JP2009038152A - 光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ディストーション及び／又は非点隔差を高精度に調整できる技術の実現。
【解決手段】物面の近傍に少なくとも１つの第１屈折光学部材を含み、かつ、像面の近傍に少なくとも１つの第２屈折光学部材を含み、物面に対する像面の結像倍率をβとしたとき、０．４≦|β|≦２．５である光学系において、前記第１及び第２屈折光学部材の少なくともいずれかを光軸方向に直交する面内で移動可能に保持し、前記光学系の非点隔差及びディストーションの少なくともいずれかの調整を行う調整手段を有する。
【選択図】図１９

Description

本発明は、原版のパターンを光学系を介して基板に露光する露光装置やデバイス製造方法に関する。

露光装置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、ＣＣＤ等の撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカニクスで用いる微細パターンの製造に用いられる。これら素子は、レチクルのパターンを投影光学系を介してフォトレジストが塗布された基板上に投影することにより製造される。

従来の投影光学系として、例えば同心又は非同心の凹面鏡や凸面鏡を使用した反射光学系や、凹面鏡や凸面鏡の他に負のメニスカスレンズ及び色収差補正機構を加えた略同心の反射光学系等が知られている。

これらの反射光学系は軸外の半弧状態領域に良像域が形成されている。そして、この良像域に対応するレチクルのパターン像を基板上に形成するし、レチクル及び基板を一体として反射光学系に対して相対的に走査することによりレチクルのパターン像全体を基板上に形成するアライナが知られている。

しかしながら、従来の反射光学系のいずれも非点隔差及び像面湾曲が大きく、そのために良像域の幅は極めて狭く、アライナに適用した場合に多くの走査時間、即ち露光時間を必要とし、時間当たりの基板焼付け処理量が比較的少ないという難点があった。

従来の投影光学系は、特許文献１，２のように、凸面鏡及びメニスカスレンズを含む凸ユニットと屈折光学部材とで構成されている。特に、特許文献１では、ミラーを球面とし凹面鏡と凸面鏡との間に非球面光学素子を配置することで良像域の拡大を達成している。また、特許文献２では、拡大投影倍率を有する反射屈折光学系において凹面鏡と凸面鏡との間に非球面光学素子を配置することで良像域の拡大と色収差の補正を達成している。
特開昭６０−０９３４１０号公報 特願２００６−２６９０２２号公報

上記従来技術によって、大型基板であっても基板焼付け処理量が低下しない露光装置の設計が可能になる。しかしながら、装置の大型化等に伴い、光学部材の組み付け誤差や製作誤差等が原因で画角に依存する収差、即ち、非点間差（非点収差）及びディストーション（歪曲収差）が発生しやすくなる。

従来は凸面鏡若しくは凸ユニットの位置を調整することにより非点隔差及びディストーションの調整、又は像面や物面近くに配置された平面ガラスを曲げることによってディストーションの調整を行っている。

しかしながら、装置の大型化に伴い調整を行う成分以外の他成分の収差が無視できない量発生する等満足できる調整精度を得ることができない場合があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その目的は、良像域を拡大するために物面と像面の近傍に配置された屈折光学部材を光軸に直交する面内に移動させることにより、ディストーション及び／又は非点隔差を高精度に調整できる技術を実現することである。

上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光学系は、物面の近傍に少なくとも１つの第１屈折光学部材を含み、かつ、像面の近傍に少なくとも１つの第２屈折光学部材を含み、物面に対する像面の結像倍率をβとしたとき、０．４≦|β|≦２．５である光学系において、前記第１及び第２屈折光学部材の少なくともいずれかを光軸方向に直交する面内で移動可能に保持し、前記光学系の非点隔差及びディストーションの少なくともいずれかの調整を行う調整手段を有する。

また、本発明の露光装置は、上記光学系を有し、原版のパターンを前記光学系を介して基板に露光する。

また、本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置を用いて基板を露光するステップと、露光された前記基板を現像するステップと、を有する。

本発明によれば、良像域を拡大するために物面と像面の近傍に配置された屈折光学部材を光軸に直交する面内に移動させることにより、ディストーション及び／又は非点隔差を高精度に調整することができる。

以下に、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

尚、以下に説明する実施の形態は、本発明を実現するための一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。

[第１の実施形態]
第１の実施形態は屈折光学素子が球面レンズであり、屈折光学素子の光線有効部が光軸を含まない軸外に存在する光学系の構成例である。

図１は第１の実施形態の光学系の構成を示している。

図１において、光学系は、第１屈折光学部材１、第１凹反射面（ミラー）３、凸反射面（ミラー）５、第２屈折光学部材６を介して像を形成する。第１、第２屈折光学部材１，６は光軸方向に直交するＹ，Ｚ面内で移動可能に保持され、光学系の非点隔差及びディストーションの少なくともいずれかの調整が可能である。

尚、図１の光学系においてＸ軸は紙面内左右方向、Ｙ軸は紙面内上下方向、Ｚ軸は紙面垂直方向とする。

以下、表１に軸外良像域を使用する反射屈折投影系の光学データを示す。Ｎｏは光学面番号を表し、Ｎｏに付随しているＡＳＰは非球面レンズであることを示す。ｒ欄は各項が面の曲率半径を表し∞は平面を表している。ｄ欄は次の光学面との光軸上の距離を表し、光の進む方向を正とし１回反射するごとに符合が反転する。ｎ欄は次の光学面との間の屈折率を表している。

使用波長はｉ線、ｈ線、ｇ線から１つ又は複数選択又は選択せず全て使用可能であり、それその波長に対する石英の屈折率を1.4745、1.4696、1.4668とする。本実施形態では良像域の光軸からの高さを２４０ｍｍとする。

また、ＡＳＰの非球面形状は式１により表現でき、それぞれの非球面係数は表２のようになる。

Ｘ：接平面から非球面までの光軸方向距離
ｋ：円錐係数
ｈ：光軸からの高さ
ｒ：曲率半径
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ：非球面係数

図１の構成において、例えば第１屈折光学部材１がＺプラス方向に３００μｍ移動した場合、ディストーションは図２のように変化し、非点隔差は図３のように変化する。同様に、第２屈折光学部材６がＺプラス方向に３００μｍ移動した場合、ディストーションは図４のように変化し、非点隔差は図５のように変化する。

ディストーションとは理想結像点からのＹ，Ｚ面内へのズレ量であり、非点隔差とは縦方向（Ｙ方向）パターンと横方向（Ｚ方向）パターンの結像点の光方向のズレと定義する。

グラフ横軸座標は露光領域のＺ軸座標を示しており、グラフ縦軸は非点隔差又はディストーションの発生量を示す。以下のグラフについても同様である。

図６及び図７に示すように、上記第１屈折光学部材１の移動と第２屈折光学部材６の移動を同時にＺプラス方向に３００μｍ行うと非点隔差は図７のように実質的に変化せず、主としてディストーションが図２と図４の加算分だけ図６のように変化する。

図８及び図９に示すように、例えば、第１屈折光学部材１がＺプラス方向に３００μｍ移動し、第２屈折光学部材６がＺマイナス方向に３００μｍ移動した場合にディストーションは図８のように実質的に変化せず、主として非点隔差が図９のように変化する。

即ち、上記第１及び第２屈折光学部材１，６を、ディストーション又は非点隔差の変化が異符合となる方向に同時に移動させ、かつ、ディストーション又は非点隔差の量の絶対値が略同じになるように移動させる。これにより、ディストーション非点隔差を変化させることなく非点隔差又はディストーションを調整することができる。

ここで、上記第１及び第２屈折光学部材１，６を同時に移動させたときのディストーション又は非点隔差は、当該第１及び第２屈折光学部材１，６のいずれかを移動させたときに発生するディストーションの１／２以下となる。

以上はＺ方向について述べたがＸ方向、Ｙ方向についても、第１、第２屈折光学部材１，６を移動することで非点隔差及び／又はディストーションを変化させることができる。

[第２の実施形態]
第２の実施形態は屈折光学素子がパワーを持たない非球面レンズであり、屈折光学素子の光線有効部が光軸を含まない軸外に存在する光学系の構成例である。

図１０は第２の実施形態の光学系の構成を示している。

図１０に示す光学系は、メニスカスレンズ４を設け、第１、第２屈折光学部材１，６が非球面レンズである以外の構成は、図１と同様であり、また、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向は第１の実施形態の定義と同様である。

以下、表３に軸外良像域を使用する反射屈折投影系の光学データを示す。表の説明は第１の実施形態と同様である。本実施形態では良像域の光軸からの高さを４６０ｍｍとする。

また、ＡＳＰの非球面形状は式１により表現でき、それぞれの非球面係数は表４のようになる。

以上の構成において、図１０のように光学部材を配置したとき、例えば第１屈折光学部材１がＺプラス方向に３００μｍ移動した場合、ディストーションは図１１のように変化し、非点隔差は図１２のように変化する。

第２屈折光学部材６の移動や第１、第２屈折光学部材の組み合わせた移動においても、第１の実施形態と比べて非点隔差及びディストーションの発生量は異なるものの選択的な調整を行うことを可能とし、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

上記移動はＺ方向について述べたがＸ方向、Ｙ方向についても、第１、第２屈折光学部材１，６を移動することで非点隔差及び／又はディストーションを発生させることができる。また、第１、第２屈折光学部材１，６を組み合わせて移動することで実質的にディストーションのみ若しくは実質的に非点隔差のみを変化させることができる。

ここでは、屈折光学素子がパワーを持たない非球面レンズを例示したが、パワーを持つ非球面レンズでも第１の実施形態との相乗効果により同様の効果が得られる。

[第３の実施形態]
第３の実施形態は拡大投影倍率を有する反射屈折光学系の構成例である。

図１３は第３の実施形態の光学系の構成を示している。

図１３に示す光学系は、第２凹反射面（ミラー）３’を設け、第１、第２屈折光学部材１，６が反射屈折光学部材である以外の構成は、図１と同様であり、また、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向は第１の実施形態の定義と同様である。

以下、表５に軸外良像域を使用する反射屈折投影系の光学データを示す。表の説明は第１の実施形態と同様である。

ここでは、拡大倍率β＝１．５を例示したが、β＝２．５でも同様の効果が得られる。２．５倍以上にすると、物面と第１凹ミラー３の間の距離が短くなり実用的設計が困難であり、例えばマスクパターニングにおいても設計が困難であるため、０．４≦|β|≦２．５が適切な結像倍率である。本実施形態は良像域の光軸からの高さを２５０ｍｍとした。

また、ＡＳＰの非球面形状は式１により表現でき、それぞれの非球面係数は表６のようになる。

以上の構成において、図１３のように光学部材が配置されたとき、例えば第１屈折光学部材１がＺプラス方向に３００μｍ移動した場合、ディストーションは図１４のように変化し、非点隔差は図１５のように変化する。同様に、第２屈折光学部材６がＺプラス方向に３００μｍ移動した場合、ディストーションは図１６のように変化し、非点隔差は図１７のように変化する。

ここで、第１屈折光学部材１と第２屈折光学部材６の移動量は同じであるが拡大系であるためにディストーションと非点隔差の発生量が異なっている。両者の移動比率を適切に選ぶことによって、実質的にディストーションのみ又は非点隔差のみを調整可能である。

[第４の実施形態]
第４の実施形態は、本発明を図１８のようなレンズ鏡筒を構成する光学系に適用した例である。

第１屈折光学部材１と第２屈折光学部材６を移動させることによりディストーション及び／又は非点隔差が調整可能となる。

また、上記実施形態と同様に、第１、第２屈折光学部材を組み合わせて移動させることによりディストーションのみ若しくは非点隔差のみを実質的に調整可能である。

ここではレンズについて例示したが、ミラー系とレンズ系を用いたカタディオ系においても同様の効果が得られる。

［露光装置］
図１９は、本発明の光学系を搭載した露光装置を示している。

本実施形態の露光装置ＥＸは、上記各実施形態で述べたディストーションや非点隔差を調整可能とする構成に対して、台形ミラー２を付加して光路を直角に曲げている。

第１屈折光学部材１はレチクルＲと台形ミラー２間の光路中に、レチクルＲ及び基板Ｐと平行に配置されている。第２屈折光学部材６は台形ミラー２と基板Ｐ間の光路中に、レチクルＲ及び基板Ｐと平行に配置されている。

照明光学系ＩＬは、例えば、高圧水銀ランプ等を含む光源と、光源から射出された光束を集光する楕円鏡と、を有し、楕円鏡により集光された光束を拡大する。照明光学系ＩＬは、光束を平行化するコンデンサレンズと、コンデンサレンズからの平行光束のうちレチクルＲへの照射光として使用しない部分を遮断して所定面積の照明領域を定義するためにレチクルＲと共役な位置に配置された制限スリット板と、を含む。また、照明光学系ＩＬは、制限スリット板からの光束を反射させて原版としてのレチクルＲにスリット状照明光束を照射するミラーを含む。

照明光学系ＩＬが発生する露光光ＥＬとしては、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）の他に、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）が用いられる。更に、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられうる。照明光学系ＩＬは、所謂ケーラー照明系として構成されうる。

レチクルＲから基板Ｐに至る光路には投影光学系ＰＬが配置され、レチクルＲを透過した露光光ＥＬは投影光学系ＰＬに入射し、レチクルＲの照明領域に存在するパターンの像を基板Ｐ上に形成する。図１０に示すように、投影光学系ＰＬは、例えば、第１屈折光学部材１、台形ミラー２、凹面ミラー３、メニスカスレンズ４、凸ミラー５、第２屈折光学部材６を介してレチクルＲのパターンの像を基板Ｐ上に形成する。基板Ｐ上への投影光学系の投影領域は、所定形状（例えば、円弧形状）に設定される。

アライメントスコープＡＳでは、例えば水銀ランプの発光スペクトルの一部であるｅ線、ｄ線を用いて、レチクルステージＭＳＴ上の計測用パターン１０ａ、基板ステージＰＳＴ上の計測用パターン１０ｂ、又は基板Ｐ上の既形成パターンを計測する。

上記アライメントスコープＡＳは、例えば、レチクルステージＭＳＴ上の計測用パターン１０ａと基板ステージＰＳＴ上の計測用パターン１０ｂを用いて、露光装置ＥＸのフォーカス、倍率、ディストーション、及び非点隔差を計測する。露光装置ＥＸの全体の制御を行うＣＰＵ９は、上記アライメントスコープＡＳによる計測結果としての非点隔差及びディストーション量から第１、第２屈折光学部材１，６の調整量を算出する。

ＣＰＵ９は、上記第１、第２屈折光学部材１，６の調整量に対応する当該光学部材の移動量を駆動機構のアクチュエータを制御するコントローラ８ａ，８ｂに出力する。そして、コントローラ８ａ，８ｂがアクチュエータ７ａ，７ｂを駆動することにより第１、第２屈折光学部材１，６を所定量移動させる。

また、凸ミラー５と第１、第２屈折光学部材１，６を同時に駆動することによりディストーション及び非点隔差を調整することもできる。

既にパターン形成された基板にパターンを重ねて露光を行う際には、上記アライメントスコープＡＳにより、例えば、パターン形成された基板Ｐ上の計測用パターン１０ｂを計測する。そして、ＣＰＵ９は、既に形成されたパターンと新たに形成するパターンのズレを低減するための第１、第２屈折光学部材１，６の最適位置及び移動量を算出する。

ＣＰＵ９は、上記第１、第２屈折光学部材１，６の調整量に対応する当該光学部材の移動量を駆動機構のアクチュエータを制御するコントローラ８ａ，８ｂに出力する。そして、コントローラ８ａ，８ｂがアクチュエータ７ａ，７ｂを駆動することにより第１、第２屈折光学部材１，６を所定量移動させる。

また、凸ミラー５と第１、第２屈折光学部材１，６を同時に駆動することによりパターンのズレを調整することもできる。

第１、第２屈折光学部材１，６はＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、チルトＸ方向、チルトＹ方向、チルトＺ方向にそれぞれ駆動軸を有する。例えば、第２屈折光学部材６のＹ方向への移動は、アクチュエータ７ｂが第２屈折光学部材６を保持する部材を駆動することにより行う。その他のＸ、Ｚ、チルトＸ、チルトＹ、チルトＺの各方向についてもアクチュエータ等の駆動機構を搭載している（不図示）。

例えば、図１９の露光装置にて、第１、第２屈折光学部材１，６と凸ユニットとを組み合わせて移動させ、非露光中、露光前ジョブ準備中、露光前基板計測中、露光中と任意のタイミングで非点隔差及び／又はディストーションを調整する機能を搭載しても良い。

以上説明したように、上記各実施形態によれば、良像域を拡大するために物面と像面の近傍に配置された光学部材を移動させることにより、ディストーションや非点隔差を高精度に調整することができる。

一般に、光学部材を移動させてディストーションや非点隔差を調整する際には球面収差やコマ収差が残存収差として発生するが、本実施形態によれば、これらの残存収差を抑えるために物体、像面近傍の光学部材を移動させて調整を行うことができる。

［デバイス製造方法］
次に、本実施形態の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスについて説明する。

図２０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクルを作製する。一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、上述の露光装置によりリソグラフィー技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ７でこれを出荷する。

上記ステップＳ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。即ち、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップを有する。また、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によってレジスト処理ステップ後のウエハに潜像パターンを形成する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップを有する。更に、現像ステップで現像した潜像パターン以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明に係る第１の実施形態の光学系の構成を示す図である。 第１の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第１の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第１の実施形態の第２屈折光学部材をシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第１の実施形態の第２屈折光学部材をシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第１の実施形態の第１、第２屈折光学部材を同時にシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第１の実施形態の第１、第２屈折光学部材を同時にシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第１の実施形態の第１、第２屈折光学部材を同時にシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第１の実施形態の第１、第２屈折光学部材を同時にシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第２の実施形態の光学系の構成を示す図である。 第２の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第２の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第３の実施形態の光学系の構成を示す図である。 第３の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第３の実施形態の第１屈折光学部材をシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第３の実施形態の第２屈折光学部材をシフトしたときのディストーション変化を示す図である。 第３の実施形態の第２屈折光学部材をシフトしたときの非点隔差変化を示す図である。 第４の実施形態の光学系の構成を示す図である。 本実施形態の露光装置の構成を示す図である。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。

符号の説明

Ｒ レチクル
Ｐ 基板
ＭＳＴ レチクルステージ
ＰＳＴ 基板ステージ
ＩＬ 照明光学系
ＰＬ 投影光学系
ＡＳ アライメントスコープ
ＥＸ 露光機
ＥＬ 露光光
１ 第１屈折光学部材
２ 台形ミラー
３ 第１凹ミラー
３’第２凹ミラー
４ メニスカスレンズ
５ 凸ミラー
６ 第２屈折光学部材
７ａ アクチュエータ
７ｂ アクチュエータ
８ａ コントローラ
８ｂ コントローラ
９ ＣＰＵ
１０ センサ

Claims (11)

1. 物面の近傍に少なくとも１つの第１屈折光学部材を含み、かつ、像面の近傍に少なくとも１つの第２屈折光学部材を含み、物面に対する像面の結像倍率をβとしたとき、０．４≦|β|≦２．５である光学系において、
   前記第１及び第２屈折光学部材の少なくともいずれかを光軸方向に直交する面内で移動可能に保持し、前記光学系の非点隔差及びディストーションの少なくともいずれかの調整を行う調整手段を有することを特徴とする光学系。
2. 前記調整手段は、前記光学系の非点隔差及びディストーションの少なくともいずれかを計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果から前記第１、第２屈折光学部材の移動量を算出する算出手段と、前記移動量に基づいて前記第１及び第２屈折光学部材の少なくともいずれかを駆動する駆動手段と、を有することを特徴とする請求項１に記載の光学系。
3. 前記光学系は、前記物面から像面に至る光路に少なくとも第１凹反射面、凸反射面、第２凹反射面が配置され、
   前記第１屈折光学部材は前記物面と前記第１凹反射面との間に配置され、
   前記第２屈折光学部材は前記第２凹反射面と前記像面との間に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学系。
4. 前記第１及び第２屈折光学部材は、光線有効部が光軸を含まない軸外に存在する球面レンズから構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学系。
5. 前記第１及び第２屈折光学部材は、光線有効部が光軸を含まない軸外に存在する非球面レンズから構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学系。
6. 前記調整手段は、前記第１及び第２屈折光学部材を、ディストーションの変化が異符合となる方向に同時に移動させ、かつ、ディストーションの量の絶対値が略同じになるように移動させることにより、ディストーションを変化させることなく前記非点隔差を調整することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学系。
7. 前記第１及び第２屈折光学部材を同時に移動させたときのディストーションは、当該第１及び第２屈折光学部材のいずれかを移動させたときに発生するディストーションの１／２以下となることを特徴とする請求項６に記載の光学系。
8. 前記第１及び第２屈折光学部材を、非点隔差の変化が異符合となる方向に同時に移動させ、かつ、非点隔差の量の絶対値が略同じになるように移動させることにより、非点隔差を変化させることなく前記ディストーションを調整することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学系。
9. 前記第１及び第２屈折光学部材を同時に移動させたときの非点隔差は、当該第１及び第２屈折光学部材のいずれかを移動させたときに発生する非点隔差の１／２以下となることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光学系を有し、
    原版のパターンを前記光学系を介して基板に露光することを特徴とする露光装置。
11. 請求項１０に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。

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