TW201904939A - 光阻材料及圖案形成方法 - Google Patents

光阻材料及圖案形成方法

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大橋正樹
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Abstract

本發明之課題係提供無論在正型光阻材料或負型光阻材料，皆為高感度且LWR、CDU小的光阻材料，及使用該光阻材料之圖案形成方法。該課題之解決方法係一種光阻材料，含有基礎聚合物及包含下式(A-1)表示之鋶鹽或下式(A-2)表示之錪鹽之酸產生劑。

Description

光阻材料及圖案形成方法
本發明關於光阻材料及圖案形成方法。
伴隨LSI的高積體化與高速化，圖案規則的微細化也在急速進展。尤其，智慧手機等所使用的邏輯器件正引領著微細化，使用ArF微影所為之多重曝光(多重圖案微影，multi-patterning lithography)處理，10nm節點之邏輯器件業已量產。
接下來的7nm節點、5nm節點之微影已經體現出利用多重曝光之高成本、或多重曝光中的疊合精度之問題，期待著可減少曝光次數之EUV微影的到來。
波長13.5nm之極紫外線(EUV)，與波長193nm之ArF準分子雷射相比，前者波長為後者之1/10以下之短波長，故就EUV微影而言，光的對比度高，高解析受到期待。EUV由於係短波長且能量密度高，故少量的光子就會使酸產生劑感光。EUV曝光中的光子之數量據認為係ArF曝光的1/14。在EUV曝光中，因為光子的偏差導致線的邊緣粗糙度(LWR)、孔洞的尺寸均一性(CDU)劣化之現象被視為問題(非專利文獻1)。
伴隨圖案之微細化，線圖案之邊緣粗糙度(LWR)及孔洞圖案之尺寸均一性(CDU)也被視為問題。有人指摘有基礎聚合物、酸產生劑的分佈不均、或凝聚的影響、或酸擴散的影響。此外，LWR隨著光阻膜的薄膜化而有變大的傾向，且隨著微細化進展之薄膜化所導致的LWR之劣化已成為嚴重的問題。
在EUV光阻中，必須同時達成高感度化、高解析度化及低LWR化。雖然酸擴散距離縮短則LWR會減小，但會造成低感度化。例如，藉由將曝光後烘烤(PEB)溫度降低，LWR會縮小，但會造成低感度化。增加淬滅劑的添加量也可降低LWR，但會造成低感度化。需要破壞感度與LWR的取捨關係。 [先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1]SPIE Vol. 3331 p531(1998)
[發明所欲解決之課題]
期望開發出在將酸作為觸媒之化學增幅光阻材料中，為高感度且能使LWR、孔洞圖案之CDU降低之酸產生劑。
本發明係鑑於前述情事而成，目的為提供：無論在正型光阻材料或負型光阻材料中均為高感度，且LWR、CDU小的光阻材料，以及使用該光阻材料的圖案形成方法。 [解決課題之手段]
本發明人們為了達成前述目的而反覆深入探討後之結果發現：藉由使用含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽或錪鹽作為酸產生劑，可獲得LWR及CDU小、對比度高且解析度優良、製程寬容度大的光阻材料，乃至完成本發明。
亦即，本發明係提供下述光阻材料及圖案形成方法。 1. 一種光阻材料，含有：基礎聚合物及包含下式(A-1)表示之鋶鹽或下式(A-2)表示之錪鹽之酸產生劑。 [化1]式中，X1 為單鍵、醚基、酯基、醯胺基、或具有醚基或酯基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基。R1 為羥基、羧基、烷氧基羰基、氟原子、氯原子、胺基、硝基、或也可含有氟原子、氯原子、溴原子、羥基、胺基或烷氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基或碳數2~20之醯氧基、或-NR8 -C(=O)-R9 或-NR8 -C(=O)-O-R9 ，其中，R8 為氫原子、或也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基，R9 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~16之烷基或碳數2~16之烯基、或碳數6~12之芳基，且也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基。R2 在r為1時係單鍵或碳數1~20之2價連結基，在r為2或3時係碳數1~20之3價或4價連結基，且該連結基也可含有氧原子、硫原子或氮原子。Rf1 ~Rf4 各別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，但它們之中至少1個為氟原子或三氟甲基。又，Rf1 與Rf2 也可合併形成羰基。R3 、R4 、R5 、R6 及R7 各別獨立地為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~12之烯基、碳數2~12之炔基、碳數6~20之芳基、或碳數7~12之芳烷基或芳氧基烷基，且這些基的氫原子之一部分或全部也可取代為羥基、羧基、側氧基、鹵素原子、氰基、醯胺基、硝基、磺內酯基、碸基(sulfone group)或含鋶鹽之基，這些基的碳原子之一部分也可經醚基、酯基、羰基、碳酸酯基或磺酸酯基取代。又，R3 與R4 也可鍵結並與它們所鍵結的硫原子一起形成環。p為1~5之整數。q為0~4之整數。r為1~3之整數。 2. 如1之光阻材料，其中，p為2~5之整數。 3. 如1或2之光阻材料，更含有淬滅劑。 4. 如1~3中任一項之光阻材料，更含有有機溶劑。 5. 如1~4中任一項之光阻材料，其中，前述基礎聚合物包含下式(a1)表示之重複單元或下式(a2)表示之重複單元。 [化2]式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基。Y1 為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自於酯基及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基。Y2 為單鍵或酯基。R11 及R12 為酸不穩定基。R13 為氟原子、三氟甲基、氰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基或烷氧基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~7之醯基、醯氧基或烷氧基羰基。R14 為單鍵、或直鏈狀或分支狀之碳數1~6之伸烷基，且其碳原子之一部分也可經醚基或酯基取代。s為1或2。t為0~4之整數。 6. 如5之光阻材料，更含有溶解抑制劑。 7. 如5或6之光阻材料，其係化學增幅正型光阻材料。 8. 如1~4中任一項之光阻材料，其中，前述基礎聚合物不含酸不穩定基。 9. 如8之光阻材料，更含有交聯劑。 10. 如8或9之光阻材料，其係化學增幅負型光阻材料。 11. 如1~10中任一項之光阻材料，更含有界面活性劑。 12. 如1~11中任一項之光阻材料，其中，前述基礎聚合物更包含選自於下式(f1)~(f3)表示之重複單元中之至少1種。 [化3]式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基。Z1 為單鍵、伸苯基、-O-Z12 -、或-C(=O)-Z11 -Z12 -，Z11 為-O-或-NH-，Z12 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基或碳數2~6之伸烯基、或伸苯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基。R31 ~R38 各別獨立地為也可含有羰基、酯基或醚基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、或碳數6~12之芳基或碳數7~20之芳烷基，且它們的氫原子之一部分或全部也可取代為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷基、鹵素原子、三氟甲基、氰基、硝基、羥基、巰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷氧基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之烷氧基羰基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之醯氧基。又，R33 、R34 及R35 中之任2個或R36 、R37 及R38 中之任2個也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。Z2 為單鍵、-Z21 -C(=O)-O-、-Z21 -O-或-Z21 -O-C(=O)-，Z21 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之伸烷基，且也可含有羰基、酯基或醚基。A為氫原子或三氟甲基。Z3 為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、-O-Z32 -或-C(=O)-Z31 -Z32 -，Z31 為-O-或-NH-，Z32 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~6之伸烯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基。M- 為非親核性相對離子。 13. 一種圖案形成方法，包含下列步驟：將如1~12中任一項之光阻材料塗佈於基板上，並進行加熱處理來形成光阻膜、將前述光阻膜以高能射線進行曝光、以及使用顯影液將已曝光之光阻膜進行顯影。 14. 如13之圖案形成方法，其中，前述高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射或波長248nm之KrF準分子雷射。 15. 如13之圖案形成方法，其中，前述高能射線為電子束(EB)或波長3~15nm之EUV。 [發明之效果]
含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽或錪鹽，由於溴的原子量大，故具有酸擴散小的特徵。此外，溴對於波長13.5nm之EUV之吸收大，故在曝光中，從溴會產生2次電子並成為高感度化。憑藉上述而可建構出高感度、低LWR且低CDU之光阻。
[光阻材料] 本發明之光阻材料包含：基礎聚合物及含有含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽或錪鹽之酸產生劑。前述鋶鹽及錪鹽係因光照射而產生含溴化苯環之氟化磺酸之酸產生劑。本發明之光阻材料中亦可添加會產生與上述不同的磺酸、醯亞胺酸或甲基化酸(methide acid)之酸產生劑，也可和鍵結於基礎聚合物之結合型(bound-type)酸產生劑組合。
將前述含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽及比起前述氟化磺酸為弱酸之磺酸或羧酸的鋶鹽，以混合的狀態實施光照射的話，會產生含溴化苯環之氟化磺酸及比起前述氟化磺酸為弱酸之磺酸或羧酸。酸產生劑並非全部都會分解，故於周遭會存在有未分解之酸產生劑。在此，含溴化苯環之氟化磺酸若與比起前述氟化磺酸為弱酸之磺酸及羧酸的鋶鹽共存的話，含溴化苯環之氟化磺酸會和弱酸之磺酸及羧酸的鋶鹽發生離子交換，並生成含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽，並釋放出弱酸之磺酸、羧酸。原因是就酸而言強度高的含溴化苯環之氟化磺酸鹽較安定。另一方面，含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽即使和弱酸之磺酸、羧酸共存也不會發生離子交換。此依存於酸強度次序所發生的離子交換不僅在鋶鹽，在錪鹽的情況也同樣會發生。作為氟磺酸之酸產生劑而予以組合時，弱酸之鋶鹽、錪鹽會作為淬滅劑而發揮功能。又，溴對於波長13.5nm之EUV的吸收大，故在曝光中會產生2次電子，因2次電子之能量轉移會促進酸產生劑分解，並藉此達到高感度化。尤其溴的取代數為2以上，宜為3以上時，此效果較高。
為了改善LWR，抑制聚合物、酸產生劑的凝聚係為有效。為了抑制聚合物的凝聚，減少疏水性與親水性的差、降低玻璃轉移點(Tg)、或降低聚合物的分子量係為有效。具體而言，減少疏水性之酸不穩定基與親水性之黏合性基的極性差、使用如單環之內酯般緻密的黏合性基來降低Tg等係為有效。就抑制酸產生劑的凝聚而言，在三苯基鋶之陽離子部分導入取代基等係為有效。尤其，對於以脂環族保護基與內酯之黏合性基形成的ArF用之甲基丙烯酸酯聚合物而言，僅以芳香族基形成的三苯基鋶係異質結構，相容性低。就導入到三苯基鋶之取代基而言，可考慮與基礎聚合物所使用者相同之脂環族基或內酯。鋶鹽係親水性，故導入了內酯時，親水性會變得過高，而與聚合物之相容性會降低，造成鋶鹽的凝聚。若導入疏水性之烷基，較能將鋶鹽均勻分散於光阻膜內。國際公開第2011/048919號中有人提出：將烷基導入到會產生α位經氟化之磺醯亞胺酸之鋶鹽以使LWR改善之方法。
前述含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽、錪鹽在陰離子部分導入有原子量大的溴，故擴散小且和聚合物之相容性高，因此分散性優良，藉此而改善LWR、CDU。
因前述含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽、錪鹽而獲致之LWR、CDU之改善效果，無論在利用鹼水顯影所為之正圖案形成、負圖案形成、或利用有機溶劑顯影中的負圖案形成中任一者均為有效。
[含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽及錪鹽] 本發明之光阻材料所含的鋶鹽及錪鹽各別以下式(A-1)及(A-2)表示。 [化4]
式中，X1 為單鍵、醚基、酯基、醯胺基、或具有醚基或酯基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基。R1 為羥基、羧基、烷氧基羰基、氟原子、氯原子、胺基、硝基、或也可含有氟原子、氯原子、溴原子、羥基、胺基或烷氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基或碳數2~20之醯氧基、或-NR8 -C(=O)-R9 或-NR8 -C(=O)-O-R9 ，其中，R8 為氫原子、或也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基，R9 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~16之烷基或碳數2~16之烯基、或碳數6~12之芳基，且也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基。R2 在r為1時係單鍵或碳數1~20之2價連結基，在r為2或3時係碳數1~20之3價或4價連結基，且該連結基也可含有氧原子、硫原子或氮原子。Rf1 ~Rf4 各別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，但它們之中至少1個為氟原子或三氟甲基。又，Rf1 與Rf2 也可合併形成羰基。R3 、R4 、R5 、R6 及R7 各別獨立地為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~12之烯基、碳數2~12之炔基、碳數6~20之芳基、或碳數7~12之芳烷基或芳氧基烷基，且這些基的氫原子之一部分或全部也可取代為羥基、羧基、側氧基、鹵素原子、氰基、醯胺基、硝基、磺內酯基、碸基或含鋶鹽之基，這些基的碳原子之一部分也可經醚基、酯基、羰基、碳酸酯基或磺酸酯基取代。又，R3 與R4 也可鍵結並與它們所鍵結的硫原子一起形成環。p為1~5之整數。q為0~4之整數。r為1~3之整數。
就式(A-1)表示之鋶鹽之陽離子部分而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。 [化5]
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
就式(A-2)表示之錪鹽之陽離子部分而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。
[化15]
就式(A-1)表示之鋶鹽及式(A-2)表示之錪鹽之陰離子部分而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
[化28]
[化29]
[化30]
就式(A-1)表示之鋶鹽及式(A-2)表示之錪鹽之合成方法而言，可例舉和比起含溴化苯環之氟化磺酸為弱酸之鋶鹽或錪鹽進行離子交換的方法。就比含溴化苯環之氟化磺酸弱的酸而言，可列舉碳酸、鹽酸等。又，也可將含溴化苯環之氟化磺酸之鈉鹽、銨鹽和氯化鋶或氯化錪進行離子交換來合成。
在本發明之光阻材料中，考慮感度與酸擴散抑制效果的觀點，式(A-1)表示之鋶鹽或式(A-2)表示之錪鹽之含量相對於後述之基礎聚合物100質量份，宜為0.01~1,000質量份，為0.05~500質量份更佳。
[基礎聚合物] 本發明之光阻材料所含之基礎聚合物，在正型光阻材料的情況，包括含有酸不穩定基之重複單元。就含有酸不穩定基之重複單元而言，宜為下式(a1)表示之重複單元(以下稱重複單元a1)、或下式(a2)表示之重複單元(以下稱重複單元a2)。 [化31]
式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基。Y1 為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自於酯基及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基。Y2 為單鍵或酯基。R11 及R12 為酸不穩定基。R13 為氟原子、三氟甲基、氰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基或烷氧基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~7之醯基、醯氧基或烷氧基羰基。R14 為單鍵、或直鏈狀或分支狀之碳數1~6之伸烷基，且其碳原子之一部分也可經醚基或酯基取代。s為1或2。t為0~4之整數。另外，前述基礎聚合物同時包含重複單元a1及重複單元a2時，R11 及R12 可互為相同亦可為不同。
就重複單元a1而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 及R11 係同前述。 [化32]
就重複單元a2而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 及R12 係同前述。 [化33]
式(a1)及(a2)中，就R11 及R12 表示之酸不穩定基而言，可列舉例如：日本特開2013-80033號公報、日本特開2013-83821號公報所記載者。
就具代表性之前述酸不穩定基而言，可列舉下式(AL-1)~(AL-3)表示者。 [化34]
式(AL-1)及(AL-2)中，R15 及R18 為直鏈狀或分支狀或環狀之烷基等碳數1~40，宜為1~20之1價烴基，且也可含有氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。R16 及R17 各別獨立地為氫原子、或直鏈狀或分支狀或環狀之烷基等碳數1~20之1價烴基，且也可含有氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。又，R16 、R17 及R18 中之任2個也可互相鍵結，並與它們所鍵結的碳原子或碳原子與氧原子一起形成碳數3~20，宜為4~16之環，為脂環特佳。A1為0~10，宜為1~5之整數。
式(AL-3)中，R19 、R20 及R21 各別獨立地為直鏈狀或分支狀或環狀之烷基等碳數1~20之1價烴基，且也可含有氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。又，R19 、R20 及R21 中之任2個也可互相鍵結，並與它們所鍵結的碳原子一起形成碳數3~20，宜為4~16之環，為脂環特佳。
前述基礎聚合物也可更包括含有酚性羥基作為黏合性基之重複單元b。就提供重複單元b之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 係同前述。
[化35]
前述基礎聚合物也可更包括含有酚性羥基以外之羥基、內酯環、醚基、酯基、羰基、氰基、或羧基作為其他黏合性基之重複單元c。就提供重複單元c之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 係同前述。
[化36]
[化37]
[化38]
[化39]
[化40]
[化41]
[化42]
[化43]
含有羥基之單體的情況，在聚合時可事先將羥基取代為乙氧基乙氧基(ethoxyethoxy)等容易因酸而脫保護之縮醛基，並於聚合後利用弱酸與水來實施脫保護；亦可事先取代為乙醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等，並於聚合後實施鹼水解。
前述基礎聚合物也可更包含源自茚、苯并呋喃、苯并噻吩、苊、色酮、香豆素、降莰二烯或它們的衍生物之重複單元d。就提供重複單元d之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。
[化44]
前述基礎聚合物也可更包含源自苯乙烯、乙烯基萘、乙烯基蒽、乙烯基芘、亞甲基二氫茚、乙烯基吡啶或乙烯基咔唑之重複單元e。
前述基礎聚合物也可更包含源自含有聚合性不飽和鍵之鎓鹽之重複單元f。就理想的重複單元f而言，可列舉：下式(f1)表示之重複單元(以下稱重複單元f1)、下式(f2)表示之重複單元(以下稱重複單元f2)、及下式(f3)表示之重複單元(以下稱重複單元f3)。另外，重複單元f1~f3可單獨使用1種，也可將2種以上組合使用。 [化45]
式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基。Z1 為單鍵、伸苯基、-O-Z12 -、或-C(=O)-Z11 -Z12 -，Z11 為-O-或-NH-，Z12 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基或碳數2~6之伸烯基、或伸苯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基。R31 ~R38 各別獨立地為也可含有羰基、酯基或醚基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、或碳數6~12之芳基或碳數7~20之芳烷基，且它們的氫原子之一部分或全部也可取代為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷基、鹵素原子、三氟甲基、氰基、硝基、羥基、巰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷氧基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之烷氧基羰基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之醯氧基。又，R33 、R34 及R35 中之任2個或R36 、R37 及R38 中之任2個也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。Z2 為單鍵、-Z21 -C(=O)-O-、-Z21 -O-或-Z21 -O-C(=O)-，Z21 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之伸烷基，且也可含有羰基、酯基或醚基。A為氫原子或三氟甲基。Z3 為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、-O-Z32 -或-C(=O)-Z31 -Z32 -，Z31 為-O-或-NH-，Z32 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~6之伸烯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基。M- 為非親核性相對離子。
就提供重複單元f1之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 及M- 係如同前述。 [化46]
就M- 表示之非親核性相對離子而言，可列舉：氯化物離子、溴化物離子等鹵化物離子；三氟甲磺酸鹽離子、1,1,1-三氟乙磺酸鹽離子、九氟丁磺酸鹽離子等氟烷基磺酸鹽離子；甲苯磺酸鹽離子、苯磺酸鹽離子、4-氟苯磺酸鹽離子、1,2,3,4,5-五氟苯磺酸鹽離子等芳基磺酸鹽離子；甲磺酸鹽離子、丁磺酸鹽離子等烷基磺酸鹽離子；雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺離子、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺離子、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺離子等醯亞胺酸離子；參(三氟甲基磺醯基)甲基化物離子、參(全氟乙基磺醯基)甲基化物離子等甲基化酸離子。
就前述非親核性相對離子而言，進一步可列舉：下式(K-1)表示之α位經氟取代之磺酸離子、下式(K-2)表示之α及β位經氟取代之磺酸離子等。 [化47]
式(K-1)中，R51 為氫原子、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~20之烷基或碳數2~20之烯基、或碳數6~20之芳基，且也可含有醚基、酯基、羰基、內酯環或氟原子。
式(K-2)中，R52 為氫原子、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~30之烷基、碳數2~20之醯基或碳數2~20之烯基、或碳數6~20之芳基或芳氧基，且也可含有醚基、酯基、羰基或內酯環。
就提供重複單元f2之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 係同前述。 [化48]
[化49]
[化50]
[化51]
[化52]
就提供重複單元f3之單體而言，可列舉如下所示者，但不限於它們。另外，下式中，RA 係同前述。 [化53]
[化54]
藉由使酸產生劑鍵結於聚合物主鏈，可減少酸擴散，並防止因酸擴散的模糊所導致之解析度的降低。又，藉由均勻地分散酸產生劑，會改善邊緣粗糙度。
正型光阻材料用之基礎聚合物必須包含含有酸不穩定基之重複單元a1或a2。此時，重複單元a1、a2、b、c、d、e及f之含有比率宜為0≦a1＜1.0，0≦a2＜1.0，0＜a1＋a2＜1.0，0≦b≦0.9，0≦c≦0.9，0≦d≦0.8，0≦e≦0.8，及0≦f≦0.5，為0≦a1≦0.9，0≦a2≦0.9，0.1≦a1＋a2≦0.9，0≦b≦0.8，0≦c≦0.8，0≦d≦0.7，0≦e≦0.7，及0≦f≦0.4更佳，為0≦a1≦0.8，0≦a2≦0.8，0.1≦a1＋a2≦0.8，0≦b≦0.75，0≦c≦0.75，0≦d≦0.6，0≦e≦0.6，及0≦f≦0.3再更佳。另外，重複單元f係選自於重複單元f1~f3中之至少1種時，f=f1＋f2＋f3。又，a1＋a2＋b＋c＋d＋e＋f=1.0。
另一方面，負型光阻材料用之基礎聚合物則不必一定要有酸不穩定基。就如此的基礎聚合物而言，可列舉含有重複單元b，因應需要更含有重複單元c、d、e及/或f者。該等重複單元之含有比率宜為0＜b≦1.0，0≦c≦0.9，0≦d≦0.8，0≦e≦0.8，及0≦f≦0.5，為0.2≦b≦1.0，0≦c≦0.8，0≦d≦0.7，0≦e≦0.7，及0≦f≦0.4更佳，為0.3≦b≦1.0，0≦c≦0.75，0≦d≦0.6，0≦e≦0.6，及0≦f≦0.3再更佳。另外，重複單元f係選自於重複單元f1~f3中之至少1種時，f=f1＋f2＋f3。又，b＋c＋d＋e＋f=1.0。
就合成前述基礎聚合物而言，例如若將提供前述重複單元之單體，在有機溶劑中，添加自由基聚合起始劑後進行加熱，並實施聚合即可。
就聚合時所使用的有機溶劑而言，可列舉：甲苯、苯、四氫呋喃、二乙醚、二烷等。就聚合起始劑而言，可列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯等。聚合時的溫度宜為50~80℃。反應時間宜為2~100小時，為5~20小時更佳。
將羥苯乙烯、羥乙烯基萘予以共聚合時，也可使用乙醯氧基苯乙烯、乙醯氧基乙烯基萘替代羥苯乙烯、羥乙烯基萘，並於聚合後利用前述鹼水解來將乙醯氧基脫保護而製成羥苯乙烯、羥乙烯基萘。
就鹼水解時的鹼而言，可使用氨水、三乙胺等。又，反應溫度宜為-20~100℃，為0~60℃更佳。反應時間宜為0.2~100小時，為0.5~20小時更佳。
就前述基礎聚合物而言，以使用四氫呋喃(THF)作為溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)所為之聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)宜為1,000~500,000，為2,000~30,000更佳。Mw過小的話，光阻材料之耐熱性不良，過大的話，鹼溶解性會降低，且圖案形成後容易發生拖尾現象。
此外，前述基礎聚合物中分子量分佈(Mw/Mn)較廣時，會存在低分子量、高分子量之聚合物，故會有於曝光後在圖案上看見異物、或圖案的形狀惡化的疑慮。由於Mw、分子量分佈的影響容易跟隨圖案規則之微細化而變大，故為了獲得適用於微細的圖案尺寸之光阻材料，前述基礎聚合物之分子量分佈宜為1.0~2.0，尤其宜為1.0~1.5之狹窄分散。
前述基礎聚合物也可含有不同組成比率、Mw、分子量分佈的2個以上之聚合物。
[淬滅劑] 本發明之光阻材料中也可摻合淬滅劑。就前述淬滅劑而言，可列舉習知類型的鹼性化合物。就習知類型的鹼性化合物而言，可列舉：一級、二級、三級脂肪族胺類、混成胺類(hybrid amines)、芳香族胺類、雜環胺類、含有羧基之含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯胺類、醯亞胺類、胺基甲酸酯類等。尤其宜為日本特開2008-111103號公報之段落[0146]~[0164]所記載之一級、二級、三級胺化合物，為具有羥基、醚基、酯基、內酯環、氰基、磺酸酯基之胺化合物或日本專利第3790649號公報所記載之具有胺基甲酸酯基之化合物等特佳。藉由添加如此的鹼性化合物，例如可更抑制光阻膜中之酸的擴散速度、或可修正形狀。
又，作為前述淬滅劑可列舉日本特開2008-158339號公報所記載之α位未氟化之磺酸的鋶鹽、錪鹽、銨鹽等之鎓鹽。α位經氟化之磺酸、醯亞胺酸或甲基化酸在使羧酸酯之酸不穩定基脫保護時係為必要，而利用和α位未氟化之鎓鹽的鹽交換會放出α位未氟化之磺酸。α位未氟化之磺酸不會引起脫保護反應，故作為淬滅劑而發揮功能。
此外，下式(1)表示之羧酸鎓鹽也可適當地使用作為淬滅劑。 [化55]
式(1)中，R401 表示也可含有雜原子之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~40之1價烴基。MA ＋ 表示鎓離子。就前述鎓離子而言，可列舉：鋶離子、錪離子等。就前述鋶離子而言，可列舉和就式(A-1)表示之鋶鹽之陽離子部分而言，已於前述之同樣者。又，就錪離子而言，可列舉和就式(A-2)表示之錪鹽之陽離子部分而言已於前述之同樣者。
就前述羧酸鎓鹽之陰離子部分而言，宜為下式(2)表示者。 [化56]
式(2)中，R402 及R403 各別獨立地表示氫原子、氟原子或三氟甲基。R404 表示氫原子、羥基、也可含有雜原子之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~35之1價烴基、或有取代或無取代之碳數6~30之芳基。
就前述淬滅劑而言，更可列舉日本特開2008-239918號公報所記載之聚合物型淬滅劑。該聚合物型淬滅劑係藉由配向於塗佈後之光阻表面來提高圖案化後之光阻的矩形性。聚合物型淬滅劑在使用浸潤式曝光用之保護膜時，也有防止圖案膜之損失、圖案之圓頂化的效果。
本發明之光阻材料中，前述淬滅劑的含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0~5質量份，為0~4質量份更佳。
[有機溶劑] 本發明之光阻材料中也可摻合有機溶劑。就前述有機溶劑而言，若為能溶解前述各成分及後述各成分者，則無特別限制。就如此的有機溶劑而言，可列舉日本特開2008-111103號公報之段落[0144]~[0145]所記載之環己酮、環戊酮、甲基-2-正戊酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸三級丁酯、丙酸三級丁酯、丙二醇單三級丁醚乙酸酯等酯類；γ-丁內酯等內酯類；以及它們的混合溶劑。
本發明之光阻材料中，前述有機溶劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為100~10,000質量份，為200~8,000質量份更佳。
[其他成分] 除了摻合前述成分之外，藉由因應目的適當組合摻合其他酸產生劑、界面活性劑、溶解抑制劑、交聯劑等來構成正型光阻材料及負型光阻材料，由於在曝光部會因觸媒反應以致前述基礎聚合物對顯影液之溶解速度加快，故可製成極高感度之正型光阻材料及負型光阻材料。此時，光阻膜之溶解對比度及解析度高並具有曝光寬容度，製程適應性優良，曝光後之圖案形狀良好，且尤其可抑制酸擴散，故疏密尺寸差小，基於上述而可製成實用性高、作為超大型積體電路(VLSI)用光阻材料非常有效之光阻材料。尤其是製成利用酸觸媒反應之化學增幅正型光阻材料的話，可製成更高感度之光阻材料，同時亦為諸多特性更優良的光阻材料，極為有效。
本發明之光阻材料在不損及本發明之效果之範圍內，也可包含式(A-1)表示之鋶鹽或式(A-2)表示之錪鹽以外的酸產生劑(以下稱其他酸產生劑)。就其他酸產生劑而言，可列舉：感應活性光線或放射線而產生酸的化合物(光酸產生劑)。就光酸產生劑的成分而言，若為利用高能射線照射而產生酸的化合物，則為任意均無妨，但宜為產生磺酸、醯亞胺酸或甲基化酸之酸產生劑。就理想的光酸產生劑而言，有鋶鹽、錪鹽、磺醯基重氮甲烷、N-磺醯氧基醯亞胺、肟-O-磺酸酯型酸產生劑等。就酸產生劑之具體例而言，係如日本特開2008-111103號公報之段落[0122]~[0142]所記載。其他酸產生劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0~200質量份，為0.1~100質量份更佳。
正型光阻材料的情況，藉由摻合溶解抑制劑，可進一步加大曝光部與未曝光部之溶解速度差，可使解析度更改善。負型光阻材料的情況，藉由添加交聯劑，可使曝光部之溶解速度降低並藉此獲得負圖案。
就前述界面活性劑而言，可列舉日本特開2008-111103號公報之段落[0165]~[0166]所記載者。藉由添加界面活性劑，可進一步改善或控制光阻材料之塗佈性。本發明之光阻材料中，界面活性劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0.0001~10質量份。
就前述溶解抑制劑而言，可列舉：分子量宜為100~1,000，為150~800更佳，而且分子內含有2個以上之酚性羥基之化合物，且該酚性羥基之氫原子以就整體而言為0~100莫耳%之比例被取代為酸不穩定基之化合物、或分子內含有羧基之化合物，且該羧基之氫原子以就整體而言為平均50~100莫耳%之比例被取代為酸不穩定基之化合物。具體而言可列舉雙酚A、參酚、酚酞、甲酚酚醛清漆樹脂、萘羧酸、金剛烷羧酸、膽酸中之羥基、羧基之氫原子取代為酸不穩定基之化合物等，例如日本特開2008-122932號公報之段落[0155]~[0178]所記載。
本發明之光阻材料為正型光阻材料時，溶解抑制劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0~50質量份，為5~40質量份更佳。
就交聯劑而言，可列舉經選自於羥甲基、烷氧基甲基及醯氧基甲基中之至少1個基取代之環氧化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、甘脲化合物或脲化合物、異氰酸酯化合物、疊氮化合物、含有烯基醚基等雙鍵之化合物等。它們可作為添加劑使用，也可作為懸垂基(pendant group)而導入到聚合物側鏈中。又，含有羥基之化合物也可作為交聯劑使用。
就前述環氧化合物而言，可列舉：異氰尿酸參(2,3-環氧丙酯)、三羥甲基甲烷三環氧丙醚、三羥甲基丙烷三環氧丙醚、三羥乙基乙烷三環氧丙醚等。
就前述三聚氰胺化合物而言，可列舉：六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺中之1~6個羥甲基經甲氧基甲基化而成的化合物或其混合物、六甲氧基乙基三聚氰胺、六醯氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺中之1~6個羥甲基經醯氧基甲基化而成的化合物或其混合物等。
就胍胺化合物而言，可列舉：四羥甲基胍胺、四甲氧基甲基胍胺、四羥甲基胍胺中之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化而成的化合物或其混合物、四甲氧基乙基胍胺、四醯氧基胍胺、四羥甲基胍胺中之1~4個羥甲基經醯氧基甲基化而成的化合物或其混合物等。
就甘脲化合物而言，可列舉：四羥甲基甘脲、四甲氧基甘脲、四甲氧基甲基甘脲、四羥甲基甘脲中之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化而成的化合物或其混合物、四羥甲基甘脲中之1~4個羥甲基經醯氧基甲基化而成的化合物或其混合物等。就脲化合物而言，可列舉：四羥甲基脲、四甲氧基甲基脲、四羥甲基脲中之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化而成的化合物或其混合物、四甲氧基乙基脲等。
就異氰酸酯化合物而言，可列舉：二異氰酸甲苯酯、二異氰酸二苯基甲烷酯、二異氰酸六亞甲酯、二異氰酸環己烷酯等。
就疊氮化合物而言，可列舉：1,1'-聯苯-4,4'-雙疊氮化物、4,4'-亞甲基雙疊氮化物、4,4'-氧基雙疊氮化物等。
就含有烯基醚基之化合物而言，可列舉：乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚、1,2-丙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚、四亞甲基二醇二乙烯基醚、新戊二醇二乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、己二醇二乙烯基醚、1,4-環己二醇二乙烯基醚、新戊四醇三乙烯基醚、新戊四醇四乙烯基醚、山梨糖醇四乙烯基醚、山梨糖醇五乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚等。
本發明之光阻材料為負型光阻材料的情況，交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0.1~50質量份，為1~40質量份更佳。
本發明之光阻材料中也可摻合用來改善旋塗後之光阻表面的撥水性之高分子化合物(撥水性改善劑)。前述撥水性改善劑可使用在未利用表面塗層(top coat)之浸潤式微影。就前述撥水性改善劑而言，宜為含有氟化烷基之高分子化合物、具有特定結構之含有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇殘基之高分子化合物等，為日本特開2007-297590號公報、日本特開2008-111103號公報等所例示者更佳。前述撥水性改善劑必須溶解於有機溶劑顯影液中。前述特定之具有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇殘基之撥水性改善劑溶解到顯影液中之溶解性良好。作為撥水性改善劑，包括含有胺基、胺鹽之重複單元之高分子化合物，其防止PEB中之酸的蒸發進而防止顯影後之孔洞圖案的開口不良之效果高。本發明之光阻材料中，撥水性改善劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0~20質量份，為0.5~10質量份更佳。
本發明之光阻材料中，也可摻合乙炔醇類。就前述乙炔醇類而言，可列舉日本特開2008-122932號公報之段落[0179]~[0182]所記載者。本發明之光阻材料中，乙炔醇類之含量相對於基礎聚合物100質量份，宜為0~5質量份。
[圖案形成方法] 將本發明之光阻材料使用於各種積體電路製造時可使用公知的微影技術。
例如，將本發明之正型光阻材料利用旋塗、輥塗、流塗、浸塗、噴塗、刮塗等適當的塗佈方法塗佈於積體電路製造用之基板(Si、SiO2 、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機抗反射膜等)或遮罩電路製造用之基板(Cr、CrO、CrON、MoSi2 、SiO2 等)上，並使其塗佈膜厚成為0.01~2.0μm。將其於加熱板上宜以60~150℃、10秒~30分鐘條件預烘，以80~120℃、30秒~20分鐘條件預烘更佳。然後，利用紫外線、遠紫外線、EB、EUV、X射線、軟X射線、準分子雷射、γ射線、同步輻射等高能射線，將成為目的之圖案通過預定的遮罩或直接實施曝光。曝光量約為1~200mJ/cm2 ，尤其宜以約10~100mJ/cm2 、或約0.1~100μC/cm2 進行曝光，以成為約0.5~50μC/cm2 的方式進行曝光特佳。然後，於加熱板上宜以60~150℃、10秒~30分鐘條件進行PEB，以80~120℃、30秒~20分鐘條件進行PEB更佳。
進一步使用0.1~10質量%，宜為2~5質量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨(TEAH)、四丙基氫氧化銨(TPAH)、四丁基氫氧化銨(TBAH)等之鹼水溶液之顯影液，以3秒~3分鐘條件，宜以5秒~2分鐘條件，利用浸漬(dip)法、浸置(puddle)法、噴霧(spray)法等常用方法進行顯影，藉此將光照射過的部分溶解於顯影液，未曝光部分則不溶解，而於基板上形成為目的之正型圖案。負型光阻的情況則與正型光阻的情況相反，亦即光照射過的部分不溶於顯影液，未曝光部分則會溶解。另外，本發明之光阻材料最適於尤其高能射線之中KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB、EUV、X射線、軟X射線、γ射線、同步輻射所為之微細圖案化。
也可使用包括含有酸不穩定基之基礎聚合物之正型光阻材料來實施利用有機溶劑顯影獲得負圖案之負顯影。就此時使用的顯影液而言，可列舉：2-辛酮、2-壬酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-己酮、3-己酮、二異丁酮、甲基環己酮、苯乙酮、甲基苯乙酮、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸戊酯、乙酸丁烯酯、乙酸異戊酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、戊酸甲酯、戊烯酸甲酯、巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、乳酸戊酯、乳酸異戊酯、2-羥異丁酸甲酯、2-羥異丁酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、乙酸苯酯、乙酸苄酯、苯乙酸甲酯、甲酸苄酯、甲酸苯乙酯、3-苯丙酸甲酯、丙酸苄酯、苯乙酸乙酯、乙酸-2-苯乙酯等。該等有機溶劑可單獨使用1種，也可將2種以上混合使用。
顯影結束時實施淋洗。就淋洗液而言，宜為與顯影液混溶且不溶解光阻膜之溶劑。就如此的溶劑而言，宜使用碳數3~10之醇、碳數8~12之醚化合物、碳數6~12之烷、烯、炔、芳香族系之溶劑。
具體就碳數3~10之醇而言，可列舉：正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、三級戊醇、新戊醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、3-甲基-3-戊醇、環戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-1-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-乙基-1-丁醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇、環己醇、1-辛醇等。
就碳數8~12之醚化合物而言，可列舉選自於二正丁醚、二異丁醚、二(二級丁醚)、二正戊醚、二異戊醚、二(二級戊醚)、二(三級戊醚)、二正己醚中之1種以上之溶劑。
就碳數6~12之烷而言，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、甲基環戊烷、二甲基環戊烷、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、環庚烷、環辛烷、環壬烷等。就碳數6~12之烯而言，可列舉：己烯、庚烯、辛烯、環己烯、甲基環己烯、二甲基環己烯、環庚烯、環辛烯等。就碳數6~12之炔而言，可列舉：己炔、庚炔、辛炔等。
就芳香族系之溶劑而言，可列舉：甲苯、二甲苯、乙苯、異丙苯、三級丁苯、均三甲苯等。
藉由實施淋洗可使光阻圖案之崩塌、缺陷的發生減少。又，淋洗並非一定需要，藉由不實施淋洗可減少溶劑的使用量。
也可將顯影後之孔洞圖案、溝圖案以熱流(thermal flow)、RELACS技術或DSA技術進行收縮。將收縮劑塗佈於孔洞圖案上，由於烘烤中來自光阻層之酸觸媒的擴散，在光阻的表面引發收縮劑之交聯，收縮劑會附著於孔洞圖案之側壁。烘烤溫度宜為70~180℃，為80~170℃更佳，時間宜為10~300秒，將多餘的收縮劑去除並使孔洞圖案縮小。 [實施例]
以下，例示合成例、實施例及比較例來具體地說明本發明，但本發明不限於下述實施例。
光阻材料所使用的由鋶鹽或錪鹽構成之酸產生劑PAG1~15的結構如下所示。PAG1~15係各別利用提供下述陰離子之含溴化苯環之氟化磺酸之銨鹽與提供下述陽離子之氯化鋶或氯化錪之離子交換來合成而得。 [化57]
[化58]
[化59]
[化60]
[合成例]基礎聚合物(聚合物1~4)之合成 將各別的單體組合並於作為溶劑之THF中實施共聚合反應，於甲醇中析出結晶，再以己烷重複清洗後進行分離、乾燥，獲得如下所示之組成的基礎聚合物(聚合物1~4)。得到的基礎聚合物之組成係利用1 H-NMR進行確認，Mw及分散度(Mw/Mn)係利用GPC(溶劑：THF，標準品：聚苯乙烯)進行確認。
[化61]
[實施例、比較例] 將各成分以表1及2所示之組成溶解於溶解有100ppm之作為界面活性劑之3M公司製FC-4430之溶劑而成的溶液，以0.2μm孔徑之過濾器過濾，製得光阻材料。實施例1~11及比較例1~3之光阻材料為正型，實施例12及比較例4之光阻材料為負型。
表1及2中之各成分係如下所示。 有機溶劑： PGMEA(丙二醇單甲醚乙酸酯) CyH(環己酮) PGME(丙二醇單甲醚) DAA(二丙酮醇)
比較酸產生劑：比較PAG1~3(參照下述結構式) [化62]
淬滅劑1~3(參照下述結構式) [化63]
[EUV曝光評價] [實施例1~15、比較例1~4] 將表1及2所示之各光阻材料旋塗於Si基板上，該Si基板係將信越化學工業(股)製含矽旋塗式硬遮罩SHB-A940(矽含量為43質量%)以20nm膜厚形成而成，再使用加熱板於105℃預烘60秒，製得膜厚60nm之光阻膜。使用ASML公司製EUV掃描式曝光機NXE3300(NA0.33，σ0.9/0.6，四極照明，晶圓上尺寸為節距46nm，＋20%偏差之孔洞圖案之遮罩)對上述光阻膜進行曝光，且於加熱板上以表1及2記載之溫度實施60秒PEB，再於2.38質量%TMAH水溶液中實施30秒顯影，於實施例1~14、比較例1~3係形成尺寸23nm之孔洞圖案，於實施例15與比較例4係形成尺寸23nm之網點圖案。 使用日立先端科技(股)製之測長SEM(CG5000)，測定孔洞或網點尺寸為23nm來形成時之曝光量，並令其為感度，且測定此時之50個孔洞或網點的尺寸，求得尺寸偏差(CDU，3σ)。結果一併記載於表1及2。
[表1]
[表2]
由表1及2所示之結果可知：含有含溴化苯環之氟化磺酸之鋶鹽或錪鹽作為酸產生劑之本發明之光阻材料，係高感度且CDU良好。

Claims (15)

  1. 一種光阻材料，含有： 基礎聚合物；及 包含下式(A-1)表示之鋶鹽或下式(A-2)表示之錪鹽之酸產生劑； [化1]式中，X1 為單鍵、醚基、酯基、醯胺基、或具有醚基或酯基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基；R1 為羥基、羧基、烷氧基羰基、氟原子、氯原子、胺基、硝基、或也可含有氟原子、氯原子、溴原子、羥基、胺基或烷氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基或碳數2~20之醯氧基、或-NR8 -C(=O)-R9 或-NR8 -C(=O)-O-R9 ，其中，R8 為氫原子、或也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基，R9 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~16之烷基或碳數2~16之烯基、或碳數6~12之芳基，且也可含有鹵素原子、羥基、烷氧基、醯基或醯氧基；R2 在r為1時係單鍵或碳數1~20之2價連結基，在r為2或3時係碳數1~20之3價或4價連結基，且該連結基也可含有氧原子、硫原子或氮原子；Rf1 ~Rf4 各別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，但它們之中至少1個為氟原子或三氟甲基；又，Rf1 與Rf2 也可合併形成羰基；R3 、R4 、R5 、R6 及R7 各別獨立地為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~12之烯基、碳數2~12之炔基、碳數6~20之芳基、或碳數7~12之芳烷基或芳氧基烷基，且這些基的氫原子之一部分或全部也可取代為羥基、羧基、側氧基、鹵素原子、氰基、醯胺基、硝基、磺內酯基、碸基(sulfone group)或含鋶鹽之基，這些基的碳原子之一部分也可經醚基、酯基、羰基、碳酸酯基或磺酸酯基取代；又，R3 與R4 也可鍵結並與它們所鍵結的硫原子一起形成環；p為1~5之整數；q為0~4之整數；r為1~3之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項之光阻材料，其中，p為2~5之整數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，更含有淬滅劑。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，更含有有機溶劑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，其中，該基礎聚合物包含下式(a1)表示之重複單元或下式(a2)表示之重複單元； [化2]式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基；Y1 為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自於酯基及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基；Y2 為單鍵或酯基；R11 及R12 為酸不穩定基；R13 為氟原子、三氟甲基、氰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之烷基或烷氧基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~7之醯基、醯氧基或烷氧基羰基；R14 為單鍵、或直鏈狀或分支狀之碳數1~6之伸烷基，且其碳原子之一部分也可經醚基或酯基取代；s為1或2；t為0~4之整數。
  6. 如申請專利範圍第5項之光阻材料，更含有溶解抑制劑。
  7. 如申請專利範圍第5項之光阻材料，其係化學增幅正型光阻材料。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，其中，該基礎聚合物不含酸不穩定基。
  9. 如申請專利範圍第8項之光阻材料，更含有交聯劑。
  10. 如申請專利範圍第8項之光阻材料，其係化學增幅負型光阻材料。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，更含有界面活性劑。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之光阻材料，其中，該基礎聚合物更包含選自於下式(f1)~(f3)表示之重複單元中之至少1種； [化3]式中，RA 各別獨立地為氫原子或甲基；Z1 為單鍵、伸苯基、-O-Z12 -、或-C(=O)-Z11 -Z12 -，Z11 為-O-或-NH-，Z12 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基或碳數2~6之伸烯基、或伸苯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基；R31 ~R38 各別獨立地為也可含有羰基、酯基或醚基之直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之烷基、或碳數6~12之芳基或碳數7~20之芳烷基，且它們的氫原子之一部分或全部也可取代為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷基、鹵素原子、三氟甲基、氰基、硝基、羥基、巰基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~10之烷氧基、直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之烷氧基羰基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~10之醯氧基；又，R33 、R34 及R35 中之任2個或R36 、R37 及R38 中之任2個也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環；Z2 為單鍵、-Z21 -C(=O)-O-、-Z21 -O-或-Z21 -O-C(=O)-，Z21 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~12之伸烷基，且也可含有羰基、酯基或醚基；A為氫原子或三氟甲基；Z3 為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、-O-Z32 -或-C(=O)-Z31 -Z32 -，Z31 為-O-或-NH-，Z32 為直鏈狀或分支狀或環狀之碳數1~6之伸烷基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、或直鏈狀或分支狀或環狀之碳數2~6之伸烯基，且也可含有羰基、酯基、醚基或羥基；M- 為非親核性相對離子。
  13. 一種圖案形成方法，包含下列步驟： 將如申請專利範圍第1至12項中任一項之光阻材料塗佈於基板上，並進行加熱處理來形成光阻膜； 將該光阻膜以高能射線進行曝光；及 使用顯影液將已曝光之光阻膜進行顯影。
  14. 如申請專利範圍第13項之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射或波長248nm之KrF準分子雷射。
  15. 如申請專利範圍第13項之圖案形成方法，其中，該高能射線為電子束或波長3~15nm之極紫外線。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6927176B2 (ja) * 2017-10-16 2021-08-25 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7010195B2 (ja) * 2017-11-29 2022-01-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP7373354B2 (ja) * 2018-10-22 2023-11-02 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7351261B2 (ja) * 2019-07-04 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US11914291B2 (en) 2019-08-22 2024-02-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP7400658B2 (ja) * 2019-09-13 2023-12-19 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7354986B2 (ja) * 2019-11-20 2023-10-03 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US11720019B2 (en) * 2020-02-27 2023-08-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and pattern forming process
JP2021152647A (ja) * 2020-03-18 2021-09-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US11714355B2 (en) * 2020-06-18 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
JP2022145559A (ja) * 2021-03-17 2022-10-04 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
CN118235092A (zh) 2021-11-15 2024-06-21 日产化学株式会社 多环芳香族烃系光固化性树脂组合物
KR20230091697A (ko) * 2021-12-16 2023-06-23 주식회사 동진쎄미켐 신규 광산발생제, 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
JP2024113847A (ja) * 2023-02-10 2024-08-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸拡散制御剤

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW495646B (en) * 1999-12-27 2002-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive-working radiation-sensitive composition
US7521168B2 (en) * 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
JP4484681B2 (ja) * 2004-12-03 2010-06-16 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4563227B2 (ja) * 2005-03-18 2010-10-13 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5331454B2 (ja) * 2008-11-13 2013-10-30 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
JP5675125B2 (ja) * 2009-09-30 2015-02-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP5618557B2 (ja) * 2010-01-29 2014-11-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5618619B2 (ja) * 2010-05-17 2014-11-05 富士フイルム株式会社 Ｘ線、電子線又はｅｕｖ光露光用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
JP5622448B2 (ja) * 2010-06-15 2014-11-12 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物
US9790323B2 (en) * 2012-08-02 2017-10-17 The Penn State Research Foundation Polymer conductor for lithium-ion batteries
JP5790631B2 (ja) * 2012-12-10 2015-10-07 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法、並びに該高分子化合物の製造方法
JP6028716B2 (ja) * 2013-11-05 2016-11-16 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6645464B2 (ja) * 2017-03-17 2020-02-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6973265B2 (ja) * 2018-04-20 2021-11-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法

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