TW201927919A - 色彩校正構件及使用色彩校正構件之光學薄膜 - Google Patents

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Abstract

以往於黏著劑層中含有色素時，習知係使用四氮雜卟啉作為在特定波長(560~610nm)之範圍內出現吸收極大波長之色素。然而，根據本發明人等研討得知，將含有四氮雜卟啉之黏著劑層做成色彩校正構件時，會連545nm附近之光一起吸收，從而使面板亮度降低。本發明目的在於提供一種可良好地兼顧廣色域化與亮度降低之情況的色彩校正構件。
即，可藉由一種於吸收光譜之特定波長(560~610nm)範圍內具有吸收峰且該吸收峰與在545nm中之吸光度之比滿足特定值以下的色彩校正構件或附壓敏黏著劑層之偏光薄膜來解決。

Description

色彩校正構件及使用色彩校正構件之光學薄膜
本發明涉及一種用於光學薄膜及影像顯示裝置等之色彩校正構件。色彩校正構件可單獨或以積層其而成之光學薄膜的形式來形成液晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置。
發明背景
影像顯示裝置等由其影像形成方式來看，於液晶單元之兩面配置偏光元件為不可或缺的，且一般係貼附有偏光薄膜。將前述偏光薄膜貼附於液晶單元時，通常係使用黏著劑。又，為了降低光的損失，通常偏光薄膜與液晶單元之接著會使用黏著劑將各個材料密著。於所述情況時，一般會使用已將黏著劑以黏著劑層之形式預先設置於偏光薄膜之單面的附黏著劑層之偏光薄膜，因其具有於固定偏光薄膜時不須經過乾燥步驟等優點。
又，已提出有藉由添加染料或顏料於前述黏著劑層中以使其著色，來賦予偏光薄膜任意色相，以製得高對比之液晶顯示體(專利文獻1)。近年來，對影像顯示裝置尋求亮度、鮮豔度(即廣色域化)，而有機EL顯示裝置(OLED)備受矚目，從而對液晶顯示裝置亦同樣尋求廣色域化。作為使液晶顯示裝置廣色域化之方法，舉例而言已提出如下方法：透過含有於特定波長(560~610nm)之範圍中顯示吸收極大波長的色素之黏著劑層，將偏光薄膜積層於前述液晶單元之單面或兩面上(專利文獻2、3)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利實登第3052812號說明書
專利文獻2：日本特開第2011-039093號公報
專利文獻3：日本特開第2014-092611號公報
發明概要
發明欲解決之課題
如專利文獻2及3於黏著劑層中含有色素時，作為在特定波長(560~610nm)之範圍內出現吸收極大波長之色素，以往係使用四氮雜卟啉。然而，根據本發明人等研討得知，將含有四氮雜卟啉之黏著劑層做成色彩校正構件時，會連545nm附近之光一起吸收，從而使面板亮度降低。
本發明目的在於提供一種可良好地兼顧廣色域化與亮度降低之情況的色彩校正構件。
用以解決課題之手段
本發明人等為解決前述課題而反覆地努力檢討之結果，發現下述色彩校正構件，遂而完成本發明。即，本發明在於以下[1]~[8]。
[1]一種色彩校正構件，其特徵在於：令其在吸收光譜之580nm~610nm中之吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 為0.13以下；
(惟，前述吸收光譜係使前述色彩校正構件分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得)。
[2]如前述[1]記載之色彩校正構件，其在前述吸收光譜之530nm~570nm不具吸收峰。
[3]如前述[1]或[2]記載之色彩校正構件，其於前述580nm~610nm具有之吸收峰的半值寬度為35nm以下。
[4]如前述[1]至[3]中任一項記載之色彩校正構件，其中前述色彩校正構件含有下述式(I)或(II)所示化合物：
[化學式1]

式(I)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架、R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或者，
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架、R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；
式(II)中，R4 及R8 分別獨立為氫原子或碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基。
[5]一種光學薄膜，具有偏光薄膜與壓敏黏著劑層，且該光學薄膜之特徵在於：
令前述壓敏黏著劑層在吸收光譜之580nm~610nm中之吸收峰之值為Amax 且在前述吸收光譜之545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 為0.13以下；
(惟，前述吸收光譜係使前述壓敏黏著劑分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得)。
[6]如前述[5]記載之光學薄膜，其中前述壓敏黏著劑層在吸收光譜之530nm~570nm不具吸收峰。
[7]如前述[5]或[6]記載之光學薄膜，其於前述580nm~610nm中之吸收峰的半值寬度為35nm以下。
[8]如前述[5]至[7]中任一項記載之光學薄膜，其中於前述壓敏黏著劑層中含有下述式(I)或(II)所示化合物：
[化學式2]

式(I)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架、R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或者，
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架、R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；
式(II)中，R4 及R8 分別獨立為氫原子或碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基。
發明效果
根據本發明，不僅可達成影像顯示裝置之廣色域化，且545nm附近之光吸收已獲得抑制，故而亦可發揮習知未能達成之提升亮度的效果。
用以實施發明之形態
以下說明本發明，惟本發明不受以下實施形態限定，可任意做變更實施。
本發明之色彩校正構件只要為下述物，其形態即無特別限定：於吸收光譜之580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。舉例來說，可舉一種含有下述化合物之樹脂薄膜，該化合物於580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。舉另一例來說，可舉一種於黏著劑中含有前述化合物之光學用黏著片；或者就具備色彩校正構件之光學薄膜之例而言，可舉一種具有含有前述化合物之黏著劑層的光學薄膜。光學薄膜可舉偏光薄膜。
以下，將列舉一種含有下述化合物之光學用黏著片為例，來說明本發明之色彩校正構件，該化合物於吸收光譜之580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。並列舉一種具有聚乙烯醇系偏光件之偏光薄膜及一種具有含有前述化合物之黏著劑層的附黏著劑層之偏光薄膜為例，來說明本發明之光學薄膜。
A.色彩校正構件
A-1.光學用黏著片
光學用黏著片可由含有基底聚合物及後述之化合物X的黏著劑組成物形成。
該光學用黏著片於吸收光譜之580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。前述吸收光譜係使該光學用黏著片分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得。前述光學用黏著片於吸收光譜之530nm~570nm範圍內不具吸收峰為宜。又，若從更廣色域化之觀點來看，該光學用黏著片在吸收光譜之580nm~610nm具有之吸收峰的半值寬度為35nm以下較佳。
基底聚合物種類並無特別限制，例如可舉橡膠系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、胺甲酸乙酯系聚合物、乙烯基烷基醚系聚合物、聚乙烯醇系聚合物、聚乙烯吡咯啶酮系聚合物、聚丙烯醯胺系聚合物、纖維素系聚合物等各種聚合物。
光學用黏著片含有基底聚合物作為主成分。主成分係指黏著劑組成物所含之總固體成分中含量比率最多的成分，舉例而言係指黏著劑組成物所含之總固體成分中佔超過50重量%之成分，進而指佔超過70重量%之成分。
該等基底聚合物中，適宜使用光學透明性佳、可展現適宜濕潤性、凝聚性與接著性之黏著特性，並且耐候性及耐熱性等優異者。可展現所述特徴之物可適宜使用(甲基)丙烯酸系聚合物。以下，針對黏著劑組成物之形成材料、亦即以將含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體單元的(甲基)丙烯酸系聚合物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑予以說明。
A-2.(甲基)丙烯酸系聚合物
前述(甲基)丙烯酸系聚合物通常含有以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分作為單體單元。另，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)亦為同義。
構成前述(甲基)丙烯酸系聚合物之主骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯可例示直鏈狀或支鏈狀烷基的碳數1~18者。該等可單獨使用或可組合使用。該等烷基的平均碳數宜為3~9。
為了改善接著性及耐熱性，可於前述(甲基)丙烯酸系聚合物中，藉由共聚來導入1種以上具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等具不飽和雙鍵之聚合性官能基的共聚單體。
前述(甲基)丙烯酸系聚合物在總構成單體的重量比率中係以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分，而(甲基)丙烯酸系聚合物中之前述共聚單體之比率並無特別限制，但前述共聚單體之比率在總構成單體的重量比率中宜為0~20%左右、0.1~15%左右、更宜為0.1~10%左右。
本發明之(甲基)丙烯酸系聚合物通常是使用重量平均分子量為50萬~300萬之範圍者。若考慮耐久性尤其是耐熱性，宜使用重量平均分子量為70萬~270萬之物。更以80萬~250萬為宜。重量平均分子量若小於50萬，在耐熱性觀點來看不宜。又，重量平均分子量若變得大於300萬，就需要大量的稀釋溶劑以調整成塗佈所需黏度而會拉高成本故並不適宜。另，重量平均分子量係指以GPC(凝膠滲透層析法；Gel Permeation Chromatography)測定且利用聚苯乙烯換算所算出之值。
所述(甲基)丙烯酸系聚合物之製造，可適當選擇溶液聚合、UV聚合等放射線聚合、塊狀聚合、乳化聚合、各種自由基聚合等公知之製造方法。又，所得(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等任一者。
另，在溶液聚合中，聚合溶劑可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作為溶液聚合之具體例，反應可在氮等非活性氣體氣流下添加聚合引發劑，並通常在50~70℃左右、5~30小時左右之反應條件下進行。
用於自由基聚合之聚合引發劑、鏈轉移劑、乳化劑等並無特別限定，可適當選用。此外，(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量可藉由聚合引發劑、鏈轉移劑的使用量及反應條件來控制，並可因應其等之種類來適當地調整其使用量。
作為自由基聚合引發劑，可列舉例如2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2’-偶氮雙(N,N’-二亞甲基異丁基脒)、2,2’-偶氮雙[N-(2-羧乙基)-2-甲基丙脒]水合物(和光純藥公司製，VA-057)等之偶氮系引發劑、過硫酸鉀、過硫酸銨等之過硫酸鹽、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、二(4-三級丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二-二級丁基過氧化二碳酸酯、過氧化新癸酸三級丁酯、過氧化三甲基乙酸三級己酯、過氧化三甲基乙酸三級丁酯、二月桂醯基過氧化物、二-正辛醯基過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、二(4-甲基苯甲醯基)過氧化物、二苯甲醯基過氧化物、過異丁酸三級丁酯、1,1-二(三級己基過氧基)環己烷、三級丁基過氧化氫、過氧化氫等的過氧化物系引發劑、過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉的組合等過氧化物與還原劑組合而成之氧化還原系引發劑等，但不受限於該等。
前述自由基聚合引發劑可單獨使用，亦可將2種以上混合使用，但整體含量相對於100重量份之單體，宜為0.005~1重量份左右，更宜為0.02~0.5重量份左右。
作為鏈轉移劑，可列舉例如月桂基硫醇、環氧丙基硫醇、巰乙酸、2-巰基乙醇、硫代乙醇酸、硫代乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇等。鏈轉移劑可單獨使用，亦可將2種以上混合使用，但整體含量相對於單體成分的總量100重量份，為0.1重量份左右以下。
又，作為用於進行乳化聚合時的乳化劑，可列舉例如月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、十二基苯磺酸鈉、聚氧伸乙基烷基醚硫酸銨、聚氧伸乙基烷基苯基醚硫酸鈉等之陰離子系乳化劑，聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸乙基烷基苯基醚、聚氧伸乙基脂肪酸酯、聚氧伸乙基-聚氧伸丙基嵌段聚合物等之非離子系乳化劑等。該等乳化劑可單獨使用亦可將2種以上併用。
並且，以反應性乳化劑來說，導入丙烯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能基之乳化劑，具體而言可舉例如Aqualon HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上皆為第一工業製藥公司製)、ADEKA REASOAP SE10N(旭電化工公司製)等。由於反應性乳化劑在聚合後會組入聚合物鏈，因此耐水性良好而為佳。乳化劑的使用量相對於單體成分總量100重量份為0.3~5重量份，而由聚合穩定性及機械穩定性來看宜為0.5~1重量份。
A-3.化合物X
光學用黏著片含有之化合物X只要是下述化合物即無特別限定：於吸收光譜之580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。
化合物X於吸收光譜之530nm~570nm範圍內不具吸收峰為宜。
又，若從更廣色域化之觀點來看，前述化合物X在吸收光譜之580nm~610nm具有之吸收峰的半值寬度為35nm以下較佳。
所述化合物X可舉下述式(I)或(II)所示化合物。
[化學式3]

式(I)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是
R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架、R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或者，
R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架、R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；
式(II)中，R4 及R8 分別獨立為氫原子或碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基。
含有R1 與R2 而形成之上述飽和環狀骨架(碳數：5或6)及含有R5 與R6 而形成之上述飽和環狀骨架(碳數：5或6)亦可具有取代基。該取代基可舉如碳數1~4之烷基。又，含有R2 與R3 而形成之上述飽和環狀骨架(碳數：5~7)及含有R6 與R7 而形成之上述飽和環狀骨架(碳數：5~7)亦可具有取代基。該取代基可舉如碳數1~4之烷基。
在一實施形態中，R4 及/或R8 具有苯環或萘環作為取代基。
以前述式(I)或(II)表示之化合物的具體例可舉下列方酸菁(squaraine)系化合物(方酸鎓(squarylium)系化合物)。另，下表中有標出化合物之吸收峰。關於(I-1)~(I-23)係標示於脂肪族聚碳酸酯混合化合物而調製出樹脂組成物後，測定由該樹脂組成物構成之薄膜的吸光度而取得的吸收峰；關於(I-24)~(I-27)及(II-1)則係標示於聚甲基丙烯酸甲酯樹脂混合化合物而調製出樹脂組成物後，測定由該樹脂組成物構成之薄膜的吸光度而取得的吸收峰。



[化學式4]
[化學式5]
[化學式6]
[化學式7]
[化學式8]
[化學式9]
滿足前述之關係的化合物X可吸收來自色彩表現上不需要之光源的發光，從而抑制該發光，對廣色域化有效。而且因不易吸收來自光視效能較高之545nm附近之光源的發光，所以可減少亮度降低的情況。另，化合物X之吸收光譜測定係藉由分光光度計(Hitachi High-Technologies Co.製U-4100)進行。
光學黏著片中之前述化合物含量係藉由化合物X之吸光係數及(甲基)丙烯酸系聚合物等基底聚合物之種類來調整，通常相對於基底聚合物100重量份宜為0.01~5重量份，較宜為0.05~1重量份，更宜為0.1~0.5重量份。
A-4.交聯劑
此外，本發明中，可於用以形成含有前述化合物X之黏著劑層的黏著劑組成物中含有交聯劑。作為交聯劑，可使用有機系交聯劑或多官能性金屬螯合物。有機系交聯劑可舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑等。多官能性金屬螯合物是多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結之物。多價金屬原子可列舉Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。有機化合物中可共價鍵結或配位鍵結之原子可舉如氧原子等，有機化合物則可舉如烷基酯類、醇類化合物、羧酸化合物、醚類化合物、酮類化合物等。
異氰酸酯系交聯劑之化合物可舉例如甲苯二異氰酸酯、氯苯二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、伸二甲苯基二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、經氫化之二苯甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體，及該等異氰酸酯單體與三羥甲丙烷等進行加成而成的異氰酸酯化合物或三聚異氰酸酯化物、縮二脲型化合物，還有與聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等行加成反應而成的胺甲酸乙酯預聚物型異氰酸酯等等。尤佳為聚異氰酸酯化合物，且為選自於由六亞甲基異氰酸酯、氫化伸茬基二異氰酸酯及異佛酮二異氰酸酯所構成群組中之1種或源自於其的聚異氰酸酯化合物。在此，選自於由六亞甲基異氰酸酯、氫化伸茬基二異氰酸酯及異佛酮二異氰酸酯所構成群組中之1種或源自於其的聚異氰酸酯化合物包括：六亞甲基異氰酸酯、氫化伸茬基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、多元醇改質六亞甲基異氰酸酯、多元醇改質氫化伸茬基二異氰酸酯、三聚物型氫化伸茬基二異氰酸酯及多元醇改質異佛酮二異氰酸酯等。所例示之聚異氰酸酯化合物因其與羥基之反應進行迅速(尤其是使聚合物中所含之酸、鹼基如同觸媒般)，特別有助於加速交聯而較為理想。
黏著劑組成物中，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物等之基底聚合物100重量份，前述交聯劑之使用量宜為20重量份以下，更宜為0.01~20重量份，又更宜為0.03~10重量份。另，若前述交聯劑多於20重量份，耐濕性將不足，從而容易在可靠性試驗等中發生剝離。
雖是利用前述黏著劑組成物來形成具有前述化合物X之光學黏著片，但在形成黏著片時，宜調整交聯劑的添加量，並充分考慮交聯處理溫度及交聯處理時間之影響。
交聯處理溫度及交聯處理時間可藉由所使用之交聯劑來調整。交聯處理溫度宜為170℃以下。
又，所述交聯處理可在黏著片的乾燥步驟時之溫度下實行，也可以在乾燥步驟後另外設置交聯處理步驟而實行。
又，關於交聯處理時間可考慮生產性及作業性來設定，而一般為0.2~20分鐘左右，且以0.5~10分鐘左右為佳。
A-5.光學用黏著片之製造方法
形成具有前述化合部X之黏著片的方法，譬如可將前述黏著劑組成物塗佈於經剝離處理之分離件等，將聚合溶劑等乾燥去除而形成黏著片後，在前述黏著片之無前述分離件之面設置另一個分離件，即可作成附分離件之光學用黏著片。
經剝離處理過之分離件宜使用聚矽氧剝離襯材。以於所述襯材上塗佈本發明之接著劑組成物並使其乾燥以形成黏著劑層的步驟來說，使黏著劑乾燥的方法可因應目的適當採用適宜的方法。宜使用將上述塗佈膜進行過熱乾燥之方法。加熱乾燥溫度宜為40℃~200℃，更宜為50℃~180℃，尤宜為70℃~170℃。將加熱溫度設定在上述範圍內，可獲得具有優異黏著特性之黏著劑。
乾燥時間可適當採用適宜的時間。上述乾燥時間宜為5秒~20分鐘，更宜為5秒~10分鐘，尤宜為10秒~5分鐘。
為了獲得前述黏著片而於分離件形成黏著劑層之方法可採用各種方法。具體而言，可舉出例如輥塗佈、接觸輥塗佈、凹版塗佈、逆塗佈、輥刷、噴塗佈、浸漬輥塗佈、棒塗佈、刮刀塗佈、空氣刮刀塗佈、簾式塗佈、唇塗佈、利用模塗機等的擠壓式塗佈法等方法。
前述黏著劑層之厚度無特別限制，譬如可為1μm以上且100μm左右。前述黏著劑層之厚度下限宜為2μm以上，較宜為5μm以上。另一方面，前述黏著劑層之厚度上限宜為50μm以下，較宜為40μm以下，更宜為35μm以下。
前述分離件之構成材料可舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯及聚酯薄膜等塑膠薄膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片、金屬箔及其等之積層體等之適當薄片體等，但從表面平滑性優異之觀點來看，適宜使用塑膠薄膜。
該塑膠薄膜只要為可保護前述黏著劑層之薄膜即無特別限定，可舉例如聚乙烯醇薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚戊二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺甲酸乙酯薄膜、乙烯-乙酸乙酯共聚物薄膜等。
前述分離件的厚度通常為5~200μm，宜為5~100μm左右。對前述分離件亦可視需要進行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或脂肪酸醯胺系脫模劑、二氧化矽粉等實行脫模及防污處理，及施行塗佈型、捏合型、蒸鍍型等抗靜電處理。尤其，藉由對前述分離件之表面適當實施聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，可更為提高自前述黏著劑層之剝離性。
B.附黏著劑層之偏光薄膜
以下說明本發明之光學薄膜之一態樣的附黏著劑層之偏光薄膜。
本發明之偏光薄膜具有前述聚乙烯醇系偏光件。壓敏黏著劑層之形成態樣，可舉對具有聚乙烯醇系偏光件之偏光薄膜，塗佈含有已在A.色彩校正構件中詳述之前述基底聚合物及前述化合物X的黏著劑組成物後，將聚合溶劑等乾燥去除而於具有聚乙烯醇系偏光件之偏光薄膜形成壓敏黏著劑層的方法。另，塗佈黏著劑組成物時，亦可適當地另外添加聚合溶劑以外之一種以上溶劑。又，關於其他壓敏黏著劑層之形成態樣，亦可舉對具有聚乙烯醇系偏光件之偏光薄膜貼合已在A.色彩校正構件中詳述之黏著片後，轉印做成附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的方法。
又，可於具有聚乙烯醇系偏光件之偏光薄膜表面形成錨固層(例如厚度0.5~2μm左右)、或施行電暈處理、電漿處理等之各種易接著處理後，藉由塗佈或轉印而形成壓敏黏著劑層。又，亦可對黏著劑層表面施行易接著處理。
前述附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的壓敏黏著劑層於吸收光譜之580nm~610nm具有吸收峰，且令其在吸收光譜之580nm~610nm中之最大吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係。前述吸收光譜係使該壓敏黏著劑層分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得。前述壓敏黏著劑層於吸收光譜之530nm~570nm範圍內不具吸收峰為宜。更具體而言，上述光學機能薄膜於530nm~570nm範圍內不具有吸光度在0.1以上的吸收峰。又，若從更廣色域化之觀點來看，該壓敏黏著劑層在吸收光譜之580nm~610nm具有之吸收峰的半值寬度為35nm以下較佳。
前述偏光薄膜通常一般係使用於聚乙烯醇系偏光件單面或兩面具有透明保護薄膜者。
前述聚乙烯醇系偏光件並無特別限定，可使用各種類。作為偏光件，可舉如使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料之二色性物質並進行單軸延伸者，以及聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。該等之中又以由聚乙烯醇系薄膜與碘等的二色性物質構成之偏光件較適宜。該等偏光件之厚度雖無特別限制，但一般在80μm左右以下。
將聚乙烯醇系薄膜用碘染色且經單軸延伸的偏光件可藉由例如將聚乙烯醇系薄膜浸漬於碘的水溶液中來進行染色，並延伸成原長的3~7倍來製成。亦可視需要浸漬於亦可含有硼酸或硫酸鋅、氯化鋅等之碘化鉀等的水溶液中。進一步亦可視需要在染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中進行水洗。藉由水洗聚乙烯醇系薄膜除了可以洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的汙垢或抗結塊劑之外，藉由使聚乙烯醇膨潤，也具有防止染色不均等之不均勻的效果。延伸可於以碘染色後進行，亦可一邊染色並一邊延伸，或可於延伸後以碘染色。亦可在硼酸或碘化鉀等之水溶液中或水浴中進行延伸。
又，偏光件厚度並無特別限定，通常為30μm以下。由薄型化之觀點，偏光件厚度上限宜為10μm以下，7μm以下較佳。另一方面，下限為1μm以上。這種薄型偏光件，厚度參差較少且視辨性優異，且尺寸變化較少故耐久性優異，而且作成偏光薄膜的厚度亦能力求薄型化，就此等觀點來看較理想。
薄型偏光件代表性地可列舉記載於日本專利特開昭51-069644號公報、或日本專利特開2000-338329號公報、WO2010/100917號公報手冊、PCT/JP2010/001460的說明書、或日本專利特願2010-269002號說明書或日本專利特願2010-263692號說明書的薄型偏光膜。該等薄型偏光膜可藉由包含有將聚乙烯醇系樹脂(以下亦稱PVA系樹脂)層與延伸用樹脂基材在積層體的狀態下延伸的步驟與染色的步驟之製法製得。若為此種製法，則即使PVA系樹脂層很薄，因其被延伸用樹脂基材支持著，故可在不因延伸造成斷裂等不良狀況下延伸。
作為前述薄型偏光膜，在包含有在積層體之狀態下延伸的步驟與染色的步驟之製法中，從可高倍率地延伸來提高偏光性能之觀點來看，較理想的是利用如WO2010/100917號公報手冊、PCT/JP2010/001460之說明書、或是日本專利特願2010-269002號說明書或日本專利特願2010-263692號說明書中所記載之包含有在硼酸水溶液中延伸之步驟的製法所製得者，特別理想的是利用如日本專利特願2010-269002號說明書或日本專利特願2010-263692號說明書中所記載之包含有在硼酸水溶液中延伸前進行輔助性空中延伸之步驟的製法所製得者。
作為構成透明保護薄膜的材料，可使用例如透明性、機械強度、熱穩定性、抗濕性、各向同性等優異之熱可塑性樹脂。作為該種熱可塑性樹脂之具體例，可舉如三乙醯纖維素等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降莰烯系樹脂)、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及其等之混合物。此外，在偏光件的單面，透明保護薄膜是藉由接著劑層而貼合，而在另一面，透明保護薄膜可使用(甲基)丙烯酸系、胺甲酸乙酯系、丙烯酸胺甲酸乙酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂。透明保護薄膜中亦可含有1種以上任意且適當的添加劑。添加劑可舉如紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、塑化劑、脫模劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。透明保護薄膜中，上述熱可塑性樹脂含量宜為50~100重量%，較佳為50~99重量%，更佳為60~98重量%，特佳為70~97重量%。透明保護薄膜中上述熱可塑性樹脂含量在50重量%以下時，會有無法充分發揮熱可塑性樹脂原有的高透明性等之虞。
透明保護薄膜之厚度並無特別限制，例如為10~90μm左右。宜為15~60μm，更宜為20~50μm。
貼合前述偏光件與透明保護薄膜所用之接著劑只要在光學上是透明的，則可無特別限制地使用水系、溶劑系、熱熔膠系、自由基硬化型、陽離子硬化型之各種形態的接著劑，但水系接著劑或自由基硬化型接著劑較適宜。
C.液晶面板
本發明之附壓敏黏著劑層之偏光薄膜係透過該附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層貼合於液晶單元之至少任一面而形成液晶面板。本發明之附壓敏黏著劑層之偏光薄膜適宜使用於液晶單元之視辨側。
液晶單元舉例而言可使用TN型或STN型、π型、VA型及IPS型等任意類型，但本發明之液晶面板適宜使用IPS模式之液晶單元。
液晶面板之形成，除了前述偏光薄膜之外，亦可適用其他光學層。該光學層並無特別限定，但舉例而言可於液晶單元之視辨側及/或背面側使用1層或2層以上之諸如反射板、半透射板、相位差板(包含1/2及1/4等波長板)、視角補償薄膜及亮度提升薄膜等會被使用於液晶面板之形成的光學層。
D.液晶顯示裝置
液晶顯示裝置係使用上述液晶面板，並視需要適當組裝照明系統等構成零件並組入驅動電路等來形成。此外，形成液晶顯示裝置時，可以將例如擴散板、防眩層、抗反射膜、保護板、稜鏡陣列、透鏡陣列片材、光擴散板、背光等適當的零件在適當位置配置1層或2層以上。又，可形成諸如於照明系統中使用背光件或反射板者等適當之液晶顯示裝置。
實施例
以下，以實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例限定。此外，各例中之份及%皆為重量基準。以下，未特別規定之室溫放置條件全部為23℃且65%RH。
＜測定吸收光譜及吸光度＞
為了確認本發明之色彩校正構件及附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的壓敏黏著劑層之吸收峰及吸光度，以下述手法進行吸收光譜測定。
以乙酸乙酯或甲苯等有機溶劑作為溶劑，使黏著片或附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的壓敏黏著劑層溶解或分散於其中，調製出測定試樣。
用該測定試樣，利用分光光度計(Hitachi High-Technologies Co.製U-4100)測定吸收光譜及吸光度。
前述A545 /Amax 之值係利用規格化令在吸收光譜之580nm~610nm中之吸收峰之值Amax 為1，算出在545nm中之吸光度之值A545 後，計算而得。
＜亮度及色域之測定方法＞
從LG Electronics公司製液晶TV(43UF7710)取出液晶面板(包含IPS模式之液晶單元之液晶面板)，並從液晶單元去除視辨側之附壓敏黏著劑層之偏光薄膜。
將實施例及參考例中所製作之附壓敏黏著層之偏光薄膜(P1)貼附至已去除前述附黏著劑層之偏光薄膜的液晶單元之視辨側，而製出液晶面板(C1)。
將製得之液晶面板(C1)分別放回上述液晶TV中後，於暗房內使液晶TV之測定處顯示白、紅、藍及綠，並在相同背光條件下，用色彩亮度計(TOPCON TECHNOHOUSE CO.製SR-UL1)測定亮度及色度(x,y)。並且，算出將各單色(RGB)之色度座標連結所形成的三角形面積，並算出前述三角形與DCI色域規格重疊的區域面積，算出與原面積相對之比率(DCI比)。
＜測定(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量＞
(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)是利用GPC(凝膠滲透層析法)來測定。針對Mw/Mn亦同樣進行測定。
・分析裝置：東曹公司製，HLC-8120GPC
・管柱：東曹公司製，G7000HXL +GMHXL +GMHXL
・管柱尺寸：各7.8mmφ×30cm 計90cm
・管柱溫度：40℃
・流量：0.8mL/min
・注入量：100μL
・溶析液：四氫呋喃
・檢測器：示差折射計(RI)
・標準試料：聚苯乙烯
實施例1
＜製作偏光薄膜＞
為了製作薄型偏光層，首先將非晶性PET基材上成膜有厚9μm之PVA層的積層體，在延伸溫度130℃下利用空中輔助延伸生成延伸積層體，接著將延伸積層體利用染色生成著色積層體後，在延伸溫度65度下利用硼酸水中延伸將著色積層體與非晶性PET基材一體地進行延伸，以使總延伸倍率成為5.94倍，而生成出包含厚4μm之PVA層的光學薄膜積層體。而可生成包含用以構成高功能偏光層之厚度4μm之PVA層的光學薄膜積層體，該光學薄膜積層體之成膜於非晶性PET基材之PVA層的PVA分子經所述2段延伸而高度配向，且藉染色而吸附的碘以多碘離子錯合物之形式於一方向高度配向。並且，一邊於該光學薄膜積層體之偏光層表面塗佈聚乙烯醇系接著劑一邊貼合經皂化處理之厚40μm的丙烯酸樹脂薄膜後，剝離非晶性PET基材，再於該已剝離基材之偏光層表面同樣地一邊塗佈聚乙烯醇系接著劑一邊貼合經皂化處理之厚40μm的丙烯酸樹脂薄膜，而製出使用有薄型偏光件的偏光薄膜。並將其稱為薄型偏光薄膜。
＜調製(甲基)丙烯酸系聚合物＞
將含有100份之丙烯酸丁酯、0.01份之丙烯酸2-羥乙酯以及5份之丙烯酸的單體混合物饋入具備冷卻管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中。並且，相對於100份之前述單體混合物，將作為聚合引發劑之0.1份之2,2’-偶氮雙異丁腈與100份之乙酸乙酯一同饋入，並一邊緩慢攪拌一邊將氮氣導入以進行氮置換後，使燒瓶內之液溫保持於55℃附近進行8小時之聚合反應，調製出重量平均分子量(Mw)180萬、Mw/Mn=4.1之丙烯酸系聚合物的溶液(固體成分濃度30重量%)。
＜調製黏著劑組成物＞
相對於上述製出之丙烯酸系聚合物溶液的固體成分100份，摻混異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製商品名Coronate L)1份、合成例1中製得之以下述化學式(I-2)表示之方酸菁化合物0.25份，而獲得黏著劑組成物。
另，以化學式(I-2)表示之方酸菁化合物係利用”This compound was made in a manner similar to a published procedure: J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2, 1998, 779.”中記載之合成方法進行合成。
[化學式9]
＜製作附黏著劑層之偏光薄膜＞
將前述黏著劑組成物利用灑佈器均勻塗敷於上述薄型偏光薄膜之一丙烯酸樹脂薄膜之面上，並以155℃之空氣循環式恆溫烘箱乾燥2分鐘後，於前述偏光件表面形成厚度20μm之具有以前述化學式(I-2)表示之方酸菁化合物的壓敏黏著劑層而製出附壓敏黏著劑層之偏光薄膜。
將所得附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層溶解於乙酸乙酯中並予以稀釋，測定吸收光譜。該吸收光譜於波長586nm具有吸收峰，且該吸收峰之半值寬度為27nm。又，在該吸收光譜中，令波長586nm中之吸收峰之值Amax 為1予以規格化時，波長545nm中之吸光度A545 之值得0.13。藉此，A545 /Amax 得0.13。
實施例2
除了改用化學式(I-27)所示方酸菁化合物來替代化學式(I-2)所示方酸菁化合物以外，以與實施例1同樣方式製得附黏著劑層之偏光薄膜。
又，化學式(I-27)所示方酸菁化合物係以下述方法合成。
＜合成方酸菁化合物＞
在氬氣環境下，將2-甲基環戊酮0.42g溶解於1-甲基環己醇10mL。於所得溶液中添加1-萘基甲基胺0.74g後，以80℃之油浴加熱40分鐘。接著於該溶液中加入二氯(對異丙甲苯)釕(II)二聚物26mg、Xantphos 50mg與乙二醇0.53mL後，在145℃下加熱24小時。接著，用利用乙酸乙酯-己烷梯度之矽膠層析將殘渣與以純化。從而取得180mg之吡咯生成物，將之溶解於2.5mL之乙醇中並添加方酸(squaric acid)39mg，在80℃下加熱2.5小時。將所得漿料進行冷卻後，過濾取出生成物。將過濾取得之生成物在75℃下進行減壓乾燥而獲得148mg之方酸菁化合物。
[化學式10]

將所得附壓敏黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層溶解於乙酸乙酯中並予以稀釋，測定吸收光譜。該吸收光譜於波長594nm具有吸收峰，且該吸收峰之半值寬度為23nm。又，在該吸收光譜中，令波長594nm中之吸收峰之值Amax 為1予以規格化時，波長545nm中之吸光度A545 之值得0.10。藉此，A545 /Amax 得0.10。
參考例1
除了將實施例1中之前述化學式(I-2)所示方酸菁化合物換掉改用卟啉系色素(山本化成公司製商品名PD-320)以外，以同樣方式製得附壓敏黏著劑層之偏光薄膜。
以與實施例1同樣方式測定壓敏黏著劑層之吸收光譜。該吸收光譜於波長595nm具有吸收峰，且該吸收峰之半值寬度為25nm。又，在該吸收光譜中，令波長595nm中之吸收峰之值Amax 為1予以規格化時，波長545nm中之吸光度A545 之值得0.16。藉此，A545 /Amax 得0.16。
參考例2
除了未添加實施例1中之前述化學式(I-2)所示方酸菁化合物以外，以同樣方式製得附壓敏黏著劑層之偏光薄膜。
實施例1以及參考例1及2之評估結果列於表-1。
[表1]
根據表1之評估結果可知，使用本發明之色彩校正構件的偏光薄膜做成影像顯示裝置時，比起參考例2之習知不具色彩校正功能的附黏著劑層之偏光薄膜，具有更良好的色域擴大功能。又可知，比起參考例1之習知具有色域擴大功能的附黏著劑層之偏光薄膜，不僅可提升色域擴大功能，亦可提升亮度。

Claims (8)

  1. 一種色彩校正構件，其特徵在於：令其在吸收光譜之580nm~610nm中之吸收峰之值為Amax 且在545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係； (惟，前述吸收光譜係使前述色彩校正構件分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得)。
  2. 如前述請求項1之色彩校正構件，其在前述吸收光譜之530nm~570nm不具吸收峰。
  3. 如前述請求項1或2之色彩校正構件，其於前述580nm~610nm具有之吸收峰的半值寬度為35nm以下。
  4. 如前述請求項1至3中任一項之色彩校正構件，其中前述色彩校正構件含有下述式(I)所示化合物： [化學式1] 式(I)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架、R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或者， R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架、R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基； 式(II)中，R4 及R8 分別獨立為氫原子或碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基。
  5. 一種光學薄膜，具有偏光薄膜與壓敏黏著劑層，且該光學薄膜之特徵在於： 令前述壓敏黏著劑層在吸收光譜之580nm~610nm中之吸光峰之值為Amax 且在前述吸收光譜之545nm中之吸光度之值為A545 時，A545 /Amax 滿足A545 /Amax ≦0.13之關係； (惟，前述吸收光譜係使前述壓敏黏著劑層分散或溶解於有機溶劑中調製分散液或溶液後，測定前述分散液或前述溶液在400nm~700nm範圍內之吸光度而得)。
  6. 如前述請求項5之光學薄膜，其中前述壓敏黏著劑層在吸收光譜之530nm~570nm不具吸收峰。
  7. 如前述請求項5或6之光學薄膜，其於前述580nm~610nm中之吸收峰的半值寬度為35nm以下。
  8. 如前述請求項5至7中任一項之光學薄膜，其中於前述壓敏黏著劑層中含有下述式(I)所示化合物： [化學式2] 式(I)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或是 R1 與R2 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架、R5 與R6 形成由5或6個碳原子構成之飽和環狀骨架且R3 、R4 、R7 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基；或者， R2 與R3 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架、R6 與R7 形成由5~7個碳原子構成之飽和環狀骨架且R1 、R4 、R5 及R8 分別獨立為氫原子、鹵素原子(宜為Cl)、碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基、式(a)所示取代基或式(b)所示取代基； 式(II)中，R4 及R8 分別獨立為氫原子或碳數1以上且20以下之取代或非取代之烷基。
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