TW201906901A - 膜狀燒成材料、附支撐片的膜狀燒成材料、膜狀燒成材料的製造方法以及附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法 - Google Patents

膜狀燒成材料、附支撐片的膜狀燒成材料、膜狀燒成材料的製造方法以及附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之膜狀燒成材料係含有燒結性金屬粒子(10)及黏合劑成分(20)之膜狀燒成材料(1a)，且於將膜狀燒成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料(1a)的端部(A)的平均厚度較膜狀燒成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分(B)的平均厚度厚5%以上。

Description

膜狀燒成材料、附支撐片的膜狀燒成材料、膜狀燒成材料的製造方法以及附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法
本發明係關於一種膜狀燒成材料、附支撐片的膜狀燒成材料、膜狀燒成材料的製造方法以及附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法。
本申請案主張基於2017年4月28日在日本提出申請之日本專利特願2017-090715號的優先權，並將該申請案的內容引用至本文中。
近年來，伴隨著汽車、空調及電腦等之高電壓及高電流化，搭載於該等之電力用半導體元件(亦稱為功率器件(power device))之需求不斷增高。電力用半導體元件因於高電壓及高電流下使用之特徵而產生半導體元件之發熱。
以往，為了使自半導體元件產生之熱散熱，有時亦於半導體元件之周圍安裝散熱片(heat sink)。但是，若於散熱 片與半導體元件之間的接合部的導熱性不良，則會妨礙有效率的散熱。
作為導熱性優異之接合材料，例如專利文獻1中揭示有一種糊(paste)狀金屬微粒子組成物，係將特定的加熱燒結性金屬粒子、特定的高分子分散劑及特定的揮發性分散介質混合而成。且指出若將前述組成物進行燒結，則成為導熱性優異之固形狀金屬。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-111800號公報。
但是，於如專利文獻1般的燒成材料為糊狀之情形時，存在難以使所塗佈之糊劑的厚度均勻化，缺乏厚度穩定性之傾向。因此，本案發明者等人為了達成厚度的穩定性，想到將先前作為糊狀組成物提供之燒成材料以膜狀提供。
通常，於膜狀燒成材料為了保護膜狀燒成材料的表面等之目的而積層有剝離膜。糊狀燒成材料係直接塗佈於燒結接合之對象而使用。另一方面，於使用膜狀燒成材料之情形時，將剝離膜自膜狀燒成材料剝離時，有時會於燒成材料產生凝聚破壞等破損。
本發明係鑒於如上述之實際狀況而完成，目的在於提供一種厚度穩定性及導熱性優異，使用時不易產生燒成材料之破損之膜狀燒成材料。
另外，本發明之目的在於提供一種具備前述膜狀燒成材料之附支撐片的膜狀燒成材料。
另外，本發明之目的在於提供一種膜狀燒成材料的製造方法。
另外，本發明之目的在於提供一種附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法。
亦即，本發明包含以下之態樣。
(1)一種膜狀燒成材料，含有燒結性金屬粒子及黏合劑(binder)成分，且於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料的前述端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除前述端部以外的部分的平均厚度厚5%以上。
(2)一種膜狀燒成材料，含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分，且於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料的前述端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除前述端部以外的部分的平均厚度薄5%以上。
(3)一種附支撐片的膜狀燒成材料，具備：如前述(1)或(2)所記載之膜狀燒成材料；支撐片，設置於前述膜狀燒 成材料的一側；及剝離膜，設置於另一側。
(4)如前述(3)所記載之附支撐片的膜狀燒成材料，其中前述剝離膜的面積大於前述膜狀燒成材料。
(5)如前述(4)所記載之附支撐片的膜狀燒成材料，其中於與前述膜狀燒成材料的端部接觸之剝離膜無切口。
(6)一種膜狀燒成材料的製造方法，係具有以下之步驟：印刷燒成材料組成物，前述燒成材料組成物係含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分。
(7)一種附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法，係具有以下之步驟：將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於剝離膜上而獲得膜狀燒成材料後，將前述膜狀燒成材料設置於支撐片上。
根據本發明，可提供一種厚度穩定性及導熱性優異，使用時不易產生燒成材料之破損之膜狀燒成材料。
另外，根據本發明，可提供一種附支撐片的膜狀燒成材料，具備該膜狀燒成材料且用於半導體元件之燒結接合。
另外，根據本發明，可提供一種膜狀燒成材料的製造方法。
另外，根據本發明，可提供一種附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法。
1、1a、1b‧‧‧膜狀燒成材料
1c‧‧‧燒成材料
2‧‧‧支撐片
3‧‧‧基材膜
4‧‧‧黏著劑層
5‧‧‧環狀框
10、11‧‧‧燒結性金屬粒子
20、21‧‧‧黏合劑成分
30、31‧‧‧剝離膜
A、A'‧‧‧端部
B‧‧‧除端部A以外的部分
B'‧‧‧除端部A'以外的部分
100a、100b、100c、100d‧‧‧附支撐片的膜狀燒成材料
I‧‧‧切口
圖1A係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒成材料之剖面圖。
圖1B係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒成材料之剖面圖。
圖2A係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒成材料之剖面圖。
圖2B係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒成材料之剖面圖。
圖3係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之剖面圖。
圖4係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之剖面圖。
圖5係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料貼附於環狀框(ring frame)之狀態之圖。
圖6A係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之剖面圖。
圖6B係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之剖面圖。
圖7A係示意性地表示利用先前之加工法獲得之附支撐片的膜狀燒成材料的一例之剖面圖。
圖7B係示意性地表示利用先前之加工法獲得之附支撐片的膜狀燒成材料的一例之剖面圖。
以下，適宜參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。
再者，對於以下之說明中所使用之圖，為了使本發明之特徵易於理解，方便起見，有時將成為主要部分之部分放大表示，各構成要件的尺寸比率等並不限於與實際相同。
<<膜狀燒成材料>>
本發明之一實施形態之膜狀燒成材料含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分，且於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚5%以上。
在本說明書中，『平均厚度』意指於任意的5個部位，依據JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業標準)K7130使用定壓厚度測定器來測定厚度所得之以平均表示之值。
圖1A係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒成材料之剖面圖。膜狀燒成材料1a含有燒結性金屬粒子10及黏合劑成分20。
在膜狀燒成材料1a中，端部A的平均厚度形成為較膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分B的平均厚度厚。端 部A係膜狀燒成材料1a的周緣部。在本說明書中，端部A定義為在俯視膜狀燒成材料1a之情形時，自膜狀燒成材料1a的外周向內側至2mm內側為止的區域。除端部以外的部分B係膜狀燒成材料1a的中央部。在膜狀燒成材料1a中，膜狀燒成材料的一面的端部A隆起成凸狀。可以是端部A的全部較除端部以外的部分B的平均厚度厚。亦可以是端部A的一部分較除端部A以外的部分B的平均厚度厚。換言之，膜狀燒成材料1a的較厚部分可不必為至2mm內側為止的區域，例如可為至3mm內側為止的區域。另外，膜狀燒成材料1a的較厚部分亦可較至2mm內側為止的區域窄，例如亦可為至1mm內側為止的區域。
於將膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料1a的端部A的平均厚度較前述膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分B的平均厚度厚5%以上，較佳為厚5%至50%，更佳為厚10%至40%。若膜狀燒成材料的端部1a的平均厚度較膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分B的平均厚度厚5%以上，則後述之第1剝離膜30容易自膜狀燒成材料1a剝離，不易產生膜狀燒成材料1a之破損。若膜狀燒成材料的端部1a的平均厚度為膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分的平均厚度的150%以下，則可適當地確保第1剝離膜30與膜狀燒成材料1a之間隙之空氣層，可防止第1剝離膜30自膜狀燒成材料1a意外地剝離。
作為另一態樣，較佳為膜狀燒成材料1a的端部A的平均厚度較膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分B的平均厚度厚1μm至100μm，更佳為厚1μm至75μm，進而較佳為厚2μm至45μm。
所謂端部A的平均厚度意指於任意的5個部位，依據JISK7130而使用定壓厚度測定器來測定厚度所得之以平均表示之值，任意的5個部位係選擇較除端部A以外的部分B的平均厚度厚的部分。例如，可於自膜狀燒成材料1a的外周起1mm內側的線上選擇任意的5個部位。
同樣地，除端部A以外的部分B的平均厚度意指於任意的5個部位，依據JIS K7130而使用定壓厚度測定器來測定厚度所得之以平均表示之值，任意的5個部位係避開膜狀燒成材料1a明顯較厚的部分而進行選擇。例如，可於自膜狀燒成材料1a的外周起1cm內側的線上選擇任意的5個部位。
本發明之一實施形態之膜狀燒成材料含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分，且於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度薄5%以上。
圖2A係示意性地表示本發明之一實施形態之膜狀燒 成材料之剖面圖。膜狀燒成材料1b含有燒結性金屬粒子10及黏合劑成分20。
在膜狀燒成材料1b中，端部A'的平均厚度形成為較膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄。端部A'係膜狀燒成材料1b的周緣部。在本說明書中，端部A'定義為在俯視膜狀燒成材料1b之情形時，自膜狀燒成材料1b的外周向內側至2mm內側為止的區域。除端部以外的部分B'係膜狀燒成材料1b的中央部。在膜狀燒成材料1b中，膜狀燒成材料的一面的端部A'顯示為無銳利的角之形狀。可以是端部A'的全部較除端部以外的部分B'的平均厚度薄。亦可以是端部A'的一部分較除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄。換言之，膜狀燒成材料1b的較薄部分可不必為至2mm內側為止的區域，例如可為至3mm內側為止的區域。另外，膜狀燒成材料1b的較薄部分亦可較至2mm內側為止的區域窄，例如亦可為至1mm內側為止的區域。
於將膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料1b的端部A'的平均厚度較膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄5%以上，較佳為薄5%至50%，更佳為薄10%至40%。在將除端部A'以外的部分B'的平均厚度設為100%之情形時，若端部A'的平均厚度較膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄5%以上，則可適當地確保第1剝離膜30與膜狀燒成材料1b之間隙之空氣層，可防止第1 剝離膜30自膜狀燒成材料1b意外地剝離。在將除端部A'以外的部分B'的平均厚度設為100%之情形時，若端部A'的平均厚度高於膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度之95%，則第1剝離膜30容易自膜狀燒成材料1b剝離，不易產生膜狀燒成材料1b之破損。
作為另一態樣，較佳為膜狀燒成材料1b的端部A'的平均厚度較膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄1μm至100μm，更佳為薄2μm至45μm。
所謂端部A'的平均厚度意指於任意的5個部位，依據JIS K7130而使用定壓厚度測定器來測定厚度所得之以平均表示之值，任意的5個部位係選擇較除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄的部分。例如，可於自膜狀燒成材料1b的外周起1mm內側的線上選擇任意的5個部位。
同樣地，除端部A'以外的部分B'的平均厚度意指於任意的5個部位，依據JIS K7130而使用定壓厚度測定器來測定厚度所得之以平均表示之值，任意的5個部位係避開膜狀燒成材料1b的明顯較薄的部分而進行選擇。例如，可於自膜狀燒成材料1b的外周起1cm內側的線上選擇任意的5個部位。
膜狀燒成材料可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成。於膜狀燒成材料由複數層構成之情形時，該 等複數層彼此可相同亦可不同，只要無損本發明之功效，則該等複數層之組合並無特別限定。
再者，於本說明書中並不限於膜狀燒成材料之情形，所謂『複數層彼此可相同亦可不同』意指『可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同』，進而，所謂『複數層彼此不同』意指『各層的構成材料、構成材料的調配比及厚度之至少一者彼此不同』。
膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的燒成前的平均厚度並無特別限制，較佳為10μm至200μm，更佳為20μm至150μm，更佳為30μm至90μm。
此處，所謂『膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度』意指構成膜狀燒成材料之全部要件的合計厚度。例如，於膜狀燒成材料由複數層構成之情形時，膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度意指膜狀燒成材料中的除端部以外的部分中，構成膜狀燒成材料之全部層的合計平均厚度。
膜狀燒成材料1a的端部A的平均厚度並無特別限制，較佳為11μm至300μm，更佳為21μm至225μm，更佳為32μm至135μm。
膜狀燒成材料1b的端部A'的平均厚度並無特別限制，較佳為5μm至190μm，較佳為10μm至143μm，更佳為 15μm至86μm。
(剝離膜)
膜狀燒成材料能夠以積層於剝離膜上之狀態提供。於上述之膜狀燒成材料1a、1b的一面或兩面係積層有第1剝離膜30及第2剝離膜31之至少一者。於使用膜狀燒成材料1a、1b時，將第1剝離膜30及第2剝離膜31剝離，配置於使膜狀燒成材料1a、1b燒結接合之對象物上即可。第1剝離膜30及第2剝離膜31亦具有作為用以防止膜狀燒成材料1a、1b之損傷之保護膜的功能。第1剝離膜30及第2剝離膜31之至少一者可設置於膜狀燒成材料1a、1b的至少一面，亦可分別設置於膜狀燒成材料1a、1b的兩面。
於膜狀燒成材料的兩面分別使第1剝離膜30及第2剝離膜31積層時，較佳為於作為重剝離膜之表面而經剝離處理之第2剝離膜31上使膜狀燒成材料形成後，將作為輕剝離膜之表面而經聚矽氧(silicone)剝離處理之第1剝離膜30的剝離處理面貼附於前述膜狀燒成材料中的與和第2剝離膜31接觸之面相反的面。
亦即，較佳為使各剝離膜與膜狀燒成材料之界面上之剝離力具有差異。以下，有時將剝離力較小的剝離膜稱為輕剝離膜，將剝離力較大的剝離膜稱為重剝離膜。若使剝離力具有差異，則可防止於從膜狀燒成材料僅將作為輕剝離膜之第1剝離膜30剝離時，膜狀燒成材料從作為重剝離膜 之第2剝離膜31隆起之虞。具體的剝離處理的方法將於後文進行敘述。
作為第1剝離膜30及第2剝離膜31，例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜及氟樹脂膜等透明膜。另外，亦可使用該等透明膜之交聯膜。進而，亦可為該等透明膜之積層膜。另外，可使用將該等透明膜著色所得之膜、將該等透明膜不透明化所得之膜等。作為剝離劑，例如可列舉：聚矽氧系、氟系及含長鏈烷基之胺基甲酸酯等剝離劑。
再者，於本說明書中，『(甲基)丙烯酸』的概念包括『丙烯酸』及『甲基丙烯酸』兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同。
第1剝離膜30及第2剝離膜31的厚度通常為10μm至500μm，較佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至250μm左右。
如本實施形態之膜狀燒成材料般，包含金屬粒子之燒成材料係存在材料本體的凝聚力弱之傾向，且存在藉由被施加力而容易產生凝聚破壞等破損之傾向。
如圖1A所示，膜狀燒成材料1a形成為端部A的平均厚度較膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分B的平均厚度厚。具體而言，於將膜狀燒成材料1a中的除端部A以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料1a的端部A的平均厚度較膜狀燒成材料的除端部以外的部分B的平均厚度厚5%以上。因此，第1剝離膜30彎曲且追隨於膜狀燒成材料1a的形狀。因此，於第1剝離膜30與膜狀燒成材料1a之界面產生應力，藉由外力而第1剝離膜30容易自膜狀燒成材料1a剝離，不易產生膜狀燒成材料1a之破損(圖1B)。
另外，在圖2A中，膜狀燒成材料1b形成為端部A'的平均厚度較膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄。具體而言，於將膜狀燒成材料1b中的除端部A'以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料1b的端部A'的平均厚度較膜狀燒成材料中的除端部A'以外的部分B'的平均厚度薄5%以上。因此，於第1剝離膜30無法追隨於膜狀燒成材料1b的形狀之情形時，於間隙亦存在空氣層。因此，端部A'與第1剝離膜30之接觸面積變小，同樣藉由外力而第1剝離膜30容易自膜狀燒成材料1b剝離，不易產生膜狀燒成材料之破損(圖2B)。
<燒結性金屬粒子>
燒結性金屬粒子10係藉由進行作為膜狀燒成材料1a、1b之燒成的加熱處理，使金屬粒子彼此鍵結而可形成燒結體之金屬粒子。藉由形成燒結體，可使膜狀燒成材料與和該膜狀燒成材料接觸而燒成之物品燒結接合。
作為燒結性金屬粒子10之金屬種，可列舉：銀、金、銅、鐵、鎳、鋁、矽、鈀、鉑、鈦、鈦酸鋇及該等之氧化物或合金等，較佳為銀及氧化銀。燒結性金屬粒子10可僅調配一種，亦能夠以2種以上之組合調配。
燒結性金屬粒子10較佳為作為奈米尺寸之銀粒子之銀奈米粒子。
膜狀燒成材料1a、1b所含之燒結性金屬粒子10的粒徑只要可發揮上述燒結性，則並無特別限制，可為100nm以下，可為50nm以下，亦可為30nm以下。燒結性金屬粒子10的粒徑的下限並無特別限定，例如為0.5um。亦即，燒結性金屬粒子10的粒徑可為0.5nm以上且100nm以下，可為0.8nm以上且50nm以下，亦可為1nm以上且30nm以下。再者，膜狀燒成材料所含之金屬粒子的粒徑係設為於利用電子顯微鏡觀察所得之圖像中任意地選擇之金屬粒子的投影面積圓近似徑。
屬於上述粒徑之範圍之金屬粒子因燒結性優異而較佳 。
關於膜狀燒成材料1a、1b所含之燒結性金屬粒子10的粒徑，相對於利用電子顯微鏡觀察所得之金屬粒子的投影面積圓近似徑為100nm以下之粒子所求出之粒徑的數量平均可為0.1nm至95nm，可為0.3nm至50nm，亦可為0.5nm至30nm。再者，測定對象之金屬粒子係設為每1個膜狀燒成材料隨機地選擇之100個以上。
亦可使燒結性金屬粒子10預先分散於異莰基己醇或癸醇等沸點高之高沸點溶劑中，以在混合至黏合劑成分及其他添加劑成分之前預先成為無凝聚物之狀態。作為高沸點溶劑的沸點例如可為200℃至350℃。此時若使用高沸點溶劑，則由於該高沸點溶劑幾乎不會於常溫下揮發，故可防止燒結性金屬粒子10的濃度變高，作業性提高。此外，有時亦可防止燒結性金屬粒子之再凝聚等，品質亦變得良好。
作為燒結性金屬粒子10的分散法，可列舉：捏合機(kneader)、三輥研磨機、珠磨機(bead mill)及超音波等。
以本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b而言，除粒徑100nm以下之金屬粒子10(燒結性金屬粒子)以外，亦可進而調配有不符合該條件之金屬粒子。於本說明書中，將利用電子顯微鏡觀察所得之圖像中任意地選擇之金屬粒子的投影面積圓近似徑超過100nm之金屬粒子稱為非燒結性金屬 粒子。關於粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子的粒徑，相對於利用電子顯微鏡觀察所得之金屬粒子的投影面積圓近似徑超過100nm之粒子所求出之粒徑的數量平均可為超過150nm且50000nm以下，可為150nm至10000nm，亦可為180nm至5000nm。再者，測定對象之金屬粒子係設為每1個膜狀燒成材料隨機地選擇之100個以上。
作為粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子之金屬種，可列舉上述例示之金屬種，較佳為銀、銅、及該等之氧化物。
粒徑100nm以下之金屬粒子與粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子可為彼此相同之金屬種，亦可為彼此不同之金屬種。例如，粒徑100nm以下之金屬粒子可為銀粒子且粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子可為銀或氧化銀粒子。例如，粒徑100nm以下之金屬粒子亦可為銀或氧化銀粒子且粒徑超過100nm之非燒結性金屬粒子亦可為銅或氧化銅粒子。
於本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b中，粒徑100nm以下之金屬粒子的含量相對於金屬粒子的總質量100質量份較佳為20質量份至100質量份，更佳為25質量份至99質量份，進而較佳為30質量份至95質量份。
燒結性金屬粒子10及/或非燒結性金屬粒子的表面亦 可藉由有機物被覆。藉由具有有機物之被覆膜，與黏合劑成分之相容性提高。進而可防止粒子彼此之凝聚且可均勻地分散。
於燒結性金屬粒子10及非燒結性金屬粒子的至少一表面被覆有有機物之情形時，燒結性金屬粒子10及非燒結性金屬粒子的質量係設為包含被覆物之值。
再者，本說明書中所謂『燒結性金屬粒子10的表面藉由有機物被覆』無需燒結性金屬粒子10的表面全部由有機物被覆。
<黏合劑成分>
藉由於燒成材料調配黏合劑成分20，可使燒成材料成形為膜狀，可對燒成前之膜狀燒成材料1a、1b賦予黏著性。黏合劑成分20可為熱分解性，該熱分解性係藉由進行作為膜狀燒成材料1a、1b之燒成的加熱處理而熱分解。
黏合劑成分20並無特別限定，可列舉樹脂作為黏合劑成分20的較佳的一例。作為樹脂可列舉：丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乳酸及纖維素衍生物之聚合物等，較佳為丙烯酸系樹脂。於丙烯酸系樹脂係包含有：(甲基)丙烯酸酯化合物之同元聚合物、(甲基)丙烯酸酯化合物之2種以上之共聚物及(甲基)丙烯酸酯化合物與其他共聚性單體之共聚物。
於構成黏合劑成分之樹脂中，源自(甲基)丙烯酸酯化合物之構成單元的含量相對於構成單元的總量較佳為50質量%至100質量%，更佳為80質量%至100質量%，進而較佳為90質量%至100質量%。
此處所謂之『源自』意指經過前述單體進行聚合所必需之結構變化。
作為(甲基)丙烯酸酯化合物的具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl (meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一基酯、(甲基)丙烯酸十二基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯及(甲基)丙烯酸異硬脂酯等(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等(甲基)丙烯酸苯氧基烷基酯；(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯 、(甲基)丙烯酸2-丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-丁氧基乙酯及(甲基)丙烯酸2-甲氧基丁酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯；聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯及壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸4-丁基環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊二烯酯、(甲基)丙烯酸莰酯、(甲基)丙烯酸異莰酯及(甲基)丙烯酸三環癸酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯及(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯等。較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯，作為尤佳的(甲基)丙烯酸酯化合物可列舉：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯及(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯。
作為丙烯酸系樹脂，較佳為甲基丙烯酸酯。藉由黏合劑成分20含有源自甲基丙烯酸酯之構成單元，可於相對低溫下進行燒成。另外，可滿足用以於燒結後獲得充分的接著強度之條件。
構成黏合劑成分20之樹脂中，源自甲基丙烯酸酯之構 成單元的含量相對於構成單元的總量較佳為50質量%至100質量%，更佳為80質量%至100質量%，進而較佳為90質量%至100質量%。
作為其他共聚性單體，只要為可與上述(甲基)丙烯酸酯化合物共聚之化合物則並無特別限制，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、順丁烯二酸及乙烯基鄰苯二甲酸等不飽和羧酸類；乙烯基苄基甲醚、乙烯基縮水甘油醚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丁二烯及異戊二烯等含乙烯基之自由基聚合性化合物。
構成黏合劑成分20之樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為1000至1000000，更佳為10000至800000。藉由樹脂的重量平均分子量為上述範圍內，容易表現出作為膜而言充分的膜強度且容易賦予柔軟性。
再者，於本說明書中所謂的『重量平均分子量』只要無特別說明，則係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法測定之聚苯乙烯換算值。
構成黏合劑成分20之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至50℃，更佳為-30℃至10℃，進而較佳為-20以上且未達0℃。藉由樹脂的Tg為上述上限值以下，膜狀燒成材料1a、1b與半導體元件等之接著力提高。藉由樹脂的Tg為上述下限值以上，更容易將膜狀燒成材料1a、1b自後述之支 撐片等剝離。
黏合劑成分20可為熱分解性，該熱分解性係藉由進行作為膜狀燒成材料1a、1b之燒成的加熱處理而發生熱分解。黏合劑成分20發生熱分解可藉由因燒成所致之黏合劑成分20之質量減少而確認。再者，作為黏合劑成分20而調配之成分可為因燒成而大部分發生熱分解，但亦可為：作為黏合劑成分20而調配之成分的全質量不皆因燒成而發生熱分解。
就黏合劑成分20而言，相對於燒成前的黏合劑成分20的質量為100質量%，燒成後的黏合劑成分20的質量可為10質量%以下，或可為5質量%以下，或亦可為3質量%以下。
以本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b而言，除上述之燒結性金屬粒子10、非燒結性金屬粒子及黏合劑成分20以外，於無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不符合燒結性金屬粒子10、非燒結性金屬粒子及黏合劑成分20之其他添加劑。
作為本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b可含有之其他添加劑，可列舉：溶劑、分散劑、塑化劑、黏著賦予劑、保存穩定劑、消泡劑、熱分解促進劑及抗氧化劑等。添加劑可僅含有1種，亦可含有2種以上。該等添加劑並無特別限定，可適宜選擇該領域中通常使用之添加劑。
<組成>
本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b可由燒結性金屬粒子10及黏合劑成分20構成，該等的含量(質量%)之和可成為100質量%。
本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b可由燒結性金屬粒子10、黏合劑成分20及其他添加劑構成，該等的含量(質量%)之和可成為100質量%。
於本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b包含非燒結性金屬粒子之情形時，膜狀燒成材料1a、1b可由燒結性金屬粒子10、非燒結性金屬粒子及黏合劑成分20構成，該等的含量(質量%)之和可成為100質量%。
於本實施形態之膜狀燒成材料1a、1b包含非燒結性金屬粒子之情形時，膜狀燒成材料1a、1b可由燒結性金屬粒子10、非燒結性金屬粒子、黏合劑成分20及其他添加劑構成，該等的含量(質量%)之和可成為100質量%。
於膜狀燒成材料1a、1b中，相對於溶劑以外的全部成分(以下，記為『固形物成分』)的總含量100質量%，燒結性金屬粒子10的含量較佳為10質量%至98質量%，更佳為15質量%至90質量%，進而較佳為20質量%至80質量%。
於膜狀燒成材料1a、1b包含非燒結性金屬粒子之情形時，相對於膜狀燒成材料1a、1b中的固形物成分的總含量100質量%，燒結性金屬粒子10及非燒結性之金屬粒子的總 含量較佳為50質量%至98質量%，更佳為70質量%至95質量%，進而較佳為80質量%至90質量%。此時，相對於膜狀燒成材料1a、1b中的固形物成分的總含量100質量%，燒結性金屬粒子10的含量較佳為15質量%至93質量%，更佳為21質量%至90質量%，進而較佳為24質量%至86質量%。
於膜狀燒成材料1a、1b中，相對於溶劑以外的全部成分的總含量100質量%，黏合劑成分20的含量較佳為2質量%至50質量%，更佳為5質量%至30質量%，進而較佳為10質量%至20質量%。
於膜狀燒成材料1a、1b中，燒結性金屬粒子10與黏合劑成分20之質量比率(燒結性金屬粒子：黏合劑成分)較佳為50：1至1：5，更佳為20：1至1：2，進而較佳為10：1至1：1。於膜狀燒成材料1a、1b包含非燒結性金屬粒子之情形時，燒結性金屬粒子10及非燒結性金屬粒子與黏合劑成分20之質量比率{(燒結性金屬粒子+非燒結性金屬粒子)：黏合劑成分}較佳為50：1至1：1，更佳為20：1至2：1，進而較佳為9：1至4：1。
以膜狀燒成材料1a、1b而言，亦可含有於將燒結性金屬粒子10、黏合劑成分20及其他添加劑成分混合時所使用之高沸點溶劑。相對於膜狀燒成材料1a、1b的總質量100質量%，高沸點溶劑的含量較佳為20質量%以下，更佳為15 質量%以下，進而較佳為10質量%以下。
根據上述之實施形態之膜狀燒成材料1a、1b，由於為膜狀故厚度穩定性優異。另外，實施形態之膜狀燒成材料1a、1b由於包含燒結性金屬粒子故導熱性優異。進而，實施形態之膜狀燒成材料於將膜狀燒成材料1a、1b中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚5%以上或薄5%以上。因此於使用時，亦即自膜狀燒成材料1a、1b剝離第1剝離膜30時不易產生燒成材料之破損。
<<膜狀燒成材料的製造方法>>
膜狀燒成材料可使用含有該膜狀燒成材料之構成材料之燒成材料組成物而形成。
燒成材料組成物可藉由至少將燒結性金屬粒子、黏合劑及溶劑混合而獲得。燒成材料組成物亦可進而含有非燒結性金屬粒子。
相對於燒成材料組成物的總質量，燒結性金屬粒子的質量較佳為10質量%至98質量%，更佳為15質量%至90質量%。
相對於燒成材料組成物的總質量，黏合劑成分的質量較佳為5質量%至30質量%，更佳為10質量%至25質量%。
相對於燒成材料組成物的總質量，溶劑的質量較佳為5質量%至40質量%，更佳為7質量%至30質量%。
本實施形態之膜狀燒成材料的製造方法具有以下之步驟：印刷燒成材料組成物，前述燒成材料組成物係至少含有燒結性金屬粒子、黏合劑成分及溶劑。
例如，於膜狀燒成材料之形成對象面印刷燒成材料組成物，視需要進行乾燥而使溶劑揮發，藉此可於目標部位形成膜狀接著劑。
作為溶劑，只要於印刷後可揮發乾燥即可，較佳為沸點為65℃至350℃。例如可列舉：正己烷(沸點：68℃)、乙酸乙酯(沸點：77℃)、2-丁酮(沸點：80℃)、正庚烷(沸點：98℃)、甲基環己烷(沸點：101℃)、甲苯(沸點：111℃)、乙醯丙酮(沸點：138℃)、正二甲苯(沸點：139℃)及二甲基甲醯胺(沸點：153℃)等低沸點溶劑。
另外，為了抑制印刷時溶劑揮發所致之黏度上升，亦可使用沸點為200℃以上之高沸點溶劑，例如可列舉：異佛爾酮(沸點：215℃)、丁基卡必醇(沸點：230℃)、1-癸醇(沸點：233℃)、丁基卡必醇乙酸酯(沸點：247℃)、及異莰基環己醇(沸點：318℃)等。
該等可單獨使用，另外亦可組合使用。
若溶劑的沸點超過350℃，則有可能在膜狀燒成材料之燒成時於膜狀燒成材料內殘留溶劑，使接合接著性劣化。 換言之，若溶劑的沸點為350℃以下，則在膜狀燒成材料之燒成時不會於膜狀燒成材料內殘留溶劑，不易使接合接著性劣化。若溶劑的沸點低於65℃，則有在印刷時揮發而膜狀燒成材料的厚度的穩定性受損之危險。換言之，若溶劑的沸點為65℃以上，則在印刷時不揮發，膜狀燒成材料的厚度的穩定性得以保持。
可列舉剝離膜的表面作為燒成材料組成物之印刷對象面。
可利用公知的印刷方法印刷燒成材料組成物，例如可列舉以下方法：軟版(flexo)印刷等凸版印刷、凹版(gravure)印刷等凹版印刷、套版(offset)印刷等平版印刷、絲網(silk-screen)印刷或滾網(rotary-screen)印刷等網版印刷及利用噴墨印表機等各種由印表機所進行之印刷等。
燒成材料組成物之印刷形狀根據燒結接合之對象的形狀適宜設定即可，較佳為圓形或矩形。圓形係與半導體晶圓的形狀對應之形狀。矩形係與半導體元件的形狀對應之形狀。所謂對應之形狀可為與燒結接合之對象的形狀相同之形狀或大致相同之形狀。
於所印刷之燒成材料組成物為圓形之情形時，圓的面積可為3.5cm2至1600cm2，可為85cm2至1400cm2。於所印刷之燒成材料組成物為矩形之情形時，矩形的面積可為 0.01cm2至25cm2，可為0.25cm2至9cm2。
關於所印刷之燒成材料組成物的端部的厚度，於將前述燒成材料組成物中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述燒成材料組成物的端部的平均厚度可較前述燒成材料組成物中的除端部以外的部分的平均厚度厚5%以上。另外，亦可使燒成材料組成物乾燥後成為上述厚度。
同樣地，關於所印刷之燒成材料組成物的端部的厚度，於將前述燒成材料組成物中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述燒成材料組成物的端部的平均厚度可較前述燒成材料組成物中的除端部以外的部分的平均厚度薄5%以上。另外，亦可使燒成材料組成物乾燥後成為上述厚度。
燒成材料組成物的乾燥條件並無特別限定，於燒成材料組成物含有溶劑之情形時較佳為進行加熱乾燥。於該情形時，例如較佳為於70℃至250℃且10秒至10分鐘之條件下使燒成材料組成物乾燥。
根據本實施形態之膜狀燒成材料的製造方法，可製造本發明之膜狀燒成材料。所製造之膜狀燒成材料根據所使用之燒成材料組成物的黏度、表面張力等性質，可採取上 述之膜狀燒成材料1a或膜狀燒成材料1b之形態。若所使用之燒成材料組成物的黏度高，則存在成為以下之形態之傾向：如膜狀燒成材料1a般，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚。例如，若燒成材料組成物的黏度為10Pa‧s至100Pa‧s，則存在成為以下之形態之傾向：膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚。若所使用之燒成材料組成物的黏度低，則存在成為以下之形態之傾向：如膜狀燒成材料1b般，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度薄。例如，若燒成材料組成物的黏度為0.1Pa‧s至5Pa‧s，則存在成為以下之形態之傾向：如膜狀燒成材料1b般，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度薄。
若所使用之燒成材料組成物的表面張力高，則存在成為以下之形態之傾向：與作為印刷面之剝離膜表面之接觸角變大，如膜狀燒成材料1a般，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚。若所使用之燒成材料組成物的表面張力低，則存在成為以下之形態之傾向：與剝離膜表面之接觸角變小，如膜狀燒成材料1b般，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度薄。
再者，本發明之膜狀燒成材料並不限定於藉由本實施形態之膜狀燒成材料的製造方法所製造之膜狀燒成材料。
若為先前之糊狀燒成材料，則直接塗佈於燒結接合之對象而被使用。另一方面，於欲使膜狀燒成材料的形狀與燒結接合之對象形狀吻合之情形時，通常首先製造大面積的膜後，將該膜切取成所需之形狀。
但是，根據切取形狀會產生較多切屑部分。由於切屑部分成為丟棄對象，故而對於原材料之良率變得降低。同時會導致製品價格之高漲。
另一方面，根據實施形態之膜狀燒成材料的製造方法，藉由印刷而一開始便可形成所需之形狀。因此，不會產生切屑部分而對原材料之良率提高。尤其是，由於膜狀燒成材料中所含有之燒結性金屬粒子為相對高價之材料，故而能夠削減原材料之廢棄損耗一事會關係著製品價格大幅降低，因而非常有益。
<<附支撐片的膜狀燒成材料>>
本實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料具備：本發明之幾個實施形態之膜狀燒成材料；支撐片，設置於前述膜狀燒成材料的一側；及剝離膜，設置於另一側。前述支撐片係於基材膜上的整面或外周部設置有黏著劑層，且較佳為於前述黏著劑層上直接接觸而設置有前述膜狀燒成材料 。或者，較佳為直接接觸而設置於基材膜。藉由採用本形態，可作為將半導體晶圓單片化為元件時所使用之切割片(dicing sheet)使用，且可藉由使用刀片等與晶圓一起單片化，作為與元件相同形狀之膜狀燒成材料而加工，且可製造附膜狀燒成材料的半導體元件。
以下，對附支撐片的膜狀燒成材料之幾個實施形態進行說明。於圖3及圖4中表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之概略剖面圖。圖5係示意性地表示本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料貼附於環狀框之狀態之圖。如圖3及圖4所示，本發明之一實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料100a、100b係於外周部具有黏著部之支撐片2的內周部，可剝離地暫時黏著膜狀燒成材料1而成。例如如圖3所示般，支撐片2係於基材膜3的上表面具有黏著劑層4之黏著片，且成為以下之構成：黏著劑層4的內周部表面由膜狀燒成材料1覆蓋而於外周部露出有黏著部。換言之，支撐片2具有基材膜3及黏著劑層4，該黏著劑層4覆蓋基材膜3的大致整面。膜狀燒成材料1係以使黏著劑層4的周緣及其附近即外周部露出之方式位於黏著劑層4上。黏著劑層4的露出部分作為黏著部而發揮功能。另外，如圖4及圖5所示，支撐片2亦可為於基材膜3的外周部具有環狀的黏著劑層4之構成。例如，支撐片2具有基材膜3及環狀的黏著劑層4，該環狀的黏著劑層4位於基材膜3的周緣部上。膜狀燒成材料1係以接觸於基材膜3且周圍由黏著劑層4包 圍之方式就位。
膜狀燒成材料1係於支撐片2的內周部形成為與所貼附之工件(半導體晶圓等)大致相同之形狀。於支撐片2的外周部具有黏著部。於較佳的態樣中，直徑小於支撐片2之膜狀燒成材料1於圓形的支撐片2上積層為同心圓狀。外周部的黏著部係如圖所示般被用於利用環狀框5之固定。
圖6A係示意性地表示本實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料之剖面圖。附支撐片的膜狀燒成材料100c的第2剝離膜31的面積大於膜狀燒成材料1，且自膜狀燒成材料1之端延出。進而，圖6A所示之附支撐片的膜狀燒成材料100c係於與膜狀燒成材料1的端部接觸之第2剝離膜31無切口。
圖7A係示意性地表示利用先前之加工法獲得之附支撐片的膜狀燒成材料的一例之剖面圖。附支撐片的膜狀燒成材料100c與附支撐片的膜狀燒成材料100d為相同構成，但於附支撐片的膜狀燒成材料100d中，於與膜狀燒成材料1的端部接觸之第2剝離膜31有切口I。
圖6A所示之附支撐片的膜狀燒成材料100c的第2剝離膜31的面積大於膜狀燒成材料1。並且，附支撐片的膜狀燒成材料100c的第2剝離膜31自膜狀燒成材料1之端延出。進而，於第2剝離膜31無切口。因此，將第2剝離膜31自膜狀 燒成材料1剝離時，不易產生膜狀燒成材料1之破損(圖6B)。
若如圖7A所示之附支撐片的膜狀燒成材料100d般在與膜狀燒成材料1的端部接觸之第2剝離膜31有切口I，則於切口I的形成過程中，膜狀燒成材料1會部分地捲入切口I。結果為將第2剝離膜31自膜狀燒成材料1剝離時，有膜狀燒成材料1自支撐片2剝落之虞(圖7B)。另外，有於膜狀燒成材料1產生凝聚破壞等破損之虞(圖7B)。
圖1A及2A所示之膜狀燒成材料1a、1b於與該膜狀燒成材料1a、1b的端部接觸之第2剝離膜31無切口。另外，於將膜狀燒成材料1a、1b中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料1a、1b的端部的平均厚度較膜狀燒成材料1a、1b中的除端部以外的部分的平均厚度厚5%以上或薄5%以上。藉此，在將膜狀燒成材料1a、1b自第1剝離膜30剝離時，可於目標之膜狀燒成材料與第1剝離膜30之界面穩定地剝離。並且，不易產生膜狀燒成材料之破損。
於第2剝離膜31上之切口可能在設置於第2剝離膜31上之膜狀燒成材料1之衝切加工時產生。
但是，若藉由後述之附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法而於支撐片2上設置膜狀燒成材料1，即便不進行裁切 亦可使膜狀燒成材料形成為所需之形狀。因此，容易獲得於第2剝離膜31無切口之附支撐片的膜狀燒成材料。
(基材膜)
作為支撐片2之構成材料之基材膜3並無特別限定，例如可使用低密度聚乙烯(LDPE：low density polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、乙烯-丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚胺甲酸乙酯膜或由離子聚合物等所構成之膜等。
另外可列舉：具有耐熱性之聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜、及聚丙烯、及聚甲基戊烯等聚烯烴膜等。另外，亦可使用該等之交聯膜或利用放射線或放電等獲得之改質膜。基材膜亦可為上述膜之積層體。
另外，該等膜亦可積層2種以上或組合使用。進而，亦可使用將該等膜著色所得之膜或對該等膜實施印刷所得之膜等。另外，膜可為將熱塑性樹脂藉由擠出形成而片化所得之膜，亦可為經延伸之膜，還可使用將硬化性樹脂藉由預定手段進行薄膜化、硬化而片化所得之膜。
基材膜的厚度並無特別限定，較佳為30μm至300μm，更佳為50μm至200μm。藉由將基材膜的厚度設為上述範圍，即便進行利用切割之切入亦不易引起基材膜之斷裂。另外，由於可對附支撐片的膜狀燒成材料賦予充分的可撓性，故而對工件(例如半導體晶圓等)顯示良好的貼附性。
基材膜亦可藉由於表面塗佈剝離劑而實施剝離處理來獲得。作為用於剝離處理之剝離劑，可使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系或蠟系等，尤其是醇酸系、聚矽氧系、氟系之剝離劑因具有耐熱性而較佳。
為了使用上述之剝離劑對基材膜的表面進行剝離處理，進行以下之步驟即可。將剝離劑直接於無溶劑下，或者進行溶劑稀釋或乳化(emulsification)，藉由凹版塗佈機(gravure coater)、繞線棒式塗佈機(meyer bar coater)、氣刀塗佈機(air-knife coater)或輥式塗佈機(roll coater)等進行塗佈。之後，將塗佈有剝離劑之基材膜供至常溫下或加熱下，或藉由電子束使之硬化，並利用濕式層壓(wet lamination)或乾式層壓(dry lamination)、熱熔層壓、熔融擠出層壓或共擠出加工等形成積層體。
(黏著劑層)
前述支撐片2於基材膜3上的整面或外周部設置有黏著劑層4。支撐片2至少於其外周部具有黏著部。黏著部係於附支撐片的膜狀燒成材料100a、100b的外周部具有將環狀框5暫時固定之功能。黏著部較佳為於所需之步驟後可將環狀框5剝離。因此，黏著劑層4可使用弱黏著性之黏著劑，亦可使用藉由能量線照射而黏著力降低之能量線硬化性之黏著劑。再剝離性黏著劑層可藉由在習知上為公眾所知的各種黏著劑(例如，橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、胺基甲酸酯系及乙烯醚系等通用黏著劑、具有表面凹凸之黏著劑、能量線硬化型黏著劑或含熱膨脹成分之黏著劑等)而形成。
在圖4所示之構成中，於基材膜3的外周部形成環狀的黏著劑層4而設為黏著部。此時，黏著劑層4可為由上述黏著劑構成之單層黏著劑層，亦可為將雙面黏著帶切斷成環狀之黏著劑層，該雙面黏著帶係包含由上述黏著劑所構成之黏著劑層。
另外，如圖3所示般，支撐片2係於基材膜3的上側整面具有黏著劑層4之通常構成之黏著片，亦可為前述黏著劑層4的內周部表面由膜狀燒成材料覆蓋而於外周部露出黏著部之構成。於該情形時，黏著劑層4的外周部係被用於固定上述之環狀框5，於內周部係可剝離地積層有膜狀燒成材料。作為黏著劑層4，與上述同樣地可使用弱黏著性黏著劑， 另外亦可使用能量線硬化性黏著劑。
於圖3之構成之支撐片中，於使用能量線硬化性之再剝離性黏著劑層之情形時，可對積層有膜狀燒成材料之區域預先進行能量線照射以使黏著性降低。此時，其他區域亦可不進行能量線照射，例如將與環狀框5進行接著作為目的而維持住高黏著力。為了僅對其他區域不進行能量線照射，例如藉由印刷等在對應於基材膜的其他區域之區域設置能量線遮蔽層，自基材膜側進行能量線照射即可。另外，在圖3之構成之支撐片中，為了牢固基材膜3與黏著劑層4之接著，可對基材膜3中的設置有黏著劑層4之面視需要實施以下處理：利用噴砂(sand blast)或溶劑處理等之凹凸化處理、或者電暈(corona)放電處理、電子束照射、電漿(plasma)處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理及熱風處理等氧化處理等。另外，亦可實施底塗(primer)處理。
黏著劑層4的厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，進而較佳為2μm至80μm，尤佳為3μm至50μm。
(附支撐片的膜狀燒成材料)
附支撐片的膜狀燒成材料係於支撐片的內周部可剝離地暫時黏著膜狀燒成材料而成，該支撐片係於外周部具有 黏著部。換言之，附支撐片的膜狀燒成材料包含：支撐片；黏著部，至少設置於支撐片的外周部且位於支撐片上；及膜狀燒成材料，由黏著部包圍且位於支撐片上；膜狀燒成材料係可剝離地暫時黏著於支撐片。此處，所謂『膜狀燒成材料係可剝離地暫時黏著於支撐片』並不限於膜狀燒成材料直接接觸於支撐片之情形，亦包含於膜狀燒成材料與支撐片之間存在有黏著部之情形。在圖3中所示之構成例中，附支撐片的膜狀燒成材料100a係於由基材膜3與黏著劑層4構成之支撐片2的內周部可剝離地積層有膜狀燒成材料1，於支撐片2的外周部露出黏著劑層4。於該構成例中，較佳為直徑小於支撐片2之膜狀燒成材料1於支撐片2的黏著劑層4上可剝離地積層為同心圓狀。
上述構成之附支撐片的膜狀燒成材料100a係以黏著劑層4貼附於環狀框5，該黏著劑層4係於支撐片2的外周部露出。
另外，亦可於相對於環狀框之糊料襟(黏著片的外周部露出之黏著劑層)上進而另外設置環狀的雙面帶或黏著劑層。雙面帶係具有黏著劑層/芯材/黏著劑層之積層構成。雙面帶中之黏著劑層並無特別限定，例如可使用橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系及聚乙烯醚等黏著劑。黏著劑層係於製造後述之元件時，以該黏著劑層的外周部貼附於環狀框。作為雙面帶的芯材，例如較佳為使用聚酯膜、聚丙烯 膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜或液晶聚合物膜等。
在圖4所示之構成例中，於基材膜3的外周部形成環狀的黏著劑層4而設為黏著部。此時，黏著劑層4可為由上述黏著劑構成之單層黏著劑層，亦可為將雙面黏著帶切斷成環狀之黏著劑層，該雙面黏著帶係包含由上述黏著劑構成之黏著劑層。膜狀燒成材料1係可剝離地積層於由黏著部圍繞之基材膜3的內周部。在該構成例中，較佳為直徑小於支撐片2之膜狀燒成材料1於支撐片2之基材膜3上可剝離地積層為同心圓狀。
亦可基於以下目的而於附支撐片的膜狀燒成材料設置剝離膜：在供使用前之期間，為了避免膜狀燒成材料及黏著部的任一者或該兩者的表面與外部接觸之表面保護。
作為剝離膜，亦可藉由下述方式而獲得：於上述列舉之聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚丙烯等基材膜表面塗佈剝離劑而實施剝離處理。作為用於剝離處理之剝離劑，可使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系或蠟系等，尤其是醇酸系、聚矽氧系及氟系之剝離劑因具有耐熱性而較佳。
為了使用上述之剝離劑對基材膜的表面進行剝離處理，將剝離劑直接於無溶劑下，或者進行溶劑稀釋或乳化，藉由凹版塗佈機、繞線棒式塗佈機、氣刀塗佈機或輥式塗佈機等進行塗佈，將塗佈有剝離劑之基材膜供至常溫下或加熱下，或藉由電子束使之硬化，並利用濕式層壓或乾式層壓、熱熔層壓、熔融擠出層壓、共擠出加工等形成積層體即可。
附支撐片的膜狀燒成材料的厚度通常為25μm至1000μm，較佳為45μm至800μm，尤佳為100μm至500μm左右。
<<附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法>>
前述附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法具有以下之步驟：將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於剝離膜上而獲得膜狀燒成材料後，將前述膜狀燒成材料設置於支撐片上。
例如，將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於第2剝離膜上，視需要進行乾燥，使溶劑揮發而成為膜狀。藉此，於第2剝離膜上形成膜狀燒成材料。於該膜狀燒成材料上積層另一第1剝離膜而預先準備依序具有第2剝離膜/膜狀燒成材料/第1剝離膜之構成之積層體。然後，自膜狀燒成材料剝離第1剝離膜並且於膜狀燒成材料上積 層支撐片，藉此可製造依序具有支撐片/膜狀燒成材料/第2剝離膜的構成之附支撐片的膜狀燒成材料。膜狀燒成材料上的第2剝離膜於形成積層結構後視需要移除即可。
另外，將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於第2剝離膜上，視需要進行乾燥，使溶劑揮發而成為膜狀，藉此於第2剝離膜上形成膜狀燒成材料。於膜狀燒成材料上積層另一第1剝離膜而預先準備依序具有第2剝離膜/膜狀燒成材料/第1剝離膜之構成之積層體。在與該等不同之第3剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要進行乾燥，使溶劑揮發而成為膜狀，藉此於第3剝離膜上形成黏著劑層。繼而，於黏著劑層上積層基材膜而準備依序具有基材膜/黏著劑層/第3剝離膜之構成之積層體。然後，自膜狀燒成材料及黏著劑層分別剝離第1剝離膜及第3剝離膜，並且於於基材膜上積層完畢之黏著劑層的露出面積層膜狀燒成材料，藉此亦可製造依序具有基材膜/黏著劑層/膜狀燒成材料/第2剝離膜的構成之附支撐片的膜狀燒成材料。此時，藉由使用於將膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料的端部的平均厚度較膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度厚5%以上或薄5%以上之膜狀燒成材料，可於目標之第1剝離膜與膜狀燒成材料之界面剝離第1剝離膜。藉此，可穩定地製造具有上述構成之附支撐片的膜狀燒成材料。另外，附支撐片的膜狀燒成材料上的第2剝離膜於形成積層結構後 視需要移除即可。
如此，構成附支撐片的膜狀燒成材料之黏著劑層或膜狀燒成材料均可利用預先形成於基材膜或第2剝離膜上，再貼合於目標層的表面之方法積層，因此視需要適宜選擇採用此種步驟之層而製造附支撐片的膜狀燒成材料即可。
再者，附支撐片的膜狀燒成材料係以如下之狀態保管：設置全部必需層後，於該層中的與支撐片為相反側的最表層的表面貼合有第2剝離膜之狀態。
另外，如於上述之膜狀燒成材料的製造方法中所例示，可代替塗敷上述之燒成材料組成物而將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於第2剝離膜上而獲得膜狀燒成材料。之後，將前述膜狀燒成材料設置於支撐片上，獲得附支撐片的膜狀燒成材料。
<<元件的製造方法>>
其次，以將前述附支撐片的膜狀燒成材料應用於製造元件(例如半導體元件)之情形為例，對本發明之附支撐片的膜狀燒成材料的利用方法進行說明。
作為本發明之一實施形態，使用附支撐片的膜狀燒成材料之半導體元件的製造方法可剝離附支撐片的膜狀燒成 材料的剝離膜，於表面形成有電路之半導體晶圓(工件)的背面貼附附支撐片的膜狀燒成材料，可將以下的步驟(1)至步驟(2)按照(1)(2)之順序進行，亦可將以下的步驟(1)至步驟(4)按照(1)(2)(3)及(4)之順序進行。
步驟(1)：將依序積層有支撐片、膜狀燒成材料及半導體晶圓(工件)之積層體的半導體晶圓(工件)與膜狀燒成材料進行切割之步驟；步驟(2)：將膜狀燒成材料與支撐片剝離，獲得附膜狀燒成材料元件之步驟；步驟(3)：於被黏接體的表面將附膜狀燒成材料元件貼附之步驟；步驟(4)：對膜狀燒成材料進行燒成，使半導體元件與被黏接體接合之步驟。
以下，對進行上述步驟(1)至步驟(4)之情形進行說明。
半導體晶圓可為矽晶圓，另外，亦可為錄及砷等之化合物半導體晶圓。可藉由包括蝕刻法及舉離(lift-off)法等習知上被通用之方法的各種方法於晶圓表面形成電路。繼而，對半導體晶圓的電路面的相反面(背面)進行研削。研削法並無特別限定，可利用使用研磨機(grinder)等之為公眾所知的手段進行研削。於背面研削時，為了保護表面的電路而於電路面貼附被稱作表面保護片之黏著片。背面研削係藉由吸附台(chuck table)等將晶圓的電路面側(亦即表面保 護片側)固定，藉由研磨機對未形成電路之背面側進行研削。晶圓的研削後的厚度並無特別限定，通常為20μm至500μm左右。之後，視需要將背面研削時所產生之破碎層去除。破碎層之去除係藉由化學蝕刻或電漿蝕刻等進行。
繼而，於半導體晶圓的背面貼附上述附支撐片的膜狀燒成材料的膜狀燒成材料。之後，將步驟(1)至步驟(4)按照(1)(2)(3)(4)之順序進行。
作為步驟(1)，將半導體晶圓/膜狀燒成材料/支撐片之積層體按照形成於晶圓表面之每一電路進行切割，而獲得半導體元件/膜狀燒成材料/支撐片之積層體。
切割係以將晶圓與膜狀燒成材料一起切斷之方式進行。根據本實施形態之附支撐片的膜狀燒成材料，於切割時在膜狀燒成材料與支撐片之間發揮黏著力，因此可防止碎屑或元件飛濺，切割適性優異。切割方法並無特別限定，作為一例可列舉：於切割晶圓時，藉由環狀框將支撐片的周邊部(支持體的外周部)固定後，藉由使用切割刀片等旋轉圓刀等為公眾所知的手法進行晶圓的單片化之方法等。以切割對支撐片之切入深度而言，可以是將膜狀燒成材料完全切斷，較佳為自膜狀燒成材料與支撐片之界面起設為0μm至30μm。藉由減小對支撐片之切入量，可抑制因切割刀片之摩擦導致構成支撐片之黏著劑層或基材膜熔融或產生毛邊(由前述熔融物形成之凹凸部)等。
之後，作為步驟(2)，將膜狀燒成材料與支撐片剝離，獲得附膜狀燒成材料元件。
在步驟(2)中亦可將上述支撐片進行延展(expand)。於選擇伸展性優異之膜作為支撐片的基材膜之情形時，支撐片具有優異的延展性。以夾頭(collet)等通用手段來拾取(pick up)經切割之附膜狀燒成材料的半導體元件，藉此將膜狀燒成材料與支撐片剝離。結果，獲得於背面具有膜狀燒成材料之半導體元件(附膜狀燒成材料的半導體元件)。
繼而，作為步驟(3)，於被黏接體的表面貼附附膜狀燒成材料元件。例如，於基板或導線框架(lead frame)、散熱片等被黏接體的表面將附膜狀燒成材用元件予以貼附。
繼而，作為步驟(4)，對膜狀燒成材料進行燒成，使半導體元件與被黏接體接合。例如，對膜狀燒成材料進行燒成，將基板或導線框架及散熱片等被黏接體與元件燒結接合。此時，若將附膜狀燒成材料的半導體元件的膜狀燒成材料的露出面貼附好於基板或導線框架及散熱片等被黏接體，則可經由膜狀燒成材料將半導體元件與前述被黏接體燒結接合。
對膜狀燒成材料進行燒成之加熱溫度考慮膜狀燒成材料的種類等而適宜確定即可，不過較佳為100℃至600℃，更佳為150℃至550℃，進而較佳為250℃至500℃。加熱時 間考慮膜狀燒成材料的種類等而適宜確定即可，不過較佳為5秒至60分鐘，更佳為5秒至30分鐘，進而較佳為5秒至10分鐘。
再者，所謂加熱時間意指達到所需之加熱溫度起至溫度保持結束為止的時間。
膜狀燒成材料之燒成亦可進行對膜狀燒成材料加壓而燒成之加壓燒成。關於加壓條件，作為一例可設為1MPa至50MPa左右。
根據本實施形態之元件的製造方法，可將比起藉由塗佈糊劑材料所形成之燒成材料厚度均勻性較高之膜狀燒成材料於元件背面簡便地形成。因此，切割步驟或封裝(packaging)後的龜裂(crack)變得不易產生。另外，根據本實施形態之元件的製造方法，可不於個別化後之半導體元件背面個別地貼附膜狀燒成材料而獲得附膜狀燒成材料的半導體元件。因此，可謀求製造步驟之簡化。並且，將附膜狀燒成材料的半導體元件配置於裝置基板等所需之被黏接體上而進行燒成，藉此可經由膜狀燒成材料來製造半導體元件與前述被黏接體已燒結接合之半導體裝置。
作為本發明之一實施形態，可獲得附膜狀燒成材料的半導體元件，該附膜狀燒成材料的半導體元件係具備半導體元件及實施形態之膜狀燒成材料。作為一例，附膜狀燒 成材料的半導體元件可藉由上述之元件的製造方法而製造。
再者，於上述實施形態中，對與半導體元件之燒結接合及半導體元件與被黏接體之燒結接合進行了例示，但膜狀燒成材料之燒結接合對象並不限定於上述例示之燒結接合對象，可對與膜狀燒成材料接觸而燒結之各種物品進行燒結接合。
[實施例]
以下，藉由實施例等更具體地說明本發明，但本發明之範圍並不限定於該等實施例等。
<燒成材料組成物之製造>
以下表示用於製造燒成材料組成物之成分。此處，將粒徑100nm以下之金屬粒子記為『燒結性金屬粒子』，將粒徑超過100nm之金屬粒子記為『非燒結性金屬粒子』。
(內包燒結性金屬粒子的糊劑材料)
‧Alconano Ag Paste ANP-1(有機被覆複合銀奈米糊劑，應用奈米粒子研究所股份有限公司製造：醇衍生物被覆銀粒子，金屬含量70wt%以上，100nm以下之銀粒子60wt%以上)
‧Alconano Ag Paste ANP-4(有機被覆複合銀奈米糊劑 ，應用奈米粒子研究所股份有限公司製造：醇衍生物被覆銀粒子，金屬含量80wt%以上，100nm以下之銀粒子25wt%以上)
(黏合劑成分)
‧使用蒸發器(evaporator)，於60℃、200hPa之條件下，使市售之丙烯酸系聚合物(甲基丙烯酸2-乙基己酯聚合物，平均分子量28000，L-0818，日本合成化學公司製造，MEK(甲基乙基酮)稀釋品，固形物成分54.5質量%)中的MEK揮發。向上述聚合物中添加與揮發之MEK等量的丁基卡必醇(關東化學公司製造，沸點：230℃)而再次進行分散稀釋，製作黏合劑成分(固形物成分54.5質量%)。
(高沸點溶劑)
‧丁基卡必醇(關東化學公司製造，沸點：230℃)
按照表1所示之調配將各成分混合，獲得與實施例1至實施例3、參考例1至參考例2及比較例1對應之燒成材料組成物。表1中的燒成材料組成物的各成分的值表示質量份。內包燒結性金屬粒子的糊劑材料包含高沸點溶劑而進行販賣，且該高沸點溶劑會對印刷及乾燥後的膜狀燒成材料的端部的平均厚度造成較大影響，因此內包燒結性金屬粒子的糊劑材料的成分係包括該等而記載。另外，同樣地考慮黏合劑成分中的溶劑成分量會對印刷及乾燥後的膜狀燒成材料的端部的平均厚度造成較大影響，而表示包括溶劑成分在內之質量份。
以下，將用於網版印刷或塗敷之液狀物記為『燒成材料組成物』，將印刷或塗佈該燒成材料組成物後進行乾燥而成之材料記為『膜狀燒成材料』。另外，將實施例及比較例 中所記載之丁基卡必醇蒸發記為『乾燥』，於該乾燥時燒成材料的形態由液狀物變化為膜狀。
<實施例及比較例之膜狀燒成材料之製造>
於聚對苯二甲酸乙二酯膜表面已實施有剝離處理之第2剝離膜31(琳得科公司製造，SP-PET382150，厚度38μm)的單面，使用直徑15cm的圓形網版及金屬製刮板(squeegee)，將上述獲得之燒成材料組成物進行網版印刷，於150℃下乾燥10分鐘，於與第2剝離膜31相反之面貼附具有充分大於直徑15cm之圓之面積的聚對苯二甲酸乙二酯膜表面已實施有剝離處理之第1剝離膜30(琳得科公司製造，SP-PET381031，厚度38μm)。藉此，獲得單面由第2剝離膜31保護，與該面相反之面由第1剝離膜30保護，且具有表1所示之厚度之膜狀燒成材料1。
<實施例及比較例之附支撐片的膜狀燒成材料之製造>
將上述獲得之膜狀燒成材料的第1剝離膜30剝離，將膜狀燒成材料露出之面作為於厚度70μm之基材膜上積層有厚度10μm之黏著劑層之支撐片而貼附於切割片(琳得科股份有限公司製造，Adwill G-11)的黏著劑層面而進行積層。藉此，獲得附支撐片的膜狀燒成材料100c，該附支撐片的膜狀燒成材料100c係於在基材膜上具有黏著劑層之切割片(支撐片2)上積層有具有充分大於圓形的膜狀燒成材料之 面積的第2剝離膜31。
<參考例之膜狀燒成材料之製造>
於聚對苯二甲酸乙二酯膜表面已實施有剝離處理之第2剝離膜31(琳得科公司製造，SP-PET382150，厚度38μm)的單面塗敷上述獲得之燒成材料組成物，於150℃下乾燥10分鐘，於與第2剝離膜31相反之面貼附第1剝離膜30，藉此獲得一面由聚對苯二甲酸乙二酯膜表面已實施剝離處理之第1剝離膜30保護，與該面相反之面由第2剝離膜31保護，且具有表1所示之厚度之膜狀燒成材料1。
<參考例之附支撐片的膜狀燒成材料之製造>
將上述獲得之膜狀燒成材料的第1剝離膜30剝離，使用直徑15cm之圓形刀片，自膜狀燒成材料露出之面以將膜狀燒成材料充分地切斷之方式，於第2剝離膜31的厚度方向上切入3μm以上之切口，進而將圓形部以外的部分的膜狀燒成材料剝去，藉此獲得積層有第2剝離膜31之直徑15cm之圓形的膜狀燒成材料，該第2剝離膜31係具有充分大於直徑15cm之面積。
將該膜狀燒成材料貼附於在基材膜上積層黏著劑層而成之切割片Adwill G-11的黏著劑層面而進行積層。藉此，獲得附支撐片的膜狀燒成材料100d，該附支撐片的膜狀燒成材料100d係於在基材膜上具有黏著劑層之切割片(支撐片2)上，積層有圓形的膜狀燒成材料及與膜狀燒成材料相 同形狀且切入有切口的第2剝離膜31。
<膜狀燒成材料的剝離膜剝離性評價法>
針對上述獲得之附支撐片的膜狀燒成材料100c、100d中的與切割片(支撐片2)為相反側的面所積層之第2剝離膜31，於自附支撐片的膜狀燒成材料100c、100d之製造起經過30天以上後，將表面的第2剝離膜31剝離，以目視確認於膜狀燒成材料1與切割片(支撐片2)之黏著劑層之界面處有無剝落及有無膜狀燒成材料1之破損。
(厚度之測定)
實施例、參考例及比較例之膜狀燒成材料的中央部的平均厚度係指膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為針對任意的5個部位，依據JIS K7130而使用定壓厚度測定器(Teclock公司製造，製品名『PG-02』)來測定所得之平均值。再者，任意的5個部位係避開膜狀燒成材料的較厚部分或較薄部分而選擇。
實施例、參考例及比較例之膜狀燒成材料的端部的平均厚度係設為針對第2剝離膜31上所形成之膜狀燒成材料的任意的5個部位，依據JIS K7130而使用定壓厚度測定器(Teclock公司製造，製品名『PG-02』)來測定所得之平均值。再者，任意的5個部位係選擇較膜狀燒成材料的中央部的平均厚度厚之部分或薄之部分。
膜狀燒成材料的中央部的平均厚度與端部的平均厚度之差[%]係藉由以下之式(1)而求出。
中央部的平均厚度與端部的平均厚度之差[%]=(端部的平均厚度[μm]-中央部的平均厚度[μm]/中央部的平均厚度[μm]×100‧‧‧(1)
在實施例1至實施例3中，於與第1剝離膜30及第2剝離膜31積層之膜狀燒成材料中，自膜狀燒成材料剝離第1剝離膜30時，於膜狀燒成材料與第2剝離膜31之界面上未產生剝落。在實施例1至實施例3之附支撐片的膜狀燒成材料中，自膜狀燒成材料剝離第2剝離膜31時，於膜狀燒成材料與切割片(支撐片2)之黏著劑層之界面處未產生剝落。進而，自膜狀燒成材料剝離第2剝離膜31時，亦未產生膜狀燒成材料1之破損。
另一方面，在參考例1中，於與第1剝離膜30及第2剝離膜31積層之膜狀燒成材料中，自膜狀燒成材料剝離第1剝離膜30時，於膜狀燒成材料與第2剝離膜31之界面上未產生剝落。此可認為原因在於：膜狀燒成材料的中央部的平均厚度與A端部的平均厚度之差[%]分別為-12%。然而，因第2剝離膜31表面的3μm以上之切口而導致自膜狀燒成材料1剝離第2剝離膜31時，產生膜狀燒成材料1之破損。
在參考例2中，於與第1剝離膜30及第2剝離膜31積層之膜狀燒成材料中，自膜狀燒成材料剝離第1剝離膜30時，於膜狀燒成材料與第2剝離膜31之界面上未產生剝離。可認為原因在於：膜狀燒成材料的中央部的平均厚度與A端部的平均厚度之差[%]為-15%。然而，因第2剝離膜31表面的3μm以上之切口而導致自膜狀燒成材料剝離第2剝離膜31時，於膜狀燒成材料與切割片(支撐片2)之黏著劑層之界面處產生剝落。進而，自膜狀燒成材料1剝離第2剝離膜31時，產生膜狀燒成材料1之破損。
在比較例1中，於與第1剝離膜30及第2剝離膜31積層之膜狀燒成材料中，自膜狀燒成材料剝離第1剝離膜30時，於膜狀燒成材料與第2剝離膜31之界面上產生剝離。可認為原因在於：膜狀燒成材料的中央部的平均厚度與A端部的平均厚度之差[%]為3.3%。
各實施形態中之各構成及該等之組合等為一例，在不脫離本發明之主旨之範圍內，可對構成進行附加、省略、置換及其他變更。另外，本發明不受各實施形態之限定，而僅受申請專利範圍(claim)之限定。
(產業可利用性)
根據本發明，可提供一種厚度穩定性及導熱性優異，使用時不易產生燒成材料之破損之膜狀燒成材料。

Claims (7)

  1. 一種膜狀燒成材料，係含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分；於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%時，前述膜狀燒成材料的前述端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除前述端部以外的部分的平均厚度厚5%以上。
  2. 一種膜狀燒成材料，係含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分；於將前述膜狀燒成材料中的除端部以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，前述膜狀燒成材料的前述端部的平均厚度較前述膜狀燒成材料中的除前述端部以外的部分的平均厚度薄5%以上。
  3. 一種附支撐片的膜狀燒成材料，係具備：如請求項1或2所記載之膜狀燒成材料；支撐片，係設置於前述膜狀燒成材料的一側；以及剝離膜，係設置於另一側。
  4. 如請求項3所記載之附支撐片的膜狀燒成材料，其中前述剝離膜的面積大於前述膜狀燒成材料。
  5. 如請求項4所記載之附支撐片的膜狀燒成材料，其中於與前述膜狀燒成材料的端部接觸之剝離膜無切口。
  6. 一種膜狀燒成材料的製造方法，係具有以下之步驟：印刷燒成材料組成物，前述燒成材料組成物係含有燒 結性金屬粒子及黏合劑成分。
  7. 一種附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法，係具有以下之步驟：將含有燒結性金屬粒子及黏合劑成分之組成物印刷於剝離膜上而獲得膜狀燒成材料後，將前述膜狀燒成材料設置於支撐片上。
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