TW201906721A - 積層體、在基板上形成光學體的方法以及相機模組搭載裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠不污損或損壞在表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體地在市場上流通以使顧客能夠使用的、包括該薄膜結構體的積層體，並且所述積層體即便在保存後劣化亦得到了抑制。積層體的特徵至少為：包括薄膜結構體及保持膜，在所述薄膜結構體的其中一個面上積層第1保持膜，並且在所述薄膜結構體的另一個面上積層第2保持膜，所述薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構，在設所述第1保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1，並設所述第2保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2時，滿足0＜P1、0＜P2及P1≠P2。
Description
本發明是有關於一種積層體、光學體的形成方法以及相機模組搭載裝置。
在液晶顯示器等顯示裝置或相機等光學裝置中，為了避免因來自外部的光的反射導致的可視性·畫質的惡化（色彩不均、重影（ghost）等的產生），多對顯示板或透鏡等基材的光的入射面實施防反射處理。並且，作為所述防反射處理的方法，先前已知在光的入射面上形成微細凹凸結構來降低反射率的方法。
例如，專利文獻1揭示了：在藉由對入射至半導體基板的光進行光電轉換來構築影像的固體攝像裝置中，在半導體基板的光入射面形成微細凹凸機構，並對所述微細凹凸結構形成規定厚度的防反射膜，藉此可抑制在光入射面產生光的反射。
且說，光的入射面上的微細凹凸結構的形成，例如可藉由將在表面具有微細凹凸結構的膜貼附於該入射面來達成。所述方法就無需對基材自身進行加工的方面、可使膜自身在市場中流通（可搬運）的方面、可在基材表面的期望區域局部地形成微細凹凸結構的方面等觀點而言，是非常有益的。
此處，尤其是若設想在市場上流通的情況等，則關於所述在表面具有微細凹凸結構的膜，為了防止污垢附著於微細凹凸結構表面或為了保持微細凹凸結構的形狀，重要的是表面藉由保護膜切實地保護，並且亦重要的是在剝離了該保護膜時，微細凹凸結構的污損及破損得到充分避免。
作為對所述課題的應對，例如專利文獻2揭示了：一種積層構造體，其具有在表面具有微細凹凸結構的物品及與該物品的微細凹凸結構側的表面相接的黏著膜，藉由使依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）而測定的黏著膜的低速剝離力及高速剝離力合理化，黏著膜不會不小心剝落而可有意識地剝離並且可降低微細凹凸結構上的殘膠。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-216187號公報 [專利文獻2]國際公開第2013/099798號
[發明所欲解決之課題] 然而，專利文獻2所揭示的技術因為是經由黏著材將膜貼附於微細凹凸結構，所以存在在對膜進行剝離時，即便成功降低了微細凹凸結構上的殘膠，亦有微細凹凸結構進而物品本身破損之虞這一問題。另外，當在表面具有微細凹凸結構的物品的厚度極薄（例如，10 μm以下）時，所述問題變得更顯著。
而且，近年來，為了帶來更高的防反射效果，開發了在兩個面而非僅在其中一個表面上具有微細凹凸結構的膜。與此相反，專利文獻2所揭示的技術是以向僅在其中一個表面上具有微細凹凸結構的物品安裝及剝離膜為前提，所以對於在兩個面上具有微細凹凸結構的膜而言，並非能夠直接應用。
本發明的課題在於解決先前的所述諸問題並達成以下的目的。即，本發明的目的在於提供一種能夠不污損或損壞在表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體地在市場上流通以使顧客能夠使用的、包括該薄膜結構體的積層體，並且所述積層體即便在保存後劣化亦得到了抑制。而且，本發明的目的在於提供一種使用了該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，本發明的目的在於提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。 [解決課題之手段]
解決所述課題的手段如下所述。即， ＜1＞ 一種積層體，其包括薄膜結構體及保持膜，所述積層體的特徵在於： 在所述薄膜結構體的其中一個面上積層第1保持膜，並且在所述薄膜結構體的另一個面上積層第2保持膜， 所述薄膜結構體在與所述第1保持膜接觸的面上具有第1微細凹凸結構，並且在與所述第2保持膜接觸的面上具有第2微細凹凸結構， 所述第1保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第3微細凹凸結構， 所述第2保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第4微細凹凸結構， 在依據JIS Z0237：2009的90°剝離試驗中，設所述第1保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設所述第2保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足0＜P1、0＜P2及P1≠P2。 ＜2＞ 如＜1＞所述的積層體，其中所述第3微細凹凸結構是所述第1微細凹凸結構的反轉結構，所述第4微細凹凸結構是所述第2微細凹凸結構的反轉結構。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的積層體，其中所述薄膜結構體的厚度為10 μm以下。 ＜4＞ 如＜1＞至＜3＞中任一項所述的積層體，其中所述薄膜結構體的非微細凹凸結構的部分的厚度為200 nm以下。 ＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一項所述的積層體，其中，在自所述積層體剝離所述第2保持膜而獲得單面剝離積層體，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第2保持膜的一面朝向基板的方式按壓至被塗佈在具有包括環烯烴共聚物（Cyclo Olefin Copolymer，COC）、環烯烴聚合物（Cyclo Olefin Polymer，COP）或環氧丙烯酸酯共聚物的表面的所述基板之上的、含有紫外線（ultraviolet，UV）硬化性丙烯酸系樹脂或UV硬化性環氧系樹脂的接著劑，並照射UV光而將所述接著劑硬化之後實施的、使藉由硬化後的所述接著劑固著的薄膜結構體與藉由硬化後的所述接著劑固著的固著部位以外的薄膜結構體斷開並自所述單面剝離積層體剝離的90°剝離試驗中，剝離開始時的剝離力為2 N/25 mm以下。 ＜6＞ 如＜1＞至＜5＞中任一項所述的積層體，其中，所述薄膜結構體包括單一構件。 ＜7＞ 如＜1＞至＜6＞中任一項所述的積層體，其中，所述第1微細凹凸結構、所述第2微細凹凸結構、所述第3微細凹凸結構及所述第4微細凹凸結構分別包括具有可見光波長以下的間距的凹凸圖案。 ＜8＞ 如＜1＞至＜7＞中任一項所述的積層體，其中，在設60℃下放置12小時之後的所述第1保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1'（N/25 mm），並設60℃下放置12小時之後的所述第2保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2'（N/25 mm）時，滿足P1'/P1≦1.5及P2'/P2≦1.5。 ＜9＞ 如＜1＞至＜8＞中任一項所述的積層體，其中，所述第1保持膜及所述第2保持膜中的至少任一者在與所述薄膜結構體積層側的面上包括無機膜。 ＜10＞ 如＜1＞至＜9＞中任一項所述的積層體，其中，所述第1保持膜及所述第2保持膜中的至少任一者在與所述薄膜結構體積層側的面上包括剝離膜。 ＜11＞ 如＜1＞至＜10＞中任一項所述的積層體，其中所述第1保持膜的厚度與所述第2保持膜的厚度不同。 ＜12＞ 一種在基板上形成光學體的方法，其特徵在於，自如＜1＞至＜10＞中任一項所述的積層體剝離所述第1保持膜及所述第2保持膜，將所述薄膜結構體經由接著劑而積層於基板。 ＜13＞ 如＜12＞所述的在基板上形成光學體的方法，其包括： 第1剝離步驟，自所述積層體剝離所述第2保持膜，獲得單面剝離積層體； 塗佈步驟，將接著劑塗佈在基板上； 按壓步驟，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第2保持膜的一面朝向所述基板的方式按壓至被塗佈的所述接著劑； 硬化步驟，對被按壓著的所述接著劑照射UV光，將所述接著劑硬化；以及 第2剝離步驟，解除對所述單面剝離積層體的按壓，將所述薄膜結構體自所述單面剝離積層體剝離，而將包括硬化後的接著劑及具有與所述接著劑大致相同的尺寸的薄膜結構體的光學體形成在所述基板上。 ＜14＞ 一種相機模組搭載裝置，其特徵在於包括： 相機模組及顯示板； 所述顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在所述接著劑層上的薄膜結構體， 所述薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構， 所述相機模組以與所述薄膜結構體相向的方式設置。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種能夠不污損或損壞在表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體地在市場上流通以使顧客能夠使用的、包括該薄膜結構體的積層體，並且所述積層體即便在保存後劣化亦得到了抑制。而且，根據本發明，可提供一種使用了該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，根據本發明，可提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。
以下，基於實施形態對本發明進行詳細的說明。
（積層體） 本發明的積層體的特徵在於：包括薄膜結構體及保持膜，薄膜結構體在薄膜結構體的其中一個面上積層第1保持膜，並且在薄膜結構體的另一個面上積層第2保持膜，薄膜結構體在與第1保持膜接觸的面上具有第1微細凹凸結構，並且在與第2保持膜接觸的面上具有第2微細凹凸結構，第1保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第3微細凹凸結構，第2保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第4微細凹凸結構，在依據JIS Z0237：2009的90°剝離試驗中，設第1保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設第2保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足0＜P1、0＜P2及P1≠P2。 另外，本發明的積層體被定位為在基板上形成光學體（後述）時使用的中間產品。
以下，參照圖1等對本發明的一實施形態的積層體（以下，有時稱為「本實施形態的積層體」）進行說明。 如圖1所示，本實施形態的積層體100包括薄膜結構體110、兩枚保持膜即第1保持膜120a及第2保持膜120b。第1保持膜120a積層在薄膜結構體110的其中一個面上，第2保持膜120b積層在薄膜結構體110的另一個面上。即，薄膜結構體110被兩枚保持膜夾持。而且，薄膜結構體110在積層第1保持膜120a的表面上具有第1微細凹凸結構110-1，並且在積層第2保持膜120b的表面上具有第2微細凹凸結構110-2。進而，第1保持膜120a具有第3微細凹凸結構120a-1，第2保持膜120b具有第4微細凹凸結構120b-1。並且，本實施形態的積層體在依據JIS Z0237：2009的90°剝離試驗中，設第1保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設第2保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足0＜P1、0＜P2及P1≠P2。 另外，為了方便，在本實施形態的積層體中，將夾持薄膜結構體110的兩枚保持膜中，與薄膜結構體的界面處的剝離力大的一者作為第1保持膜120a，將剝離力小的一者作為第2保持膜120b。即，在本實施形態的積層體中，滿足P1＞P2。
如上所述，本實施形態的積層體中，薄膜結構體被兩枚保持膜以使具有微細凹凸結構（第3微細凹凸結構及第4微細凹凸結構）的一面接觸的方式夾持，所以實現了對形成在薄膜結構體的兩個面上的微細凹凸結構的保護。因此，在保存所述積層體的情況下，不會劣化，而且，在使所述積層體在市場上流通時，微細凹凸結構的污損及破損得到了抑制。
而且，如上所述，本實施形態的積層體中，對薄膜結構體的其中一個面與另一個面中的與積層的保持膜的剝離力設置了差異，所以可一邊維持著剝離力大的保持膜（第1保持膜）與薄膜結構體的積層狀態一邊將剝離力小的保持膜（第2保持膜）自薄膜結構體順利地剝離。並且，在剝離保持膜，尤其是第2保持膜時，微細凹凸結構的破損得到了抑制。與此相對，若薄膜結構體的其中一個面與另一個面與保持膜的剝離力相同，則有在欲剝離兩枚保持膜中的任一者的情況下，薄膜結構體在中心附近斷開，或微細凹凸結構的大半部分被帶至保持膜側之虞，在顧客實際地使用薄膜結構體時，無法確保充分的品質。 另外，第1保持膜的剝離可藉由在剝離第2保持膜之後，將薄膜結構體固著於基板等而順利地進行。
本實施形態的積層體中第1保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力P1及第2保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力P2均超過0 N/25 mm，較佳為0.05 N/25 mm以上，而且，較佳為0.5 N/25 mm以下。若P1及P2為0.05 N/25 mm以上，則可抑制保持膜因外部因素等而自然脫落。而且，若P1及P2為0.5 N/25 mm以下，則可更充分地抑制剝離保持膜時薄膜結構體的微細凹凸結構的破損。 另外，在保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力的測定中，在薄膜結構體的幾乎整個表面被帶至保持膜側的情況下，認為未能完成測定對象的剝離，並定為甚至於不滿足「剝離力的測定值：超過0 N/25 mm」。
本實施形態的積層體中第1保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力P1與第2保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力P2之差（P1-P2）並無特別限制，但較佳為0.03 N/25 mm以上，而且，較佳為0.3 N/25 mm以下。若P1-P2為0.03 N/25 mm以上，則可在將保持膜尤其是第2保持膜自薄膜結構體順利地剝離的同時更有效果地抑制薄膜結構體及其表面的微細凹凸結構的破損。而且，若P1-P2為0.3 N/25 mm以下，則可更有效果地抑制將第1保持膜自薄膜結構體剝離時薄膜結構體及其表面的微細凹凸結構的破損。 另外，保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力的調整例如可藉由以下的操作來適當進行，所述操作為：變更薄膜結構體的構成材料、變更薄膜結構體的微細凹凸結構、變更薄膜結構體的非微細凹凸結構的部分的厚度（後述）、對保持膜的基底基材（後述）的構成材料添加氟系添加劑等添加劑、變更保持膜的厚度、對保持膜設置無機膜、對保持膜設置剝離膜、變更所述無機膜或剝離膜的構成材料或厚度等。因此，P1-P2的調整可藉由任意組合所述操作來適當進行。
本實施形態的積層體較佳為：在設60℃下放置12小時之後的第1保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P1'（N/25 mm），並設60℃下放置12小時之後的第2保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P2'（N/25 mm）時，滿足P1'/P1≦1.5及P2'/P2≦1.5。若滿足P1'/P1≦1.5及P2'/P2≦1.5，則即便積層體被暫時放置於惡劣的環境中，亦可更一步抑制剝離保持膜時微細凹凸結構的破損。就同樣的觀點而言，更佳為滿足P1'/P1≦1.2及P2'/P2≦1.2。 關於所述方面，使用通常的接著劑、黏著劑的化學接合存在藉由賦予熱或時間的經過而接著性提高的傾向。基於此，本實施形態的積層體為了如上所述滿足P1'/P1≦1.5及P2'/P2≦1.5，較佳為在薄膜結構體與保持膜之間不含有接著劑及黏著劑。
在本實施形態中，較佳為：在自積層體剝離第2保持膜而獲得單面剝離積層體，將該單面剝離積層體以被剝離了第2保持膜的一面朝向基板的方式按壓至被塗佈在具有包括環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）或環氧丙烯酸酯共聚物的表面的基板（難接著性基板）之上的、含有UV硬化性丙烯酸系樹脂或UV硬化性環氧系樹脂的接著劑，並照射UV光而將接著劑硬化之後實施的、使藉由硬化後的接著劑固著的薄膜結構體與藉由硬化後的接著劑固著的固著部位以外的薄膜結構體斷開並自單面剝離積層體剝離的90°剝離試驗中，剝離開始時的剝離力為2 N/25 mm以下。若為具有此種性質的積層體，則例如可在藉由後述本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法來形成光學體的情況下，將藉由基板上的接著劑固著的薄膜結構體更切實地自單面剝離積層體剝離從而高精度地形成光學體。 另外，所述剝離開始時的剝離力的調整例如可藉由以下的操作來適當進行，所述操作為：變更薄膜結構體的構成材料、變更薄膜結構體的微細凹凸結構、變更薄膜結構體的非微細凹凸結構的部分的厚度（後述）、對保持膜的基底基材（後述）的構成材料添加氟系添加劑等添加劑、變更保持膜的厚度、對保持膜設置無機膜、對保持膜設置剝離膜、變更所述無機膜或剝離膜的構成材料或厚度等。 而且，所述接著劑中亦可含有二甲基丙烯醯胺（Dimethylacrylamide，DMAA）、丙烯酸四氫呋喃甲酯（Tetrahydrofurfuryl Acrylate，THFA）、丙烯醯嗎啉（Acryloylmorpholine，ACMO）、己二醇二丙烯酸酯（Hexanediol Diacrylate，HDDA）、丙烯酸異冰片酯（isobornyl acrylate，IBXA）等單體。
＜薄膜結構體＞ 本實施形態所使用的薄膜結構體110在兩個面上具有第1微細凹凸結構110-1及微細凹凸結構110-2。即，在薄膜結構體110的兩個面上形成有微細的凹凸圖案（在積層體的厚度方向上凸出的凸部及在積層體的厚度方向上凹陷的凹部）。凸部及凹部既可週期性（例如，鋸齒格子狀、矩形格子狀）配置，而且亦可無規則地（random）配置。而且，凸部及凹部的形狀並無特別限制，可為炮彈型、錐體型、柱狀、針狀等。另外，所謂凹部的形狀，是指藉由凹部的內壁而形成的形狀。
薄膜結構體110例如可使用UV硬化性樹脂來製作。作為UV硬化性樹脂，並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。
構成第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2的凹凸圖案的平均週期（間距）分別較佳為可見光波長以下（例如，830 nm以下），更佳為350 nm以下，尤佳為280 nm以下，而且，更佳為100 nm以上，尤佳為150 nm以上。藉由使薄膜結構體110的表面的凹凸圖案的間距為可見光波長以下，即，藉由使薄膜結構體110的表面為所謂的蛾眼結構，可實現防反射性能的進一步提升。
薄膜結構體110的表面的凹凸圖案的平均週期為相鄰的凸部間與凹部間的距離的算術平均值。另外，凹凸圖案例如能夠藉由掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM）或剖面穿透式電子顯微鏡（剖面TEM（transmission electron microscope））等來觀察。而且，作為平均週期的計算方法，例如有如下方法，即，分別挑選（pick up）多個相鄰的凸部的組合及相鄰的凹部的組合，測定構成各組合的凸部間的距離及凹部間的距離，並將測定值進行平均。
而且，構成第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2的凹凸圖案的凹部的深度（凸部的高度）並無特別限制，但分別較佳為150 nm以上，更佳為190 nm以上，而且，較佳為300 nm以下，更佳為230 nm以下。
另外，薄膜結構體110的第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2的凹部及凸部的配置態樣、凹凸圖案的平均週期、凹部的深度等既可彼此相同，亦可不同。
而且，本實施形態所使用的薄膜結構體的厚度較佳為10 μm以下，更佳為4 μm以下，尤佳為1 μm以下，而且，較佳為0.1 μm以上。此種薄膜結構體可較佳地用於被要求兼顧防反射性能的提升及薄型化的用途，例如搭載有攝像元件的筆記型個人電腦（Personal Computer，PC）、平板型PC、智慧型手機、行動電話等。 另外，所謂薄膜結構體的厚度，是指如圖1中T1
所示，形成在其中一個面上的最高的凸部的頂點與形成在另一個面上的最高的凸部的頂點在積層方向或膜厚方向上的距離。
而且，本實施形態所使用的薄膜結構體較佳為非微細凹凸結構的部分的厚度為200 nm以下。若為包括此種薄膜結構體的積層體，則例如可在藉由後述本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法來形成光學體時，將藉由基板上的接著劑固著的薄膜結構體更切實地自單面剝離積層體剝離從而高精度地形成光學體。另一方面，就現實性的觀點而言，薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度可為0.01 nm以上。 另外，所謂薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度，是指如圖1中T2
所示，形成在其中一個面上的最深的凹部的頂點與形成在另一個面上的最深的凹部的頂點在積層方向或膜厚方向上的距離。
薄膜結構體110例如可藉由準備基底基材及兩個微細凹凸層作為單獨的構件，並在基底基材的兩個面上分別形成微細凹凸層來製作。然而，就避免光學特性的惡化的觀點而言，薄膜結構體110較佳為包括單一構件。具有此種包括單一構件的薄膜結構體110的積層體100例如可藉由後述積層體的製造方法來製造。
＜保持膜＞ 在本實施形態的積層體110中，兩枚保持膜即第1保持膜120a及第2保持膜120b夾持著薄膜結構體110。該些兩枚保持膜是為了保護薄膜結構體110及提升操作性等而設。
而且，如圖1所示，第1保持膜120a在與薄膜結構體110接觸的面上具有第3微細凹凸結構120a-1，第2保持膜120b在與薄膜結構體110接觸的面上具有第4微細凹凸結構120b-1。即，在第1保持膜120a及第2保持膜120b的規定的面上，形成有微細的凹凸圖案（在積層體的厚度方向上凸出的凸部及在積層體的厚度方向上凹陷的凹部）。由此，可容易地在薄膜結構體110的兩個面上形成微細凹凸結構。
進而，較佳為：如圖1所示，第1保持膜120a所具有的第3微細凹凸結構120a-1是薄膜結構體110所具有的第1微細凹凸結構110-1的反轉結構，第2保持膜120b所具有的第4微細凹凸結構120b-1是薄膜結構體110所具有的第2微細凹凸結構110-2的反轉結構。由此，將薄膜結構體110與保持膜120a、保持膜120b藉由兩者的微細凹凸結構而機械性接合，在進一步強化對形成在薄膜結構體110的兩個面上微細凹凸結構的保護的同時，可更有效果地抑制剝離保持膜時的薄膜結構體的破損。就同樣的觀點而言，更佳為第1保持膜120a及第2保持膜120b與薄膜結構體110中兩者所具有的微細凹凸結構無縫咬合。
構成第3微細凹凸結構120a-1及第4微細凹凸結構120b-1的凹凸圖案的平均週期（間距）與第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2同樣地，分別較佳為可見光波長以下（例如，830 nm以下），更佳為350 nm以下，尤佳為280 nm以下，而且，更佳為100 nm以上，尤佳為150 nm以上。
保持膜120a、保持膜120b例如可藉由基底基材來製造。而且，在表面具有微細凹凸結構的保持膜120a、保持膜120b例如可如圖2所示，藉由在基底基材121之上形成微細凹凸層122而製作。
作為構成基底基材的材料，並無特別限制，但較佳為透明且不易破損斷裂者，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）、三乙醯纖維素（triacetylcellulose，TAC）等。
而且，基底基材上微細凹凸層的形成例如可藉由實施如下方法來達成，所述方法包括：在基底基材的其中一個面上塗佈未硬化的UV硬化性樹脂的步驟、使形成有對應凹凸圖案的輥與所述塗佈的UV硬化性樹脂密接而將凹凸圖案轉印至UV硬化性樹脂的步驟、對所述塗佈的UV硬化性樹脂照射UV光而進行硬化的步驟、以及將硬化後的UV硬化性樹脂自輥剝離的步驟。另外，作為UV硬化性樹脂並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。而且，亦可視需要在UV硬化性樹脂中添加硬化起始劑等各種添加劑。
在本實施形態中，較佳為如圖3所示第1保持膜120a及第2保持膜120b中的至少任一者（在圖3中，為第1保持膜120a及第2保持膜120b這兩者）在與薄膜結構體110積層側的面上包括無機膜123。藉由保持膜包括無機膜123，可在保持與薄膜結構體110的適度的接合的同時在剝離保持膜時更充分地抑制薄膜結構體110的第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2的破損。另外，藉由保持膜包括無機膜123，可將後述剝離膜容易地形成在其之上。
構成無機膜123的材料只要為無機系的材料則並無特別限制，例如可列舉：矽；二氧化矽；金屬矽；氧化鎢；氮化矽；ITO；ATO、AZO、SnO2
等ITO以外的透明導電性材料；Al、Fe、Ti、W等金屬；TiN、WNx
、AlNx
等金屬氮化物；NbOx
、Al2
O3
、TiO2
等絕緣性無機氧化物等。而且，無機膜123的厚度並無特別限制，但可設為較佳為5 nm～50 nm，更佳為15 nm～35 nm。此種無機膜123例如可藉由使用了濺鍍靶（sputtering target）的濺鍍法而形成為構成保持膜的構件之一。
另外，在第1保持膜120a及第2保持膜120b這兩者均包括無機膜123的情況下，構成無機膜123（123a、123b）的材料可彼此不同，而且，無機膜123（123a、123b）的厚度可彼此不同。 而且，對無機膜123並無特別限制，可對表面實施氧電漿處理等活性化處理。
進而，在本實施形態中，較佳為如圖4所示第1保持膜120a及第2保持膜120b中的至少任一者（在圖4中，為第1保持膜120a及第2保持膜120b這兩者）在與薄膜結構體110積層側的面上包括剝離膜124。藉由保持膜包括剝離膜124，可在保持與薄膜結構體110的適度的接合的同時在剝離保持膜時更充分地抑制薄膜結構體110的微細凹凸結構110-1、微細凹凸結構110-2的破損。另外，在圖4中，剝離膜124形成在無機膜123之上，但剝離膜124亦可直接形成在構成保持膜的基底基材121或微細凹凸層122之上。
構成剝離膜124的材料並無特別限制，例如可列舉氟系物質，作為市售品，可使用3M公司製造的氟系塗佈劑「Novec（註冊商標）1720」等。而且，剝離膜124的厚度並無特別限制，但可設為較佳為5 nm～50 nm，更佳為5 nm～20 nm。此種剝離膜124例如可藉由塗覆液體材料而形成為構成保持膜的構件之一。
另外，第1保持膜120a的薄膜結構體110側的表面與第2保持膜120b的薄膜結構體110側的表面為了滿足P1≠P2可設為彼此不同的膜構成。作為參考，將第1保持膜120a及第2保持膜120b的膜構成的變形（variation）的示例示於表1。其中，在本實施形態中，並不限制於所述變形，可任意地變更第1保持膜120a及第2保持膜120b中各膜的有無及膜構成。
[表1]
在本實施形態中，較佳為第1保持膜120a的厚度與第2保持膜120b的厚度不同。由此，對第1保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力P1、跟第2保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力P2設置了差異，從而可更容易地抑制剝離保持膜時第1微細凹凸結構110-1及第2微細凹凸結構110-2的破損。 另外，所謂保持膜的厚度，當保持膜在表面上具有微細凹凸結構時，是指到凸部的頂點為止的高度，而且，當保持膜包括無機膜及/或剝離膜的情況下，是指包括該些膜厚在內的厚度。
＜積層體的製造方法＞ 作為本實施形態的積層體的製造方法，並無特別限制，可根據目的來適當選擇。以下，參照圖5A及圖5B對用以製造積層體的具體的一例方法進行說明。
一例的方法包括利用在表面具有微細凹凸結構的兩枚保持膜夾持UV硬化性樹脂，並進行壓接的步驟（夾持壓接步驟）及將被夾持著的UV硬化性樹脂藉由UV光的照射而硬化的步驟（硬化步驟）。
-夾持壓接步驟- 首先，準備在表面具有微細凹凸結構的兩枚保持膜（在表面具有第3微細凹凸結構的第1保持膜120a及在表面具有第4微細凹凸結構的第2保持膜120b）。關於第1保持膜120a及第2保持膜120b，如前所述。其次，如圖5A所示，利用所述第1保持膜120a及第2保持膜120b以所述兩枚保持膜彼此的微細凹凸結構相向的方式夾持UV硬化性樹脂151。另外，作為UV硬化性樹脂並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。而且，也可視需要在UV硬化性樹脂151中添加硬化起始劑等各種添加劑。進而，就提高剝離性及形狀保持性的觀點而言，亦可在UV硬化性樹脂151中添加環氧乙烷系（EO（ethylene oxide）系）的丙烯酸單體、環氧丙烷系（PO（propylene oxide）系）的丙烯酸單體、茀系單體等單體。
此處，UV硬化性樹脂151的黏度較佳為30 cps以下。若UV硬化性樹脂151的黏度為30 cps以下，則可在形成薄膜結構體時，更容易地將非微細凹凸結構的部分的厚度降低至200 nm以下。
並且，如圖5A所示，藉由輥積層機（roll laminator）160等壓接裝置將夾持體沿夾持方向壓接。此處，在夾持壓接步驟中，可藉由調節壓接時的壓力，來調整獲得的薄膜結構體110的厚度（圖1的T1
）及薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度（圖1的T2
）。而且，藉由調節輥積層機的進給速度，亦可調整獲得的薄膜結構體110的厚度（圖1的T1
）及薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度（圖1的T2
）。 另外，在圖5A中，相對於輥積層機160而將第2保持膜120b配置在下側，將第1保持膜120a配置在上側，但該些的配置關係並無特別限制於此。
-硬化步驟- 在硬化步驟中，如圖5B所示，對被夾持著的UV硬化性樹脂151照射UV光，將UV硬化性樹脂151硬化。藉由UV硬化性樹脂151硬化，獲得圖1所示般、在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體110作為單一構件，並且獲得積層體100。另外，硬化步驟亦可與夾持壓接步驟同時進行。 如此獲得的薄膜結構體110在其中一個面上形成有與第1保持膜120a的第3微細凹凸結構120a-1無縫咬合的微細凹凸結構（第1微細凹凸結構），並在另一個面上形成有與第2保持膜120b的第4微細凹凸結構120b-1無縫咬合的微細凹凸結構（第2微細凹凸結構）。
（在基板上形成光學體的方法） 本發明的在基板上形成光學體的方法的特徵在於：自所述本發明的積層體剝離第1保持膜及第2保持膜，將薄膜結構體經由接著劑而積層於基板。根據所述方法，可將在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體作為防反射性能優異的光學體無破損地形成在基板上。尤其，根據所述方法，即便在薄膜結構體的厚度極小（例如4 μm以下）的情況下，形成光學體時的微細凹凸結構的破損亦有意地得到抑制。
以下，參照圖6A～圖6E對本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法（以下，有時稱為「本實施形態的形成方法」）進行說明。 圖6A～圖6E是表示本實施形態的形成方法的概要圖。本實施形態的形成方法包括第1剝離步驟、塗佈步驟、按壓步驟、硬化步驟及第2剝離步驟。
在第1剝離步驟中，自圖1（或者圖3或圖4）所示的積層體100剝離第2保持膜120b，使之成為圖6A所示的狀態（單面剝離積層體100'）。此處，P2（第2保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力）小於P1（第1保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力），所以可在維持著第1保持膜120a與薄膜結構體110的積層狀態並且微細凹凸結構110-2的破損得到抑制的同時，順利地進行第2保持膜120b的剝離。 而且，藉由一邊使積層體彎曲（bending）一邊進行剝離，可順利地進行剝離。
在第1剝離步驟之後，在圖6B所示的塗佈步驟中，在基板170上塗佈接著劑。作為接著劑171，並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等包含UV硬化性樹脂的組成物等。作為構成基板170的材料，並無特別限制，可根據形成光學體的目的來適當選擇，例如可列舉玻璃、利用任意的有機材料例如環氧丙烯酸酯共聚物等對表面進行了塗覆的玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl methacrylate，PMMA）、環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）等。
塗佈步驟之後，在圖6C所示的按壓步驟中，將單面剝離積層體100'以被剝離第2保持膜120b的一面朝向基板170的方式按壓至塗佈在基板170上的接著劑171。經按壓的接著劑171在基板170與薄膜結構體110之間被按壓擴展。
在圖6D所示的硬化步驟中，在維持著按壓的狀態下，對被按壓著的接著劑171照射UV光，將接著劑171硬化。硬化後的接著劑171牢固地接著在基板170及薄膜結構體110上。 另外，硬化步驟亦可與按壓步驟同時進行。
在圖6E所示的第2剝離步驟中，解除對單面剝離積層體100'的按壓，自基板170釋放（release）單面剝離積層體100'，藉此使薄膜結構體110自單面剝離積層體100'剝離。藉由硬化步驟，在單面剝離積層體100'的薄膜結構體110中存在接著劑171並且被照射了UV光的區域，薄膜結構體110與基板170藉由硬化後的接著劑171'而固著。並且，藉由釋放單面剝離積層體100'，藉由硬化後的接著劑171'而固著的薄膜結構體110與藉由硬化後的接著劑171'固著的固著部位以外的第1保持膜120a上的薄膜結構體110分離（斷開）並自單面剝離積層體100'（第1保持膜120a）剝離，如此，包括硬化後的接著劑171'及具有與該接著劑171'大致相同的尺寸的薄膜結構體110的光學體200形成在基板170上。根據所述方法，可將薄膜結構體110（或光學體200）局部性地且高精度地形成在基板表面的期望區域。尤其是，就可對難接著性的基板（例如，包括環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）或環氧丙烯酸酯共聚物等聚合物的基板等）局部性地且高精度地形成薄膜結構體110（或光學體200）的方面而言，所述方法是有利的。
如圖6E所示，形成在基板170上的光學體200中，硬化後的接著劑171'也可進入薄膜結構體110的基板170側的面的凹部。即，硬化後的接著劑171'可在薄膜結構體110側的表面上具有微細凹凸結構。此種光學體200防反射性能優異，例如，可使波長400 nm～750 nm的範圍下的平均反射率為1%以下。
（相機模組搭載裝置） 本發明的相機模組搭載裝置包括相機模組及顯示板，顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在接著劑層上的薄膜結構體。而且，所述薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構。並且，所述相機模組搭載裝置以相機模組與薄膜結構體相向的方式設置。根據所述相機模組搭載裝置，可藉由相機模組的攝像元件經由在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體來拍攝靜止影像或動態影像，所以光的反射得到抑制，可抑制所獲得的攝像影像中產生色彩不均或重影等。
作為相機模組搭載裝置，具體而言，可列舉筆記型PC、平板型PC、智慧型手機、行動電話等。
以下，參照圖7對本發明的一實施形態的相機模組搭載裝置（以下，有時稱為「本實施形態的裝置」）進行說明。 圖7是表示本實施形態的相機模組搭載裝置的相機模組附近的示意概要圖。如圖7所示，本實施形態的相機模組搭載裝置300包括相機模組310及顯示板311，在顯示板311的其中一個表面形成有遮光區域312及透明區域（非遮光區域）313。而且，在顯示板311的透明區域313中積層有接著劑層314並且在此接著劑層314上積層有薄膜結構體315。
此處，顯示板311因用作液晶顯示器、觸控面板等，所以較佳為透明，例如包括玻璃、利用任意的有機材料對表面進行了塗覆的玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等。而且，薄膜結構體315如針對所述本發明的積層體所具有的薄膜結構體而敘述者。
進而，接著劑層314及薄膜結構體315可藉由所述本發明的在基板上形成光學體的方法，使用所述本發明的積層體100而形成在作為基板的顯示板311上。此時，接著劑層314及薄膜結構體315分別相當於在本實施形態的形成方法中所說明的硬化後的接著劑171'及薄膜結構體110。
並且，相機模組310如圖7所示，以與薄膜結構體315相向的方式配置。
另外，本實施形態的裝置的詳細的條件，例如相機模組310的具體的構成、相機模組310與薄膜結構體315之間的距離等並無特別限制。實施例
其次，列舉實施例及比較例來對本發明進行更具體的說明，但本發明並不限制於下述實施例。 另外，關於實施例及比較例中所製作的積層體，依據以下的流程進行了積層界面的剝離力的測定及薄膜結構體的破損的評價。
（積層界面的剝離力的測定） 實施依據JIS Z0237：2009的90°剝離試驗，針對所製作的積層體中保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力，分保持膜A及保持膜B而分別進行測定。而且，針對與保持膜A及保持膜B相關的測定值，根據其大小，認定了P1（大的一者）、P2（小的一者）。 而且，將另外製作的積層體在60℃下放置（保存）12小時，實施依據JIS Z0237：2009的90°剝離試驗，針對放置後的積層體中保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力，分保持膜A及保持膜B而分別進行測定。 另外，在對其中一個保持膜與薄膜結構體的界面處的剝離力進行測定時，以另一個保持膜不會被剝離的方式進行了固定。 而且，在剝離力的測定中，在薄膜結構體的幾乎整個表面被帶至保持膜側的情況下，認為未能完成測定對象的剝離，並定為「不可測定」。
（薄膜結構體的破損的評價） 首先，自所製作的積層體剝離保持膜A及保持膜B中藉由所述測定而剝離力小的一方的保持膜（第2保持膜），製成單面剝離積層體。並且，觀察了此時的薄膜結構體的破損狀況（第2保持膜側）。另外，在保持膜A與保持膜B的剝離力相同的情況下，剝離保持膜B並進行了觀察。 其次，準備玻璃基板，並在其上塗佈UV硬化性樹脂，並且對單面剝離積層體以將薄膜結構體的露出面朝向基板上的UV硬化性樹脂的方式進行按壓。其次，對UV硬化性樹脂以1000 mJ/cm2
的照射量照射UV光，使薄膜結構體與玻璃基板固著。之後，解除按壓，將單面剝離積層體的第1保持膜自經固著的薄膜結構體剝離。並且，對此時的薄膜結構體的破損的狀況（第1保持膜側）進行了觀察。 基於所述觀察，依據以下的基準，進行了薄膜結構體的破損的評價。 A：未觀察到薄膜結構體的破損（包括微細凹凸結構的破損） B：薄膜結構體的表面的一部分被帶至保持膜側 C：薄膜結構體的幾乎整個表面被帶至保持膜側 D：保持膜未接著在薄膜結構體上，因此在使用薄膜結構體時產生了污損。
（實施例1） ＜保持膜A的製作＞ 作為保持膜A的基底基材，準備PET膜（東洋紡股份有限公司製造、「A4300」、厚度125 μm），在所述基底基材的其中一個面上塗佈UV硬化性樹脂。並且，使在表面形成有微細的凹凸圖案的輥與所述UV硬化性樹脂密接，藉由輥對輥（roll to roll）方式將輥的凹凸圖案轉印至UV硬化性樹脂，並且藉由UV光的照射將UV硬化性樹脂硬化，從而在基底基材上形成了微細凹凸層。另外，微細凹凸層具有凹凸間距：150 nm～230 nm、凹部深度：約200 nm的凹凸圖案。 其次，在微細凹凸層的表面藉由濺鍍法形成了厚度20 nm的作為無機膜的金屬矽層。之後，在實施了氧電漿處理之後，使用氟系塗佈劑（3M公司製造、「Novec（註冊商標）1720」在其上形成了剝離膜。 藉由如此，獲得了包括基底基材、微細凹凸層、無機膜及剝離膜的保持膜A。
＜保持膜B的製作＞ 在保持膜A的製作中，作為無機膜，是藉由濺鍍法來形成厚度20 nm的金屬矽層，代替於此，藉由濺鍍法形成了厚度20 nm的氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）層，除此之外，與保持膜A的製作相同。 藉由如此，獲得了包括基底基材、微細凹凸層、無機膜及剝離膜的保持膜B。
＜積層體的製作＞ 在所製作的保持膜A的形成有微細凹凸層的一側的面上，塗佈UV硬化性樹脂，毫無遺漏地塗覆剝離膜上的凹凸面，並且將所製作的保持膜B以形成有微細凹凸層的一側與保持膜A相向的方式進行積層，並利用輥積層機進行了壓接。另外，作為UV硬化性樹脂，使用東亞合成股份有限公司製造「UVX6366」，而且，對所述UV硬化性樹脂分別添加了相對於UV硬化性樹脂的質量而為約20%的比例的四氫呋喃甲醇（Tetrahydrofurfuryl Alcohol，THFA）及1,6-己二醇二丙烯酸酯（1,6-Hexanediol Diacrylate，HDDA）。並且，藉由在積層狀態下以1000 mJ/cm2
的照射量照射UV光，將UV硬化性樹脂硬化而形成薄膜結構體，從而獲得了積層體。另外，被兩個保持膜夾持著的薄膜結構體的兩個面與各保持膜的微細凹凸層無縫咬合，形成了與各保持膜的微細凹凸層的凹凸圖案相對應的凹凸圖案（凹凸間距：150 nm～230 nm、凹部深度：約200 nm的反轉凹凸圖案）。而且，藉由SEM影像，薄膜結構體的厚度為約1 μm，薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度為200 nm。
（實施例2） 在實施例1中，作為形成在保持膜A上的無機膜，是藉由濺鍍法來形成厚度20 nm的金屬矽層，代替於此，藉由濺鍍法形成了厚度20 nm的氧化鎢層，除此之外，以與實施例1相同的方式，獲得了積層體。另外，被兩個保持膜夾持著的薄膜結構體的兩個面與各保持膜的微細凹凸層無縫咬合，形成了與各保持膜的微細凹凸層的凹凸圖案相對應的凹凸圖案（凹凸間距：150 nm～230 nm、凹部深度：約200 nm的反轉凹凸圖案）。而且，薄膜結構體的厚度為約1 μm。
（比較例1） ＜保持膜A的製作＞ 在實施例1的保持膜A的製作中，作為無機膜，是藉由濺鍍法來形成厚度20 nm的金屬矽層，代替於此，藉由濺鍍法形成了厚度20 nm的氧化鎢層，除此之外，與實施例1的保持膜A的製作相同。 藉由如此，獲得了包括基底基材、微細凹凸層、無機膜及剝離膜的保持膜A。
＜積層體的製作＞ 在所製作的保持膜A的形成有微細凹凸層的一側的面上，塗佈UV硬化性樹脂，毫無遺漏地塗覆剝離膜上的凹凸面，並且積層鏡面玻璃板並利用輥積層機進行壓接。並且，藉由在積層狀態下以1000 mJ/cm2
的照射量照射UV光，將UV硬化性樹脂硬化而形成了薄膜結構體。之後，剝離鏡面玻璃板，並在剝離面上利用積層機積層表面平坦的保持膜B（山櫻化研（Sun A. Kaken）股份有限公司製造的「PAC2-70-G」），從而獲得了積層體。另外，關於薄膜結構體，其保持膜B側的面具有平坦結構，並且其厚度為約1 μm。
（比較例2） 使用二村（Futamura）化學股份有限公司製造的「FSA-050M」代替比較例1中作為表面平坦的保持膜B的山櫻化研股份有限公司製造的「PAC2-70-G」，除此之外，以與比較例1相同的方式，獲得了積層體。另外，關於薄膜結構體，其保持膜B側的面具有平坦結構，並且其厚度為約1 μm。
（比較例3） 獲得了與比較例1的保持膜A相同的保持膜A。其次，在保持膜A的形成有微細凹凸層的一側的面上，塗佈UV硬化性樹脂，毫無遺漏地塗覆剝離膜上的凹凸面。其次，將在表面形成有微細凹凸圖案的圓盤壓接在所述UV硬化性樹脂上，在此狀態下，以1000 mJ/cm2
的照射量照射UV光，藉此將UV硬化性樹脂硬化而形成了薄膜結構體。之後，自圓盤剝離，在剝離面上利用積層機積層表面平坦的保持膜B（山櫻化研股份有限公司製造的「PAC2-70-G」），從而獲得了積層體。另外，圓盤的凹凸圖案為，凹凸間距：150 nm～230 nm、凹部深度：約200 nm。此處，薄膜結構體的其中一個面與保持膜A的微細凹凸層無縫咬合，形成有與保持膜A的微細凹凸層的凹凸圖案相對應的凹凸圖案。而且，薄膜結構體的另一個面形成有與圓盤的凹凸圖案相對應的凹凸圖案。並且，薄膜結構體的厚度為約1 μm。
（比較例4） 使用二村（Futamura）化學股份有限公司製造的「FSA-050M」代替比較例3中作為表面平坦的保持膜B的山櫻化研股份有限公司製造的「PAC2-70-G」，除此之外，以與比較例3相同的方式，獲得了積層體。此處，薄膜結構體的其中一個面與保持膜A的微細凹凸層無縫咬合，形成有與保持膜A的微細凹凸層的凹凸圖案相對應的凹凸圖案。而且，薄膜結構體的另一個面形成有與圓盤的凹凸圖案相對應的凹凸圖案。並且，薄膜結構體的厚度為約1 μm。
（比較例5） 使用與實施例1的保持膜B相同的保持膜作為實施例1中的保持膜A，除此之外，以與實施例1相同的方式獲得了積層體。另外，薄膜結構體的厚度為約1 μm。
[表2]
根據表2可知：薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構並且對薄膜結構體的其中一個面與另一個面中的與積層的保持膜的剝離力設置了差異的、實施例1、實施例2的積層體在剝離兩枚保持膜中的任一者時均可穩定地進行剝離，並且可抑制薄膜結構體及其微細凹凸結構的破壞。另外，此種積層體藉由以保持膜的剝離力小的一者作為支撐體，以剝離力大的一者作為分離體，而能夠以衝壓齒形對剝離力大的保持膜進行衝壓，進而直接將剝離力小的保持膜半切（half cut）。此時，若利用真空拾取器（pick）等對剝離力大的保持膜的衝壓部進行拾取，則可因追隨保持膜而亦拾取薄膜結構體並將其輸送至基板，面積效率及利用效率高的製程（process）成為可能。
另外，比較例1的積層體在保存時劣化，所以確認到薄膜結構體的破損，比較例2的積層體在保存前及保持後均確認到薄膜結構體的破損。 而且，比較例3、比較例4的積層體中，未達成保持膜B與薄膜結構體的微細凹凸結構的接合，所以在市場上流通時保持膜B剝落，無法避免薄膜結構體、尤其是微細凹凸結構的污損及破損。 而且，比較例5的積層體中兩個保持膜的剝離力相同，所以在自薄膜結構體剝離保持膜B時，微細凹凸結構的大半被帶至保持膜側，在薄膜結構體中產生破損。
其次，如下進行了使用積層體在基板上形成光學體的試驗。另外，作為基板，使用了難接著性的基板即COP基板。
（積層體的製作） 製作了與所述實施例1相同的積層體（規定稱為積層體Ⅰ。薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度：200 nm）。而且，除去對所述實施例1中，利用輥積層機進行壓接時的壓力或輥積層機的進給速度進行了調節之外，以與實施例1相同的方式分別製作了積層體Ⅱ（薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度：40 nm）、積層體Ⅲ（薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度：400 nm）。
（光學體的形成） 自所製作的各積層體剝離保持膜B而獲得了單面剝離積層體。另一方面，將作為接著劑的UV硬化性丙烯酸系樹脂（東亞合成股份有限公司製造的LCR系列）塗佈至COP基板之上。其次，將單面剝離積層體以被剝離了保持膜B的一面朝向COP基板的方式按壓至塗佈在COP基板上的接著劑。其次，對被按壓著的接著劑照射UV光，將接著劑硬化。其次，解除對單面剝離積層體的按壓，一邊使單面剝離積層體成為90°一邊將其自COP基板釋放，藉此，使藉由硬化後的接著劑固著的薄膜結構體與藉由硬化後的接著劑固著的固著部位以外的薄膜結構體斷開並自單面剝離積層體剝離，從而在COP基板上形成了光學體（包括硬化後的接著劑及薄膜結構體的光學體）。
並且，在使用了各積層體的示例中，對COP基板上的光學體的形成狀況進行了觀察。其結果，在使用了積層體Ⅰ及積層體Ⅱ的示例中，藉由硬化後的接著劑固著的薄膜結構體整體順利地移動至COP基板側，與此相對，在使用了積層體Ⅲ的示例中，藉由硬化後的接著劑固著的薄膜結構體的一部分未移動至COP基板側而是殘存在了單面剝離積層體側。
而且，在使用了各積層體的示例中，對使藉由硬化後的接著劑固著的薄膜結構體與藉由硬化後的接著劑固著的固著部位以外的薄膜結構體斷開並自單面剝離積層體剝離時的、剝離開始時的剝離力進行了測定。將結果示於圖8。根據圖8可知：在使用了積層體Ⅲ的示例中，剝離開始時剝離強度顯著上升（大幅超過了2 N/25 mm）。這表示剝離時產生的強的抵抗力施加至薄膜結構體，從而分離性惡化。
根據以上內容可知：尤其是在使用本發明的積層體對難接著性的基板形成光學體的情況下，較佳為薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度小（例如為200 nm以下）。 [產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種能夠不污損或損壞在表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體地在市場上流通以使顧客能夠使用的、包括該薄膜結構體的積層體，並且所述積層體即便在保存後劣化亦得到了抑制。而且，根據本發明，可提供一種使用該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，根據本發明，可提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。
100‧‧‧積層體
100'‧‧‧單面剝離積層體
110、315‧‧‧薄膜結構體
110-1‧‧‧第1微細凹凸結構
110-2‧‧‧第2微細凹凸結構
120a‧‧‧第1保持膜
120a-1‧‧‧第3微細凹凸結構
120b‧‧‧第2保持膜
120b-1‧‧‧第4微細凹凸結構
121‧‧‧基底基材
122‧‧‧微細凹凸層
123、123a、123b‧‧‧無機膜
124、124a、124b‧‧‧剝離膜
151‧‧‧UV硬化性樹脂
160‧‧‧輥積層機
170‧‧‧基板
171‧‧‧接著劑
171'‧‧‧硬化後的接著劑
200‧‧‧光學體
300‧‧‧相機模組搭載裝置
310‧‧‧相機模組
311‧‧‧顯示板
312‧‧‧遮光區域
313‧‧‧透明區域
314‧‧‧接著劑層
T1‧‧‧薄膜結構體的厚度
T2‧‧‧薄膜結構體中非微細凹凸結構的部分的厚度
圖1是表示本發明的一實施形態的積層體的示意剖面圖。 圖2是表示本發明的一實施形態的積層體的保持膜的示意剖面圖。 圖3是表示本發明的一實施形態的積層體的示意剖面圖。 圖4是表示本發明的一實施形態的積層體的示意剖面圖。 圖5A是表示用以製造本發明的一實施形態的積層體的一例方法的一步驟的概要圖。 圖5B是表示用以製造本發明的一實施形態的積層體的一例方法的一步驟的概要圖。 圖6A是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖6B是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖6C是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖6D是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖6E是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖7是表示本發明的一實施形態的相機模組搭載裝置的相機模組附近的示意概要圖。 圖8是表示使用本發明的一實施形態的積層體在難接著性基板上形成光學體時的、剝離開始時的剝離力的測定結果的圖。
Claims (14)
- 一種積層體，其包括薄膜結構體及保持膜，所述積層體的特徵在於： 在所述薄膜結構體的其中一個面上積層第1保持膜，並且在所述薄膜結構體的另一個面上積層第2保持膜， 所述薄膜結構體在與所述第1保持膜接觸的面上具有第1微細凹凸結構，並且在與所述第2保持膜接觸的面上具有第2微細凹凸結構， 所述第1保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第3微細凹凸結構， 所述第2保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第4微細凹凸結構， 在依據日本工業標準Z0237：2009的90°剝離試驗中，設所述第1保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設所述第2保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足0＜P1、0＜P2及P1≠P2。
- 如申請專利範圍第1項所述的積層體，其中，所述第3微細凹凸結構是所述第1微細凹凸結構的反轉結構，所述第4微細凹凸結構是所述第2微細凹凸結構的反轉結構。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的積層體，其中所述薄膜結構體的厚度為10 μm以下。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的積層體，其中所述薄膜結構體的非微細凹凸結構的部分的厚度為200 nm以下。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的積層體，其中，在自所述積層體剝離所述第2保持膜而獲得單面剝離積層體，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第2保持膜的一面朝向基板的方式按壓至被塗佈在具有包括環烯烴共聚物、環烯烴聚合物或環氧丙烯酸酯共聚物的表面的所述基板之上的、含有紫外線硬化性丙烯酸系樹脂或紫外線硬化性環氧系樹脂的接著劑，並照射紫外線光而將所述接著劑硬化之後實施的、使藉由硬化後的所述接著劑固著的薄膜結構體與藉由硬化後的所述接著劑固著的固著部位以外的薄膜結構體斷開並自所述單面剝離積層體剝離的90°剝離試驗中，剝離開始時的剝離力為2 N/25 mm以下。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的積層體，其中所述薄膜結構體包括單一構件。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的積層體，其中，所述第1微細凹凸結構、所述第2微細凹凸結構、所述第3微細凹凸結構及所述第4微細凹凸結構分別包括具有可見光波長以下的間距的凹凸圖案。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的積層體，其中，在設60℃下放置12小時之後的所述第1保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1'（N/25 mm），並設60℃下放置12小時之後的所述第2保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2'（N/25 mm）時，滿足P1'/P1≦1.5及P2'/P2≦1.5。
- 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的積層體，其中，所述第1保持膜及所述第2保持膜中的至少任一者在與所述薄膜結構體積層側的面上包括無機膜。
- 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的積層體，其中，所述第1保持膜及所述第2保持膜中的至少任一者在與所述薄膜結構體積層側的面上包括剝離膜。
- 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的積層體，其中，所述第1保持膜的厚度與所述第2保持膜的厚度不同。
- 一種在基板上形成光學體的方法，其特徵在於，自如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的積層體剝離所述第1保持膜及所述第2保持膜，將所述薄膜結構體經由接著劑而積層於基板。
- 如申請專利範圍第12項所述的在基板上形成光學體的方法，其包括： 第1剝離步驟，自所述積層體剝離所述第2保持膜，獲得單面剝離積層體； 塗佈步驟，將接著劑塗佈在基板上； 按壓步驟，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第2保持膜的一面朝向所述基板的方式按壓至被塗佈的所述接著劑； 硬化步驟，對被按壓著的所述接著劑照射紫外線光，將所述接著劑硬化；以及 第2剝離步驟，解除對所述單面剝離積層體的按壓，將所述薄膜結構體自所述單面剝離積層體剝離，而將包括硬化後的接著劑及具有與所述接著劑大致相同的尺寸的薄膜結構體的光學體形成在所述基板上。
- 一種相機模組搭載裝置，其特徵在於包括： 相機模組及顯示板； 所述顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在所述接著劑層上的薄膜結構體， 所述薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構， 所述相機模組以與所述薄膜結構體相向的方式設置。
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