿源(135)，可操作以在該電漿室(120)內所提供的一處理氣體中生成一遠端電漿(125)。所想要的物種(例如，中性物種)於是可從電漿室(120)穿過將電漿室(120)與處理室(110)分開之分離網格(116)上所提供的孔洞，而被導引至工件(114)表面。
該電漿室(120)包括一介電質側壁(122)。電漿室(120)包括一頂板(154)。介電質側壁(122)和頂板(154)界定一電漿室內部。介電質側壁(122)可由任何介電材料形成，例如像是石英。
該第一電漿源(135)可包括緊鄰該介電質側壁(122)環繞該電漿室(120)放置的一感應線圈(130)。該感應線圈(130)可透過一合適的匹配網路(132)，耦合至一射頻電力產生器(134)。反應物及承載氣體可從一氣體供應(150)被提供至腔室內部。當感應線圈(130)係以從該射頻電力產生器(134)而來的射頻電力供電時，可在該電漿室(120)內感應一遠端電漿。電漿處理裝置(100)可包括一接地的法拉第屏蔽(128)，以減低感應線圈(130)對遠端電漿的電容式耦合。
一分離網格(116)將電漿室(120)與處理室(110)分開。分離網格(116)可被用來實行由第一電漿室(120)內之遠端電漿所生成之物種的離子過濾。通過分離網格(116)的物種可被暴露至處理室(110)內的一工件(114)(例 如，一半導體晶圓)，以用於該工件(114)的處理(例如，光阻移除)。
更明確地說，在某些具體實施例中，分離網格(116)可讓中性物種通過，但不讓來自該電漿的帶電物種通過。舉例來說，帶電物種或離子可在分離網格(116)的壁面上再結合。分離網格(116)可包括一或多個網格料板，具有依據用於各材料片之開孔圖樣分布的開孔。開孔圖樣可為各網格板相同或不同。
舉例來說，可在實質上平行構形配置之複數個網格板上，依據複數個開孔圖樣分布開孔，以至於沒有開孔容許電漿室(120)與處理室(110)之間直視，例如像是用來減少或遮蔽紫外線。依據加工程序，某些或全部網格可由一導電材料(例如，鋁、矽、碳化矽，等等)及/或非導電材料(例如，石英等等)製成。在某些具體實施例中，若網格(例如，網格板)一部分係由一感應材料製成，該網格部分可接地。在某些具體實施例中，分離網格(116)可經配置用於後電漿氣體注入，如參照第七圖所討論。
參照第一圖，處理室(110)可包括一介電質窗口(118)。介電質窗口(118)可朝外張開，並和分離網格(116)一起形成處理室(110)天花板的至少一部分。分離網格(116)可置於電漿室(120)之介電質側壁(122)與處理室(110)之介電質窗口(118)的接面之間，且該介電質窗口(118)可隨著介電質窗口(118)自分離網格(116)往下延伸而外張。由於介電質窗口(118)外張，處理室(110)順一水平方向的一寬度可大於電漿室(120)順該水平方向的寬度。該介電質窗口(118)可由任何適當介電材料製成，例如像是石英。處理室(110)的介電質窗口(118)可與電漿室(120)的介電質側壁(122)分開，或可與其一體成形。
該電漿處理裝置(100)包括第二電漿源(145)。第二電漿源(145)可操作以在該處理室(110)內生成一直接電漿(115)。舉例來說，若第一電漿源(135)並未用來生成一遠端電漿(125)，電漿室(120)以及/或分離網格可充當一噴灑頭，以提供處理氣體至該處理室(110)。第二電漿源(145)可被用來在該處理氣體內生成一直接電漿(115)。直接電漿(115)內生成的離子、中性物種、自由基以及其他物種，可被用於工件(114)的電漿處理。當第一電漿源(135)係被用來生成一遠端電漿(125)時，第二電漿源可被用來藉由再解離穿過分離網格(116)的自由基，生成一直接電漿(115)。
第二電漿源(145)可包括一鄰近介電質窗口(118)放置的感應線圈(140)。該感應線圈(140)可透過一合適的匹配網路(142)，耦合至一射頻電力產生器(144)。射頻電力產生器(144)可與射頻電力產生器(134)獨立分離，以為第一電漿源(135)以及第二電漿源(145)提供獨立的來源電力(例如，射頻電力)控制。然而，在某些具體實施例中，射頻電力產生器(144)可和用於第一電漿源(135)的射頻電力產生器(134)為同樣一個。電漿處理裝置(100)可包括一接地的法拉第屏蔽(119)，以減低感應線圈(140)對直接電漿(115)的電容式耦合。在某些具體實施例中，法拉第屏蔽(119)可機械性地支撐感應線圈(140)。
第二電漿源(145)的感應線圈(140)也可協助控制處理室(110)之內的均勻性。舉例來說，感應線圈(130)、(140)可獨立運作以控制相鄰感應線圈(130)、(140)的電漿密度分布。更明確地說，射頻電力產生器(134)可供操作，用以獨立地調整供至第一電漿源(135)的感應線圈(130)之射頻電力的頻率、平均峰值電壓或兩者，且射頻產生器(144)可供操作，用以獨立地 調整供至第二電漿源(145)的感應線圈(140)之射頻電力的頻率、平均峰值電壓或兩者。因此，電漿處理裝置(100)可擁有改進的來源可調性。
電漿處理裝置(100)可進一步包括一或多個泵浦系統(160)，經配置以控制處理室(110)之內的壓力，並且/或者從該處理室(110)排出氣體。關於示例泵浦系統的細節，將在後文和第四圖連帶更詳加討論。
在特定示範具體實施例中，電漿處理裝置(100)包括用於製程均一性之垂直可調性的特徵。更明確地說，可調整處理室中一工件與一分離網格之間的距離。舉例來說，在某些具體實施例中，一基板架的位置係可沿著一垂直方向調整，以調整基板架上該工件與分離網格之間的距離。另一示範實施例中，一或多個抬升銷可用來抬升工件並調整工件與分離網格之間的距離。
電漿處理裝置(100)的性能相較於已知電漿處理裝置，可藉由調整工件與分離網格之間的距離而得到改進。舉例來說，工件與分離網格之間的距離可被調整，以提供一製程的適當距離，例如像是一光阻剝除製程以及/或一電漿蝕刻製程。另舉一例，工件與分離網格之間的距離可經調整，以提供工件的可調整及/或動態冷卻。在特定實施例中，工件可在不同電漿處理操作之間保持在電漿處理裝置(100)內，且工件與分離網格之間的距離可在不同電漿處理操作之間接受調整，以為目前電漿處理操作提供一適當距離。用於調整工件與分離網格之間距離的示範具體實施例，將在後文參照第二A及二B圖以及第三A、三B及三C圖更加詳細陳述。
第二A及二B圖繪出依據本發明示範具體實施例的一或多個抬升銷的一示例垂直定位，以調整一電漿處理裝置中的一分離網格/電漿 源與一工件的距離。在第二A圖中，抬升銷(170)係置於第一垂直位置，以至於工件(114)距離分離網格(116)/電漿室(120)一段第一距離d1。第二A圖中所示的工件(114)位置，可和使用第二電漿源(145)之直接電漿處理工件有關。第二B圖中，抬升銷(170)係置於第二垂直位置，以至於工件(114)距離分離網格(116)/電漿室(120)一段第二距離d2。第二距離d2可小於第一距離d1。第二B圖中所示的工件(114)位置可和使用一遠端電漿源處理該工件有關。其他垂直位置均落在本發明的範疇內。因此，應能理解工件(114)可調整使其位於第一距離d1及第二d2距離之間，或依據工件(114)與分離網格(116)/電漿室(120)之間所想要的間隔的其他距離間的位置。抬升銷(170)可以是馬達驅動、手動調整、可替換、以及/或具有可操作以調整抬升銷(170)的有效長度之任何其他適當的機制。
第三A、三B及三C圖繪出依據本發明示範具體實施例的一支架的一示例垂直定位，以調整一電漿處理裝置的一分離網格/電漿室與一工件的距離。第三A圖中，支架(112)係置於第一垂直位置，以至於工件(114)距分離網格(116)/電漿室(120)第一距離d1。第三A圖中支架(112)的位置可與一直接電漿操作相關聯。因此，第三A圖中所示支架(112)可能適合用於將工件(114)曝露至由第二電漿源(145)所生成的直接電漿(145)(例如，在電漿蝕刻操作期間，像是反應離子蝕刻)。可停用第一電漿源(135)，使得當支架(112)是在第三A圖所示位置時不會在電漿室(120)中產生遠端電漿(125)。然而，分離網格(216)和電漿室(220)可充當一氣體混合噴灑頭，當支架(112)是在第三A圖所示位置的時候，用來把氣體注入處理室(210)中。
第三B圖中，支架(112)係置於第二垂直位置，以至於工件距 分離網格(116)/電漿室(120)第二距離d2(例如，不超過兩公厘(2mm))。第二距離d2可小於第一距離d1。第三B圖中所示支架(112)的位置可與一遠端電漿操作相關聯。因此，第三B圖中所示支架(112)位置，可適用於將工件(114)曝露至由電漿室(120)內的第一電漿源(135)生成之遠端電漿而來的中性物種。在特定示範實施例中，也可啟用第二電漿源(145)，以致當支架(112)係放在第三B圖所示位置的時，在處理室(110)中生成該直接電漿(115)。因此，當支架(112)係位在第三B圖所示位置的時候，工件(114)可被暴露至來自於遠端電漿(125)及/或直接電漿(115)的中性物種。
在第三C圖中，支架(212)係置於第三垂直位置，以至於工件距分離網格第三距離d3。第三距離d3可大於第一距離d1和第二距離d2。第三C圖中支架(112)的位置可與一工件裝載操作相關聯。其他垂直位置均落在本發明的範疇內。因此，應能理解依據工件(114)與分離網格(116)/電漿室(120)之間所想要的間隔，可將工件(114)調整使其位在第二距離d2及第三d3距離之間。可活動式支架(112)可以是馬達驅動、手動調整、可替換、以及/或具有能夠調整支架(112)之垂直位置的任何其他適當機制。
支架(112)可在第一、第二和第三距離d1、d2、d3之間調整，而不會把工件(114)移離支架(112)。因此，電漿處理裝置(100)的使用者可藉由在電漿室(120)內選擇性地生成該遠端電漿(125)、在處理室(110)內形成直接電漿，及/或在不將工件(114)從支架(112)移出來在工件(114)的情況下藉由調整支架(112)的垂直位置，進而在工件(114)上實施各種電漿處理操作。
第四圖描繪的是依據本案示範具體實施例的一示例電漿處理裝置(200)。電漿處理裝置(200)包括許多與電漿處理裝置(100)(第一圖) 共同的元件。舉例來說，電漿處理裝置(200)包括一處理室(210)、一基板架(212)、一分離網格(216)、一電漿室(220)、一介電質側壁(222)、一接地法拉第屏蔽(228)、一氣體供應(250)以及一頂板(254)。電漿處理裝置(200)也可包括一電漿源(235)，其具有一感應線圈(230)、一匹配電路(232)以及一射頻電力產生器(234)。因此，電漿處理裝置(200)也可以類似前文針對電漿處理裝置(100)所述的方法操作。更明確地說，電漿源(235)可供操作用以在電漿室(220)內生成一遠端電漿。可想而知，第四圖所示電漿處理裝置(200)的元件，也可被併入可替換示範實施例中任何其他適合的電漿處理裝置。如後文更為詳加討論，電漿處理裝置(200)包括用於在處理室(210)內生成一直接電漿的特徵。
在電漿處理裝置(200)中，一射頻偏壓源(270)被耦合至一靜電吸盤或偏壓電極(275)。偏壓電極(275)可被放置在處理室(210)內的分離網格(216)下方。舉例來說，偏壓電極(275)可被安裝至該基板支架(212)。射頻偏壓源(270)可操作以提供射頻電力至該偏壓電極(275)。當利用從該射頻偏壓源(270)而來的射頻電力供電給偏壓電極(275)時，可在該處理室(210)內感應一直接電漿。
射頻偏壓源(270)可在各種頻率下操作。舉例來說，射頻偏壓源(270)在頻率約為13.56MHz下，以射頻電力供電給偏壓電極(275)。因此，射頻偏壓源(270)可供電給偏壓電極(275)，以便在處理室(210)內形成一直接電容式耦合電漿。在特定示範實施例中，射頻偏壓源(270)可供操作，而在介於約400KHz和60KHz間的頻率範圍下，以射頻電力供電給偏壓電極(275)。
如前文可知，電漿處理裝置(200)可具有置於分離網格(216)上方的一自由基源(電漿源(235))，並且亦可具有一置於分離網格(216)下方的一偏壓電極(275)。因此，感應線圈(230)和偏壓電極(275)可圍著分離網格(216)彼此相對放置。如此一來，電漿處理裝置(200)可在電漿室(220)內形成一遠端電漿，而且也可在處理室(210)內形成一直接電漿。
當電漿源(235)被停用時，分離網格(216)和電漿室(220)可充作一氣體混合噴灑頭，用於將氣體注入處理室(210)中。因此，當電漿源(235)未運作以形成該遠端電漿時，處理室(210)上方之電漿處理裝置(200)的組件可協助形成處理室(210)內的直接電漿。當電漿源(235)運作形成電漿室(220)內的遠端電漿，且射頻偏壓源(270)供電給偏壓電極(275)以在處理室(210)內形成一直接電漿時(也就是說，當射頻電力產生器(234)和射頻偏壓源(270)皆開啟的時候)，從電漿室內遠端電漿所生成的自由基可被偏壓電極(275)在工件(214)上所提供的底部偏壓再度解離。
電漿處理裝置(200)也可包括一渦輪泵組件(260)。渦輪泵組件(260)可具有一壓力控制瓣膜(262)、一泵送選擇控制瓣膜(264)、一渦輪泵(266)以及一前級泵(268)。壓力控制瓣膜(262)可經組態用以調整或調節渦輪泵組件(260)以及/或處理室(210)內的壓力。泵送選擇控制瓣膜(264)可被手動及/或自動操作，以在一或多個泵之間做選擇，例如像是渦輪泵(266)和前級泵(268)，以對該處理室(210)提供一泵送動作。舉例來說，泵送選擇瓣膜(264)可開啟通至一連接泵的連結，同時關閉通至一或多個其他連接泵的連結。
渦流泵(266)可以是一渦輪分子泵，具有複數個階段，每個均包括一轉動轉子扇葉以及一固定定子扇葉。渦輪泵(266)可在最上階段抽 入氣體(例如，從處理室)，且該氣體可通過該渦輪泵(266)的各種轉子扇葉及定子扇葉而被推送至最下階段。可獨立供能且/或可由前級泵(268)供能給渦輪泵(266)。舉例來說，可使用由當作備用泵之前級泵所產生的壓力來驅動渦輪泵(266)。更明確地說，前級泵(268)可在渦輪泵(266)的一下端製造壓力，造成渦輪泵中的轉子扇葉旋轉，因此造成與渦輪泵(266)有關的泵送動作。
此外，前級泵(268)可被直接接至泵送選擇控制瓣膜(264)。舉例來說，泵送選擇控制瓣膜(264)可供操作，用以選擇前級泵(268)以便在處理室(210)之內提供高壓(例如，約100mTorr至約10Torr)。泵送選擇控制瓣膜(264)可供額外地操作，用以選擇渦輪泵(264)而在處理室(210)內提供低壓(例如，約5mTorr至約100mTorr)。
第五圖描繪的是依據本案示範具體實施例的一示例電漿處理裝置(300)。電漿處理裝置(300)包括許多與電漿處理裝置(100)(第一圖)以及電漿處理裝置(200)(第四圖)共同的組件。舉例來說，電漿處理裝置(300)包括一處理室(310)、一基板架(312)、一分離網格(316)、一電漿室(320)、一介電質側壁(322)、一接地法拉第屏蔽(328)、一氣體供應(350)、一頂板(354)以及一渦輪泵組件(360)。電漿處理裝置(300)也可包括一第一電漿源(335)，其具有一感應線圈(330)以及一射頻電力產生器(334)。因此，電漿處理裝置(300)也可以類似前文針對電漿處理裝置(100)以及電漿處理裝置(200)所述的方法加以操作。更明確地說，電漿源(335)可供操作用以在電漿室(320)內生成一遠端電漿。可想而知，第五圖所示電漿處理裝置(300)的元件，也可併入可替換示範實施例中任何其他適合的電漿處理裝置。如後文更為詳加 討論，電漿處理裝置(300)包括可操作以在該處理室(310)內生成一直接電漿的特徵。
在電漿處理裝置(300)中，一第二電漿源(345)包括一感應線圈(340)以及一射頻電力產生器(344)。如前文關於電漿處理裝置(100)所述，第二電漿源(345)可操作以在處理室(310)內生成一直接電漿。舉例來說，第二電漿源(345)的感應線圈(340)可相鄰一介電質窗口(318)放置。感應線圈(340)可耦合至射頻電力產生器(344)，其可供操作以供電給該感應線圈(340)，並藉以在處理室(310)內生成直接電漿。電漿處理裝置(300)也可包括一接地的法拉第屏蔽(319)，以減低感應線圈(340)對直接電漿的電容式耦合。電漿處理裝置(300)的第二電漿源(345)可採與前文關於電漿處理裝置(100)第二電漿源(145)所描述相同或類似方式構成。因此，電漿處理裝置(300)也可以類似前文針對電漿處理裝置(100)以及電漿處理裝置(310)所述的方法加以操作，以便在處理室(310)內生成一直接電漿。
電漿處理裝置(300)可進一步包括一射頻偏壓源(370)以及一靜電吸盤或偏壓電極(375)。如前文關於電漿處理裝置(200)所述，射頻偏壓源(370)係耦合至該偏壓電極(375)。當以從該射頻偏壓源(370)而來的射頻電力供電給偏壓電極(375)時，可在該處理室(310)內感應生成一直接電漿。電漿處理裝置(300)的射頻偏壓源(370)和偏壓電極(375)可採與前文關於電漿處理裝置(200)之射頻偏壓源(270)和偏壓電極(275)相同或類似的方式構成。因此，電漿處理裝置(300)也可以類似前文針對電漿處理裝置(200)所述的方法加以操作，以在處理室(310)內生成一直接電漿。
如從前文可知，電漿處理裝置(300)可包括一第二電漿源 (345)、一射頻偏壓源(370)以及一偏壓電極(375)以在處理室(310)內生成直接電漿。電漿源(345)可與射頻偏壓源(370)以及偏壓電極(375)同時操作，以在處理室(310)內生成直接電漿。電漿源(345)和偏壓源(370)/偏壓電極(375)也可彼此獨立操作，以在處理室(310)內生成直接電漿。
第六圖描繪的是依據本案示範具體實施例的一示例電漿處理裝置(400)。電漿處理裝置(400)包括許多與電漿處理裝置(100)(第一圖)、電漿處理裝置(200)(第四圖)以及電漿處理裝置(300)(第五圖)共同的組件。舉例來說，電漿處理裝置(400)包括一處理室(410)、一基板架(412)、一分離網格(416)、一電漿室(420)、一介電質側壁(422)、一接地法拉第屏蔽(428)、一氣體供應(450)、一頂板(454)以及一渦輪泵組件(460)。電漿處理裝置(400)也可包括一第一電漿源(435)，其具有一感應線圈(430)以及一射頻電力產生器(434)。因此，電漿處理裝置(400)也可以類似前文針對電漿處理裝置(100)以及電漿處理裝置(200)所述的方法加以操作。更明確地說，電漿源(435)可操作以在電漿室(420)內生成一遠端電漿。可想而知，第六圖所示電漿處理裝置(400)的部件，也可被併入可替換示範實施例中任何其他適合的電漿處理裝置。
電漿處理裝置(400)包括用於在處理室(410)內生成一直接電漿的特徵。舉例來說，電漿處理裝置(400)包括一第二電漿源(445)，其具有一感應線圈(440)以及一射頻電力產生器(444)。如前文關於電漿處理裝置(100)所述，第二電漿源(445)可操作以在處理室(410)內生成一直接電漿。舉例來說，第二電漿源(445)的感應線圈(440)可相鄰一介電質窗口(418)放置。感應線圈(440)可耦合至射頻電力產生器(444)，其可供操作以供電給該感應 線圈(440)，並藉以在處理室(410)內生成直接電漿。電漿處理裝置(400)可包括一接地的法拉第屏蔽(419)，以減低感應線圈(440)對直接電漿的電容式耦合。電漿處理裝置(400)的第二電漿源(445)，可採用與前文關於電漿處理裝置(100)第二電漿源(145)所描述相同或類似方式構成。因此，電漿處理裝置(400)也可以類似前文針對電漿處理裝置(100)所述的方法加以操作，以在處理室(410)內生成一直接電漿。
電漿處理裝置(400)可額外包括一射頻偏壓源(470)，以及一靜電吸盤或偏壓電極(475)。如前文關於電漿處理裝置(200)所述，射頻偏壓源(470)係耦合至該偏壓電極(475)。當以從該射頻能量源(470)而來的射頻電力供電給偏壓電極(475)時，可在該處理室(410)內感應一直接電漿。電漿處理裝置(400)的射頻偏壓源(470)和偏壓電極(475)可採與前文關於電漿處理裝置(200)之射頻偏壓源(270)和偏壓電極(275)相同或類似的方式構成。因此，電漿處理裝置(400)也可以類似前文針對電漿處理裝置(200)所述的方法加以操作，以在處理室(410)內生成一直接電漿。
電漿處理裝置(400)也包括在一電漿處理裝置內調整一分隔網格/電漿室與一工件之間的距離的特徵。更明確地說，支架(412)可沿一垂直方向移動，以調整工件(414)與分離網格(416)/電漿室之間的距離。因此，支架(412)可採與電漿處理裝置(100)之支架(112)相同或類似方式構成(第三A、三B及三C圖)，以便將支架(412)置於處理室(410)內的各種垂直位置。
在某些具體實施例中，可在將電漿室與處理室分隔的分離網格提供後電漿氣體注入(PPGI)。後電漿氣體注入可提供用於將氣體以及/或分子注入穿過及/或在一分離網格下方的自由基。第七圖繪出依據本發明 示範實施例，經配置用於後電漿氣體注入的一示範分離網格(116)。更明確地說，分離網格組件(116)包括以平行關係置放的一第一網格板(116a)以及一第二網格板(116b)，用以供離子/紫外線過濾之用。
第一網格板(116a)和第二網格板(116b)可彼此形呈平行關係。第一網格板(116a)可具有一第一網格圖案，其具有複數個孔洞。第二網格板(116b)可具有一第二網格圖案，其具有複數個孔洞。第一網格圖案可和第二網格圖案相同或不同。帶電物種(例如，離子)可在它們穿過分離網格(116)中各個網格板(116a)、(116b)之孔洞的路徑中的壁面上再結合。中性物種(例如，自由基)可相對自由地流動穿過第一網格板(116a)和第二網格板(116b)中的孔洞。
接在第二網格板(116b)之後，一氣體注入源(117)(例如，氣體埠)可經組態用以將一氣體釋入該等自由基當中。該等自由基可接著穿過一第三網格板(116c)用於曝露至該工件。該氣體可供多種目的使用。例如說，在某些具體實施例中，氣體可以是一中性氣體或隨性氣體(例如，氮、氦、氬)。氣體可被用來冷卻自由基，以控制穿過分離網格之自由基的能量。在某些具體實施例中，一氣化溶劑可經由氣體注入源(117)而被注入分離網格(116)。在某些具體實施例中，所想要的分子(例如，烴分子)可被注入該等自由基中。
第七圖中所繪出的後電漿氣體注入，係為舉例目的而提出。本技術領域中具有通常知識者應能理解，依據本發明的示範實施例，可具有各種不同的配置，用以在一分離網格中實現用於後電漿氣體注入之一或多個氣體埠。該等一或多個氣體埠可被安排於任何網格板之間，可在任何 方向注入氣體或分子，並且可用於分離網格上的多個後電漿氣體注入區，以用於均勻性控制。在某些具體實施例中，氣體可在分離網格之下的位置被注入。
特定示範實施例可在分離網格或其下方的中央區以及周緣區注入氣體或分子。可在分離網格更多區注入氣體而不會偏離本發明的範疇，例如像是三區、四區、五區、六區，等等。注入區可採任何方式劃分，例如像是放射式、方位角式，或任何其他方法。舉例來說，一示範例中，在分離網格的後電漿氣體注入可被區分成一中央區以及繞該分離網格周緣的四個方位角區(例如，四等分)。
可使用依據本發明之示範實施例之電漿處理裝置實施之電漿處理程序的範例。以下電漿處理程序係為舉例而提供。可實現其他電漿處理程序而不會偏離本發明的範疇此外。另外，下文所提出的示範電漿處理程序可被實施在任何適當電漿處理裝置中。
示範例一
可實施一非等向蝕刻製程。該製程可包括提供含鹵素氣體，以修改表面層且/或裂解在一工件表面上的鍵結。該製程可包括用未達工件濺鍍產出臨界值的能量供能給離子物種(例如，以一直接電漿)，以將副產物移離工件。
在某些具體實施例中，此示範製程可包括Cl2氣體或Cl*氣體作為含鹵素氣體配合H2或Ar電漿。此示範製程可被用於Si、SiN、III-V、Cu和折射金屬蝕刻。此示範製程可被用於TiN或TaN蝕刻。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於例如源/汲極凹 部蝕刻至Si和SiGe工件中。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於高縱深比(HAR)底面清潔。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於硬遮罩圖案成形。
示範例二
可實施一非等向蝕刻製程。該製程可包括實施離子轟擊、佈植以及/或化學反應，以用具有中性及/或高能離子物種的直接電漿修改表面。該製程可包括使用來自遠端電漿的鹵素、有機、HF/NH3氣體或反應物種，以用熱來移除反應副產品。
在某些具體實施例中，此示範製程可包括有機/O2電漿用於Co、Ni、Fe、Cu、Ru、Pd、Pt蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可包括用於III-V、Co和Cu蝕刻的有機/Ar電漿。在某些具體實施例中，該示範製程可包括用於選擇性SiN蝕刻之H2電漿/NH3+NF3電漿。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於，例如，閘極氮化物間隔物蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於，例如，磁性或貴金屬蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於硬遮罩圖案成形。
示範例三
可實施一非等向蝕刻製程。該製程可包括使用依據電漿的處理程序，以修改或沉積一塗層在工件的一暴露表面的一部分上。該製程可包括將材料移離該工件未經覆蓋的表面。
在某些具體實施例中，此示範製程可包括用於選擇性SiO2蝕刻之CxFy電漿/Ar電漿。在某些具體實施例中，此示範製程可包括用於選 擇性Si蝕刻之H2電漿/Ar電漿。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於，例如，自我對齊接觸蝕刻以避免間隔物。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於高縱深比(HAR)底面清潔。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於硬遮罩圖案成形。
示範例四
可實施一等向蝕刻表面處理製程。該製程可包括在一工件的露出氮化物或氧化物表面上形成鹵化銨鹽。該製程可包括加熱該工件至大於或等於約100℃以移除該鹽類。在某些具體實施例中，此示範製程可包括藉由形成銨鹽類再接著加熱烘烤之SiN、TaN、TiN和SiO2蝕刻。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於磊晶預清潔用之原生氧化物移除。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於I/O氧化物凹部蝕刻以露出Si/SiGe構造。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於浮動閘極成形用之3D NAND ONON堆疊中的選擇性SiN凹部蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於WF金屬沉積用之選擇性TiN或TaN蝕刻。
示範例五
可實施一等向蝕刻表面處理製程。該製程可包括曝露表面至以鹵素為基的氣體或中性物種。該製程可包括加熱該工件至高於鹵化物種的昇華溫度，以移除被蝕刻的材料。在某些具體實施例中，此示範製程可氯化或氟化像是Si、TiN或TaN之類的材料，隨後加熱以烘烤。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於SED側向凹部蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可被用於浮動閘極成形用之3D NAND ONON堆疊中的選擇性Si掘入蝕刻。
示範例六
可實施一等向蝕刻表面處理製程。該製程可包括將表面曝露至以鹵素或氧為基的氣體或中性物種。該製程可包括流動有機或有機金屬前趨物以移除鹵化物種。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於ZrO2、HfO2、Al2O3、AlN、SiO2、ZnO熱性原子層蝕刻(ALE)，此係藉由氟化然後是有機金屬前趨物曝露。在某些具體實施例中，此示範製程可使用有機/O2電漿以用於Co、Ni、Fe、Cu、Ru、Pd、Pt蝕刻。
在某些具體實施例中，此示範製程可用於磁性或貴金屬蝕刻。
示範例七
可實施一等向蝕刻表面處理製程。該製程可包括曝露表面至一種以鹵素為基的氣體或中性物種。該製程可包括將已鹵化表面曝露至第二種鹵素為基的氣體或中性物種，以形成鹵素間揮發性副產品。
在某些具體實施例中，此示範製程可藉由依序曝露於WF6和BCl3而用於TiO2、Ta2O5和WO3蝕刻。在某些具體實施例中，此示範製程可藉由依序曝露於F*和Cl2(或Cl*)而用於TiN蝕刻。
在某些具體實施例中，此示範製程可被用於WF金屬沉積用之選擇性TiN或TaN蝕刻。
進一步的範例
第八圖的表格提出藉由以自由基為基之蝕刻或原子層蝕刻 (ALE)選擇性移除常用硬遮罩材料的示範例。第九圖的表格中提出使用依據本發明示範具體實施例之後電漿氣體注入(PPGI)的自由基的表面修飾/處理的示範例。
雖然本案標的是相關於其特定示範性具體實施例詳細而加以描述，可想而知於此技術領域具通常知識者一旦瞭解前文的解說，可輕易針對這些具體實施例而產生置換、變更以及等效者。因此，本說明書的範疇係舉例而非設限，且主題揭露內容並不排除納入對於本案標的此等修飾、變更及/或增添，正如本技術領域中具有通常知識者應可顯而易知者。

Claims (20)

  1. 一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含：一處理室；一支架，置於該處理室內，該支架可操作以支撐一工件；一電漿室，置於該處理室一垂直方向之上，該電漿室包含一介電質側壁；一分離網格，將該處理室與該電漿室分開；一第一電漿源，鄰近該電漿室的該介電質側壁，該第一電漿源可操作以在該電漿室內該分離網格之上生成一遠端電漿；一第二電漿源，該第二電漿源可操作以在該電漿室內該分離網格下方生成一直接電漿。
  2. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該電漿處理裝置包含一介電質窗口，由一處理室壁的一部分伸出，該介電質窗口界定該處理室的至少一部分。
  3. 如申請專利範圍第2項的電漿處理裝置，其中該第二電漿源包含一鄰近該介電質窗口放置的感應線圈。
  4. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該分離網格係可操作以過濾該遠端電漿內所生成的一或多個離子，該分離網格可操作以讓一或多個中性自由基通至該處理室。
  5. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該電漿處理裝置包含一氣體源，其經配置以將一處理氣體饋送入該電漿室內。
  6. 如申請專利範圍第5項的電漿處理裝置，其中該分離網格係可操作 以充作一噴灑頭，用於將該處理氣體通入該處理室。
  7. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該支架係可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
  8. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該支架包含一或多個抬升銷，其可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
  9. 如如申請專利範圍第7項的電漿處理裝置，其中該第一製程係一乾式剝除製程且該第二製程係一乾式蝕刻製程。
  10. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該第一電漿源包含圍繞該介電質側壁放置的一感應線圈。
  11. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，其中該第二電漿源包含與該支架相關聯的一射頻偏壓電極，當以來自一射頻偏壓源之射頻電力供電給該射頻偏壓電極時，該射頻偏壓電極可操作以在該處理室內生成該直接電漿。
  12. 一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含：一處理室；一支架，置於該處理室內，該支架可操作以支撐一工件；一電漿室，置於該處理室一垂直方向之上，該電漿室包含一介電質側壁，該介電質側壁具有一圓柱狀外形； 一分離網格，將該處理室與該電漿室分開；一介電質窗口，形成該處理室的一天花板的一部分，該介電質窗口在一水平方向上從該電漿室向外張開；一第一電漿源，鄰近該介電質側壁，該第一電漿源可操作以在該電漿室內生成一遠端電漿；一第二電漿源，鄰近該介電質窗口，該第二電漿源可操作以在該電漿室內生成一直接電漿。
  13. 如申請專利範圍第12項的電漿處理裝置，其中該第一電漿源包含圍繞該介電質側壁放置的一感應線圈。
  14. 如申請專利範圍第12項的電漿處理裝置，其中該第二電漿源包含鄰近該介電質窗口放置的一感應線圈。
  15. 如申請專利範圍第12項的電漿處理裝置，進一步包含與該支架相關聯的一射頻偏壓電極，當以來自一射頻偏壓源之射頻電力供電給該射頻偏壓電極時，該射頻偏壓電極可操作以在該處理室內生成一直接電漿。
  16. 如申請專利範圍第12項的電漿處理裝置，其中該支架係可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
  17. 如申請專利範圍第12項的電漿處理裝置，其中該支架包含一或多個抬升銷，其可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
  18. 一種電漿處理裝置，包含：一處理室；一支架，置於該處理室內，該支架可操作以支撐一工件；一電漿室，置於該處理室一垂直方向之上，該電漿室包含一介電質側壁，該介電質側壁具有一圓柱狀外形；一分離網格，將該處理室與該電漿室分開；一第一電漿源，鄰近該介電質側壁，該第一電漿源可操作以在該電漿室內生成一遠端電漿；一第二電漿源，該第二電漿源可操作以在該處理室內生成一直接電漿，該第二電漿源包含與該支架相關聯的一射頻偏壓電極，當以來自一射頻偏壓源之射頻電力供電給該射頻偏壓電極時，該射頻偏壓電極可操作以在該處理室內生成該直接電漿。
  19. 如申請專利範圍第18項的電漿處理裝置，其中該支架係可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
  20. 如申請專利範圍第19項的電漿處理裝置，其中該支架包含一或多個抬升銷，其可在一垂直方向上，在至少用於實施一第一製程的一第一垂直位置與用於實施一第二製程的一第二垂直位置之間移動，該第一垂直位置相較於該第二垂直位置係較靠近該分離網格。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111120235A (zh) * 2019-12-24 2020-05-08 兰州空间技术物理研究所 一种基于涡轮增压的吸气式电推进装置
TWI772862B (zh) * 2019-09-09 2022-08-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 等離子體系統以及相關過濾裝置
US11875998B2 (en) 2019-12-18 2024-01-16 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing method

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11532455B2 (en) * 2018-12-31 2022-12-20 En2Core Technology, Inc. Plasma generating apparatus and method for operating same
US11189464B2 (en) 2019-07-17 2021-11-30 Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. Variable mode plasma chamber utilizing tunable plasma potential
WO2021041366A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Mattson Technology, Inc. Spacer etching process
WO2021108294A2 (en) 2019-11-27 2021-06-03 Applied Materials, Inc. Processing chamber with multiple plasma units
WO2021108297A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 Applied Materials, Inc. Dual plasma pre-clean for selective gap fill
WO2021138006A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-08 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for removal of hardmask
CN113471070B (zh) * 2020-05-22 2022-04-12 北京屹唐半导体科技股份有限公司 使用臭氧气体和氢自由基的工件加工
CN118571741A (zh) * 2020-08-28 2024-08-30 北京屹唐半导体科技股份有限公司 具有可移动插入件的等离子体剥离工具
JP2022049494A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 キオクシア株式会社 半導体製造装置
US11488835B2 (en) 2020-11-20 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for tungsten-containing film removal
CN113488367A (zh) 2020-12-14 2021-10-08 北京屹唐半导体科技股份有限公司 具有等离子体处理系统和热处理系统的工件处理装置
US11854770B2 (en) 2021-01-14 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma processing with independent temperature control
US11658006B2 (en) * 2021-01-14 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Plasma sources and plasma processing apparatus thereof
KR20220146408A (ko) * 2021-04-22 2022-11-01 주식회사 히타치하이테크 에칭 방법
CN113889394B (zh) * 2021-09-25 2023-03-14 大连理工大学 一种SiC半导体干法表面处理设备及方法
US20230187214A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-15 Tokyo Electron Limited Remote source pulsing with advanced pulse control
CN114446761B (zh) * 2022-01-26 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
US20240170261A1 (en) * 2022-11-21 2024-05-23 Applied Materials, Inc. Plasma generator for edge uniformity

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2888258B2 (ja) * 1990-11-30 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP3364675B2 (ja) * 1997-09-30 2003-01-08 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置
US6635578B1 (en) * 1998-02-09 2003-10-21 Applied Materials, Inc Method of operating a dual chamber reactor with neutral density decoupled from ion density
WO1999040609A1 (en) * 1998-02-09 1999-08-12 Applied Materials, Inc. Plasma assisted processing chamber with separate control of species density
US20020185226A1 (en) * 2000-08-10 2002-12-12 Lea Leslie Michael Plasma processing apparatus
US20030091739A1 (en) * 2001-11-14 2003-05-15 Hitoshi Sakamoto Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus
JP4450407B2 (ja) * 2003-03-27 2010-04-14 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
US20050205211A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Vikram Singh Plasma immersion ion implantion apparatus and method
JP2006114614A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置および方法
JP2008124424A (ja) * 2006-10-16 2008-05-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
US20080178805A1 (en) * 2006-12-05 2008-07-31 Applied Materials, Inc. Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode
US20080179287A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Process for wafer backside polymer removal with wafer front side gas purge
US20090095714A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Tokyo Electron Limited Method and system for low pressure plasma processing
US9520275B2 (en) * 2008-03-21 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using
US20130059448A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
JP5679423B2 (ja) * 2010-11-02 2015-03-04 富士電機株式会社 Ｄｌｃ薄膜製造方法および装置
US8723423B2 (en) * 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
WO2013028313A1 (en) * 2011-08-19 2013-02-28 Mattson Technology, Inc. High efficiency plasma source
KR101234706B1 (ko) * 2012-04-02 2013-02-19 참엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR101495288B1 (ko) * 2012-06-04 2015-02-24 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9021985B2 (en) * 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9230819B2 (en) * 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
JP6247087B2 (ja) * 2013-12-18 2017-12-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置および活性種の生成方法
JP6215171B2 (ja) * 2014-10-01 2017-10-18 東芝三菱電機産業システム株式会社 微粒子生成装置
KR101682155B1 (ko) * 2015-04-20 2016-12-02 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
JP6703425B2 (ja) * 2016-03-23 2020-06-03 株式会社栗田製作所 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10790119B2 (en) * 2017-06-09 2020-09-29 Mattson Technology, Inc Plasma processing apparatus with post plasma gas injection
US11239060B2 (en) * 2018-05-29 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ion beam etching chamber with etching by-product redistributor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772862B (zh) * 2019-09-09 2022-08-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 等離子體系統以及相關過濾裝置
US11875998B2 (en) 2019-12-18 2024-01-16 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing method
CN111120235A (zh) * 2019-12-24 2020-05-08 兰州空间技术物理研究所 一种基于涡轮增压的吸气式电推进装置
CN111120235B (zh) * 2019-12-24 2022-03-18 兰州空间技术物理研究所 一种基于涡轮增压的吸气式电推进装置

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Publication number Publication date
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