CN109307987B - 曝光装置和物品制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了曝光装置和物品制造方法。被配置为使基板暴露于光的装置包括：照明光学系统，被配置为照明掩模；投影光学系统，被配置为将掩模的图案投影到基板上；和偏心机构，被配置为使照明光学系统的至少一个光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心，或者使投影光学系统的至少一个光学元件相对于照明光学系统的光轴偏心，并且，通过偏心机构使光学元件偏心来改变在从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变。

Description

曝光装置和物品制造方法
技术领域
实施例的方面涉及曝光装置和物品制造方法。
背景技术
在使用光刻技术制造诸如半导体元件和液晶显示元件之类的元件的情况下，使用曝光装置。这种曝光装置使投影光学系统将掩模的图案投影到基板上，并转印图案。
期望增强诸如掩模表面和基板表面之类的照明目标表面上的照明均匀性，并且期望用于照明照明目标表面上的每个点的照明光的角度分布的光量重心(远心度)垂直于基板以在基板上形成精细图案。
然而，远心度可能劣化(degrade)。在这种情况下，当基板在从投影光学系统的像面(聚焦位置)在光轴方向上移位的位置处暴露于光时，基板表面上的聚焦图像的位置在垂直于光轴的方向上偏移。此外，远心度可能在照明目标表面上的每个位置处不同。在这种情况下，在基板表面上形成畸变图像。
日本专利申请特开No.2003-59817讨论了一种曝光装置，其即使在基板的位置在散焦方向上移位的情况下也能校正由相对于基板的照明光的远心特征的劣化引起的旋转对称畸变(图像的畸变)。在日本专利申请特开No.2003-59817中讨论的曝光装置中，存储关于要由光学系统产生的远心度的信息，并且根据定位基板的位置处的散焦量来在光轴方向上驱动透镜，从而使基板暴露于光。这减少了诸如投影倍率(magnification)之类的旋转对称畸变。
可能由于透镜表面形状的制造误差而发生光学系统像差，并因此可能在散焦位置处发生旋转不对称畸变。日本专利申请特开No.2003-59817中讨论的曝光装置在光轴方向上驱动透镜以校正旋转对称畸变。然而，日本专利申请特开No.2003-59817没有公开用于校正这种旋转不对称畸变的技术。
此外，在将厚膜抗蚀剂施加到基板并且然后使基板暴露于光的情况下，在从投影光学系统的像面在光轴方向上散焦的位置处的畸变被控制以控制抗蚀剂轮廓(图案形状)。基板经历包括先前的曝光步骤的基板处理步骤。由于这种基板处理步骤使得已经形成在基板上的图案畸变，因此需要能够使可选的畸变上的图案重叠并使图案暴露于光的曝光装置。
发明内容
根据实施例的一个方面，被配置为使基板暴露于光的装置包括：照明光学系统，被配置为照明掩模；投影光学系统，被配置为将掩模的图案投影到基板上；和偏心机构，被配置为使照明光学系统的至少一个光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心，或者使投影光学系统的至少一个光学元件相对于照明光学系统的光轴偏心，并且，通过偏心机构使光学元件偏心来改变在从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变。
参考附图，根据以下对示例性实施例的描述，本公开的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出了根据第一示例性实施例的曝光装置的示意图。
图2是示出了远心度的图。
图3是示出了存在远心度误差的状态的图。
图4A和图4B是示出了远心度的像高依赖性的图。
图5是示出了曝光装置的远心度的图。
图6是示出了通过使照明光学系统偏心提供的远心度特性的图。
图7是示出了在使照明光学系统偏心之后的曝光装置的远心度误差的图。
图8是示出了旋转不对称畸变的图。
图9是示出了根据第一示例性实施例的控制操作的流程图。
图10是示出了根据第二示例性实施例的曝光装置的示意图。
图11是示出了根据第二示例性实施例的控制操作的流程图。
图12是示出了根据第三示例性实施例的控制操作的流程图。
具体实施方式
将参考附图详细描述示例性实施例。
描述第一示例性实施例。图1是示出了曝光装置100的示意图。包括从光源101到中继透镜108的组件的单元被定义为照明光学系统120。光源101包括超高压汞灯。椭圆镜102会聚来自光源101的光。光源101被布置在椭圆镜102的第一焦点附近。由椭圆镜102反射的光被引导到中继光学系统103。通过中继光学系统103的光透射通过光学积分器104，从而形成多个二次光源。然后，通过孔径光阑105以期望的光强度形状形成光束截面。由于孔径光阑105是与照明目标表面经历傅里叶变换的表面，所以孔径光阑105的形状确定照明目标表面的角度分布。因此，经由会聚透镜106用具有期望的角度分布的光以基本均匀的方式照射视场光圈107。通过视场光圈107在具有期望的形状的照明区域中形成的光经由中继透镜108照明照明目标表面的掩模(掩模版)109。
驱动机构116(偏心机构)包括致动器，该致动器在垂直于照明光学系统120的光轴120a的方向上驱动(偏心)照明光学系统120。
投影光学系统110将照明掩模109的图案投影到由用于定位基板的基板台113上的基板保持卡盘112保持的基板111上，并使基板111暴露于光。
在基板台113上，布置用于测量基板111所暴露于的光的远心度的传感器114。传感器114包括具有针孔或狭缝的遮光板，以及诸如电荷耦合器件(CCD)之类的光电变换器。光电变换器接收穿过针孔或狭缝的光，并将这些光转换成电信号。传感器114通过基板台113移动到投影光学系统110的投影区域中，从而测量在垂直于光轴的平面上的每个位置处要入射的光的角度分布。
控制单元115获取关于由传感器114测量的角度分布的信息，以确定光量重心(远心度)。远心度表示相对于投影光学系统的光轴的像面上的每个位置处的光量重心的平行度。远心度由当基板被散焦1μm时的图像的倾斜角或位移量来表示。然后，控制单元115基于每个位置处的光量重心计算从投影光学系统110的像面(聚焦位置)在平行于投影光学系统110的光轴110a的方向(在散焦方向)上移位的位置处的畸变。这种位置处的畸变也被称为散焦畸变。控制单元115基于计算出的畸变来计算在垂直于照明光学系统120的光轴的方向上的驱动量，并控制驱动机构116按照计算出的驱动量来驱动照明光学系统120。
图2是示出了基板111上的曝光光的远心度的图。在基板111上的相应位置处提供轴上像高21、离轴像高22和离轴像高23。轴上像高21被提供在投影光学系统110的光轴上的位置处。离轴像高22被提供在距投影光学系统110的光轴的X方向的负侧的位置处，而离轴像高23被提供在距投影光学系统110的光轴的X方向的正侧的位置处。像高表示距投影光学系统110的光轴的距离。轴210在轴上像高21处垂直于基板111的表面。轴220在离轴像高22处垂直于基板111的表面，并且轴230在离轴像高23处垂直于基板111的表面。光线211具有在轴上像高21处的曝光光的光量重心。光线221具有在离轴像高22处的曝光光的光量重心，并且光线231具有在离轴像高23处的曝光光的光量重心。
轴上像高21处的光线211与轴210平行，并且是远心的。换句话说，这表明图像不由于远心度而在散焦位置处移位。类似地，离轴像高22处的光线221平行于轴220，并且离轴像高23处的光线231平行于轴230。
图3是示出了不是远心的状态的图。在这种状态下，光线311具有在轴上像高21处的曝光光的光量重心，光线321具有在离轴像高22处的曝光光的光量重心，并且光射线331具有在离轴像高23处的曝光光的光量重心。
轴上像高21处的光线311不平行于轴210，或者不是远心的(存在远心度误差)。换句话说，这表明图像由于远心度而在散焦位置处移位。类似地，离轴像高22处的光线321不平行于轴220，或者不是远心的。离轴像高23处的光线331不平行于轴230，或者不是远心的。
要在基板111上形成的图像的位置依赖于曝光光的远心角度和与基板111的曝光表面的最佳聚焦位置的位移量(散焦量)。在投影光学系统在最佳聚焦位置处可能没有畸变像差的情况下，当基板111的曝光表面处于最佳聚焦位置时要形成图像的位置即使在投影光学系统不是远心的情况下也不移位。然而，如果基板111在基板111已经垂直移动了散焦量Δh的位置处被暴露于光，则基板111上的要形成图像的位置通过依赖于远心角度和散焦量Δh而移位。此时，产生位移量(误差)Δd1、Δd2和Δd3。位移量Δd1是要由光线321形成的图像的位置移位的量。位移量Δd2是要由光线311形成的图像的位置位移的量，并且位移量Δd3是要由光线331形成的图像的位置位移的量。
如果将厚膜抗蚀剂施加到基板并且然后使基板暴露于光，则从投影光学系统的像面在光轴方向上散焦的位置处的畸变将被控制以便控制抗蚀剂轮廓(图案形状)。
如果远心度根据像高变化，则在散焦时图像的位置的位移量基于像高而变化。使用这种特性使得例如能够相对于要形成在基板上的图像中的每个位置调整非线性畸变。
下面将描述投影光学系统110和照明光学系统120不具有诸如制造误差之类的误差的理想情况。
图4A是示出了投影光学系统110的掩模109侧的远心度的像高依赖性的图。原点位置是轴上像高。作为一个示例，图4A示出了远心度依赖于像高并且改变为三阶分量的状态。
图4B是示出了照明光学系统120的掩模109侧的远心度的像高依赖性的图。原点位置是轴上像高。作为一个示例，图4B示出了远心度依赖于像高并且改变为三阶分量以使得投影光学系统110的远心度误差减小的状态。
整个曝光装置100的远心度(即，基板111所暴露于的曝光光的远心度)是投影光学系统110和照明光学系统120的远心度之和。因此，在照明光学系统120的光轴和投影光学系统110的光轴不移位的状态下，相对于照明光学系统120的像高的远心度特性和相对于投影光学系统110的像高的远心度特性相互抵消。
因此，不会发生依赖于像高的远心度误差。
图5是示出了曝光装置100的远心度的图。照明光学系统120的掩模109侧的远心度402被布置为匹配投影光学系统110的掩模109侧的远心度401，以使得基板111上的远心度误差被消除。
然而，由于投影光学系统110或照明光学系统120的透镜的材料或表面形状、透镜保持部的制造误差或者透镜的位置或角度的误差，可能发生曝光装置100的远心度的误差。因此，在散焦位置处发生旋转不对称畸变。
在本示例性实施例中，使照明光学系统120偏心以在垂直于投影光学系统110的光轴的方向上移位，从而校正在散焦位置处发生的旋转不对称畸变。
图6是示出了在使照明光学系统120偏心之前和之后的照明光学系统120的远心度的像高依赖性的图。虚线表示在使照明光学系统120偏心之前的远心度特性701，而实线表示在使照明光学系统120偏心之后的远心度特性702。在使照明光学系统120在垂直于投影光学系统110的光轴的方向上偏心的情况下，照明光学系统120的远心度特性在像高方向上偏移。
图7是示出了当使照明光学系统120在垂直于投影光学系统110的光轴的方向上偏心时曝光装置100的远心度的像高依赖性的图。实线表示投影光学系统110的远心度特性703。曝光装置100具有作为照明光学系统120的偏移后的远心度特性702和投影光学系统110的远心度特性703之和的远心度特性704。
在本示例性实施例中，投影光学系统110的远心度特性703和照明光学系统120的远心度特性702中的每一个依赖于像高并且是三阶分量。因此，曝光装置100具有依赖于像高并且是与远心度特性703和远心度特性702之间的差相对应的二次分量的远心度特性704。远心度特性704可以被表示为下面的数学公式。
ΔX＝A(dX)2+B(dX)+C，其中ΔX是当使照明光学系统120在垂直于投影光学系统110的光轴的x方向上偏心距离dX的量时远心度特性704的X分量，A是二次系数，B是一次系数，并且C是零级系数。此外，ΔY＝A'(dX)2+B'(dX)+C'，其中ΔY是当使照明光学系统120在垂直于投影光学系统110的光轴的Y方向上偏心距离dY的量时偏心特性704的Y分量，A'是二次系数，B'是一次系数，并且C'是零级系数。
在基板111散焦并暴露于光的情况下，远心度特性类似于要形成在基板111上的图像的位置的位移特性。因此，使照明光学系统120偏心可以在要形成在基板111上的图像中产生二次分量的依赖于像高的位置误差。换句话说，使照明光学系统120偏心可以产生旋转不对称畸变。
图8是示出了要形成在散焦位置处的基板111上的图像的旋转不对称畸变的图。呈四边形格子形状的实线91表示没有畸变的理想形状。粗线92表示当使照明光学系统120在垂直于照明光学系统120的光轴的方向X上偏心时的旋转不对称畸变的形状。
对于使照明光学系统120偏心的X方向，可以通过依赖于X方向上的坐标来产生二次分量的X误差ΔX。此外，对于垂直于X方向的Y方向，可以通过依赖于Y方向上的坐标来产生二次分量的Y误差ΔY。
因此，使照明光学系统120偏心，以使得照明光学系统120的光轴在垂直于投影光学系统110的光轴的方向上移位，使得可以改变旋转不对称畸变。因此，可以调整由照明光学系统120或投影光学系统110引起的在散焦位置处的旋转不对称畸变，以使其减小。因此，即使基板111散焦并暴露于光，也可以在基板111上形成几乎没有畸变的图案。
参考图9所示的流程图来描述根据本示例性实施例的控制操作。在步骤S101中，在基板被暴露于光之前，控制单元115使用安装在基板台113上的传感器114来测量曝光装置100的远心度。此时，传感器114测量多个离轴像高中的每一个和轴上像高处的光量重心。在步骤S102中，控制单元115获取由传感器114获取的测量数据，并且根据在每个像高处的光量重心计算散焦位置处的旋转不对称畸变分量D1。
改变量(灵敏度)E1是当照明光学系统120相对于投影光学系统110偏心时相对于照明光学系统120的偏心量的散焦位置处的旋转不对称畸变的改变量。在步骤S103中，控制单元115根据公式F1＝D1/E1，从计算出的畸变分量D1和灵敏度E1来计算驱动量F1。驱动量F1是使照明光学系统120偏心的必要量。
在步骤S104中，控制单元115控制驱动机构116以按照计算出的驱动量F1驱动照明光学系统120，使得照明光学系统120在垂直于照明光学系统120的光轴的方向上偏心与计算出的驱动量F1对应的量。以这种方式，校正了曝光装置100的散焦位置处的旋转不对称畸变。随后，在步骤S105中，在散焦位置处，掩模图案被投影到基板上，并且在旋转不对称畸变减小的状态下使基板暴露于光。
已经使用其中投影光学系统110和照明光学系统120中的每一个的远心度的像高依赖性是三次分量的情况描述了本示例性实施例。然而，像高依赖性不限于三次分量。例如，如果投影光学系统110和照明光学系统120中的每一个的远心度的像高依赖性是二次分量，则可以调整散焦畸变的一次分量。此外，如果提供更高阶的分量，则可以调整更高阶的散焦畸变。
投影光学系统110的光轴110a可以相对于照明光学系统120的光轴120a偏心。换句话说，照明光学系统的光轴和投影光学系统的光轴相对偏心，使得可以改变旋转不对称畸变。
描述第二示例性实施例。图10是示出了根据本示例性实施例的曝光装置的示意图。省略对与第一示例性实施例类似的配置的描述。
本示例性实施例的曝光装置100A包括驱动机构117，其在垂直于光轴120a的方向上驱动中继透镜108(光学系统)。控制单元115基于确定的驱动量来控制驱动机构117。此外，曝光装置100A包括驱动机构118，其在垂直于光轴120a的方向上驱动透镜119(光学元件)。透镜119是中继透镜108中的透镜之一。控制单元115基于确定的驱动量来控制驱动机构118。
在本示例性实施例中，中继透镜108或作为中继透镜108中的透镜之一的透镜119相对于投影光学系统110的光轴110a偏心。这改变了发生在从投影光学系统110的聚焦位置散焦的位置处的旋转不对称畸变。由中继透镜108或透镜119的偏心引起的远心度特性的改变(即，旋转不对称畸变的改变)与第一示例性实施例的类似。因此，在基板111散焦并暴露于光的情况下，可以产生二次分量的依赖于像高的位置误差。
参考图11所示的流程图来描述根据本示例性实施例的控制操作。在步骤S201中，在基板被暴露于光之前，控制单元115使用安装在基板台113上的传感器114来测量曝光装置100A的远心度。此时，传感器114测量多个离轴像高中的每一个和轴上像高处的光量重心。在步骤S202中，控制单元115获取由传感器114获取的测量数据，并且根据每个像高的光量重心计算散焦位置处的旋转不对称畸变分量D2。
改变量(灵敏度)E2是当中继透镜108或透镜119相对于投影光学系统110偏心时，相对于中继透镜108或透镜119的偏心量的散焦位置处的旋转不对称畸变的改变量。在步骤S203中，控制单元115根据公式F2＝D2/E2，从计算出的畸变分量D2和灵敏度E2计算驱动量F2。驱动量F2是使中继透镜108或透镜119偏心的必要量。
在步骤S204中，控制单元115控制驱动机构117或118，以根据计算出的驱动量F2驱动中继透镜108或透镜119，使得中继透镜108或透镜119在垂直于光轴的方向上偏心与计算出的驱动量F2对应的量。以这种方式，校正了曝光装置100A的散焦位置处的旋转不对称畸变。随后，在步骤S205中，在散焦位置处，将掩模图案投影到基板上，并且在旋转不对称畸变减小的状态下使基板暴露于光。
已经使用了使中继透镜108或作为中继透镜108中的透镜之一的透镜119偏心的情况描述了本示例性实施例。然而，本示例性实施例不限于这种情况。可以使中继透镜108中的视场光圈107侧的透镜偏心，或者可以使多个透镜偏心。此外，透镜组或投影光学系统110中的透镜(光学元件)之一可以相对于照明光学系统120的光轴120a偏心。
根据本示例性实施例，使用使透镜中的一个偏心的简单驱动机构可以改变从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变，而不必驱动整个投影光学系统。
描述第三示例性实施例。在使用曝光装置的光刻步骤中，通常对通过先前步骤在基板上形成的图案执行重叠曝光。在这种情况下，如果在先前步骤中执行曝光处理的曝光装置与当执行重叠曝光时要使用的曝光装置不同，则作为曝光装置的光学误差的装置之间的畸变分量的差变为重叠误差。因此，这种光学误差影响重叠精度。由于装置之间的畸变分量的差由例如每个曝光装置的光学性能误差确定，因此不仅存在诸如倍率误差之类的旋转对称分量，而且还存在由于高阶像差的影响而产生的旋转不对称畸变分量。
在本示例性实施例中，描述畸变调整方法。通过畸变调整方法，在对通过先前步骤在基板上形成的图案执行重叠曝光的情况下，畸变被调整。曝光装置具有与第一示例性实施例的配置基本相同的配置。
参考图12中所示的流程图描述根据本示例性实施例的控制操作。
在步骤S301中，曝光装置执行重叠曝光，通过该重叠曝光，掩模图案被重叠在于先前步骤中形成在基板上的图案上。接下来，在步骤S302中，在通过诸如显影处理之类的处理在基板上形成图案之后，重叠测量设备(测量单元)测量镜头内的重叠测量标记的位置位移量。可以在曝光装置内或通过使用外部测量设备来执行重叠测量。
在步骤S303中，控制单元115基于所测量的重叠测量标记的位置偏移量(测量结果)获取关于重叠误差的信息，并且根据所获取的关于重叠误差的信息计算旋转不对称畸变分量D3。计算出的畸变分量被设置为畸变的目标形状。
改变量(灵敏度)E3是当照明光学系统120相对于投影光学系统110的光轴偏心时，相对于照明光学系统120的偏心量的散焦位置处的旋转不对称畸变的改变量。
随后，在将厚膜抗蚀剂施加到基板并且将所得到的基板暴露于光的情况下，可以设置基板表面位置处的畸变量。在步骤S304中，控制单元115根据公式F3＝D3×G/E3，从计算出的畸变分量D3(目标形状)、灵敏度E3和基板表面位置处的散焦量G，计算驱动量F3。驱动量F3是使照明光学系统120偏心的必要量。
在步骤S305中，控制单元115控制驱动机构116以根据计算出的驱动量F3驱动照明光学系统120，使得照明光学系统120在垂直于光轴的方向上偏心与计算出的驱动量F3对应的量。以这种方式，在调整曝光装置100的散焦位置处的旋转不对称畸变之后，在散焦位置处减小(校正)了旋转不对称畸变。在这种状态下，在步骤S306中，将掩模图案投影到其上已施加厚膜抗蚀剂的下一个基板上，并且将下一个基板暴露于光。
已经使用了使照明光学系统120偏心的情况描述了本示例性实施例。然而，本示例性实施例不限于此。类似于第二示例性实施例，可以使中继透镜108中的透镜之一偏心，或者可以使投影光学系统的透镜偏心。
根据本示例性实施例，在执行重叠曝光的情况下，即使已经形成在基板上的图案具有旋转不对称畸变分量，也可以减小重叠误差。
(物品制造方法)
描述第四示例性实施例。下面描述通过使用上述曝光装置制造物品(例如，半导体集成电路(IC)元件、液晶显示元件、滤色器和微机电系统(MEMS))的方法。通过进行曝光步骤、显影步骤和其它已知的处理步骤来制造物品。在曝光步骤中，上述曝光装置用于使其上已施加光敏剂的基板(例如，晶片、玻璃基板)暴露于光。在显影步骤中显影基板(光敏剂)，并在已知的处理步骤中处理显影的基板。已知的处理步骤包括蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、粘合和包装。根据本制造方法，可以制造质量高于通过传统方法制造的物品。
尽管已经参考示例性实施例描述了本公开，但是应该理解，本公开不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最广泛的解释，以包含所有这些修改和等同的结构和功能。

Claims (14)

1.一种被配置为将基板暴露于光的装置，其特征在于，所述装置包括：
照明光学系统，被配置为照明掩模；
投影光学系统，被配置为将掩模的图案投影到基板上；和
偏心机构，被配置为使照明光学系统的至少一个光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心，或者使投影光学系统的至少一个光学元件相对于照明光学系统的光轴偏心，
其中，偏心机构被配置为根据从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置的散焦量来使光学元件偏心，以改变在从聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，通过使照明光学系统的光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心来使相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度偏移并且使旋转不对称畸变改变。
3.根据权利要求1所述的装置，
其中，相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度作为距离的三次方变化，
其中，相对于距投影光学系统的光轴的距离的远心度作为距离的三次方变化，并且
其中，通过使光学元件偏心来改变作为距离的二次方的位置误差的旋转不对称畸变。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，在照明光学系统的光轴和投影光学系统的光轴不移位的状态下，相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度和相对于距投影光学系统的光轴的距离的远心度相互抵消。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括：
控制单元，被配置为控制偏心机构；和
测量单元，配置为测量旋转不对称畸变，
其中，控制单元基于旋转不对称畸变的测量结果来控制偏心机构以使得光学元件偏心，使得所测量的旋转不对称畸变被校正。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括控制单元，所述控制单元被配置为控制偏心机构，
其中，控制单元获取关于当基板暴露于光时的散焦量的信息和关于当基板暴露于光时的旋转不对称畸变的目标形状的信息，并基于散焦量和目标形状计算光学元件的偏心量。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，通过使照明光学系统的光轴和投影光学系统的光轴相对偏心来改变旋转不对称畸变。
8.一种用于从基板制造物品的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过使用装置使基板暴露于光；和
使暴露于光的基板显影，
其中，物品是从显影的基板获得的，
其中，所述装置包括：
照明光学系统，被配置为照明掩模；
投影光学系统，被配置为将掩模的图案投影到基板上；和
偏心机构，被配置为使照明光学系统的至少一个光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心，或者使投影光学系统的至少一个光学元件相对于照明光学系统的光轴偏心，并且
其中，偏心机构被配置为根据从投影光学系统的聚焦位置散焦的位置的散焦量来使光学元件偏心，以改变在从聚焦位置散焦的位置处发生的旋转不对称畸变。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过使照明光学系统的光学元件相对于投影光学系统的光轴偏心来使相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度偏移并且使旋转不对称畸变改变。
10.根据权利要求8所述的方法，
其中，相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度作为距离的三次方变化，
其中，相对于距投影光学系统的光轴的距离的远心度作为距离的三次方变化，并且
其中，通过使光学元件偏心来改变作为距离的二次方的位置误差的旋转不对称畸变。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，在照明光学系统的光轴和投影光学系统的光轴不移位的状态下，相对于距照明光学系统的光轴的距离的远心度和相对于距投影光学系统的光轴的距离的远心度相互抵消。
12.根据权利要求8所述的方法，还包括：
控制偏心机构；和
测量旋转不对称畸变，
其中，所述控制基于旋转不对称畸变的测量结果来控制偏心机构以使得光学元件偏心，使得所测量的旋转不对称畸变被校正。
13.根据权利要求8所述的方法，还包括：
控制偏心机构；
获取关于当基板暴露于光时的散焦量的信息和关于当基板暴露于光时的旋转不对称畸变的目标形状的信息；以及
基于散焦量和目标形状计算光学元件的偏心量。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，通过使照明光学系统的光轴和投影光学系统的光轴相对偏心来改变旋转不对称畸变。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010012101A1 (en) * 2000-01-20 2001-08-09 Mulkens Johannes C. Microlithography projection apparatus
US20030184719A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US20050270608A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Takahisa Shiozawa Illumination optical system and exposure apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316123A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Nikon Corp 投影露光装置
JP3067695B2 (ja) * 1997-06-06 2000-07-17 日本電気株式会社 投影露光装置の検査方法
JP3571935B2 (ja) * 1998-10-09 2004-09-29 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP4888819B2 (ja) * 2000-04-12 2012-02-29 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003059817A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイス製造方法
JP4366163B2 (ja) * 2003-09-25 2009-11-18 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
US20080204682A1 (en) * 2005-06-28 2008-08-28 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4865270B2 (ja) * 2005-07-28 2012-02-01 キヤノン株式会社 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010012101A1 (en) * 2000-01-20 2001-08-09 Mulkens Johannes C. Microlithography projection apparatus
US20030184719A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US20050270608A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Takahisa Shiozawa Illumination optical system and exposure apparatus

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