CN110545944A - 膜状烧成材料、带支撑片的膜状烧成材料、膜状烧成材料的制造方法、及带支撑片的膜状烧成材料的制造方法 - Google Patents

膜状烧成材料、带支撑片的膜状烧成材料、膜状烧成材料的制造方法、及带支撑片的膜状烧成材料的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种膜状烧成材料，该膜状烧成材料为含有烧结性金属颗粒(10)及粘结剂成分(20)的膜状烧成材料(1a)，将膜状烧成材料(1a)的除了端部(A)以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料(1a)的端部(A)的平均厚度比膜状烧成材料(1a)的除了端部(A)以外的部分(B)的平均厚度厚5％以上。

Description

膜状烧成材料、带支撑片的膜状烧成材料、膜状烧成材料的制 造方法、及带支撑片的膜状烧成材料的制造方法
技术领域
本发明涉及膜状烧成材料、带支撑片的膜状烧成材料、膜状烧成材料的制造方法、及带支撑片的膜状烧成材料的制造方法。
本申请以2017年4月28日于日本提出申请的日本特愿2017-090715号为基础主张优先权，在此引用其内容。
背景技术
近年来，随着汽车、空调及电脑等的高电压及高电流化，对搭载在这些物品上的功率用半导体元件(也称为动力装置)的要求不断增高。由于功率用半导体元件在高电压及高电流下使用的这一特征，产生半导体元件的发热。
在以往，为了对由半导体元件产生的热进行散热，有时在半导体元件的周围安装散热器。然而，若散热器与半导体元件之间的接合部的导热性不良，则将妨碍有效的散热。
作为导热性优异的接合材料，例如在专利文献1中公开了一种膏状金属微粒组合物，其中混合有特定的加热烧结性金属颗粒、特定的高分子分散剂、特定的挥发性分散介质。认为若将所述组合物烧结，则会形成导热性优异的固状金属。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-111800号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，当烧成材料如专利文献1那样为膏状时，难以将涂布的膏的厚度均匀化，存在缺乏厚度稳定性的倾向。因此，为了达成厚度的稳定性，本申请的发明人想到，将以往以膏状组合物的形式提供的烧成材料制成膜状而进行提供。
以保护膜状的烧成材料的表面等为目的，通常在膜状的烧成材料上层叠剥离膜。膏状的烧成材料直接涂布在烧结接合的对象上而进行使用。另一方面，在使用膜状的烧成材料的情况下，从膜状的烧成材料上剥离剥离膜时，存在在烧成材料上产生凝聚破坏(cohesive failure)等破损的情况。
本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种厚度稳定性及导热性优异、使用时不易产生烧成材料的破损的膜状烧成材料。
此外，本发明的目的在于提供一种具备所述膜状烧成材料的带支撑片的膜状烧成材料。
此外，本发明的目的在于提供一种膜状烧成材料的制造方法。
此外，本发明的目的在于提供一种带支撑片的膜状烧成材料的制造方法。
解决技术问题的技术手段
即，本发明包括以下形式。
[1]一种膜状烧成材料，其含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，
将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的所述端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了所述端部以外的部分的平均厚度厚5％以上。
[2]一种膜状烧成材料，其含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，
将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的所述端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了所述端部以外的部分的平均厚度薄5％以上。
[3]一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备：所述[1]或[2]所述的膜状烧成材料、设置于所述膜状烧成材料的一侧的支撑片、设置于所述膜状烧成材料的另一侧的剥离膜。
[4]根据所述[3]所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，所述剥离膜的面积大于所述膜状烧成材料。
[5]根据所述[4]所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，在与所述膜状烧成材料的端部相接的剥离膜上没有切口。
[6]一种膜状烧成材料的制造方法，其具有印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的烧成材料组合物的工序。
[7]一种带支撑片的膜状烧成材料的制造方法，其具有以下工序：在剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，得到膜状烧成材料后，将所述膜状烧成材料设置在支撑片上的工序。
发明效果
根据本发明，能够提供一种厚度稳定性及导热性优异、使用时不易产生烧成材料的破损的膜状烧成材料。
此外，根据本发明，能够提供一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备该膜状烧成材料，其用于半导体元件的烧结接合。
此外，根据本发明，能够提供一种膜状烧成材料的制造方法。
此外，根据本发明，能够提供一种带支撑片的膜状烧成材料的制造方法。
附图说明
图1A为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。
图1B为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。
图2A为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。
图2B为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。
图3为示意性表示本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的截面图。
图4为示意性表示本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的截面图。
图5为示意性表示将本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料贴附在环形框架上的状态的图。
图6A为示意性表示本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的截面图。
图6B为示意性表示本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的截面图。
图7A为示意性表示根据以往的加工方法制成的带支撑片的膜状烧成材料的一个例子的截面图。
图7B为示意性表示根据以往的加工方法制成的带支撑片的膜状烧成材料的一个例子的截面图。
具体实施方式
以下，适当参照附图对本发明的实施方式进行说明。
另外，为了容易理解本发明的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图的重要部分扩大显示，各构成要素的尺寸比率不一定与实际相同。
《膜状烧成材料》
本发明的一个实施方式的膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的所述端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了所述端部以外的部分的平均厚度厚5％以上。
在本说明书中，“平均厚度”是指以JIS K 7130为基准、使用恒压测厚仪在任意5处测定的厚度的平均所表示的值。
图1A为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。膜状烧成材料1a含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20。
在膜状烧成材料1a中，端部A的平均厚度以比膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分B的平均厚度厚的方式形成。端部A为膜状烧成材料1a的周缘部。在本说明书中，将端部A定义为：俯视膜状烧成材料1a时，从膜状烧成材料1a的外周出发向内侧延伸2mm的区域。除了端部以外的部分B为膜状烧成材料1a的中央部。在膜状烧成材料1a中，膜状烧成材料的一个面的端部A隆起成凸状。端部A的整体的平均厚度可以比除了端部以外的部分B厚。端部A的一部分的平均厚度也可以比除了端部A以外的部分B厚。换言之，膜状烧成材料1a的较厚部分不必一定为向内侧延伸2mm的区域，例如也可以为向内侧延伸3mm的区域。此外，膜状烧成材料1a的较厚部分可以比向内侧延伸2mm的区域窄，例如也可以为向内侧延伸1mm的区域。
将膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料1a的端部A的平均厚度比所述膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分B的平均厚度厚5％以上，优选厚5～50％，更优选厚10～40％。若膜状烧成材料的端部1a的平均厚度比膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分B的平均厚度厚5％以上，则容易从膜状烧成材料1a上剥离后文所述的第一剥离膜30，膜状烧成材料1a不易产生破损。若膜状烧成材料的端部1a的平均厚度为膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分的平均厚度的150％以下，则能够适当地确保第一剥离膜30与膜状烧成材料1a的间隙的空气层，防止第一剥离膜30意外地从膜状烧成材料1a上剥离。
作为另一种表述方式，优选膜状烧成材料1a的端部A的平均厚度比膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分B的平均厚度厚1～100μm，更优选厚1～75μm，进一步优选厚2～45μm。
端部A的平均厚度是指，以JIS K 7130为基准、使用恒压侧厚仪在任意5处测定的厚度的平均所表示的值，但任意5处需选择比除了端部A以外的部分B的平均厚度厚的部分。例如可在距膜状烧成材料1a的外周1mm的内侧的线上选择任意5处。
相同地，除了端部A以外的部分B的平均厚度是指，以JIS K 7130为基准、使用恒压侧厚仪在任意5处测定的厚度的平均所表示的值，但任意5处需避开膜状烧成材料1a的明显较厚的部分而进行选择。例如，可在距膜状烧成材料1a的外周1cm的内侧的线上选择任意5处。
本发明的一个实施方式的膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度薄5％以上。
图2A为示意性表示本发明的一个实施方式的膜状烧成材料的截面图。膜状烧成材料1b含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20。
在膜状烧成材料1b中，端部A’的平均厚度以比膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄的方式形成。端部A’为膜状烧成材料1b的周缘部。在本说明书中，将端部A’定义为：俯视膜状烧成材料1b时，从膜状烧成材料1b的外周出发向内侧延伸2mm的区域。除了端部以外的部分B’为膜状烧成材料1b的中央部。在膜状烧成材料1b中，膜状烧成材料的一个面的端部A’呈不具有锐利的角的形状。端部A’的整体的平均厚度可以比除了端部以外的部分B’薄。端部A’的一部分的平均厚度也可以比除了端部A’以外的部分B’薄。换言之，膜状烧成材料1b的较薄部分不必不一定为向内侧延伸2mm的区域，例如也可以为向内侧延伸3mm的区域。此外，膜状烧成材料1b的较薄部分可以比向内侧延伸2mm的区域窄，例如也可以为向内侧延伸1mm的区域。
将膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料1b的端部A’的平均厚度比膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄5％以上，优选薄5～50％，更优选薄10～40％。将除了端部A’以外的部分B’的平均厚度设为100％时，若端部A’的平均厚度比膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄5％以上，则能够适当地确保第一剥离膜30与膜状烧成材料1b的间隙的空气层，防止第一剥离膜30意外地从膜状烧成材料1b上剥离。将除了端部A’以外的部分B’的平均厚度设为100％时，若端部A’的平均厚度大于膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度的95％，则容易将第一剥离膜30从膜状烧成材料1b上剥离，膜状烧成材料1b不易产生破损。
作为另一种表述方式，优选膜状烧成材料1b的端部A’的平均厚度比膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄1～100μm，更优选薄2～45μm。
端部A’的平均厚度是指以JIS K 7130为基准、使用恒压侧厚仪在任意5处测定的厚度的平均所表示的值，但任意5处需选择比除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄的部分。例如可在距膜状烧成材料1b的外周1mm的内侧的线上选择任意5处。
相同地，除了端部A’以外的部分B’的平均厚度为以JIS K 7130为基准、使用恒压侧厚仪在任意5处测定的厚度的平均所表示的值，但任意5处需避开膜状烧成材料1b的明显较薄的部分进行选择。例如可在距膜状烧成材料1b的外周1cm的内侧的线上选择任意5处。
膜状烧成材料可以由一层(单层)构成，也可以由2层以上的多个层构成。当膜状烧成材料由多个层构成时，这些多个层可以相互相同，也可以相互不同，只要不损害本发明的效果，那么这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不限于膜状烧成材料的情况，“多个层可以相互相同，也可以相互不同”是指“可以所有的层相同，可以所有的层不同，也可以仅有一部分层相同”，进一步，“多个层相互不同”是指“各个层的构成材料、构成材料的掺合比及厚度中的至少一个相互不同”。
膜状烧成材料的除了端部以外的部分的烧成前的平均厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为20～150μm，更优选为30～90μm。
此处，“膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度”是指构成膜状烧成材料的全部要素的总厚度。例如，当膜状烧成材料由多个层构成时，膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度是指构成膜状烧成材料的所有层的除了端部以外的部分的合计平均厚度。
膜状烧成材料1a的端部A的平均厚度没有特别限制，优选为11～300μm，更优选为21～225μm，更优选为32～135μm。
膜状烧成材料1b的端部A’的平均厚度没有特别限制，优选为5～190μm，优选为10～143μm，更优选为15～86μm。
(剥离膜)
膜状烧成材料能够以层叠在剥离膜上的状态提供。在上述膜状烧成材料1a、1b的一个面或两个面上层叠有第一剥离膜30及第二剥离膜31中的至少一个。使用膜状烧成材料1a、1b时，将第一剥离膜30及第二剥离膜31剥离，并配置在膜状烧成材料1a、1b烧结接合的对象物上即可。第一剥离膜30及第二剥离膜31还具有作为用于防止膜状烧成材料1a、1b的损伤的保护膜的功能。第一剥离膜30及第二剥离膜31中的至少一个可以设置在膜状烧成材料1a、1b的至少一个面上，也可以分别设置在膜状烧成材料1a、1b的两个面上。
将第一剥离膜30及第二剥离膜31分别层叠在膜状烧成材料的两个面上时，优选将膜状烧成材料形成在作为重剥离膜的、对表面进行了剥离处理的第二剥离膜31上，然后将作为轻剥离膜的对表面进行了硅酮剥离处理的第一剥离膜30的剥离处理面贴附在所述膜状烧成材料的与同第二剥离膜31相接的面相反的面上。
即，优选使各个剥离膜与膜状烧成材料的界面的剥离力存在差别。以下，有时将剥离力小的剥离膜称为轻剥离膜，将剥离力大的剥离膜称为重剥离膜。若使剥离力存在差别，则仅将作为轻剥离膜的第一剥离膜30从膜状烧成材料上剥离时，能够防止膜状烧成材料从作为重剥离膜的第二剥离膜31上浮起的可能。具体的剥离处理的方法在后文中进行阐述。
作为第一剥离膜30及第二剥离膜31，例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜及氟树脂膜等透明膜。此外，也可使用这些透明膜的交联膜。进一步，也可以为这些透明膜的层叠膜。此外，可使用对这些透明膜进行了着色的膜、进行了不透明化的膜等。作为剥离剂，例如可列举出硅酮类、氟类及含长链烷基的氨基甲酸酯等的剥离剂。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也相同。
第一剥离膜30及第二剥离膜31的厚度通常为10～500μm，优选为15～300μm，特别优选为20～250μm左右。
如本实施方式的膜状烧成材料这样含有金属颗粒的烧成材料具有材料本体的凝聚力较弱的倾向，通过施加力，存在容易产生凝聚破坏等破损的倾向。
如图1A所示，膜状烧成材料1a的端部A的平均厚度以比膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分B的平均厚度厚的方式形成。具体而言，将膜状烧成材料1a的除了端部A以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料1a的端部A的平均厚度比膜状烧成材料的除了端部以外的部分B的平均厚度厚5％以上。由此，第一剥离膜30弯曲并追随膜状烧成材料1a的形状。因此，在第一剥离膜30与膜状烧成材料1a的界面产生应力，第一剥离膜30容易通过外力而从膜状烧成材料1a上剥离，膜状烧成材料1a不易产生破损(图1B)。
此外，在图2A中，膜状烧成材料1b的端部A’的平均厚度以比膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄的方式形成。具体而言，将膜状烧成材料1b的除了端部A’以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料1b的端部A’的平均厚度比膜状烧成材料的除了端部A’以外的部分B’的平均厚度薄5％以上。因此，即使在第一剥离膜30无法追随膜状烧成材料1b的形状时，空气层仍存在于间隙中。因此，端部A’与第一剥离膜30的接触面积变小，第一剥离膜30仍容易通过外力而从膜状烧成材料1b上剥离，膜状烧成材料不易产生破损(图2B)。
<烧结性金属颗粒>
烧结性金属颗粒10为可通过进行膜状烧成材料1a、1b的作为烧成的加热处理而使金属颗粒彼此结合从而形成烧结体的金属颗粒。通过形成烧结体，能够使膜状烧成材料与和其相接并烧成的物品进行烧结接合。
作为烧结性金属颗粒10的金属种类，可列举出银、金、铜、铁、镍、铝、硅、钯、铂、钛及钛酸钡、这些物质的氧化物或合金等，优选银及氧化银。烧结性金属颗粒10可以仅掺合一种，也可以掺合两种以上的组合。
烧结性金属颗粒10优选为作为纳米级银颗粒的银纳米颗粒。
只要能够发挥上述烧结性，则膜状烧成材料1a、1b中含有的烧结性金属颗粒10的粒径没有特别限制，可以为100nm以下，可以为50nm以下，也可以为30nm以下。烧结性金属颗粒10的粒径的下限没有特别限定，例如为0.5nm。即，烧结性金属颗粒10的粒径可以为0.5nm以上100nm以下，可以为0.8nm以上50nm以下，也可以为1nm以上30nm以下。另外，膜状烧成材料所含有的金属颗粒的粒径是指，在使用电子显微镜观察的图像中任意选择的金属颗粒的投影面积圆相当径。
属于上述粒径范围的金属颗粒的烧结性优异，故而优选。
关于膜状烧成材料1a、1b所含有的烧结性金属颗粒10的粒径，对使用电子显微镜观察的金属颗粒的投影面积圆相当径为100nm以下的颗粒求出的粒径的数均(数平均)可以为0.1～95nm，可以为0.3～50nm，也可以为0.5～30nm。另外，将测定对象的金属颗粒设为在每个膜状烧成材料中随机选择的100个以上。
烧结性金属颗粒10在与粘结剂成分及其他添加剂成分混合前，预先制成无凝聚物的状态，因此可预先使其分散于异冰片基己醇(isobornyl hexanol)或癸醇等沸点较高的高沸点溶剂中。作为高沸点溶剂的沸点，例如可以为200～350℃。此时，若使用高沸点溶剂，则由于其在常温下几乎不挥发，因此能够防止烧结性金属颗粒10的浓度变高，提高操作性。此外，有时还能够防止烧结性金属颗粒的再凝聚等，使质量也变得良好。
作为烧结性金属颗粒10的分散法，可列举出捏合机、三辊研磨机、珠磨机及超声波等。
在本实施方式的膜状烧成材料1a、1b中，除了粒径为100nm以下的金属颗粒10(烧结性金属颗粒)以外，还可以进一步掺合不属于上述金属颗粒10的金属颗粒。在本说明书中，将使用电子显微镜观察的图像中任意选择的金属颗粒的投影面积圆相当径超过100nm的金属颗粒称为非烧结性的金属颗粒。关于粒径超过100nm的非烧结性的金属颗粒的粒径，对使用电子显微镜观察的金属颗粒的投影面积圆相当径超过100nm的颗粒求出的粒径的数均可以超过150nm且为50000nm以下，可以为150～10000nm，也可以为180～5000nm。另外，将测定对象的金属颗粒设为在每个膜状烧成材料中随机选择的100个以上。
作为粒径超过100nm的非烧结性的金属颗粒的金属种类，可列举出上文中例示的金属种类，优选为银、铜及它们的氧化物。
粒径为100nm以下的金属颗粒与粒径超过100nm的非烧结性的金属颗粒可以为彼此相同的金属种类，也可以为彼此不同的金属种类。例如，粒径为100nm以下的金属颗粒可以为银颗粒，粒径超过100nm的非烧结性的金属颗粒可以为银或氧化银颗粒。例如，粒径为100nm以下的金属颗粒也可以为银或氧化银颗粒，粒径超过100nm的非烧结性的金属颗粒也可以为铜或氧化铜颗粒。
在本实施方式的膜状烧成材料1a、1b中，相对于100质量份的金属颗粒的总质量，粒径为100nm以下的金属颗粒的含量优选为20～100质量份，更优选为25～99质量份，进一步优选为30～95质量份。
烧结性金属颗粒10和/或非烧结性的金属颗粒的表面可被有机物覆盖。通过具有有机物的覆盖膜，与粘结剂成分的相容性得以提高。进一步能够防止颗粒之间的凝聚，使其均匀地分散。
在烧结性金属颗粒10及非烧结性的金属颗粒的至少一个表面上覆盖有有机物时，将烧结性金属颗粒10及非烧结性的金属颗粒的质量设为含有覆盖物的值。
另外，在本说明书中，“烧结性金属颗粒10的表面被有机物覆盖”并不要求烧结性金属颗粒10的整个表面被有机物覆盖。
<粘结剂成分>
通过在烧成材料中掺合粘结剂成分20，能够将烧成材料成型为膜状，对烧成前的膜状烧成材料1a、1b赋予粘着性。粘结剂成分20可以为通过膜状烧成材料1a、1b的作为烧成的加热处理而被热分解的热分解性。
粘结剂成分20没有特别限定，作为粘结剂成分20的优选的一个例子，可列举出树脂。作为树脂，可列举出丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、聚乳酸及纤维素衍生物的聚合物等，优选丙烯酸类树脂。丙烯酸类树脂中含有(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物的两种以上的共聚物、及(甲基)丙烯酸酯化合物与其他共聚性单体的共聚物。
在构成粘结剂成分的树脂中，相对于结构单元的总量，来自(甲基)丙烯酸酯化合物的结构单元的含量优选为50～100质量％，更优选为80～100质量％，进一步优选为90～100质量％。
此处的“来自”是指所述单体经历了聚合所需的结构变化。
作为(甲基)丙烯酸酯化合物的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酸酯及(甲基)丙烯酸异硬脂酸酯等(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯及(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、及(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯等(甲基)丙烯酸苯氧基烷基酯；(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-丁氧基乙酯及(甲基)丙烯酸2-甲氧基丁酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯；聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯及壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸4-丁基环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸双环戊二烯酯、(甲基)丙烯酸冰片酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯及(甲基)丙烯酸三环癸烷酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯及(甲基)丙烯酸四氢糠基酯等。优选(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯，作为特别优选的(甲基)丙烯酸酯化合物，可列举出(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯及(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯。
作为丙烯酸树脂，优选丙烯酸甲酯。通过使粘结剂成分20含有来自丙烯酸甲酯的结构单元，能够以较低温进行烧成。此外，能够满足为了在烧结后获得充分的粘合强度的条件。
在构成粘结剂成分20的树脂中，相对于结构单元的总量，来自丙烯酸甲酯的结构单元的含量优选为50～100质量％，更优选为80～100质量％，进一步优选为90～100质量％。
作为其他共聚性单体，其只要为能够与上述(甲基)丙烯酸酯化合物进行共聚的化合物则没有特别限制，例如可列举出(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、马来酸及乙烯基邻苯二甲酸等不饱和羧酸类；乙烯基苄基甲醚、乙烯基缩水甘油醚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丁二烯及异戊二烯等含乙烯基的自由基聚合性化合物。
构成粘结剂成分20的树脂的重均分子量(Mw)优选为1,000～1,000,000，更优选为10,000～800,000。通过使树脂的重均分子量在上述范围内，容易体现作为膜的充分的膜强度且赋予柔软性。
另外，在本说明书中，只要没有特别说明，“重均分子量”就是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
构成粘结剂成分20的树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～50℃，更优选为-30～10℃，进一步优选为-20℃以上且小于0℃。通过使树脂的Tg为上述上限值以下，膜状烧成材料1a、1b与半导体元件等的粘合力得以提高。通过使树脂的Tg为上述下限值以上，更容易将膜状烧成材料1a、1b从后文所述的支撑片等上分离。
粘结剂成分20可以为通过膜状烧成材料1a、1b的作为烧成的加热处理而被热分解的热分解性。可通过由烧成造成的粘结剂成分20的质量减少来确认粘结剂成分20被热分解。另外，作为粘结剂成分20而掺合的成分通过烧成而大致热分解，但也不必作为粘结剂成分20而掺合的成分的总质量都通过烧成而热分解。
对于粘结剂成分20，相对于烧成前的粘结剂成分20的质量100质量％，烧成后的粘结剂成分20的质量可以为10质量％以下，可以为5质量％以下，也可以为3质量％以下。
在不损害本发明的效果的范围内，除了上述的烧结性金属颗粒10、非烧结性的金属颗粒及粘结剂成分20以外，本实施方式的膜状烧成材料1a、1b也可含有不属于烧结性金属颗粒10、非烧结性的金属颗粒及粘结剂成分20的其他添加剂。
作为可以包含在本实施方式的膜状烧成材料1a、1b中的其他添加剂，可列举出溶剂、分散剂、增塑剂、增粘剂、储存稳定剂、消泡剂、热分解促进剂及抗氧化剂等。添加剂可以仅含有一种，也可以含有两种以上。这些添加剂没有特别限定，能够适当选择本领域中常用的添加剂。
<组成>
本实施方式的膜状烧成材料1a、1b可以由烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20形成，这些成分的含量(质量％)的和可以为100质量％。
本实施方式的膜状烧成材料1a、1b可以由烧结性金属颗粒10、粘结剂成分20及其他添加剂形成，这些成分的含量(质量％)的和可以为100质量％。
当本实施方式的膜状烧成材料1a、1b含有非烧结性的金属颗粒时，膜状烧成材料1a、1b可以由烧结性金属颗粒10、非烧结性的金属颗粒及粘结剂成分20形成，这些成分的含量(质量％)的和可以为100质量％。
当本实施方式的膜状烧成材料1a、1b含有非烧结性的金属颗粒时，膜状烧成材料1a、1b可以由烧结性金属颗粒10、非烧结性的金属颗粒、粘结剂成分20及其他添加剂形成，这些成分的含量(质量％)的和可以为100质量％。
在膜状烧成材料1a、1b中，相对于除了溶剂以外的所有成分(以下记作“固体成分”)的总含量100质量％，烧结性金属颗粒10的含量优选为10～98质量％，更优选为15～90质量％，进一步优选为20～80质量％。
当膜状烧成材料1a、1b含有非烧结性的金属颗粒时，相对于膜状烧成材料1a、1b中的固体成分的总含量100质量％，烧结性金属颗粒10及非烧结性的金属颗粒的总含量优选为50～98质量％，更优选为70～95质量％，进一步优选为80～90质量％。此时，相对于膜状烧成材料1a、1b中的固体成分的总含量100质量％，烧结性金属颗粒10的含量优选为15～93质量％，更优选为21～90质量％，进一步优选为24～86质量％。
在膜状烧成材料1a、1b中，相对于除了溶剂以外的所有成分的总含量100质量％，粘结剂成分20的含量优选为2～50质量％，更优选为5～30质量％，进一步优选为10～20质量％。
在膜状烧成材料1a、1b中，烧结性金属颗粒10与粘结剂成分20的质量比(烧结性金属颗粒:粘结剂成分)优选为50:1～1:5，更优选为20:1～1:2，进一步优选为10:1～1:1。当膜状烧成材料1a、1b含有非烧结性的金属颗粒时，烧结性金属颗粒10及非烧结性的金属颗粒与粘结剂成分20的质量比{(烧结性金属颗粒+非烧结性的金属颗粒):粘结剂成分}优选为50:1～1:1，更优选为20:1～2:1，进一步优选为9:1～4:1。
膜状烧成材料1a、1b中可含有混合烧结性金属颗粒10、粘结剂成分20及其他添加剂成分时所使用的高沸点溶剂。相对于膜状烧成材料1a、1b的总质量100质量％，高沸点溶剂的含量优选为20质量％以下，更优选为15质量％以下，进一步优选为10质量％以下。
根据上述实施方式的膜状烧成材料1a、1b，由于其为膜状，因此厚度稳定性优异。此外，由于实施方式的膜状烧成材料1a、1b含有烧结性金属颗粒，因此导热性优异。进一步，对于实施方式的膜状烧成材料，将膜状烧成材料1a、1b的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度厚5％以上或薄5％以上。因此在使用时、即将第一剥离膜30从膜状烧成材料1a、1b上剥离时，烧成材料不易产生破损。
《膜状烧成材料的制造方法》
膜状烧成材料可使用含有其构成材料的烧成材料组合物而形成。
烧成材料组合物通过至少混合烧结性金属颗粒、粘结剂及溶剂而得到。烧成材料组合物可进一步含有非烧结性金属颗粒。
相对于烧成材料组合物的总质量，烧结性金属颗粒的质量优选为10～98质量％，更优选为15～90质量％。
相对于烧成材料组合物的总质量，粘结剂成分的质量优选为5～30质量％，更优选为10～25质量％。
相对于烧成材料组合物的总质量，溶剂的质量优选为5～40质量％，更优选为7～30质量％。
本实施方式的膜状烧成材料的制造方法具有印刷至少含有烧结性金属颗粒、粘结剂成分及溶剂的烧成材料组合物的工序。
例如，通过在膜状烧成材料的形成对象面上印刷烧成材料组合物，根据需要进行干燥而使溶剂挥发，可在目标部位上形成膜状粘合剂。
作为溶剂，只要能够在印刷后挥发干燥即可，沸点优选为65℃～350℃。例如可列举出正己烷(沸点：68℃)、乙酸乙酯(沸点：77℃)、2-丁酮(沸点：80℃)、正庚烷(沸点：98℃)、甲基环己烷(沸点：101℃)、甲苯(沸点：111℃)、乙酰丙酮(沸点：138℃)、正二甲苯(沸点：139℃)及二甲基甲酰胺(沸点：153℃)等低沸点溶剂。
此外，为了抑制由印刷时的溶剂挥发导致的粘度上升，可使用沸点为200℃以上的高沸点溶剂，例如可列举出异佛尔酮(沸点：215℃)、丁基卡必醇(沸点：230℃)、1-癸醇(沸点：233℃)、丁基卡必醇乙酸酯(沸点：247℃)及异冰片基环己醇(沸点：318℃)等。
这些溶剂可单独使用，或者也可组合使用。
若溶剂的沸点超过350℃，则存在对膜状烧成材料进行烧成时，溶剂残留在膜状烧成材料内，造成接合粘合性变差的可能性。换言之，若溶剂的沸点为350℃以下，则在对膜状烧成材料进行烧成时，溶剂不残留在膜状烧成材料内，不易使接合粘合性变差。若溶剂的沸点低于65℃，则其在印刷时挥发，存在损害膜状烧成材料的厚度的稳定性的风险。换言之，若溶剂的沸点为65℃以上，则其在印刷时不挥发，膜状烧成材料的厚度的稳定性得到保证。
作为烧成材料组合物的印刷对象面，可列举出剥离膜的表面。
烧成材料组合物的印刷可使用公知的印刷方法进行，例如可列举出柔性版印刷(flexographic printing)等凸版印刷、照相凹版印刷(gravure printing)等凹版印刷(intaglio printing)、胶版印刷等平板印刷、绢网印刷(silk-screen printing)或圆网印刷等丝网印刷(screen printing)、及利用喷墨打印机等各种打印机的印刷等方法。
烧成材料组合物的印刷形状只要根据烧结接合的对象的形状进行适当设定即可，优选为圆形或矩形。圆形为对应于半导体晶圆的形状的形状。矩形为对应于半导体元件的形状的形状。所对应的形状可以为与烧结接合的对象的形状相同或大致相同的形状。
当印刷的烧成材料组合物为圆形时，圆的面积可以为3.5～1,600cm2，也可以为85～1,400cm2。当印刷的烧成材料组合物为矩形时，矩形的面积可以为0.01～25cm2，也可以为0.25～9cm2。
关于所印刷的烧成材料组合物的端部的厚度，将所述烧成材料组合物的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述烧成材料组合物的端部的平均厚度可以比所述烧成材料组合物的除了端部以外的部分的平均厚度厚5％以上。此外，也可以在干燥烧成材料组合物后成为上述的厚度。
同样地，关于所印刷的烧成材料组合物的端部的厚度，将所述烧成材料组合物的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述烧成材料组合物的端部的平均厚度可以比所述烧成材料组合物的除了端部以外的部分的平均厚度薄5％以上。此外，也可以在干燥烧成材料组合物后成为上述的厚度。
烧成材料组合物的干燥条件没有特别限定，当烧成材料组合物含有溶剂时，优选对其进行加热干燥。此时，例如优选以70～250℃、在10秒～10分钟的条件下对烧成材料组合物进行干燥。
根据本实施方式的膜状烧成材料的制造方法，能够制造本发明的膜状烧成材料。所制造的膜状烧成材料可根据所使用的烧成材料组合物的粘度、表面张力等性质采用上述膜状烧成材料1a或膜状烧成材料1b的形态。若所使用的烧成材料组合物的粘度高，则存在像膜状烧成材料1a那样，成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度厚的形态的倾向。例如，若烧成材料组合物的粘度为10～100Pa·s，则存在成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度厚的形态的倾向。若所使用的烧成材料组合物的粘度低，则存在像膜状烧成材料1b那样，成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度薄的形态的倾向。例如，若烧成材料组合物的粘度为0.1～5Pa·s，则存在像膜状烧成材料1b那样，成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度薄的形态的倾向。
若所使用的烧成材料组合物的表面张力高，则与作为印刷面的剥离膜表面的接触角变大，存在像膜状烧成材料1a那样，成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度厚的形态的倾向。若所使用的烧成材料组合物的表面张力低，则与剥离膜表面的接触角变小，存在像膜状烧成材料1b那样，成为膜状烧成材料的端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度薄的形态的倾向。
另外，本发明的膜状烧成材料不限于通过本实施方式的膜状烧成材料的制造方法制造的材料。
若为以往的膏状烧成材料，则直接涂布在烧结接合的对象上而进行使用。另一方面，在将膜状的烧成材料的形状制成适合烧结接合的对象的形状时，通常首先在制备大面积的膜后，将其切成所需的形状。
然而，根据切割的形状会大量地产生碎片部分。由于碎片部分会成为处理对象，因此相对于原材料的成品率下降。同时，还将导致产品价格的上涨。
另一方面，根据实施方式的膜状烧成材料的制造方法，能够通过印刷从一开始就形成所需的形状。因此，不会产生碎片部分，相对于原材料的成品率得以提高。特别是由于膜状烧成材料中含有的烧结性金属颗粒为比较昂贵的材料，因此能够削减原材料的废弃损耗，关系到产品价格的大幅下降，是非常有益的。
《带支撑片的膜状烧成材料》
本实施方式的带支撑片的膜状烧成材料具备本发明的若干实施方式的膜状烧成材料、设置在所述膜状烧成材料的一侧的支撑片、设置在所述膜状烧成材料的另一侧的剥离膜。优选所述支撑片在基材膜上的整个面或外周部上设有粘着剂层，所述膜状烧成材料以与所述粘着剂层直接接触的方式设置在所述粘着剂层上。或者优选以与基材膜直接接触的方式设置。通过采用本形态，能够用作将半导体晶圆单片化为元件时所使用的切割片，且通过使用刀片等与晶圆一同进行单片化，能够加工成与元件相同形状的膜状烧成材料，且能够制造带膜状烧成材料的半导体元件。
以下，对带支撑片的膜状烧成材料的若干个实施方式进行说明。图3及图4表示本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的概要截面图。图5为示意性表示将本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料贴附在环形框架上的状态的图。如图3及图4所示，本发明的一个实施方式的带支撑片的膜状烧成材料100a、100b通过在于外周部具有粘着部的支撑片2的内周部上以可剥离的方式暂时粘合膜状烧成材料1而成。例如，如图3所示，支撑片2为在基材膜3的上表面具有粘着剂层4的粘着片，粘着剂层4的内周部表面被膜状烧成材料1覆盖，成为粘着部在外周部露出的构成。换言之，支撑片2具有基材膜3、覆盖基材膜3的几乎整个表面的粘着剂层4。膜状烧成材料1以露出粘着剂层4的周缘及其附近、即以露出外周部的方式位于粘着剂层4上。粘着剂层4露出的部分作为粘着部发挥作用。此外，如图4及图5所示，支撑片2可以为在基材膜3的外周部具有环状的粘着剂层4的构成。例如，支撑片2具有基材膜3、位于基材膜3的周缘部上的环状粘着剂层4。膜状烧成材料1与基材膜3相接，位于周围被粘着剂层4包围的位置。
膜状烧成材料1在支撑片2的内周部形成为与贴附的工件(半导体晶圆等)大致相同的形状。支撑片2在外周部具有粘着部。在优选的形态中，直径小于支撑片2的膜状烧成材料1以同心圆状层叠在圆形的支撑片2上。如图所示，外周部的粘着部用于利用环形框架5的固定。
图6A为示意性表示本实施方式的带支撑片的膜状烧成材料的截面图。带支撑片的膜状烧成材料100c的第二剥离膜31的面积大于膜状烧成材料1，且从膜状烧成材料1的端部延伸出来。进一步，图6A所示的带支撑片的膜状烧成材料100c在与其端部相接的第二剥离膜31上不具有切口。
图7A为示意性表示根据以往的加工方法制成的带支撑片的膜状烧成材料的一个例子的截面图。带支撑片的膜状烧成材料100c与带支撑片的膜状烧成材料100d的构成相同，但在带支撑片的膜状烧成材料100d中，在与膜状烧成材料1的端部相接的第二剥离膜31上具有切口I。
图6A所示的带支撑片的膜状烧成材料100c的第二剥离膜31的面积大于膜状烧成材料1。且带支撑片的膜状烧成材料100c的第二剥离膜31从膜状烧成材料1的端部延伸出来。进一步，在第二剥离膜31上不具有切口。因此，从膜状烧成材料1上剥离第二剥离膜31时，膜状烧成材料1不易产生破损(图6B)。
若如图7A所示的带支撑片的膜状烧成材料100d那样，在与其端部相接的第二剥离膜31上具有切口I，则在切口I的形成过程中，膜状烧成材料1的一部分被卷入切口I中。其结果，从膜状烧成材料1上剥离第二剥离膜31时，存在膜状烧成材料1从支撑片2上剥离的可能性(图7B)。此外，存在在膜状烧成材料1上产生凝聚破坏等破损的可能性(图7B)。
图1A及2A所示的膜状烧成材料1a、1b在与其端部相接的第二剥离膜31上不具有切口。此外，将膜状烧成材料1a、1b的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，膜状烧成材料1a、1b的端部的平均厚度比膜状烧成材料1a、1b的除了端部以外的部分的平均厚度厚5％以上或薄5％以上。由此，从第一剥离膜30上剥离膜状烧成材料1a、1b时，能够在作为目标的膜状烧成材料与第一剥离膜30的界面上稳定地进行剥离。且膜状烧成材料不易产生破损。
第二剥离膜31上的切口可在对设置在第二剥离膜31上的膜状烧成材料1进行冲裁加工时生成。
然而，若通过后文所述的带支撑片的膜状烧成材料的制造方法在支撑片2上设置膜状烧成材料1，则即使不进行剪切，也能够将膜状烧成材料形成为所需的形状。因此，可容易地得到在第二剥离膜31上不具有切口的带支撑片的膜状烧成材料。
(基材膜)
作为支撑片2的构成材料的基材膜3没有特别限定，例如可使用由低密度聚乙烯(LDPE)、线型低密度聚乙烯(LLDPE)，乙烯-丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜或离聚物等形成的膜等。
此外，可列举出具有耐热性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、及聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯膜，以及聚丙烯及聚甲基戊烯等的聚烯烃膜等。此外，也可使用这些膜的交联膜或通过放射线或放电等形成的改性膜。基材膜也可以为上述膜的层叠体。
此外，这些膜可以层叠两种以上，或者组合使用。进一步，还可使用对这些膜进行了着色的膜、或对这些膜实施了印刷的膜等。此外，膜可以为通过挤出成型对热塑性树脂进行片材化而成的膜，可以为拉伸而成的膜，也可以使用通过规定方法将固化性树脂薄膜化，进行固化从而进行了片材化的膜。
基材膜的厚度没有特别限定，优选为30～300μm，更优选为50～200μm。通过将基材膜的厚度设为上述范围，即使进行基于切割的切刻也不易引起基材膜的断裂。此外，由于对带支撑片的膜状烧成材料赋予了充分的可挠性，因此对工件(例如半导体晶圆等)表现出良好的贴附性。
基材膜也可通过在表面涂布剥离剂并实施剥离处理而得到。作为用于剥离处理的剥离剂，可使用醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类或蜡类等，由于醇酸类、硅酮类、氟类的剥离剂具有耐热性，因此特别优选。
为了使用上述剥离剂对基材膜的表面进行剥离处理，只要进行以下的工序即可。将剥离剂直接以无溶剂的方式、或者对剥离剂进行溶剂稀释或乳化，并使用照相凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机或辊涂机等进行涂布。然后，将涂布有剥离剂的基材膜供于常温下或加热下而使其固化，或者通过电子束使其固化，通过湿式层压或干式层压、热熔融层压、熔融挤出层压或共挤出加工等形成层叠体。
(粘着剂层)
所述支撑片2在基材膜3上的整个表面或外周部设有粘着剂层4。支撑片2至少在其外周部具有粘着部。在带支撑片的膜状烧成材料100a、100b的外周部，粘着部具有暂时固定环形框架5的功能。优选粘着部在所需的工序后能够使环形框架5剥离。因此，粘着剂层4可使用弱粘着性的粘着剂层，也可使用粘着力因能量射线照射而降低的能量射线固化性的粘着剂层。再剥离性粘着剂层可使用以往公知的各种粘着剂(例如，橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、氨基甲酸酯类及乙烯醚类等通用粘着剂、具有表面凹凸的粘着剂、能量射线固化型粘着剂或含热膨胀成分的粘着剂等)形成。
在图4所示的构成中，在基材膜3的外周部上形成环状的粘着剂层4作为粘着部。此时，粘着剂层4可以为由上述粘着剂形成的单层粘着剂层，也可以为将含有由上述粘着剂形成的粘着剂层的双面粘着胶带切断成环状而成的粘着剂层。
此外，如图3所示，支撑片2为在基材膜3的上侧整个表面上具有粘着剂层4的通常构成的粘着片，也可以为所述粘着剂层4的内周部表面被膜状烧成材料覆盖、粘着部在外周部露出的构成。此时，粘着剂层4的外周部用于固定上述环形框架5，膜状烧成材料以可剥离的方式层叠于内周部。与上述相同，作为粘着剂层4，可使用弱粘着性的粘着剂层，也可以使用能量射线固化性粘着剂。
在图3构成的支撑片中使用能量射线固化性的再剥离性粘着剂层时，可预先对层叠有膜状烧成材料的区域进行能量射线照射，使粘着性降低。此时，其他区域可不进行能量射线照射，例如可以以粘合环形框架5为目的，将粘着力维持得较高。为了仅不对其他区域进行能量射线照射，例如只要通过印刷等在基材膜的与其他区域对应的区域上设置能量射线屏蔽层，从基材膜侧进行能量射线照射即可。此外，在图3构成的支撑片中，为了牢固地粘合基材膜3与粘着剂层4，可根据要求在基材膜3的设置有粘着剂层4的面上，实施基于喷砂或溶剂处理等的凹凸化处理、或者电晕放电处理、电子束照射、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬氧化处理及热风处理等氧化处理等。此外，也可实施底漆处理(primer treatment)。
粘着剂层4的厚度没有特别限定，优选为1～100μm，进一步优选为2～80μm，特别优选为3～50μm。
(带支撑片的膜状烧成材料)
带支撑片的膜状烧成材料中，膜状烧成材料以可剥离的方式暂时粘合于支撑片的内周部，所述支撑片在外周部具有粘着部。换言之，带支撑片的膜状烧成材料含有支撑片、至少设置在支撑片的外周部且位于支撑片上的粘着部、被粘着部包围且位于支撑片上的膜状烧成材料，膜状烧成材料以可剥离的方式暂时粘合在支撑片上。此处，“膜状烧成材料以可剥离的方式暂时粘合在支撑片上”不限于膜状烧成材料直接与支撑片相接的情况，还包括粘着部存在于膜状烧成材料与支撑片之间的情况。在图3所示的构成例中，在带支撑片的膜状烧成材料100a中，膜状烧成材料1以可剥离的方式层叠在由基材膜3与粘着剂层4形成的支撑片2的内周部，粘着剂层4在支撑片2的外周部露出。在该构成例中，直径小于支撑片2的膜状烧成材料1优选以同心圆状、以可剥离的方式层叠在支撑片2的粘着剂层4上。
在于支撑片2的外周部露出的粘着剂层4中，上述构成的带支撑片的膜状烧成材料100a贴附在环形框架5上。
此外，可在相对于环形框架的粘贴部分(糊しろ)(粘着片的外周部中露出的粘着剂层)上进一步另外设置环状的双面胶带或粘着剂层。双面胶带具有粘着剂层/芯材/粘着剂层的层叠构成。双面胶带中的粘着剂层没有特别限定，例如可使用橡胶类、丙烯酸类、硅酮类及聚乙烯醚等粘着剂。在制造后文所述的元件时，粘着剂层的外周部贴附在环形框架上。作为双面胶带的芯材，例如可优选使用聚酯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜或液晶聚合物膜等。
在图4所示的构成例中，在基材膜3的外周部上形成环状的粘着剂层4作为粘着部。此时，粘着剂层4可以为由上述粘着剂形成的单层粘着剂层，也可以为将含有由上述粘着剂形成的粘着剂层的双面粘着胶带切断成环状而成的粘着剂层。膜状烧成材料1以可剥离的方式层叠在被粘着部包围的基材膜3的内周部上。在该构成例中，直径小于支撑片2的膜状烧成材料1优选以同心圆状、以可剥离的方式层叠在支撑片2的基材膜3上。
在直至供于使用之前，以用于避免膜状烧成材料及粘着部中的任意一者或两者的表面与外部接触的表面保护为目的，可在带支撑片的膜状烧成材料上设置剥离膜。
作为剥离膜，可通过在上文中列举的聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及聚丙烯等基材膜的表面上涂布剥离剂，实施剥离处理而得到。作为用于剥离处理的剥离剂，可使用醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类或蜡类等，由于醇酸类、硅酮类及氟类的剥离剂具有耐热性，因而特别优选。
为了使用上述剥离剂对基材膜的表面进行剥离处理，只要将剥离剂直接以无溶剂的方式、或者对剥离剂进行溶剂稀释或乳化，并使用照相凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机或辊涂机等进行涂布，将涂布有剥离剂的基材膜供于常温下或加热下而使其固化，或者通过电子束使其固化，并通过湿式层压或干式层压、热熔融层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成层叠体即可。
带支撑片的膜状烧成材料的厚度通常为25～1000μm，优选为45～800μm，特别优选为100～500μm左右。
《带支撑片的膜状烧成材料的制造方法》
所述带支撑片的膜状烧成材料的制备方法具有以下工序：在剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，得到膜状烧成材料后，在支撑片上设置所述膜状烧成材料的工序。
例如，在第二剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，根据需要进行干燥，使溶剂挥发，制成膜状。由此，在第二剥离膜上形成膜状烧成材料。在该膜状烧成材料上层叠其他的第一剥离膜，预先准备依次具有第二剥离膜/膜状烧成材料/第一剥离膜的构成的层叠体。然后，通过边从膜状烧成材料上剥离第一剥离膜，边在膜状烧成材料上层叠支撑片，能够制造依次具有支撑片/膜状烧成材料/第二剥离膜的构成的带支撑片的膜状烧成材料。在形成层叠结构后，只要根据需要去除膜状烧成材料上的第二剥离膜即可。
此外，通过在第二剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，根据需要进行干燥，使溶剂挥发，制成膜状，从而在第二剥离膜上形成膜状烧成材料。在膜状烧成材料上层叠其他的第一剥离膜，预先准备依次具有第二剥离膜/膜状烧成材料/第一剥离膜的构成的层叠体。通过在与上述不同的另外的第三剥离膜上涂布粘着剂组合物，根据需要进行干燥，使溶剂挥发，制成膜状，从而在第三剥离膜上形成粘着剂层。接着，在粘着剂层上层叠基材膜，准备依次具有基材膜/粘着剂层/第三剥离膜的构成的层叠体。然后，分别边从膜状烧成材料及粘着剂层上剥离第一及第三剥离膜，边在已层叠于基材膜上的粘着剂层的露出面上层叠膜状烧成材料，由此还能够制造依次具有基材膜/粘着剂层/膜状烧成材料/第二剥离膜的构成的带支撑片的膜状烧成材料。此时，将膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，通过使用膜状烧成材料的端部的平均厚度比膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度厚5％以上或薄5％以上的膜状烧成材料，能够在作为目标的第一剥离膜与膜状烧成材料的界面上剥离第一剥离膜。由此，能够稳定地制造具有上述构成的带支撑片的膜状烧成材料。此外，在形成层叠结构后，只要根据需要去除带支撑片的膜状烧成材料上的第二剥离膜即可。
如此，构成带支撑片的膜状烧成材料的粘着剂层或膜状烧成材料均可通过预先形成在基材膜或第二剥离膜上，并贴合于目标层的表面的方法进行层叠，因此只要根据需要适当选择采用这种工序的层，制造带支撑片的膜状烧成材料即可。
另外，在设置了所有必需的层后，带支撑片的膜状烧成材料可以在下述状态下进行保管：在与其支撑片为相反侧的最表层的表面上贴合有第二剥离膜的状态。
此外，如在上述膜状烧成材料的制造方法中所例示的，能够在第二剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，以代替涂布上述烧成材料组合物，得到膜状烧成材料。然后，可在支撑片上设置所述膜状烧成材料，得到带支撑片的膜状烧成材料。
《元件的制造方法》
接着，对于本发明的带支撑片的膜状烧成材料的利用方法，以在元件(例如半导体元件)的制造中应用所述带支撑片的膜状烧成材料的情况为例进行说明。
作为本发明的一个实施方式，使用带支撑片的膜状烧成材料的半导体元件的制造方法中，剥离带支撑片的膜状烧成材料的剥离膜，在于表面上形成有电路的半导体晶圆(工件)的背面上贴附带支撑片的膜状烧成材料，可以以(1)及(2)的顺序进行以下的工序(1)～(2)，也可以以(1)、(2)、(3)及(4)的顺序进行以下的工序(1)～(4)。
工序(1)：对依次层叠有支撑片、膜状烧成材料及半导体晶圆(工件)的层叠体的半导体晶圆(工件)与膜状烧成材料进行切割的工序；
工序(2)：剥离膜状烧成材料与支撑片，得到带膜状烧成材料的元件的工序；
工序(3)：在被粘物的表面上贴附带膜状烧成材料的元件的工序；
工序(4)：对膜状烧成材料进行烧成，接合半导体元件与被粘物的工序。
以下，对进行上述工序(1)～(4)的情况进行说明。
半导体晶圆可以为硅晶圆，也可以为镓及砷等的化合物半导体晶圆。晶圆表面的电路的形成可通过包括蚀刻法及剥离法(Lift-off method)等以往常用的方法的各种方法来进行。接着，对半导体晶圆的电路面的相反面(背面)进行磨削。磨削方法没有特别限定，可通过使用了磨床等的公知的手段进行磨削。在进行背面磨削时，为了保护表面的电路，在电路面上贴附被称作表面保护片的粘着片。背面磨削中使用吸盘台(chuck-table)等固定晶圆的电路面侧(即表面保护片侧)，用磨床对未形成电路的背面侧进行磨削。晶圆的磨削后的厚度没有特别限定，通常为20～500μm左右。然后，根据需要，去除进行背面磨削时产生的破碎层。破碎层的去除可通过化学蚀刻或等离子体蚀刻等进行。
然后，在半导体晶圆的背面上贴附上述带支撑片的膜状烧成材料的膜状烧成材料。然后，以(1)、(2)、(3)及(4)的顺序进行工序(1)～(4)。
作为工序(1)，以形成于晶圆表面的电路为单位切割半导体晶圆/膜状烧成材料/支撑片的层叠体，得到半导体元件/膜状烧成材料/支撑片的层叠体。
以同时切断晶圆与膜状烧成材料的方式进行切割。根据本实施方式的带支撑片的膜状烧成材料，由于在切割时，在膜状烧成材料与支撑片之间发挥粘着力，因此能够防止崩边(chipping)或元件飞散，切割适应性优异。切割方法没有特别限定，作为一个例子，可列举出在切割晶圆时，使用环形框架固定支撑片的周边部(支撑体的外周部)后，通过使用切割刀片等旋转圆刀等的公知的方法进行晶圆的单片化的方法等。通过切割而在支撑片上产生的切口深度可以完全切断膜状烧成材料，优选距膜状烧成材料与支撑片的界面0～30μm。通过减小在支撑片上的切口深度，能够抑制由切割刀片的摩擦造成的构成支撑片的粘着剂层或基材膜的熔融、毛刺(burr)(所述熔融物造成的凹凸部)等的产生。
然后，作为工序(2)，剥离膜状烧成材料与支撑片，得到带膜状烧成材料的元件。
在工序(2)中，可以对上述支撑片进行扩张。选择伸长性优异的基材膜作为支撑片的基材膜时，支撑片具有优异的扩张性。通过使用夹头等通用手段拾取经过切割的带膜状烧成材料的半导体元件，从而将膜状烧成材料与支撑片剥离。其结果，可得到在背面具有膜状烧成材料的半导体元件(带膜状烧成材料的半导体元件)。
接着，作为工序(3)，在被粘物的表面上贴附带膜状烧成材料的元件。例如在基板或引线框架、散热器等被粘物的表面上贴附带膜状烧成材料的元件。
接着，作为工序(4)，对膜状烧成材料进行烧成，接合半导体元件与被粘物。例如，对膜状烧成材料进行烧成，将基板、引线框架及散热器等被粘物与元件烧结接合。此时，若将带膜状烧成材料的半导体元件的膜状烧成材料的露出面贴附在基板、引线框架及散热器等被粘物上，则能够经由膜状烧成材料对半导体元件与所述被粘物进行烧结接合。
考虑膜状烧成材料的种类等而适当确定烧成膜状烧成材料的加热温度即可，优选为100～600℃，更优选为150～550℃，进一步优选为250～500℃。考虑膜状烧成材料的种类等而适当确定加热时间即可，优选为5秒～60分钟，更优选为5秒～30分钟，进一步优选为5秒～10分钟。
另外，加热时间是指从达到所需的加热温度开始到结束温度保持为止的时间。
对于膜状烧成材料的烧成，可进行对膜状烧成材料施加压力并进行烧成的加压烧成。作为一个例子，加压条件可设为1～50MPa左右。
根据本实施方式的元件的制造方法，与通过涂布膏状材料而形成的烧成材料相比，能够在元件背面简便地形成厚度均匀性高的膜状烧成材料。因此，不易产生切割工序或封装后的裂纹。此外，根据本实施方式的元件的制造方法，能够得到带膜状烧成材料的半导体元件而无需将膜状烧成材料分别贴附在经个体化的半导体元件的背面。因此，能够谋求制造工序的简化。然后，通过将带膜状烧成材料的半导体元件配置在装置基板等所需的被粘物上并进行烧成，可经由膜状烧成材料制造由半导体元件与所述被粘物烧结接合而成的半导体装置。
作为本发明的一个实施方式，可得到具备半导体元件与实施方式的膜状烧成材料的带膜状烧成材料的半导体元件。作为一个例子，可通过上述元件的制造方法制造带膜状烧成材料的半导体元件。
另外，在上述实施方式中对与半导体元件的烧结接合及半导体元件与被粘物的烧结接合进行了例示，但膜状烧成材料的烧结接合对象并不受上述例示的对象的限定，可以对与膜状烧成材料接触并烧结的各种物品进行烧结接合。
实施例
以下，通过实施例等进一步对本发明进行具体说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
<烧成材料组合物的制备>
以下示出用于制备烧成材料组合物的成分。此处，将粒径为100nm以下的金属颗粒记作“烧结性金属颗粒”，将粒径超过100nm的金属颗粒记作“非烧结性的金属颗粒”。
(烧结性金属颗粒内包膏状材料)
·Alconano Ag Paste(アルコナノ銀ペースト)ANP-1(有机覆盖复合银纳米膏，NANOPARTICLE LABORATORY CORPORATION制造：醇衍生物覆盖银颗粒，金属含量为70wt％以上，100nm以下的银颗粒为60wt％以上)
·Alconano Ag Paste ANP-4(有机覆盖复合银纳米膏，NANOPARTICLELABORATORY CORPORATION制造：醇衍生物覆盖银颗粒，金属含量为80wt％以上，100nm以下的银颗粒为25wt％以上)
(粘结剂成分)
·使用蒸发器，以60℃、200hPa的条件，使市售的丙烯酸聚合物(甲基丙烯酸2-乙基己酯聚合物，平均分子量为28,000，L-0818，The Nippon Synthetic Chemical IndustryCo.,Ltd.制造，MEK(甲基乙基酮)稀释品，固体成分为54.5质量％)中的MEK挥发。向其中添加与挥发的MEK等量的丁基卡必醇(KANTO KAGAKU.制造，沸点：230℃)，再次进行分散稀释，制作粘结剂成分(固体成分为54.5质量％)。
(高沸点溶剂)
·丁基卡必醇(KANTO KAGAKU.制造，沸点：230℃)
以表1所示的配比混合各成分，得到对应实施例1～3、参考例1～2及比较例1的烧成材料组合物。表1中的烧成材料组合物的各成分的值表示质量份。烧结性金属颗粒内包膏状材料以包含高沸点溶剂的形式贩售，且其对印刷及干燥后的膜状烧成材料的端部的平均厚度产生较大影响，因此将这些高沸点溶剂包含在烧结性金属颗粒内包膏状材料的成分中而进行记载。此外，考虑到粘结剂成分中的溶剂成分量同样对印刷及干燥后的膜状烧成材料的端部的平均厚度产生较大影响，因此表示含有溶剂成分的质量份。
以下，将用于丝网印刷或者涂布的液状物记为“烧成材料组合物”，将对该液状物进行印刷或者涂布后、干燥而成的物质记为“膜状烧成材料”。此外，将实施例及比较例中记载的丁基卡必醇蒸发的情况记为“干燥”，在该干燥时，烧成材料的形态由液状物变化为膜状。
<实施例及比较例的膜状烧成材料的制造>
使用直径为15cm的圆形网板与金属制刮板，将上述得到的烧成材料组合物丝网印刷在对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜表面实施了剥离处理的第二剥离膜31(LINTECCORPORATION制造，SP-PET 382150，厚度为38μm)的单面上，以150℃干燥10分钟，在与第二剥离膜31相反的面上贴附在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜表面实施了剥离处理的第一剥离膜30(LINTEC CORPORATION制造，SP-PET 381031，厚度38μm)，所述第一剥离膜30具有充分大于直径为15cm的圆的面积。由此，得到一个面被第二剥离膜31保护，与其相反的面被第一剥离膜30保护的、具有表1所示的厚度的膜状烧成材料1。
<实施例及比较例的带支撑片的膜状烧成材料的制造>
剥下上述得到的膜状烧成材料的第一剥离膜30，将膜状烧成材料露出的面贴附并层叠在作为在厚度为70μm的基材膜上层叠厚度为10μm的粘着剂层而成的支撑片的切割片(LINTEC CORPORATION制造，Adwill G-11)的粘着剂层面上。由此，得到在于基材膜上具有粘着剂层的切割片(支撑片2)上层叠有第二剥离膜31的带支撑片的膜状烧成材料100c，所述第二剥离膜31具有充分大于圆形的膜状烧成材料的面积。
<参考例的膜状烧成材料的制造>
在对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜表面实施了剥离处理的第二剥离膜31(LINTECCORPORATION制造，SP-PET 382150，厚度为38μm)的单面上，涂布上述得到的烧成材料组合物，以150℃干燥10分钟，在与第二剥离膜31相反的面上贴附第一剥离膜30，由此得到一个面被对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜表面实施了剥离处理的第一剥离膜30保护，与其相反的面被第二剥离膜31保护的、具有表1所示厚度的膜状烧成材料1。
<参考例的带支撑片的膜状烧成材料的制造>
剥离上述得到的膜状烧成材料的第一剥离膜30，使用直径为15cm的圆形刀片，以充分切断膜状烧成材料的方式在第二剥离膜31的厚度方向上切出距膜状烧成材料露出面3μm以上的切口，进一步剥去除了圆形部以外的部分的膜状烧成材料，得到直径为15cm的圆形的膜状烧成材料，其上层叠有具有面积充分大于直径为15cm的面积的第二剥离膜31。
将该膜状烧成材料贴附并层叠于在基材膜上层叠粘着剂层而成的切割片AdwillG-11的粘着剂层面上。由此得到带支撑片的膜状烧成材料100d，该膜状烧成材料100d在于基材膜上具有粘着剂层的切割片(支撑片2)上层叠有圆形的膜状烧成材料以及具有与膜状烧成材料相同形状的切口的第二剥离膜31。
<膜状烧成材料的剥离膜剥离性评价法>
在制造带支撑片的膜状烧成材料100c、100d并经过30天以上之后，对于层叠在上述得到的带支撑片的膜状烧成材料100c、100d上的与切割片(支撑片2)为相反侧的面上的第二剥离膜31，剥离表面的第二剥离膜31，以肉眼确认在膜状烧成材料1与切割片(支撑片2)的粘着剂层的界面有无剥离、膜状烧成材料1有无破损。
(厚度的测定)
实施例、参考例及比较例的膜状烧成材料的中央部的平均厚度是指膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度，设为以JIS K7130为基准、使用恒压测厚仪(TECLOCKCo.,Ltd.制造，产品名称“PG-02”)对任意5处进行测定而得到的平均值。另外，任意5处避开膜状烧成材料的较厚部分或较薄部分而进行选择。
将实施例、参考例及比较例的膜状烧成材料的端部的平均厚度设为以JIS K7130为基准、使用恒压测厚仪(TECLOCK Co.,Ltd.制造，产品名称“PG-02”)对形成在第二剥离膜31上的膜状烧成材料的任意5处进行测定而得到的平均值。另外，任意5处避开比膜状烧成材料的中央部的平均厚度厚的部分或薄的部分而进行选择。
膜状烧成材料的中央部的平均厚度与端部的平均厚度的差[％]通过以下式(1)求出。
中央部的平均厚度与端部的平均厚度的差[％]＝(端部的平均厚度[μm]-中央部的平均厚度[μm]/中央部的平均厚度[μm]×100···(1)
在实施例1～3中，在与第一剥离膜30及第二剥离膜31层叠的膜状烧成材料中，从膜状烧成材料上剥离第一剥离膜30时，在膜状烧成材料与第二剥离膜31的界面未产生剥离。在实施例1～3的带支撑片的膜状烧成材料中，从膜状烧成材料上剥离第二剥离膜31时，在膜状烧成材料与切割片(支撑片2)的粘着剂层的界面未产生剥离。进一步，从膜状烧成材料上剥离第二剥离膜31时，膜状烧成材料1也不产生破损。
另一方面，在参考例1中，在与第一剥离膜30及第二剥离膜31层叠的膜状烧成材料中，从膜状烧成材料上剥离第一剥离膜30时，在膜状烧成材料与第二剥离膜31的界面未产生剥离。认为这是由于膜状烧成材料的中央部的平均厚度与A端部的平均厚度的差[％]均为-12％。然而，在通过第二剥离膜31表面的3μm以上的切口从膜状烧成材料1上剥离第二剥离膜31时，膜状烧成材料1产生了破损。
在参考例2中，在与第一剥离膜30及第二剥离膜31层叠的膜状烧成材料中，从膜状烧成材料上剥离第一剥离膜30时，在膜状烧成材料与第二剥离膜31的界面未产生剥离。认为这是由于膜状烧成材料的中央部的平均厚度与A端部的平均厚度的差[％]为-15％。然而，在通过第二剥离膜31表面的3μm以上的切口从膜状烧成材料上剥离第二剥离膜31时，在膜状烧成材料与切割片(支撑片2)的粘着剂层的界面产生了剥离。进一步，从膜状烧成材料1上剥离第二剥离膜31时，膜状烧成材料1产生了破损。
在比较例1中，在与第一剥离膜30及第二剥离膜31层叠的膜状烧成材料中，从膜状烧成材料上剥离第一剥离膜30时，在膜状烧成材料与第二剥离膜31的界面产生了剥离。认为这是由于膜状烧成材料的中央部的平均厚度与A端部的平均厚度的差[％]为3.3％。
各实施方式中的各构成及这些构成的组合等为一个例子，在不脱离本发明主旨的范围内，可进行构成的附加、省略、替换及其他变更。此外，本发明不受各实施方式的限定，仅通过权利要求(claim)的范围进行限定。
工业实用性
根据本发明，能够提供一种厚度稳定性及导热性优异、使用时不易产生烧成材料的破损的膜状烧成材料。
附图标记说明
1、1a、1b：膜状烧成材料；1c：烧成材料；2：支撑片；3：基材膜；4：粘着剂层；5：环形框架；10、11：烧结性金属颗粒；20、21：粘结剂成分；30、31：剥离膜；A、A’：端部；B：除了端部A以外的部分；B’：除了端部A’以外的部分；100a、100b、100c、100d：带支撑片的膜状烧成材料；I：切口。

Claims (7)

1.一种膜状烧成材料，其含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，
将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的所述端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了所述端部以外的部分的平均厚度厚5％以上。
2.一种膜状烧成材料，其含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，
将所述膜状烧成材料的除了端部以外的部分的平均厚度设为100％时，所述膜状烧成材料的所述端部的平均厚度比所述膜状烧成材料的除了所述端部以外的部分的平均厚度薄5％以上。
3.一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备：权利要求1或2所述的膜状烧成材料、设置于所述膜状烧成材料的一侧的支撑片、设置于所述膜状烧成材料的另一侧的剥离膜。
4.根据权利要求3所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，所述剥离膜的面积大于所述膜状烧成材料。
5.根据权利要求4所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，在与所述膜状烧成材料的端部相接的剥离膜上没有切口。
6.一种膜状烧成材料的制造方法，其具有印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的烧成材料组合物的工序。
7.一种带支撑片的膜状烧成材料的制造方法，其具有以下工序：在剥离膜上印刷含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的组合物，得到膜状烧成材料后，将所述膜状烧成材料设置在支撑片上的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114730715A (zh) * 2020-03-27 2022-07-08 三井金属矿业株式会社 临时固定用组合物及接合结构体的制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7126424B2 (ja) * 2018-10-09 2022-08-26 日東シンコー株式会社 剥離シート付絶縁放熱シート
JPWO2020189541A1 (zh) * 2019-03-15 2020-09-24
TW202128938A (zh) * 2019-11-22 2021-08-01 日商琳得科股份有限公司 膜狀燒成材料、具支撐片之膜狀燒成材料、積層體、以及裝置之製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0535711A2 (en) * 1991-10-04 1993-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing multilayered ceramic substrate
CN101615446A (zh) * 2008-06-26 2009-12-30 日立化成工业株式会社 内含导电性粒子的树脂膜片及由其电连接的电子部件
CN102753735A (zh) * 2010-02-04 2012-10-24 日本精机宝石工业株式会社 散热性材料
CN103992755A (zh) * 2013-02-20 2014-08-20 日东电工株式会社 膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带、半导体装置的制造方法、及半导体装置
TW201522068A (zh) * 2013-11-05 2015-06-16 Fujifilm Corp 光學薄膜材料、光學薄膜之製造方法及偏光板之製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977226B2 (ja) * 2002-10-25 2007-09-19 大日本インキ化学工業株式会社 焼結体形成用金属粉の表面処理方法及び該焼結体形成用金属粉
US7138169B2 (en) 2003-03-05 2006-11-21 3M Innovative Properties Company Cloth-like polymeric film with directional tear
KR20210117357A (ko) * 2010-11-03 2021-09-28 알파 어셈블리 솔루션스 인크. 소결 재료 및 이를 이용한 부착 방법
WO2013099545A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 三菱電機株式会社 電力用半導体装置及びその製造方法
JP5558547B2 (ja) 2012-12-05 2014-07-23 ニホンハンダ株式会社 ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
KR101551758B1 (ko) * 2012-12-11 2015-09-09 제일모직주식회사 이방 도전성 필름용 조성물 및 이방 도전성 필름
JP6130764B2 (ja) 2013-09-26 2017-05-17 株式会社日立製作所 圧力計測装置及び圧力計測方法
JP2017069559A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 パワー半導体装置の製造方法
WO2017057485A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 シートおよび複合シート
JP5910788B1 (ja) 2015-11-11 2016-04-27 大日本印刷株式会社 調光フィルム、合わせガラス及び調光フィルムの製造方法
JP6967839B2 (ja) * 2016-03-23 2021-11-17 日東電工株式会社 加熱接合用シート、ダイシングテープ付き加熱接合用シート、及び、接合体の製造方法、パワー半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0535711A2 (en) * 1991-10-04 1993-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing multilayered ceramic substrate
CN101615446A (zh) * 2008-06-26 2009-12-30 日立化成工业株式会社 内含导电性粒子的树脂膜片及由其电连接的电子部件
CN102753735A (zh) * 2010-02-04 2012-10-24 日本精机宝石工业株式会社 散热性材料
CN103992755A (zh) * 2013-02-20 2014-08-20 日东电工株式会社 膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带、半导体装置的制造方法、及半导体装置
TW201522068A (zh) * 2013-11-05 2015-06-16 Fujifilm Corp 光學薄膜材料、光學薄膜之製造方法及偏光板之製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114730715A (zh) * 2020-03-27 2022-07-08 三井金属矿业株式会社 临时固定用组合物及接合结构体的制造方法
CN114730715B (zh) * 2020-03-27 2023-04-25 三井金属矿业株式会社 临时固定用组合物及接合结构体的制造方法

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