JP2022003410A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の異なる面に表示が可能な表示装置に関する。または、曲面に表示が可能な表示装置
を備える電子機器、発光装置、照明装置、またはそれらの作製方法に関する。または、複
数の異なる面に表示が可能な表示装置を備える電子機器、発光装置、照明装置、またはそ
れらの作製方法に関する。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、液晶表示装置、蓄電装
置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げること
ができる。
えば、タッチパネルを備えるスマートフォンやタブレット端末などの携帯情報端末は、薄
型化や高性能化、多機能化が進んでいる。
トランジスタを備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されてい
る。
の一態様は、多様な表示が可能な電子機器を提供することを課題の一とする。または、本
発明の一態様は、多様な操作が可能な電子機器を提供することを課題の一とする。または
本発明の一態様は、このような電子機器に適用可能な表示装置(表示パネル)を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置などを提供すること
を課題の一とする。
の一とする。または、本発明の一態様は、被写体に照明を照射できる電子機器などを提供
することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、バッテリの交換が容易な電子機
器などを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、操作しやすい電子
機器などを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、被写体が、撮影
状況を確認できる電子機器などを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態
様は、無線通信がしやすい電子機器などを提供することを課題の一とする。または、本発
明の一態様は、良い音で鳴らすことができる電子機器などを提供することを課題の一とす
る。または、本発明の一態様は、曲げたり、広げたりすることができる電子機器などを提
供することを課題の一とする。
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
て、第1の面は、第2の面と、接するように設けられている領域を有し、第2の面は、第
3の面と、接するように設けられている領域を有し、第1の面は、第3の面と、対向する
ように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、第1の
表示領域は、第1の面と重なるように設けられている領域を有し、第2の表示領域は、第
2の面と重なるように設けられている領域を有し、第3の表示領域は、第3の面と重なる
ように設けられている領域を有し、第1の表示領域は、第3の表示領域よりも、大きな面
積を有することを特徴とする電子機器である。
子機器であって、第1の面は、第2の面と、接するように設けられている領域を有し、第
2の面は、第3の面と、接するように設けられている領域を有し、第1の面は、第3の面
と、対向するように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の表示領域を
有し、第1の表示領域は、第1の面と重なるように設けられている領域を有し、第2の表
示領域は、第2の面と重なるように設けられている領域を有し、第3の表示領域は、第3
の面と重なるように設けられている領域を有し、入力装置は、第1の表示領域と重なるよ
うに設けられている領域と、第2の表示領域と重なるように設けられている領域と、第3
の表示領域と重なるように設けられている領域と、を有し、第1の表示領域は、第3の表
示領域よりも、大きな面積を有することを特徴とする電子機器である。
て、第1の面は、第2の面と、接するように設けられている領域を有し、第2の面は、第
3の面と、接するように設けられている領域を有し、第1の面は、第3の面と、対向する
ように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、第1の
表示領域は、第1の面と重なるように設けられている領域を有し、第2の表示領域は、第
2の面と重なるように設けられている領域を有し、第3の表示領域は、第3の面と重なる
ように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の表示領域において、タッ
チセンサとしての機能を有し、第1の表示領域は、第3の表示領域よりも、大きな面積を
有することを特徴とする電子機器である。
子機器であって、第1の面は、第2の面と、接するように設けられている領域を有し、第
2の面は、第3の面と、接するように設けられている領域を有し、第1の面は、第3の面
と、対向するように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の表示領域を
有し、第1の表示領域は、第1の面と重なるように設けられている領域を有し、第2の表
示領域は、第2の面と重なるように設けられている領域を有し、第3の表示領域は、第3
の面と重なるように設けられている領域を有し、表示装置は、第1の表示領域において、
撮像素子によって得られる第1の画像を表示することができる機能を有し、表示装置は、
第2の表示領域において、撮像素子によって得られる第2の画像を表示することができる
機能を有することを特徴とする電子機器である。
を特徴とする電子機器である。
子機器の駆動方法であって、第1の面は、第2の面と、接するように設けられている領域
を有し、第2の面は、第3の面と、接するように設けられている領域を有し、第1の面は
、第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、表示装置は、第1乃至第3の
表示領域を有し、第1の表示領域は、第1の面と重なるように設けられている領域を有し
、第2の表示領域は、第2の面と重なるように設けられている領域を有し、第3の表示領
域は、第3の面と重なるように設けられている領域を有し、第1の表示領域において、撮
像素子によって得られた第1の画像を表示し、第2の表示領域において、撮像素子によっ
て得られた第2の画像を表示することを特徴とする電子機器の駆動方法である。
であることを特徴とする電子機器の駆動方法である。
lexible printed circuit)もしくはTCP(Tape Car
rier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板
が設けられたモジュール、または表示素子が形成された基板にCOG(Chip On
Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールは、表示装置に含
まれる場合がある。
一態様によれば、多様な表示が可能な電子機器を提供することができる。または、本発明
の一態様によれば、多様な操作が可能な電子機器を提供することができる。または本発明
の一態様によれば、このような電子機器に適用可能な表示装置(表示パネル)を提供する
ことができる。または、本発明の一態様によれば、新規な表示装置などを提供することが
できる。
ができる。または、本発明の一態様によれば、被写体に照明を照射できる電子機器などを
提供することができる。または、本発明の一態様によれば、バッテリの交換が容易な電子
機器などを提供することができる。または、本発明の一態様によれば、操作しやすい電子
機器などを提供することができる。または、本発明の一態様によれば、被写体が、撮影状
況を確認できる電子機器などを提供することができる。または、本発明の一態様によれば
、無線通信がしやすい電子機器などを提供することができる。または、本発明の一態様に
よれば、良い音で鳴らすことができる電子機器などを提供することができる。または、本
発明の一態様によれば、曲げたり、広げたりするできる電子機器などを提供することがで
きる。
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同
様のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能
を有する部分の詳細な説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパター
ンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
態で述べる別の内容(一部の内容でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容(一部の内容でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
その実施の形態において述べる別の図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器と、当該電子機器に適用可能な表示装置
(表示パネルともよぶ場合がある)について、図面を参照して説明する。
図1(A1)は以下で例示する電子機器のおもて面側を示す斜視概略図であり、図1(
A2)は裏面側を示す斜視概略図である。
例えば、おもて面、裏面、側面など)において表示可能となるように設けられた表示パネ
ル110を備える。なお、表示パネル110の上には、傷や破損から守るために、カバー
や樹脂などが設けられている場合がある。
側面、第1の側面と対向する領域を有する第3の側面、第2の側面と対向する領域を有す
る第4の側面とを有する表面形状を有する。または、筐体101は、第1の側面を有する
。第1の側面は、おもて面、及び/又は、裏面、に接する領域を有する。または、筐体1
01は、第2の側面を有する。第2の側面は、おもて面、及び/又は、裏面、に接する領
域を有する。または、筐体101は、第3の側面を有する。第3の側面は、おもて面、及
び/又は、裏面、に接する領域を有する。または、筐体101は、第4の側面を有する。
第4の側面は、おもて面、及び/又は、裏面、に接する領域を有する。
面と、少なくとも4つの側面と、を有している。なお、それぞれの面は、なだらかに変化
している場合があるため、各面の境界を定めにくい場合がある。また、側面という文言を
用いて述べているが、側面は、おもて面や裏面の一部の領域を有している場合がある。
、確認できる領域のことを言う。ただし、おもて面、裏面、側面などが、曲面を有する場
合には、境界を定めにくい場合がある。その場合、例えば、ある領域は、おもて面(裏面
)の一部であり、かつ、側面の一部でもある、と呼べる場合もある。同様に、例えば、あ
る領域は、ある側面の一部であり、かつ、別の側面の一部でもある、と呼べる場合もある
。
ている領域を有している。例えば、側面は、別の側面と接している領域を有している。
おもて面、及び/又は、裏面は、一例としては、曲がった領域を有する。側面は、一例と
しては、曲がった領域を有する。または、側面は、一例としては、平坦な領域を有する。
なお、おもて面と、裏面とは、互いに、区別が困難である場合がある。そのため、おもて
面のことを裏面と呼ぶ場合や、裏面のことをおもて面と呼ぶ場合もある。なお、おもて面
は、裏面よりも、大きい表示領域を有している場合がある。なお、側面は、一例としては
、おもて面、または、裏面よりも、面積が小さい。
面体ではなく、さらに多くの面を有する場合もある。または、上記よりも、より少ない面
しか有さない場合もある。
る表示領域111を有する。または、表示パネル110は、筐体101の側面の一つと重
なる領域を有するように設けられている表示領域113を有する。または、表示パネル1
10は、筐体101の裏面の一部の領域と重なる領域を有するように設けられている表示
領域116を有する。なお、ここで、表示領域113が設けられている側面は、一例とし
ては、表示領域113が設けられていない側面よりも、一辺の長さが短い。または、表示
領域113が設けられている側面は、一例としては、表示領域113が設けられていない
側面よりも、小さい面積を有する。つまり、表示領域113が設けられている側面は、一
例としては、短軸方向に平行な面であり、長軸方向に垂直な面である。
例として、図面において、点線で示す場合がある。ただし、場合によっては、または、状
況に応じて、それぞれの境界は、図面に記した点線とは異なる場合もある。
領域は、曲面形状を有することが好ましい。例えば、おもて面と側面、および、側面と裏
面との間に角部を有さず、これらの面が連続していることが好ましい。また、側面の形状
が、例えば、筐体101のおもて面から裏面にかけて接線の傾きが連続するような曲面を
有することが好ましい。また特に側面の形状が、平面を伸縮することなく変形させて得ら
れる可展面を有していることが好ましい。このような形状とすることにより、表示パネル
110を、なだらかに曲げるような状態とすることができる。つまり、表示パネル110
を曲げた時の曲率半径を大きくすることが出来る。よって、表示パネル110に対して、
折り曲げによる負担をかけにくくすることができ、表示パネル110の寿命を延ばすこと
ができる。また、このような形状とすることにより、表示パネル110での表示画像が、
なだらかに変わっているように見える。そのため、違和感が少なく、閲覧することが出来
る。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。
または、一例として、表示領域111の一辺の長さは、表示領域116の一辺の長さより
も、長い。そのため、図1(B1)、図1(B2)に示すように、筐体101の裏面には
、領域201が確保できる。つまり、筐体101の裏面は、表示領域116と領域201
とを有している。一例としては、領域201には、表示領域116が設けられていない。
そのため、領域201には、様々な機能を有するものを配置することが出来る。
有する。より好ましくは、表示領域116は、例えば、表示領域111の面積の、30%
以上、70%以下の面積を有する。
長さの一辺を有する。より好ましくは、表示領域116は、例えば、表示領域111の一
辺の長さの、30%以上、70%以下の長さの一辺を有する。
、ハードウェアボタンや外部接続端子やイメージセンサや赤外線センサやマイクやスピー
カ等を有していてもよい。
いる場合を示したが、他の側面に表示領域を重ねるようにした構成としてもよい。
構成例を示している。表示領域115は、表示領域113に対向する側面に重なる領域を
有している。ここで、図2(A1)は、電子機器のおもて面側を示す斜視概略図であり、
図2(A2)は裏面側を示す斜視概略図である。また、領域201を有する場合の例を、
図2(B1)、図2(B2)に示す。
領域111と、表示領域116と、表示領域112と、を有する場合の構成例を示してい
る。ここで、表示領域112は、筐体101の側面の一つと重なる領域を有するように設
けられている。なお、ここで、表示領域112が設けられている側面は、表示領域112
が設けられていない側面(例えば、図1(A1)において表示領域113が設けられてい
る側面)よりも、長さの長い一辺を有する。表示領域112が設けられている側面は、一
例としては、表示領域112が設けられていない側面よりも、大きい面積を有する。つま
り、表示領域112が設けられている側面は、一例としては、長軸方向に平行な面であり
、短軸方向に垂直な面である。ここで、図3(A1)は、電子機器のおもて面側を示す斜
視概略図であり、図3(A2)は裏面側を示す斜視概略図である。また、領域201を有
する場合の例を、図3(B1)、図3(B2)に示す。
面に重なる領域を有する表示領域114もさらに有する場合の構成例を示している。ここ
で、図4(A1)は、電子機器のおもて面側を示す斜視概略図であり、図4(A2)は裏
面側を示す斜視概略図である。また、領域201を有する場合の例を、図4(B1)、図
4(B2)に示す。
が、表示領域111と、表示領域116と、表示領域112と、表示領域113と、を有
する場合の構成例を示している。ここで、表示領域112は、筐体101の側面の一つと
重なる領域を有するように設けられている。表示領域113は、筐体101の別の側面の
一つと重なる領域を有するように設けられている。なお、ここで、表示領域112が設け
られている側面は、例えば、表示領域113が設けられている側面よりも、長さの長い一
辺を有する。表示領域112が設けられている側面は、例えば、表示領域113が設けら
れている側面よりも、大きい面積を有する。ここで、図5(A)は、電子機器のおもて面
側を示す斜視概略図であり、図5(B)は裏面側を示す斜視概略図の一例である。図5(
C)は、図5(B)とは異なる場合の例である。また、領域201を有する場合の例を、
図6(A)、図6(B)、図6(C)、に示す。
や裏面にも表示を行うことが可能となる。特に、筐体の2以上の側面に沿って表示領域を
設けると、表示の多様性がより高まるため好ましい。
表示領域116と、側面に沿って配置された各表示領域は、それぞれ独立な表示領域とし
て用いて異なる画像等を表示してもよいし、いずれか2つ以上の表示領域にわたって一つ
の画像等を表示してもよい。例えば、筐体101のおもて面に沿って配置された表示領域
111に表示する画像を、筐体101の側面に沿って設けられる表示領域112や、筐体
101の裏面に沿って配置された表示領域116などにつながるように、連続して表示し
てもよい。
プリケーション等に関連付けられた複数のアイコンなどを表示してもよい。例えば、表示
領域112には、アプリケーション等に関連付けられたアイコンなどを表示してもよい。
と表示領域112)にわたって、文字情報などが流れる(移動する)ように表示すること
もできる。または、おもて面と側面と裏面とに沿って設けられる表示領域にわたって、文
字情報などが流れる(移動する)ように表示することもできる。このように筐体の2面以
上にわたって表示を行うことで、電子機器の向きによらず、例えば着信時などにおいてユ
ーザが情報を見逃してしまうことを防止することができる。
域112などの側面に沿って設けられる表示領域や、表示領域116などに、発信者情報
(例えば発信者の名前、電話番号、メールアドレス等)を表示する構成としてもよい。例
えば、メールの受信時に発信者情報が表示領域112および表示領域113に流れるよう
に表示されていてもよい。
表示領域111に複数のアイコン121が表示され、表示領域112にスライドバー12
5が表示されている。スライドバー125を指126等でタッチしながらスライドバーを
上下に動かすことで、図7(B)に示すように表示領域111に表示されたアイコン12
1等の表示内容がこれに対応して上下にスライドする。図7(A)、図7(B)ではスラ
イドバー125を指126により下方にスライドさせることで、複数のアイコン121等
の画像が表示領域111から表示領域113にわたって上方にスライドする様子を示して
いる。
れに限られず、起動するアプリケーションに応じて文書情報や画像、動画などさまざまな
情報をスライドして表示させることができる。また、スライドバー125は、表示領域1
12だけでなく、表示領域111、表示領域113、表示領域114、または、表示領域
116等に配置することもできる。
れる表示領域111、及び/又は、裏面に沿って設けられる表示領域116の表示をオフ
(例えば黒表示)とし、側面に沿って設けられる表示領域112等にのみ情報を表示する
ような状況にして、表示状態を切り替えるようにしてもよい。他に比べて面積の大きい表
示領域111や表示領域116の表示を行わないようにすることで、待機時の消費電力を
低減することができる。あるいは、逆に、表示領域111のみで表示させて、表示領域1
16や側面の表示領域などの少なくとも一つの領域では、表示を行わないようにして、使
用時の消費電力を低減することもできる。
れる表示領域116、側面に沿って設けられる表示領域112等、において、それらの一
部にのみ情報を表示するような状況にしてもよい。例えば、表示領域111と表示領域1
16でのみ表示を行い、側面に沿って設けられる表示領域112等では、表示をオフにし
て、表示しないような状況に切り替えてもよい。
チセンサなどのような入力装置を有していることが好ましい。タッチセンサとしては、例
えば、シート状の静電容量方式のタッチセンサを表示パネル110に重ねて設ける構成と
すればよい。または、表示パネル110自体にタッチセンサの機能を持たせたいわゆるイ
ンセル型のタッチセンサを用いてもよい。この場合には、表示パネル110は、表示する
機能だけでなく、タッチセンサとしての機能も有していると言える。インセル型のタッチ
パネルとしては、静電容量方式のタッチセンサを適用してもよいし、光電変換素子を用い
た光学式のタッチセンサを適用してもよい。または、表示パネル110の対向基板(トラ
ンジスタなどが設けられていない基板)において、タッチセンサの機能を持たせたいわゆ
るオンセル型のタッチセンサを適用してもよい。この場合にも、表示パネル110は、表
示する機能だけでなく、タッチセンサとしての機能も有していると言える。または、筐体
101の最表面に設けられ、傷などから守っているカバーやカバーガラスに、タッチセン
サの機能を持たせた、いわゆるカバー一体型のタッチパネルを適用してもよい。または、
表示パネル110が有する光学フィルムにおいて、タッチセンサの機能を持たせたタッチ
センサを適用してもよい。
とができる領域全体に設けられていることが望ましい。ただし、本発明の一態様は、これ
に限定されない。例えば、表示領域111、表示領域112、表示領域113、表示領域
114、表示領域115、表示領域116において、それぞれの領域の中の一部、または
、全部において、タッチセンサなどの入力装置が設けられていない領域を有していてもよ
い。例えば、表示領域116の全部、または、一部の領域において、タッチセンサなどの
入力装置が設けられていない領域を有していてもよい。または、表示領域112の全部、
または、一部の領域と、表示領域114の全部、または、一部の領域とにおいて、タッチ
センサなどの入力装置が設けられていない領域を有していてもよい。このように、タッチ
センサを設けない領域を有することによって、誤動作を防ぐことができる。また、電子機
器を持ちやすくすることができる。
域115、または、表示領域116のそれぞれに対するタッチ操作の組み合わせと、アプ
リケーションの動作とを関連付けることが好ましい。
組み合わせとアプリケーション動作の関連付けの例を示す。例えば、3つの表示領域全て
に対してタッチ操作をした場合に、電源のON、OFF動作を行う。また、表示領域11
2と表示領域114に対して同時にタッチ操作をした場合にはメールに関連するアプリケ
ーションが起動すると同時にメールの内容を表示する。また、表示領域112と表示領域
113に対して同時にタッチ操作をした場合には、電話を掛けるためのアプリケーション
が起動する。また、表示領域113と表示領域114に対して同時にタッチ操作をした場
合には、ブラウザを起動する。
ングシステムやアプリケーションソフトの開発者や、ユーザが適宜設定できることが好ま
しい。
タッチ操作することで、各々のアプリケーションの動作が行われるようにすると、意図し
ない動作が実行されてしまうことを抑制できる。
付けることで、直感的な動作を行うことができ、ユーザフレンドリなヒューマンインター
フェースを実現できる。
を行うことが可能であり、筐体の裏面においても表示を行うことが可能である。したがっ
て、従来の電子機器に比べて多様な表示表現を行うことが可能である。また、各表示領域
にタッチセンサを設けることで、従来の電子機器に比べて多様な操作を行うことが可能で
、より直感的な操作が可能な電子機器を実現できる。
本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、場合によっては、または、状況に応じ
て、本発明の一態様では、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、本発明の
一態様は、表示パネル110のかわりに、照明装置として用いてもよい。本発明の一態様
では、照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用する
ことができる。または、本発明の一態様は、様々な方向を照らすことができる照明として
活用することが出来る。または、本発明の一態様は、表示パネル110のかわりに、バッ
クライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、本発明の一態様は、
表示パネルの一部として、表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図8(A1)、
図8(A2)に、一例を示す。ここで、図8(A1)は、電子機器のおもて面側を示す斜
視概略図であり、図8(A2)は裏面側を示す斜視概略図の一例である。同様に、図8(
B1)、図8(B2)に、電子機器のおもて面側と裏面側を示す斜視概略図の一例を示す
。または、図9(A1)、図9(A2)に、電子機器のおもて面側と裏面側を示す斜視概
略図の一例を示す。または、図9(B1)、図9(B2)に、電子機器のおもて面側と裏
面側を示す斜視概略図の一例を示す。
て、図10(A1)、図10(A2)に、電子機器のおもて面側と裏面側を示す斜視概略
図の一例を示す。または、図10(B1)、図10(B2)に、電子機器のおもて面側と
裏面側を示す斜視概略図の一例を示す。または、図11(A1)、図11(A2)に、電
子機器のおもて面側と裏面側を示す斜視概略図の一例を示す。または、図11(B1)、
図11(B2)に、電子機器のおもて面側と裏面側を示す斜視概略図の一例を示す。
を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。それぞれの表示領域が、複数の表
示パネルを用いて、構成されていてもよい。例えば、表示領域111と、表示領域116
とは、それぞれ、異なる表示パネルを用いて構成されていてもよい。その場合の例を、図
12(A1)、図12(A2)に示す。ここで、図12(A1)は、電子機器のおもて面
側を示す斜視概略図であり、図12(A2)は裏面側を示す斜視概略図である。
の一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と、自由に組み合わせたり
、適用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、領域201に、一例として、撮像素子を配置した場合の例を示す。
なお、ここでは、図1(B1)、図1(B2)において、領域201に撮像素子が配置さ
れた場合を、一例として示す。ただし、本発明の一態様は、これに限定されない。様々な
他の図面、例えば、図2(B1)、図2(B2)などにおいても、同様に、領域201に
様々な素子などを配置することが出来る。
)は裏面側を示す斜視概略図である。領域201には、撮像素子202が設けられている
。なお、撮像素子202は、画像を撮影することができる機能を有している。よって、撮
像素子202は、カメラとしての機能を有している。そのため、撮像素子202は、レン
ズなど、様々な光学部品を有している場合もある。
て、静止画や動画などを撮影することができる。このとき、表示領域111には、例えば
、被写体205を撮影した画像206が表示されている。表示領域111には、リアルタ
イムに、被写体205の状況を表示することが出来る。そして、画像206を確認しなが
ら、被写体205の静止画や動画を撮影する。このとき、表示領域116には、被写体2
05の照度が低い場合には、一例として、照明用画像204が表示されている。照明用画
像204が表示された領域から、光が被写体205の方に照射される。その結果、被写体
205の照度を高くすることができる。よって、適切で綺麗な画像を撮影することができ
る。
本発明の一態様は、これに限定されない。照明用画像204として、表示色を変えること
によって、被写体205の方に照射される光の色を変えることができる。その結果、様々
な状態の被写体205を撮影することができる。例えば、周囲の環境光が、赤色っぽい場
合、青色っぽい場合、緑色っぽい場合などにおいて、照明用画像204の画像を、それぞ
れ適切な色にすることにより、適切な画像を撮影することができる。
えば、照明用画像204の表示が、白色の場合、電球色の場合と、昼白色の場合とで、撮
影を行う。そして、それらの画像を処理することによって、適切な撮影画像をえることが
出来る。
が望ましい。ただし、本発明の一態様は、これに限定されない。複数の領域を有し、それ
ぞれの領域において、異なる色の画像を適用してもよい。
の例を、図14(A1)、図14(A2)に示す。
2)は裏面側を示す斜視概略図である。図14(B)に示すように、撮像素子202と照
明素子203とを、被写体205のほうに向けて、静止画や動画などを撮影することがで
きる。このとき、表示領域111には、例えば、被写体205を撮影した画像206が表
示されている。表示領域111には、リアルタイムに、被写体205の状況を表示するこ
とが出来る。そして、画像206を確認しながら、被写体205の静止画や動画を撮影す
る。このとき、表示領域116にも、一例として、被写体205を撮影した画像207が
表示されている。その結果、被写体205は、画像207を見ながら、自分がどのように
撮影されているのかを確認することができる。よって、適切なアングルで画像を撮影する
ことができる。
そのため、表示される画像の大きさ、解像度、などが異なる場合がある。したがって、画
像206と、画像207とは、異なる画像である、ということもできる。ただし、画像2
06と、画像207とが、全く同じ大きさで、同じ解像度となるようにしてもよい。
に照射される。その結果、被写体205の照度を高くすることができる。よって、適切で
綺麗な画像を撮影することができる。
明の一態様は、これに限定されない。照明素子203として、発光色を変えることによっ
て、被写体205の方に照射される光の色を変えることができる。その結果、様々な状態
の被写体205を撮影することができる。例えば、周囲の環境光が、赤色っぽい場合、青
色っぽい場合、緑色っぽい場合などにおいて、照明素子203の発光色を、それぞれ適切
な色にすることにより、適切な画像を撮影することができる。
ば、照明素子203の発光色が、白色の場合、電球色の場合と、昼白色の場合とで、撮影
を行う。そして、それらの画像を処理することによって、適切な撮影画像をえることが出
来る。
い。ただし、本発明の一態様は、これに限定されない。複数の照明素子203を設けて、
それぞれにおいて、異なる色で発光させてもよい。
、照明用画像204も表示されていてもよいし、状況によっては、図15(B)に示すよ
うに、画像207が表示されずに、照明用画像204が表示されていてもよい。照明用画
像204からの光と、照明素子203からの光とを利用して、輝度を高くしたり、照明光
の色を変えたりすることができる。つまり、複数の照明素子として利用することもできる
。
発明の一態様は、これに限定されない。別の表示領域を活用することも可能である。
、図16(A1)、図16(A2)に示す。ここで、図16(A1)は、電子機器のおも
て面側を示す斜視概略図であり、図16(A2)は裏面側を示す斜視概略図である。同様
な例を、図16(B1)、図16(B2)に示す。ここで、図16(B1)は、電子機器
のおもて面側を示す斜視概略図であり、図16(B2)は裏面側を示す斜視概略図である
。
。したがって、撮影を実行するときに、アイコン208をタッチすることにより、作業を
実行することが出来る。または、ピントを合わせるときに、アイコン208をタッチする
ことにより、作業を実行することが出来る。
たが、本発明の一態様は、これに限定されない。専用のハードウェア、例えば、シャッタ
ーボタンなどを設けることによって、シャッター機能を実現してもよい。
の例を、図17(A1)、図17(A2)に示す。ここで、図17(A1)は、電子機器
のおもて面側を示す斜視概略図であり、図17(A2)は裏面側を示す斜視概略図である
。
て、スライダーのバーを動かすことによって、撮影するときの画像の拡大や縮小を行うこ
とができる。つまり、ズーム機能を制御することができる。このとき、撮像素子202が
有するレンズを制御して、光学的に拡大縮小を制御してもよいし、デジタル画像をソフト
ウェア的に制御して、拡大縮小させてもよい。したがって、撮影を実行する前に、アイコ
ン209のバーを動かすことにより、どれくらいの倍率で撮影するかを制御することが出
来る。
態様は、これに限定されない。専用のハードウェア、例えば、操作ボタンなどを設けるこ
とによって、ズーム機能を実現してもよい。
、表示されていてもよい。また、それぞれの表示領域には、さらに、様々なアイコン、文
字、画像などを表示することも可能である。
明素子203を配置することができる。そのため、例えば、撮像素子202には、大きな
レンズなどを配置することができる。または、撮像素子202も、大きな撮像素子202
を配置することができる。そのため、綺麗で、解像度の高い画像を撮影することができる
。
の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、領域201以外の場
所に、撮像素子202や照明素子203が設けられていてもよい。その場合の例を、図1
8(A1)、図18(A2)に示す。ここで、図18(A1)は、電子機器のおもて面側
を示す斜視概略図であり、図18(A2)は裏面側を示す斜視概略図である。同様に、別
の例を、図18(B1)、図18(B2)に示す。ここで、図18(B1)は、電子機器
のおもて面側を示す斜視概略図であり、図18(B2)は裏面側を示す斜視概略図である
。
2は、領域201に配置されていてもよい。または、すべての撮像素子202が、領域2
01以外の場所に配置されていてもよい。
されない。場合によっては、または、状況に応じて、領域201が設けられていなくても
よい。その場合、表示領域111と、表示領域116とは、一例としては、おおむね等し
い面積を有することとなる。この場合の例を、図19(A1)、図19(A2)に示す。
ここで、図19(A1)は、電子機器のおもて面側を示す斜視概略図であり、図19(A
2)は裏面側を示す斜視概略図である。同様に、別の例を、図19(B1)、図19(B
2)に示す。ここで、図19(B1)は、電子機器のおもて面側を示す斜視概略図であり
、図19(B2)は裏面側を示す斜視概略図である。
しているときに行ってもよいし、別の機能を実現するようなソフトウェアにおいて、その
一部として実行されていてもよい。例えば、テレビ電話としての機能を実現するようなソ
フトウェアを実行しているときに行ってもよい。
できる。ソフトウェアの場合、コンピュータから、電子機器にインストールしてもよいし
、有線または無線の電気通信回線を介して、電子機器にインストールしてもよい。または
、当初より、電子機器が有する記憶装置に、ソフトウェアが保存されていてもよい。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、領域201に、様々なものを配置した場合の例を示す。なお、ここ
では、図1(B1)、図1(B2)において、領域201に様々なものが配置された場合
の例を示すが、本発明の一態様は、これに限定されない。様々な他の図面、例えば、図2
(B1)、図2(B2)などにおいても、同様に、領域201に様々な素子などを配置す
ることが出来る。また、実施の形態2で述べたようなものも、領域201などに配置され
ていてもよい。
に示す。ここで、図20は、電子機器の裏面側を示す斜視概略図である。図20では、筐
体101から、ふたを外して、バッテリ401が取り外されているところを示している。
バッテリ401を筐体101の中に入れた場合には、バッテリ401の上に、ふたをして
、バッテリ401が落下しないようにすることができる。このように、領域201を設け
て、そこに、バッテリ401を配置することにより、バッテリ401の交換を容易に行う
ことが出来る。
は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、ふたが設けられてお
らず、バッテリ401が取り外せないようになっていてもよい。その場合、領域201に
バッテリ401が設けられているが、表示領域がないため、バッテリ401を厚くするこ
とができる。そのため、バッテリ401の容量を大きくすることができる。
1に示す。受信手段402としては、アンテナ、コイル、電極などがあげられる。ここで
、図21は、電子機器の裏面側を示す斜視概略図である。図21では、筐体101の内部
に、受信手段402が設けられていて、通信機器403と、無線でやり取りしているとこ
ろを示している。例えば、受信手段402は、NFC(ニア・フィールド・コミュニケー
ション)用のアンテナとして使用することができる。これを用いて、電子マネーや、クレ
ジットカードなどの機能を実現することができる。このとき、領域201は、表示領域1
16とは重ならないように位置している。そのため、例えば、タッチセンサも、領域20
1には、設けられていない。そのため、タッチセンサや表示パネルなどによって、電波、
磁気、電磁波などが邪魔されることがなく、受信手段402を効率良く利用することが出
来る。
信機能と送信機能とを両方を有していてもよい。例えば、受信手段402は、何等かの情
報、エネルギーなどを、やり取りすることが出来ればよい。
近距離通信用など、様々な用途で用いることができる。また、電子機器を充電するための
手段としても用いることができる。例えば、コイルやアンテナなどを用いることによって
、無線で電子機器を充電することができる。
場合の例を、図22に示す。ここで、図22は、電子機器の裏面側を示す斜視概略図であ
る。図22では、筐体101に、スピーカ404とスピーカ405とが設けられていると
ころを示している。一例としては、スピーカ404は、左耳用の音源を鳴らし、スピーカ
405は、右耳用の音源を鳴らすことができる。このように、領域201が設けられてい
るため、スピーカ404とスピーカ405とを、離して配置できる。そのため、立体感の
ある音を鳴らすことができる。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、表示パネル(表示装置)や電子機器を、曲げたり、折りたたんだり
して、様々なように変形して使用することができる場合の一例について述べる。まず、図
23(A)、図23(B)、図23(C)、を用いて説明する。
示す。図23(C)に表示パネル110が折り畳まれる形態(第2の形態)の電子機器1
50を示す。図23(B)に、折れ曲がっている状態の形態の電子機器150を示す。つ
まり、表示パネル110が展開される形態(第1の形態)、または、表示パネル110が
折り畳まれる形態(第2の形態)の一方から他方に変化する途中の形態の電子機器150
を、図23(B)に示す。なお、図23(B)、図23(C)では、表示パネル110が
、外側に見える形で、折り曲げている。ただし、本発明の一態様は、これに限定されない
。表示パネル110が、内側に隠れるような形で、折り曲げてもよい。
表示パネル110を有する。電子機器150は、さらに複数の支持パネル153aと、複
数の支持パネル155aと、複数の支持パネル155bとを有する。
つまり、曲がりにくい材料)で形成する。また、支持パネル155a、支持パネル155
bとしては、例えば、支持パネル153aよりも可撓性の低い材料(つまり、曲がりにく
い材料)で形成する。図23(A)、図23(B)、図23(C)に示すように、表示パ
ネル110の外周、及び表示パネル110の表示部と対向する面に支持パネルを有すると
、表示パネル110の機械的強度を高め、破損しにくい構造となり好ましい。
る材料で形成されると、表示パネル110が有する駆動回路部に外光が照射されることを
抑制できる。これにより、駆動回路部に用いるトランジスタ等の光劣化を抑制できるため
好適である。
50が有する演算部、記憶部、検知部等は、表示パネル110と支持パネル155bとの
間に配置することができる。
材料としては、プラスチック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチックや
ゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい支持パネルを得られるため好ましい。
例えば、支持パネル153a、支持パネル155a、支持パネル155bとして、シリコ
ーンゴム、ステンレス、またはアルミニウムを用いればよい。
曲げ、外曲げのいずれで折りたたむこともできる。電子機器150を使用しない際に、表
示パネル110が内側になるように曲げることで、表示パネル110にキズや汚れがつく
ことを抑制できる。
01が設けられている。そのため、一例としては、他の実施の形態と同様に、表示領域1
11は、表示領域116よりも、面積が大きい。領域201には、他の実施の形態と同様
に、様々なものを配置することができる。
。図24(A)は、おもて面の例を示しており、図24(B)は、裏面の例を示している
。領域201には、例えば、撮像素子202や照明素子203が配置されている。そして
、表示領域111には、例えば、画像206が表示されている。表示領域116には、例
えば、画像207が表示されている。図24(C)には、表示領域112において、例え
ば、アイコン208、アイコン209が表示されている場合を示す。図24(C)、図2
4(D)、図24(E)に示すように、スライダーのバーを動かすことにより、拡大縮小
などのズーム機能を制御することが出来る。
合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、領域201が設け
られていない場合の例を、図25(A)、図25(B)、図25(C)に示す。同様に、
折りたたんだ状態を、図26(A)、図26(B)に示す。図26(B)については、図
26(C)や、図26(D)などのようになっていてもよい。
ついて示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。折り目の場所が複数あっても
よい。例えば、折り目の場所が3つある場合の例を、図27(A)に示す。また、例えば
、折り目の場所が4つある場合の例を、図27(B)に示す。なお、これらの場合でも同
様に、領域201が設けられていなくてもよい。その場合の例を、図27(C)に示す。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することができる折り曲げ可能な
タッチパネルの構成について、図28を参照しながら説明する。
おもて面図である。
。
本実施の形態で例示するタッチパネル300は表示部301を有する(図28(A)参
照)。
は表示部301に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素308を用
いてタッチセンサを構成することができる。
び発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
きる配線と、電気的に接続される。
回路303g(1)と、画像信号を画素302に供給することができる画像信号線駆動回
路303s(1)を備える。
。
ができる配線と電気的に接続される。
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、および撮像画素回路が光を
検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
回路303g(2)と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路303s(2)を備える
。
タッチパネル300は、基板310および基板310に対向する対向基板370を有す
る(図28(B)参照)。
防ぐバリア膜310aおよび基板310bとバリア膜310aを貼り合わせる接着層31
0cが積層された積層体である。
散を防ぐバリア膜370aおよび基板370bとバリア膜370aを貼り合わせる接着層
370cの積層体である(図28(B)参照)。
は空気より大きい屈折率を備え、光学接合層を兼ねる。画素回路および発光素子(例えば
発光素子350R)は基板310と対向基板370の間にある。
画素302は、副画素302R、副画素302Gおよび副画素302Bを有する(図2
8(C)参照)。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを備え、副画素302
Gは発光モジュール380Gを備え、副画素302Bは発光モジュール380Bを備える
。
ことができるトランジスタ302tを含む画素回路を備える(図28(B)参照)。また
、発光モジュール380Rは発光素子350Rおよび光学素子(例えば着色層367R)
を備える。
極352の間に発光性の有機化合物を含む層353を有する(図28(C)参照)。
および発光ユニット353aと発光ユニット353bの間に中間層354を備える。
の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。
材360を有する。
Rが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止材360および着色層367Rを透過し
て、図中の矢印に示すように発光モジュール380Rの外部に射出される。
態様は、これに限定されない。
素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々
な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例として
は、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機E
L素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDな
ど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、
電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプ
レイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表
示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シ
ャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレ
ーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、
エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、
など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示
媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイ
などがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションデ
ィスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−c
onduction Electron−emitter Display)などがある
。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレ
イ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投
射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一
例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶デ
ィスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機
能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム
、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、SRAMな
どの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減すること
ができる。
タッチパネル300は、遮光層367BMを対向基板370に有する。遮光層367B
Mは、着色層(例えば着色層367R)を囲むように設けられている。
射防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
を覆っている。なお、絶縁膜321は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁膜を、絶縁膜321に適用することができる。
る。
に有する(図28(C)参照)。また、基板310と対向基板370の間隔を制御するス
ペーサ329を、隔壁328上に有する。
画像信号線駆動回路303s(1)は、トランジスタ303tおよび容量303cを含
む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図2
8(B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁膜321上に第2のゲートを有してい
てもよい。第2のゲートはトランジスタ303tのゲートと電気的に接続されていてもよ
いし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第2のゲート
をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
撮像画素308は、光電変換素子308pおよび光電変換素子308pに照射された光
を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ308t
を含む。
タッチパネル300は、信号を供給することができる配線311を備え、端子319が
配線311に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することが
できるFPC309(1)が端子319に電気的に接続されている。
い。
t、トランジスタ308t等のトランジスタに適用できる。
ンジスタを適用できる。
線および電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッ
ケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステ
ンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用
いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜
を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグ
ネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層す
る二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜
と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さ
らにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化
モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜ま
たは銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層
構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用い
てもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まる
ため好ましい。
タのチャネルが形成される半導体に、一例としては、シリコンを用いることが好ましい。
シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを
用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなど
を用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成
でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。こ
のような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。
また極めて高精細に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画
素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減すること
ができる。
られるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特
にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリ
コンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、ト
ランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはAl、Ti、
Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される酸化物を含
む。
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。
高いトランジスタを実現できる。
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の諧調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
後の実施の形態で詳細に説明する。
む構成を素子層と呼ぶこととする。素子層は例えば表示素子を含み、表示素子の他に表示
素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていて
もよい。
とする。
接素子層を形成する方法と、基材とは異なる剛性を有する支持基材上に素子層を形成した
後、素子層と支持基材とを剥離して素子層を基材に転置する方法と、がある。
、基材上に直接素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基材
を支持基材に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容
易になるため好ましい。
持基材上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基
材と素子層を剥離し、基材に転置する。このとき、支持基材と剥離層の界面、剥離層と絶
縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。
物を含む層を積層して用い、剥離層上に窒化シリコンや酸窒化シリコンを複数積層した層
を用いることが好ましい。高融点金属材料を用いると、素子層の形成工程の自由度が高ま
るためこのましい。
一部に液体を滴下して剥離界面全体に浸透させることなどにより剥離を行ってもよい。ま
たは、熱膨張の違いを利用して剥離界面に熱を加えることにより剥離を行ってもよい。
例えば、支持基材としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用いて
、有機樹脂の一部をレーザ光等を用いて局所的に加熱することにより剥離の起点を形成し
、ガラスと絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。または、支持基材と有機樹脂からなる絶
縁層の間に金属層を設け、当該金属層に電流を流すことにより当該金属層を加熱すること
により、当該金属層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂からなる
絶縁層は基材として用いることができる。
エチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエ
ーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の
低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が30×10−6/K以下である
ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、
繊維体に樹脂を含浸した基板(プリプレグとも記す)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜ
て熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラ
ス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いても良い。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いるこ
とが出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はT
FD(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素
子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することができる折り曲げ可能な
タッチパネルの構成について、図29を参照しながら説明する。
ネル500は、基板510、基板570および基板590を有する。なお、基板510、
基板570および基板590はいずれも可撓性を有する。
することができる複数の配線511を備える。複数の配線511は、基板510の外周部
にまで引き回され、その一部が端子519を構成している。端子519はFPC509(
1)と電気的に接続する。
基板590には、タッチセンサ595と、タッチセンサ595と電気的に接続する複数
の配線598を備える。複数の配線598は基板590の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2)と電気的に接続される。
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
用することができる。
591は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598
の他のいずれかと電気的に接続する。
極592と配線594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ595を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
91をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極592を、電極59
1と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣
接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、
透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
び電極592、電極591及び電極592を覆う絶縁層593並びに隣り合う電極591
を電気的に接続する配線594を備える。
板570に貼り合わせている。
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いる
ことができる。
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極59
1及び電極592を形成することができる。グラフェンはCVD法のほか、酸化グラフェ
ンを分散した溶液を塗布した後にこれを還元して形成してもよい。
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。
591を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めること
ができるため、配線594に好適に用いることができる。また、電極591及び電極59
2より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることが
できる。
。
を電気的に接続している。
はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
部は、端子として機能する。配線598としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
することができる。
nductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropi
c Conductive Paste)などを用いることができる。
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。
表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。
合について説明するが、表示素子はこれに限られない。異なる色の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子、例えば、赤色の有機エレクトロルミネッセンス素子と、青色の有機エレク
トロルミネッセンス素子と、緑色の有機エレクトロルミネッセンス素子と、を用いてもよ
い。
子粉流体方式などにより表示を行う表示素子(電子インクともいう)、シャッター方式の
MEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子など、様々な表示素子を用いることが
できる。なお、適用する表示素子に好適な構成を、様々な画素回路から選択して用いるこ
とができる。
防ぐバリア膜510aおよび基板510bとバリア膜510aを貼り合わせる接着層51
0cが積層された積層体である。
防ぐバリア膜570aおよび基板570bとバリア膜570aを貼り合わせる接着層57
0cの積層体である。
大きい屈折率を備える。また、封止材560側に光を取り出す場合は、封止材560は光
学接合層を兼ねる。画素回路および発光素子(例えば発光素子550R)は基板510と
基板570の間にある。
画素は、副画素502Rを含み、副画素502Rは発光モジュール580Rを備える。
できるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール580Rは
発光素子550Rおよび光学素子(例えば着色層567R)を備える。
合物を含む層を有する。
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈す
る光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素
子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
子550Rと着色層567Rに接する。
Rが発する光の一部は着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュー
ル580Rの外部に射出される。
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば着色層567R)を囲むように設けられている。
pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
ている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適
用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ502t等
の信頼性の低下を抑制できる。
、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサを、隔壁528上に有する。
走査線駆動回路503g(1)は、トランジスタ503tおよび容量503cを含む。
なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
表示部501は、信号を供給することができる配線511を備え、端子519が配線5
11に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができる
FPC509(1)が端子519に電気的に接続されている。
い。
様々なトランジスタを表示部501に適用できる。
および図29(B)に図示する。
示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
02tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
に図示する。
9(C)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することが
できる。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することができる折り曲げ可能な
タッチパネルの構成について、図30を参照しながら説明する。
が設けられている側に表示する表示部501を備える点およびタッチセンサが表示部の基
板510側に設けられている点が、実施の形態6で説明するタッチパネル500とは異な
る。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は
、上記の説明を援用する。
表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。
画素は、副画素502Rを含み、副画素502Rは発光モジュール580Rを備える。
できるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。
を備える。
合物を含む層を有する。
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈す
る光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素
子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
光素子550Rは、トランジスタ502tが設けられている側に光を射出する。これによ
り、発光素子550Rが発する光の一部は着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば着色層567R)を囲むように設けられている。
ている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適
用することができる。これにより、例えば着色層567Rから拡散する予期せぬ不純物に
よるトランジスタ502t等の信頼性の低下を抑制できる。
タッチセンサ595は、表示部501の基板510側に設けられている(図30(A)
参照)。
95を貼り合わせる。
様々なトランジスタを表示部501に適用できる。
および図30(B)に図示する。
示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
02tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
に図示する。
0(C)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することが
できる。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な半導体装置の半導体層に
好適に用いることのできる酸化物半導体について説明する。
な条件で加工し、そのキャリア密度を十分に低減して得られた酸化物半導体膜が適用され
たトランジスタにおいては、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)
を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものとすることができる
。
)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体
を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザとして、それら
に加えてガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)
、チタン(Ti)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタノイド(例えば
、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd))から選ばれた一種、ま
たは複数種が含まれていることが好ましい。
化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸
化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、In−Ga−Zn系酸化物(IGZO
とも表記する)、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−
Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Z
n系酸化物、In−Zr−Zn系酸化物、In−Ti−Zn系酸化物、In−Sc−Zn
系酸化物、In−Y−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸
化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化
物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物
、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、
In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、I
n−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−
Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、I
n−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外
の金属元素が入っていてもよい。
)で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれ
た一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザとしての元素を示す
。また、酸化物半導体として、In2SnO5(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数)
で表記される材料を用いてもよい。
:Zn=1:3:4、In:Ga:Zn=1:3:6、In:Ga:Zn=3:1:2あ
るいはIn:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成
の近傍の酸化物を用いるとよい。
素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、トランジス
タのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜の形成
後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から、水素、又は水分を
除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
酸素も同時に減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水
素化処理)によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理
を行うことが好ましい。本明細書等において、酸化物半導体膜に酸素を供給する場合を、
加酸素化処理と記す場合がある、または酸化物半導体膜に含まれる酸素を化学量論的組成
よりも多くする場合を過酸素化処理と記す場合がある。
が除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化また
はi型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。
なお、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく
(ゼロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下
、1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下、
特に好ましくは8×1011/cm3以下、さらに好ましくは1×1011/cm3以下
、さらに好ましくは1×1010/cm3以下であり、1×10−9/cm3以上である
であることをいう。
、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。例えば、酸化物半導体膜を用いたトランジス
タがオフ状態のときのドレイン電流を、室温(25℃程度)にて1×10−18A以下、
好ましくは1×10−21A以下、さらに好ましくは1×10−24A以下、または85
℃にて1×10−15A以下、好ましくは1×10−18A以下、さらに好ましくは1×
10−21A以下とすることができる。なお、トランジスタがオフ状態とは、nチャネル
型のトランジスタの場合、ゲート電圧がしきい値電圧よりも十分小さい状態をいう。具体
的には、ゲート電圧がしきい値電圧よりも1V以上、2V以上または3V以上小さければ
、トランジスタはオフ状態となる。なお、これらの電流値は、ソースとドレインとの間の
電圧が、一例としては、1V、5V、または、10Vの場合のものである。
非単結晶酸化物半導体膜とは、CAAC−OS(C Axis Aligned Cry
stalline Oxide Semiconductor)膜、多結晶酸化物半導体
膜、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶ
こともできる。
。
tron Microscope)によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち
結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、C
AAC−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
察)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹
凸を反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
EM観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
31(a)をさらに拡大した断面TEM像であり、理解を容易にするために原子配列を強
調表示している。
nm)の局所的なフーリエ変換像である。図31(c)より、各領域においてc軸配向性
が確認できる。また、A−O間とO−A’間とでは、c軸の向きが異なるため、異なるグ
レインであることが示唆される。また、A−O間では、c軸の角度が14.3°、16.
6°、26.4°のように少しずつ連続的に変化していることがわかる。同様に、O−A
’間では、c軸の角度が−18.3°、−17.6°、−15.9°と少しずつ連続的に
変化していることがわかる。
観測される。例えば、CAAC−OS膜の上面に対し、例えば1nm以上30nm以下の
電子線を用いる電子回折(ナノビーム電子回折ともいう。)を行うと、スポットが観測さ
れる(図32(A)参照。)。
ていることがわかる。
体内に収まる大きさである。従って、CAAC−OS膜に含まれる結晶部は、一辺が10
nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。た
だし、CAAC−OS膜に含まれる複数の結晶部が連結することで、一つの大きな結晶領
域を形成する場合がある。例えば、平面TEM像において、2500nm2以上、5μm
2以上または1000μm2以上となる結晶領域が観察される場合がある。
装置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS
膜のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属され
ることから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に
概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
lane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸
化物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)
として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面
に帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを
56°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
不規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平
行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
行った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面ま
たは上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC−OS膜の
形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形成
面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
。例えば、CAAC−OS膜の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長に
よって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりもc軸配向した結晶
部の割合が高くなることがある。また、不純物の添加されたCAAC−OS膜は、不純物
が添加された領域が変質し、部分的にc軸配向した結晶部の割合の異なる領域が形成され
ることもある。
法による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現
れる場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍
にピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリ
コンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸
化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させ
る要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半
径(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜
の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不
純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによっ
てキャリア発生源となることがある。
は実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体
膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、当
該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(ノ
ーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度
真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体
膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる
。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する
時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高
く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定とな
る場合がある。
性の変動が小さい。
きない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以
下、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10n
m以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocrys
tal)を有する酸化物半導体膜を、nc−OS(nanocrystalline O
xide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、T
EMによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、nc−OSを
、RANC(Random Aligned nanocrystals)を有する酸化
物半導体、またはNANC(Non−Aligned nanocrystals)を有
する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OS膜は、異な
る結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。
従って、nc−OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない
場合がある。例えば、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD
装置を用いて構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面を
示すピークが検出されない。また、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径
(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子回折(制限視野電子回折ともいう。)を行
うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OS膜に対し、
結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回
折を行うと、スポットが観測される。また、nc−OS膜に対しナノビーム電子回折を行
うと、円を描くように(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、n
c−OS膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観
測される場合がある(図32(B)参照。)。
のため、nc−OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし
、nc−OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−
OS膜は、CAAC−OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
AAC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
析が可能となる場合がある。
の試料室14と、試料室14の下の光学系16と、光学系16の下の観察室20と、観察
室20に設置されたカメラ18と、観察室20の下のフィルム室22と、を有する透過電
子回折測定装置を示す。カメラ18は、観察室20内部に向けて設置される。なお、フィ
ルム室22を有さなくても構わない。
。透過電子回折測定装置内部では、電子銃室10に設置された電子銃から放出された電子
が、光学系12を介して試料室14に配置された物質28に照射される。物質28を通過
した電子は、光学系16を介して観察室20内部に設置された蛍光板32に入射する。蛍
光板32では、入射した電子の強度に応じたパターンが現れることで透過電子回折パター
ンを測定することができる。
影することが可能である。カメラ18のレンズの中央、および蛍光板32の中央を通る直
線と、蛍光板32の上面と、の為す角度は、例えば、15°以上80°以下、30°以上
75°以下、または45°以上70°以下とする。該角度が小さいほど、カメラ18で撮
影される透過電子回折パターンは歪みが大きくなる。ただし、あらかじめ該角度がわかっ
ていれば、得られた透過電子回折パターンの歪みを補正することも可能である。なお、カ
メラ18をフィルム室22に設置しても構わない場合がある。例えば、カメラ18をフィ
ルム室22に、電子24の入射方向と対向するように設置してもよい。この場合、蛍光板
32の裏面から歪みの少ない透過電子回折パターンを撮影することができる。
ダは、物質28を通過する電子を透過するような構造をしている。ホルダは、例えば、物
質28をX軸、Y軸、Z軸などに移動させる機能を有していてもよい。ホルダの移動機能
は、例えば、1nm以上10nm以下、5nm以上50nm以下、10nm以上100n
m以下、50nm以上500nm以下、100nm以上1μm以下などの範囲で移動させ
る精度を有すればよい。これらの範囲は、物質28の構造によって最適な範囲を設定すれ
ばよい。
る方法について説明する。
を変化させる(スキャンする)ことで、物質の構造が変化していく様子を確認することが
できる。このとき、物質28がCAAC−OS膜であれば、図32(A)に示したような
回折パターンが観測される。または、物質28がnc−OS膜であれば、図32(B)に
示したような回折パターンが観測される。
と同様の回折パターンが観測される場合がある。したがって、CAAC−OS膜の良否は
、一定の範囲におけるCAAC−OS膜の回折パターンが観測される領域の割合(CAA
C化率ともいう。)で表すことができる場合がある。例えば、良質なCAAC−OS膜で
あれば、CAAC化率は、50%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%
以上、より好ましくは95%以上となる。なお、CAAC−OS膜と異なる回折パターン
が観測される領域の割合を非CAAC化率と表記する。
気における450℃加熱処理後のCAAC−OS膜を有する各試料の上面に対し、スキャ
ンしながら透過電子回折パターンを取得した。ここでは、5nm/秒の速度で60秒間ス
キャンしながら回折パターンを観測し、観測された回折パターンを0.5秒ごとに静止画
に変換することで、CAAC化率を導出した。なお、電子線としては、プローブ径が1n
mのナノビームを用いた。なお、同様の測定は6試料に対して行った。そしてCAAC化
率の算出には、6試料における平均値を用いた。
AAC化率は75.7%(非CAAC化率は24.3%)であった。また、450℃加熱
処理後のCAAC−OS膜のCAAC化率は85.3%(非CAAC化率は14.7%)
であった。成膜直後と比べて、450℃加熱処理後のCAAC化率が高いことがわかる。
即ち、高い温度(例えば400℃以上)における加熱処理によって、非CAAC化率が低
くなる(CAAC化率が高くなる)ことがわかる。また、500℃未満の加熱処理におい
ても高いCAAC化率を有するCAAC−OS膜が得られることがわかる。
折パターンであった。また、測定領域において非晶質酸化物半導体膜は、確認することが
できなかった。したがって、加熱処理によって、nc−OS膜と同様の構造を有する領域
が、隣接する領域の構造の影響を受けて再配列し、CAAC化していることが示唆される
。
OS膜の平面TEM像である。図33(B)と図33(C)とを比較することにより、4
50℃加熱処理後のCAAC−OS膜は、膜質がより均質であることがわかる。即ち、高
い温度における加熱処理によって、CAAC−OS膜の膜質が向上することがわかる。
となる場合がある。
を用い、スパッタリング法によって成膜する。
ンが起こる。具体的には、基板温度を100℃以上740℃以下、好ましくは200℃以
上500℃以下として成膜する。成膜時の基板温度を高めることで、スパッタリング粒子
が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の平ら
な面が基板に付着する。このとき、スパッタリング粒子が正に帯電することで、スパッタ
リング粒子同士が反発しながら基板に付着するため、スパッタリング粒子が偏って不均一
に重なることがなく、厚さの均一なCAAC−OS膜を成膜することができる。
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素及び窒素など)を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100
体積%とする。
物半導体膜はスパッタリング法を用いて成膜する。具体的には、基板温度を100℃以上
500℃以下、好ましくは150℃以上450℃以下とし、成膜ガス中の酸素割合を30
体積%以上、好ましくは100体積%として成膜する。
とする。加熱処理の温度は、350℃以上740℃以下、好ましくは450℃以上650
℃以下とする。また、加熱処理の時間は1分以上24時間以下、好ましくは6分以上4時
間以下とする。また、加熱処理は、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で行えばよい。好ま
しくは、不活性雰囲気で加熱処理を行った後、酸化性雰囲気で加熱処理を行う。不活性雰
囲気での加熱処理により、第1の酸化物半導体膜の不純物濃度を短時間で低減することが
できる。一方、不活性雰囲気での加熱処理により第1の酸化物半導体膜に酸素欠損が生成
されることがある。その場合、酸化性雰囲気での加熱処理によって該酸素欠損を低減する
ことができる。なお、加熱処理は1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下また
は1Pa以下の減圧下で行ってもよい。減圧下では、第1の酸化物半導体膜の不純物濃度
をさらに短時間で低減することができる。
0nm以上である場合と比べ、加熱処理によって容易に結晶化させることができる。
0nm以下の厚さで成膜する。第2の酸化物半導体膜はスパッタリング法を用いて成膜す
る。具体的には、基板温度を100℃以上500℃以下、好ましくは150℃以上450
℃以下とし、成膜ガス中の酸素割合を30体積%以上、好ましくは100体積%として成
膜する。
させることで、結晶性の高い第2のCAAC−OS膜とする。加熱処理の温度は、350
℃以上740℃以下、好ましくは450℃以上650℃以下とする。また、加熱処理の時
間は1分以上24時間以下、好ましくは6分以上4時間以下とする。また、加熱処理は、
不活性雰囲気または酸化性雰囲気で行えばよい。好ましくは、不活性雰囲気で加熱処理を
行った後、酸化性雰囲気で加熱処理を行う。不活性雰囲気での加熱処理により、第2の酸
化物半導体膜の不純物濃度を短時間で低減することができる。一方、不活性雰囲気での加
熱処理により第2の酸化物半導体膜に酸素欠損が生成されることがある。その場合、酸化
性雰囲気での加熱処理によって該酸素欠損を低減することができる。なお、加熱処理は1
000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下または1Pa以下の減圧下で行ってもよ
い。減圧下では、第2の酸化物半導体膜の不純物濃度をさらに短時間で低減することがで
きる。
ができる。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
他の実施の形態において、様々な例について示した。ただし、本発明の一態様は、これ
らに限定されない。
ることが出来る。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例
としては、単結晶シリコンを有するトランジスタ、または、非晶質シリコン、多結晶シリ
コン、微結晶(マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言う)シリ
コンなどに代表される非単結晶半導体膜を有するトランジスタなどを用いることが出来る
。または、それらの半導体を薄膜化した薄膜トランジスタ(TFT)などを用いることが
出来る。TFTを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よ
りも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることが
できる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多く
の個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。または、製造温度が低いた
め、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透光性を有する基板上にトラン
ジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトランジスタを用いて表示素子で
の光の透過を制御することが出来る。または、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジ
スタを形成する膜の一部は、光を透過させることが出来る。そのため、開口率を向上させ
ることができる。
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。そ
の結果、ゲートドライバ回路(走査線駆動回路)、ソースドライバ回路(信号線駆動回路
)、及び信号処理回路(信号生成回路、ガンマ補正回路、DA変換回路など)を基板上に
一体形成することが出来る。
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。こ
のとき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させること
も可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部(アナログスイッチなど)及びゲー
トドライバ回路(走査線駆動回路)を基板上に一体形成することが出来る。なお、結晶化
のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる
。そのため、画質の向上した画像を表示することが出来る。ただし、触媒(ニッケルなど
)を用いずに、多結晶シリコン又は微結晶シリコンを製造することは可能である。
で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリ
コンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選
択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域
にのみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、又はソースドラ
イバ回路の一部(例えば、アナログスイッチ)の領域にのみ、にレーザー光を照射しても
よい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向
上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上
されなくても、問題なく画素回路を動作させることが出来る。こうすることによって、結
晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることが出来る。そのため
、スループットが向上し、製造コストを低減させることが出来る。または、必要とされる
製造装置の数も少ない数で製造できるため、製造コストを低減させることが出来る。
)、又は酸化物半導体(例えば、ZnO、InGaZnO、IZO(インジウム亜鉛酸化
物)、ITO(インジウム錫酸化物)、SnO、TiO、AlZnSnO(AZTO)、
ITZO(In−Sn−Zn−O)など)などを有するトランジスタを用いることが出来
る。または、これらの化合物半導体、又は、これらの酸化物半導体を薄膜化した薄膜トラ
ンジスタなどを用いることが出来る。これらにより、製造温度を低くできるので、例えば
、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例え
ばプラスチック基板又はフィルム基板などに直接トランジスタを形成することが出来る。
なお、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いる
だけでなく、それ以外の用途で用いることも出来る。例えば、これらの化合物半導体又は
酸化物半導体を配線、抵抗素子、画素電極、又は透光性を有する電極などとして用いるこ
とができる。それらをトランジスタと同時に成膜又は形成することが可能なため、コスト
を低減できる。
ランジスタなどを用いることが出来る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又
は大型基板上に製造することができる。よって、マスク(レチクル)を用いなくても製造
することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。
または、レジストを用いらずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数を
削減できる。または、必要な部分にのみ膜を付けることが可能なので、全面に成膜した後
でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
ンジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジ
スタを形成することが出来る。有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ
を用いた装置は、衝撃に強くすることができる。
。例えば、トランジスタとして、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポー
ラトランジスタなどを用いることが出来る。トランジスタとしてMOS型トランジスタを
用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることが出来る。よって、多数のト
ランジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用い
ることにより、大きな電流を流すことが出来る。よって、高速に回路を動作させることが
できる。なお、MOS型トランジスタとバイポーラトランジスタとを1つの基板に混在さ
せて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが
出来る。
マルチゲート構造のトランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チ
ャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる
。よって、マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上(信頼性
の向上)を図ることができる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時
に、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があま
り変化せず、傾きがフラットである電圧・電流特性を得ることができる。傾きがフラット
である電圧・電流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ
能動負荷を実現することが出来る。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回
路などを実現することが出来る。
造のトランジスタを適用することができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される構
造にすることにより、複数のトランジスタが並列に接続されたような回路構成となる。よ
って、チャネル領域が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネル
の上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるた
め、S値の改善を図ることができる。
構造、チャネル領域の下にゲート電極が配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構
造、チャネル領域を複数の領域に分けた構造、チャネル領域を並列に接続した構造、又は
チャネル領域が直列に接続する構造などのトランジスタを用いることができる。または、
トランジスタとして、プレーナ型、FIN型(フィン型)、TRI−GATE型(トライ
ゲート型)、トップゲート型、ボトムゲート型、ダブルゲート型(チャネルの上下にゲー
トが配置されている)、など、様々な構成をとることが出来る。
ドレイン電極が重なっている構造のトランジスタを用いることができる。チャネル領域(
もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすることによって、チャ
ネル領域の一部に電荷が溜まることにより動作が不安定になることを防ぐことができる。
を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上(信頼性の向上)を
図ることができる。または、LDD領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、
ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレイン電流があまり変化せず、傾きがフ
ラットな電圧・電流特性を得ることができる。
来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半
導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを
有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り
合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一
例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライム
ガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては
、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチ
レンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチ
ックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例と
しては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどが
ある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着
フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はSOI基板などを
用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが
少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このよ
うなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化
を図ることができる。
し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一例
としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファ
ン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板
(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しく
は再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革
基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジ
スタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付
与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
ス基板、プラスチック基板、単結晶基板、又はSOI基板など)に形成することが可能で
ある。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減
による信頼性の向上を図ることができる。
能である。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ある基板に形成
され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、別の基板に形成されてい
ることが可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラ
ス基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基板
(又はSOI基板)に形成されることが可能である。そして、所定の機能を実現させるた
めに必要な回路の別の一部が形成される単結晶基板(ICチップともいう)を、COG(
Chip On Glass)によって、ガラス基板に接続して、ガラス基板にそのIC
チップを配置することが可能である。または、ICチップを、TAB(Tape Aut
omated Bonding)、COF(Chip On Film)、SMT(Su
rface Mount Technology)、又はプリント基板などを用いてガラ
ス基板と接続することが可能である。このように、回路の一部が画素部と同じ基板に形成
されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数
の低減による信頼性の向上を図ることができる。特に、駆動電圧が大きい部分の回路、又
は駆動周波数が高い部分の回路などは、消費電力が大きくなってしまう場合が多い。そこ
で、このような回路を、画素部とは別の基板(例えば単結晶基板)に形成して、ICチッ
プを構成する。このICチップを用いることによって、消費電力の増加を防ぐことができ
る。
ことを規定した発明を構成することが出来る。または、ある値について、上限値と下限値
などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで、または
、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明を規定することができる
。これらにより、例えば、従来技術が本発明の技術的範囲内に入らないことを規定するこ
とができる。
記載されているとする。その場合、その回路が、第6のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造を有してい
る第6のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。または
、その回路が、ある特定の接続構造を有している容量素子を有していない、と規定して発
明を構成することができる。例えば、ゲートが第3のトランジスタのゲートと接続されて
いる第6のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。または、
例えば、第1の電極が第3のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有してい
ない、と発明を規定することが可能である。
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−2V
以上1V以下である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、
ある電圧が、13V以上である場合を除く、と発明を規定することが可能である。なお、
例えば、その電圧が、5V以上8V以下であると発明を規定することも可能である。なお
、例えば、その電圧が、概略9Vであると発明を規定することも可能である。なお、例え
ば、その電圧が、3V以上10V以下であるが、9Vである場合を除くと発明を規定する
ことも可能である。
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−2V以上1V以下
である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、ある電圧が、
13V以上である場合を除く、と発明を規定することが可能である。
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶縁膜であ
る場合を除く、と発明を規定することが可能である。
られている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、4層以上の積層膜
である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Aとその膜と
の間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である。
。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例えば、送
受信システムの場合において、A社が送信機を製造および販売し、B社が受信機を製造お
よび販売する場合がある。別の例としては、TFTおよび発光素子を有する発光装置の場
合において、TFTが形成された半導体装置は、A社が製造および販売する。そして、B
社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜して、発光装置として
完成させる、という場合がある。
の一態様を、構成することが出来る。従って、A社またはB社に対して、特許侵害を主張
できるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が
出来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみで発明の一態様を構成する
ことができ、受信機のみで発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様は
、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては、
TFTおよび発光素子を有する発光装置の場合において、TFTが形成された半導体装置
のみで発明の一態様を構成することができ、TFTおよび発光素子を有する発光装置のみ
で発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書
等に記載されていると判断することが出来る。
容量素子、抵抗素子など)などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、受動素子(容量素子、抵抗素子な
ど)などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そのため、例えば、能動素子(トランジスタ、ダイオード
など)、配線、受動素子(容量素子、抵抗素子など)、導電層、絶縁層、半導体層、有機
材料、無機材料、部品、装置、動作方法、製造方法などが単数又は複数記載された図面ま
たは文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能である
ものとする。例えば、N個(Nは整数)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を有し
て構成される回路図から、M個(Mは整数で、M<N)の回路素子(トランジスタ、容量
素子等)を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の例としては、N
個(Nは整数)の層を有して構成される断面図から、M個(Mは整数で、M<N)の層を
抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、N個(
Nは整数)の要素を有して構成されるフローチャートから、M個(Mは整数で、M<N)
の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
「幅」などで規定する場合、物体が収まる最小の立方体における一辺の長さ、または物体
の一断面における円相当径と読み替えてもよい。物体の一断面における円相当径とは、物
体の一断面と等しい面積となる正円の直径をいう。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
濃度が0.1atomic%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、
例えば、半導体膜にキャリアトラップが形成されることや、キャリア移動度が低下するこ
とや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体膜が酸化物半導体膜である
場合、半導体膜の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、
第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(
水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などが
ある。酸化物半導体の場合、不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また
、半導体膜がシリコン膜である場合、半導体膜の特性を変化させる不純物としては、例え
ば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある
。
をいう。または、過剰酸素とは、例えば、加熱することで放出される酸素をいう。過剰酸
素は、例えば、膜や層の内部を移動することができる。過剰酸素の移動は、膜や層の原子
間を移動する場合と、膜や層を構成する酸素と置き換わりながら玉突き的に移動する場合
とがある。また、過剰酸素を含む絶縁膜は、例えば、加熱処理によって酸素を放出する機
能を有する絶縁膜である。
配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、
「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう
。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。
ト、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タンタ
ルまたはタングステンを含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。または、透
過性を有する導電膜としては、例えば、In−Zn−W酸化物膜、In−Sn酸化物膜、
In−Zn酸化物膜、酸化インジウム膜、酸化亜鉛膜および酸化スズ膜などの酸化物膜を
用いればよい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量添加されても
よい。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm以上30nm以下程度)
を用いることもできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合
金膜を用いてもよい。または、可視光を効率よく反射する膜としては、例えば、リチウム
、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ランタン、銀、シリコンまたはニッケルを含む
膜を用いればよい。
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
または酸化タンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。または、ポリ
イミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いても構わ
ない。
。
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第1の」を
「第2の」または「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。
、フォトリソグラフィ工程で形成したマスクは除去するものとする。
設ける場合がある。その場合、ここでは、2つのゲートを区別するため、ゲートと通常呼
ばれる端子を”フロントゲート”と呼び、他方を”バックゲート”と呼ぶことにする。
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
の電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、
電圧差と言い換えることが可能である。なお電圧とは2点間における電位差のことをいい
、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な
位置エネルギー)のことをいう。
必ずしも、0ボルトであるとは限定されない。
御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは
、IGFET(Insulated Gate Field Effect Trans
istor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor
)を含む。
含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレ
イン領域またはドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極)の
間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流す
ことが出来るものである。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作
条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困
難である。そこで、ソースとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソ
ース又はドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例として、ソースとドレインとの
一方を、第1端子、第1電極、又は第1領域と表記し、ソースとドレインとの他方を、第
2端子、第2電極、又は第2領域と表記する場合がある。
場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている
場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとす
る。ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜
、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示さ
れた接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文
章に記載されているものとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であ
り、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに
、XとYとが、接続されている場合である。
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、X
とYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとY
とが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとY
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とが電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟ん
で接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYと
の間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されてい
る場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)
とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明
示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同
様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は
、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジス
タのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気
的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の
接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介
して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、
前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なく
とも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気
的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタの
ソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3
の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは
、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
成されている、と明示的に記載する場合は、Xの上にYが直接接して形成されていること
に限定されない。直接接してはいない場合、つまり、XとYと間に別の対象物が介在する
場合も含むものとする。ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、
電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
記載されている場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に
直接接して別の層(例えば層Zなど)が形成されていて、その上に直接接して層Yが形成
されている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Zなど)は、単層でもよい
し、複層(積層)でもよい。
様であり、Xの上にYが直接接していることに限定されず、XとYとの間に別の対象物が
介在する場合も含むものとする。従って例えば、層Xの上方に、層Yが形成されている、
という場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に直接接し
て別の層(例えば層Zなど)が形成されていて、その上に直接接して層Yが形成されてい
る場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Zなど)は、単層でもよいし、複層
(積層)でもよい。
成されている、と明示的に記載する場合、Xの斜め上にYが形成される場合も含むことと
する。
、「右に」、「左に」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、「外に」、又は
「中に」などの空間的配置を示す語句は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との関
連を、図によって簡単に示すために用いられる場合が多い。ただし、これに限定されず、
これらの空間的配置を示す語句は、図に描く方向に加えて、他の方向を含むことが可能で
ある。例えば、Xの上にY、と明示的に示される場合は、YがXの上にあることに限定さ
れない。図中のデバイスは反転、又は180°回転することが可能なので、YがXの下に
あることを含むことが可能である。このように、「上に」という語句は、「上に」の方向
に加え、「下に」の方向を含むことが可能である。ただし、これに限定されず、図中のデ
バイスは様々な方向に回転することが可能なので、「上に」という語句は、「上に」、及
び「下に」の方向に加え、「横に」、「右に」、「左に」、「斜めに」、「奥に」、「手
前に」、「内に」、「外に」、又は「中に」などの他の方向を含むことが可能である。つ
まり、状況に応じて適切に解釈することが可能である。
応用、上位概念化、又は、下位概念化したものに相当する。したがって、本実施の形態の
一部または全部について、他の実施の形態の一部または全部と自由に組み合わせたり、適
用したり、置き換えて実施することができる。
12 光学系
14 試料室
16 光学系
18 カメラ
20 観察室
22 フィルム室
32 蛍光板
101 筐体
110 表示パネル
111 表示領域
112 表示領域
113 表示領域
114 表示領域
115 表示領域
116 表示領域
121 アイコン
125 スライドバー
126 指
150 電子機器
153a 支持パネル
155a 支持パネル
155b 支持パネル
201 領域
202 撮像素子
203 照明素子
204 照明用画像
205 被写体
206 画像
207 画像
208 アイコン
209 アイコン
300 タッチパネル
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
310 基板
310a バリア膜
310b 基板
310c 接着層
311 配線
319 端子
321 絶縁膜
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 層
353a 発光ユニット
353b 発光ユニット
354 中間層
360 封止材
367BM 遮光層
367p 反射防止層
367R 着色層
370 対向基板
370a バリア膜
370b 基板
370c 接着層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
401 バッテリ
402 受信手段
403 通信機器
404 スピーカ
405 スピーカ
500 タッチパネル
500B タッチパネル
501 表示部
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g(1) 走査線駆動回路
503t トランジスタ
509 FPC
510 基板
510a バリア膜
510b 基板
510c 接着層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止材
567BM 遮光層
567p 反射防止層
567R 着色層
570 基板
570a バリア膜
570b 基板
570c 接着層
580R 発光モジュール
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
Claims (7)
- 表示装置と、第1乃至第3の面と、を有する電子機器であって、
前記第1の面は、前記第2の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第2の面は、前記第3の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第1の面は、前記第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第1の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第2の表示領域は、前記第2の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第3の表示領域は、前記第3の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第3の表示領域よりも、大きな面積を有することを特徴とする電子機器。 - 表示装置と、入力装置と、第1乃至第3の面と、を有する電子機器であって、
前記第1の面は、前記第2の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第2の面は、前記第3の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第1の面は、前記第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第1の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第2の表示領域は、前記第2の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第3の表示領域は、前記第3の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記入力装置は、前記第1の表示領域と重なるように設けられている領域と、前記第2の表示領域と重なるように設けられている領域と、前記第3の表示領域と重なるように設けられている領域と、を有し、
前記第1の表示領域は、前記第3の表示領域よりも、大きな面積を有することを特徴とする電子機器。 - 表示装置と、第1乃至第3の面と、を有する電子機器であって、
前記第1の面は、前記第2の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第2の面は、前記第3の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第1の面は、前記第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第1の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第2の表示領域は、前記第2の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第3の表示領域は、前記第3の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域において、タッチセンサとしての機能を有し、
前記第1の表示領域は、前記第3の表示領域よりも、大きな面積を有することを特徴とする電子機器。 - 表示装置と、撮像素子と、第1乃至第3の面と、を有する電子機器であって、
前記第1の面は、前記第2の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第2の面は、前記第3の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第1の面は、前記第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第1の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第2の表示領域は、前記第2の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第3の表示領域は、前記第3の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、前記第1の表示領域において、前記撮像素子によって得られる第1の画像を表示することができる機能を有し、
前記表示装置は、前記第2の表示領域において、前記撮像素子によって得られる第2の画像を表示することができる機能を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電子機器であって、
前記第2の面は、側面であることを特徴とする電子機器。 - 表示装置と、撮像素子と、第1乃至第3の面と、を有する電子機器の駆動方法であって、
前記第1の面は、前記第2の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第2の面は、前記第3の面と、接するように設けられている領域を有し、
前記第1の面は、前記第3の面と、対向するように設けられている領域を有し、
前記表示装置は、第1乃至第3の表示領域を有し、
前記第1の表示領域は、前記第1の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第2の表示領域は、前記第2の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第3の表示領域は、前記第3の面と重なるように設けられている領域を有し、
前記第1の表示領域において、前記撮像素子によって得られた第1の画像を表示し、
前記第2の表示領域において、前記撮像素子によって得られた第2の画像を表示することを特徴とする電子機器の駆動方法。 - 請求項6に記載の電子機器の駆動方法であって、
前記第2の面は、側面であることを特徴とする電子機器の駆動方法。
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