TW201904699A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

Abstract

[要約]本發明的課題是在於提供一種可抑制改質層之離背面的深度的偏差之晶圓的加工方法。 　　其解決手段，晶圓的加工方法係具備： 　　切割膠帶貼附步驟ST3，其係將切割膠帶貼附於在晶圓所貼附的補強薄板； 　　保持步驟ST4，其係以吸盤平台的保持面來保持晶圓的表面側； 　　高度測定步驟ST5，其係將高度測定器的雷射束照射至切割膠帶，測定切割膠帶的面的高度； 　　集光點高度算出步驟ST6，其係由在高度測定步驟ST5所測定的高度與切割膠帶及補強薄板的厚度來算出形成預定的深度的加工用雷射束的集光點的高度；及 　　改質層形成步驟ST7，其係根據在集光點高度算出步驟ST6算出的高度，在晶圓的內部形成沿著分割預定線的改質層。

Description

晶圓的加工方法

本發明是有關晶圓的加工方法。

半導體晶圓是在表面形成裝置，藉由研削來薄化之後，被分割成各個的裝置晶片，成為半導體裝置晶片。半導體裝置晶片是被使用在各種電子機器。依照電子機器的輕薄短小化的要求，半導體裝置晶片是薄化日益進展，但因此而抗折強度容易降低。為了防止抗折強度降低，補強半導體裝置晶片，而使用貼附於晶圓的背面來與晶圓一起被分割的補強薄板(例如LINTEC Corporation製的LC膠帶等)。補強薄板是以在半導體裝置晶片的背側可形成雷射刻印的方式，容易吸收雷射束，刻印為顯眼般的暗色，表面被形成粗糙的凸凹狀。

半導體晶圓是除了以切削刀刃切割以外，還有使用以雷射束來形成成為破斷起點的改質層於晶圓內部，分割成各個的半導體裝置晶片的雷射加工的情形(例如專利文獻1)。改質層是對於晶圓的厚度形成於預定的位置，藉此提升其破斷性。為此，有在照射雷射束來形成改質層之前，測定晶圓的背面的高度，算出雷射束的集光點的位置之後加工的加工方法為人所知(例如參照專利文獻2、3)。在專利文獻2及專利文獻3所記載的雷射加工裝置，為了精密地測定晶圓的背面的高度，照射高度測定用雷射束，以從晶圓反射的反射光來算出晶圓的背面的高度。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第3408805號公報 　　[專利文獻2]日本特開2005-297012號公報 　　[專利文獻3]日本特開2011-33383號公報

(發明所欲解決的課題)

在專利文獻2及專利文獻3所記載的雷射加工裝置等是隔著切割膠帶來照射雷射束至晶圓而加工時，也為了算出晶圓的背面的高度，使用高度測定用雷射束。此情況，雷射加工裝置是隔著切割膠帶照射高度測定用雷射束，利用來自晶圓的背面的反射光來算出晶圓的背面的高度。此時，雖也有來自切割膠帶表面的反射光，但雷射加工裝置是不將來自切割膠帶表面的反射光利用於高度的測定。然而，雷射加工裝置是在背面貼有補強薄板的晶圓的情況，高度測定用雷射束會被吸收於補強薄板或亂反射，因此有無法充分地接受來自晶圓背面的反射光的課題，所以恐有難以在離背面預定的深度形成改質層之虞。

本發明是有鑑於如此的問題點而研發者，其目的是在於提供一種可抑制改質層之離背面的深度的偏差之晶圓的加工方法。 (用以解決課題的手段)

為了解決上述的課題，達成目的，本發明的晶圓的加工方法，係在以交叉的複數的分割預定線所區劃的表面的各領域形成具有凹凸的裝置，在背面貼附有補強薄板之晶圓的加工方法，其特徵為具備： 　　切割膠帶貼附步驟，其係將切割膠帶貼附於在該晶圓所貼附的該補強薄板，且將該切割膠帶的外周緣貼附於環狀框，在該環狀框的開口支撐附有補強薄板的晶圓； 　　保持步驟，其係以吸盤平台的保持面來保持被支撐於該環狀框的該晶圓的表面側； 　　高度測定步驟，其係將高度測定器的雷射束照射至在該晶圓的背面側露出的該切割膠帶，利用在該切割膠帶的露出的面反射的反射光，測定該切割膠帶的露出的面之離該保持面的高度； 　　集光點高度算出步驟，其係由在該高度測定步驟所測定的高度與該切割膠帶及該補強薄板的厚度來算出該晶圓背面的高度，算出離該晶圓的背面預定的深度的加工用雷射束的集光點的高度；及 　　改質層形成步驟，其係根據在該集光點高度算出步驟算出的高度，將對於該晶圓、該切割膠帶及該補強薄板具有透過性的波長的加工用雷射束的該集光點設定於該晶圓的內部，隔著該切割膠帶及該補強薄板，將該加工用雷射束沿著該分割預定線來照射至該晶圓，在該晶圓的內部形成沿著該分割預定線的改質層。

在前述晶圓的加工方法中，亦可在將該補強薄板貼附於該晶圓之後，該切割膠帶貼附步驟之前，具備對該補強薄板實施雷射刻印的雷射刻印步驟。

在前述晶圓的加工方法中，該晶圓，係亦可電極凸塊被搭載於該裝置。 [發明的效果]

於是，本案發明的晶圓的加工方法是取得可抑制改質層之離背面的深度的偏差之效果。

一面參照圖面，一面詳細說明有關用以實施本發明的形態(實施形態)。本發明不是依據以下的實施形態記載的內容來限定者。並且，在以下記載的構成要素中包括該當業者容易假想者，實質上同樣者。而且，以下記載的構成是可適當組合。並且，可在不脫離本發明的要旨範圍進行構成的各種的省略、置換或變更。

[實施形態1] 　　根據圖面說明本發明的實施形態1的晶圓的加工方法。圖1是實施形態1的晶圓的加工方法的加工對象的晶圓的立體圖。

實施形態1的晶圓的加工方法是加工圖1所示的晶圓1的方法。實施形態1的晶圓的加工方法的加工對象之晶圓1在實施形態1是以矽、藍寶石、砷化鎵等作為基板2的圓板狀的半導體晶圓或光裝置晶圓。晶圓1是如圖1所示般，在以交叉(在實施形態1是正交)的複數的分割預定線3所區劃的表面4的各領域分別形成有裝置5。晶圓1是在裝置5的表面搭載有複數的電極凸塊6。電極凸塊6是從裝置5的表面突出。裝置5是藉由在表面搭載有電極凸塊6而具有凹凸。晶圓1是沿著各分割預定線3來分割，分割成各個的裝置5。另外，在實施形態1中，晶圓1是在裝置5的表面搭載有電極凸塊6而具有凹凸，但本發明並非限於此。

其次，說明實施形態1的晶圓的加工方法。圖2是表示實施形態1的晶圓的加工方法的流程圖。

晶圓的加工方法(以下簡稱加工方法)是圖5所示的補強薄板30會被貼附於背面7的晶圓1的加工方法，如圖2所示般，具備：研削步驟ST1、補強薄板貼附步驟ST2、切割膠帶貼附步驟ST3、保持步驟ST4、高度測定步驟ST5、集光點高度算出步驟ST6及改質層形成步驟ST7。

(研削步驟) 　　研削步驟ST1是研削晶圓1的背面7的步驟。圖3是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的研削步驟中，將保護膠帶貼附於晶圓的狀態的立體圖。圖4是表示圖2所示的晶圓的加工方法的研削步驟的側面圖。

在研削步驟ST1中，首先，如圖3所示般，使晶圓1的表面4與保護膠帶10對向之後，在晶圓1的表面4貼附保護膠帶10。在研削步驟ST1中，如圖4所示般，研削裝置20會在吸盤平台21隔著保護膠帶10來吸引保持晶圓1的表面4，一面使吸盤平台21繞著軸心旋轉，一面使研削單元22的研削砥石23繞著軸心旋轉，而使接觸於晶圓1的背面7來研削。另外，圖3是省略電極凸塊6。加工方法是研削步驟ST1後，前進至補強薄板貼附步驟ST2。

(補強薄板貼附步驟) 　　補強薄板貼附步驟ST2是在晶圓1的背面7貼附補強薄板30的步驟。圖5是表示圖2所示的晶圓的加工方法的補強薄板貼附步驟的立體圖。在補強薄板貼附步驟ST2中，首先，如圖5所示般，使晶圓1的背面7與補強薄板30對向之後，在晶圓1的背面7貼附補強薄板30。

補強薄板30是補強晶圓1的背面7者。在實施形態1中，補強薄板30是黑色或焦茶色等的暗色，且藉由使紅外線透過的材質所構成。補強薄板30是例如可使用LINTEC Corporation製的製品名為LC28X6的LC膠帶。另外，圖5是省略電極凸塊6。加工方法是補強薄板貼附步驟ST2後，前進至切割膠帶貼附步驟ST3。

(切割膠帶貼附步驟) 　　切割膠帶貼附步驟ST3是將切割膠帶40貼附於在晶圓1所貼附的補強薄板30的步驟。圖6是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的切割膠帶貼附步驟中，在晶圓貼附切割膠帶的狀態的立體圖。圖7是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的切割膠帶貼附步驟中，從晶圓剝離保護膠帶的狀態的立體圖。

在切割膠帶貼附步驟ST3中，如圖6所示般，將切割膠帶40貼附於在晶圓1的背面7所被貼附的補強薄板30，將切割膠帶40的外周緣貼附於環狀框41。在切割膠帶貼附步驟ST3中，如圖7所示般，從晶圓1的表面4剝下保護膠帶10，在環狀框41的開口支撐附補強薄板30的晶圓1。切割膠帶40是乳白色或透明。

(雷射加工裝置) 　　其次，加工方法的保持步驟ST4、高度測定步驟ST5、集光點高度算出步驟ST6及改質層形成步驟ST7是使用圖8所示的雷射加工裝置50。雷射加工裝置50的控制單元100是實施保持步驟ST4、高度測定步驟ST5、集光點高度算出步驟ST6及改質層形成步驟ST7。圖8是表示在圖2所示的晶圓的加工方法中使用的雷射加工裝置的構成例的立體圖。圖9是表示圖8所示的雷射加工裝置的高度測定器等的構成的圖。

圖8所示的雷射加工裝置50是從晶圓1的背面7側沿著各分割預定線3來照射對於晶圓1、切割膠帶40及補強薄板30具有透過性的波長的加工用雷射束200(圖9所示)，以加工用雷射束200，在於背面7貼附有補強薄板30的晶圓1的內部形成成為破斷起點的改質層300之裝置。另外，所謂改質層300是意思密度、折射率、機械的強度或其他的物理的特性會形成與周圍不同的狀態的領域，可舉溶融處理領域、龜裂領域、絶緣破壞領域、折射率變化領域及該等的領域混在的領域等為例。在實施形態1中，改質層300是被形成於離晶圓1的背面7成為預定的深度301的位置。另外，深度301是連續在分割預定線3全長為一定。

雷射加工裝置50是如圖8所示般，具備：以保持面51保持晶圓1的吸盤平台52、雷射光線照射單元60、圖9所示的集光點位置調整單元70及圖9所示的高度測定器80。又，雷射加工裝置50是具備：使吸盤平台52與雷射光線照射單元60相對移動於X軸方向的X軸移動單元53、使吸盤平台52與雷射光線照射單元60相對移動於Y軸方向的Y軸移動單元54、攝像單元55及控制單元100。

吸盤平台52是以保持面51保持晶圓1的表面4側，該晶圓1是補強薄板30及切割膠帶40會依序被貼附於背面7。保持面51是由多孔陶瓷等所形成的圓盤形狀，經由未圖示的真空吸引路徑來與未圖示的真空吸引源連接。吸盤平台52是吸引保持被載置於保持面51上的晶圓1。在實施形態1中，保持面51是與水平方向平行的平面。在吸盤平台52的周圍是配置有複數個夾持晶圓1的周圍的環狀框41之夾鉗部56。並且，吸盤平台52是藉由旋轉單元57來使繞著與Z軸方向平行的中心軸線旋轉。旋轉單元57及吸盤平台52是藉由X軸移動單元53來被移動於X軸方向。

X軸移動單元53是藉由使吸盤平台52移動於X軸方向，將吸盤平台52加工進給於X軸方向的加工進給手段。Y軸移動單元54是藉由使吸盤平台52移動於Y軸方向，將吸盤平台52分度進給的分度進給手段。

雷射光線照射單元60是將加工用雷射束200的集光點201設定於晶圓1的內部，隔著切割膠帶40及補強薄板30，將加工用雷射束200沿著分割預定線3來照射至晶圓1，在晶圓1的內部形成沿著分割預定線3的改質層300之單元。

雷射光線照射單元60是具備：圖8所示的加工頭61、圖9所示的振盪器62及集光透鏡63。加工頭61是被安裝於支撐柱92的前端，該支撐柱92是連接至從雷射加工裝置50的裝置本體90立設的壁部91。

振盪器62是振盪加工用雷射束200，將振盪後的加工用雷射束200經由分色鏡89來從加工頭61的前端照射至被保持於吸盤平台52的晶圓1。分色鏡89是被配置於振盪器62與集光透鏡63之間的加工用雷射束200的光路上。分色鏡89是透過加工用雷射束200。振盪器62所振盪的加工用雷射束200是例如YAG雷射光線或YVO雷射光線。在實施形態1中，加工用雷射束200的波長是例如1064nm，但不限於此。集光透鏡63是將加工用雷射束200集光於晶圓1的內部者。

集光點位置調整單元70是使加工用雷射束200的集光點201的位置變位於Z軸方向者。集光點位置調整單元70是具備：保持集光透鏡63的透鏡夾具71，及使透鏡夾具71移動於Z軸方向的驅動單元72。驅動單元72是藉由周知的滾珠螺桿和脈衝馬達、壓電馬達所構成。

高度測定器80是通過集光透鏡63來照射圖9所示的雷射束之高度測定用雷射束400至露出於晶圓1的背面7的切割膠帶40。高度測定器80是接受在切割膠帶40的面42反射的反射光，測定來自面42的保持面51的高度，該切割膠帶40是被貼附於在吸盤平台52所保持的晶圓1的背面7而露出於背面7側。另外，在本發明中，高度是以保持面51作為基準(0μm)的Z軸方向的位置。高度測定器80是具有：檢測用振盪器81、準直鏡82、偏光束分光鏡83、凸透鏡84、柱狀透鏡85、光檢測器86、λ/4板87及凸透鏡88。

檢測用振盪器81是例如由雷射二極體所構成，振盪預定的波長的高度測定用雷射束400，將高度測定用雷射束400依序通過準直鏡82、偏光束分光鏡83、λ/4板87及凸透鏡88而照射至分色鏡89。光檢測器86是由具備4個的未圖示的分割領域的發光二極體所構成。從檢測用振盪器81照射的高度測定用雷射束400是藉由準直鏡82來變換成平行光之後，透過偏光束分光鏡83及λ/4板87，在分色鏡89反射。在分色鏡89反射的高度測定用雷射束400是經由集光透鏡63來照射至保持面51上的晶圓1的背面7及被貼附於補強薄板30的切割膠帶40的面42，在切割膠帶40的面42反射。

在切割膠帶40的面42反射的高度測定用雷射束400的反射光是在分色鏡89反射，透過凸透鏡88來射入至λ/4板87。在此，在晶圓1的背面7反射的高度測定用雷射束400是在朝向晶圓1的往路及在該晶圓1反射的復路，2次通過λ/4板87，所以其偏光方向會90°旋轉。因此，在切割膠帶40的面42反射的高度測定用雷射束400是在偏光束分光鏡83反射，藉由凸透鏡84來集光而射入至柱狀透鏡85。

柱狀透鏡85是呈現沿著軸方向將圓柱形成一半的大略半圓柱狀。柱狀透鏡85是例如只在α方向具有透鏡效果，在β方向是不具備透鏡效果。亦即，在切割膠帶40的面42反射的高度測定用雷射束400是通過柱狀透鏡85時，α方向的焦點位置與β方向的焦點位置會偏離，在產生散光的狀態下射入至光檢測器86。

透過柱狀透鏡85的高度測定用雷射束400是射束的平面形狀會依光軸上的位置而按縱長楕圓形、圓形、橫長楕圓形的順序變化。因此，由4分割發光二極體所成的光檢測器86是按照受光的射束的平面形狀而射入至各分割領域的光量的平衡會變化。

高度測定器80的光檢測器86是一邊藉由X軸移動單元53及Y軸移動單元54沿著各分割預定線3來對各分割預定線3相對地移動，一邊連續在各分割預定線3的全長照射高度測定用雷射束400。高度測定器80的光檢測器86是將在各分割領域檢測出的射入光量輸出至控制單元100。另外，在實施形態1中，高度測定器80是設為圖9所示的構成，但在本發明中，高度測定器80的構成是不限於圖9所示者。

攝像單元55是攝取被保持於吸盤平台52的晶圓1者，配設於與雷射光線照射單元60並列於X軸方向的位置。在實施形態1中，攝像單元55是被安裝於支撐柱92的前端。攝像單元55是藉由攝取被保持於吸盤平台52的晶圓1的CCD(Charge Coupled Device)攝影機或紅外線攝影機所構成。

控制單元100是分別控制雷射加工裝置50的構成要素，使在晶圓1形成改質層300的動作實施於雷射加工裝置50者。控制單元100是電腦。控制單元100是具備：具有CPU(Central Processing Unit)之類的微處理器的運算處理裝置，具有ROM(Read Only Memory)或RAM(Random Access Memory)之類的記憶體的記憶裝置，及輸出入介面裝置。

控制單元100的運算處理裝置是按照被記憶於記憶裝置的電腦程式來實施運算處理，經由輸出入介面裝置來將用以控制雷射加工裝置50的控制訊號輸出置雷射加工裝置50的上述構成要素。並且，控制單元100是與顯示單元101和輸入單元102連接，該顯示單元101是藉由顯示加工動作的狀態或畫像等的液晶顯示裝置等所構成，該輸入單元102是在操作員登錄加工內容資訊等時使用。輸入單元102是藉由被設在顯示單元101的觸控面板及鍵盤等的其中至少一個所構成。

又，控制單元100是算出在分割領域檢測出的射入光量彼此間的差分值，根據算出的差分值，連續在各分割預定線3的全長每預定距離算出各分割預定線3上的集光透鏡63與切割膠帶40的面42的Z軸方向的距離，亦即切割膠帶40的面42的高度。另外，在實施形態1中，集光透鏡63之加工用雷射束200的集光點201的位置與集光透鏡63之高度測定用雷射束400的集光點的位置是彼此不同。又，控制單元100是由切割膠帶40的面42的高度與切割膠帶40及補強薄板30的厚度，連續在各分割預定線3的全長每預定距離算出離晶圓1的背面7預定的深度301的加工用雷射束200的集光點201的高度。

(保持步驟) 　　保持步驟ST4是以吸盤平台52的保持面51來保持被支撐於環狀框41的晶圓1的表面4側之步驟。圖10是以一部分剖面來表示在圖2所示的晶圓的加工方法的保持步驟中，檢測出被載置於吸盤平台的保護薄板的上面的高度的狀態的側面圖。

保持步驟ST4是操作員會操作輸入單元102來將加工內容資訊登錄至控制單元100，操作員會將具有可撓性與通氣性的保護薄板110載置於吸盤平台52，被實施於從操作員有加工動作的開始指示時。在保持步驟ST4中，如圖10所示般，控制單元100會使被載置於吸盤平台52的保持面51的保護薄板110的上面的高度測定於高度測定器80，測定後，中斷加工動作。本發明是在保持步驟ST4中，控制單元100會使高度測定用雷射束400從高度測定器80照射至保護薄板110的上面的至少1處，測定保護薄板110的上面的至少1處的高度。在保持步驟ST4中，操作員在將晶圓1的表面4側載置於保護薄板110上之後，控制單元100是若從操作員有加工動作的再開指示，則使真空吸引源驅動來將晶圓1吸引保持於吸盤平台52，使環狀框41夾鉗於夾鉗部56。加工方法是保持步驟ST4後，前進至高度測定步驟ST5。

(高度測定步驟) 　　高度測定步驟ST5是對在晶圓1的背面7側露出的切割膠帶40照射高度測定器80的高度測定用雷射束400，利用在切割膠帶40的露出的面42反射的反射光，測定切割膠帶40的露出的面42之離保持面51的高度之步驟。圖11是以一部分剖面來表示在圖2所示的晶圓的加工方法的高度測定步驟中，將高度測定用雷射束照射至在晶圓的背面側露出的切割膠帶的狀態的側面圖。圖12是將圖11中的XII部擴大表示的剖面圖。

在高度測定步驟ST5中，控制單元100是使被保持於吸盤平台52的晶圓1攝像於攝像單元55，執行對準，根據對準結果，如圖11及圖12所示般，一邊在X軸移動單元53及Y軸移動單元54沿著各分割預定線3來使加工頭61與吸盤平台52相對地移動，一邊從加工頭61使高度測定用雷射束400照射至各分割預定線3上的切割膠帶40的面42。在高度測定步驟ST5中，控制單元100是根據在分割領域檢測出的射入光量，算出各分割預定線3上的每預定距離的切割膠帶40的面42的高度。加工方法是高度測定步驟ST5後，前進至集光點高度算出步驟ST6。

(集光點高度算出步驟) 　　集光點高度算出步驟ST6是由在高度測定步驟ST5測定的高度與切割膠帶40及補強薄板30的厚度來算出晶圓1的背面7的高度，算出離晶圓1的背面7預定的深度301的加工用雷射束200的集光點201的高度之步驟。在集光點高度算出步驟ST6中，控制單元100是從在高度測定步驟ST5測定的各分割預定線3上的每預定距離的切割膠帶40的面42的高度減去切割膠帶40及補強薄板30的厚度來算出各分割預定線3上的每預定距離的晶圓1的背面7的高度。控制單元100是根據各分割預定線3上的每預定距離的晶圓1的背面7的高度及預定的深度301，在各分割預定線3的每預定距離算出加工用雷射束200的集光點201的高度。

(改質層形成步驟) 　　改質層形成步驟ST7是根據在集光點高度算出步驟ST6算出的集光點201的高度，將對於晶圓1、切割膠帶40及補強薄板30具有透過性的波長的加工用雷射束200的集光點201設定於晶圓1的內部，隔著切割膠帶40及補強薄板30，將加工用雷射束200沿著分割預定線3來照射至晶圓1，在晶圓1的內部形成沿著分割預定線3的改質層300之步驟。圖13是以一部分剖面來表示圖2所示的晶圓的加工方法的改質層形成步驟的側面圖。圖14是將圖13中的XIV部擴大表示的剖面圖。

在改質層形成步驟ST7中，控制單元100是根據對準結果，例如圖13所示般，一邊在X軸移動單元53及Y軸移動單元54沿著各分預定線3來使加工頭61與吸盤平台52相對地移動，一邊從加工頭61使加工用雷射束200照射。在改質層形成步驟ST7中，控制單元100是以照射的加工用雷射束200的集光點201的高度成為在集光點高度算出步驟ST6算出的各分割預定線3的每預定距離的加工用雷射束200的集光點201的高度之方式，在驅動單元72使集光透鏡63移動於Z軸方向。在改質層形成步驟ST7中，控制單元100是例如圖14所示般，隨著朝向晶圓1的外周，背面7的高度變低時，將在晶圓1的外緣部形成改質層300之以實線所示的集光透鏡63的位置形成比以點線所示的集光透鏡63的位置更低。加工方法是若在改質層形成步驟ST7中沿著全部的分割預定線3來形成改質層300則終了。

如以上說明般，實施形態1的加工方法是在高度測定步驟ST5中，利用來自貼附於補強薄板30的切割膠帶40的反射光來測定高度，在集光點高度算出步驟ST6中從在高度測定步驟ST5測定的高度減去厚度幾乎均一的補強薄板30及切割膠帶40的厚度。因此，加工方法是取得可算出晶圓1的背面7的高度，可在於具有凹凸的晶圓1的內部成為均一的深度的位置形成改質層300之效果。特別是加工方法對於附電極凸塊6的晶圓1有效，即使在外周的無電極凸塊6的領域也可在均一的深度形成改質層300。其結果，加工方法是取得可抑制改質層300之離背面7的深度的偏差之效果。

[實施形態2] 　　根據圖面來說明本發明的實施形態2的晶圓的加工方法。圖15是表示實施形態2的晶圓的加工方法的流程圖。圖16是表示圖15所示的晶圓的加工方法的雷射刻印步驟的立體圖。圖15及圖16是對與實施形態1相同部分附上相同符號而省略說明。

實施形態2的晶圓的加工方法(以下簡稱加工方法)是如圖15所示般，除了在補強薄板貼附步驟ST2後，亦即將補強薄板30貼附於晶圓1之後，切割膠帶貼附步驟ST3之前，具備雷射刻印步驟ST10以外，與實施形態1的加工方法同樣。

雷射刻印步驟ST10是如圖16所示般，在補強薄板30之與裝置5重疊的位置實施顯示裝置5的製造公司名或裝置5的產品的編號之雷射刻印500。雷射刻印500是藉由顯示裝置5的製造公司名或裝置5的產品的編號之文字或數字等所構成。在實施形態1中，雷射刻印步驟ST10是照射補強薄板30具有吸收性的波長的雷射光線501來實施雷射刻印500。

實施形態2的加工方法是與實施形態1同樣，在高度測定步驟ST5中，利用來自貼附於補強薄板30的切割膠帶40的反射光來測定高度，在集光點高度算出步驟ST6中從在高度測定步驟ST5測定的高度減去厚度幾乎均一的補強薄板30及切割膠帶40的厚度，因此取得可抑制改質層300之離背面7的深度的偏差之效果。

其次，本發明的發明者確認實施形態1的加工方法的效果。將結果顯示於以下的表1。

[表1]

表1是評價改質層300之離背面7的深度的偏差。表1中的比較例是藉由來自補強薄板30的反射光，算出集光點201的高度而形成改質層300。本發明品是藉由來自切割膠帶40的面42的反射光，算出集光點201的高度而形成改質層300。比較例是反射光的Displacement訊號在厚度方向不變化，因此裝置5具有凹凸，補強薄板30的高度的測定誤差大，改質層300之離背面7的深度的偏差大。相對於此比較例，本發明品是反射光的Displacement訊號會在厚度方向變化，因此即使裝置5具有凹凸，也可抑制補強薄板30的高度的測定誤差，改質層300之離背面7的深度的偏差幾乎無。因此，若根據表1，則在高度測定步驟ST5中，利用來自貼附於補強薄板30的切割膠帶40的反射光來測定高度，在集光點高度算出步驟ST6中從在高度測定步驟ST5測定的高度減去厚度幾乎均一的補強薄板30及切割膠帶40的厚度，藉此抑制改質層300之離背面7的深度的偏差的情形明顯。

另外，若根據前述的實施形態1的晶圓的加工方法，則可取得以下的雷射加工裝置。 (附記1) 　　一種雷射加工裝置，係在以交叉的複數的分割預定線所區劃的表面的各領域形成具有凹凸的裝置，在背面貼附有補強薄板的晶圓形成改質層之雷射加工裝置，其特徵為具備： 　　吸盤平台，其係以保持面來保持在背面依序貼附有補強薄板及切割膠帶的晶圓的表面側； 　　高度測定器，其係將高度測定用雷射束照射至在該晶圓的背面側露出的該切割膠帶，接受在該切割膠帶的露出的面反射的反射光； 　　雷射光線照射單元，其係將對於該晶圓、該切割膠帶及該補強薄板具有透過性的波長的加工用雷射束的集光點設定於該晶圓的內部，隔著該切割膠帶及該補強薄板，將該加工用雷射束沿著該分割預定線來照射至該晶圓，在該晶圓的內部形成沿著該分割預定線的改質層；及 　　控制單元，其係控制各構成要素， 　　控制單元係實施： 　　高度測定步驟，其係利用在該切割膠帶的露出的面反射的高度測定用雷射束的反射光，測定該切割膠帶的露出的面之離該保持面的高度；及 　　集光點高度算出步驟，其係由在該高度測定步驟測定的高度與該切割膠帶及該補強薄板的厚度來算出該晶圓背面的高度，算出離該晶圓的背面預定的深度的加工用雷射束的集光點的高度。

上述雷射加工裝置是與實施形態1及實施形態2的晶圓的加工方法同樣，在高度測定步驟中，利用來自貼附於補強薄板的切割膠帶的反射光來測定高度，在集光點高度算出步驟中從在高度測定步驟測定的高度減去厚度幾乎均一的補強薄板及切割膠帶的厚度，因此取得可抑制改質層的深度的偏差之效果。

另外，本發明是不限於上述實施形態。亦即，可在不脫離本發明的主旨範圍實施各種變形。

1‧‧‧晶圓

3‧‧‧分割預定線

4‧‧‧表面

5‧‧‧裝置

6‧‧‧電極凸塊

7‧‧‧背面

30‧‧‧補強薄板

40‧‧‧切割膠帶

41‧‧‧環狀框

42‧‧‧面

51‧‧‧保持面

52‧‧‧吸盤平台

80‧‧‧高度測定器

200‧‧‧加工用雷射束

201‧‧‧集光點

300‧‧‧改質層

400‧‧‧高度測定用雷射束(雷射束)

500‧‧‧雷射刻印

ST3‧‧‧切割膠帶貼附步驟

ST4‧‧‧保持步驟

ST5‧‧‧高度測定步驟

ST6‧‧‧集光點高度算出步驟

ST7‧‧‧改質層形成步驟

ST10‧‧‧雷射刻印步驟

圖1是實施形態1的晶圓的加工方法的加工對象的晶圓的立體圖。 　　圖2是表示實施形態1的晶圓的加工方法的流程圖。 　　圖3是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的研削步驟中，在晶圓貼附保護膠帶的狀態的立體圖。 　　圖4是表示圖2所示的晶圓的加工方法的研削步驟的側面圖。 　　圖5是表示圖2所示的晶圓的加工方法的補強薄板貼附步驟的立體圖。 　　圖6是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的切割膠帶貼附步驟中，將切割膠帶貼附於晶圓的狀態的立體圖。 　　圖7是表示在圖2所示的晶圓的加工方法的切割膠帶貼附步驟中，從晶圓剝下保護膠帶的狀態的立體圖。 　　圖8是表示在圖2所示的晶圓的加工方法中被使用的雷射加工裝置的構成例的立體圖。 　　圖9是表示圖8所示的雷射加工裝置的高度測定器等的構成的圖。 　　圖10是以一部分剖面來表示在圖2所示的晶圓的加工方法的保持步驟中，檢測出被載置於吸盤平台的保護薄板的上面的高度的狀態的側面圖。 　　圖11是以一部分剖面來表示在圖2所示的晶圓的加工方法的高度測定步驟中，將高度測定用雷射束照射至在晶圓的背面側露出的切割膠帶的狀態的側面圖。 　　圖12是將圖11中的XII部擴大表示的剖面圖。 　　圖13是以一部分剖面來表示圖2所示的晶圓的加工方法的改質層形成步驟的側面圖。 　　圖14是將圖13中的XIV部擴大表示的剖面圖。 　　圖15是表示實施形態2的晶圓的加工方法的流程圖。 　　圖16是表示圖15所示的晶圓的加工方法的雷射刻印步驟的立體圖。

Claims (3)

1. 一種晶圓的加工方法，係在以交叉的複數的分割預定線所區劃的表面的各領域形成具有凹凸的裝置，在背面貼附有補強薄板之晶圓的加工方法，其特徵為具備： 　　切割膠帶貼附步驟，其係將切割膠帶貼附於在該晶圓所貼附的該補強薄板，且將該切割膠帶的外周緣貼附於環狀框，在該環狀框的開口支撐附有補強薄板的晶圓； 　　保持步驟，其係以吸盤平台的保持面來保持被支撐於該環狀框的該晶圓的表面側； 　　高度測定步驟，其係將高度測定器的雷射束照射至在該晶圓的背面側露出的該切割膠帶，利用在該切割膠帶的露出的面反射的反射光，測定該切割膠帶的露出的面之離該保持面的高度； 　　集光點高度算出步驟，其係由在該高度測定步驟所測定的高度與該切割膠帶及該補強薄板的厚度來算出該晶圓背面的高度，算出離該晶圓的背面預定的深度的加工用雷射束的集光點的高度；及 　　改質層形成步驟，其係根據在該集光點高度算出步驟算出的高度，將對於該晶圓、該切割膠帶及該補強薄板具有透過性的波長的加工用雷射束的該集光點設定於該晶圓的內部，隔著該切割膠帶及該補強薄板，將該加工用雷射束沿著該分割預定線來照射至該晶圓，在該晶圓的內部形成沿著該分割預定線的改質層。
2. 如申請專利範圍第1項之晶圓的加工方法，其中，在將該補強薄板貼附於該晶圓之後，該切割膠帶貼附步驟之前，具備對該補強薄板實施雷射刻印的雷射刻印步驟。
3. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓的加工方法，其中，該晶圓，係電極凸塊被搭載於該裝置。