TW201920915A - 分光器 - Google Patents
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Abstract
本發明之分光器1A包括：光檢測元件20，其設置有光通過部21、第1光檢測部22及第2光檢測部26；支持體30，其以形成空間S之方式固定於光檢測元件20；第1反射部11，其設置於支持體30，且於空間S內將通過光通過部21之光L1反射；第2反射部12A，其設置於光檢測元件20，且於空間S內將由第1反射部11反射之光L1反射；及分光部40A，其設置於支持體30，且於空間S內將由第2反射部12A反射之光L1對第1光檢測部22分光並且反射。第2光檢測部26係於包圍第2反射部12A之區域配置有複數個。
Description
本發明係關於一種將光分光並進行檢測之分光器、及分光器之製造方法。
例如，於專利文獻1中記載有一種分光器，該分光器包括：光入射部；分光部，其將自光入射部入射之光分光並且反射；光檢測元件，其對經分光部分光並且反射之光進行檢測；及箱狀之支持體，其支持光入射部、分光部及光檢測元件。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2000-298066號公報
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2000-298066號公報
[發明所欲解決之問題]
對於如上所述之分光器，根據用途之擴展，要求進一步之小型化。但是，分光器越是小型化，越是容易因各種原因而導致分光器之檢測精度降低。
因此，本發明之目的在於提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之分光器包括：光檢測元件，其設置有光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部；支持體，其以於與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部之間形成空間之方式固定於光檢測元件；第1光學部，其設置於支持體，且於空間內將通過光通過部之光反射；第2光學部，其設置於光檢測元件，且於空間內將由第1光學部反射之光反射；及第3光學部，其設置於支持體，且於空間內將由第2光學部反射之光相對於第1光檢測部反射；第2光學部或第3光學部係於空間內將入射之光分光並且反射，且第2光檢測部係於包圍第2光學部之區域內配置有複數個。
該分光器中，於由光檢測元件及支持體形成之空間內形成自光通過部至第1光檢測部之光徑。藉此，可謀求分光器之小型化。進而，複數個第2光檢測部配置於包圍第2光學部之區域。藉此，可於包圍第2光學部之區域監視分光前之光之狀態，而可恰當地調整通過光通過部之光之入射NA(Numerical Aperture，數值孔徑)及入射方向等。由此，根據該分光器，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
本發明之一態樣之分光器中，第1光學部亦可為於空間內將通過光通過部之光反射的第1反射部，第2光學部亦可為於空間內將由第1反射部反射之光反射的第2反射部，第3光學部亦可為於空間內將由第2反射部反射之光對第1光檢測部分光並且反射的分光部。根據該構成，已通過光通過部之光依次於第1反射部及第2反射部反射並入射至分光部。藉此，易於調整入射至分光部之光之入射方向、及該光之擴散或收斂狀態，因此，即便縮短自分光部至第1光檢測部之光徑長度，亦能夠使經分光部分光之光精度良好地聚光至第1光檢測部之特定位置。
本發明之一態樣之分光器中，第1光學部亦可為於空間內將通過光通過部之光反射的第1反射部，第2光學部亦可為於空間內將由第1反射部反射之光分光並且反射的分光部，第3光學部亦可為於空間內將由分光部予以分光並且反射之光對第1光檢測部反射的第2反射部。根據該構成，分光部與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部一同設置於光檢測元件，因此，可精度良好地維持光通過部、分光部、第1光檢測部及第2光檢測部之相互之位置關係。進而，藉由將與第1反射部及第2反射部相比製造容易複雜化的分光部與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部一同設置於光檢測元件，可使支持體之良率、乃至於分光器之良率提高。
本發明之一態樣之分光器中，於自通過光通過部之光之光軸方向觀察之情形時，光通過部、第1光學部、第2光學部、第3光學部及第1光檢測部亦可沿著基準線排列，且於光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部亦可於與基準線平行之方向及與基準線垂直之方向之各方向上隔著第2光學部相互對向。根據該構成，可於與基準線平行之方向及與基準線垂直之方向之各方向監視入射至第2光學部之光之偏移方向。
本發明之一態樣之分光器中，複數個第2光檢測部亦能以包圍第2光學部之方式沿著第2光學部之外緣排列。根據該構成，可於第2光學部之周圍整體監視入射至第2光學部之光之偏移方向。
本發明之一態樣之分光器中，複數個第2光檢測部亦可於包圍第2光學部之區域內呈二維狀地排列。根據該構成，可於第2光學部之周圍整體對入射至第2光學部之光之偏移方向以影像之形式進行監視。
本發明之一態樣之分光器中，亦可於支持體設置與第1光檢測部及第2光檢測部電性連接之配線，且配線之第1光檢測部及第2光檢測部側之端部亦可於光檢測元件與支持體之固定部與設置於光檢測元件之端子連接。
本發明之一態樣之分光器中，支持體之材料亦可為陶瓷。根據該構成，可抑制因使用分光器之環境之溫度變化等而導致的支持體之膨脹及收縮。因此，可抑制因分光部與第1光檢測部之位置關係產生偏移而導致的檢測精度之降低(由第1光檢測部檢測出之光之峰值波長之位移等)。
本發明之一態樣之分光器中，空間亦可由包含光檢測元件及支持體而構成之封裝體氣密性地密封。根據該構成，可抑制因由濕氣所引起的空間內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
本發明之一態樣之分光器中，空間亦可由收容光檢測元件及支持體之封裝體氣密性地密封。根據該構成，可抑制因由濕氣所引起的空間內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
本發明之一態樣之分光器包括：光檢測元件，其設置有光通過部及光檢測部；支持體，其以於與光通過部及光檢測部之間形成空間之方式固定於光檢測元件；第1反射部，其設置於支持體，且於空間內將通過光通過部之光反射；分光部，其設置於光檢測元件，且於空間內將由第1反射部反射之光分光並且反射；及第2反射部，其設置於支持體，且於空間內將由分光部予以分光並且反射之光對光檢測部反射。
該分光器中，於由光檢測元件及支持體所形成之空間內形成自光通過部至光檢測部之光徑。藉此，可謀求分光器之小型化。進而，分光部與光通過部及光檢測部一同設置於光檢測元件。藉此，可精度良好地維持光通過部、分光部及光檢測部之相互之位置關係。由此，根據該分光器，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
本發明之一態樣之分光器之製造方法包括：第1步驟，其係準備設置有第1反射部及第2反射部之支持體；第2步驟，其係準備設置有光通過部、分光部及光檢測部之光檢測元件；及第3步驟，其係於上述第1步驟及上述第2步驟之後，以形成空間之方式固定上述支持體與上述光檢測元件，藉此，於上述空間內形成如下光徑：通過上述光通過部之光由上述第1反射部反射，由上述第1反射部反射之光由上述分光部予以分光並且反射，由上述分光部予以分光並且反射之光由上述第2反射部反射，並且由上述第2反射部反射之光入射至上述光檢測部。
該分光器之製造方法中，僅藉由將設置有第1反射部及第2反射部之支持體與設置有光通過部、分光部及光檢測部之光檢測元件固定，便於空間內形成自光通過部到達至光檢測部之光徑。由此，根據該分光器之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化的分光器。再者，第1步驟及第2步驟之實施順序為任意。
[發明之效果]
根據本發明，能夠提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
對於如上所述之分光器，根據用途之擴展，要求進一步之小型化。但是，分光器越是小型化，越是容易因各種原因而導致分光器之檢測精度降低。
因此，本發明之目的在於提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之分光器包括：光檢測元件，其設置有光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部；支持體，其以於與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部之間形成空間之方式固定於光檢測元件；第1光學部，其設置於支持體，且於空間內將通過光通過部之光反射；第2光學部，其設置於光檢測元件，且於空間內將由第1光學部反射之光反射；及第3光學部，其設置於支持體，且於空間內將由第2光學部反射之光相對於第1光檢測部反射；第2光學部或第3光學部係於空間內將入射之光分光並且反射，且第2光檢測部係於包圍第2光學部之區域內配置有複數個。
該分光器中，於由光檢測元件及支持體形成之空間內形成自光通過部至第1光檢測部之光徑。藉此，可謀求分光器之小型化。進而，複數個第2光檢測部配置於包圍第2光學部之區域。藉此，可於包圍第2光學部之區域監視分光前之光之狀態，而可恰當地調整通過光通過部之光之入射NA(Numerical Aperture，數值孔徑)及入射方向等。由此，根據該分光器，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
本發明之一態樣之分光器中，第1光學部亦可為於空間內將通過光通過部之光反射的第1反射部，第2光學部亦可為於空間內將由第1反射部反射之光反射的第2反射部，第3光學部亦可為於空間內將由第2反射部反射之光對第1光檢測部分光並且反射的分光部。根據該構成，已通過光通過部之光依次於第1反射部及第2反射部反射並入射至分光部。藉此，易於調整入射至分光部之光之入射方向、及該光之擴散或收斂狀態，因此，即便縮短自分光部至第1光檢測部之光徑長度，亦能夠使經分光部分光之光精度良好地聚光至第1光檢測部之特定位置。
本發明之一態樣之分光器中，第1光學部亦可為於空間內將通過光通過部之光反射的第1反射部，第2光學部亦可為於空間內將由第1反射部反射之光分光並且反射的分光部，第3光學部亦可為於空間內將由分光部予以分光並且反射之光對第1光檢測部反射的第2反射部。根據該構成，分光部與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部一同設置於光檢測元件，因此，可精度良好地維持光通過部、分光部、第1光檢測部及第2光檢測部之相互之位置關係。進而，藉由將與第1反射部及第2反射部相比製造容易複雜化的分光部與光通過部、第1光檢測部及第2光檢測部一同設置於光檢測元件，可使支持體之良率、乃至於分光器之良率提高。
本發明之一態樣之分光器中，於自通過光通過部之光之光軸方向觀察之情形時，光通過部、第1光學部、第2光學部、第3光學部及第1光檢測部亦可沿著基準線排列，且於光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部亦可於與基準線平行之方向及與基準線垂直之方向之各方向上隔著第2光學部相互對向。根據該構成，可於與基準線平行之方向及與基準線垂直之方向之各方向監視入射至第2光學部之光之偏移方向。
本發明之一態樣之分光器中，複數個第2光檢測部亦能以包圍第2光學部之方式沿著第2光學部之外緣排列。根據該構成，可於第2光學部之周圍整體監視入射至第2光學部之光之偏移方向。
本發明之一態樣之分光器中，複數個第2光檢測部亦可於包圍第2光學部之區域內呈二維狀地排列。根據該構成，可於第2光學部之周圍整體對入射至第2光學部之光之偏移方向以影像之形式進行監視。
本發明之一態樣之分光器中，亦可於支持體設置與第1光檢測部及第2光檢測部電性連接之配線，且配線之第1光檢測部及第2光檢測部側之端部亦可於光檢測元件與支持體之固定部與設置於光檢測元件之端子連接。
本發明之一態樣之分光器中，支持體之材料亦可為陶瓷。根據該構成，可抑制因使用分光器之環境之溫度變化等而導致的支持體之膨脹及收縮。因此，可抑制因分光部與第1光檢測部之位置關係產生偏移而導致的檢測精度之降低(由第1光檢測部檢測出之光之峰值波長之位移等)。
本發明之一態樣之分光器中，空間亦可由包含光檢測元件及支持體而構成之封裝體氣密性地密封。根據該構成，可抑制因由濕氣所引起的空間內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
本發明之一態樣之分光器中，空間亦可由收容光檢測元件及支持體之封裝體氣密性地密封。根據該構成，可抑制因由濕氣所引起的空間內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
本發明之一態樣之分光器包括：光檢測元件，其設置有光通過部及光檢測部；支持體，其以於與光通過部及光檢測部之間形成空間之方式固定於光檢測元件；第1反射部，其設置於支持體，且於空間內將通過光通過部之光反射；分光部，其設置於光檢測元件，且於空間內將由第1反射部反射之光分光並且反射；及第2反射部，其設置於支持體，且於空間內將由分光部予以分光並且反射之光對光檢測部反射。
該分光器中，於由光檢測元件及支持體所形成之空間內形成自光通過部至光檢測部之光徑。藉此，可謀求分光器之小型化。進而，分光部與光通過部及光檢測部一同設置於光檢測元件。藉此，可精度良好地維持光通過部、分光部及光檢測部之相互之位置關係。由此，根據該分光器，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
本發明之一態樣之分光器之製造方法包括：第1步驟，其係準備設置有第1反射部及第2反射部之支持體；第2步驟，其係準備設置有光通過部、分光部及光檢測部之光檢測元件；及第3步驟，其係於上述第1步驟及上述第2步驟之後，以形成空間之方式固定上述支持體與上述光檢測元件，藉此，於上述空間內形成如下光徑：通過上述光通過部之光由上述第1反射部反射，由上述第1反射部反射之光由上述分光部予以分光並且反射，由上述分光部予以分光並且反射之光由上述第2反射部反射，並且由上述第2反射部反射之光入射至上述光檢測部。
該分光器之製造方法中，僅藉由將設置有第1反射部及第2反射部之支持體與設置有光通過部、分光部及光檢測部之光檢測元件固定，便於空間內形成自光通過部到達至光檢測部之光徑。由此，根據該分光器之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化的分光器。再者，第1步驟及第2步驟之實施順序為任意。
[發明之效果]
根據本發明，能夠提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
以下，參照圖式對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。再者，於各圖中對相同或相當部分標註相同符號並省略重複之說明。
[第1實施形態]
如圖1及圖2所示，分光器1A具備光檢測元件20、支持體30、第1反射部(第1光學部)11、第2反射部(第2光學部)12A、分光部(第3光學部)40A、及蓋部50。於光檢測元件20設置有光通過部21、第1光檢測部22、複數個第2光檢測部26及0次光捕捉部23。於支持體30設置有用以對第1光檢測部22及第2光檢測部26輸入輸出電信號的配線13。支持體30係以於與光通過部21、第1光檢測部22、複數個第2光檢測部26及0次光捕捉部23之間形成空間S之方式固定於光檢測元件20。作為一例，分光器1A係形成為其X軸方向、Y軸方向及Z軸方向之各方向之長度為10 mm以下的長方體狀。再者，配線13及支持體30係構成為成形電路零件(MID：Molded Interconnect Device，模塑互連器件)者。
於自通過光通過部21之光L1之光軸方向(即Z軸方向)觀察之情形時，光通過部21、第1反射部11、第2反射部12A、分光部40A、第1光檢測部22及0次光捕捉部23係沿著於X軸方向延伸之基準線RL排列。在分光器1A中，通過光通過部21之光L1係由第1反射部11及第2反射部12A依次反射並入射至分光部40A，且由分光部40A予以分光並且反射。而且，由分光部40A予以分光並且反射之光中的0次光L0以外之光L2係入射至第1光檢測部22而由第1光檢測部22予以檢測。由分光部40予以分光並且反射之光中的0次光L0係入射至0次光捕捉部23而由0次光捕捉部23捕捉。自光通過部21至分光部40A之光L1之光徑、自分光部40A至第1光檢測部22之光L2之光徑、及自分光部40A至0次光捕捉部23之0次光L0之光徑形成於空間S內。
光檢測元件20具有基板24。基板24例如利用矽等半導體材料形成為矩形板狀。光通過部21係形成於基板24上之狹縫，且沿Y軸方向延伸。0次光捕捉部23係形成於基板24之狹縫，且於光通過部21與第1光檢測部22之間沿Y軸方向延伸。再者，光通過部21之光L1之入射側之端部係於X軸方向及Y軸方向之各方向，朝向光L1之入射側逐漸擴展。又，0次光捕捉部23中之與0次光L0之入射側為相反側之端部係於X軸方向及Y軸方向之各方向，朝向與0次光L0之入射側為相反側逐漸擴展。藉由以0次光L0傾斜地入射至0次光捕捉部23之方式構成，可更確實地抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S。
第1光檢測部22係設置於基板24之空間S側之表面24a。更具體而言，使第1光檢測部22並非貼附於基板24，而嵌入至包含半導體材料之基板24。即，第1光檢測部22包括在包含半導體材料之基板24內之第一導電型之區域、及設置於該區域內之第二導電型之區域形成的複數個光電二極體。第1光檢測部22係例如構成為光電二極體陣列、C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)影像感測器、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)影像感測器等者，且具有沿著基準線RL排列之複數個光檢測通道。具有不同波長之光L2入射至第1光檢測部22之各光檢測通道。各第2光檢測部26係與第1光檢測部22同樣地為嵌入至基板24之光電二極體，且配置於包圍第2反射部12A之區域。於基板24之表面24a設置有用以相對於第1光檢測部22及第2光檢測部26輸入輸出電信號的複數個端子25。再者，第1光檢測部22及第2光檢測部26可構成為正面入射型之光電二極體，或者，亦可構成為背面入射型之光電二極體。於例如第1光檢測部22及第2光檢測部26構成為正面入射型之光電二極體之情形時，第1光檢測部22及第2光檢測部26位於與光通過部21之光出射口相同之高度(即，基板24之空間S側之表面24a)。又，於例如第1光檢測部22及第2光檢測部26構成為背面入射型之光電二極體之情形時，第1光檢測部22及第2光檢測部26位於與光通過部21之光入射口相同之高度(即，基板24之與空間S側為相反側之表面24b)。
如圖3所示，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著第2反射部12A相互對向。於與基準線RL平行之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿Y軸方向延伸之長條狀之形狀。於與基準線RL垂直之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿X軸方向延伸之長條狀之形狀。
如圖1及圖2所示，支持體30包含底壁部31、一對側壁部32、及一對側壁部33。底壁部31係介隔空間S於Z軸方向與光檢測元件20對向。於底壁部31形成有於空間S側開口之凹部34、朝與空間S側為相反側突出之複數個凸部35、及於空間S側及其相反側開口之複數個貫通孔36。一對側壁部32係介隔空間S於X軸方向而相互對向。一對側壁部33係介隔空間S於Y軸方向而相互對向。底壁部31、一對側壁部32及一對側壁部33係利用AlN、Al2 O3 等陶瓷一體地形成。
第1反射部11係設置於支持體30。更具體而言，第1反射部11係介隔成形層41設置於底壁部31之空間S側之表面31a中凹部34之內面34a之球面狀之區域。第1反射部11係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的凹面反射鏡，於空間S內將已通過光通過部21之光L1相對於第2反射部12A而反射。再者，第1反射部11亦可不介隔成形層41而直接設置於凹部34之內面34a之球面狀之區域。
第2反射部12A係設置於光檢測元件20。更具體而言，第2反射部12A係設置於基板24之表面24a中的、光通過部21與0次光捕捉部23之間之區域。第2反射部12A係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的平面反射鏡，於空間S內將經第1反射部11反射之光L1相對於分光部40A而反射。
分光部40A係設置於支持體30。更具體而言，如下所述。即，於底壁部31之表面31a，以覆蓋凹部34之方式配置有成形層41。成形層41係沿著凹部34之內面34a而形成為膜狀。於與內面34a中球面狀之區域對應之成形層41之特定區域，形成有例如與鋸齒狀剖面之閃耀式光柵、矩形狀剖面之二元光柵、正弦波狀剖面之全訊光柵等對應的光柵圖案41a。於成形層41之表面，以覆蓋光柵圖案41a之方式形成有例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜之反射膜42。反射膜42係按照光柵圖案41a之形狀形成。按照光柵圖案41a之形狀形成之反射膜42之空間S側之表面成為作為反射型光柵之分光部40A。再者，成形層41係藉由將成形模具抵壓至成形材料(例如，光硬化性之環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、氟系樹脂、聚矽氧、有機・無機混成樹脂等複製用光學樹脂等)並於該狀態下使成形材料硬化(例如，利用UV(Ultraviolet，紫外線)光等之光硬化、熱硬化等)而形成。
如上所述，分光部40A係設置於底壁部31之表面31a中凹部34之內面34a之球面狀之區域。分光部40A包含沿著基準線RL排列之複數個光柵槽，於空間S內將經第2反射部12A反射之光L1相對於第1光檢測部22而分光並且反射。再者，分光部40A並不限定於如上述般直接形成於支持體30者。例如，亦可藉由將包含分光部40A、及形成有分光部40A之基板的分光元件貼附於支持體30而將分光部40A設置於支持體30。
各配線13包含第1光檢測部22及第2光檢測部26側之端部13a、與第1光檢測部22及第2光檢測部26側為相反側之端部13b、及連接部13c。各配線13之端部13a係以與光檢測元件20之各端子25對向之方式位於各側壁部32之端面32a。各配線13之端部13b位於底壁部31之與空間S側為相反側之表面31b中各凸部35之表面。各配線13之連接部13c係於各側壁部32之空間S側之表面32b、底壁部31之表面31a、及各貫通孔36之內面，自端部13a至端部13b。藉由如此般沿支持體30之空間S側之表面牽引配線13，可防止配線13之劣化。
對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a係藉由例如包含Au、焊料等之凸塊14而連接。分光器1A中，藉由複數個凸塊14，支持體30固定於光檢測元件20，並且複數根配線13與光檢測元件20之第1光檢測部22及第2光檢測部26電性連接。如此，各配線13之端部13a係於光檢測元件20與支持體30之固定部與光檢測元件20之各端子25連接。
蓋部50係固定於光檢測元件20之基板24之、與空間S側為相反側之表面24b。蓋部50包含光透過構件51與遮光膜52。光透過構件51係藉由例如石英、硼矽酸玻璃(BK7)、Pyrex(註冊商標)玻璃、可伐玻璃等使光L1透過之材料而形成為矩形板狀。遮光膜52係形成於光透過構件51之空間S側之表面51a。於遮光膜52，以於Z軸方向與光檢測元件20之光通過部21對向之方式形成有光通過開口52a。光通過開口52a係形成於遮光膜52之狹縫，且沿Y軸方向延伸。分光器1A中，藉由遮光膜52之光通過開口52a及光檢測元件20之光通過部21規定入射至空間S之光L1之入射NA。
再者，於檢測紅外線之情形時，作為光透過構件51之材料，矽、鍺等亦較為有效。又，亦可對光透過構件51實施AR(Anti Reflection，抗反射)塗佈或者使其具有僅使特定波長之光透過之濾光片功能。又，作為遮光膜52之材料，例如，可使用黑色光阻、Al等。但是，就抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S之觀點而言，作為遮光膜52之材料，黑色光阻較為有效。
又，蓋部5亦可進而包含形成於光透過構件51之與空間S側為相反側之表面之遮光膜。於此情形時，以於Z軸方向與光檢測元件20之光通過部21對向之方式，於該遮光膜形成光通過開口，藉此，可使用該遮光膜之光通過開口、遮光膜52之光通過開口52a及光檢測元件20之光通過部21精度更佳地規定入射至空間S之光L1之入射NA。作為該遮光膜之材料，可與遮光膜52同樣地使用例如黑色光阻、Al等。又，於蓋部50進而包含上述遮光膜之情形時，亦能以於Z軸方向與光檢測元件20之0次光捕捉部23對向之方式於遮光膜52形成光通過開口。於此情形時，可更確實地抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S。
於基板24之表面24a與各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a之間，配置有例如包含樹脂等之密封構件15。又，於底壁部31之貫通孔36內，配置有例如包含玻璃珠等之密封構件16，並且填充有包含樹脂之密封構件17。分光器1A中，空間S由包含光檢測元件20、支持體30、蓋部50及密封構件15、16、17作為構成之封裝體60氣密性地密封。於將分光器1A安裝至外部之電路基板時，各配線13之端部13b作為電極墊發揮功能。再者，亦可代替於基板24之表面24b配置蓋部50，而於基板24之光通過部21及0次光捕捉部23填充透光性之樹脂，藉此將基板24之光通過部21及0次光捕捉部23氣密性地密封。又，於底壁部31之貫通孔36內，亦可不配置例如包含玻璃珠等之密封構件16，而僅填充包含樹脂之密封構件17。
如以上說明所述，在分光器1A中，於由光檢測元件20及支持體30形成之空間S內，形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。藉此，可謀求分光器1A之小型化。進而，複數個第2光檢測部26配置於包圍第2反射部12A之區域。藉此，可於包圍第2反射部12A之區域，監視分光前之光L1之狀態，而可恰當地調整通過光通過部21之光L1之入射NA及入射方向等。由此，根據分光器1A，可抑制檢測精度降低並謀求小型化。
又，分光器1A中，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著第2反射部12A相互對向。藉此，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向上監視入射至第2反射部12A之光L1的偏移方向。
再者，如圖4所示，複數個第2光檢測部26亦能以包圍第2反射部12A之方式沿著第2反射部12A之外緣排列。於此情形時，可於第2反射部12A之周圍整體監視入射至第2反射部12A之光之偏移方向。又，如圖5(a)所示，複數個第2光檢測部26亦可於與基準線RL平行之方向之第2反射部12A之兩側、及與基準線RL垂直之方向之第2反射部12A之兩側呈一維狀地排列。於此情形時，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向更詳細地監視入射至第2反射部12A之光L1之偏移方向。又，如圖5(b)所示，複數個第2光檢測部26亦可於包圍第2反射部12A之區域內呈二維狀地排列。於此情形時，可於第2反射部12A之周圍整體對入射至第2反射部12A之光L1之偏移方向以影像之形式進行監視。
又，分光器1A中，已通過光通過部21之光L1依次於第1反射部11及第2反射部12A反射並入射至分光部40A。藉此，易於調整入射至分光部40A之光L1之入射方向、及該光L1之擴散或收斂狀態，因此，即便縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度，亦能夠使經分光部40A分光之光L2精度良好地聚光至第1光檢測部22之特定位置。
又，分光器1A中，第1反射部11成為凹面反射鏡。藉此，可利用第1反射部11抑制光L1之擴散角，因此，可增大通過光通過部21之光L1之入射NA而提高感度或者可進一步縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度而謀求分光器1B之進一步之小型化。具體而言，如下所述。即，於第1反射部11為凹面反射鏡之情形時，光L1係以被準直般之狀態照射至分光部40A。因此，與光L1一面擴散一面照射至分光部40A之情形相比，分光部40A將光L2聚光至第1光檢測部22之距離可較短。因此，可增大該光L1之入射NA而提高感度或者可進一步縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度而謀求分光器1B之進一步之小型化。
又，分光器1A中，於支持體30設置有與第1光檢測部22及第2光檢測部26電性連接之配線13。而且，配線13之第1光檢測部22及第2光檢測部26側之端部13a係於光檢測元件20與支持體30之固定部，與設置於光檢測元件20之端子25連接。藉此，可謀求第1光檢測部22及第2光檢測部26與配線13之電性連接之確實化。
又，分光器1A中，支持體30之材料成為陶瓷。藉此，可抑制因使用分光器1A之環境之溫度變化、第1光檢測部22及第2光檢測部之發熱等而導致的支持體30之膨脹及收縮。因此，可抑制因分光部40A與第1光檢測部22之位置關係產生偏移而導致的檢測精度之降低(由第1光檢測部22檢測出之光之峰值波長之位移等)。對於分光器1A，因實現了小型化，故而有如下擔憂：即便為微小之光徑之變化，亦對光學系統造成較大之影響，而導致檢測精度降低。因此，尤其是，如上述般分光部40A直接形成於支持體30之情形時，抑制支持體30之膨脹及收縮極為重要。
又，分光器1A中，空間S由包含光檢測元件20及支持體30作為構成之封裝體60氣密性地密封。藉此，可抑制因由濕氣所引起的空間S內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間S內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
又，分光器1A中，於底壁部31之表面31a中凹部34之周圍存在平坦之區域(亦可略微傾斜)。藉此，即便於第1光檢測部22產生反射光，亦可抑制該反射光再次至第1光檢測部22。又，將成形模具抵壓至樹脂而於凹部34之內面34a形成成形層41時、以及於基板24之表面24a與各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a之間配置包含樹脂之密封構件15時，該平坦之區域成為多餘之樹脂之退避場所。此時，若使多餘之樹脂流入至底壁部31之貫通孔36，則無需例如包含玻璃珠等之密封構件16，而該樹脂作為密封構件17發揮功能。
此處，對不於包圍第1光檢測部22之區域而於包圍第2反射部12A之區域內配置複數個第2光檢測部26的優點更詳細地進行說明。例如，若以於與基準線RL平行之方向隔著第1光檢測部22相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26，則複數個第2光檢測部26對經分光之光L2中短波長之光或長波長之光進行檢測，因此，檢測波長受到限定，且檢測強度產生偏差。又，若以於與基準線RL垂直之方向隔著第1光檢測部22相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26，則雖然可監視Y軸方向之光徑之偏移，但係成為對於包含分光部40A之位置之偏移、光柵槽之方向之偏移等之結果進行監視。
若如此般於包圍第1光檢測部22之區域內配置複數個第2光檢測部26，則對經分光之光L2進行檢測，因此，無法對光徑之偏移是否因光檢測元件20與支持體30之位置偏移所導致或者是否因支持體30之分光部40A之位置偏移等所導致進行判斷。
與此相對，若於包圍第2反射部12A之區域內配置複數個第2光檢測部26，則對被分光前之光L1進行檢測，因此，可一併獲取利用第1光檢測部22所得之光L2之檢測結果及更詳細之光徑之偏移資訊。尤其是，與基準線RL平行之方向之光徑之偏移容易導致檢測精度之劣化，因此，以至少於與基準線RL平行之方向隔著第2反射部12A(於下述之第2實施形態中為分光部40B)相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26較為重要。
又，於將第1反射部11之區域及分光部40A之區域相對於光L1的入射NA設為較大者，並以第2反射部12A之區域之大小規定光L1之入射NA的情形時，例如，即便於光檢測元件20與支持體30產生位置偏移，亦於第1反射部11將所有光L1反射。進而，於第2反射部12A，僅將所規定之入射NA部分之光L1反射，因此，所規定之入射NA部分之光L1入射至分光部40A。此時，可使用配置於包圍第2反射部12A之區域之複數個第2光檢測部26監視於第2反射部12A之光徑之偏移。
又，於光檢測元件20相對於支持體30傾斜之情形時，經第1反射部11反射之光L1之反射角度改變，因此，可藉由複數個第2光檢測部26知曉該反射角度之偏移方向。若光檢測元件20相對於支持體30傾斜，則容易導致失去利用第1反射部11所得之光L1之準直狀態，亦容易導致使解析度降低之Z軸方向上之位置偏移。藉由將利用複數個第2光檢測部26所得之光L1之檢測結果與利用第1光檢測部22所得之光L2之檢測結果結合，可知曉是否僅於Z軸方向產生位置偏移或者光檢測元件20是否相對於支持體30傾斜等。
又，於使光L1以較以第2反射部12A規定之入射NA大之入射NA入射至第2反射部12A的情形時，若以於複數個第2光檢測部26不檢測光L1之方式調整入射至分光器1A之光L1之入射NA，則可進一步提高檢測精度。又，於入射至分光器1A之光L1之入射方向產生偏移之情形時，亦能夠一面利用複數個第2光檢測部26監視光L1之狀態一面進行該入射方向之調整。
又，於製造分光器1A時，準備設置有第1反射部11及分光部40A之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、第2反射部12A、第1光檢測部22及複數個第2光檢測部26之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1A之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1A。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1A時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22及第2光檢測部26之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
[第2實施形態]
如圖6所示，分光器1B與上述分光器1A主要於如下方面不同：於光檢測元件20設置有分光部(第2光學部)40B且於支持體30設置有第2反射部(第3光學部)12B。
分光器1B中，第1反射部11係介隔成形層41而設置於底壁部31之表面31a中以特定角度傾斜之平坦之傾斜面37。第1反射部11係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的平面反射鏡，於空間S內將已通過光通過部21之光L1相對於分光部40B而反射。再者，第1反射部11亦可不介隔成形層41而直接設置於支持體30之傾斜面37。
分光部40B係設置於基板24之表面24a中、光通過部21與第1光檢測部22之間之區域。分光部40B係反射型光柵，於空間S內將經第1反射部11反射之光L1相對於第2反射部12B而分光並且反射。
第2反射部12B係介隔成形層41而設置於底壁部31之表面31a中的球面狀之凹面38。第2反射部12B係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的凹面反射鏡，於空間S內將經分光部40B分光並且反射之光L1相對於第1光檢測部22而反射。再者，第2反射部12B亦可不介隔成形層41而直接設置於支持體30之凹面38。
如圖7所示，複數個第2光檢測部26係配置於包圍分光部40B之區域。更具體而言，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著分光部40B相互對向。於與基準線RL平行之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿Y軸方向延伸之長條狀之形狀。於與基準線RL垂直之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿X軸方向延伸之長條狀之形狀。
如圖6所示，經分光部40B分光並且反射之光中的0次光L0係由底壁部31之表面31a中的以特定角度傾斜之平坦之傾斜面39上之成形層41反射。傾斜面39上之成形層41之反射面係作為0次光反射控制部41b發揮功能。藉由將傾斜面39設為與傾斜面37及凹面38不同之面，可抑制0次光L0之多路徑反射。再者，亦可與分光器1A同樣地於光檢測元件20設置0次光捕捉部23。
0次光反射控制部41b係設置於底壁部31之表面31a中的供0次光L0自分光部40B入射之區域。分光器1B中，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向(即Z軸方向)觀察之情形時，0次光反射控制部41b係於與基準線RL平行之方向(即X軸方向)上位於第1反射部11與第2反射部12之間。0次光反射控制部41b之傾斜度係以不使0次光入射至第1光檢測部22之方式設定。由此，只要為不使0次光入射至第1光檢測部22之傾斜度，則0次光反射控制部41b亦可具有使0次光L0朝第1光檢測部22側反射般之傾斜度。當然，就確實地排除0次光之影響之觀點而言，0次光反射控制部41b較佳為具有使0次光L0朝與第1光檢測部22側為相反側反射般之傾斜度。
再者，於分光器1B之製造步驟中，如上述般，使用成形模具，於底壁部31之傾斜面37形成平滑之成形層41，並於該成形層41形成第1反射部11。同時，於底壁部31之傾斜面39形成平滑之成形層41，將該成形層41之表面設為0次光反射控制部41b。通常，與支持體30之表面相比，成形層41之表面之凹凸較少而平滑，因此，可精度更佳地形成第1反射部11及0次光反射控制部41b。但是，亦可不介隔成形層41而直接於底壁部31之傾斜面37形成第1反射部11，或者將底壁部31之傾斜面39設為0次光反射控制部41b。於此情形時，可減少成形層41所使用之成形材料，且可簡化成形模具之形狀，因此，可容易地形成成形層41。
根據以如上方式構成之分光器1B，依據與上述分光器1A相同之原因，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。又，分光器1B中，分光部40B與光通過部21、第1光檢測部22及第2光檢測部26一同設置於光檢測元件20，因此，可精度良好地維持光通過部21、分光部40B、第1光檢測部22及第2光檢測部26之相互之位置關係。進而，藉由將與第1反射部11及第2反射部12B相比製造容易複雜化的分光部40B與光通過部21、第1光檢測部22及第2光檢測部26一同設置於光檢測元件20，可使支持體30之良率、進而是分光器1B之良率提高。
關於分光部40B，由於可一次性形成於基板24之表面24a，故而與使用光處理(使用步進機等)、奈米壓印處理等形成為曲面之情形相比，可高精度地形成分光部40B。因此，分光部40B之對準等變得容易，而可獲得較高之位置精度。另一方面，無須於支持體30形成分光部，因此支持體30之形成變得容易。
再者，複數個第2光檢測部26亦能以包圍分光部40B之方式沿著分光部40B之外緣排列。於此情形時，可於分光部40B之周圍整體監視入射至第2反射部12A之光之偏移方向。又，複數個第2光檢測部26亦可於與基準線RL平行之方向之分光部40B之兩側、及與基準線RL垂直之方向之分光部40B之兩側呈一維狀地排列。於此情形時，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向更詳細地監視入射至分光部40B之光L1之偏移方向。又，複數個第2光檢測部26亦可於包圍分光部40B之區域內呈二維狀地排列。於此情形時，可於分光部40B之周圍整體對入射至分光部40B之光L1之偏移方向以影像之形式進行監視。
又，於製造分光器1B時，準備設置有第1反射部11及第2反射部12B之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、分光部40B、第1光檢測部22及複數個第2光檢測部26之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此，於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1B之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1B。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1B時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22及第2光檢測部26之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
以上，已對本發明之第1及第2實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態。例如，於上述各實施形態中，入射至空間S之光L1之入射NA係根據光檢測元件20之光通過部21及遮光膜52之光通過開口52a(視情形為形成於光透過構件51之與空間S側為相反側之表面之遮光膜等)之形狀而規定，但並不限定於此。於上述第1實施形態中，藉由調整第1反射部11、第2反射部12A及分光部40A之至少1個區域之形狀，可實質性地規定入射至空間S之光L1之入射NA。由於入射至第1光檢測部22之光L2為繞射光，故而藉由調整成形層41中形成有光柵圖案41a之特定區域之形狀，可實質性地規定該入射NA。於上述第2實施形態中，藉由調整第1反射部11、分光部40B及第2反射部12B之至少1個區域之形狀，可實質性地規定入射至空間S之光L1之入射NA。
又，空間S亦可代替包含光檢測元件20及支持體30作為構成之封裝體60，而是由收容光檢測元件20及支持體30之封裝體氣密性地密封。於此情形時，亦可抑制因由濕氣所引起的空間S內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間S內產生結露等而導致的檢測精度降低。此處，該封裝體可由插通有複數個引線接腳之底座、及設置有使光L1入射至光通過部21之光入射部之蓋構成。而且，藉由將各引線接腳之封裝體內之端部於底壁部31之表面31b連接於設置於支持體30之各配線13之端部13b，可實現相互對應之引線接腳與配線13之電性連接、以及光檢測元件20及支持體30相對於封裝體之定位。
再者，由於光檢測元件20及支持體30收容於封裝體，故而無須如上述分光器1A般配置密封構件15、16或者設置蓋部50。又，引線接腳之封裝體內之端部亦能以配置於形成於底壁部31之貫通孔內或形成於底壁部31之表面31b之凹部內的狀態連接於在該貫通孔內或該凹部內延伸之配線13之端部13b。又，引線接腳之封裝體內之端部與配線13之端部13b亦可經由藉由凸塊接合等安裝有支持體30之配線基板而電性連接。於此情形時，引線接腳之封裝體內之端部亦能以於自底座之厚度方向(即Z軸方向)觀察之情形時包圍支持體30的方式配置。又，該配線基板亦能以與底座接觸之狀態配置於底座，或者，亦能以自底座相隔之狀態由複數個引線接腳支持。
又，支持體30之材料並不限定於陶瓷，亦可為LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶聚合物)、PPA(Polyphthalamide，聚鄰苯二甲醯胺)、環氧樹脂等樹脂、成形用玻璃等其他成形材料。又，於空間S由收容光檢測元件20及支持體30之封裝體氣密性地密封之情形等時，支持體30亦可包含相互相隔之複數個柱部或複數個側壁部來代替包圍空間S之一對側壁部32及一對側壁部33。如此，分光器1A、1B之各構成之材料及形狀並不限定於上述材料及形狀，可應用各種材料及形狀。
又，分光器1A中，第1反射部11亦可為平面反射鏡。於此情形時，藉由減小通過光通過部21之光L1之入射NA且設為「具有與已通過光通過部21之光L1所具有之擴散角相同之擴散角的光L1之光徑長度且自光通過部21至分光部40A之光徑長度」＞「自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度」(縮小光學系統)，可提高由分光部40A分光之光L2之解析度。具體而言，如下所述。即，於第1反射部11為平面反射鏡之情形時，光L1一面擴散一面照射至分光部40A。因此，就抑制分光部40A之區域變大之觀點、及抑制分光部40A將光L2聚光至第1光檢測部22之距離變長之觀點而言，必須減小通過光通過部21之光L1之入射NA。因此，藉由減小該光L1之入射NA且設為縮小光學系統，可提高由分光部40A分光之光L2之解析度。
又，分光器1B中，亦可不於光檢測元件20設置第2光檢測部26。於此情形時，亦於由光檢測元件20及支持體30形成之空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑，因此，可謀求分光器1B之小型化。進而，由於分光部40B與光通過部21及第1光檢測部22一同設置於光檢測元件20，故而可精度良好地維持光通過部21、分光部40B及第1光檢測部22之相互之位置關係。由此，於此情形時，亦可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
再者，於未設置第2光檢測部26之分光器1B中，第1反射部11並不限定於平面反射鏡，亦可為凹面反射鏡。又，分光部40B並不限定於平面光柵，亦可為凹面光柵。又，第2反射部12B並不限定於凹面反射鏡，亦可為平面反射鏡。但是，不管第1反射部11為平面反射鏡還是凹面反射鏡，只要分光部40B為平面光柵且第2反射部12B為凹面反射鏡的光學系統於謀求分光器1B之小型化及高精度化之方面有利。其原因在於：難以於作為平坦面之基板24之表面24a形成作為凹面光柵之分光部40B，於此情形時，為了使光L2聚光至第1光檢測部22，第2反射部12B必須為凹面反射鏡。進而，第1反射部11為平面反射鏡於謀求分光器1B之小型化之方面更佳。其原因在於：光L1一面具有特定之擴散角一面入射至分光部40B。
又，於製造未設置第2光檢測部26之分光器1B時，準備設置有第1反射部11及第2反射部12B之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、分光部40B及第1光檢測部22之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此，於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1B之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1B。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1B時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
又，於上述各實施形態中，對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a係藉由凸塊14而連接，但亦可藉由焊接將對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a連接。又，亦可不僅於支持體30之各側壁部32之端面32a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接，而且於支持體30之各側壁部33之端面33a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接，或者，亦可於支持體30之各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接。又，於分光器1A、1B中，配線13亦可牽引於支持體30之與空間S側為相反側之表面。藉此，可防止因露出至空間S之配線13所導致之光之散射。
[產業上之可利用性]
根據本發明，能夠提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
[第1實施形態]
如圖1及圖2所示，分光器1A具備光檢測元件20、支持體30、第1反射部(第1光學部)11、第2反射部(第2光學部)12A、分光部(第3光學部)40A、及蓋部50。於光檢測元件20設置有光通過部21、第1光檢測部22、複數個第2光檢測部26及0次光捕捉部23。於支持體30設置有用以對第1光檢測部22及第2光檢測部26輸入輸出電信號的配線13。支持體30係以於與光通過部21、第1光檢測部22、複數個第2光檢測部26及0次光捕捉部23之間形成空間S之方式固定於光檢測元件20。作為一例，分光器1A係形成為其X軸方向、Y軸方向及Z軸方向之各方向之長度為10 mm以下的長方體狀。再者，配線13及支持體30係構成為成形電路零件(MID：Molded Interconnect Device，模塑互連器件)者。
於自通過光通過部21之光L1之光軸方向(即Z軸方向)觀察之情形時，光通過部21、第1反射部11、第2反射部12A、分光部40A、第1光檢測部22及0次光捕捉部23係沿著於X軸方向延伸之基準線RL排列。在分光器1A中，通過光通過部21之光L1係由第1反射部11及第2反射部12A依次反射並入射至分光部40A，且由分光部40A予以分光並且反射。而且，由分光部40A予以分光並且反射之光中的0次光L0以外之光L2係入射至第1光檢測部22而由第1光檢測部22予以檢測。由分光部40予以分光並且反射之光中的0次光L0係入射至0次光捕捉部23而由0次光捕捉部23捕捉。自光通過部21至分光部40A之光L1之光徑、自分光部40A至第1光檢測部22之光L2之光徑、及自分光部40A至0次光捕捉部23之0次光L0之光徑形成於空間S內。
光檢測元件20具有基板24。基板24例如利用矽等半導體材料形成為矩形板狀。光通過部21係形成於基板24上之狹縫，且沿Y軸方向延伸。0次光捕捉部23係形成於基板24之狹縫，且於光通過部21與第1光檢測部22之間沿Y軸方向延伸。再者，光通過部21之光L1之入射側之端部係於X軸方向及Y軸方向之各方向，朝向光L1之入射側逐漸擴展。又，0次光捕捉部23中之與0次光L0之入射側為相反側之端部係於X軸方向及Y軸方向之各方向，朝向與0次光L0之入射側為相反側逐漸擴展。藉由以0次光L0傾斜地入射至0次光捕捉部23之方式構成，可更確實地抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S。
第1光檢測部22係設置於基板24之空間S側之表面24a。更具體而言，使第1光檢測部22並非貼附於基板24，而嵌入至包含半導體材料之基板24。即，第1光檢測部22包括在包含半導體材料之基板24內之第一導電型之區域、及設置於該區域內之第二導電型之區域形成的複數個光電二極體。第1光檢測部22係例如構成為光電二極體陣列、C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)影像感測器、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)影像感測器等者，且具有沿著基準線RL排列之複數個光檢測通道。具有不同波長之光L2入射至第1光檢測部22之各光檢測通道。各第2光檢測部26係與第1光檢測部22同樣地為嵌入至基板24之光電二極體，且配置於包圍第2反射部12A之區域。於基板24之表面24a設置有用以相對於第1光檢測部22及第2光檢測部26輸入輸出電信號的複數個端子25。再者，第1光檢測部22及第2光檢測部26可構成為正面入射型之光電二極體，或者，亦可構成為背面入射型之光電二極體。於例如第1光檢測部22及第2光檢測部26構成為正面入射型之光電二極體之情形時，第1光檢測部22及第2光檢測部26位於與光通過部21之光出射口相同之高度(即，基板24之空間S側之表面24a)。又，於例如第1光檢測部22及第2光檢測部26構成為背面入射型之光電二極體之情形時，第1光檢測部22及第2光檢測部26位於與光通過部21之光入射口相同之高度(即，基板24之與空間S側為相反側之表面24b)。
如圖3所示，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著第2反射部12A相互對向。於與基準線RL平行之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿Y軸方向延伸之長條狀之形狀。於與基準線RL垂直之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿X軸方向延伸之長條狀之形狀。
如圖1及圖2所示，支持體30包含底壁部31、一對側壁部32、及一對側壁部33。底壁部31係介隔空間S於Z軸方向與光檢測元件20對向。於底壁部31形成有於空間S側開口之凹部34、朝與空間S側為相反側突出之複數個凸部35、及於空間S側及其相反側開口之複數個貫通孔36。一對側壁部32係介隔空間S於X軸方向而相互對向。一對側壁部33係介隔空間S於Y軸方向而相互對向。底壁部31、一對側壁部32及一對側壁部33係利用AlN、Al2 O3 等陶瓷一體地形成。
第1反射部11係設置於支持體30。更具體而言，第1反射部11係介隔成形層41設置於底壁部31之空間S側之表面31a中凹部34之內面34a之球面狀之區域。第1反射部11係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的凹面反射鏡，於空間S內將已通過光通過部21之光L1相對於第2反射部12A而反射。再者，第1反射部11亦可不介隔成形層41而直接設置於凹部34之內面34a之球面狀之區域。
第2反射部12A係設置於光檢測元件20。更具體而言，第2反射部12A係設置於基板24之表面24a中的、光通過部21與0次光捕捉部23之間之區域。第2反射部12A係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的平面反射鏡，於空間S內將經第1反射部11反射之光L1相對於分光部40A而反射。
分光部40A係設置於支持體30。更具體而言，如下所述。即，於底壁部31之表面31a，以覆蓋凹部34之方式配置有成形層41。成形層41係沿著凹部34之內面34a而形成為膜狀。於與內面34a中球面狀之區域對應之成形層41之特定區域，形成有例如與鋸齒狀剖面之閃耀式光柵、矩形狀剖面之二元光柵、正弦波狀剖面之全訊光柵等對應的光柵圖案41a。於成形層41之表面，以覆蓋光柵圖案41a之方式形成有例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜之反射膜42。反射膜42係按照光柵圖案41a之形狀形成。按照光柵圖案41a之形狀形成之反射膜42之空間S側之表面成為作為反射型光柵之分光部40A。再者，成形層41係藉由將成形模具抵壓至成形材料(例如，光硬化性之環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、氟系樹脂、聚矽氧、有機・無機混成樹脂等複製用光學樹脂等)並於該狀態下使成形材料硬化(例如，利用UV(Ultraviolet，紫外線)光等之光硬化、熱硬化等)而形成。
如上所述，分光部40A係設置於底壁部31之表面31a中凹部34之內面34a之球面狀之區域。分光部40A包含沿著基準線RL排列之複數個光柵槽，於空間S內將經第2反射部12A反射之光L1相對於第1光檢測部22而分光並且反射。再者，分光部40A並不限定於如上述般直接形成於支持體30者。例如，亦可藉由將包含分光部40A、及形成有分光部40A之基板的分光元件貼附於支持體30而將分光部40A設置於支持體30。
各配線13包含第1光檢測部22及第2光檢測部26側之端部13a、與第1光檢測部22及第2光檢測部26側為相反側之端部13b、及連接部13c。各配線13之端部13a係以與光檢測元件20之各端子25對向之方式位於各側壁部32之端面32a。各配線13之端部13b位於底壁部31之與空間S側為相反側之表面31b中各凸部35之表面。各配線13之連接部13c係於各側壁部32之空間S側之表面32b、底壁部31之表面31a、及各貫通孔36之內面，自端部13a至端部13b。藉由如此般沿支持體30之空間S側之表面牽引配線13，可防止配線13之劣化。
對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a係藉由例如包含Au、焊料等之凸塊14而連接。分光器1A中，藉由複數個凸塊14，支持體30固定於光檢測元件20，並且複數根配線13與光檢測元件20之第1光檢測部22及第2光檢測部26電性連接。如此，各配線13之端部13a係於光檢測元件20與支持體30之固定部與光檢測元件20之各端子25連接。
蓋部50係固定於光檢測元件20之基板24之、與空間S側為相反側之表面24b。蓋部50包含光透過構件51與遮光膜52。光透過構件51係藉由例如石英、硼矽酸玻璃(BK7)、Pyrex(註冊商標)玻璃、可伐玻璃等使光L1透過之材料而形成為矩形板狀。遮光膜52係形成於光透過構件51之空間S側之表面51a。於遮光膜52，以於Z軸方向與光檢測元件20之光通過部21對向之方式形成有光通過開口52a。光通過開口52a係形成於遮光膜52之狹縫，且沿Y軸方向延伸。分光器1A中，藉由遮光膜52之光通過開口52a及光檢測元件20之光通過部21規定入射至空間S之光L1之入射NA。
再者，於檢測紅外線之情形時，作為光透過構件51之材料，矽、鍺等亦較為有效。又，亦可對光透過構件51實施AR(Anti Reflection，抗反射)塗佈或者使其具有僅使特定波長之光透過之濾光片功能。又，作為遮光膜52之材料，例如，可使用黑色光阻、Al等。但是，就抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S之觀點而言，作為遮光膜52之材料，黑色光阻較為有效。
又，蓋部5亦可進而包含形成於光透過構件51之與空間S側為相反側之表面之遮光膜。於此情形時，以於Z軸方向與光檢測元件20之光通過部21對向之方式，於該遮光膜形成光通過開口，藉此，可使用該遮光膜之光通過開口、遮光膜52之光通過開口52a及光檢測元件20之光通過部21精度更佳地規定入射至空間S之光L1之入射NA。作為該遮光膜之材料，可與遮光膜52同樣地使用例如黑色光阻、Al等。又，於蓋部50進而包含上述遮光膜之情形時，亦能以於Z軸方向與光檢測元件20之0次光捕捉部23對向之方式於遮光膜52形成光通過開口。於此情形時，可更確實地抑制已入射至0次光捕捉部23之0次光L0返回至空間S。
於基板24之表面24a與各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a之間，配置有例如包含樹脂等之密封構件15。又，於底壁部31之貫通孔36內，配置有例如包含玻璃珠等之密封構件16，並且填充有包含樹脂之密封構件17。分光器1A中，空間S由包含光檢測元件20、支持體30、蓋部50及密封構件15、16、17作為構成之封裝體60氣密性地密封。於將分光器1A安裝至外部之電路基板時，各配線13之端部13b作為電極墊發揮功能。再者，亦可代替於基板24之表面24b配置蓋部50，而於基板24之光通過部21及0次光捕捉部23填充透光性之樹脂，藉此將基板24之光通過部21及0次光捕捉部23氣密性地密封。又，於底壁部31之貫通孔36內，亦可不配置例如包含玻璃珠等之密封構件16，而僅填充包含樹脂之密封構件17。
如以上說明所述，在分光器1A中，於由光檢測元件20及支持體30形成之空間S內，形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。藉此，可謀求分光器1A之小型化。進而，複數個第2光檢測部26配置於包圍第2反射部12A之區域。藉此，可於包圍第2反射部12A之區域，監視分光前之光L1之狀態，而可恰當地調整通過光通過部21之光L1之入射NA及入射方向等。由此，根據分光器1A，可抑制檢測精度降低並謀求小型化。
又，分光器1A中，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著第2反射部12A相互對向。藉此，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向上監視入射至第2反射部12A之光L1的偏移方向。
再者，如圖4所示，複數個第2光檢測部26亦能以包圍第2反射部12A之方式沿著第2反射部12A之外緣排列。於此情形時，可於第2反射部12A之周圍整體監視入射至第2反射部12A之光之偏移方向。又，如圖5(a)所示，複數個第2光檢測部26亦可於與基準線RL平行之方向之第2反射部12A之兩側、及與基準線RL垂直之方向之第2反射部12A之兩側呈一維狀地排列。於此情形時，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向更詳細地監視入射至第2反射部12A之光L1之偏移方向。又，如圖5(b)所示，複數個第2光檢測部26亦可於包圍第2反射部12A之區域內呈二維狀地排列。於此情形時，可於第2反射部12A之周圍整體對入射至第2反射部12A之光L1之偏移方向以影像之形式進行監視。
又，分光器1A中，已通過光通過部21之光L1依次於第1反射部11及第2反射部12A反射並入射至分光部40A。藉此，易於調整入射至分光部40A之光L1之入射方向、及該光L1之擴散或收斂狀態，因此，即便縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度，亦能夠使經分光部40A分光之光L2精度良好地聚光至第1光檢測部22之特定位置。
又，分光器1A中，第1反射部11成為凹面反射鏡。藉此，可利用第1反射部11抑制光L1之擴散角，因此，可增大通過光通過部21之光L1之入射NA而提高感度或者可進一步縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度而謀求分光器1B之進一步之小型化。具體而言，如下所述。即，於第1反射部11為凹面反射鏡之情形時，光L1係以被準直般之狀態照射至分光部40A。因此，與光L1一面擴散一面照射至分光部40A之情形相比，分光部40A將光L2聚光至第1光檢測部22之距離可較短。因此，可增大該光L1之入射NA而提高感度或者可進一步縮短自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度而謀求分光器1B之進一步之小型化。
又，分光器1A中，於支持體30設置有與第1光檢測部22及第2光檢測部26電性連接之配線13。而且，配線13之第1光檢測部22及第2光檢測部26側之端部13a係於光檢測元件20與支持體30之固定部，與設置於光檢測元件20之端子25連接。藉此，可謀求第1光檢測部22及第2光檢測部26與配線13之電性連接之確實化。
又，分光器1A中，支持體30之材料成為陶瓷。藉此，可抑制因使用分光器1A之環境之溫度變化、第1光檢測部22及第2光檢測部之發熱等而導致的支持體30之膨脹及收縮。因此，可抑制因分光部40A與第1光檢測部22之位置關係產生偏移而導致的檢測精度之降低(由第1光檢測部22檢測出之光之峰值波長之位移等)。對於分光器1A，因實現了小型化，故而有如下擔憂：即便為微小之光徑之變化，亦對光學系統造成較大之影響，而導致檢測精度降低。因此，尤其是，如上述般分光部40A直接形成於支持體30之情形時，抑制支持體30之膨脹及收縮極為重要。
又，分光器1A中，空間S由包含光檢測元件20及支持體30作為構成之封裝體60氣密性地密封。藉此，可抑制因由濕氣所引起的空間S內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間S內之結露之產生等而導致的檢測精度之降低。
又，分光器1A中，於底壁部31之表面31a中凹部34之周圍存在平坦之區域(亦可略微傾斜)。藉此，即便於第1光檢測部22產生反射光，亦可抑制該反射光再次至第1光檢測部22。又，將成形模具抵壓至樹脂而於凹部34之內面34a形成成形層41時、以及於基板24之表面24a與各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a之間配置包含樹脂之密封構件15時，該平坦之區域成為多餘之樹脂之退避場所。此時，若使多餘之樹脂流入至底壁部31之貫通孔36，則無需例如包含玻璃珠等之密封構件16，而該樹脂作為密封構件17發揮功能。
此處，對不於包圍第1光檢測部22之區域而於包圍第2反射部12A之區域內配置複數個第2光檢測部26的優點更詳細地進行說明。例如，若以於與基準線RL平行之方向隔著第1光檢測部22相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26，則複數個第2光檢測部26對經分光之光L2中短波長之光或長波長之光進行檢測，因此，檢測波長受到限定，且檢測強度產生偏差。又，若以於與基準線RL垂直之方向隔著第1光檢測部22相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26，則雖然可監視Y軸方向之光徑之偏移，但係成為對於包含分光部40A之位置之偏移、光柵槽之方向之偏移等之結果進行監視。
若如此般於包圍第1光檢測部22之區域內配置複數個第2光檢測部26，則對經分光之光L2進行檢測，因此，無法對光徑之偏移是否因光檢測元件20與支持體30之位置偏移所導致或者是否因支持體30之分光部40A之位置偏移等所導致進行判斷。
與此相對，若於包圍第2反射部12A之區域內配置複數個第2光檢測部26，則對被分光前之光L1進行檢測，因此，可一併獲取利用第1光檢測部22所得之光L2之檢測結果及更詳細之光徑之偏移資訊。尤其是，與基準線RL平行之方向之光徑之偏移容易導致檢測精度之劣化，因此，以至少於與基準線RL平行之方向隔著第2反射部12A(於下述之第2實施形態中為分光部40B)相互對向之方式配置複數個第2光檢測部26較為重要。
又，於將第1反射部11之區域及分光部40A之區域相對於光L1的入射NA設為較大者，並以第2反射部12A之區域之大小規定光L1之入射NA的情形時，例如，即便於光檢測元件20與支持體30產生位置偏移，亦於第1反射部11將所有光L1反射。進而，於第2反射部12A，僅將所規定之入射NA部分之光L1反射，因此，所規定之入射NA部分之光L1入射至分光部40A。此時，可使用配置於包圍第2反射部12A之區域之複數個第2光檢測部26監視於第2反射部12A之光徑之偏移。
又，於光檢測元件20相對於支持體30傾斜之情形時，經第1反射部11反射之光L1之反射角度改變，因此，可藉由複數個第2光檢測部26知曉該反射角度之偏移方向。若光檢測元件20相對於支持體30傾斜，則容易導致失去利用第1反射部11所得之光L1之準直狀態，亦容易導致使解析度降低之Z軸方向上之位置偏移。藉由將利用複數個第2光檢測部26所得之光L1之檢測結果與利用第1光檢測部22所得之光L2之檢測結果結合，可知曉是否僅於Z軸方向產生位置偏移或者光檢測元件20是否相對於支持體30傾斜等。
又，於使光L1以較以第2反射部12A規定之入射NA大之入射NA入射至第2反射部12A的情形時，若以於複數個第2光檢測部26不檢測光L1之方式調整入射至分光器1A之光L1之入射NA，則可進一步提高檢測精度。又，於入射至分光器1A之光L1之入射方向產生偏移之情形時，亦能夠一面利用複數個第2光檢測部26監視光L1之狀態一面進行該入射方向之調整。
又，於製造分光器1A時，準備設置有第1反射部11及分光部40A之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、第2反射部12A、第1光檢測部22及複數個第2光檢測部26之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1A之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1A。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1A時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22及第2光檢測部26之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
[第2實施形態]
如圖6所示，分光器1B與上述分光器1A主要於如下方面不同：於光檢測元件20設置有分光部(第2光學部)40B且於支持體30設置有第2反射部(第3光學部)12B。
分光器1B中，第1反射部11係介隔成形層41而設置於底壁部31之表面31a中以特定角度傾斜之平坦之傾斜面37。第1反射部11係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的平面反射鏡，於空間S內將已通過光通過部21之光L1相對於分光部40B而反射。再者，第1反射部11亦可不介隔成形層41而直接設置於支持體30之傾斜面37。
分光部40B係設置於基板24之表面24a中、光通過部21與第1光檢測部22之間之區域。分光部40B係反射型光柵，於空間S內將經第1反射部11反射之光L1相對於第2反射部12B而分光並且反射。
第2反射部12B係介隔成形層41而設置於底壁部31之表面31a中的球面狀之凹面38。第2反射部12B係例如包含Al、Au等之金屬蒸鍍膜且具有鏡面的凹面反射鏡，於空間S內將經分光部40B分光並且反射之光L1相對於第1光檢測部22而反射。再者，第2反射部12B亦可不介隔成形層41而直接設置於支持體30之凹面38。
如圖7所示，複數個第2光檢測部26係配置於包圍分光部40B之區域。更具體而言，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向觀察之情形時，複數個第2光檢測部26係於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向隔著分光部40B相互對向。於與基準線RL平行之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿Y軸方向延伸之長條狀之形狀。於與基準線RL垂直之方向而相互對向之第2光檢測部26之各者具有沿X軸方向延伸之長條狀之形狀。
如圖6所示，經分光部40B分光並且反射之光中的0次光L0係由底壁部31之表面31a中的以特定角度傾斜之平坦之傾斜面39上之成形層41反射。傾斜面39上之成形層41之反射面係作為0次光反射控制部41b發揮功能。藉由將傾斜面39設為與傾斜面37及凹面38不同之面，可抑制0次光L0之多路徑反射。再者，亦可與分光器1A同樣地於光檢測元件20設置0次光捕捉部23。
0次光反射控制部41b係設置於底壁部31之表面31a中的供0次光L0自分光部40B入射之區域。分光器1B中，於自通過光通過部21之光L1之光軸方向(即Z軸方向)觀察之情形時，0次光反射控制部41b係於與基準線RL平行之方向(即X軸方向)上位於第1反射部11與第2反射部12之間。0次光反射控制部41b之傾斜度係以不使0次光入射至第1光檢測部22之方式設定。由此，只要為不使0次光入射至第1光檢測部22之傾斜度，則0次光反射控制部41b亦可具有使0次光L0朝第1光檢測部22側反射般之傾斜度。當然，就確實地排除0次光之影響之觀點而言，0次光反射控制部41b較佳為具有使0次光L0朝與第1光檢測部22側為相反側反射般之傾斜度。
再者，於分光器1B之製造步驟中，如上述般，使用成形模具，於底壁部31之傾斜面37形成平滑之成形層41，並於該成形層41形成第1反射部11。同時，於底壁部31之傾斜面39形成平滑之成形層41，將該成形層41之表面設為0次光反射控制部41b。通常，與支持體30之表面相比，成形層41之表面之凹凸較少而平滑，因此，可精度更佳地形成第1反射部11及0次光反射控制部41b。但是，亦可不介隔成形層41而直接於底壁部31之傾斜面37形成第1反射部11，或者將底壁部31之傾斜面39設為0次光反射控制部41b。於此情形時，可減少成形層41所使用之成形材料，且可簡化成形模具之形狀，因此，可容易地形成成形層41。
根據以如上方式構成之分光器1B，依據與上述分光器1A相同之原因，可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。又，分光器1B中，分光部40B與光通過部21、第1光檢測部22及第2光檢測部26一同設置於光檢測元件20，因此，可精度良好地維持光通過部21、分光部40B、第1光檢測部22及第2光檢測部26之相互之位置關係。進而，藉由將與第1反射部11及第2反射部12B相比製造容易複雜化的分光部40B與光通過部21、第1光檢測部22及第2光檢測部26一同設置於光檢測元件20，可使支持體30之良率、進而是分光器1B之良率提高。
關於分光部40B，由於可一次性形成於基板24之表面24a，故而與使用光處理(使用步進機等)、奈米壓印處理等形成為曲面之情形相比，可高精度地形成分光部40B。因此，分光部40B之對準等變得容易，而可獲得較高之位置精度。另一方面，無須於支持體30形成分光部，因此支持體30之形成變得容易。
再者，複數個第2光檢測部26亦能以包圍分光部40B之方式沿著分光部40B之外緣排列。於此情形時，可於分光部40B之周圍整體監視入射至第2反射部12A之光之偏移方向。又，複數個第2光檢測部26亦可於與基準線RL平行之方向之分光部40B之兩側、及與基準線RL垂直之方向之分光部40B之兩側呈一維狀地排列。於此情形時，可於與基準線RL平行之方向及與基準線RL垂直之方向之各方向更詳細地監視入射至分光部40B之光L1之偏移方向。又，複數個第2光檢測部26亦可於包圍分光部40B之區域內呈二維狀地排列。於此情形時，可於分光部40B之周圍整體對入射至分光部40B之光L1之偏移方向以影像之形式進行監視。
又，於製造分光器1B時，準備設置有第1反射部11及第2反射部12B之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、分光部40B、第1光檢測部22及複數個第2光檢測部26之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此，於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1B之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1B。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1B時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22及第2光檢測部26之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
以上，已對本發明之第1及第2實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態。例如，於上述各實施形態中，入射至空間S之光L1之入射NA係根據光檢測元件20之光通過部21及遮光膜52之光通過開口52a(視情形為形成於光透過構件51之與空間S側為相反側之表面之遮光膜等)之形狀而規定，但並不限定於此。於上述第1實施形態中，藉由調整第1反射部11、第2反射部12A及分光部40A之至少1個區域之形狀，可實質性地規定入射至空間S之光L1之入射NA。由於入射至第1光檢測部22之光L2為繞射光，故而藉由調整成形層41中形成有光柵圖案41a之特定區域之形狀，可實質性地規定該入射NA。於上述第2實施形態中，藉由調整第1反射部11、分光部40B及第2反射部12B之至少1個區域之形狀，可實質性地規定入射至空間S之光L1之入射NA。
又，空間S亦可代替包含光檢測元件20及支持體30作為構成之封裝體60，而是由收容光檢測元件20及支持體30之封裝體氣密性地密封。於此情形時，亦可抑制因由濕氣所引起的空間S內之構件之劣化、及因外部氣體溫度降低所引起的空間S內產生結露等而導致的檢測精度降低。此處，該封裝體可由插通有複數個引線接腳之底座、及設置有使光L1入射至光通過部21之光入射部之蓋構成。而且，藉由將各引線接腳之封裝體內之端部於底壁部31之表面31b連接於設置於支持體30之各配線13之端部13b，可實現相互對應之引線接腳與配線13之電性連接、以及光檢測元件20及支持體30相對於封裝體之定位。
再者，由於光檢測元件20及支持體30收容於封裝體，故而無須如上述分光器1A般配置密封構件15、16或者設置蓋部50。又，引線接腳之封裝體內之端部亦能以配置於形成於底壁部31之貫通孔內或形成於底壁部31之表面31b之凹部內的狀態連接於在該貫通孔內或該凹部內延伸之配線13之端部13b。又，引線接腳之封裝體內之端部與配線13之端部13b亦可經由藉由凸塊接合等安裝有支持體30之配線基板而電性連接。於此情形時，引線接腳之封裝體內之端部亦能以於自底座之厚度方向(即Z軸方向)觀察之情形時包圍支持體30的方式配置。又，該配線基板亦能以與底座接觸之狀態配置於底座，或者，亦能以自底座相隔之狀態由複數個引線接腳支持。
又，支持體30之材料並不限定於陶瓷，亦可為LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶聚合物)、PPA(Polyphthalamide，聚鄰苯二甲醯胺)、環氧樹脂等樹脂、成形用玻璃等其他成形材料。又，於空間S由收容光檢測元件20及支持體30之封裝體氣密性地密封之情形等時，支持體30亦可包含相互相隔之複數個柱部或複數個側壁部來代替包圍空間S之一對側壁部32及一對側壁部33。如此，分光器1A、1B之各構成之材料及形狀並不限定於上述材料及形狀，可應用各種材料及形狀。
又，分光器1A中，第1反射部11亦可為平面反射鏡。於此情形時，藉由減小通過光通過部21之光L1之入射NA且設為「具有與已通過光通過部21之光L1所具有之擴散角相同之擴散角的光L1之光徑長度且自光通過部21至分光部40A之光徑長度」＞「自分光部40A至第1光檢測部22之光徑長度」(縮小光學系統)，可提高由分光部40A分光之光L2之解析度。具體而言，如下所述。即，於第1反射部11為平面反射鏡之情形時，光L1一面擴散一面照射至分光部40A。因此，就抑制分光部40A之區域變大之觀點、及抑制分光部40A將光L2聚光至第1光檢測部22之距離變長之觀點而言，必須減小通過光通過部21之光L1之入射NA。因此，藉由減小該光L1之入射NA且設為縮小光學系統，可提高由分光部40A分光之光L2之解析度。
又，分光器1B中，亦可不於光檢測元件20設置第2光檢測部26。於此情形時，亦於由光檢測元件20及支持體30形成之空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑，因此，可謀求分光器1B之小型化。進而，由於分光部40B與光通過部21及第1光檢測部22一同設置於光檢測元件20，故而可精度良好地維持光通過部21、分光部40B及第1光檢測部22之相互之位置關係。由此，於此情形時，亦可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化。
再者，於未設置第2光檢測部26之分光器1B中，第1反射部11並不限定於平面反射鏡，亦可為凹面反射鏡。又，分光部40B並不限定於平面光柵，亦可為凹面光柵。又，第2反射部12B並不限定於凹面反射鏡，亦可為平面反射鏡。但是，不管第1反射部11為平面反射鏡還是凹面反射鏡，只要分光部40B為平面光柵且第2反射部12B為凹面反射鏡的光學系統於謀求分光器1B之小型化及高精度化之方面有利。其原因在於：難以於作為平坦面之基板24之表面24a形成作為凹面光柵之分光部40B，於此情形時，為了使光L2聚光至第1光檢測部22，第2反射部12B必須為凹面反射鏡。進而，第1反射部11為平面反射鏡於謀求分光器1B之小型化之方面更佳。其原因在於：光L1一面具有特定之擴散角一面入射至分光部40B。
又，於製造未設置第2光檢測部26之分光器1B時，準備設置有第1反射部11及第2反射部12B之支持體30(第1步驟)，並準備設置有光通過部21、分光部40B及第1光檢測部22之光檢測元件20(第2步驟)，於該等步驟之後，以形成空間S之方式固定支持體30與光檢測元件20，藉此，於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑(第3步驟)。如此，僅藉由固定支持體30與光檢測元件20，便於空間S內形成自光通過部21至第1光檢測部22之光徑。由此，根據分光器1B之製造方法，能夠容易地製造可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器1B。再者，準備支持體30之步驟及準備光檢測元件20之步驟之實施順序為任意。
尤其是，於製造分光器1B時，僅藉由將設置於支持體30之配線13之端部13a連接於光檢測元件20之端子25，不僅實現配線13與第1光檢測部22之電性連接，亦實現支持體30與光檢測元件20之固定、及自光通過部21至第1光檢測部22之光徑之形成。
又，於上述各實施形態中，對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a係藉由凸塊14而連接，但亦可藉由焊接將對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a連接。又，亦可不僅於支持體30之各側壁部32之端面32a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接，而且於支持體30之各側壁部33之端面33a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接，或者，亦可於支持體30之各側壁部32之端面32a及各側壁部33之端面33a進行對向之光檢測元件20之端子25與配線13之端部13a之連接。又，於分光器1A、1B中，配線13亦可牽引於支持體30之與空間S側為相反側之表面。藉此，可防止因露出至空間S之配線13所導致之光之散射。
[產業上之可利用性]
根據本發明，能夠提供一種可抑制檢測精度之降低並且可謀求小型化之分光器、及可容易地製造此種分光器之分光器之製造方法。
1A‧‧‧分光器
1B‧‧‧分光器
11‧‧‧第1反射部(第1光學部)
12A‧‧‧第2反射部(第2光學部)
12B‧‧‧第2反射部(第3光學部)
13‧‧‧配線
13a‧‧‧端部
13b‧‧‧端部
13c‧‧‧連接部
14‧‧‧凸塊
15‧‧‧密封構件
16‧‧‧密封構件
17‧‧‧密封構件
20‧‧‧光檢測元件
21‧‧‧光通過部
22‧‧‧第1光檢測部
23‧‧‧0次光捕捉部
24‧‧‧基板
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧表面
25‧‧‧端子
26‧‧‧第2光檢測部
30‧‧‧支持體
31‧‧‧底壁部
31a‧‧‧表面
31b‧‧‧表面
32‧‧‧側壁部
32a‧‧‧端面
32b‧‧‧表面
33‧‧‧側壁部
33a‧‧‧端面
34‧‧‧凹部
34a‧‧‧內面
35‧‧‧凸部
36‧‧‧貫通孔
37‧‧‧傾斜面
38‧‧‧凹面
39‧‧‧傾斜面
40A‧‧‧分光部(第3光學部)
40B‧‧‧分光部(第2光學部)
41‧‧‧成形層
41b‧‧‧0次光反射控制部
41a‧‧‧光柵圖案
42‧‧‧反射膜
50‧‧‧蓋部
51‧‧‧光透過構件
51a‧‧‧表面
52‧‧‧遮光膜
52a‧‧‧光通過開口
60‧‧‧封裝體
L0‧‧‧0次光
L1‧‧‧光
L2‧‧‧光
S‧‧‧空間
RL‧‧‧基準線
X‧‧‧ 軸
Y‧‧‧軸
Z‧‧‧軸
圖1係本發明之第1實施形態之分光器之剖視圖。
圖2係本發明之第1實施形態之分光器之俯視圖。
圖3係本發明之第1實施形態之分光器之光檢測元件之俯視圖。
圖4係本發明之第1實施形態之分光器之變化例之光檢測元件的俯視圖。
圖5(a)、(b)係本發明之第1實施形態之分光器之變化例之第2反射部及第2光檢測部的俯視圖。
圖6係本發明之第2實施形態之分光器之剖視圖。
圖7係本發明之第2實施形態之分光器之光檢測元件的俯視圖。
Claims (13)
- 一種分光器，其包括： 光通過部； 光檢測單元，其設置有第1光檢測部及第2光檢測部； 支持體，其以於與上述光通過部、上述第1光檢測部及上述第2光檢測部之間形成空間之方式固定於上述光檢測單元； 第1光學部，其設置於上述支持體，且於上述空間內將通過上述光通過部之光反射； 第2光學部，其設置於上述光檢測單元，且於上述空間內將由上述第1光學部反射之光反射；及 第3光學部，其設置於上述支持體，且於上述空間內將由上述第2光學部反射之光對上述第1光檢測部反射； 上述第2光學部或上述第3光學部係於上述空間內將入射之光分光並且反射，且 上述第1光檢測部及上述第2光檢測部設置於彼此分離之區域。
- 如請求項1之分光器，其中上述第1光檢測部及上述第2光檢測部設置於包含半導體材料之基板之同一表面。
- 如請求項1或2之分光器，其進而包括：設置於上述支持體之配線。
- 如請求項3之分光器，其中上述光檢測單元與上述配線電性連接。
- 如請求項3或4之分光器，其中上述光檢測單元係：經由凸塊(bump)與上述配線電性連接，且經由上述凸塊而固定於上述支持體。
- 如請求項1至5中任一項之分光器，其中上述第1光學部為平面鏡。
- 如請求項1至5中任一項之分光器，其中上述第1光學部為凹面鏡。
- 如請求項1至7中任一項之分光器，其中上述第2光學部為平面鏡。
- 如請求項1至7中任一項之分光器，其中上述第2光學部為分光部。
- 如請求項1至9中任一項之分光器，其中上述第1光學部係介隔成形層而設置於上述支持體。
- 如請求項1至9中任一項之分光器，其中上述第3光學部係介隔成形層而設置於上述支持體。
- 如請求項1至9中任一項之分光器，其中上述第1光學部及上述第3光學部係介隔成形層而設置於上述支持體。
- 如請求項1至12中任一項之分光器，其中上述光檢測單元包括：包含上述基板之光檢測元件、及蓋部。
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|---|---|---|---|---|
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| CN105681592B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-12-24 | 联想(北京)有限公司 | 成像装置、成像方法和电子设备 |
| TWI743188B (zh) * | 2016-09-20 | 2021-10-21 | 新加坡商新加坡恒立私人有限公司 | 光學裝置、具有此裝置之合成光學裝置及製造此裝置之方法 |
| JP7147143B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2022-10-05 | 株式会社リコー | 分光器および分析装置 |
| EP3372966B1 (en) * | 2017-03-10 | 2021-09-01 | Hitachi High-Tech Analytical Science Limited | A portable analyzer using optical emission spectoscopy |
| CA3056899C (en) * | 2017-03-21 | 2023-09-19 | Magic Leap, Inc. | Low-profile beam splitter |
| TWI721210B (zh) * | 2017-09-05 | 2021-03-11 | 台灣超微光學股份有限公司 | 設變光譜儀和光譜儀整合設計與製造方法 |
| DE102017221719B4 (de) * | 2017-12-01 | 2023-03-30 | Bruker Axs Gmbh | Optisches emissionsspektrometer mit kaskadierten ladungsspeichern |
| JP7186104B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器、及び分光器の製造方法 |
| US11639873B2 (en) * | 2020-04-15 | 2023-05-02 | Viavi Solutions Inc. | High resolution multi-pass optical spectrum analyzer |
Family Cites Families (117)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4468122A (en) * | 1981-09-01 | 1984-08-28 | Vysshee Voennoe Tekhnicheskoe Uchilische Imeni N.E. Baumana | Interferometer for checking the shape of convex surfaces of optical components |
| DE3216516A1 (de) * | 1982-05-03 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optischer wellenlaengendemultiplexer nach dem beugungsgitterprinzip |
| DE3528947A1 (de) * | 1985-08-13 | 1987-02-26 | Zeiss Carl Fa | Reflexionsbeugungsgitter mit hohem wirkungsgrad |
| FR2651575B1 (fr) * | 1989-09-05 | 1993-11-19 | Instruments Sa | Dispositif d'analyse par spectrocopie. |
| US5050991A (en) * | 1989-09-29 | 1991-09-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High optical density measuring spectrometer |
| US5026160A (en) * | 1989-10-04 | 1991-06-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Monolithic optical programmable spectrograph (MOPS) |
| DE4038638A1 (de) * | 1990-12-04 | 1992-06-11 | Zeiss Carl Fa | Diodenzeilen-spektrometer |
| US5257085A (en) * | 1991-04-24 | 1993-10-26 | Kaman Aerospace Corporation | Spectrally dispersive imaging lidar system |
| FI95509C (fi) * | 1992-03-20 | 1996-02-12 | Rautaruukki Oy | Spektroskopinen menetelmä ja laite optisen säteilyn mittaamiseksi |
| GB9416223D0 (en) * | 1994-08-11 | 1994-10-05 | Ridyard Andrew W | Radiation detector |
| DE4434814A1 (de) | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Microparts Gmbh | Infrarotspektrometrischer Sensor für Gase |
| US5815278A (en) * | 1995-10-25 | 1998-09-29 | University Of Washington | Surface plasmon resonance light pipe sensing probe and related interface optics |
| US5880834A (en) * | 1996-10-16 | 1999-03-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Convex diffraction grating imaging spectrometer |
| US5926272A (en) * | 1997-04-08 | 1999-07-20 | Curtiss; Lawrence E. | Spectroscopy |
| US6303934B1 (en) * | 1997-04-10 | 2001-10-16 | James T. Daly | Monolithic infrared spectrometer apparatus and methods |
| ATE272224T1 (de) * | 1997-11-17 | 2004-08-15 | Max Planck Gesellschaft | Konfokales spektroskopiesystem und -verfahren |
| EP0942267B1 (de) | 1998-03-11 | 2006-08-30 | Gretag-Macbeth AG | Spektrometer |
| US6181418B1 (en) * | 1998-03-12 | 2001-01-30 | Gretag Macbeth Llc | Concentric spectrometer |
| US6122051A (en) * | 1998-06-04 | 2000-09-19 | Raytheon Company | Multi-slit spectrometer |
| US6381008B1 (en) * | 1998-06-20 | 2002-04-30 | Sd Acquisition Inc. | Method and system for identifying etch end points in semiconductor circuit fabrication |
| US6249348B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-06-19 | Lj Laboratories, L.L.C. | Integrated spectrometer assembly and methods |
| US6249346B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-06-19 | Xerox Corporation | Monolithic spectrophotometer |
| US6399405B1 (en) * | 1998-12-21 | 2002-06-04 | Xerox Corporation | Process for constructing a spectrophotometer |
| ATE283472T1 (de) * | 1999-01-08 | 2004-12-15 | Ibsen Photonics As | Spektrometer |
| EP1041372B1 (de) | 1999-04-01 | 2006-03-01 | Gretag-Macbeth AG | Spektrometer |
| JP2001272636A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-10-05 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
| AU2001276875A1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-21 | Ibsen Photonics | Monitoring apparatus for optical transmission systems |
| US6657723B2 (en) * | 2000-12-13 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Multimode planar spectrographs for wavelength demultiplexing and methods of fabrication |
| FR2821670B1 (fr) * | 2001-03-02 | 2004-07-09 | Jobin Yvon Sas | Spectrometre a reponse adaptable par optique matricielle active |
| US6587198B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-07-01 | Michael Cohnitz Olshausen | Compact, solar spectrometer with sub-one-third angstrom resolution, faint-light compensation, and infrared and ultraviolet suppression |
| US7253897B2 (en) * | 2001-06-01 | 2007-08-07 | Cidra Corporation | Optical spectrum analyzer |
| US7085492B2 (en) * | 2001-08-27 | 2006-08-01 | Ibsen Photonics A/S | Wavelength division multiplexed device |
| JP2003234281A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法 |
| US6886953B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-05-03 | Raytheon Company | High-resolution, all-reflective imaging spectrometer |
| US7148488B2 (en) * | 2002-06-13 | 2006-12-12 | University Of Hawaii | Apparatus for measuring radiation and method of use |
| JP3842176B2 (ja) | 2002-06-28 | 2006-11-08 | セイレイ工業株式会社 | コンバイン |
| US7351977B2 (en) * | 2002-11-08 | 2008-04-01 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and systems for distinguishing multiple wavelengths of radiation and increasing detected signals in a detection system using micro-optic structures |
| DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| US7061611B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-06-13 | Wavefront Research, Inc. | Refractive relay spectrometer |
| DE10304312A1 (de) * | 2003-02-04 | 2004-08-12 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Kompakt-Spektrometer |
| JP2004241084A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Sharp Corp | 光源装置および光ディスク装置 |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2004111586A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-23 | Wayne State University | Diffractive imaging spectrometer |
| JP4409860B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2010-02-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器を用いた分光器 |
| US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7180590B2 (en) * | 2003-07-09 | 2007-02-20 | Ibsen Photonics A/S | Transmission spectrometer with improved spectral and temperature characteristics |
| US7041979B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-05-09 | The Regents Of The University Of California | Compact reflective imaging spectrometer utilizing immersed gratings |
| US6980295B2 (en) * | 2003-10-06 | 2005-12-27 | The Regents Of The University Of California | Compact catadioptric imaging spectrometer utilizing reflective grating |
| US20050175362A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-08-11 | Gordon Wilson | Optical spectrometer and method |
| EP1740914A2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-01-10 | Ahura Corporation | Method and apparatus for conducting raman spectroscopy |
| US7548311B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-06-16 | Ahura Corporation | Method and apparatus for conducting Raman spectroscopy |
| US6985226B2 (en) * | 2004-05-11 | 2006-01-10 | The Regents Of The University Of California | Compact imaging spectrometer utilizing an immersed grating and anamorphic mirror |
| US7075082B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-07-11 | Wilmington Infrared Technology, Inc. | Compact infrared spectrometer, and methods and systems for manufacture and assembly of components used in same |
| JP4473665B2 (ja) | 2004-07-16 | 2010-06-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| US7289209B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | Programmable spectral imaging system |
| US7239386B2 (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-03 | The Regents Of The University Of California | Compact imaging spectrometer utilizing immersed gratings |
| US7289208B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-10-30 | Ahura Corporation | Low profile spectrometer and Raman analyzer utilizing the same |
| US7199877B2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-04-03 | Resonon Inc. | Scalable imaging spectrometer |
| US7456957B2 (en) * | 2005-08-03 | 2008-11-25 | Carl Zeiss Meditec, Inc. | Littrow spectrometer and a spectral domain optical coherence tomography system with a Littrow spectrometer |
| US7330258B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-02-12 | Innovative Technical Solutions, Inc. | Spectrometer designs |
| US7812311B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-10-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for two-dimensional spectroscopy |
| US20070019194A1 (en) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Liangyao Chen | Full spectral range spectrometer |
| US7345760B2 (en) * | 2006-01-13 | 2008-03-18 | Thermo Electron Scientific Instruments Llc | Grating monochromator/spectrograph |
| WO2007089770A2 (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Polychromix Corporation | Hand-held ir spectrometer with a fixed grating and a diffractive mems-array |
| US7324196B2 (en) * | 2006-04-13 | 2008-01-29 | Neil Goldstein | Spectral encoder |
| US7697137B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-04-13 | Corning Incorporated | Monolithic Offner spectrometer |
| US7483135B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-01-27 | Thermo Electron Scientific Instruments, Llc | Confocal spectrometer with astigmatic aperturing |
| EP1882916A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Compact catadioptric spectrometer |
| US7701571B2 (en) * | 2006-08-22 | 2010-04-20 | Ahura Scientific Inc. | Raman spectrometry assembly |
| US8922783B2 (en) * | 2007-04-27 | 2014-12-30 | Bodkin Design And Engineering Llc | Multiband spatial heterodyne spectrometer and associated methods |
| JP4891840B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP5094742B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| EP2075555A4 (en) * | 2007-06-08 | 2014-01-01 | Hamamatsu Photonics Kk | SPECTROSCOPIC MODULE |
| EP2063239A4 (en) * | 2007-06-08 | 2013-12-25 | Hamamatsu Photonics Kk | SPECTROSCOPIC MODULE |
| WO2008149930A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
| JP4891841B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP4887221B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-02-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| US7817274B2 (en) * | 2007-10-05 | 2010-10-19 | Jingyun Zhang | Compact spectrometer |
| US7936455B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-05-03 | Burt Jay Beardsley | Three mirror anastigmat spectrograph |
| WO2009070459A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Jingyun Zhang | Miniature spectrometers working with cellular phones and other portable electronic devices |
| JP5111163B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-12-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| DE102008019600B4 (de) * | 2008-04-18 | 2021-03-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Vorrichtung in gestapelter Bauweise und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US20090273840A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Mclaughlin Sheldon | Wavelength dispersing device |
| JP5415060B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2014-02-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP5205241B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-06-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP5205243B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-06-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| JP5207938B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-06-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール及び分光モジュールの製造方法 |
| JP5205239B2 (ja) | 2008-05-15 | 2013-06-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| US8189192B2 (en) * | 2008-06-25 | 2012-05-29 | Bioptigen, Inc. | Volume phase grating spectrometers and related methods and systems |
| US8422013B2 (en) * | 2008-11-11 | 2013-04-16 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Optical multiplexer/demultiplexer |
| US8390806B1 (en) * | 2009-05-21 | 2013-03-05 | Lockheed Martin Corporation | MEMS spectrometer and sensing systems therefrom |
| JP5780273B2 (ja) | 2009-05-27 | 2015-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光フィルター装置、および分析機器 |
| US9823127B2 (en) * | 2010-01-22 | 2017-11-21 | Duke University | Systems and methods for deep spectroscopic imaging of biological samples with use of an interferometer and spectrometer |
| JP5325829B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2013-10-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP5335729B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| US9442015B2 (en) * | 2010-09-03 | 2016-09-13 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Snapshot spatial heterodyne imaging polarimetry |
| DE102010040768B4 (de) * | 2010-09-14 | 2022-02-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Spektralzerlegungsvorrichtung und Herstellung derselben |
| US8411268B2 (en) * | 2010-10-01 | 2013-04-02 | Raytheon Company | Two material achromatic prism |
| US8823932B2 (en) | 2011-04-04 | 2014-09-02 | Corning Incorporated | Multi field of view hyperspectral imaging device and method for using same |
| JP5767883B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| JP5910989B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-04-27 | 株式会社リコー | 分光計測装置、画像評価装置及び画像形成装置 |
| WO2013181203A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Corning Incorporated | Optical imaging system that incorporates an uni-axial optical homogenizer |
| DE102012210954B4 (de) * | 2012-06-27 | 2022-10-20 | Nico Correns | Spektrometeranordnung |
| JP6278625B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2018-02-14 | キヤノン株式会社 | 測色装置及びそれを備える画像形成装置 |
| US20140055784A1 (en) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Logos Technologies, Llc | Camera system for capturing two-dimensional spatial information and hyper-spectral information |
| US9435689B2 (en) * | 2012-10-31 | 2016-09-06 | Corning Incorporated | Hyperspectral imaging system, monolithic spectrometer and methods for manufacturing the monolithic spectrometer |
| WO2014143235A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Integrated Plasmonics Corporation | Ambient light assisted spectroscopy |
| EP2857810A1 (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-08 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Monolith spectrometer |
| JP6395389B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2018-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| JP6251073B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2017-12-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器、及び分光器の製造方法 |
| JP6177153B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2017-08-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| JP6180954B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2017-08-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器、及び分光器の製造方法 |
| US9465991B2 (en) * | 2014-08-11 | 2016-10-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Determining lens characteristics |
| US10132683B2 (en) * | 2015-08-04 | 2018-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
| WO2017022840A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器、及び分光器の製造方法 |
| JP6943452B2 (ja) * | 2016-06-15 | 2021-09-29 | シーウェア システムズＳｉ−Ｗａｒｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ | 一体型スペクトルユニット |
| JP2019527576A (ja) * | 2016-07-15 | 2019-10-03 | キヤノン ユーエスエイ, インコーポレイテッドCanon U.S.A., Inc | スペクトル符号化プローブ |
-
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