TW201921234A

TW201921234A - 電子裝置以及其驅動方法

Info

Publication number: TW201921234A
Application number: TW107139418A
Authority: TW
Inventors: 山崎舜平; 木村肇
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2013-11-28
Filing date: 2014-11-17
Publication date: 2019-06-01
Also published as: CN105874525A; JP2022003410A; KR102317295B1; KR20210129272A; TW201531902A; TWI676125B; TWI676119B; US20190075243A1; CN113031703A; KR20230173733A; WO2015079356A1; JP6956154B2; KR20160091409A; CN105874525B; KR20230124102A; US10771705B2; US11846963B2; JP2023113736A; KR102613466B1; US20240094768A1

Abstract

提供一種能夠進行各種顯示的電子裝置。或者，提供一種能夠進行各種操作的電子裝置。提供一種電子裝置，包括：顯示裝置；以及第一至第三面，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，並且，第一顯示區域的面積大於第三顯示區域。

Description

電子裝置以及其驅動方法

本發明的一個方式係關於一種能夠在曲面上顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式係關於一種能夠在多個不同面上顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式係關於一種具備能夠在曲面上顯示的顯示裝置的電子裝置、發光裝置、照明設備或其製造方法。或者，本發明的一個方式係關於一種具備能夠在多個不同面上顯示的顯示裝置的電子裝置、發光裝置、照明設備或其製造方法。

注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。或者，本發明的一個方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。由此，更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的一個例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、液晶顯示裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。

近年來，顯示裝置被期待應用於各種用途，並被要求多樣化。例如，具備觸控面板的智慧手機或平板終端等可攜式資訊終端的薄型化、高性能化或多功能化迅速進展。

另外，專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體以及有機EL元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報

本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的電子裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行各種顯示的電子裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行各種操作的電子裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可用於這種電子裝置的顯示裝置(顯示面板)。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置等。

本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠拍攝適當的影像的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可以對拍攝目標照射照明的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種容易換電池的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種容易操作的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種拍攝目標能夠確認拍攝狀況的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種容易進行無線通訊的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種音質好的電子裝置等。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠折疊或展開的電子裝置等。

注意，對上述目的的描述並不妨礙其他目的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，上述目的外的目的從說明書等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。

本發明的一個方式是一種電子裝置，包括：顯示裝置；以及第一至第三面，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，並且，第一顯示區域的面積大於第三顯示區域。

本發明的一個方式是一種電子裝置，包括：顯示裝置；輸入裝置；以及第一至第三面，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，輸入裝置包括以與第一顯示區域重疊的方式設置的區域、以與第二顯示區域重疊的方式設置的區域以及以與第三顯示區域重疊的方式設置的區域，並且，第一顯示區域的面積大於第三顯示區域。

本發明的一個方式是一種電子裝置，包括：顯示裝置；以及第一至第三面，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，顯示裝置在第一至第三顯示區域中具有觸控感測器的功能，並且，第一顯示區域的面積大於第三顯示區域。

本發明的一個方式是一種電子裝置，包括：顯示裝置；攝像元件；以及第一至第三面，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，顯示裝置在第一顯示區域中具有能夠顯示藉由攝像元件得到的第一影像的功能，並且，顯示裝置在第二顯示區域中具有能夠顯示藉由攝像元件得到的第二影像的功能。

本發明的一個方式是一種具有上述結構的電子裝置，其中第二面為側面。

本發明的一個方式是一種包括顯示裝置、攝像元件以及第一至第三面的電子裝置的驅動方法，其中，第一面包括以與第二面接觸的方式設置的區域，第二面包括以與第三面接觸的方式設置的區域，第一面包括以與第三面相對的方式設置的區域，顯示裝置包括第一至第三顯示區域，第一顯示區域包括以與第一面重疊的方式設置的區域，第二顯示區域包括以與第二面重疊的方式設置的區域，第三顯示區域包括以與第三面重疊的方式設置的區域，在第一顯示區域中顯示藉由攝像元件得到的第一影像，並且，在第二顯示區域中顯示藉由攝像元件得到的第二影像。

本發明的一個方式是一種具有上述結構的電子裝置的驅動方法，其中第二面為側面。

注意，在本說明書中，顯示裝置有時包括如下模組：在發光面板(發光裝置)中安裝有連接器諸如FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)或TCP (Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；以及IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝在形成有發光元件的基板上的模組。

根據本發明的一個方式，能夠提供一種新穎的電子裝置。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種可以進行各種顯示的電子裝置。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種可以進行各種操作的電子裝置。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種可應用於這種電子裝置的顯示裝置(顯示面板)。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種新穎的顯示裝置等。

根據本發明的一個方式，能夠提供一種可以拍攝適當的影像的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種可以對拍攝目標照射照明的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種容易換電池的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種容易操作的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種拍攝目標可以確認拍攝狀況的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種容易進行無線通訊的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種音質好的電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，能夠提供一種可以折疊或展開的電子裝置等。

注意，對上述效果的描述並不妨礙其他效果存在。另外，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。此外，這些效果外的效果從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。

10‧‧‧電子槍室

12‧‧‧光學系統

14‧‧‧樣本室

16‧‧‧光學系統

18‧‧‧拍攝裝置

20‧‧‧觀察室

22‧‧‧膠片室

32‧‧‧螢光板

101‧‧‧外殼

110‧‧‧顯示面板

111‧‧‧顯示區域

112‧‧‧顯示區域

113‧‧‧顯示區域

114‧‧‧顯示區域

115‧‧‧顯示區域

116‧‧‧顯示區域

121‧‧‧圖示

125‧‧‧滑動條

126‧‧‧手指

150‧‧‧電子裝置

153a‧‧‧支撐面板

155a‧‧‧支撐面板

155b‧‧‧支撐面板

201‧‧‧區域

202‧‧‧攝像元件

203‧‧‧照明元件

204‧‧‧照明用影像

205‧‧‧拍攝對象

206‧‧‧影像

207‧‧‧影像

208‧‧‧圖示

209‧‧‧圖示

300‧‧‧觸控面板

301‧‧‧顯示部

302‧‧‧像素

302B‧‧‧子像素

302G‧‧‧子像素

302R‧‧‧子像素

302t‧‧‧電晶體

303c‧‧‧電容器

303g(1)‧‧‧掃描線驅動電路

303g(2)‧‧‧攝像像素驅動電路

303s(1)‧‧‧影像信號線驅動電路

303s(2)‧‧‧攝像信號線驅動電路

303t‧‧‧電晶體

308‧‧‧攝像像素

308p‧‧‧光電轉換元件

308t‧‧‧電晶體

309‧‧‧FPC

310‧‧‧基板

310a‧‧‧障壁膜

310b‧‧‧基板

310c‧‧‧黏合層

311‧‧‧佈線

319‧‧‧端子

321‧‧‧絕緣膜

328‧‧‧分隔壁

329‧‧‧間隔物

350R‧‧‧發光元件

351R‧‧‧下部電極

352‧‧‧上部電極

353‧‧‧層

353a‧‧‧發光單元

353b‧‧‧發光單元

354‧‧‧中間層

360‧‧‧密封材料

367BM‧‧‧遮光層

367p‧‧‧反射防止層

367R‧‧‧著色層

370‧‧‧反基板

370a‧‧‧障壁膜

370b‧‧‧基板

370c‧‧‧黏合層

380B‧‧‧發光模組

380G‧‧‧發光模組

380R‧‧‧發光模組

401‧‧‧電池

402‧‧‧接收單元

403‧‧‧通信設備

404‧‧‧揚聲器

405‧‧‧揚聲器

500‧‧‧觸控面板

500B‧‧‧觸控面板

501‧‧‧顯示部

502R‧‧‧子像素

502t‧‧‧電晶體

503c‧‧‧電容器

503g(1)‧‧‧掃描線驅動電路

503t‧‧‧電晶體

509‧‧‧FPC

510‧‧‧基板

510a‧‧‧障壁膜

510b‧‧‧基板

510c‧‧‧黏合層

511‧‧‧佈線

519‧‧‧端子

521‧‧‧絕緣膜

528‧‧‧分隔壁

550R‧‧‧發光元件

560‧‧‧密封材料

567BM‧‧‧遮光層

567p‧‧‧反射防止層

567R‧‧‧著色層

570‧‧‧基板

570a‧‧‧障壁膜

570b‧‧‧基板

570c‧‧‧黏合層

580R‧‧‧發光模組

590‧‧‧基板

591‧‧‧電極

592‧‧‧電極

593‧‧‧絕緣層

594‧‧‧佈線

595‧‧‧觸控感測器

597‧‧‧黏合層

598‧‧‧佈線

599‧‧‧連接層

在圖式中：圖1A1至圖1B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖2A1至圖2B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖3A1至圖3B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖4A1至圖4B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖5A至圖5C示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖6A至圖6C示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖7A和圖7B示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖8A1至圖8B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖9A1至圖9B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖10A1至圖10B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖11A1至圖11B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖12A1和圖12A2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖13A1至圖13B示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖14A1至圖14B示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖15A和圖15B示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖16A1至圖16B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖17A1和17A2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖18A1至圖18B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖19A1至圖19B2示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖20示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖21示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖22示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖23A至圖23C示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖24A至圖24E示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖25A至圖25C示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖26A至圖26D示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖27A至圖27C示出根據實施方式的電子裝置的結構實例；圖28A至圖28C示出根據實施方式的發光面板的結構實例；圖29A至圖29C示出根據實施方式的發光面板的結構實例；圖30A至圖30C示出根據實施方式的發光面板的結構實例；圖31A至圖31C是氧化物半導體的剖面TEM影像及局部性的傅立葉變換影像；圖32A至圖32D是示出氧化物半導體膜的奈米束電子繞射圖案的圖以及透過電子繞射測量裝置的一個例子的圖；圖33A至圖33C是示出利用透過電子繞射測量的結構分析的一個例子的圖以及平面TEM影像。

下面，參照圖式對實施方式進行說明。但是，實施方式可以以多個不同的方式來實施，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發明的精神及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的本實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其詳細說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。

注意，在一個實施方式中說明的內容(或者其一部分)可以應用於、組合於或者替換成在該實施方式中說明的其他內容(或者其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中說明的內容(或者其一部分)。

在實施方式中說明的內容是指在各實施方式中利用各種圖式來說明的內容或利用說明書所記載的文章來說明的內容。

另外，藉由將在一個實施方式中說明的圖式(或者其一部分)與該圖式的其他部分、在該實施方式中說明的其他圖式(或者其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中說明的圖式(或者其一部分)組合，而可以構成更多的圖式。

另外，在本說明書所示的各圖式中，為便於清楚地說明，有時誇大表示各構成要素的大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。

在本說明書中使用的“第一”、“第二”等序數詞是為了避免構成要素的混淆而附加的，而不是為了在數字上進行限定的。

實施方式1

在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個方式的電子裝置以及可用於該電子裝置的顯示裝置(有時還稱為顯示面板)。

〔電子裝置的例子〕

圖1A1是示出下面所例示的電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖1A2是示出背面一側的透視示意圖。

圖1A1及圖1A2所示的電子裝置具備外殼101以及以能夠在外殼101的表面(例如，正面、背面、側面等)顯示的方式設置的顯示面板110。另外，有時在顯示面板110上為保護顯示面板免受損傷或損壞而設置覆蓋物或樹脂等。

外殼101包括正面、背面、第一側面、包含接觸於第一側面的區域的第二側面、包含與第一側面相對的區域的第三側面以及包含與第二側面相對的區域的第四側面。或者，外殼101包括第一側面。第一側面包括接觸於正面及/或背面的區域。或者，外殼101包括第二側面。第二側面包括接觸於正面及/或背面的區域。或者，外殼101包括第三側面。第三側面包括接觸於正面及/或背面的區域。或者，外殼101包括第四側面。第四側面包括接觸於正面及/或背面的區域。

注意，正面包括與背面相對的區域。

換言之，外殼101包括多個面。例如，外殼101包括正面、背面並至少包括四個側面。另外，由於各面有時平滑地發生變化，所以有時不容易確定各面的邊界。此外，雖然使用側面這詞來進行說明，但有時側面包括正面或背面的一部分的區域。

例如，側面是指從橫方向觀看(例如，從看不到背面或正面的方向觀看)時能看到的區域。但是，在正面、背面、側面等包括曲面的情況下有時不容易確定邊界。在此情況下，例如，有時可以說某區域是正面(背面)的一部分且也是側面的一部分。同樣地，例如，有時可以說某區域是某側面的一部分且也是其他側面的一部分。

例如，側面包括與正面接觸的區域。或者，側面包括與背面接觸的區域。例如，側面包括與其他側面接觸的區域。

在此，作為一個例子，正面及/或背面包括平坦的區域。或者，作為一個例子，正面及/或背面包括彎曲的區域。作為一個例子，側面包括彎曲的區域。或者，作為一個例子，側面包括平坦的區域。注意，正面與背面有時難以相互區別。因此，有時將正面稱為背面，或將背面稱為正面。另外，正面有時包括比背面大的顯示區域。此外，作為一個例子，側面的面積小於正面或背面。

另外，除了上述各面之外，有時還設置有其他的面。即，外殼101不是六面體，而有時包括更多的面。或者，外殼101有時只有包括比上述少的面。

顯示面板110包括以具有與外殼101的正面重疊的區域的方式設置的顯示區域111。或者，顯示面板110包括以具有與外殼101的側面之一重疊的區域的方式設置的顯示區域113。或者，顯示面板110包括以具有與外殼101的背面的一部分區域重疊的區域的方式設置的顯示區域116。注意，在此，作為一個例子，設置有顯示區域113的側面的一邊長度短於沒有設置顯示區域113的側面。或者，作為一個例子，設置有顯示區域113的側面的面積小於沒有設置顯示區域113的側面。即，作為一個例子，設置有顯示區域113的側面是平行於短軸方向的面，且是垂直於長軸方向的面。

另外，作為一個例子，在圖式中有時以虛線表示顯示區域111、顯示區域113以及顯示區域116的各邊界。注意，根據情況或狀況，各邊界有時不同於圖式中的以虛線表示的邊界。

在外殼101的四個側面中，包括至少與顯示面板110重疊的區域的區域較佳為具有曲面形狀。例如，較佳為在正面與側面之間以及側面與背面之間不具有角部，並且這些面連續。另外，側面例如較佳為切線的傾斜角從外殼101的正面到背面連續變化的曲面。此外，尤其是，側面較佳為具有藉由在不使平面伸縮的情況下改變平面形狀而得到的可展曲面。藉由使側面具有這種形狀，能夠使顯示面板110平滑地彎曲。換言之，能夠增大使顯示面板110彎曲時的曲率半徑。由此，能夠減輕在彎曲時對顯示面板110造成的負擔，從而能夠延長顯示面板110的使用壽命。另外，在側面具有這種形狀時，顯示面板110上的顯示影像看起來平滑地變化。因此，能夠很舒服地觀看影像。注意，本發明的一個方式不侷限於這些。

在此，作為一個例子，顯示區域111的面積大於顯示區域116。或者，作為一個例子，顯示區域111的一邊長度長於顯示區域116。因此，如圖1B1和圖1B2所示，可以在外殼101的背面確保區域201。換言之，外殼101的背面包括顯示區域116和區域201。作為一個例子，在區域201中沒有設置顯示區域116。因此，能夠在區域201中配置具有各種功能的構成要素。

例如，顯示區域116的面積為顯示區域111的面積的10%以上且90%以下。較佳的是，顯示區域116的面積例如為顯示區域111的面積的30%以上且70%以下。

例如，顯示區域116的一邊長度為顯示區域111的一邊長度的10%以上且90%以下。更佳的是，顯示區域116的一邊長度例如為顯示區域111的一邊長度的 30%以上且70%以下。

另外，外殼101的表面(正面、背面、側面等)除了設置有顯示面板110之外還可以設置有硬體按鈕、外部連接端子、影像感測器、紅外線感測器、麥克風或揚聲器等。

另外，在圖1A1、圖1A2中，雖然示出將外殼101的一個側面用作顯示區域的情況，但也可以採用將顯示區域重疊於其他側面的結構。

作為一個例子，圖2A1和圖2A2示出還包括顯示區域115的情況的結構實例。顯示區域115包括重疊於與顯示區域113相對的側面的區域。在此，圖2A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖2A2是示出背面一側的透視示意圖。另外，圖2B1和圖2B2示出包括區域201的情況的例子。

再者，作為其他例子，圖3A1和圖3A2示出顯示面板110包括顯示區域111、顯示區域116以及顯示區域112的情況的結構實例。在此，以包括與外殼101的側面之一重疊的區域的方式設置顯示區域112。另外，在此，設置有顯示區域112的側面的一邊長度長於沒有設置顯示區域112的側面(例如，在圖1A1中設置有顯示區域113的側面)。作為一個例子，設置有顯示區域112的側面的面積大於沒有設置顯示區域112的側面。即，作為一個例子，設置有顯示區域112的側面是平行於長軸方向的面，且是垂直於短軸方向的面。在此，圖3A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖3A2是示出背面一側的透視示意圖。另外，圖3B1和圖3B2示出包括區域201的情況的例子。

再者，作為其他例子，圖4A1和圖4A2示出還設置有包括重疊於與顯示區域112相對的側面的區域的顯示區域114的情況的結構實例。在此，圖4A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖4A2是示出背面一側的透視示意圖。另外，圖4B1和圖4B2示出包括區域201的情況的例子。

再者，作為其他例子，圖5A至圖5C示出顯示面板110包括顯示區域111、顯示區域116、顯示區域112以及顯示區域113的情況的結構實例。在此，以包括與外殼101的側面之一重疊的區域的方式設置顯示區域112。以包括與外殼101的其他側面之一重疊的區域的方式設置顯示區域113。在此，例如，設置有顯示區域112的側面的一邊長度長於設置有顯示區域113的側面。例如，設置有顯示區域112的側面的面積大於設置有顯示區域113的側面。在此，圖5A是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖5B是示出背面一側的透視示意圖的一個例子。圖5C是不同於圖5B的情況的例子。另外，圖6A至圖6C示出包括區域201的情況的例子。

藉由採用這種結構，不僅能夠在平行於外殼的正面的面上進行顯示，還能夠在外殼的側面或背面上進行顯示。尤其在沿著外殼的兩個以上的側面設置顯示區域時，顯示的多樣性得到提高，所以是較佳的。

既可將沿著外殼101正面配置的顯示區域111、沿著其背面配置的顯示區域116以及沿著其側面配置的各顯示區域用作各自獨立的顯示區域而顯示不同的影像等，又可在上述三者之中的任何兩個以上的顯示區域中顯示一個影像等。例如，也可以在沿著外殼101正面配置的顯示區域111、沿著外殼101側面設置的顯示區域112、沿著外殼101背面設置的顯示區域116等中顯示連續的影像。

例如，也可以在沿著外殼101正面設置的顯示區域111上顯示多個與文字資料或應用程式等有關聯的圖示等。例如，也可以在顯示區域112上顯示與應用程式等有關聯的圖示等。

另外，可以使文字資料等在沿著外殼101側面設置的多個顯示區域(例如，顯示區域113和顯示區域112)中流動(移動)地進行顯示。或者，也可以使文字資料等在沿著正面、側面、背面設置的顯示區域中流動(移動)地進行顯示。如此，在外殼的兩個以上的面中進行顯示，可以與電子裝置的方向無關地防止例如在接電話時等使用者忽略所顯示的資訊。

另外，例如在接電話或接收電子郵件時等，除了可以在顯示區域111上之外還可以在顯示區域112等沿著側面設置的顯示區域或顯示區域116等上顯示發信者的資訊(例如，發信者的姓名、電話號碼、郵件地址等)。例如，也可以在接收郵件時在顯示區域112和顯示區域113中流動地顯示發信者的資訊。

此外，圖7A和圖7B示出電子裝置的使用狀態的例子。在圖7A中，在顯示區域111上顯示出多個圖示121，在顯示區域112上顯示出滑動條125。在用手指126等觸摸滑動條125的同時將滑動條上下移動時，如圖7B所示那樣的顯示在顯示區域111上的圖示121等的顯示內容與此對應而上下移動。在圖7A和圖7B中，藉由用手指126往下滑動滑動條125，多個圖示121等影像在顯示區域111至顯示區域113中往上方滑動。

注意，雖然在這裡示出顯示在顯示區域111的影像為圖示的情況，但本發明的一個方式不侷限於此，可以根據所啟動的應用程式而用手指等滑動滑動條125來顯示文件、靜態影像或動態影像等各種資訊。另外，滑動條125除了配置於顯示區域112之外，還可以配置於顯示區域111、顯示區域113、顯示區域114或顯示區域116等。

此外，也可以在不使用電子裝置的待機時間內，在關閉沿著外殼101正面設置的顯示區域111及/或沿著背面設置的顯示區域116的顯示(例如，進行黑色顯示)而僅在沿著側面設置的顯示區域112等上顯示資訊的狀態下，切換顯示狀態。藉由不進行與其他區域相比面積大的顯示區域111或顯示區域116的顯示，能夠降低待機時的功耗。或者，與此相反，僅在顯示區域111進行顯示而在顯示區域116和側面的顯示區域等中的至少一個顯示區域不進行顯示，由此也能夠降低使用時的功耗。

或者，也可以僅在沿著外殼101正面設置的顯示區域111、沿著背面設置的顯示區域116、沿著側面設置的顯示區域112等的一部分顯示資訊。例如，僅在顯示區域111和顯示區域116進行顯示，並在沿著側面設置的顯示區域112等中關閉顯示而切換為不進行顯示的狀態。

另外，與顯示面板110重疊的位置，具體是與各顯示區域重疊的區域較佳為設置有觸控感測器等輸入裝置。作為觸控感測器，例如採用與顯示面板110重疊地設置薄片狀的靜電電容式觸控感測器的結構，即可。或者，可以使用使顯示面板110本身具有觸控感測器功能的所謂In-Cell式觸控感測器。此時，可以說顯示面板110除了具有顯示功能之外，還具有觸控感測器的功能。作為In-Cell式觸控面板，既可以使用靜電電容式觸控感測器，又可以使用利用光電轉換元件的光學式觸控感測器。或者，可以在顯示面板110的反基板(沒有設置電晶體等的基板)中使用具有觸控感測器功能的所謂On-Cell式觸控感測器。在此情況下也可以說，顯示面板110除了具有顯示功能之外，還具有觸控感測器的功能。或者，可以使用使設置於外殼101的最表面上且保護顯示面板免受損傷等的覆蓋物或覆蓋玻璃具有觸控感測器功能的所謂的與覆蓋物一體成型觸控面板。或者，可以使用使顯示面板110 所包括的光學薄膜具有觸控感測器功能的觸控感測器。

另外，作為一個例子，較佳為在顯示面板110能夠進行顯示的區域整體設置有觸控感測器等輸入裝置。注意，本發明的一個方式不侷限於此。例如，也可以在顯示區域111、顯示區域112、顯示區域113、顯示區域114、顯示區域115、顯示區域116的一部分或全部中包括沒有設置觸控感測器等輸入裝置的區域。例如，也可以在顯示區域116的全部或一部分中包括沒有設置觸控感測器等輸入裝置的區域。或者，也可以在顯示區域112的全部或一部分和顯示區域114的全部或一部分中包括沒有設置觸控感測器等輸入裝置的區域。如此，藉由包括沒有設置觸控感測器的區域，能夠防止誤動作。另外，能夠使電子裝置變得容易拿。

例如，較佳為將顯示區域111、顯示區域112、顯示區域113、顯示區域114、顯示區域115或顯示區域116的觸摸操作的組合與應用程式工作聯合起來。

示出在顯示區域112、顯示區域113或顯示區域115的觸摸操作的組合與應用程式工作之間建立關聯的例子。例如，當對三個顯示區域全部進行觸摸操作時，進行電源的ON、OFF工作。另外，當對顯示區域112和顯示區域114同時進行觸摸操作時，在與郵件有關聯的應用程式啟動的同時顯示出郵件的內容。此外，當對顯示區域112和顯示區域113同時進行觸摸操作時，使用來打電話的應用程式啟動。另外，當對顯示區域113和顯示區域 114同時進行觸摸操作時，使瀏覽器啟動。

另外，上述的觸摸操作與應用程式之間的關聯是一個例子，較佳的是，作業系統或應用軟體的開發者或者使用者可以適當地設定。

或者，在觸摸顯示區域111的狀態下藉由觸摸除此之外的顯示區域的任何一個以上而使各應用程式進行工作時，能夠抑制進行非意圖的工作。

如此，藉由將多個區域的觸摸操作的組合與應用程式的工作聯合起來，可以進行直覺性的工作，從而能夠實現使用者親和介面(user-friendly interface)。

在本發明的一個方式的電子裝置中，除了外殼正面之外，還能夠沿著一個以上的側面進行顯示，並且也能夠在外殼背面進行顯示。因此，與習知的電子裝置相比能夠進行多種顯示表現。另外，藉由在各顯示區域設置觸控感測器，與習知的電子裝置相比，能夠進行各種操作，從而能夠實現可以進行更直覺性的操作的電子裝置。

注意，雖然在此顯示了使用顯示面板110進行各種顯示的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，根據情況或狀況，在本發明的一個方式中可以不顯示資訊。作為一個例子，可以將本發明的一個方式用作照明設備而不用作顯示面板110。藉由將本發明的一個方式用於照明設備，能夠作為設計精美的室內照明利用該照明設備。或者，能夠作為照射各種方向的照明利用本發明的一個方式。或者，可以將本發明的一個方式用作背光或前光燈等光源而不用作顯示面板110。換言之，可以將本發明的一個方式用作用於顯示面板的照明設備。

注意，雖然在此示出了將外殼101的一個側面或兩個側面用作顯示區域的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，圖8A1和圖8A2示出一個例子。在此，圖8A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖8A2是示出背面一側的透視示意圖的一個例子。同樣地，圖8B1和圖8B2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。或者，圖9A1和圖9A2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。或者，圖9B1和圖9B2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。

另外，在這些情況下也同樣可以設置區域201。作為該情況的例子，圖10A1和圖10A2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。或者，圖10B1和圖10B2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。或者，圖11A1和圖11A2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。或者，圖11B1和圖11B2分別示出表示電子裝置的正面一側和背面一側的透視示意圖的一個例子。

另外，雖然在本實施方式中示出一個顯示面板110包括多個顯示區域的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。各顯示區域可以使用多個顯示面板構成。例如，顯示區域111和顯示區域116分別可以使用不同的顯示面板構成。圖12A1和圖12A2示出該情況的例子。在此，圖12A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖12A2是示出背面一側的透視示意圖。

本實施方式示出基本原理的一個例子。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合於、應用於或替換為其他實施方式的一部分或全部而實施。

實施方式2

在本實施方式中，作為一個例子示出在區域201中配置攝像元件的情況的例子。在此，作為一個例子示出在圖1B1和圖1B2的區域201中配置有攝像元件的例子。注意，本發明的一個方式不侷限於此。在各種其他圖式中，例如在圖2B1及圖2B2等中，也同樣可以在區域201中配置各種元件等。

首先，圖13A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖13A2是示出背面一側的透視示意圖。在區域201中設置有攝像元件202。另外，攝像元件202具有能夠拍攝影像的功能。因此，攝像元件202具有照相機的功能。由此，攝像元件202有時包括鏡頭等光學部件。

如圖13B所示，藉由將攝像元件202轉向拍攝目標205，可以拍攝靜態影像或動態影像等。此時，在顯示區域111上例如顯示有拍攝出拍攝目標205的影像 206。可以在顯示區域111上即時地顯示拍攝目標205的狀態。因此，邊確認影像206邊拍攝出拍攝目標205的靜態影像或動態影像。此時，在拍攝目標205的照度較低的情況下，作為一個例子，在顯示區域116上顯示照明用影像204。從顯示有照明用影像204的區域向拍攝目標205照射光。其結果，能夠提高拍攝目標205的照度。由此，能夠拍攝適當且清晰的影像。

另外，作為一個例子，照明用影像204較佳為白色的影像。注意，本發明的一個方式不侷限於此。藉由改變照射用影像204的顯示顏色，可以改變照射到拍攝目標205的光的顏色。其結果，能夠拍攝各種狀態的拍攝目標205。例如，在周圍的環境光稍微帶點紅色、藍色或綠色等的情況下，藉由將照明用影像204分別調整為合適的顏色，能夠拍攝適當的影像。

另外，也可以改變照明用影像204的顯示顏色來多次拍攝拍攝目標205。例如，在照明用影像204的顯示顏色為白色、白熾燈色或日光白色的情況下分別進行拍攝。並且，藉由對這些影像進行處理，能夠得到適當的拍攝影像。

另外，作為一個例子，照明用影像204較佳為在其全面具有相同的顏色或灰階。注意，本發明的一個方式不侷限於此。可以設置多個區域，並將顏色不同的影像用於該每個區域中。

接著，作為其他例子，圖14A1和圖14A2示出在區域201中配置有攝像元件202以及照明元件203的情況的例子。

在此，圖14A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖14A2是示出背面一側的透視示意圖。如圖14B所示，藉由將攝像元件202和照明元件203轉向拍攝目標205，可以拍攝靜態影像或動態影像等。此時，在顯示區域111上例如顯示有拍攝出拍攝目標205的影像206。可以在顯示區域111上即時地顯示拍攝目標205的狀態。因此，邊確認影像206邊拍攝拍攝目標205的靜態影像或動態影像。此時，作為一個例子在顯示區域116上也顯示有拍攝出拍攝目標205的影像207。其結果，拍攝目標205可以邊看影像207邊確認自己被拍成什麼樣子。由此，能夠以適當的角度拍攝影像。

注意，影像206和影像207分別在不同的顯示區域中顯示。所以，所顯示的各影像的大小、解析度等有時互不相同。因此，還可以說影像206和影像207是不同的影像。然而，也可以將影像206和影像207設定為其大小完全相同且具有相同的解析度。

另外，在拍攝目標205的照度較低的情況下，從照明元件203向拍攝目標205照射光。其結果，能夠提高拍攝目標205的照度。由此，能夠拍攝適當且清晰的影像。

另外，作為一個例子，照明元件203較佳為發射白色光。注意，本發明的一個方式不侷限於此。藉由改變照明元件203的發光顏色，可以改變照射到拍攝目標205的光的顏色。其結果，能夠拍攝各種狀態的拍攝目標205。例如，在周圍的環境光稍微帶點紅色、藍色或綠色等的情況下，藉由將照明元件203的發光顏色分別調整為合適的顏色，能夠拍攝適當的影像。

另外，也可以改變照明元件203的發光顏色來多次拍攝拍攝目標205。例如，在照明元件203的發光顏色為白色、白熾燈色或日光白色的情況下分別進行拍攝。並且，藉由對這些影像進行處理，能夠得到適當的拍攝影像。

另外，作為一個例子，照明元件203較佳為具有同一顏色或灰階級。注意，本發明的一個方式不侷限於此。也可以設置分別發射不同顏色的光的多個照明元件203。

另外，雖然在圖14A2中顯示影像207，但如圖15A所示，還可以顯示照明用影像204，並且根據情況，如圖15B所示，也可以顯示照明用影像204而不顯示影像207。藉由利用來自照明用影像204的光和來自照明元件203的光，可以提高亮度或改變照明光的顏色。即，也可以將照明用影像204及照明元件203用作多個照明元件。

注意，雖然在此示出了利用顯示區域111和顯示區域116的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。還能夠利用其他的顯示區域。

例如，在顯示區域113中，也可以顯示圖示208。圖16A1和圖16A2示出這種情況的例子。在此，圖16A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖16A2是示出背面一側的透視示意圖。圖16B1和圖16B2示出同樣的例子。在此，圖16B1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖16B2是示出背面一側的透視示意圖。

在此，作為一個例子，圖示208具有快門按鈕的功能。因此，藉由觸摸圖示208，能夠進行拍攝。或者，藉由觸摸圖示208，能夠調整焦距。

注意，雖然在此使用圖示208來實現快門按鈕的功能，但是本發明的一個方式不侷限於此。也可以藉由設置專用的硬體如快門按鈕等來實現快門功能。

作為其他例子，也可以在顯示區域112中顯示圖示209。圖17A1和圖17A2示出這種情況的例子。在此，圖17A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖17A2是示出背面一側的透視示意圖。

在此，作為一個例子，圖示209具有滑動條的功能。並且，藉由移動滑動條，能夠進行拍攝時的影像的放大或縮小。即，能夠控制影像的放大/縮小功能。此時，既可以藉由控制攝像元件202所具有的鏡頭來在光學上控制影像的放大和縮小，又可以藉由軟體控制數字影像來進行影像的放大和縮小。因此，在進行拍攝之前，藉由移動圖示209的滑動條，能夠控制以多大倍率進行拍攝。

注意，雖然在此使用圖示209來實現影像的放大/縮小功能，但是本發明的一個方式不侷限於此。也可以藉由設置專門的硬體如操作按鈕等來實現影像的放大/縮小功能。

另外，也可以在相同的顯示區域(例如，顯示區域112)中顯示圖示208和圖示209。此外，在每個顯示區域中還可以顯示各種圖示、文字、影像等。

如此，在設置有區域201的情況下，可以在較大的區域中配置攝像元件202或照明元件203。因此，例如，可以在攝像元件202中設置較大的鏡頭等。或者，作為攝像元件202也可以配置較大的攝像元件202。由此，能夠拍攝清晰且解析度高的影像。

另外，雖然在此示出了攝像元件202及照明元件203設置於區域201中的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，也可以在區域201之外的區域設置攝像元件202及照明元件203。圖18A1和圖18A2示出這種情況的例子。在此，圖18A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖18A2是示出背面一側的透視示意圖。同樣地，圖18B1和圖18B2示出其他的例子。在此，圖18B1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖18B2是示出背面一側的透視示意圖。

另外，也可以配置多個攝像元件202。至少一個攝像元件202可以配置於區域201中。或者，所有攝像元件202可以配置於區域201之外的區域。

另外，雖然示出設置有區域201的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。根據情況或狀況，也可以不設置區域201。此時，作為一個例子，顯示區域111的面積與顯示區域116的面積大致相同。圖19A1和圖19A2示出這種情況的例子。在此，圖19A1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖19A2是示出背面一側的透視示意圖。同樣地，圖19B1和圖19B2示出其他的例子。在此，圖19B1是示出電子裝置的正面一側的透視示意圖，圖19B2是示出背面一側的透視示意圖。

注意，這種攝像工作既可以在運行實現照相機功能的軟體時進行，又可以作為實現其他功能的軟體的一部分進行。例如，該攝像工作也可以在運行實現視頻電話的功能的軟體時進行。

另外，這些功能可以藉由軟體或硬體實現。在藉由軟體實現的情況下，既可以從電腦上下載到電子裝置，又可以藉由有線或無線的電信線路下載到電子裝置。或者，也可以最初已經在電子裝置所包括的記憶體裝置中儲存有軟體。

本實施方式相當於對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應用、上位概念化或下位概念化的方式。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合於、應用於或替換為其他實施方式的一部分或全部而實施。

實施方式3

在本實施方式中，示出在區域201中配置各種構成要素的情況的例子。注意，雖然在此示出了在圖1B1和圖1B2的區域201中配置有各種構成要素的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。在其他各種圖式如圖2B1和圖2B2等中，也同樣可以在區域201中配置各種元件等。另外，也可以在區域201等中配置如實施方式2所示那樣的構成要素。

首先，作為一個例子，圖20示出在區域201中設置有電池401的情況的例子。在此，圖20是示出電子裝置的背面一側的透視示意圖。圖20示出從外殼101拆下蓋子而將電池拿出來的情況。在將電池401組裝於外殼101中的情況下，將蓋子蓋到電池401上以防止電池401掉下去。如此，藉由設置區域201而將電池401配置於該區域中，能夠使換電池401的動作變得容易。

另外，在圖20中，電池401可以拆卸，但是本發明的一個方式不侷限於此。根據情況或狀況，也可以不設置蓋子而不能拆卸電池401。此時，雖然在區域201中設置有電池401，但沒有顯示區域，因此可以將電池401形成得厚。由此，可以增大電池401的容量。

接著，作為其他例子，圖21示出在區域201中設置有接收單元402的情況的例子。作為接收單元402，可以舉出天線、線圈、電極等。在此，圖21是示出電子裝置的背面一側的透視示意圖。圖21示出在外殼 101的內部設置有接收單元402而藉由無線與通信設備403進行通信的情況。例如，可以將接收單元402用作NFC(Near Field Communication；近場通信)用天線。藉由使用NFC，能夠實現電子貨幣或信用卡等的功能。此時，區域201以不與顯示區域116重疊的方式設置。因此，例如，觸控感測器也沒有在區域201中設置。所以，不會由觸控感測器或顯示面板等遮罩電波、磁力、電磁波等，從而能夠有效地利用接收單元402。

另外，接收單元402除了接收功能之外還可以具有發送功能。或者，可以具有接收功能和發送功能的兩個功能。例如，接收單元402只要可以接收或發送資訊、能量等即可。

此外，接收單元402除了用於NFC之外，還可以用於電視、電話、藍牙、近距離通信等各種用途。另外，接收單元402也可以用作用來對電子裝置充電的單元。例如，藉由使用線圈或天線等，可以以無線對電子裝置充電。

接著，作為其他例子，圖22示出在區域201中設置有揚聲器404、揚聲器405的情況的例子。在此，圖22是示出電子裝置的背面一側的透視示意圖。圖22示出在外殼101中設置有揚聲器404和揚聲器405的情況。作為一個例子，揚聲器404可以放出左耳用聲音，揚聲器405可以放出右耳用聲音。如此，可以在區域201中分開配置揚聲器404和揚聲器405。因此，能夠放出具有立體感的聲音。

實施方式4

在本實施方式中，說明可以藉由將顯示面板(顯示裝置)或電子裝置彎曲或折疊以使其變形為各種形狀而使用的情況的一個例子。首先，參照圖23A至圖23C進行說明。

圖23A示出使顯示面板110展開的模式(第一模式)的電子裝置150。圖23C示出使顯示面板110折疊的模式(第二模式)的電子裝置150。圖23B示出使顯示面板110彎折的模式的電子裝置150。換言之，圖23B示出從使顯示面板110展開的模式(第一模式)和使顯示面板110折疊的模式(第二模式)之中的一個模式變成另一個模式的中途模式的電子裝置150。另外，在圖23B和圖23C中，以能看到其外側的方式使顯示面板110折疊。注意，本發明的一個方式不侷限於此。也可以以顯示面板110被藏在內側的方式使顯示面板110折疊。

圖23A至圖23C所示的電子裝置150包括具有撓性的顯示面板110。電子裝置150還包括多個支撐面板153a、多個支撐面板155a以及多個支撐面板155b。

作為支撐面板153a，例如使用其撓性比顯示面板110低的材料(即，不容易彎曲的材料)形成。另外，作為支撐面板155a、支撐面板155b，例如使用其撓性比支撐面板153a低的材料(即，不容易彎曲的材料)形成。如圖23A至圖23C所示，在顯示面板110的外周及與顯示面板110的顯示部相對的面包括支撐面板時，顯示面板110的機械強度得到提高，從而成為不易損壞的結構，所以是較佳的。

另外，當使用具有遮光性的材料形成支撐面板153a、支撐面板155a及支撐面板155b時，能夠抑制外光照射到顯示面板110所包括的驅動電路部。由此，能夠抑制用於驅動電路部的電晶體等的光劣化，所以是較佳的。

此外，雖然在圖23A至圖23C中未圖示，電子裝置150所包括的運算部、記憶部及檢測部等可以配置於顯示面板110與支撐面板155b之間。

作為可用於支撐面板153a、支撐面板155a以及支撐面板及155b的材料，可以使用塑膠、金屬、合金、橡膠等。藉由使用塑膠或橡膠等，可以形成輕量且不易損壞的支撐面板，所以是較佳的。例如，作為支撐面板153a、支撐面板155a及支撐面板155b，可以使用矽橡膠、不鏽鋼或鋁。

另外，在電子裝置150中，包括具有撓性的顯示部的顯示面板110可以向內折疊或向外折疊。當不使用電子裝置150時，藉由以顯示面板110位於內側的方式彎曲，能夠抑制顯示面板110受損傷或被弄髒。

在此，作為一個例子，如圖23A所示，在顯示面板110附近設置有區域201。因此，作為一個例子，與其他實施方式同樣地，顯示區域111的面積大於顯示區域116。在區域201中可以與其他實施方式同樣地配置各種構成要素。

在此，圖24A和圖24B示出如圖23C所示那樣使電子裝置折疊的情況。圖24A示出正面的例子，圖24B示出背面的例子。在區域201中例如配置有攝像元件202及照明元件203。並且，在顯示區域111中例如顯示有影像206。在顯示區域116中例如顯示有影像207。圖24C示出在顯示區域112中例如顯示有圖示208、圖示209的情況的例子。如圖24C至圖24E所示，藉由移動滑動條，能夠控制放大或縮小等的功能。

注意，雖然圖23A至圖23C示出設置有區域201的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，圖25A至圖25C示出沒有設置區域201的情況的例子。同樣地，圖26A和圖26B示出折疊狀態。圖26B所示的狀態也可以為圖26C或圖26D等的狀態。

另外，雖然圖23A至圖23C示出有一個折疊地點的情況，但是本發明的一個方式不侷限於此。可以有多個折疊地點。例如，圖27A示出有三個折疊地點的情況的例子。另外，例如，圖27B示出有四個折疊地點的情況的例子。注意，在這些情況下也同樣可以不設置區域201。圖27C示出這種情況的例子。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖28A至28C說明可用於本發明的一個方式的電子裝置的可折疊觸控面板的結構。

圖28A是說明可用於本發明的一個方式的電子裝置的觸控面板的結構的正面圖。

圖28B是沿圖28A的切割線A-B以及切割線C-D的剖面圖。

圖28C是沿圖28A的切割線E-F的剖面圖。

〈正面圖的說明〉

在本實施方式中例示出的觸控面板300具有顯示部301(參照圖28A)。

顯示部301具備多個像素302以及多個攝像像素308。攝像像素308可以檢測出觸摸到顯示部301的手指等。如此，可以使用攝像像素308形成觸控感測器。

像素302具備多個子像素(例如為子像素302R)，該子像素具備發光元件及能夠供應用來驅動該發光元件的電力的像素電路。

像素電路與能夠供應選擇信號的佈線以及能夠供應影像信號的佈線電連接。

另外，觸控面板300具備能夠向像素302供應選擇信號的掃描線驅動電路303g(1)及能夠向像素302供應影像信號的影像信號線驅動電路303s(1)。

攝像像素308具備光電轉換元件以及用來驅動光電轉換元件的攝像像素電路。

攝像像素電路與能夠供應控制信號的佈線以及能夠供應電源電位的佈線電連接。

作為控制信號，例如可以舉出能夠選擇用來讀出所記錄的攝像信號的攝像像素電路的信號、能夠使攝像像素電路初始化的信號以及能夠決定攝像像素電路檢測光的時間的信號等。

觸控面板300具備能夠向攝像像素308供應控制信號的攝像像素驅動電路303g(2)以及讀出攝像信號的攝像信號線驅動電路303s(2)。

〈剖面圖的說明〉

觸控面板300具有基板310以及與基板310相對的反基板370(參照圖28B)。

基板310是層疊有具有撓性的基板310b、用來防止非意圖的雜質向發光元件擴散的障壁膜310a以及用來貼合基板310b與障壁膜310a的黏合層310c的疊層體。

反基板370是層疊有具有撓性的基板370b、用來防止非意圖的雜質向發光元件擴散的障壁膜370a以及用來貼合基板370b與障壁膜370a的黏合層370c的疊層體(參照圖28B)。

密封材料360貼合反基板370與基板310。另外，密封材料360具有高於大氣的折射率，且兼作光學黏合層。像素電路及發光元件(例如為發光元件350R)設置在基板310與反基板370之間。

《像素的結構》

像素302具有子像素302R、子像素302G以及子像素302B(參照圖28C)。另外，子像素302R具備發光模組380R，子像素302G具備發光模組380G，子像素302B具備發光模組380B。

例如，子像素302R具備發光元件350R以及包含能夠向發光元件350R供應電力的電晶體302t的像素電路(參照圖28B)。另外，發光模組380R具備發光元件350R以及光學元件(例如為著色層367R)。

發光元件350R包括下部電極351R、上部電極352以及下部電極351R與上部電極352之間的包含發光有機化合物的層353(參照圖28C)。

包含發光有機化合物的層353包括發光單元353a、發光單元353b以及發光單元353a與發光單元353b之間的中間層354。

發光模組380R在反基板370上包括著色層367R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如可以使用選擇性地使呈現紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。或者，也可以設置使發光元件所發射的光直接透過的區域。

例如，發光模組380R具有與發光元件350R及著色層367R接觸的密封材料360。

著色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過兼作光學黏合層的密封材料360及著色層367R，而向圖28B和圖28C中的箭頭所示的方向發射到發光模組380R的外部。

另外，在此示出了作為顯示元件使用發光元件的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。

例如，在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置的一個例子，有對比度、亮度、反射率、透射率等因電磁作用而產生變化的顯示媒體，諸如EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式MEMS顯示元件、光干涉方式MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、碳奈米管等。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透射式液晶顯示器或反射式液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，像素電極的一部分或全部具有鋁、銀等，即可。並且，此時也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。因而，進一步降低功耗。

《顯示面板的結構》

觸控面板300在反基板370上包括遮光層367BM。以包圍著色層(例如為著色層367R)的方式設置有遮光層367BM。

觸控面板300具備位於與顯示部301重疊的位置上的反射防止層367p。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏光板。

觸控面板300具備絕緣膜321。該絕緣膜321覆蓋電晶體302t。另外，可以將絕緣膜321用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將層疊有能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的層的絕緣膜用於絕緣膜321。

觸控面板300在絕緣膜321上包括發光元件(例如為發光元件350R)。

觸控面板300在絕緣膜321上具有與下部電極351R端部重疊的分隔壁328(參照圖28C)。另外，在分隔壁328上設置有用來控制基板310與反基板370的間隔的間隔物329。

《影像信號線驅動電路的結構》

影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t以及電容器303c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。如圖28B所示，電晶體303t也可以在絕緣膜321上包括第二閘極。第二閘極可以與電晶體303t的閘極電連接，並且，這些閘極也可以被施加不同的電位。此外，若需要則可以在電晶體308t、302t等中設置第二閘極。

《攝像像素的結構》

攝像像素308具備光電轉換元件308p以及用來檢測照射到光電轉換元件308p的光的攝像像素電路。另外，攝像像素電路包括電晶體308t。

例如，可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。

《其他結構》

觸控面板300具備能夠供應信號的佈線311，並且佈線311設置有端子319。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309(1)電連接於端子319。

另外，FPC309(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

將藉由相同的製程形成的電晶體可用於電晶體302t、電晶體303t、電晶體308t等電晶體。

作為電晶體的結構，可以採用具有底閘極型、頂閘極型等結構的電晶體。

作為電晶體的閘極、源極及汲極、構成觸控面板的佈線或電極，可以使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢的金屬或者以上述金屬為主要成分的合金的單層或疊層。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的雙層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜和鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜和鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，可使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電材料。此外，當使用包含錳的銅時，蝕刻時的形狀控制性得到提高，所以是較佳的。

作為一個例子，較佳為將矽用於形成有電晶體302t、電晶體303t、電晶體308t等電晶體的通道的半導體。雖然作為矽也可以使用非晶矽，但尤其較佳為使用具有結晶性的矽。例如，較佳為使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等。尤其是多晶矽與單晶矽相比可以在低溫下形成，且與非晶矽相比具有高電子場效移動率以及高可靠性。藉由將這種多晶半導體用於像素，可以提高像素的開口率。另外，即便在包括解析度極高的像素的情況下，也能夠與像素在相同的基板上形成閘極驅動電路以及源極驅動電路，從而能夠減少構成電子裝置的部件數量。

在此，設置於顯示面板110的各顯示區域所包括的像素、或者用於各驅動電路的電晶體等半導體裝置較佳為使用氧化物半導體。尤其較佳為包括其能帶間隙大於矽的氧化物半導體。當使用能帶間隙比矽大且載子密度比矽小的半導體材料時，可以降低電晶體的關閉狀態 (off-state)下的電流，所以是較佳的。

例如，上述氧化物半導體較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。更佳的是，該氧化物半導體包含以In-M-Zn類氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)表示的氧化物。

尤其作為半導體層，較佳為使用如下氧化物半導體膜：具有多個結晶部，該結晶部的c軸朝向垂直於形成有半導體層的表面或半導體層的頂面的方向，並且在相鄰的結晶部間不具有晶界。

在這種氧化物半導體中，由於不具有晶界，所以抑制因為顯示面板的彎曲所引起的應力而在氧化物半導體膜中產生裂縫。因此，可以將這種氧化物半導體適用於在彎曲狀態下使用的撓性顯示面板等。

藉由作為半導體層使用上述材料，可以實現電特性變動得到抑制且可靠性高的電晶體。

另外，由於其關態電流(off-state current)較低，因此能夠長期間保持經過電晶體儲存於電容器中的電荷。藉由將這種電晶體用於像素，還能夠在保持各顯示區域所顯示的像素的灰階的同時停止驅動電路的工作。其結果，能夠實現功耗極低的電子裝置。

另外，關於可用於半導體層的氧化物半導體的較佳的方式及其形成方法，將在後面的實施方式進行詳細的說明。

在此，對具有撓性的發光面板的形成方法進行說明。

在此為了方便起見，將包括像素或驅動電路的結構或者包括濾色片等光學構件的結構稱為元件層。元件層例如包括顯示元件，除此之外還可以包括與顯示元件電連接的佈線、用於像素或電路的電晶體等元件。

另外，在這裡將包括形成有元件層的絕緣表面的支撐體稱為基材。

作為在包括具有撓性的絕緣表面的基材上形成元件層的方法，可以舉出在基材上直接形成元件層的方法；以及在不同於基材的具有剛性的支撐基材上形成元件層之後將元件層與支撐基材剝離而將元件層轉置到基材上的方法。

在構成基材的材料對元件層的形成製程中的加熱具有耐熱性的情況下，在基材上直接形成元件層時，製程被簡化，所以是較佳的。此時，在將基材固定於支撐基材的狀態下形成元件層時，容易在裝置內及裝置間傳送元件層，所以是較佳的。

另外，當使用在支撐基材上形成元件層之後將元件層轉置到基材的方法時，首先在支撐基材上層疊剝離層和絕緣層，在該絕緣層上形成元件層。接著，將支撐基材與元件層剝離而將元件層轉置到基材上。此時，選擇在支撐基材與剝離層的介面處、剝離層與絕緣層的介面處或剝離層中產生剝離的材料，即可。

例如，較佳的是，作為剝離層使用層疊有包含鎢等高熔點金屬材料的層與包含該金屬材料的氧化物的層的疊層，並且在剝離層上使用層疊有多個氮化矽或氧氮化矽的層。當使用高熔點金屬材料時，元件層的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。

剝離可以藉由施加機械性的力量、對剝離層進行蝕刻或者將液體滴到剝離介面的一部分而滲入到剝離介面整體等來進行。或者，也可以利用熱膨脹係數的差異加熱剝離介面來進行剝離。

另外，在支撐基材與絕緣層的介面能夠進行剝離的情況下，也可以不設置剝離層。例如，也可以作為支撐基材使用玻璃，作為絕緣層使用聚醯亞胺等有機樹脂，並藉由使用雷射等局部性地加熱有機樹脂的一部分來形成剝離起點，由此在玻璃與絕緣層的介面進行剝離。或者，也可以在支撐基材與由有機樹脂構成的絕緣層之間設置金屬層，並藉由使電流流過該金屬層來加熱該金屬層，由此在該金屬層與絕緣層的介面進行剝離。此時，可以將由有機樹脂構成的絕緣層用作基材。

作為具有撓性的基材，例如可以舉出如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如，可以使用熱膨脹係數為 30×10^-6/K以下的聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、PET等。另外，還可以使用在纖維體中浸滲有樹脂的基板(也稱為預浸料)、將無機填料混入有機樹脂中以降低熱膨脹係數的基板。

當上述材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。其典型例子為聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯并雙唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，並且，也可以使用在該纖維體中浸滲樹脂並使該樹脂固化而成的結構體作為撓性基板。藉由作為撓性基板使用由纖維體和樹脂構成的結構體，可以提高抵抗彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以是較佳的。

另外，在本發明的一個方式的顯示裝置中，可以採用在像素中具有主動元件的主動矩陣方式或在像素中沒有主動元件的被動矩陣方式。

在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)除電晶體外還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，因此能夠降低製造成本或者提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化。

另外，除了主動矩陣方式以外，也可以採用沒有主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程少，從而可以降低製造成本或者提高良率。另外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化等。

實施方式6

在本實施方式中，參照圖29A至29C說明可用於本發明的一個方式的電子裝置的可折疊觸控面板的結構。

圖29A至29C是觸控面板500的剖面圖。

觸控面板500具備顯示部501及觸控感測器595。另外，觸控面板500包括基板510、基板570以及基板590。此外，基板510、基板570以及基板590都具有撓性。

顯示部501包括：基板510；基板510上的多個像素；以及能夠向該像素供應信號的多個佈線511。多個佈線511被引導在基板510的外周部，其一部分構成端子519。端子519與FPC509(1)電連接。

〈觸控感測器〉

基板590具備觸控感測器595以及多個與觸控感測器595電連接的佈線598。多個佈線598被引導在基板590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC509(2)電連接。

作為觸控感測器595，例如可以適用靜電電容式的觸控感測器。作為靜電電容式，可以舉出表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等。

投影型靜電電容式主要根據驅動方法的不同而分為自電容式、互電容式等。當採用互電容式時，可以同時檢測出多個點，所以是較佳的。

下面，說明採用投影型靜電電容式觸控感測器的情況。

另外，可以適用可檢測出手指等檢測目標的接近或接觸的各種感測器。

投影型靜電電容式觸控感測器595包括電極591及電極592。電極591電連接於多個佈線598之中的任何一個，而電極592電連接於多個佈線598之中的任何其他一個。

佈線594與其間夾著電極592的兩個電極591電連接。此時，電極592與佈線594的交叉部面積較佳為盡可能小。由此，可以減少沒有設置電極的區域的面積，從而可以降低穿透率的不均勻。其結果，可以降低透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。

另外，電極591及電極592可以具有各種形狀。例如，也可以採用如下結構：將多個電極591配置為其間儘量沒有間隙，並隔著絕緣層間隔開地設置多個電極592，以形成不重疊於電極591的區域。此時，藉由在相鄰的兩個電極592之間設置與這些電極電絕緣的虛擬電極，可以減少穿透率不同的區域面積，所以是較佳的。

觸控感測器595包括：基板590；在基板590上配置為交錯形狀的電極591及電極592；覆蓋電極591及電極592的絕緣層593；以及使相鄰的電極591電連接的佈線594。

黏合層597以觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將基板590與基板570貼合在一起。

電極591及電極592使用具有透光性的導電材料形成。作為具有透光性的導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物或者石墨烯。

在藉由濺射法將具有透光性的導電材料形成在基板590上之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除無需的部分來形成電極591及電極592。石墨烯除了藉由CVD法形成之外，還可以在塗佈分散有氧化石墨烯的溶液之後使其還原來形成。

另外，作為用於絕緣層593的材料，例如除了丙烯酸樹脂、環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂之外，還可以使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁等無機絕緣材料。

另外，達到電極591的開口設置在絕緣層593中，並且佈線594電連接相鄰的電極591。由於透光導電材料可以提高觸控面板的開口率，因此可以適用於佈線594。另外，因為其導電性高於電極591及電極592的材料可以減少電阻，所以可以適用於佈線594。

一個電極592延在一個方向上，多個電極592設置為條紋狀。

佈線594以與電極592交叉的方式設置。

夾著一個電極592設置有一對電極591，並且佈線594電連接一對電極591。

另外，多個電極591並不一定要設置在與一個電極592正交的方向上，也可以設置為成小於90°角。

一個佈線598與電極591或電極592電連接。將佈線598的一部分用作端子。作為佈線598，例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。

另外，藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層，可以保護觸控感測器595。

另外，連接層599電連接佈線598與FPC509 (2)。

作為連接層599，可以使用各向異性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或各向異性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

黏合層597具有透光性。例如，可以使用熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂，明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等的樹脂。

〈顯示部〉

顯示部501具備多個配置為矩陣狀的像素。像素具備顯示元件及驅動顯示元件的像素電路。

在本實施方式中，說明將發射白色光的有機電致發光元件適用於顯示元件的情況，但是顯示元件不侷限於此。也可以使用顏色不同的有機電致發光元件諸如發射紅色光的有機電致發光元件、發射藍色光的有機電致發光元件以及發射綠色光的有機電致發光元件。

例如，作為顯示元件，除了有機電致發光元件之外，還可以使用利用電泳方式、電子粉流體方式等進行顯示的顯示元件(也稱為電子墨水)、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件等各種顯示元件。另外，適用於所採用的顯示元件結構可以從各種像素電路選擇而使用。

基板510是疊層體，在該疊層體中層疊有具有撓性的基板510b、用來防止雜質向發光元件擴散的障壁膜510a以及用來貼合基板510b與障壁膜510a的黏合層510c。

基板570是疊層體，在該疊層體中層疊有具有撓性的基板570b、用來防止雜質向發光元件擴散的障壁膜570a以及用來貼合基板570b與障壁膜570a的黏合層570c。

密封材料560貼合基板570與基板510。密封材料560具有高於大氣的折射率。另外，在將光取出在密封材料560一側的情況下，密封材料560兼作光學黏合層。像素電路及發光元件(例如為發光元件550R)設置在基板510與基板570之間。

《像素的結構》

像素包含子像素502R，子像素502R具備發光模組580R。

子像素502R具備發光元件550R以及包含能夠向發光元件550R供應電力的電晶體502t的像素電路。另外，發光模組580R具備發光元件550R以及光學元件(例如為著色層567R)。

發光元件550R包括下部電極、上部電極、以及下部電極與上部電極之間的包含發光有機化合物的層。

發光模組580R在取出光的方向上具有著色層567R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如，可以使用選擇性地使呈現紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。注意，也可以在其他子像素中設置使發光元件發射的光直接透過的區域。

另外，在密封材料560設置於取出光一側的情況下，密封材料560接觸於發光元件550R及著色層567R。

著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。由此，發光元件550R發射的光的一部分透過著色層567R，而向圖29A中的箭頭所示的方向發射到發光模組580R的外部。

《顯示部的結構》

顯示部501在取出光的方向上具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。

顯示部501具備位於與像素重疊的位置上的反射防止層567p。作為反射防止層567p，例如可以使用圓偏光板。

顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋電晶體502t。另外，可以將絕緣膜521用作使起因於像素電路的凹凸平坦的層。此外，可以將包括能夠抑制雜質的擴散的層的疊層膜用於絕緣膜521。由此，能夠抑制由於非意圖的雜質擴散而導致的電晶體502t等的可靠性下降。

顯示部501在絕緣膜521上包括發光元件(例如為發光元件550R)。

顯示部501在絕緣膜521上具有與下部電極的端部重疊的分隔壁528。另外，在分隔壁528上具有用來控制基板510與基板570的間隔的間隔物。

《掃描線驅動電路的結構》

掃描線驅動電路503g(1)包括電晶體503t以及電容器503c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。

《其他結構》

顯示部501具備能夠供應信號的佈線511，並且端子519設置在佈線511上。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC509(1)與端子519電連接。

另外，該FPC509(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

〈顯示部的變形例子1〉

可以將各種電晶體適用於顯示部501。

圖29A和29B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖29A所示的電晶體502t及電晶體 503t。

例如，可以將包含多晶矽等的半導體層用於圖29B所示的電晶體502t及電晶體503t。

圖29C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含多晶矽或轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖29C所示的電晶體502t及電晶體503t。

實施方式7

在本實施方式中，參照圖30A至30C說明可用於本發明的一個方式的電子裝置的可折疊觸控面板的結構。

圖30A至30C是說明觸控面板500B的剖面圖。

本實施方式所說明的觸控面板500B與實施方式6所說明的觸控面板500的不同之處是：觸控面板500B具備將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側的顯示部501；以及將觸控感測器設置在顯示部的基板510一側。在此，對與觸控面板500不同的結構進行詳細說明，關於其他相同的結構援用上述說明。

〈顯示部〉

顯示部501具備配置為矩陣狀的多個像素。像素具備顯示元件及驅動顯示元件的像素電路。

〈〈像素的結構〉〉

像素包含子像素502R，子像素502R具備發光模組580R。

子像素502R具備發光元件550R以及包含能夠向發光元件550R供應電力的電晶體502t的像素電路。

發光模組580R具備發光元件550R以及光學元件(例如為著色層567R)。

發光元件550R包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的包含發光有機化合物的層。

發光模組580R在提取光的方向上具有著色層567R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如，可以使用選擇性地使呈現紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。另外，也可以在其他子像素中設置使發光元件所發射的光直接透過的區域。

著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。另外，圖30A所示的發光元件550R將光發射在設置有電晶體502t的一側。由此，發光元件550R所發射的光的一部分透過著色層567R，而向圖30A中的箭頭所示的方向發射到發光模組580R的外部。

〈〈顯示部的結構〉〉

顯示部501在發射光的方向上具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。

顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋電晶體502t。另外，可以將絕緣膜521用作使起因於像素電路的凹凸平坦的層。另外，可以將包含能夠抑制雜質的擴散的層的疊層膜用於絕緣膜521。由此，例如可以抑制由於從著色層567R擴散的非意圖的雜質而電晶體502t等的可靠性降低。

〈觸控感測器〉

觸控感測器595設置在顯示部501的基板510一側(參照圖30A)。

黏合層597設置在基板510與基板590之間，並貼合顯示部501和觸控感測器595。

〈顯示部的變形例子1〉

可以將各種電晶體適用於顯示部501。

圖30A及30B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖30A所示的電晶體502t及電晶體503t。

例如，可以將包含多晶矽等的半導體層用於圖30B所示的電晶體502t及電晶體503t。

圖30C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含多晶矽或轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖30C所示的電晶體502t及電晶體503t。

實施方式8

在本實施方式中，說明一種氧化物半導體，該氧化物半導體適用於可在本發明的一個方式的顯示面板的半導體裝置中使用的半導體層。

氧化物半導體具有3.0eV以上的高能隙，在包括以適當的條件對氧化物半導體進行加工並充分降低其載子密度而獲得的氧化物半導體膜的電晶體中，可以使關閉狀態下的源極與汲極之間的洩漏電流(關態電流)遠低於習知的使用矽的電晶體。

能夠應用的氧化物半導體較佳為至少含有銦(In)或鋅(Zn)。尤其較佳為包含In及Zn。另外，作為用來減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻的穩定劑，較佳為除了包含上述元素以外，還包含選自鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(例如，鈰(Ce)、釹(Nd)、釓(Gd))中的一種或多種。

例如，作為氧化物半導體可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也記為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。

在此，“In-Ga-Zn類氧化物”是指以In、Ga 以及Zn為主要成分的氧化物，不限制In、Ga以及Zn的比例。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。

另外，作為氧化物半導體，也可以使用表示為InMO₃(ZnO)_m(m>0且m不是整數)的材料。另外，M表示選自Ga、Fe、Mn及Co中的一種或多種金屬元素或者用作上述穩定劑的元素。另外，作為氧化物半導體，也可以使用表示為In₂SnO₅(ZnO)_n(n>0且n是整數)的材料。

例如，可以使用其原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=1：3：2、In：Ga：Zn=1：3：4、In：Ga：Zn=1：3：6、In：Ga：Zn=3：1：2或In：Ga：Zn=2：1：3的In-Ga-Zn類氧化物或接近於上述組成的氧化物。

當氧化物半導體膜含有多量的氫時，該氫與氧化物半導體鍵合而使該氫的一部分成為施體，因此產生作為載子的電子。其結果，導致電晶體的臨界電壓向負方向漂移。由此，較佳為藉由在形成氧化物半導體膜之後進行脫水化處理(脫氫化處理)，從氧化物半導體膜中去除氫或水分來進行高度純化以使其儘量不包含雜質。

另外，有時因為對氧化物半導體膜進行脫水化處理(脫氫化處理)而氧化物半導體膜中的氧也會減少。因此，為了填補因對氧化物半導體膜的脫水化處理(脫氫化處理)而增加的氧缺損，較佳為將氧添加到氧化物半導體膜。在本說明書等中，有時將對氧化物半導體膜供應氧的情況稱為加氧化處理，或者，有時將使氧化物半導體膜的氧含量超過化學計量組成的情況稱為過氧化處理。

如上所述，藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)以從氧化物半導體膜中去除氫或水分，並進行加氧化處理以填補氧缺損，可以得到被i型(本質)化的氧化物半導體膜或無限趨近於i型而實質上呈i型(本質)的氧化物半導體膜。注意，“實質上本質”是指：在氧化物半導體膜中，來自於施體的載子極少(近於零)，載子密度為1×10¹⁷/cm³以下，1×10¹⁶/cm³以下，1×10¹⁵/cm³以下，1×10¹⁴/cm³以下，1×10¹³/cm³以下，尤其較佳為8×10¹¹/cm³以下，更佳為1×10¹¹/cm³以下，進一步較佳為1×10¹⁰/cm³以下且1×10^-9/cm³以上。

如此，具備i型或實質上呈i型的氧化物半導體膜的電晶體可以實現極為優良的關態電流特性。例如，可以將使用氧化物半導體膜的電晶體處於關閉狀態時的汲極電流在室溫(25℃左右)下設定為1×10^-18A以下，較佳為1×10^-21A以下，更佳為1×10^-24A以下，或者，可以將汲極電流在85℃的溫度下設定為1×10^-15A以下，較佳為1×10^-18A以下，更佳為1×10^-21A以下。注意，“電晶體處於關閉狀態”是指：在採用n通道型電晶體的情況下，閘極電壓充分小於臨界電壓的狀態。明確而言，在閘極電壓比臨界電壓小1V以上，2V以上或3V以上時，電晶體成為關閉狀態。注意，這些電流值是源極與汲極之間的電壓例如為1V、5V或10V時的值。

下面，對氧化物半導體膜的結構進行說明。

氧化物半導體膜大致分為非單晶氧化物半導體膜和單晶氧化物半導體膜。非單晶氧化物半導體膜包括CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)膜、多晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜以及非晶氧化物半導體膜等。

首先，說明CAAC-OS膜。注意，可以將CAAC-OS稱為包含CANC(C-Axis Aligned Nanocrystals：c軸配向奈米晶)的氧化物半導體。

CAAC-OS膜是包含呈c軸配向的多個結晶部的氧化物半導體膜之一。

在CAAC-OS膜的穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)影像中，觀察不到結晶部與結晶部之間的明確的邊界，即晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發生由晶界引起的電子移動率的下降。

根據從大致平行於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM影像(剖面TEM影像)可知在結晶部中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映形成CAAC-OS膜的面(也稱為被形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凸凹的形狀並以平行於CAAC-OS膜的被形成面或頂面的方式排列。

另一方面，根據從大致垂直於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM影像(平面TEM影像)可知在結晶部中金屬原子排列為三角形狀或六角形狀。但是，在不同的結晶部之間金屬原子的排列沒有規律性。

圖31a是CAAC-OS膜的剖面TEM影像。另外，圖31b是進一步放大圖31a的剖面TEM影像，其中，為便於理解而強調表示原子排列。

圖31c是圖31a中的A-O-A’之間的由圓圈包圍的區域(直徑大致為4nm)的局部性的傳立葉變換影像。在圖31c所示的各區域中可以確認到c軸配向性。此外，A-O間的c軸方向不同於O-A’間的c軸方向，由此可知A-O間的晶粒不同於O-A’間的晶粒。另外，可知在A-O之間，c軸的角度以14.3°、16.6°、26.4°等而逐漸地連續變化。同樣地，可知在O-A’之間，c軸的角度以-18.3°、-17.6°、-15.9°等而逐漸地連續變化。

另外，在CAAC-OS膜的電子繞射圖案中，觀察到呈現配向性的斑點(亮點)。例如，在使用例如為1nm以上且30nm以下的電子束獲得的CAAC-OS膜的頂面的電子繞射圖案(也稱為奈米束電子繞射圖案)中，觀察到斑點(參照圖32A)。

由剖面TEM影像及平面TEM影像可知，CAAC-OS膜的結晶部具有配向性。

注意，CAAC-OS膜所包含的結晶部幾乎都可以容納在一個邊長小於100nm的立方體內。因此，有時包括在CAAC-OS膜中的結晶部能夠容納在一邊短於 10nm、短於5nm或短於3nm的立方體。但是，有時包含在CAAC-OS膜中的多個結晶部聯結，從而形成一個大結晶區。例如，在平面TEM影像中有時會觀察到2500nm²以上、5μm²以上或1000μm²以上的結晶區。

使用X射線繞射(XRD：X-Ray Diffraction)裝置對CAAC-OS膜進行結構分析。例如，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO₄結晶的CAAC-OS膜時，在繞射角(2θ)為31°附近時常出現峰值。由於該峰值來源於InGaZnO₄結晶的(009)面，由此可知CAAC-OS膜中的結晶具有c軸配向性，並且c軸朝向大致垂直於CAAC-OS膜的被形成面或頂面的方向。

另一方面，當利用從大致垂直於c軸的方向使X射線入射到樣本的in-plane法分析CAAC-OS膜時，在2θ為56°附近時常出現峰值。該峰值來源於InGaZnO₄結晶的(110)面。在此，將2θ固定為56°附近並在以樣本面的法線向量為軸(Φ軸)旋轉樣本的條件下進行分析(Φ掃描)。當該樣本是InGaZnO₄的單晶氧化物半導體膜時，出現六個峰值。該六個峰值來源於相等於(110)面的結晶面。另一方面，當該樣本是CAAC-OS膜時，即使在將2θ固定為56°附近的狀態下進行Φ掃描也不能觀察到明確的峰值。

由上述結果可知，在具有c軸配向的CAAC-OS膜中，雖然a軸及b軸的方向在結晶部之間不同，但是c軸都朝向平行於被形成面或頂面的法線向量的方向。因此，在上述剖面TEM影像中觀察到的排列為層狀的各金屬原子層相當於與結晶的ab面平行的面。

注意，結晶部在形成CAAC-OS膜或進行加熱處理等晶化處理時形成。如上所述，結晶的c軸朝向平行於CAAC-OS膜的被形成面或頂面的法線向量的方向。由此，例如，當CAAC-OS膜的形狀因蝕刻等而發生改變時，結晶的c軸不一定平行於CAAC-OS膜的被形成面或頂面的法線向量。

此外，在CAAC-OS膜中，c軸配向的晶化部的分佈不一定均勻。例如，當CAAC-OS膜的結晶部是由CAAC-OS膜的頂面附近的結晶成長而形成時，有時頂面附近的c軸配向的結晶部比例會高於被形成面附近的結晶度。另外，在添加有雜質的CAAC-OS膜中，添加有雜質的區域變質而有時CAAC-OS膜中的c軸配向結晶部所占的比例根據區域而不同。

注意，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO₄結晶的CAAC-OS膜時，除了在2θ為31°附近的峰值之外，有時還在2θ為36°附近觀察到峰值。2θ為36°附近的峰值意味著CAAC-OS膜的一部分中含有不具有c軸配向的結晶。較佳的是，在CAAC-OS膜中在2θ為31°附近時出現峰值而在2θ為36°附近時不出現峰值。

CAAC-OS膜是雜質濃度低的氧化物半導體膜。雜質是指氫、碳、矽、過渡金屬元素等氧化物半導體膜的主要成分以外的元素。尤其是，某一種元素如矽等與氧的鍵合力比構成氧化物半導體膜的金屬元素與氧的鍵合力強，該元素會奪取氧化物半導體膜中的氧，從而打亂氧化物半導體膜的原子排列，導致結晶性下降。另外，由於鐵或鎳等的重金屬、氬、二氧化碳等的原子半徑(或分子半徑)大，所以若包含在氧化物半導體膜內，則會打亂氧化物半導體膜的原子排列，導致結晶性下降。注意，包含在氧化物半導體膜中的雜質有時成為載子陷阱或載子發生源。

此外，CAAC-OS膜是缺陷態密度低的氧化物半導體膜。例如，氧化物半導體膜中的氧缺損有時成為載子陷阱，或因俘獲氫而成為載子發生源。

將雜質濃度低且缺陷態密度低(氧缺損量少)的狀態稱為“高純度本質”或“實質上高純度本質”。在高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體膜中載子發生源少，所以可以降低載子密度。因此，使用該氧化物半導體膜的電晶體很少具有負臨界電壓的電特性(也稱為常開啟特性)。在高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體膜中載子陷阱少。因此，使用該氧化物半導體膜的電晶體的電特性變動小，於是成為高可靠性電晶體。此外，被氧化物半導體膜的載子陷阱俘獲的電荷直到被釋放需要的長時間，有時像固定電荷那樣動作。因此，使用雜質濃度高且缺陷態密度高的氧化物半導體膜的電晶體的電特性有時不穩定。

此外，在使用CAAC-OS膜的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。

接下來，說明微晶氧化物半導體膜。

在微晶氧化物半導體膜的TEM影像中，有時難以明確地確認到結晶部。微晶氧化物半導體膜中含有的結晶部的尺寸大多為1nm以上且100nm以下或1nm以上且10nm以下。尤其是，將具有尺寸為1nm以上且10nm以下或1nm以上且3nm以下的微晶的奈米晶(nc：nanocrystal)的氧化物半導體膜稱為nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor：奈米晶氧化物半導體)膜。另外，例如在nc-OS膜的TEM影像中，有時難以明確地確認到晶界。注意，也可以將nc-OS稱為包含RANC(Random Aligned Nanocrystals：無規配向奈米晶)的氧化物半導體或包含NANC(Non-Aligned Nanocrystals：無配向奈米晶)的氧化物半導體。

nc-OS膜在微小區域(例如1nm以上且10nm以下的區域，特別是1nm以上且3nm以下的區域)中其原子排列具有週期性。另外，nc-OS膜在不同的結晶部之間觀察不到晶體配向的規律性。因此，在膜整體上觀察不到配向性。所以，有時nc-OS膜在某些分析方法中與非晶氧化物半導體膜沒有差別。例如，在藉由利用使用其束徑比結晶部大的X射線的XRD裝置的out-of-plane法對nc-OS膜進行結構分析時，檢測不出表示結晶面的峰值。此外，在對nc-OS膜進行使用其束徑比結晶部大(例如，50nm以上)的電子射線的電子繞射(也稱為選區電子繞射)時，觀察到類似於光暈圖案的繞射圖案。另一方面，在對nc-OS膜進行使用其束徑近於或小於結晶部的電子射線的電子繞射時，觀察到斑點。另外，在nc-OS膜的奈米束電子繞射圖案中，有時觀察到如圓圈那樣的(環狀的)亮度高的區域。在nc-OS膜的奈米束電子繞射圖案中，還有時觀察到環狀的區域內的多個斑點(參照圖32B)。

nc-OS膜是其規律性比非晶氧化物半導體膜高的氧化物半導體膜。因此，nc-OS膜的缺陷態密度比非晶氧化物半導體膜低。但是，nc-OS膜在不同的結晶部之間觀察不到晶體配向的規律性。所以，nc-OS膜的缺陷態密度比CAAC-OS膜高。

注意，氧化物半導體膜例如也可以是包括非晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜和CAAC-OS膜中的兩種以上的疊層膜。

在氧化物半導體膜具有多個結構時，有時藉由利用奈米束電子繞射可以進行結構分析。

圖32C示出一種透過電子繞射測量裝置，包括：電子槍室10；電子槍室10下的光學系統12；光學系統12下的樣本室14；樣本室14下的光學系統16；光學系統16下的觀察室20；設置於觀察室20的拍攝裝置18；以及觀察室20下的膠片室22。以朝向觀察室20內部的方式設置拍攝裝置18。另外，該透過電子繞射測量裝置也可以不包括膠片室22。

此外，圖32D示出圖32C所示的透過電子繞射測量裝置內部的結構。在透過電子繞射測量裝置內部中，從設置在電子槍室10的電子槍發射的電子藉由光學系統12照射到配置在樣本室14中的物質28。穿過物質28的電子藉由光學系統16入射到設置在觀察室20內部的螢光板32中。在螢光板32中，藉由呈現對應於所入射的電子的強度的圖案，可以測量透過電子繞射圖案。

因為拍攝裝置18朝向螢光板32地設置，所以可以拍攝呈現於螢光板32的圖案。穿過拍攝裝置18的透鏡的中間部及螢光板32的中間部的直線和螢光板32的頂面所形成的角度例如為15°以上且80°以下，30°以上且75°以下或45°以上且70°以下。該角度越小，由拍攝裝置18拍攝的透過電子繞射圖案的應變越大。但若預先得知該角度，則能夠校正所得到的透過電子繞射圖案的應變。另外，有時也可以將拍攝裝置18設置在膠片室22。例如，也可以以與電子24的入射方向相對的方式將拍攝裝置18設置在膠片室22中。在此情況下，可以從螢光板32的背面拍攝應變少的透過電子繞射圖案。

樣本室14設置有用來固定樣本的物質28的支架。支架具有使穿過物質28的電子透過的結構。例如，支架也可以具有將物質28移動到X軸、Y軸、Z軸等的功能。支架的移動功能例如具有在1nm以上且10nm以下、5nm以上且50nm以下、10nm以上且100nm以下、50nm以上且500nm以下、100nm以上且1μm以下等的範圍內移動的精度即可。至於這些範圍，根據物質28 的結構設定最適合的範圍即可。

接著，說明使用上述透過電子繞射測量裝置測量物質的透過電子繞射圖案的方法。

例如，如圖32D所示，藉由改變物質中的奈米束的電子24的照射位置(進行掃描)，可以確認到物質的結構逐漸地產生變化的狀況。此時，若物質28是CAAC-OS膜，則可以觀察到圖32A所示的繞射圖案。或者，若物質28是nc-OS膜，則可以觀察到圖32B所示的繞射圖案。

即使物質28是CAAC-OS膜，有時也部分地觀察到與nc-OS膜等同樣的繞射圖案。因此，有時可以以在一定範圍內觀察到CAAC-OS膜的繞射圖案的區域的比例(也稱為CAAC化率)表示CAAC-OS膜的優劣。例如，優良的CAAC-OS膜的CAAC化率為50%以上，較佳為80%以上，更佳為90%以上，進一步較佳為95%以上。另外，將觀察到與CAAC-OS膜不同的繞射圖案的區域的比率表示為非CAAC化率。

作為一個例子，對具有剛進行成膜之後(表示為as-sputtered)的CAAC-OS膜或在包含氧的氛圍中以450℃進行加熱處理之後的CAAC-OS膜的各樣本的頂面一邊進行掃描一邊得到透過電子繞射圖案。在此，一邊以5nm/秒鐘的速度進行掃描60秒鐘一邊觀察繞射圖案，且每隔0.5秒鐘將觀察到的繞射圖案轉換為靜態影像，從而導出CAAC化率。注意，作為電子線使用束徑為1nm的奈米束。另外，對六個樣本進行同樣的測量。並且，利用六個樣本的平均值算出CAAC化率。

圖33A示出各樣本的CAAC化率。剛進行成膜之後的CAAC-OS膜的CAAC化率為75.7%(非CAAC化率為24.3%)。此外，進行450℃的加熱處理之後的CAAC-OS膜的CAAC化率為85.3%(非CAAC化率為14.7%)。由此可知，與剛進行成膜之後相比，450℃的加熱處理之後的CAAC化率較高。也就是說，可知高溫(例如400℃以上)下的加熱處理降低非CAAC化率(提高CAAC化率)。此外，在進行低於500℃的加熱處理時也可以得到具有高CAAC化率的CAAC-OS膜。

在此，與CAAC-OS膜不同的繞射圖案的大部分是與nc-OS膜同樣的繞射圖案。此外，在測量區域中觀察不到非晶氧化物半導體膜。由此可知，藉由加熱處理，具有與nc-OS膜同樣的結構的區域受到相鄰的區域的結構的影響而重新排列，並CAAC化。

圖33B及圖33C是剛進行成膜之後及450℃的加熱處理之後的CAAC-OS膜的平面TEM影像。藉由對圖33B和圖33C進行比較，可知450℃的加熱處理之後的CAAC-OS膜的性質更均勻。也就是說，可知藉由高溫的加熱處理提高CAAC-OS膜的性質。

藉由採用這種測量方法，有時可以對具有多種結構的氧化物半導體膜進行結構分析。

CAAC-OS膜例如可以藉由如下方法形成。

CAAC-OS膜例如使用多晶的氧化物半導體濺射用靶材，並利用濺射法形成。

藉由增高成膜時的基板溫度，使濺射粒子在到達基板之後發生遷移。明確而言，在將基板溫度設定為100℃以上且740℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下的狀態下進行成膜。藉由增高成膜時的基板溫度，使濺射粒子在到達基板時在基板上發生遷移，於是濺射粒子的平坦面附著到基板。此時，濺射粒子帶正電使得濺射粒子互相排斥而附著到基板上，由此濺射粒子不會不均勻地重疊，從而可以形成厚度均勻的CAAC-OS膜。

藉由減少成膜時的雜質混入，可以抑制因雜質導致的結晶狀態的破壞。例如，降低存在於成膜室內的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度即可。另外，降低成膜氣體中的雜質濃度即可。明確而言，使用露點為-80℃以下，較佳為-100℃以下的成膜氣體。

另外，較佳為藉由增高成膜氣體中的氧比例並使電力最佳化，來減輕成膜時的電漿損傷。將成膜氣體中的氧比例設定為30vol.%以上，較佳為100vol.%。

或者，CAAC-OS膜使用以下方法而形成。

首先，形成其厚度為1nm以上且小於10nm的第一氧化物半導體膜。第一氧化物半導體膜利用濺射法形成。明確而言，第一氧化物半導體膜的形成條件為如下：基板溫度為100℃以上且500℃以下，較佳為150℃以上且450℃以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol.% 以上，較佳為100vol.%。

接著，進行加熱處理，以使第一氧化物半導體膜形成為高結晶性的第一CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設定為350℃以上且740℃以下，較佳為450℃以上且650℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上且24小時以下，較佳為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低第一氧化物半導體膜的雜質濃度。另一方面，在惰性氛圍中進行加熱處理時，有時會在第一氧化物半導體膜中形成氧缺陷。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺損。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內降低第一氧化物半導體膜的雜質濃度。

藉由將第一氧化物半導體膜的厚度設定為1nm以上且低於10nm，與厚度為10nm以上的情況相比可以藉由進行加熱處理而容易地使其結晶化。

接著，以10nm以上且50nm以下的厚度形成其組成與第一氧化物半導體膜相同的第二氧化物半導體膜。使用濺射法形成第二氧化物半導體膜。明確而言，第二氧化物半導體膜的形成條件為如下：基板溫度為100℃以上且500℃以下，較佳為150℃以上且450℃以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol.%以上，較佳為100vol.%。

接著，進行加熱處理，以使第二氧化物半導體膜從第一CAAC-OS膜進行固相成長，來形成高結晶性的第二CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設定為350℃以上且740℃以下，較佳為450℃以上且650℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上且24小時以下，較佳為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低第二氧化物半導體膜的雜質濃度。另一方面，在惰性氛圍中進行加熱處理時，有時會在第二氧化物半導體膜中形成氧缺損。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺損。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內降低第二氧化物半導體膜的雜質濃度。

經上述步驟，可以形成總厚度為10nm以上的CAAC-OS膜。

實施方式9

在其他的實施方式中，示出各種例子。注意，本發明的一個方式不侷限於這些。

例如在本說明書等中，作為電晶體可以使用各種結構的電晶體。因此，不限制所使用的電晶體的種類。作為電晶體的一個例子，可以使用具有單晶矽的電晶體或者具有以非晶矽、多晶矽或微晶(也稱為微晶、奈米晶、半非晶(semi-amorphous))矽等為代表的非單晶半導體膜的電晶體等。或者，可以使用使這些半導體薄膜化的薄膜電晶體(TFT)等。當使用TFT時，具有各種優點。例如，因為可以在比使用單晶矽時低的溫度下進行製造，所以可以實現製造成本的降低或製造裝置的大型化。由於可以使製造裝置變大，所以可以在大型基板上製造。由此，可以同時製造很多顯示裝置，從而可以以低成本製造。或者，由於製造溫度低，所以可以使用耐熱性低的基板。由此，可以在具有透光性的基板上製造電晶體。或者，可以使用由透光性基板形成的電晶體來控制顯示元件中的光的透過。或者，因為電晶體的厚度較薄，所以形成電晶體的膜的一部分能夠使光透過。由此，可以提高開口率。

另外，當製造多晶矽時，藉由使用催化劑(鎳等)可以進一步提高結晶性，從而可以製造電特性良好的電晶體。其結果，可以在相同的基板上形成閘極驅動電路(掃描線驅動電路)、源極驅動電路(信號線驅動電路)以及信號處理電路(信號產生電路、伽瑪校正電路、DA轉換電路等)。

另外，當製造微晶矽時，可以藉由使用催化劑(鎳等)進一步提高結晶性，從而製造電特性良好的電晶體。此時，僅藉由進行熱處理而無需進行雷射照射，就可以提高結晶性。其結果，可以在相同的基板上形成源極驅動電路的一部分(類比開關等)以及閘極驅動電路(掃描線驅動電路)。再者，當不進行用來實現結晶化的雷射照射時，可以抑制矽結晶性的不均勻。因此，可以顯示影像品質得到提高的影像。但是，也可以不使用催化劑(鎳)等而製造多晶矽或微晶矽。

另外，雖然較佳為在整個面板中使矽的結晶性提高到多晶或微晶等，但不侷限於此。也可以僅在面板的一部分中使矽的結晶性提高。藉由選擇性地照射雷射等，可以選擇性地提高結晶性。例如，也可以只對作為像素以外的區域的週邊驅動電路區域照射雷射。或者，也可以只對閘極驅動電路、源極驅動電路等的區域照射雷射。或者，也可以只對源極驅動電路的一部分(例如類比開關)照射雷射。其結果，可以只在需要使電路高速地工作的區域中使矽的晶化提高。由於像素區域沒有特別需要高速地工作，所以即便結晶性沒有得到提高，像素電路也可以正常地工作。由此，提高結晶性的區域較少，所以也可以減少製程，並且可以提高生產能力並降低製造成本。另外，由於所需要的製造裝置的數量較少，所以可以降低製造成本。

另外，作為電晶體的一個例子，可以使用包括化合物半導體(例如，SiGe、GaAs等)或者氧化物半導體(例如，ZnO、InGaZnO、IZO(銦鋅氧化物)、ITO(銦錫氧化物)、SnO、TiO、AlZnSnO(AZTO)、ITZO(In-Sn-Zn-O)等)等的電晶體。或者，可以使用使這些化合物半導體或氧化物半導體薄膜化的薄膜電晶體等。由此，可以降低製造溫度，所以例如可以在室溫下製造電晶體。其結果，可以在低耐熱性的基板，例如塑膠基板或薄膜基板等上直接形成電晶體。此外，不僅將這些化合物半導體或氧化物半導體用於電晶體的通道部，並且還可以用於其他用途。例如，可以用作佈線、電阻元件、像素電極、具有透光性的電極等。由於這些化合物半導體或氧化物半導體可以與電晶體同時形成，所以可以降低成本。

另外，作為電晶體的一個例子，可以使用藉由噴墨法或印刷法形成的電晶體等。由此，這種電晶體可以在室溫下形成，以低真空度形成或者在大型基板上形成。如此，不使用遮罩(標線片(reticule))也可以形成電晶體，所以可以較容易地改變電晶體的佈局。或者，由於不需要光阻劑，所以可以減少材料費用，並減少製程數量。並且，因為可以只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之後進行蝕刻的製造方法相比，不浪費材料，從而可以降低成本。

另外，作為電晶體的一個例子，可以使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體等。由此，可以在能夠彎曲的基板上形成電晶體。使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體的裝置能抗衝擊。

注意，作為電晶體，除此之外還可以使用各種結構的電晶體。例如，作為電晶體，可以使用MOS型電晶體、結型電晶體、雙極電晶體等。藉由作為電晶體使用MOS型電晶體，可以減小電晶體尺寸。因此，可以安裝多個電晶體。藉由作為電晶體使用雙極電晶體，可以使大電流流過。因此，電路可以高速地工作。此外，也可以將MOS型電晶體和雙極電晶體形成在一個基板上。藉由採用這種結構，可以實現低功耗、小型化、高速工作等。

例如在本說明書等中，作為電晶體的一個例子可以採用具有兩個以上的閘極電極的多閘極結構電晶體。當採用多閘極結構時，由於將通道區串聯連接，所以成為多個電晶體串聯連接的結構。因此，藉由採用多閘極結構，可以降低關態電流，提高電晶體的耐壓性(提高可靠性)。或者，藉由利用多閘極結構，當電晶體在飽和區工作時，即便汲極-源極間的電壓發生變化，汲極-源極間電流的變化也不太大，從而可以得到傾斜角平坦的電壓-電流特性。當利用傾斜角平坦的電壓-電流特性時，可以實現理想的電流源電路或電阻值極高的有源負載。其結果，可以實現特性良好的差動電路或電流鏡電路等。

另外，作為電晶體的一個例子，可以採用在通道上下配置有閘極電極的結構的電晶體。藉由採用在通道上下配置有閘極電極的結構，多個電晶體並聯連接。因此，通道區增加，所以可以增大電流值。或者，藉由採用在通道上下配置有閘極電極的結構，容易產生空乏層，因此可以改善S值。

另外，作為電晶體的一個例子，也可以採用將閘極電極配置在通道區上的結構、將閘極電極配置在通道區下的結構、交錯結構、反交錯結構、將通道區分割成多個區的結構、並聯連接通道區的結構或者串聯連接通道區的結構等。或者，作為電晶體，可以使用平面型、FIN(鰭)型、TRI-GATE(三閘極)型、頂閘極型、底閘極型、雙閘極型(在通道上下配置有閘極)等各種結構的電晶體。

另外，作為電晶體的一個例子，還可以採用通道區(或其一部分)與源極電極或汲極電極重疊的結構。藉由採用通道區(或其一部分)與源極電極或汲極電極重疊的結構，可以防止因電荷積累於通道區的一部分而導致的工作不穩定。

另外，作為電晶體的一個例子，可以採用設置有LDD區的結構。藉由設置LDD區，可以降低關態電流或者提高電晶體的耐壓性(提高可靠性)。或者，藉由設置LDD區，當電晶體在飽和區域工作時，即便汲極-源極之間的電壓發生變化，洩漏電流的變化也不太大，從而可以得到傾斜角平坦的電壓-電流特性。

例如在本說明書等中，可以使用各種基板形成電晶體。對基板的種類沒有特別的限制。作為該基板的一個例子，例如可以使用半導體基板(例如，單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、具有不鏽鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、撓性基板、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃基板的一個例子，有鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為撓性基板、貼合薄膜、基材薄膜等，可以舉出如下例子。例如可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)為代表的塑膠。或者，作為一個例子，可以舉出丙烯酸樹脂等合成樹脂等。或者，作為一個例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。或者，作為一個例子，可以舉出聚醯胺、聚醯亞胺、芳族聚醯胺、環氧樹脂、無機蒸鍍薄膜、紙類等。尤其是，藉由使用半導體基板、單晶基板或SOI基板等製造電晶體，可以製造特性、尺寸或形狀等的不均勻性小、電流能力高且尺寸小的電晶體。當利用上述電晶體構成電路時，可以實現電路的低功耗化或電路的高集成化。

另外，也可以使用一個基板來形成電晶體，然後將電晶體轉置到另一個基板上。作為電晶體被轉置的基板，不僅可以使用上述可以形成電晶體的基板，還可以使用紙基板、玻璃紙基板、芳族聚醯胺薄膜基板、聚醯亞胺薄膜基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板等。藉由使用上述基板，可以實現特性良好的電晶體的形成、功耗低的電晶體的形成、不易損壞的裝置的製造、耐熱性的提高、輕量化或薄型化。

另外，可以在相同的基板(例如，玻璃基板、塑膠基板、單晶基板或SOI基板等)上形成為了實現指定的功能所需要的所有電路。如此，可以藉由減少部件數量降低成本，或者可以藉由減少與電路部件之間的連接數量提高可靠性。

注意，也可以將為了實現指定的功能所需要的所有電路不形成在相同的基板上。換言之，也可以將為了實現指定的功能所需要的電路的一部分形成在某個基板上，並且將為了實現指定的功能所需要的電路的另一部分形成在另一基板上。例如，也可以將為了實現指定的功能所需要的電路的一部分形成在玻璃基板上，並且將為了實現指定的功能所需要的電路的另一部分形成在單晶基板(或SOI基板)上。並且，也可以藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)將形成為了實現指定的功能所需要的電路的另一部分的單晶基板(也稱為IC晶片)連接到玻璃基板，從而在玻璃基板上配置該IC晶片。或者，也可以使用TAB(Tape Automated Bonding：捲帶式自動接合)、SMT(Surface Mount Technology：表面黏著技術)或印刷電路板等使該IC晶片和玻璃基板連接。如此，藉由使電路的一部分與像素部形成在同一基板上，可以藉由減少部件數量降低成本，或者可以藉由減少與電路部件之間的連接數量提高可靠性。尤其是，在很多情況下，驅動電壓高的部分的電路或者驅動頻率高的部分的電路等的功耗高。於是，將該電路與像素部形成在不同的基板(例如，單晶基板)上，以構成IC晶片。藉由使用該IC晶片，可以防止功耗的增大。

另外，可以構成除本說明書的圖式或文章裡未規定的內容之外的發明。另外，當記載有某個值的範圍(例如上限值、下限值等)時，藉由任意縮小該範圍或者去除該範圍的一部分，可以規定去除該範圍的一部分的發明。由此，例如，可以規定習知技術不包括在本發明的技術範圍內。

作為具體例子，在記載有包括第一至第五電晶體的電路的電路圖的情況下，可以規定為在發明中該電路不包括第六電晶體。或者，可以規定為在發明中該電路不包括電容元件。再者，可以規定為在發明中該電路不包括具有特定連接結構的第六電晶體。或者，可以規定為在發明中該電路不包括具有特定連接結構的電容元件。例如，可以規定為在發明中不包括其閘極與第三電晶體的閘極連接的第六電晶體。例如，可以規定為在發明中不包括其第一電極與第三電晶體的閘極連接的電容元件。

作為其他具體例子，在關於某一個值，記載有“某一個電壓較佳為3V以上且10V以下”的情況下，例如，可以規定為發明不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。例如，可以規定為發明不包括該電壓為13V以上的情況。例如，可以規定為在發明中該電壓為5V以上且8V以下。例如，可以規定為在發明中該電壓大約為9V。例如，可以規定為發明包括該電壓為3V以上且10V以下但不是9V的情況。

作為其他具體例子，在關於某一個值，記載有“某一個電壓較佳為10V”的情況下，例如，可以規定為發明不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。例如，可以規定為發明不包括該電壓為13V以上的情況。

作為其他具體例子，在關於某一個物質的性質，記載有“某一個膜為絕緣膜”情況下，例如，可以規定為發明不包括該絕緣膜為有機絕緣膜的情況。例如，可以規定為發明不包括該絕緣膜為無機絕緣膜的情況。

作為其他具體例子，在關於某一個層疊結構，記載有“在A與B之間設置有某一個膜”的情況下，例如，可以規定為發明不包括該膜為四層以上的疊層膜的情況。例如，可以規定為發明不包括在A與該膜之間設置有導電膜的情況。

注意，各種人可以實施在本說明書等中記載的發明。然而，有時多數人參與該發明的實施。例如，就收發系統來說，有時A公司製造並銷售發送器，B公司製造並銷售接收器。作為其他例子，就具有TFT及發光元件的發光裝置來說，有時A公司製造並銷售形成有TFT的半導體裝置，然後，B公司購買該半導體裝置，並在該半導體裝置中形成發光元件來完成發光裝置。

在此情況下，可以構成可對A公司和B公司的兩者主張侵犯專利的發明的一個方式。因此，可對A公司或B公司主張侵犯專利的發明的一個方式是明確的，並且可以判斷其記載於本說明書等中。例如，就收發系統來說，可以僅由發送器構成發明的一個方式，還可以僅由接收器構成發明的一個方式，這些發明的一個方式是明確的，並且可以判斷其記載於本說明書等中。作為其他例子，就包含TFT及發光元件的發光裝置來說，可以僅由形成有TFT的半導體裝置構成發明的一個方式，還可以僅由具有TFT以及發光元件的發光裝置構成發明的一個方式，這些發明的一個方式是明確的，並且可以判斷其記載於本說明書等中。

另外，在本說明書等中，有時即便不指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的所有端子的連接目標，所屬技術領域的普通技術人員也能夠構成發明的一個方式。換言之，即便未指定連接目標，也可以說發明的一個方式是明確的。並且，在本說明書等中記載有指定了連接目標的內容的情況下，有時可以判斷在本說明書等中記載有未指定連接目標的發明的一個方式。尤其在可能有多個端子連接目標的情況下，沒有必要指定該端子的連接目標。因此，有時藉由僅指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的一部分的端子的連接目標，就能夠構成發明的一個方式。

另外，在本說明書等中，只要至少指定某一個電路的連接目標，有時所屬技術領域的普通技術人員就可以構成發明。或者，只要至少指定某一個電路的功能，有時所屬技術領域的普通技術人員就可以構成發明。換言之，只要指定功能，就可以說發明的一個方式是明確的。另外，有時可以判斷在本說明書等中記載有指定了功能的發明的一個方式。因此，即便未指定某一個電路的功能，只要指定連接目標，該電路就是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。另外，即便未指定某一個電路的連接目標，只要指定其功能，該電路就是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。

注意，在本說明書等中，可以在某一個實施方式中所示出的圖式或者文章中取出其一部分來構成發明的一個方式。因此，在記載有說明某一部分的圖式或者文章的情況下，取出其一部分的圖式或者文章的內容也是所公開的發明的一個方式，而能夠構成發明的一個方式。因此，例如，可以在記載有主動元件(電晶體、二極體等)、佈線、被動元件(電容元件、電阻元件等)、導電層、絕緣層、半導體層、有機材料、無機材料、零件、裝置、工作方法、製造方法等中的一個或多個的圖式或者文章中，可以取出其一部分來構成發明的一個方式。例如，可以從包括N個(N是整數)電路元件(電晶體、電容元件等)而構成的電路圖中取出M個(M是整數，M<N)電路元件(電晶體、電容元件等)來構成發明的一個方式。作為其他例子，可以從包括N個(N是整數)層而構成的剖面圖中取出M個(M是整數，M<N)層來構成發明的一個方式。再者，作為其他例子，可以從包括N個(N是整數)要素而構成的流程圖中取出M個(M是整數，M<N)要素來構成發明的一個方式。

此外，在本說明書等中，在某一個實施方式所示的圖式或文章中至少記載有一個具體例子的情況下，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是由上述具體例子導出該具體例子的上位概念。因此，在某一個實施方式所示的圖式或文章中至少記載有一個具體例子的情況下，該具體例子的上位概念也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。

另外，在本說明書等中，至少在圖式中記載的內容(也可以是其一部分)是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，某個內容只要在圖式中有記載，即便不使用文章來描述，該內容也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。同樣地，取出其一部分的圖式也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。

另外，在圖式中，為了明確起見，有時誇大表示大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。

在本說明書中，例如，當使用“直徑”、“粒徑”、“大小”、“尺寸”、“寬度”等規定物體的形狀時，也可以將其換稱為容納物體的最小立方體的一邊長度或者物體的一個剖面的等效圓直徑。物體的一個剖面的等效圓直徑是指等於物體的一個剖面的面積的正圓形的直徑。

注意，即使記載為“半導體”，例如在導電性充分低時，有時也具有作為“絕緣體”的特性。此外，有時“半導體”與“絕緣體”的界限模糊，不能嚴格地區別“半導體”與“絕緣體”。因此，有時可以將本說明書中記載的“半導體”換稱為“絕緣體”。同樣地，有時可以將本說明書中記載的“絕緣體”換稱為“半導體”。

注意，即使記載為“半導體”，例如在導電性充分高時，有時也具有作為“導電體”的特性。此外，有時“半導體”與“導電體”的界限模糊，不能嚴格地區別“半導體”與“導電體”。因此，有時可以將本說明書中記載的“半導體”換稱為“導電體”。同樣地，有時可以將本說明書中記載的“導電體”換稱為“半導體”。

此外，半導體膜的雜質例如是指構成半導體膜的主要成分以外的元素。例如，濃度小於0.1atomic%的元素是雜質。當包含雜質時，例如，有時在半導體膜中形成有載子陷阱，載子移動率下降或者結晶性下降。當半導體膜是氧化物半導體膜時，作為改變半導體膜特性的雜質，例如有第1族元素、第2族元素、第14族元素、第15族元素、主要成分以外的過渡金屬等。尤其是，例如有氫(也包括水)、鋰、鈉、矽、硼、磷、碳、氮等。當採用氧化物半導體時，由於雜質混入，而有可能形成氧缺損。當半導體膜是矽膜時，作為改變半導體膜特性的雜質，例如有氧、氫以外的第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素等。

此外，在本說明書中，過剩氧例如是指超過化學計量組成的氧。或者，過剩氧例如是指藉由加熱釋放的氧。過剩氧例如能夠在膜或層的內部移動。過剩氧在膜或層中的原子之間移動，或者過剩氧一邊與構成膜或層的氧置換一邊像撞球那樣一個接一個地移動。此外，包含過剩氧的絕緣膜例如具有藉由加熱處理釋放氧的功能。

在本說明書中，“平行”是指在-10°以上且10°以下的角度的範圍內配置兩條直線的狀態。因此也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”是指在80°以上且100°以下的角度的範圍內配置兩條直線的狀態。因此也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。

在本實施方式中，作為導電膜，例如可以使用包含鋁、鈦、鉻、鈷、鎳、銅、釔、鋯、鉬、釕、銀、鉭或鎢的導電膜的單層或疊層。作為具有透過性的導電膜，例如可以使用In-Zn-W氧化物膜、In-Sn氧化物膜、 In-Zn氧化物膜、氧化銦膜、氧化鋅膜以及氧化錫膜等氧化物膜。另外，上述氧化物膜也可以添加有微量的Al、Ga、Sb、F等。此外，也可以使用具有能夠使光透過的厚度(較佳為5nm以上且30nm以下左右)的金屬薄膜。例如可以使用5nm厚的Ag膜、Mg膜或者Ag-Mg合金膜。或者，作為高效率地反射可見光的膜，例如可以使用包含鋰、鋁、鈦、鎂、鑭、銀、矽或鎳的膜。

作為絕緣膜，例如可以使用包含氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿或氧化鉭的絕緣膜的單層或疊層。或者，作為絕緣膜，也可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂等的樹脂膜。

在本說明書中，六方晶系包括三方晶系和菱方晶系。

另外，在本說明書中使用的“第一”、“第二”、“第三”等用語是為了避免構成要素的混淆而附加的，而不是為了在數字上進行限定的。因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等。

另外，在本說明書中，當在進行光微影製程之後進行蝕刻製程時，去除在光微影製程中形成的遮罩。

另外，有時在電晶體中設置用來對背後通道施加電位的第二閘極。此時，在此為了區別兩個閘極，將通常被稱作閘極的端子稱為“前閘極”，將另一個端子稱為“背閘極”。

電壓是指兩個點之間的電位差，而電位是指某一點的靜電場中的某單位電荷所具有的靜電能(電位能量)。注意，一般而言，將某一點的電位與基準的電位(例如接地電位)之間的電位差簡單地稱為電位或電壓，通常，電位和電壓是同義詞。因此，在本說明書中，除了特別指定的情況以外，既可將“電位”稱為“電壓”，又可將“電壓”稱為“電位”。

注意，在本說明書等中，電壓大多是指某個電位與參考電位(例如接地電位)之間的電位差。由此，可將電壓、電位以及電位差分別換稱為電位、電壓以及電壓差。注意，電壓是指兩點之間的電位差，並且電位是指某一點的靜電場中的單位電荷所具有的靜電能(電位能)。

注意，一般而言，電位(電壓)是相對的。因此，接地電位並不一定限定於0伏特。

電晶體是半導體元件的一種，並可以進行電流或電壓的放大、用來控制導通或非導通的切換操作等。本說明書中的電晶體包括IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor：絕緣閘場效電晶體)和薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)。

例如，在本說明書等中，電晶體是指至少包括閘極、汲極以及源極這三個端子的元件。電晶體在汲極(汲極端子、汲極區或汲極電極)與源極(源極端子、源極區或源極電極)之間具有通道區，並且電流能夠流過汲極、通道區以及源極。在此，因為源極和汲極根據電晶體的結構或工作條件等而更換，因此難以確定哪個是源極哪個是汲極。因此，有時不將用作源極的部分或用作汲極的部分稱為源極或汲極。在此情況下，作為一個例子，有時將源極和汲極中的一個稱為第一端子、第一電極或第一區域，並且將源極和汲極中的另一個稱為第二端子、第二電極或第二區域。

例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下三種情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。在此，X和Y都是目標物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。因此，不侷限於圖式或文章中所示的連接關係等指定的連接關係，圖式或文章中所示的連接關係以外的連接關係也記載於圖式或文中。

作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出：在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)的情況；以及X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)而連接的情況。

作為X與Y電連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠電連接X與Y的元件(例如，開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)。另外，開關具有控制開啟和關閉的功能。換言之，藉由使開關處於導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制為是否使電流流過。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。

作為X與Y在功能上連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，也可以說X與Y在功能上是連接著的。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。

此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中公開了如下三種情況：X與Y電連接(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)的情況；X與Y在功能上連接(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y)；以及X與Y直接連接(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)的情況。換言之，當明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確記載為“連接”的情況相同的內容。

注意，例如，可以以後面的表達方式來表示如下情況：電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況以及電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，並且，Z2的另一部分與Y直接連接的情況。

例如，可以將上述情況表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)相互電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等) 與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這些例子相同的表達方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。

另外，作為其他表達方法，例如可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少藉由第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，Z1在所述第一連接路徑上，電晶體的汲極(或第二端子等)至少藉由第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，Z2在所述第三連接路上”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上藉由Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上藉由Z2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一電子路徑上藉由Z1與X電連接，所述第一電子路徑不具有第二電子路徑，所述第二電子路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電子路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三電子路徑上藉由Z2與Y電連接，所述第三電子路徑不具有第四電子路徑，所述第四電子路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電子路徑”。藉由使用與這些例子同樣的表達方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來決定技術範圍。

注意，這種表達方法只是一個例子而已，不侷限於上述表達方法。在此，X、Y、Z1及Z2都是目標物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。

另外，即便獨立的構成要素在電路圖上相互電連接，有時一個構成要素也兼具有多個構成要素的功能。例如，當佈線的一部分兼作電極時，一個導電膜兼具有佈線和電極的兩個構成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼具有多個構成要素的功能的情況。

例如，在本說明書等中，明確地記載為“在X上形成有Y”或“在X上面形成有Y”的情況不侷限於Y直接接觸地形成在X上的情況。還包括不直接接觸的情況，即，在X和Y之間夾有其他目標物的情況。這裡，X和Y都是目標物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。

因此，例如，明確地記載為“在層X上(或層X上面)形成有層Y”的情況包括如下兩種情況：層Y直接接觸地形成在層X上的情況；以及在層X上直接接觸地形成有其他層(例如，層Z等)，並且層Y直接接觸地形成在該其他層上的情況。另外，其他層(例如，層Z等)可以是單層或多層(疊層)。

並且，明確地記載為“在X上方形成有Y”的情況也同樣不侷限於Y直接接觸X上的情況，而還包括在X和Y之間夾有其他目標物的情況。因此，例如，“在層X上方形成有層Y”的情況包括如下兩種情況：層Y直接接觸地形成在層X上情況；在層X上直接接觸地形成其他層(例如層Z等)，並且層Y直接接觸地形成在所述其他層的上的情況。此外，其他層(例如層Z等)可以是單層或多層(疊層)。

另外，明確地記載“在X上面形成有Y”、“在X上形成有Y”、或“在X上方形成有Y”的情況還包括在X的斜上面/斜上方形成Y的情況。

另外，“在X下面形成Y”或“在X下方形成Y”的情況也與上述情況同樣。

例如，在本說明書等中，“上面”、“上方”、“下面”、“下方”、“橫向”、“右”、“左”、“斜”、“後面”、“前面”、“內”、“外”、或“中”等的表示空間配置的詞在很多情況下用來以圖式簡單地示出某種因素或特徵與其他因素或特徵的關係。但是，不侷限於此，這些表示空間配置的詞除了圖式所描述的方向以外還可以包括其他方向。例如，明確地記載為“在X上面有Y”的情況不侷限於Y存在於X上面的情況。圖式中的裝置可以反轉或者轉動180°，所以還可以包括Y存在於X下面的情況。如此，“上”這詞除了“上”方向以外還可以包括“下”方向。但是，不侷限於此，圖式中的裝置向各種方向轉動，所以“上”這詞除了“上”及“下”這些方向以外還可以包括“橫”、“右”、“左”、“斜”、“後面”、“前面”、“內”、“外”、或“中”等其他方向。換言之，根據情況可以適當地解釋。

Claims

一種電子裝置，包括：包括正面、第一側面與背面的外殼；界定該正面的一區域的第一顯示區域；界定該第一側面的一區域的第二顯示區域；及界定該背面的一區域的第三顯示區域，其中該第一側面與該正面及該背面接觸，其中該正面與該背面重疊，其中該第一側面為彎曲的，其中該背面設有第一區域，及其中該第一區域並未設有顯示區域。
根據申請專利範圍第1項之電子裝置，更包括輸入裝置，其中該電子裝置在該第一顯示區域至該第三顯示區域具有輸入功能。
一種電子裝置，包括：包括正面、第一側面與背面的外殼；界定該正面的一區域的第一顯示區域；界定該第一側面的一區域的第二顯示區域；界定該背面的一區域的第三顯示區域；及在該背面中的影像感測器，其中該第一側面與該正面及該背面接觸，其中該正面與該背面重疊，其中該第二顯示區域為彎曲的，其中該背面中設有第一區域，其中該第一區域中並未設有顯示區域，及其中該影像感測器所取得的第一影像係被顯示在該第一顯示區域與該第三顯示區域中。
根據申請專利範圍第1或3項之電子裝置，其中該第三顯示區域的面積為該第一顯示區域的面積的10%以上且90%以下。
根據申請專利範圍第1或3項之電子裝置，其中該第三顯示區域的面積為該第一顯示區域的面積的30%以上且70%以下。
根據申請專利範圍第1或3項之電子裝置，更包括在該第一顯示區域至該第三顯示區域中具有觸控感測器功能。
根據申請專利範圍第1或3項之電子裝置，更包括第四顯示區域，其中該外殼更包括第二側面，其中該第二側面與該第一側面、該正面及該背面接觸，及其中該第四顯示區域界定該第二側面的一區域。
根據申請專利範圍第7項之電子裝置，其中該第二側面較該第一側面長。
一種包括影像感測器與外殼的電子裝置的驅動方法，該外殼包括：界定正面的一區域的第一顯示區域、界定第一側面的一區域的第二顯示區域、及界定背面的一區域的第三顯示區域，其中該影像感測器被設在該背面中，其中該第一側面與該正面及該背面接觸，及其中該正面與該背面重疊，該方法包括：在該第一顯示區域中，顯示由該影像感測器所取得的第一影像；及在該第三顯示區域中，顯示該影像感測器所取得的第二影像。
根據申請專利範圍第9項之電子裝置的驅動方法，其中該第三顯示區域的面積為該第一顯示區域的面積的10%以上且90%以下。
根據申請專利範圍第9項之電子裝置的驅動方法，其中該第三顯示區域的面積為該第一顯示區域的面積的30%以上且70%以下。
根據申請專利範圍第9項之電子裝置的驅動方法，其中該電子裝置更包括第四顯示區域，其中該外殼更包括第二側面，其中該第二側面與該第一側面、該正面及該背面接觸，及其中該第四顯示區域界定該第二側面的一區域。