TW201903379A - 用於極快速信號清除之可調整樣本底面 - Google Patents

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布洛克 梅耶爾
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Abstract

本發明揭示用於極快速信號清除(washout)之一可調整樣本底面之系統及方法。在一項實施例中，一種經組態以可調整地支撐一樣本腔室內之一目標之目標支撐件可包含：一支撐框架，其可經組態以插入至該樣本腔室中；一支撐平台，其可安置於該支撐框架內；及一平台調整系統，其可耦合至該支撐框架及該支撐平台。該平台調整系統可經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。

Description

用於極快速信號清除之可調整樣本底面
一種強有力的分析技術(諸如雷射消融電感耦合電漿質譜分析法(LA-ICPMS))可使研究者能夠直接用固體樣本分析高度敏感元素及同位素。在LA-ICPMS中，雷射消融期間經噴射材料之羽流形成及直徑可直接與取樣速度有關。樣本目標距輸出氣體樣本口之距離亦可影響取樣速度。又，實現更高解析度成像之光點消融可意謂影響至樣本目標之更小能量及更短羽流行程，從而使樣本目標需要靠近收集設備。
根據本發明之實例性實施例揭示用於極快速信號清除之一可調整樣本底面之系統及方法。根據本發明之一項實施例，一種經組態以可調整地支撐一樣本腔室內之一目標之目標支撐件可包含：一支撐框架，其可經組態以插入至該樣本腔室中；一支撐平台，其可安置於該支撐框架內；及一平台調整系統，其可耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統可經組態以在該支撐框架可插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。 根據本發明之另一實施例，可提供一種方法。該方法可包含調整經組態以支撐一樣本腔室內之一目標之一目標支撐件。該目標支撐件可包含：一支撐框架，其經組態以插入至該樣本腔室中；一支撐平台，其可安置於該支撐框架內；及一平台調整系統，其可耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統可經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。 根據本發明之另一實施例，可提供可經組態以容納一目標之一樣本腔室。該樣本腔室可包含：一樣本腔室主體；一傳輸窗口；及一目標支撐件，其可經組態以可調整地支撐該樣本腔室內之該目標。該目標支撐件可包含：一支撐框架，其可經組態以插入至該樣本腔室中；一支撐平台，其可安置於該支撐框架內；及一平台調整系統，其可耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統可經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。 現在本文中參考隨附圖式詳細描述此等及其他實例性實施例。除非另有明確說明，否則在圖式中，組件、特徵、元件等之尺寸、位置等以及其等之間的任何距離並不一定按比例繪製，而是為清楚起見而誇大。在圖式中，相同數字始終指代相同元件。因此，可參考其他圖式描述相同或類似數字，即使其等在對應圖式中並未提及也未描述。又，甚至可參考其他圖式描述未藉由元件符號指示之元件。 本文中所使用之術語係僅出於描述特定例示性實施例之目的且並不意欲具限制性。除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術及科學術語)具有與一般技術者通常理解相同之意義。如本文中所使用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一」、「一個」及「該」意欲亦包含複數形式。應認知，術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」在本說明書中使用時指定存在經陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但並不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其等之群組。除非另有指定，否則一值範圍在經敘述時包含該範圍之上限及下限兩者以及其等之間的任何子範圍。除非另有指示，否則諸如「第一」、「第二」等之術語僅用於區分不同元件。例如，一節點可被命名為一「第一節點」，且類似地另一節點可被命名為一「第二節點」，或反之亦然。 除非另有指示，否則術語「約」、「大約」、「近似」等意謂量、尺寸、配方、參數及其他數量及特性並非精確且不需要精確，但可視需要為近似及/或較大或較小，以反映公差、轉換因子、捨入、量測誤差及類似者及熟習技術者已知之其他因子。空間關係術語(諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」及「上」及類似者)可在本文中為易於描述而用於描述如圖中所繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。應認知，該等空間關係術語旨在涵蓋除如圖中所描繪之定向之外之不同定向。例如，若將圖中之一物件翻轉，則描述為在其他元件或特徵「下面」或「下方」之元件將接著定向於該等其他元件或特徵之「上方」。因此，例示性術語「在…下面」可涵蓋上方及下面兩種定向。一物件可以其他方式定向(例如，旋轉90度或依其他定向)且可相應地解釋本文中所使用之空間關係描述符。 將理解，在不偏離本發明之精神及教示的情況下許多不同形式、實施例及組合係可行的且因此本發明不應解釋為限於本文中所闡述之實例性實施例。而是，提供此等實例及實施例，使得本發明將為透徹及完整的，且將向熟習技術者傳達本發明之範疇。 與本文中之某些實施例相關聯之一或多個技術效應可包含(但不限於)：調諧樣本高度以改良電感耦合電漿質譜分析法(ICP-MS)或電感耦合電漿光學發射光譜分析法(ICP-OES)信號及一目標平面相對於雷射焦點之三點校平。本文中之某些實施例亦可具有在一目標樣本插入至一樣本腔室中之後改變其之一位置(例如，一高度)之一技術效應。文本中之某些其他實施例亦可具有實現小光點敏感度及改良小光點收集效率之一技術效應。本文中之某些其他實施例亦可具有改良樣本插入工作流程及客戶體驗之一技術效應。本文中之某些其他實施例亦可具有改良取樣速度之技術效應。下文提供與用於極快速信號消除之一可調整樣本底面之系統及方法有關之各項實例性實施例之詳細描述。 參考圖1，一樣本產生系統之一樣本腔室100可經組態以在其內部容納待藉由用一或多個雷射脈衝消融其之一部分而被取樣之一目標。因此，除該樣本腔室100之外，該樣本產生系統可進一步包含可經組態以產生雷射脈衝之一聚焦光束以消融容納於該樣本腔室100內之該目標之一雷射系統(未展示)。 樣本腔室100可包含一樣本腔室主體102、一傳輸窗口104及一目標支撐件106。該樣本腔室主體102可界定一內部，該目標支撐件106可插入至該內部中且通過(例如)樣本腔室主體102中所界定之一腔室門110移除(例如，沿著x軸)。在目標支撐件106插入至樣本腔室主體102中的情況下，樣本腔室主體102之該內部可至少實質上密封(例如，經由一至少實質上氣密密封件)使免受樣本腔室主體102外部之環境影響。可提供外部可調整密封螺絲(例如，如圖1至圖3中以112所識別)以確保在樣本腔室主體102與目標支撐件106之間形成一合適密封。在一項實施例中，該等密封螺絲112可各具有雙活塞密封件(例如，使用兩個緊密、滑動配合之o形環，未展示)以促進樣本腔室100之密封。亦可提供一密封部件114 (例如，o形環)以促進樣本腔室100之密封。 樣本腔室主體102可包含一開口(例如，在其之一上部分中，如圖1中所繪示)，且傳輸窗口可耦合至樣本腔室主體102以便至少實質上密封(例如，經由一至少實質上氣密密封件)樣本腔室主體102之內部使免受樣本腔室主體102外部之環境影響。傳輸窗口104可由透射將引導至樣本腔室主體102之內部中以消融一目標之一部分之雷射脈衝之光之一波長之一材料(例如，熔融矽石)形成。 目標支撐件106可經組態以在傳輸窗口104下方之一位置處支撐樣本腔室主體102之內部中之一目標。參考圖1及圖2，目標支撐件106可包含：一支撐框架202；一支撐平台204，其經組態以支撐該目標(例如，繪示為擱置於該支撐平台204之一支撐表面204a上之一目標206，該目標206可具有一大體上平坦上表面)；及一平台調整系統，其可經組態以調整該支撐平台204相對於該支撐框架202之一位置及/或定向。支撐平台204可由一金屬材料形成，諸如鋁或鋁合金、透明丙烯酸玻璃或類似者或其等之任何組合。儘管未繪示，然支撐平台204可包含一或多個特徵以用於固持一目標，用於固持其上可定位目標之一載玻片(例如，長度及寬度上分別為75 mm x 25 mm)，用於固持校準材料或類似者或其等之任何組合。 平台調整系統可(例如)經組態以沿著z軸調整支撐平台204相對於支撐框架202之一位置定向，調整支撐平台204相對於支撐框架202之滾動(例如，量測為圍繞平行於x軸之一軸之旋轉)，調整支撐平台204相對於支撐框架202之俯仰(例如，量測為圍繞平行於y軸之一軸之旋轉)或類似者或其等之任何組合。在所繪示之實施例中，平台調整系統可包含可由一使用者接合(例如，旋轉)以調整支撐平台204相對於支撐框架202之一位置之一或多個平台調整旋鈕108 (例如，一第一平台調整旋鈕108a、一第二平台調整旋鈕108b及一第三平台調整旋鈕108c)。在目標支撐件106插入至樣本腔室主體102中時及在目標支撐件106自樣本腔室主體102移除時，可由該使用者接合每一個或多個平台調整旋鈕108。 儘管未展示，然樣本腔室主體102可包含一或多個入口(例如，沖洗氣體、載氣或類似者或其等之任何組合可通過其引入至樣本腔室主體102之內部中)、一或多個出口(例如，沖洗氣體、載氣、霧化樣本、大氣氣體或類似者或其等之任何組合可通過其自樣本腔室主體102之內部移除)或類似者或其等之任何組合。應認知，在樣本腔室主體102之內部已密封、沖洗或類似者或其等之任何組合之前或之後(或同時)，可由使用者接合任何平台調整旋鈕108以調整支撐平台204相對於支撐框架202之一位置。 儘管未展示，然樣本腔室100可通常包含配置於樣本腔室主體102之內部中之一樣本擷取單元。一般而言，該樣本擷取單元可通常配置於傳輸窗口104下方及目標支撐件106上方(當目標支撐件106插入至樣本腔室主體102中時)。當目標支撐件106插入至樣本腔室主體102中且支撐一目標(例如，目標206)時，樣本擷取單元可配置於目標206上方。此外，且如下文將更詳細描述，樣本擷取單元可與一軸對準，雷射脈衝之光束可沿著該軸傳播以消融目標，使得在目標被消融時，樣本擷取單元可擷取由該雷射消融所引起之自目標噴射或以其他方式產生之粒子及/或蒸汽之羽流。該經擷取羽流可接著藉由此項技術中已知之任何合適手段作為氣溶膠輸送至一分析系統。 參考圖3至圖5，根據本發明之一實例性實施例，該平台調整系統亦可包含複數個調整機構，諸如第一調整機構300a、第二調整機構300b及第三調整機構300c (分類上皆稱為一調整機構300)。各調整機構300可耦合至一對應平台調整旋鈕108。例如，第一調整機構300a可耦合至第一平台調整旋鈕108a，第二調整機構300b可耦合至第二平台調整旋鈕108b且第三調整機構300c可耦合至第三平台調整旋鈕108c。 各調整機構300可包含一桿301、一外螺紋螺絲部分302及一尖端部分304。該桿301可固定於一平台調整旋鈕108與一外螺紋螺絲部分302之一第一端之間，且該尖端304可連接至該螺絲部分302之一第二端。調整機構300之組件可由一合適剛性材料(例如，一金屬，諸如鋁合金等)形成，使得在一使用者旋轉一平台調整旋鈕108 (例如，在順時針方向或逆時針方向上)時，與平台調整旋鈕108相關聯之對應調整機構之一螺絲部分302亦可依一對應方式旋轉。 各調整機構300亦可包含經組態以接合一各自螺絲部分302之螺紋之一螺紋孔306。如圖3中所展示，第一調整機構300a及第三調整機構300c之該螺紋孔306可分別藉由一支架(諸如支架308)耦合至支撐框架202。第二調整機構300b之螺紋孔306可嵌入於支撐框架202內，如圖5中所展示。如上文所描述般建構，在一使用者旋轉一平台調整旋鈕108時，與該平台調整旋鈕108相關聯之一調整機構300之一螺絲部分302可依一對應方式相對於一螺紋孔306旋轉。藉由本發明之一實例性實施例，在該螺絲部分302相對於該螺紋孔306旋轉時，連接至螺絲部分302之尖端304可沿著x軸移位。應認知，尖端304沿著x軸移位之方向對應於螺絲部分302之旋轉方向。 各調整機構300亦可包含固定至支撐平台204之一下表面之一楔形物310。一般而言，各楔形物310可包含一相對較薄端、一相對較厚端及自該相對較薄端延伸至該相對較厚端之一傾斜表面。視需要，一凹槽312可提供於該傾斜表面中且可經組態以接納尖端304之一部分。根據本發明之一實例性實施例，在尖端304沿著x軸(例如，向左，如圖3至圖5中所繪示)充分移位時，尖端304可在朝向楔形物306之相對較厚端移動時抵靠楔形物310之傾斜表面按壓，藉此升高楔形物310上方之支撐平台204之一區域。當尖端304沿著x軸(例如，向右，如圖3至圖5中所繪示)充分移位時，尖端304可在朝向楔形物310之相對較薄端移動時抵靠楔形物310之傾斜表面按壓，藉此降低楔形物310上方之支撐平台204之該區域。 在圖3至圖5中所繪示之實例性實施例中，第一調整機構300a之楔形物310可定位於支撐平台204之左上方繪示之邊角區域附近，第二調整機構300b之楔形物310可定位於支撐平台204之中右方繪示之邊緣區域附近，且第三調整機構300c之楔形物310可定位於支撐平台204之左下方繪示之邊角區域附近。因此，第一平台調整旋鈕108a、第二平台調整旋鈕108b及第三平台調整旋鈕108c之一或多者可(例如，在順時針方向或逆時針方向上)旋轉以傾斜或以其他方式調整支撐平台204相對於支撐框架202之定向。同樣地，第一平台調整旋鈕108a、第二平台調整旋鈕108b及第三平台調整旋鈕108c之各者可(例如，在順時針方向或逆時針方向上)旋轉達相同量以均勻升高或降低(例如，沿著z軸)支撐平台204，藉此調整支撐平台204相對於支撐框架202之位置。 在各調整機構300內，可選擇螺絲部分302及螺紋孔306之螺距及螺旋角以及楔形物310之傾斜表面之斜率以升高或降低支撐平台204之一或多個區域達小於或等於經引導至樣本腔室100中之雷射脈衝之聚焦光束之一焦深之一量。一般而言，該焦深將在自0.1 mm至0.4 mm之一範圍中。在一項實施例中，可選擇螺絲部分302及螺紋孔306之螺距及螺旋角以及楔形物310之傾斜表面之斜率以在一平台調整旋鈕108之每一個完整旋轉升高或降低支撐平台204之一或多個區域達自1 µm至1 mm之一範圍中之一量。在另一實施例中，可選擇螺絲部分302及螺紋孔306之螺距及螺旋角以及楔形物310之傾斜表面之斜率以在一平台調整旋鈕108之每一個完整旋轉升高或降低支撐平台204之一或多個區域達自1 µm至10 µm之一範圍中之一量。在另一實施例中，可選擇螺絲部分302及螺紋孔306之螺距及螺旋角以及楔形物310之傾斜表面之斜率以在一平台調整旋鈕108之每一個完整旋轉升高或降低支撐平台204之一或多個區域達自3 µm至5 µm之一範圍中之一量。 視需要，目標支撐件106可包含經配置及組態以在一定程度上限制支撐平台204相對於支撐框架202沿著x軸及y軸或在藉由x軸及y軸界定之一平面內之移動之軌條及凹槽之一系統。例如，如圖3中所展示，複數個凹槽(例如，至少實質上僅沿著z軸延伸)可形成於支撐平台204之側表面內，且對應軌條可形成於支撐框架202之對應位置處。支撐平台204可因此藉由將各軌條插入至一對應凹槽中而插入至支撐框架202之一中心開口中。當支撐平台204之定向及/或位置相對於支撐框架202調整時，凹槽可相對於軌條略微滑動以允許沿著z軸之移動，但限制沿著x軸及y軸之非所要過量移動。 參考圖5且如上文所提及，當目標支撐件106插入至樣本腔室主體102中時，目標206可配置於樣本腔室100之樣本擷取單元(圖5中以500繪示)下面。如圖5中所展示，樣本擷取單元500可與雷射脈衝之光束可沿著其傳播以消融目標206之一軸(即，光軸502)對準。樣本擷取單元500可包含一單元主體504，該單元主體504界定具有一圓柱形或錐形形狀(例如，在一相對較小開口處相交於單元主體504之下表面，如所繪示)之一內部容積506且光軸502可延伸通過該單元主體504。 單元主體504亦可包含一出口導管508，該出口導管508具有在單元主體504之一側表面處之一第一端508a及相交於單元主體504之下表面以及內部容積506之一表面之一第二端508b。單元主體504可藉由耦合至該出口導管508之該第一端508a之一樣本輸送導管(未展示)懸置於樣本腔室主體102之內部中。例如，該樣本輸送導管之一第一端可耦合至出口導管502之第一端508a，且該樣本輸送導管之(與其之該第一端相對之)一第二端可耦合至一ICP炬(例如，如上文所論述)。儘管圖5繪示其中第二端508b相交於單元主體504之下表面及內部容積506之表面之一項實施例，然其他實施例提供第二端508b僅相交於單元主體504之下表面或僅相交於內部容積506之表面。 為獲得目標206之一樣本，一或多個雷射脈衝可自雷射系統產生且沿著光軸502傳播且通過傳輸窗口104至樣本腔室主體102之內部中。此後，該(等)雷射脈衝可沿著光軸502傳播通過樣本擷取單元504之內部容積506以消融目標206之一部分。自目標206消融之材料可作為由消融所引起之自目標206噴射或以其他方式產生之粒子及/或蒸汽之羽流而自目標206噴射。在此過程期間，出口導管508之內部中之壓力可至少略微小於樣本腔室主體102之內部中之壓力(例如，樣本腔室主體102相對於耦合至樣本輸送導管之第二端之ICP炬加壓)。 因此，自目標206產生之羽流可經由第二端508b被擷取至出口導管508中。在一項實施例中，當如上所述一使用者旋轉第一平台調整旋鈕108a、第二平台調整旋鈕108b及第三平台調整旋鈕108c之一或多者時，可由該使用者調整目標206之上表面相對於樣本擷取單元500之下表面之定向及/或位置。在一項實施例中，第一平台調整旋鈕108a、第二平台調整旋鈕108b及第三平台調整旋鈕108c之各者可(例如，在順時針方向或逆時針方向上)旋轉達相同量以均勻升高或降低(例如，沿著z軸)支撐平台204，藉此將目標206之上表面相對於樣本擷取單元500之下表面之間的距離調整為在自0.0005 mm至1 mm之一範圍中。在一些實施例中，可將目標206之上表面相對於樣本擷取單元500之下表面之間的距離調整為在自0.001 mm至0.08 mm之一範圍中，在自0.001 mm至0.05 mm之一範圍中，在自0.001 mm至0.03 mm之一範圍中，在自0.001 mm至0.01 mm之一範圍中或類似者或在此等範圍內或之間的任何子範圍內。 儘管上文已參考樣本擷取單元504描述樣本腔室100之樣本擷取單元，然將瞭解，可依任何其他合適或所要方式提供樣本擷取單元。例如，可如美國專利申請公開案第2014/0227776號或美國專利第8,879,064號中所描述般提供樣本擷取單元504 (其係指等效於樣本擷取單元504之作為一「氣溶膠收集器210」之一結構)，各案之全文以引用的方式併入本文中。 參考圖6，根據本發明之另一實例性實施例，可依類似於參考圖2至圖5所描述之方式提供目標支撐件106。為簡潔起見，將僅論述專屬於圖6中所展示之實施例之特徵。在圖6中所繪示之實施例中，目標支撐件106可包含插置於支撐框架202與支撐平台204之間的一平台插入件600。支撐平台204可經組態以便可插入至該平台插入件600之一中心開口中，且該平台插入件600可經組態以便可相對容易地插入至支撐框架202之一中心開口中。 第一調整機構300a及第三調整機構300c之螺紋孔306可分別藉由上述支架308耦合至平台插入件600。第二調整機構300b之螺紋孔306可嵌入於平台插入件600內。 平台插入件600可進一步包含形成於其之一外側表面中且部分延伸通過平台插入件600之一組凹部(諸如凹部602)。一裝置(諸如一裝載有彈簧之球形柱塞604)可插入至各凹部602中。當平台插入件600插入至支撐框架202之中心開口中時，柱塞604可抵靠支撐框架202之界定其之中心開口之內表面按壓，且可偏置平台插入件600使其抵靠支撐框架202。 在一項實施例中，柱塞604可藉助即使在平台調整旋鈕108之一或多者經旋轉(如上文所論述)以調整支撐平台204之定向及/或位置時亦足以保持平台插入件600之一力偏置平台插入件600使其抵靠支撐框架202。在此情況中，可在如上所述之平台調整旋鈕108之一或多者之旋轉之時相對於平台插入件600 (且因此，支撐框架202)進行支撐平台204之定向及/或位置之調整。 熟悉此項技術者將理解，一般而言，本文中所使用之術語大體上意指「開放式」術語(例如，術語「包含(including)」應解釋為「包含但不限於」，術語「具有」應解釋為「至少具有」，術語「包含(includes)」應解釋為「包含但不限於」等)。熟悉此項技術者將進一步理解，若意圖表明一特定數目個所介紹之發明申請專利範圍敘述，則此一意向將明確地敘述於發明申請專利範圍中，且在缺乏此敘述之情況下不存在任何此意向。例如，作為對理解之一幫助，以下隨附發明申請專利範圍可含有介紹性片語「至少一個」及「一或多個」之使用以介紹發明申請專利範圍敘述。然而，即使在相同發明申請專利範圍包含介紹性片語「一或多個」或「至少一個」及不定冠詞(諸如「一」或「一個」(例如，「一」及/或「一個」通常應解釋為意謂「至少一個」或「一或多個」))時，使用此等片語不應解釋為暗指藉由不定冠詞「一」或「一個」之一發明申請專利範圍敘述之介紹將含有此所介紹之發明申請專利範圍敘述之任何特定發明申請專利範圍限於僅含有一個此敘述之揭示內容；對於使用用於介紹發明申請專利範圍敘述之定冠詞亦如此。 此外，即使明確敘述一特定數目個所介紹之發明申請專利範圍敘述之，熟習此項技術者亦將認知，此敘述應通常解釋為意謂至少所敘述之數目(例如，不具有其他修飾語之「兩個敘述」之單純敘述通常意謂至少兩個敘述或兩個或兩個以上敘述)。此外，在其中使用類似於「A、B及C之至少一者等」之一習語之該等例項中，一般而言在熟習此項技術者將理解該習語之意義上期望此一構造(例如，「具有A、B及C之至少一者之一系統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起及/或具有A、B及C一起等之系統)。 在其中使用類似於「A、B或C之至少一者等」之一習語之該等例項中，一般而言在熟習此項技術者將理解該習語之意義上期望此一構造(例如，「具有A、B或C之至少一者之一系統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起及/或具有A、B及C一起等之系統)。此項技術者將進一步理解，實際上呈現兩個或兩個以上替代術語之任何轉折詞及/或片語(不管在描述、發明申請專利範圍或圖式中)應理解為預期包含術語之一者、術語之任一者或兩個術語之可能性。例如，片語「A或B」將通常理解為包含「A」或「B」或「A及B」之可能性。 儘管已繪示本發明之特定實施例，然應明白，熟習此項技術者可在不脫離前述揭示內容之範疇及精神之情況下做出本發明之各種修改及實施例。因此，本發明之範疇應僅受其之隨附發明申請專利範圍所限制。
100‧‧‧樣本腔室
102‧‧‧樣本腔室主體
104‧‧‧傳輸窗口
106‧‧‧目標支撐件
108‧‧‧平台調整旋鈕
108a‧‧‧第一平台調整旋鈕
108b‧‧‧第二平台調整旋鈕
108c‧‧‧第三平台調整旋鈕
110‧‧‧腔室門
112‧‧‧密封螺絲
114‧‧‧密封部件
202‧‧‧支撐框架
204‧‧‧支撐平台
204a‧‧‧支撐表面
206‧‧‧目標
300a‧‧‧第一調整機構
300b‧‧‧第二調整機構
300c‧‧‧第三調整機構
301‧‧‧桿
302‧‧‧外螺紋螺絲部分/螺絲部分
304‧‧‧尖端部分/尖端
306‧‧‧螺紋孔
308‧‧‧支架
310‧‧‧楔形物
312‧‧‧凹槽
500‧‧‧樣本擷取單元
502‧‧‧光軸
504‧‧‧單元主體
506‧‧‧內部容積
508‧‧‧出口導管
508a‧‧‧第一端
508b‧‧‧第二端
600‧‧‧平台插入件
602‧‧‧凹部
604‧‧‧彈簧負載之球形柱塞/柱塞
圖1係繪示根據本發明之一項實施例之一樣本腔室之一透視圖。在圖1中，該透視圖係相對於各正交於其他之x軸、y軸及z軸而提供。 圖2係繪示根據本發明之一項實施例之圖1中所展示之該樣本腔室之一目標支撐件的一透視圖。在圖2中，該透視圖係各正交於其他之x軸、y軸及z軸而提供。 圖3係根據本發明之一項實施例之圖2中所展示之目標支撐件之一底部平面視圖。 圖4及圖5係分別沿著圖3中所展示之線IV-IV’及V-V’獲取之目標支撐件之橫截面視圖。圖5亦繪示如同目標支撐件插入至樣本腔室之一樣本腔室主體中一樣配置於一目標上方之一樣本擷取單元之一橫截面。 圖6係根據本發明之另一實施例之圖2中所展示之目標支撐件之一底部平面視圖。

Claims (20)

  1. 一種經組態以可調整地支撐一樣本腔室內之一目標之目標支撐件，其包括： 一支撐框架，其經組態以插入至該樣本腔室中； 一支撐平台，其安置於該支撐框架內；及 一平台調整系統，其耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。
  2. 如請求項1之目標支撐件，其中經組態以調整該支撐平台之該位置及該定向之至少一者之該平台調整系統進一步包括：沿著一x軸調整該支撐平台，沿著一y軸調整該支撐平台及沿著一z軸調整該支撐平台。
  3. 如請求項1之目標支撐件，其中該平台調整系統進一步包括： 一或多個調整桿，其或其等安置於一或多個平台調整旋鈕與一或多個螺絲之一第一端之間，該一或多個平台調整旋鈕可旋轉以接合該一或多個螺絲； 一或多個螺紋孔，其或其等經組態以接合該一或多個螺絲之螺紋，該一或多個螺紋孔藉由一支架耦合至該支撐框架； 一或多個尖端部分，其或其等連接至該一或多個螺絲之一對應第二端，該一或多個尖端部分經組態以在該一或多個螺絲相對於該一或多個螺紋孔旋轉時沿著一x軸移位；及 一或多個楔形物，其或其等固定至該支撐平台之一下表面，其中該一或多個楔形物包括：一相對較薄端、一相對較厚端及自該相對較薄端延伸至該相對較厚端之一傾斜表面，該一或多個楔形物經組態以改變該支撐平台相對於該支撐框架之一位置。
  4. 如請求項2之目標支撐件，其中該一或多個楔形物包括提供於該傾斜表面上且經組態以接納該一或多個尖端部分之一部分之一凹槽。
  5. 如請求項1之目標支撐件，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以相對於經引導至該樣本腔室中之雷射脈衝之一聚焦光束之一焦深修改該支撐平台之一或多個區域之一位置。
  6. 如請求項1之目標支撐件，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以在該平台調整旋鈕之每一個完整旋轉沿著該z軸在自1 µm至1 mm之一範圍中修改該支撐平台之一位置。
  7. 如請求項1之目標支撐件，其中該目標支撐件進一步包括經組態以部分限制該支撐平台沿著藉由該x軸及該y軸界定之一平面之移動之軌條及凹槽之一系統。
  8. 一種方法，其包括： 調整經組態以支撐一樣本腔室內之一目標之一目標支撐件，該目標支撐件包括： 一支撐框架，其經組態以插入至該樣本腔室中； 一支撐平台，其安置於該支撐框架內；及 一平台調整系統，其耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。
  9. 如請求項8之方法，其進一步包括：沿著一x軸調整該支撐平台，沿著一y軸調整該支撐平台及沿著一z軸調整該支撐平台。
  10. 如請求項8之方法，其中該平台調整系統進一步包括： 一或多個調整桿，其或其等安置於一或多個平台調整旋鈕與一或多個螺絲之一第一端之間，該一或多個平台調整旋鈕可旋轉以接合該一或多個螺絲； 一或多個螺紋孔，其或其等經組態以接合該一或多個螺絲之螺紋，該一或多個螺紋孔藉由一支架耦合至該支撐框架； 一或多個尖端部分，其或其等連接至該一或多個螺絲之一對應第二端，該一或多個尖端部分經組態以在該一或多個螺絲相對於該一或多個螺紋孔旋轉時沿著一x軸移位；及 一或多個楔形物，其或其等固定至該支撐平台之一下表面，其中該一或多個楔形物包括：一相對較薄端、一相對較厚端及自該相對較薄端延伸至該相對較厚端之一傾斜表面，該一或多個楔形物經組態以改變該支撐平台相對於該支撐框架之一位置。
  11. 如請求項10之方法，其中該一或多個楔形物包括提供於該傾斜表面上且經組態以接納該一或多個尖端部分之一部分之一凹槽。
  12. 如請求項8之方法，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以相對於經引導至該樣本腔室中之雷射脈衝之一聚焦光束之一焦深修改該支撐平台之一或多個區域之一位置。
  13. 如請求項8之方法，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以在該平台調整旋鈕之每一個完整旋轉沿著該z軸在自1 µm至1 mm之一範圍中修改該支撐平台之一位置。
  14. 如請求項8之方法，其中該目標支撐件進一步包括經組態以部分限制該支撐平台沿著藉由該x軸及該y軸界定之一平面之移動之軌條及凹槽之一系統。
  15. 一種經組態以容納一目標之一樣本腔室，其包括： 一樣本腔室主體； 一傳輸窗口； 一樣本擷取單元；及 一目標支撐件，其經組態以可調整地支撐該樣本腔室內之該目標，其中該目標支撐件包括： 一支撐框架，其經組態以插入至該樣本腔室中； 一支撐平台，其安置於該支撐框架內；及 一平台調整系統，其耦合至該支撐框架及該支撐平台，其中該平台調整系統經組態以在該支撐框架插入至該樣本腔室中時，調整該支撐平台相對於該支撐框架之一位置及一定向之至少一者。
  16. 如請求項15之樣本腔室，其中經組態以調整該支撐平台之該位置及該定向之至少一者之該平台調整系統進一步包括：沿著一x軸調整該支撐平台，沿著一y軸調整該支撐平台及沿著一z軸調整該支撐平台。
  17. 如請求項15之樣本腔室，其中該平台調整系統進一步包括： 一或多個調整桿，其或其等安置於一或多個平台調整旋鈕與一或多個螺絲之一第一端之間，該一或多個平台調整旋鈕可旋轉以接合該一或多個螺絲； 一或多個螺紋孔，其或其等經組態以接合該一或多個螺絲之螺紋，該一或多個螺紋孔藉由一支架耦合至該支撐框架； 一或多個尖端部分，其或其等連接至該一或多個螺絲之一對應第二端，該一或多個尖端部分經組態以在該一或多個螺絲相對於該一或多個螺紋孔旋轉時沿著一x軸移位；及 一或多個楔形物，其或其等固定至該支撐平台之一下表面，其中該一或多個楔形物包括：一相對較薄端、一相對較厚端及自該相對較薄端延伸至該相對較厚端之一傾斜表面，該一或多個楔形物經組態以改變該支撐平台相對於該支撐框架之一位置。
  18. 如請求項15之樣本腔室，其中該一或多個楔形物包括提供於該傾斜表面上且經組態以接納該一或多個尖端部分之一部分之一凹槽。
  19. 如請求項15之樣本腔室，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以相對於經引導至該樣本腔室中之雷射脈衝之一聚焦光束之一焦深修改該支撐平台之一或多個區域之一位置。
  20. 如請求項15之樣本腔室，其中該一或多個螺絲之一螺距及一螺旋角、該一或多個螺紋孔之該螺距及該螺旋角以及該一或多個楔形物之該傾斜表面之一斜率經組態以在該平台調整旋鈕之每一個完整旋轉沿著該z軸在自1 µm至1 mm之一範圍中修改該支撐平台之一位置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109880744B (zh) * 2019-03-22 2022-07-29 华南师范大学 光流控细胞分选芯片及其分选细胞的方法
JP2022131579A (ja) 2021-02-26 2022-09-07 キオクシア株式会社 分析装置および分析方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491411B1 (en) * 1993-05-14 1998-09-22 Univ Maryland Method and apparatus for imaging microscopic spatial variations in small currents and magnetic fields
US6388262B1 (en) * 1998-08-12 2002-05-14 Gatan, Inc. Double tilt and rotate specimen holder for a transmission electron microscope
JP2002100315A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Jeol Ltd 試料ステージ
US20040045497A1 (en) * 2001-01-05 2004-03-11 Michael Kriews Analysis method for detecting three-dimensional trace element distribution patterns and corresponding device for carrying out this method
US8274735B2 (en) 2007-09-14 2012-09-25 Fry Robert C Analytical laser ablation of solid samples for ICP, ICP-MS, and FAG-MS analysis
EP2749863A3 (en) * 2012-12-31 2016-05-04 Fei Company Method for preparing samples for imaging
KR20150114963A (ko) * 2013-02-14 2015-10-13 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 조성 분석 시스템을 위한 레이저 어블레이션 셀 및 토치 시스템
US20140227776A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Electro Scientific Industries, Inc. Laser ablation cell and torch system for a compositional analysis system
GB2528976B (en) * 2014-08-08 2016-12-28 Servomex Group Ltd Alignment device and transmitter/receiver system with two angular degrees of freedom
DE102014119485A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh Vorrichtung zur Durchführung eines Biegeversuchs
US10429276B2 (en) * 2015-04-30 2019-10-01 Elemental Scientific Lasers, Llc Motorized tracking of sample cell within specimen chamber and methods of using the same

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