TW201901275A - 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件 - Google Patents

可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件 Download PDF

Info

Publication number
TW201901275A
TW201901275A TW106116881A TW106116881A TW201901275A TW 201901275 A TW201901275 A TW 201901275A TW 106116881 A TW106116881 A TW 106116881A TW 106116881 A TW106116881 A TW 106116881A TW 201901275 A TW201901275 A TW 201901275A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit substrate
image sensing
disposed
dispensing package
sensing chip
Prior art date
Application number
TW106116881A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI639048B (zh
Inventor
李聰結
林恭安
Original Assignee
海華科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 海華科技股份有限公司 filed Critical 海華科技股份有限公司
Priority to TW106116881A priority Critical patent/TWI639048B/zh
Priority to CN201710391464.3A priority patent/CN108933127A/zh
Priority to CN201720612973.XU priority patent/CN206947342U/zh
Priority to US15/675,311 priority patent/US10510917B2/en
Priority to JP2017188694A priority patent/JP6709769B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of TWI639048B publication Critical patent/TWI639048B/zh
Publication of TW201901275A publication Critical patent/TW201901275A/zh
Priority to US16/681,986 priority patent/US10818814B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Camera Bodies And Camera Details Or Accessories (AREA)
  • Cameras Adapted For Combination With Other Photographic Or Optical Apparatuses (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明公開一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件。影像擷取模組包括一電路基板、一影像感測晶片、至少一電子元件、一點膠封裝體以及一鏡頭組件。電路基板具有一上表面以及一下表面。影像感測晶片電性連接於電路基板。影像感測晶片具有一影像感測區域。至少一電子元件設置在電路基板的下表面且電性連接於電路基板。點膠封裝體設置在電路基板的下表面以覆蓋至少一電子元件。鏡頭組件包括一設置在電路基板的上表面的支架結構以及一被支架結構所承載且對應於影像感測區域的鏡頭結構。藉此，由於支架結構與電子元件會設置在電路基板的兩相反表面上，所以支架結構在水平方向的寬度或者尺寸就能夠被縮減。

Description

可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
本發明涉及一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件，特別是涉及一種用於縮減鏡頭組件的寬度的可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件。
以現有技術來說，互補式金屬氧化半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)影像感測器的特殊利基在於「低電源消耗」與「小體積」的特點，因此CMOS影像感測器便於整合到有特殊需求的攜帶型電子產品內，例如CMOS影像感測器可便於整合到具有較小整合空間的行動電話及筆記型電腦等。然而，因為位於電路基板上的周邊電子元件分佈的關係，現有的影像擷取模組所使用的支架結構的寬度無法被縮減。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種影像擷取模組，所述影像擷取模組包括：一電路基板、一影像感測晶片、至少一電子元件、一點膠封裝體以及一鏡頭組件。所述電路基板具有一上表面以及一下表面。所述影像感測晶片電性連接於所述電路基板，其中，所述影像感測晶片具有一影像感測區域。至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所 述下表面且電性連接於所述電路基板。所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件。所述鏡頭組件包括一設置在所述電路基板的上表面的支架結構以及一被所述支架結構所承載且對應於所述影像感測區域的鏡頭結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種承載組件，所述承載組件包括：一電路基板、一點膠封裝體以及一支架結構。所述電路基板用於承載至少一電子元件，其中，所述電路基板具有一上表面以及一下表面，且至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板。所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件。所述支架結構設置在所述電路基板的所述上表面。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置使用一影像擷取模組，其特徵在於，所述影像擷取模組包括：一電路基板、一影像感測晶片、至少一電子元件、一點膠封裝體以及一鏡頭組件。所述電路基板具有一上表面以及一下表面。所述影像感測晶片電性連接於所述電路基板，其中，所述影像感測晶片具有一影像感測區域。至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板。所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件。所述鏡頭組件包括一設置在所述電路基板的上表面的支架結構以及一被所述支架結構所承載且對應於所述影像感測區域的鏡頭結構。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件，其能通過“至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板，且所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件”以及“所述支架結構設置在所述電路 基板的所述上表面”的技術方案，以縮小所述支架結構在水平方向的寬度或者尺寸。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
P‧‧‧可攜式電子裝置
S‧‧‧承載組件
M‧‧‧影像擷取模組
1‧‧‧電路基板
100‧‧‧貫穿開口
101‧‧‧上表面
1010‧‧‧無電子元件區域
102‧‧‧下表面
103‧‧‧接地區
2‧‧‧影像感測晶片
200‧‧‧影像感測區域
3‧‧‧電子元件
4‧‧‧點膠封裝體
400‧‧‧平整表面
40‧‧‧環繞延伸部
5‧‧‧鏡頭組件
51‧‧‧支架結構
52‧‧‧鏡頭結構
6‧‧‧濾光元件
7‧‧‧導電體
700‧‧‧下表面
8‧‧‧散熱結構
9‧‧‧圍繞狀限位框
C1‧‧‧電連接器
C2‧‧‧導電結構
H1、H2‧‧‧厚度
圖1為本發明第一實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖2為本發明第一實施例的點膠封裝體的環繞延伸部覆蓋影像感測晶片的全部底面時的示意圖。
圖3為本發明第一實施例的點膠封裝體被圍繞狀限位框所圍繞且限位的示意圖。
圖4為本發明第一實施例的影像擷取模組的電路基板被切割前的示意圖。
圖5為本發明第一實施例的影像擷取模組的電路基板被切割後的示意圖。
圖6為本發明第二實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖7為本發明第三實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖8為本發明的承載組件的示意圖。
圖9為本發明第四實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖10為本發明第五實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖11為本發明第六實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖12為本發明第七實施例的影像擷取模組的示意圖。
圖13為本發明第八實施例的可攜式電子裝置的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說 明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
[第一實施例]
請參閱圖1所示，本發明第一實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。
首先，電路基板1具有一上表面101以及一下表面102。更進一步來說，電路基板1具有一連接於上表面101與下表面102之間的貫穿開口100。舉例來說，電路基板1可以採用PCB硬板(如BT、FR4、FR5材質)、軟硬結合板或者陶瓷基板等，然而本發明不以此舉例為限。
再者，影像感測晶片2電性連接於電路基板1，並且影像感測晶片2具有一影像感測區域200。更進一步來說，影像感測晶片2設置在電路基板1的下表面102上，並且影像感測晶片2的影像感測區域200會面向電路基板1的貫穿開口100。舉例來說，影像感測晶片2可為一種互補式金屬氧化半導體(CMOS)感測器或者任何具有影像擷取功能的感測器，然而本發明不以此舉例為限。
此外，至少一電子元件3設置在電路基板1的下表面102且電性連接於電路基板1。舉例來說，電子元件3可以是電容、電阻、驅動IC或者電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)等被動元件，然而本發明不以此舉例為限。
另外，點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102以覆蓋至少一電子元件3。舉例來說，點膠封裝體4具有一覆蓋影像感測晶片2的全部或者一部分底面的環繞延伸部40，或者點膠封裝體 4也可以省略環繞延伸部40，而使得影像感測晶片2的全部底面都不會被點膠封裝體4所覆蓋。再舉例來說，點膠封裝體4可為一種由epoxy或者silicon通過點膠(dispensing)的方式所形成的點膠基座，並且點膠封裝體4能通過精細研磨而具有一微米等級的平整表面400，然而本發明不以此舉例為限。
值得一提的是，由於點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102，所以電路基板1的結構強度就可以通過點膠封裝體4的輔助支撐而得到加強，進而使得電路基板1的硬度被提升而不易產生翹曲(warpage)。
再者，鏡頭組件5包括一設置在電路基板1的上表面101的支架結構51以及一被支架結構51所承載且對應於影像感測區域200的鏡頭結構52。舉例來說，支架結構51可以是普通的底座或者任何種類的音圈馬達(Voice Coil Motor，VCM)，並且鏡頭結構52可以是由多個鏡片所組成，然而本發明不以此舉例為限。另外，舉例來說，支架結構51能通過黏著膠體(圖未示)而設置在電路基板1的上表面101，然而本發明不以此舉例為限。
舉例來說，電路基板1的上表面101具有一被支架結構51所圍繞且未被任何其它電子元件所佔領的無電子元件區域1010。也就是說，全部的電子元件3都會被安置在電路基板1的下表面102，所以電路基板1的上表面101的無電子元件區域1010上就不會有任何的電子元件，藉此支架結構51就能夠直接被放置在電路基板1的上表面101的無電子元件區域1010所涵蓋的範圍內。然而，本發明不以此舉例為限，例如電路基板1的上表面101與下表面102都可以設置相關的被動元件。
值得一提的是，影像擷取模組M還進一步包括：一濾光元件6，濾光元件6能夠設置在影像感測晶片2與電路基板1兩者其中之一上，並且濾光元件6設置在影像感測晶片2與鏡頭結構52之間。舉例來說，濾光元件6可以直接設置在影像感測晶片2上(如 圖1所示)，或者濾光元件6可以被多個柱狀物(圖未示)撐高而設置在影像感測晶片2的上方。另外，濾光元件6可以是鍍膜玻璃，也可以是非鍍膜玻璃，然而本發明不以此舉例為限。
值得一提的是，點膠封裝體4的外表面可以另外增設一層保護層。舉例來說，點膠封裝體4的外表面具有一防塵鍍膜層，以用於降低微粒(particle)的附著，然而本發明不以此舉例為限。
綜上所言，由於支架結構51與電子元件3會設置在電路基板1的兩相反表面上，所以支架結構在水平方向的寬度或者尺寸就能夠被縮減。也就是說，由於支架結構51是直接設置在電路基板1的上表面101的無電子元件區域1010上而不用特別去避開電子元件3，所以支架結構51在水平方向(X方向或者Y方向)的寬度就能夠被縮減，藉此以縮小支架結構51在水平方向的尺寸。
值得一提的是，如圖2所示，當點膠封裝體4的環繞延伸部40覆蓋影像感測晶片2的全部底面時，由於點膠封裝體4也可以由散熱膠所形成，所以點膠封裝體4將有助於提升影像感測晶片2的散熱效能。
值得一提的是，如圖3所示，點膠封裝體4可以被一設置在電路基板1的下表面102上的圍繞狀限位框9所圍繞且限位。也就是說，當點膠封裝體4所使用的膠材的黏滯係數(viscosity)較低時，圍繞狀限位框9可做為一種環繞狀障礙物(dam)，以限制點膠封裝體4的成形範圍。當然，點膠封裝體4也可採用具有較高黏滯係數的膠材，如此也可省略圍繞狀限位框9的使用(如圖1或圖2所示)。
值得一提的是，配合圖4與圖5所示，本發明可預先使用承載面積較大的電路基板1。當影像擷取模組M製作完成後(如圖4所示)，可以沿著A-A切割面來切割電路基板1，以得到所需尺寸的影像擷取模組M，也就是尺寸較小的影像擷取模組M(如圖5所示)。藉此，影像擷取模組M在水平方向(X方向或者Y方向) 的寬度就能夠被縮減。
[第二實施例]
請參閱圖6所示，本發明第二實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。由圖6與圖1的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的不同在於：第二實施例的影像擷取模組M還進一步包括至少一導電體7，並且至少一導電體7設置在電路基板1的下表面102且電性連接於電路基板1。
承上所言，至少一導電體7的一部分會被點膠封裝體4所覆蓋，以使得至少一導電體7的一下表面700被裸露在點膠封裝體外。舉例來說，至少一導電體7可以電性連接於電路基板1的接地區103，所以電路基板1的接地區103就可以通過至少一導電體7，以電性連接於應用系統(圖未示)的接地區，藉此本發明的影像擷取模組M能夠符合靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)以及電磁干擾(Electromagnetic Disturbance，EMI)等相關的要求。另外，至少一導電體7可以是銅柱、錫球、電子零件等導電元件，然而本發明不以此舉例為限。
值得注意的是，點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102且圍繞影像感測晶片2，並且點膠封裝體4的厚度H1會大於影像感測晶片2的厚度H2。藉此，由於點膠封裝體4的厚度H1會大於影像感測晶片2的厚度H2，所以點膠封裝體4的頂端相對於電路基板1的下表面102的距離會大於影像感測晶片2的頂端相對於電路基板1的下表面102的距離。因此，影像感測晶片2能夠得到點膠封裝體4的保護而不易碰撞到外物。
當然，第二實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第三實施例]
請參閱圖7所示，本發明第三實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。由圖7與圖6的比較可知，本發明第三實施例與第二實施例最大的不同在於：在第三實施例中，濾光元件6可以直接設置在電路基板1上而與影像感測晶片2彼此分離。
也就是說，本發明可依據不同的設計需求，而將濾光元件6設置在影像感測晶片2上(如圖1所呈現的第一實施例)或者電路基板1上(如圖7所呈現的第三實施例)。
值得一提的是，請參閱圖8所示，本發明還進一步提供一種承載組件S，其包括：一電路基板1、一點膠封裝體4以及一支架結構51。電路基板1用於承載至少一電子元件3，並且至少一電子元件3設置在電路基板1的下表面102且電性連接於電路基板1。點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102以覆蓋至少一電子元件3。支架結構51設置在電路基板1的上表面101。
也就是說，圖8所提供的承載組件S不限定只能用於承載影像感測晶片2與鏡頭結構52(例如第一實施例至第三實施例一樣)。
當然，第三實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第四實施例]
請參閱圖9所示，本發明第四實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。由圖8與圖6的比較可知，本發明第四實施例與第二實施例最大的不同在於：第四實施例的影像擷取模組M還進一步包括一散熱結構8，並且散熱結構8設 置在點膠封裝體4的平整表面400上且接觸至少一導電體7的下表面700。
承上所言，影像感測晶片2可通過導熱膠(未標號)以貼附在散熱結構8上，藉此以提升影像感測晶片2的散熱效能。另外，點膠封裝體4的平整表面400會與至少一導電體7的下表面700齊平，所以散熱結構8就能以平整表面400做為一承載基準面而設置其上。舉例來說，散熱結構8可以是鋼片、銅片或者銅箔等導電元件，然而本發明不以此舉例為限。
值得一提的是，至少一導電體7可以電性連接於電路基板1的接地區103，所以電路基板1的接地區103就可以依序通過至少一導電體7與散熱結構8，以電性連接於應用系統(圖未示)的接地區，藉此本發明的影像擷取模組M能夠符合靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)以及電磁干擾(Electromagnetic Disturbance，EMI)等相關的要求。
當然，第四實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第五實施例]
請參閱圖10所示，本發明第五實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。由圖10與圖6的比較可知，本發明第五實施例與第二實施例最大的不同在於：在第五實施例中，電路基板1上可以另外增設一電連接器C1，以使得影像擷取模組M可以通過電連接器C1以與後端電子模組(圖未示)電性連接。
當然，第五實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第六實施例]
請參閱圖11所示，本發明第六實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5。由圖11與圖6的比較可知，本發明第六實施例與第二實施例最大的不同在於：在第六實施例中，影像擷取模組M可以通過一導電結構C2(例如Hot Bar或者ACF)而與一軟性電路板(未標號)電性搭接在一起，以使得影像擷取模組M能與後端電子模組(圖未示)電性連接。藉此，影像擷取模組M通過導電結構C2而與不同的軟性電路板電性搭配，進而提升本發明的影像擷取模組M的共用性。
當然，第六實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第七實施例]
請參閱圖12所示，本發明第七實施例提供兩個影像擷取模組M。由圖12與圖6的比較可知，本發明第七實施例與第二實施例最大的不同在於：第七實施例可以同時使用兩個影像擷取模組M(也就是雙鏡頭模組)，並且兩個影像擷取模組M可以共用同一個電路基板1。當然，依據不同的設計需求，兩個影像擷取模組M也可以共用同一個點膠封裝體4以及同一個導電體7。
當然，第七實施例也可以依據第一實施例的圖2、圖3或者圖4至圖5的方式來製作影像擷取模組M。
[第八實施例]
請參閱圖13所示，本發明第八實施例提供一種可攜式電子裝置P，並且可攜式電子裝置P可以使用第一至第七實施例中的任何一影像擷取模組M。舉例來說，影像擷取模組M可以應用於手機、筆記型電腦或者平板電腦，然而本發明不以此舉例為限。如 圖13所示，影像擷取模組M可以做為可攜式電子裝置P的後鏡頭，並且影像擷取模組M可以包括一電路基板1、一影像感測晶片2、至少一電子元件3、一點膠封裝體4以及一鏡頭組件5，然而本發明不以此舉例為限。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種可攜式電子裝置P及其影像擷取模組M與承載組件S，其能通過“至少一電子元件3設置在電路基板1的下表面102且電性連接於電路基板1，且點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102以覆蓋至少一電子元件3”以及“支架結構51設置在電路基板1的上表面101”的技術方案，以縮小支架結構51在水平方向的寬度或者尺寸。也就是說，由於支架結構51是直接設置在電路基板1的上表面101而不用特別去避開電子元件3，所以支架結構51就不用避開電子元件3而能在水平方向(X方向或者Y方向)的寬度就能夠被縮減，藉此以縮小支架結構51在水平方向的尺寸。
值得一提的是，由於點膠封裝體4設置在電路基板1的下表面102，所以電路基板1的結構強度就可以通過點膠封裝體4的輔助支撐而得到加強，進而使得電路基板1的硬度被提升而不易產生翹曲(warpage)。
值得一提的是，當點膠封裝體4的環繞延伸部40覆蓋影像感測晶片2的全部底面時，由於點膠封裝體4也可以由散熱膠所形成，所以點膠封裝體4將有助於提升影像感測晶片2的散熱效能。
值得一提的是，點膠封裝體4可以被一設置在電路基板1的下表面102上的圍繞狀限位框9所圍繞且限位。也就是說，當點膠封裝體4所使用的膠材的黏滯係數較低時，圍繞狀限位框9可做為一種環繞狀障礙物，以限制點膠封裝體4的成形範圍。當然，點膠封裝體4也可採用具有較高黏滯係數的膠材，如此也可省略 圍繞狀限位框9的使用。
值得一提的是，本發明可預先使用承載面積較大的電路基板1。當影像擷取模組M製作完成後，可以通過切割電路基板而得到所需尺寸的影像擷取模組M，也就是尺寸較小的影像擷取模組M。藉此，影像擷取模組M在水平方向(X方向或者Y方向)的寬度就能夠被縮減。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種影像擷取模組，所述影像擷取模組包括：一電路基板，所述電路基板具有一上表面以及一下表面；一影像感測晶片，所述影像感測晶片電性連接於所述電路基板，其中，所述影像感測晶片具有一影像感測區域；至少一電子元件，至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板；一點膠封裝體，所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件；以及一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括一設置在所述電路基板的上表面的支架結構以及一被所述支架結構所承載且對應於所述影像感測區域的鏡頭結構。
  2. 如請求項1所述的影像擷取模組，還進一步包括：至少一導電體，至少一所述導電體設置在所述電路基板的下表面且電性連接於所述電路基板，且至少一所述導電體的一部分被所述點膠封裝體所覆蓋，以使得至少一所述導電體的一下表面裸露在所述點膠封裝體外，其中，所述點膠封裝體具有與至少一所述導電體的所述下表面齊平的一平整表面，所述點膠封裝體圍繞所述影像感測晶片，並且所述點膠封裝體的厚度大於所述影像感測晶片的厚度，其中，所述電路基板的所述上表面具有一被所述支架結構所圍繞且未被其它的電子元件所佔領的無電子元件區域。
  3. 如請求項2所述的影像擷取模組，還進一步包括：一散熱結構，所述散熱結構設置在所述點膠封裝體的所述平整表面上且接觸至少一所述導電體的所述下表面，且所述影像感測晶片通過導熱膠以貼附在所述散熱結構上，其中，所述電路基板具有一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，所述影像感 測晶片設置在所述電路基板的所述下表面上，且所述影像感測晶片的所述影像感測區域面向所述貫穿開口。
  4. 如請求項3所述的影像擷取模組，還進一步包括：一濾光元件，所述濾光元件設置在所述影像感測晶片與所述電路基板兩者其中之一上，且所述濾光元件設置在所述影像感測晶片與所述鏡頭結構之間，其中，所述點膠封裝體具有一覆蓋所述影像感測晶片的全部或者一部分底面的環繞延伸部，且所述點膠封裝體被一設置在所述電路基板的所述下表面上的圍繞狀限位框所圍繞且限位。
  5. 一種承載組件，所述承載組件包括：一電路基板，所述電路基板用於承載至少一電子元件，其中，所述電路基板具有一上表面以及一下表面，且至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板；一點膠封裝體，所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件；以及一支架結構，所述支架結構設置在所述電路基板的所述上表面。
  6. 如請求項5所述的承載組件，還進一步包括：至少一導電體；以及一散熱結構；其中，至少一所述導電體設置在所述電路基板的下表面且電性連接於所述電路基板，且至少一所述導電體的一部分被所述點膠封裝體所覆蓋，以使得至少一所述導電體的一下表面裸露在所述點膠封裝體外；其中，所述點膠封裝體具有與至少一所述導電體的所述下表面齊平的一平整表面，且所述散熱結構設置在所述點膠封裝體的所述平整表面上且接觸至少一所述導電體的所述下表面； 其中，所述電路基板的所述上表面具有一被所述支架結構所圍繞且未被其它的電子元件所佔領的無電子元件區域。
  7. 一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置使用一影像擷取模組，其特徵在於，所述影像擷取模組包括：一電路基板，所述電路基板具有一上表面以及一下表面；一影像感測晶片，所述影像感測晶片電性連接於所述電路基板，其中，所述影像感測晶片具有一影像感測區域；至少一電子元件，至少一所述電子元件設置在所述電路基板的所述下表面且電性連接於所述電路基板；一點膠封裝體，所述點膠封裝體設置在所述電路基板的所述下表面以覆蓋至少一所述電子元件；以及一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括一設置在所述電路基板的上表面的支架結構以及一被所述支架結構所承載且對應於所述影像感測區域的鏡頭結構。
  8. 如請求項7所述的可攜式電子裝置，其特徵在於，所述影像擷取模組還進一步包括：至少一導電體，至少一所述導電體設置在所述電路基板的下表面且電性連接於所述電路基板，且至少一所述導電體的一部分被所述點膠封裝體所覆蓋，以使得至少一所述導電體的一下表面裸露在所述點膠封裝體外，其中，所述點膠封裝體具有與至少一所述導電體的所述下表面齊平的一平整表面，所述點膠封裝體圍繞所述影像感測晶片，並且所述點膠封裝體的厚度大於所述影像感測晶片的厚度，其中，所述電路基板的所述上表面具有一被所述支架結構所圍繞且未被其它的電子元件所佔領的無電子元件區域。
  9. 如請求項8所述的可攜式電子裝置，其特徵在於，所述影像擷取模組還進一步包括：一散熱結構，所述散熱結構設置在所述點膠封裝體的所述平整表面上且接觸至少一所述導電體的所述下表面，且所述影像感測晶片通過導熱膠以貼附在所述散熱 結構上，其中，所述電路基板具有一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，所述影像感測晶片設置在所述電路基板的所述下表面上，且所述影像感測晶片的所述影像感測區域面向所述貫穿開口。
  10. 如請求項9所述的可攜式電子裝置，其特徵在於，所述影像擷取模組還進一步包括：一濾光元件，所述濾光元件設置在所述影像感測晶片與所述電路基板兩者其中之一上，且所述濾光元件設置在所述影像感測晶片與所述鏡頭結構之間，其中，所述點膠封裝體具有一覆蓋所述影像感測晶片的全部或者一部分底面的環繞延伸部，且所述點膠封裝體被一設置在所述電路基板的所述下表面上的圍繞狀限位框所圍繞且限位。
TW106116881A 2017-05-22 2017-05-22 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件 TWI639048B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106116881A TWI639048B (zh) 2017-05-22 2017-05-22 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
CN201710391464.3A CN108933127A (zh) 2017-05-22 2017-05-27 可携式电子装置及其影像获取模块与承载组件
CN201720612973.XU CN206947342U (zh) 2017-05-22 2017-05-27 可携式电子装置及其影像获取模块与承载组件
US15/675,311 US10510917B2 (en) 2017-05-22 2017-08-11 Portable electronic device, image-capturing module thereof and carrier assembly thereof
JP2017188694A JP6709769B2 (ja) 2017-05-22 2017-09-28 携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニット
US16/681,986 US10818814B2 (en) 2017-05-22 2019-11-13 Portable electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106116881A TWI639048B (zh) 2017-05-22 2017-05-22 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI639048B TWI639048B (zh) 2018-10-21
TW201901275A true TW201901275A (zh) 2019-01-01

Family

ID=61362550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106116881A TWI639048B (zh) 2017-05-22 2017-05-22 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10510917B2 (zh)
JP (1) JP6709769B2 (zh)
CN (2) CN206947342U (zh)
TW (1) TWI639048B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
CN110896435B (zh) * 2018-09-13 2021-07-20 三赢科技（深圳）有限公司 相机模组
CN111212202A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 纮华电子科技（上海）有限公司 影像获取模块及便携式电子装置
WO2020134469A1 (zh) * 2018-12-28 2020-07-02 宁波舜宇光电信息有限公司 镜头组件、感光组件和摄像模组及其组装方法
CN109491181B (zh) * 2019-01-02 2024-03-19 昆山丘钛微电子科技股份有限公司 相机模组及其制造方法
TWI681564B (zh) * 2019-01-10 2020-01-01 茂達電子股份有限公司 行動通訊裝置及其光學封裝結構
CN113552682A (zh) * 2020-04-21 2021-10-26 三赢科技（深圳）有限公司 镜头封装模组及其制作方法
CN111787202A (zh) * 2020-07-13 2020-10-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组、电子设备以及具有其的车辆
WO2023135929A1 (ja) * 2022-01-11 2023-07-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 パッケージ

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164471A (ja) * 2000-11-15 2002-06-07 United Test Center Inc 薄型半導体装置及びその製造方法
JP3859679B2 (ja) 2001-08-07 2006-12-20 日立マクセル株式会社 カメラモジュール
JP2004282227A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
US6943423B2 (en) * 2003-10-01 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
JP2005327842A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Citizen Electronics Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
CN101075624A (zh) * 2006-05-18 2007-11-21 大瀚光电股份有限公司 覆晶式取像模块封装结构及其封装方法
JP2009070882A (ja) 2007-09-11 2009-04-02 Kyushu Institute Of Technology 半導体チップパッケージ及びその製造方法
KR100915134B1 (ko) 2008-12-10 2009-09-03 옵토팩 주식회사 이미지 센서 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP2011018736A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Toshiba Corp 半導体装置
US8003496B2 (en) * 2009-08-14 2011-08-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting semiconductor die to heat spreader on temporary carrier and forming polymer layer and conductive layer over the die
US8934052B2 (en) * 2010-11-02 2015-01-13 Stmicroelectronics Pte Ltd Camera module including an image sensor and a laterally adjacent surface mount device coupled at a lower surface of a dielectric material layer
JP2012238687A (ja) 2011-05-11 2012-12-06 Sony Corp 半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、および固体撮像装置
JP5982380B2 (ja) * 2011-08-19 2016-08-31 富士フイルム株式会社 撮像素子モジュール及びその製造方法
JP2013106001A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Olympus Corp 撮像ユニット
TWI512961B (zh) * 2013-08-16 2015-12-11 Azurewave Technologies Inc 用於降低整體厚度的影像感測模組及其製作方法
CN203492103U (zh) * 2013-09-17 2014-03-19 南昌欧菲光电技术有限公司 影像模组
CN103956371A (zh) * 2014-05-20 2014-07-30 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感器模组及其形成方法
CN204334747U (zh) * 2014-12-25 2015-05-13 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像头模组
JP6061967B2 (ja) 2015-03-05 2017-01-18 三菱電機株式会社 パワー半導体装置
TWI559464B (zh) 2015-03-12 2016-11-21 恆勁科技股份有限公司 封裝模組及其基板結構
CN204945470U (zh) 2015-04-13 2016-01-06 达立光科技有限公司 模块化自动对焦装置
CN105681637B (zh) * 2016-03-15 2019-12-31 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件

Also Published As

Publication number Publication date
US10510917B2 (en) 2019-12-17
US20200083396A1 (en) 2020-03-12
US20180337302A1 (en) 2018-11-22
CN108933127A (zh) 2018-12-04
JP6709769B2 (ja) 2020-06-17
TWI639048B (zh) 2018-10-21
US10818814B2 (en) 2020-10-27
JP2018197843A (ja) 2018-12-13
CN206947342U (zh) 2018-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI639048B (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
CN109244067B (zh) 可携式电子装置及其影像撷取模块与影像感测组件
TWM550941U (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
US20100025793A1 (en) Assembly for image sensing chip and assembling method thereof
TWI635348B (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
TWI656632B (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
TWM550473U (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
TWM553428U (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與影像感測組件
TWM550474U (zh) 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
TWI677745B (zh) 影像擷取模組及可攜式電子裝置
TWI685125B (zh) 影像擷取模組及可攜式電子裝置
TWM576691U (zh) Image capture module and portable electronic device
TWM578826U (zh) Image capture module and portable electronic device
CN111212202A (zh) 影像获取模块及便携式电子装置
CN111212201A (zh) 影像获取模块及便携式电子装置