TW201908863A - 半導體微影光罩的檢測裝置與方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種半導體微影光罩(8)的檢測裝置(4)，其包含成像光罩(8)的成像裝置(9)和圖像記錄裝置(10)，其中具有用於成像的照明輻射(6)的至少一個子範圍的色散行為的一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在光罩(8)和圖像記錄裝置(10)之間的光學路徑中。本發明還涉及一種在光罩(8)的檢測裝置(4)中考慮縱向色差的方法，該方法包含以下步驟：記錄指定數目的具有不同離焦位置(F1、F2、F3、F4、F5)的圖像，並且選擇圖像的子集且仿真投射曝光設備的縱向色差。

Description

半導體微影光罩的檢測裝置與方法
本發明涉及半導體微影光罩的檢測裝置並且涉及對應的方法。該類型的光罩通常用於通過投射曝光設備(所謂的掃描儀)的投射透鏡，將位於光罩上的結構以1：4的比例縮小的方式成像到半導體基板(所謂的晶片)上的感光層上。該技術可以在半導體基板上創造非常小的結構，並且以這種方法來實現大規模積體電子電路。
為了增加製造過程的性能，有利的是，光罩在它們在掃描儀中使用之前或者在移除維護之後包含的定期間隔時盡可能早地經受檢查或檢驗過程。出於該目的，通常使用光罩的檢測裝置，該檢測裝置通過像是顯微鏡將光罩以放大方式成像並且以這種方法使缺陷為可辨認的。這種類型的測量系統通常還稱為“空間像測量系統”，並且由命名為AIMS或WLCD而在商業上已知。它們通常能够在掃描儀中光罩的實際使用期間仿真一定程度的條件，特別地諸如，照明設定和成像設定；例如西格瑪形狀(sigma shape)、數值孔徑和偏振。然而，根據相應的製造商或者構造的年份，不同的掃描儀具有影響整個系統的行為的不同的所謂縱向色差(longitudinal chromatic)。縱向色差被理解為意味著以下現象：考慮到所使用的光學材料的色散行為，晶片由投射透鏡的成像位於對於偏離波長而言彼此輕微地偏 離的平面中，換言之，成像的最佳焦點位置可以隨波長變化。由於所使用的電磁輻射(通常具有近似193nm的波長，但是還使用具有與其偏離的波長的輻射，例如波長在10nm-121nm的範圍中、特別是大約13.5nm的EUV輻射)的有限光譜寬度，所提及的效應導致了不可忽視的圖像不清晰。迄今的現有技術尚未公開可以用於仿真光罩的檢測裝置中縱向色差的任何方法。
因此本發明的目標是通過以下來指定方法和裝置：在光罩的檢測裝置中用於光罩的測量的掃描儀的縱向色差可以由與從現有技術已知的解决方案比較有改進的方式來考慮。
根據本發明的半導體微影光罩的檢測裝置包含成像光罩的成像裝置和圖像記錄裝置。成像裝置是例如顯微鏡物鏡。圖像記錄裝置可以是例如CCD照相機、CMOS照相機或具有關聯光學系統的綫性陣列照相機。根據本發明，一個或多個校正主體(其具有用於成像的照明輻射的至少一個子範圍的色散行為)布置在光罩和圖像記錄裝置之間的光學路徑中。
校正主體有利地包含在關注的波長範圍中的色散的介質，諸如氟化鈣或石英玻璃。
因為成像裝置典型地配置為透射光的顯微鏡，所以該校正主體通常在光罩和圖像記錄裝置之間的光學路徑中位於光罩背離輻射源的一側。在這種情况下，校正主體可以布置在光罩和成像裝置之間或者在成像裝置和圖像記錄裝置之間。校正主體布置在輻射源和光罩的照明單元之間也是可能的。此外，校正主體可以布置在光罩的照明單元和光罩自身之間。在其他變型中，校正主體可以布置在光罩的照明單元內或者在成像裝置內。更不用說，以下是可能的：在使用多個校正主體的情况下，校正主體可以布置在如上該的多個位置處。
在這種情况下，校正主體由於其色散性質(在掃描儀的投射透鏡中同樣的色散介質的行為)而具有仿真的效果。由於在檢測裝置的顯微鏡物鏡中的相對較少的、薄的光學元件，在沒有附加措施的情况下不足以仿真如已經提到的縱向色差，並且因此所提到的校正主體可以在此提供補救。這情况特別地還是因為用於所提到的投射透鏡中所使用的輻射，與在檢測裝置中相比，在投射透鏡的光學元件的色散材料中覆蓋了相當更長的光學路徑。
本發明的一個優點是：可以設定各種縱向色差，使得可以考慮多樣的投射系統的不同縱向色差。
在這種情况下，校正主體的色散行為不需要必須是靜態的，而是可以配置為通過外部影響可動態選擇的。就此而言，首先，以本身已知的方式，校正主體的色散行為可以例如受機械應力的行動影響。同樣地，校正主體的區域中的電場、磁場或電磁場的存在還可以以期望的方式影響校正主體的色散性質。此外，有可能通過熱應力(例如通過加熱元件或珀爾帖元件)或者通過其中布置校正主體的環境的氣體構成或壓力，來影響校正主體的色散行為。更不用說，可以想到利用並行或同時地提到的所有效應，通過根據本發明的裝置的對應配置來影響校正主體的色散行為。此外，可以通過更改校正元件的空間取向、位置或形狀來改變校正主體的色散材料的影響。就此而言，作為示例，可以使用可變厚度的校正主體。這可以例如通過楔形形狀的校正主體來實現，該楔形形狀的校正主體可以相對於光學路徑橫向移位。此外，還可以使用在其相應楔形表面滑動的兩個楔形物。
上文所提到的所有措施共同具有以下優點：通過適當選擇校正主體的材料的構成和/或通過其適當熱驅動、機械驅動或電驅動，可以實現在各種各樣的掃描儀中的條件的仿真並且因此可以更好地提前計算在相應目標系統中將檢驗的光罩的行為。
在下文中描述根據本發明的方法，該方法替代地或附加地可用於在光罩的檢測裝置中考慮縱向色差。
該方法的一個可能的優點在於：可以明確測量縱向色差的效應。這可以用於進行進一步適配和/或優化。這可以關注諸如曝光設定或蝕刻過程的微影技術參數以及光罩的設計規定這二者。
在第一步驟中，首先測量焦點堆叠，也就是說記錄指定數目的具有不同離焦位置的圖像。然後這些圖像可以用於仿真縱向色差，其本質上同樣表現得像焦點像差一樣。就此而言，作為示例，有可能以相對於光罩100nm的距離測量5個平面。在瞭解所使用的輻射的綫寬和投射曝光設備的縱向色差的情况下，則可以從焦點堆叠的單獨圖像中選擇將與掃描儀中的圖像對應的圖像最近的那些圖像。然後可以通過適當的插值和(如果合適的話)圖像的加權來仿真掃描儀的縱向色差。
離焦的步長(step size)還可以固定地配置為，例如區分為主要步長和次要步長。就此而言，作為示例，有可能選擇相對於光罩的主要步長大小為0.8-1.2μm、特別是1μm，相對於光罩的次要步長大小為80-120nm、特別是100nm。
換言之，主要步長定址掃描儀中的焦點像差，該焦點像差是過程指定的，也就是說例如來自晶片彎曲或者光罩不位於最佳焦點的情况。這些通常情况相依的離焦像差加起來以形成相應考慮的掃描儀的已知縱向色差。
次要步長使得可以特別地通過插值，在掃描儀中對於每一個假設情况進一步改進將測量顯微鏡的離焦分配到光罩的或晶片的離焦(作為掃描儀指定的縱向色差和在掃描儀中與最佳焦點位置的受情况支配的偏離的總和)的準確度。
借助於主要步長，可以評估結構的過程窗口(結構寬度對比取决於曝光劑量的離焦)、和/或缺陷的成像行為。
1‧‧‧光學透鏡元件
2‧‧‧電磁輻射
3‧‧‧色散介質
4‧‧‧光罩的檢測裝置
5‧‧‧輻射源
6‧‧‧照明輻射
7‧‧‧照明單元
8‧‧‧光罩
9‧‧‧成像裝置
10‧‧‧照相機
11‧‧‧致動器接觸表面
12‧‧‧電接觸墊
13‧‧‧電場
14‧‧‧電磁輻射
15‧‧‧發射器
16‧‧‧光學楔形物
17‧‧‧楔形表面
19‧‧‧透鏡元件固定件
20‧‧‧透鏡元件安裝件
21、21’、21”‧‧‧校正主體
22‧‧‧色散控制構件
23‧‧‧控制單元
24‧‧‧致動器
25‧‧‧電壓發生器
26‧‧‧力向量
27‧‧‧平行於光軸的方向
A‧‧‧焦平面的距離
OA‧‧‧光軸
F1...F5‧‧‧焦平面
L1...L3‧‧‧波長
N‧‧‧氣體構成
N‧‧‧折射率
P‧‧‧壓力
Fx‧‧‧焦點堆叠
P1...P6‧‧‧校正主體的可能位置
30‧‧‧氣體環境
31‧‧‧淨化氣體單元
32‧‧‧壓力調節器
33‧‧‧氣體成分調節器
40‧‧‧永磁體
41‧‧‧永磁體的磁場
42‧‧‧綫圈
43‧‧‧綫圈的磁場
44‧‧‧電磁體
45‧‧‧電磁體的磁場
50‧‧‧加熱元件
60‧‧‧光譜源
61‧‧‧濾光器
63‧‧‧光譜源集合體
在下文參考附圖更詳細地解釋本發明的示例性實施例和變型。附圖中：圖1示出了光學透鏡元件的縱向色差的示意圖；圖2示出了光罩的檢測裝置的色散行為的目標影響的校正主體的構造的示意圖；圖3示出了根據本發明的光罩的檢測裝置的示意圖，其具有用於指定的縱向色差的目標設定的校正主體的位置的可能布置；圖4示出了機械上影響校正主體的一個變型；圖5示出了通過電磁場和電磁波影響校正主體的兩個變型；圖6示出了設定校正主體內的光學輻射的路徑長度的兩個可能的實施例；圖7示出了改變校正主體的空間取向和位置的一個實施例；圖8示出了通過環境的氣壓和氣體構成影響校正主體的一個變型；圖9示出了通過磁場影響校正主體的三個變型；圖10示出了熱學上影響校正主體的一個實施例；圖11示出了針對縱向色差的目標設定改變光罩的檢測裝置的輻射源的光譜性質的一個變型；圖12示出了通過記錄焦點堆叠仿真縱向色差的方法的示意圖。
圖1示出了由於色差導致的光學透鏡元件1的縱向色差的示意圖。由於光學透鏡元件1的與波長相關的折射率n，具有有限的但是本質上不為0的帶寬的電磁輻射2在光學透鏡元件1內被不同程度地折射，因此導致不同焦平面F1、F2、F3。作為示例，示意圖示出了具有對應焦平面 F1、F2、F3的電磁輻射2的三個波長L1、L2、L3，其中L1<L2<L3適用。由於折射率n的波長依賴性和因此焦平面F1、F2、F3，這稱為縱向色差。本發明的目標是在光罩的檢測裝置內以有針對性的方式整合該實際上非期望的光學像差，以便於能够仿真具有特有的縱向色差的各種投射曝光設備。在這種情况下，根據本發明，一個或多個校正主體用於影響色散行為。
圖2以示意圖示出了用於色差的目標影響的一個示例性校正主體21的構造。在這種情况下，校正主體21包含光學色散介質3，例如氟化鈣或石英玻璃，其中光罩的檢測裝置4的光軸OA延伸穿過色散介質3。經由色散控制構件22，以有針對性的方式影響校正主體21的色散介質3的色散性質，以便於產生指定的縱向色差。在這種情况下，可以靜態並且動態地影響光學介質3。為了縱向色差的目標控制和調節，色散控制構件22經由電子控制單元23來控制。
圖3示出了根據本發明的光罩的檢測裝置4的裝置示意圖，其具有用於指定的縱向色差的目標設定的一個或多個校正主體21的可能位置(P1、P2、P3、P4、P5、P6)。光罩的檢測裝置4包含沿著光罩的檢測裝置4的光軸OA產生電磁照明輻射6的輻射源5。在這種情况下，作為示例，具有193nm波長的電磁照明輻射6是可以想到的。電磁照明輻射6經由照明單元7引導到將檢測的光罩8上。通過成像裝置9，將電磁照明輻射6成像到照相機10上，並且在那裏檢測電磁照明輻射，其中照相機10可以配置為例如CCD、CMOS或綫陣列照相機。記錄的信號隨後在數據處理單元(未在圖中示出)中被電子地處理。
一個或多個校正主體21的可能位置P1、P2、P3、P4、P5、P6特別是：位置P1在輻射源5和照明單元7之間，位置P2在照明單元7內，位置P3在照明單元7和光罩8之間，位置P4在光罩8和成像裝置9之間，位置P5在成像裝置9內，位置P6在成像裝置9和照相機10之間。
還可以為每個位置布置多個校正主體21。還可以想到系統包含將在光罩的檢測裝置4內的不同位置處積體的多個校正主體21，其中可以為每個位置布置多個校正主體21。
圖4示出了機械上影響校正主體21的一個變型。在這種情况下，經由平行於光軸OA延伸的兩個致動器接觸表面11夾住校正主體21。通過致動器24，經由致動器接觸表面11，可以垂直於光軸OA引入機械力至校正主體21中。致動器24在平行於光軸OA的箭頭方向27上分別移動同樣是可能的，因而致動器24的力向量26可以在相反方向上且以空間偏移方式作用在校正主體21上。通過作為機械影響構件的致動器24，因此可以帶來拉伸和壓縮力、轉矩以及校正主體21中的任意類型靜態和動態的機械應力，因而可以控制色散介質3的折射率n並且因此控制校正主體21的色散行為。可以想到校正主體21在原處被固定地夾住，並且僅經由致動器24實現力外加。同樣可以通過壓縮或拉伸力實現校正主體21的色散介質3的幾何結構的改變，因而可以以有針對性的方式附加地影響校正主體21內光學輻射的光學路徑長度L。作為示例，可以想到將電的、液壓的、氣動的、熱的和磁的致動器作為致動器24。此外，有可能使用壓電致動器或者聲光調製器，來通過機械方式調製校正主體21的折射率n。此外，特別是在靜態影響的情况下，還可以使用動力學以代替致動器24。
圖5示出了通過電磁場和/或電磁波影響校正主體21的兩個變型。在這種情况下，在變型A中，經由兩個電接觸墊12在校正主體21的色散介質3內外加電場13。經由電壓發生器25靜態地和動態地控制電場13。作用電場13影響校正主體21的色散行為，因而不同縱向色差可以以有針對性的方式產生。作為示例，通過諸如普克爾效應或克爾效應的綫性效應或者通過非綫性效應，經由電磁場13以有針對性的方式調製色散介質3的折射率n。在變型B中示出了替代的實施例，其中通過發射器15將電磁輻射14外加到校正主體21內的色散介質3中。
圖6示出了設定校正主體內的光學路徑長度L的兩個可能的實施例。在這種情况下，圖6A所示的變型中示出了形式為光學楔形物16的校正主體21’。校正主體21’內的光學路徑長度L可以通過光學楔形物16垂直於光軸OA的位移來設定。圖6B中所示的變型中示出了形式為具有相似功能原理的兩個光學楔形物16的布置的校正主體21”。在這種情况下，兩個光學楔形物16可以移位，使得它們在它們相應楔形表面17上滑行並且因此引起光學路徑長度L的改變。同樣可以想到可以使用多於兩個光學楔形物16。
圖7示出了改變校正主體的空間取向和位置的一個實施例。在這種情况下，光學透鏡元件L1、L2、L3、L4沿著校正主體21內的光軸OA布置。通過透鏡元件固定件19和透鏡元件安裝件20將光學透鏡元件L1、L2、L3、L4機械上定位在校正主體21內。可以首先經由光學透鏡元件L2的插入和撤回來影響色散行為，因為不同的縱向色差的存在取决於校正主體21內的光學透鏡元件L2的出現。在這種情况下，可以取决於期望的色差(例如，通過透鏡元件轉檯)來改變光學透鏡元件L2。光學透鏡元件L3和光學透鏡元件L4能够在x-y-z方向上所識別的坐標系中繞它們的軸綫旋轉並且三維地在機械上自由地布置。在這種情况下，透鏡元件L3、L4可以通過其相應的機構M3、M4來分別取得不同的自由度。首先，透鏡元件L3、L4可以通過機構M3、M4在其相應的透鏡元件安裝件20處分別在x-y-z方向上移位。此外，每個透鏡元件L3、L4可以繞x-y和z軸旋轉。透鏡元件L3、L4同樣可以相互傾斜，如果例如通過機構M3、M4選擇不同的距離B’和B的話。通過光學透鏡元件L3的和光學透鏡元件L4的不同的可設定空間取向和位置，因此可以在光罩的檢測裝置4內設定並且仿真不同的縱向色差。
圖8示出了通過環境的氣壓和氣體構成影響校正主體的一個變型。在這種情况下，校正主體的色散介質3位於可控制氣體環境30內。 經由淨化氣體單元31，有可能經由壓力調節器32影響壓力P並且經由氣體成分調節器33影響氣體N的構成。作為示例，氣體壞境使用氮，其可以通過惰性氣體添加劑在受控制的環境中富集。由於氣體環境直接作用在色散介質3上，可以以有針對性的方式影響校正主體的色散行為。圖9示出了通過磁場影響校正主體21的三個變型。在這種情况下，在變型E中，可以通過永磁體40在校正主體21的色散介質3內外加磁場41。作為其他變型F，綫圈42可以纏繞校正主體21及其色散介質3以便於建立磁場43。經由電壓發生器25靜態地並且動態地影響綫圈42和磁場43。同樣地可以想到將電磁體44作為變型G，該電磁體經由電壓發生器25控制以產生磁場45。
圖10示出了通過熱元件50影響校正主體21的一個實施例。在這種情况下，校正主體21的色散介質3受加熱元件50(例如珀爾帖元件)熱影響，使得溫度改變發生在色散介質3內。由於反射率n的溫度依賴性，影響校正主體21的色散行為並且因此發生指定的縱向色差。
圖11示出了針對縱向色差的目標設定改變光罩的檢測裝置4的輻射源的光譜性質的一個變型。在這種情况下，可以經由濾光器系統61在光譜上影響光譜源60的電磁照明輻射6。在其光譜性質方面可調的光學輻射源，例如光譜可調的LED，是可以想到的光譜源60，因此有可能在光罩的檢測裝置4中波長選擇性地引入不同縱向色差。此外，包含(例如具有陣列形式的)具有不同光譜性質的各種光譜源60的光譜源集合體63是可以想到的，其中選擇性地將來自光譜源集合體63的一個光譜源60引入到束路徑中。因此，有可能在光罩的檢測裝置4內仿真不同投射曝光設備及其縱向色差。
圖12以示意圖示出了通過記錄焦點堆叠Fx來仿真縱向色差的方法。這涉及在離焦位置中以100nm的距離A記錄例如5個平面(F1、F2、F3、F4、F5)。出於該目的，首先可以對每個記錄可變地適配光罩的檢 測裝置的照相機以及成像裝置。舉例示出了主平面L3在其對應焦平面F3上的聚焦。在瞭解所使用的輻射的綫寬和要仿真的投射曝光設備的縱向色差的情况下，則可以從焦點堆叠Fx的單獨圖像選擇將與將仿真的縱向色差對應的那些圖像。然後可以通過適當的插值和(如果合適的話)圖像的加權來仿真縱向色差。
在不脫離本發明精神或必要特性的情況下，可以其他特定形式來體現本發明。應將所述具體實施例各方面僅視為解說性而非限制性。因此，本發明的範疇如隨附申請專利範圍所示而非如前述說明所示。所有落在申請專利範圍之等效意義及範圍內的變更應視為落在申請專利範圍的範疇內。

Claims (26)

  1. 一種半導體微影光罩(8)的檢測裝置(4)，包含：- 用於成像光罩(8)的成像裝置(9)，- 圖像記錄裝置(10)，其中，具有用於成像的照明輻射(6)的至少一個子範圍的色散行為的一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該光罩(8)和該圖像記錄裝置(10)之間的光學路徑中。
  2. 如請求項1的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該光罩(8)和該成像裝置(9)之間。
  3. 如請求項1或2的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該光罩(8)的照明單元(7)和該光罩(8)之間。
  4. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在輻射源(5)和該光罩(8)的照明單元(7)之間。
  5. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該成像裝置(9)和該圖像記錄裝置(10)之間。
  6. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該光罩(8)的照 明單元(7)內。
  7. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，一個或多個校正主體(21、21’、21”)佈置在該成像裝置(9)內。
  8. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，該一個或多個校正主體(21、21’、21”)包含氟化鈣或石英玻璃。
  9. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，具有影響該校正主體(21、21’、21”)的色散行為的構件(22；24、11；25、12；40；42；44；15；50；31、31、33；M3、M4、16)。
  10. 如請求項9的裝置，其中，該構件(24、11)用於在該校正主體(21、21’、21”)中帶來機械應力。
  11. 如請求項9或10的裝置，其中，該構件(25、12)用於在該校正主體(21、21’、21”)的區域中產生電場。
  12. 如請求項9至11中任一項的裝置，其中，該構件(40、42、44)用於在該校正主體(21、21’、21”)的區域中產生磁場(41、43、45)。
  13. 如請求項9至12中任一項的裝置， 其中，該構件(15)用於在該校正主體(21、21’、21”)的區域中產生電磁場(14)。
  14. 如請求項9至13中任一項的裝置，其中，該構件(50)用於在該校正主體(21、21’、21”)中帶來熱應力。
  15. 如請求項9至14中任一項的裝置，其中，該構件(31、32、33)用於影響環境的壓力(P)和氣體構成(N)，該環境中佈置有該校正主體(21、21’、21”)。
  16. 如請求項9至15中任一項的裝置，其中，在該校正主體(21、21’、21”)中出現影響用於該檢測的照明輻射(6)的路徑長度(L)的構件(16)。
  17. 如請求項16的裝置，其中該校正主體(21、21’、21”)由一個或多個光學楔形物(16)來形成，該一個或多個光學楔形物(16)相對於該光罩的檢測裝置(4)的光軸(OA)是可位移的。
  18. 如請求項17的裝置，其中，至少兩個光學楔形物(16)沿著它們的相應相對楔形表面(17)可位移地佈置。
  19. 如請求項9至18中任一項的裝置，其中，具有改變該校正主體(21、21’、21”)包含的光學元件(L1、L2、L3、L4)的空間取向或位置的構件(M3、M4、20)。
  20. 如請求項19的裝置，其中，該構件(M3、M4)用於更改在該些光學元件(L1、L2、L3、L4)之間的距離(B)。
  21. 如請求項19或20的裝置，其中，該構件(20)用於以垂直於該光罩的檢測裝置(4)的光軸(OA)的方向位移該光學元件(L1、L2、L3、L4)。
  22. 如前述請求項中的任一項的裝置，其中，具有光譜上影響該照明輻射(6)的構件(60、61)。
  23. 一種在光罩(8)的檢測裝置(4)中考慮縱向色差的方法，該方法包含以下步驟：- 記錄指定數目的具有不同離焦位置(F1、F2、F3、F4、F5)的圖像，- 選擇圖像的子集並且仿真(simulate)投射曝光設備的縱向色差。
  24. 如請求項23的方法，包含對所選擇的圖像進行插值(interpolation)和/或加權(weighting)。
  25. 如請求項23或24的方法，包含區分為主要步長(step seize)和次要步長。
  26. 如請求項25的方法，其中選擇的相對於該光罩的主要步長值為0.3-2μm、特別是1μm，並且次要步長值為10-150nm、特別是100nm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765361B (zh) * 2019-10-03 2022-05-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定一圖案化器件之表面參數之方法、用於補償一加熱效應之方法及用於表徵一圖案化器件之微影裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017115365B4 (de) * 2017-07-10 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102020104167B4 (de) * 2020-02-18 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung von Photomasken

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5171518A (en) 1992-02-21 1992-12-15 Combustion Engineering, Inc. Method of determining differences or changes in the rate of heat transfer through tube walls
JPH0675192A (ja) * 1992-06-26 1994-03-18 Minolta Camera Co Ltd 手ぶれ補正光学系
JP3463335B2 (ja) 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07311337A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Asahi Optical Co Ltd 光情報記録再生装置
JP3365087B2 (ja) * 1994-10-14 2003-01-08 ミノルタ株式会社 手ぶれ補正機能を有する光学系
KR960042227A (ko) * 1995-05-19 1996-12-21 오노 시게오 투영노광장치
US5717518A (en) * 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US6081385A (en) * 1997-07-09 2000-06-27 Minolta Co., Ltd. Optical system design and production method
JP3746894B2 (ja) * 1998-02-05 2006-02-15 ペンタックス株式会社 色消しレンズ系
JP2000003847A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Canon Inc 荷電粒子線縮小転写装置及びデバイス製造方法
US6160831A (en) * 1998-10-26 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Wavelength calibration tool for narrow band excimer lasers
US20020071472A1 (en) * 1999-04-30 2002-06-13 Metrologic Instruments, Inc. DOE-based systems and devices for producing laser beams having modified beam characteristics
US6606197B2 (en) * 2000-03-28 2003-08-12 Corning Incorporated Dual grating filtering system
US6842298B1 (en) * 2000-09-12 2005-01-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system
US6795182B2 (en) * 2001-07-06 2004-09-21 Arroyo Optics, Inc. Diffractive fourier optics for optical communications
US20060007554A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Joerg Ferber Method and apparatus for maintaining focus and magnification of a projected image
KR101244255B1 (ko) * 2004-12-16 2013-03-18 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치, 노광 시스템 및 노광 방법
JP2007250947A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 露光装置および像面検出方法
DE102006022958A1 (de) 2006-05-11 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs
DE102006036504A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Messung des Höhenprofils eines strukturierten Substrats
KR100811270B1 (ko) * 2006-09-19 2008-03-07 주식회사 하이닉스반도체 단일 포토마스크를 이용한 패턴 형성방법
US7973927B2 (en) * 2006-09-29 2011-07-05 Uwm Research Foundation, Inc. Two-photon microscope with spectral resolution
TWI407248B (zh) * 2006-12-05 2013-09-01 Hoya Corp 光罩之檢查裝置、光罩之檢查方法、液晶裝置製造用光罩之製造方法以及圖案轉印方法
JP4521561B2 (ja) * 2006-12-19 2010-08-11 レーザーテック株式会社 フォーカス制御方法及び位相シフト量測定装置
US7643157B2 (en) * 2007-01-04 2010-01-05 Lasertec Corporation Phase shift amount measurement apparatus and transmittance measurement apparatus
JP4885762B2 (ja) * 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2009094145A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Canon Inc 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法
KR20090038121A (ko) 2007-10-15 2009-04-20 엘지전자 주식회사 광픽업의 색수차 보정 제어장치 및 방법
JP4703693B2 (ja) * 2008-08-08 2011-06-15 株式会社東芝 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法
CN101510054B (zh) * 2009-03-06 2011-05-11 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的曝光控制系统及控制方法
CN101866111A (zh) * 2009-04-14 2010-10-20 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 监测曝光机台焦平面变化的方法
CN101930180B (zh) * 2009-06-18 2013-01-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测曝光机台焦平面变化的方法及装置
US8520186B2 (en) 2009-08-25 2013-08-27 Cymer, Llc Active spectral control of optical source
JP5404298B2 (ja) * 2009-10-15 2014-01-29 キヤノン株式会社 画像読取装置の検査方法および検査装置
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
JP5820729B2 (ja) 2012-01-11 2015-11-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 光束分岐素子、およびマスク欠陥検査装置
DE102012200368A1 (de) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5893487B2 (ja) * 2012-04-13 2016-03-23 キヤノン株式会社 ズームレンズ及びそれを有する撮像装置
JP5959989B2 (ja) * 2012-08-17 2016-08-02 キヤノン株式会社 ズームレンズ及びそれを有する撮像装置
US9293882B2 (en) 2013-09-10 2016-03-22 Kla-Tencor Corporation Low noise, high stability, deep ultra-violet, continuous wave laser
JP6429444B2 (ja) * 2013-10-02 2018-11-28 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法
JP6173156B2 (ja) * 2013-10-02 2017-08-02 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法
JP5725681B1 (ja) * 2014-01-22 2015-05-27 レーザーテック株式会社 干渉計及び位相シフト量測定装置
JP6747687B2 (ja) 2014-08-25 2020-08-26 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 収差補正装置、これを有するデバイス、および荷電粒子の収差を補正するための方法
JP6516429B2 (ja) * 2014-09-16 2019-05-22 キヤノン株式会社 距離計測装置、撮像装置、および距離計測方法
CN105549327B (zh) * 2014-10-29 2018-03-02 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光装置的调整装置及调整方法
JP6554288B2 (ja) * 2015-01-26 2019-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP2016170122A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 キヤノン株式会社 計測装置
CN106292188B (zh) * 2015-05-24 2019-01-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光装置
CN106707684B (zh) * 2015-08-05 2019-12-13 中国科学院微电子研究所 一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法
CN108700819B (zh) * 2015-12-23 2020-11-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备和用于执行测量的方法
EP3222964B1 (en) * 2016-03-25 2020-01-15 Fogale Nanotech Chromatic confocal device and method for 2d/3d inspection of an object such as a wafer
US9966725B1 (en) * 2017-03-24 2018-05-08 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
DE102017115365B4 (de) * 2017-07-10 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
US10401738B2 (en) * 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
US10634559B2 (en) * 2018-04-18 2020-04-28 Raytheon Company Spectrally-scanned hyperspectral electro-optical sensor for instantaneous situational awareness
CN110346919B (zh) * 2019-08-14 2024-04-19 浙江舜宇光学有限公司 光学成像镜头

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765361B (zh) * 2019-10-03 2022-05-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定一圖案化器件之表面參數之方法、用於補償一加熱效應之方法及用於表徵一圖案化器件之微影裝置

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