JP6709769B2 - 携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニット - Google Patents

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Description

本発明は、携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニットに関し、特に、レンズユニットの幅を低減するための携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニットに関する。
従来技術では、相補型金属酸化物半導体(Complementary Metal−Oxide−Semiconductor、CMOS)画像センサの特別なニッチは、「低消費電力」と「小体積」という特徴であるため、CMOS画像センサは特別な需要のある携帯型電子製品に整合されやすい。例えばCMOS画像センサは小さな整合空間を有する携帯電話及びノートパソコン等に整合されやすい。しかし、回路基板に位置する周辺電子部品の分布の関係のため、従来の画像撮影モジュールに用いられるホルダ構造の幅を低減することができない。
本発明が解決しようとする課題は、従来技術の不足に対して、携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニットを提供することにある。
上述の課題を解決するために、本願に係る発明は、回路基板と、画像検知チップと、少なくとも一つの電子部品と、ディスペンスパッケージと、レンズユニットとを備える画像撮影モジュールを提供する。前記回路基板は、上表面及び下表面を有する。前記画像検知チップは前記回路基板に電気的に接続され、画像検知領域を有する。前記少なくとも一つの電子部品は、前記回路基板の前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される。前記ディスペンスパッケージは、前記少なくとも一つの電子部品を被覆するように、前記回路基板の前記下表面に設けられる。前記レンズユニットは、前記回路基板の上表面に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造と、を備える。
上述の課題を解決するために、本願に係る発明は、回路基板と、ディスペンスパッケージと、ホルダ構造とを備える載置ユニットを提供する。前記回路基板は、少なくとも一つの電子部品を載置する。前記回路基板は上表面及び下表面を有する。前記少なくとも一つの電子部品は、前記回路基板の前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される。前記ディスペンスパッケージは、前記少なくとも一つの電子部品を被覆するように、前記回路基板の前記下表面に設けられる。前記ホルダ構造は前記回路基板の前記上表面に設けられる。
上述の課題を解決するために、本願に係る発明は、画像撮影モジュールを備える携帯型電子装置を提供する。前記画像撮影モジュールは、回路基板と、画像検知チップと、少なくとも一つの電子部品と、ディスペンスパッケージと、レンズユニットとを備える。前記回路基板は、上表面及び下表面を有する。前記画像検知チップは前記回路基板に電気的に接続され、画像検知領域を有する。前記少なくとも一つの電子部品は、前記回路基板の前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される。前記ディスペンスパッケージは、前記少なくとも一つの電子部品を被覆するように、前記回路基板の前記下表面に設けられる。前記レンズユニットは、前記回路基板の上表面に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造と、を備える。
本発明に係る携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニットは、「少なくとも一つの電子部品は、回路基板の下表面に設けられると共に回路基板に電気的に接続され、ディスペンスパッケージは、少なくとも一つの電子部品を被覆するように、回路基板の下表面に設けられる」という技術方案及び「ホルダ構造は回路基板の上表面に設けられる」という技術方案により、ホルダ構造の水平方向における幅又はサイズを縮小することができる。
図1は本発明の第1の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図2は本発明の第1の実施例のディスペンスパッケージの周回延在部は画像検知チップの全ての底面を被覆する場合の模式図である。 図3は本発明の第1の実施例のディスペンスパッケージが囲み状位置制限フレームによって取り囲まれて位置制限される模式図である。 図4は本発明の第1の実施例の画像撮影モジュールの回路基板が切断される前の模式図である。 図5は本発明の第1の実施例の画像撮影モジュールの回路基板が切断された後の模式図である。 図6は本発明の第2の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図7は本発明の第3の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図8は本発明の載置ユニットの模式図である。 図9は本発明の第4の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図10は本発明の第5の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図11は本発明の第6の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図12は本発明の第7の実施例の画像撮影モジュールの模式図である。 図13は本発明の第8の実施例の携帯型電子装置の模式図である。
本発明の特徴及び技術内容がより一層分かるように、以下本発明に関する詳細な説明と添付図面を参照する。しかし、提供される添付図面は参考と説明のために提供するものに過ぎず、本発明を制限するためのものではない。
以下には所定の具体的実施例を介して、本発明に係る携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び載置ユニットに関する実施の形態を説明する。当業者は本明細書に開示される内容から、本発明のメリットと効果を知ることが可能になる。本発明は、他の異なる具体的実施例を介して実施又は応用されてもよく、本明細書中の各詳細は異なる観点と応用に基づき、本発明の主旨を逸脱することなく種々の修飾と変更を行ってもよい。また、本発明の添付図面は簡単な概略的説明に過ぎず、実際のサイズに従い記述するものではないことをまず明らかにしておく。以下の実施の形態は、本発明の関連技術内容をより詳しく説明するが、開示される内容は本発明の保護範囲を制限するためのものではない。
[第1の実施例]
図1を参照する。本発明の第1の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。
まず、回路基板1は、上表面101と、下表面102とを有する。更に、回路基板1は、上表面101と下表面102との間に接続される貫通開口100を有する。例えば、回路基板1は、PCBハード基板(例えば、BT、FR4、FR5材質)、フレックス−リジッド基板又はセラミック基板等を用いてもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
なお、画像検知チップ2は回路基板1に電気的に接続されると共に、画像検知領域200を有する。更に、画像検知チップ2は、回路基板1の下表面102に設けられると共に、その画像検知領域200が回路基板1の貫通開口100と対向する。例えば、画像検知チップ2は、相補型金属酸化物半導体(CMOS)センサ又はいかなる画像撮影機能を有するセンサであってもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
また、少なくとも一つの電子部品3は、回路基板1の下表面102に設けられると共に回路基板1に電気的に接続される。例えば、電子部品3は、コンデンサ、抵抗器、駆動IC又は電気的消去・書込み可能PROM(EEPROM)等の受動部品であってもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
また、ディスペンスパッケージ4は、少なくとも一つの電子部品3を被覆するように、回路基板1の下表面102に設けられる。例えば、ディスペンスパッケージ4は、画像検知チップ2の全て又は一部の底面を被覆する周回延在部40を有し、又はディスペンスパッケージ4は周回延在部40を省略してもよく、画像検知チップ2の全ての底面がディスペンスパッケージ4によって被覆されないようにする。更に、例えば、ディスペンスパッケージ4はepoxy又はsiliconがディスペンス(dispensing)の方式により形成されるディスペンス基座であってもよく、ディスペンスパッケージ4は、仕上げ研磨により、μmオーダーの平坦面400を有することができるが、本発明はこの例に制限されるものではない。
なお、ディスペンスパッケージ4が回路基板1の下表面102に設けられるため、回路基板1の構造強度は、ディスペンスパッケージ4の補助支持により補強されることができる。更に回路基板1の硬度が向上され反り(warpage)が発生しにくくなる。
なお、レンズユニット5は、回路基板1の上表面101に設けられるホルダ構造51と、ホルダ構造51に載置されると共に画像検知領域200に対応するレンズ構造52とを備える。例えば、ホルダ構造51は、通常の台座又はいかなる種類のボイスコイルモータ(Voice Coil Motor、VCM)であってもよく、かつレンズ構造52は、複数のレンズから構成されてもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。また、例えば、ホルダ構造51は、粘着樹脂(図示せず)を介して回路基板1の上表面101に設けられるが、本発明はこの例に制限されるものではない。
例えば、回路基板1の上表面101には、ホルダ構造51によって取り囲まれると共に、いかなる他の電子部品によって占められていない電子部品無し領域1010を有する。つまり、全ての電子部品3は、いずれも回路基板1の下表面102に配置されるため、回路基板1の上表面101の電子部品無し領域1010にはいかなる電子部品がない。これにより、ホルダ構造51は直接回路基板1の上表面101の電子部品無し領域1010が亘る範囲内に置かれることができる。しかし、本発明はこの例に制限されるものではなく、例えば回路基板1の上表面101と下表面102にはすべて関連受動部品を設けることができる。
なお、画像撮影モジュールMは、画像検知チップ2と回路基板1のうちの一方に設けられると共に、画像検知チップ2とレンズ構造52との間に設けられる光学フィルタユニット6を更に備える。例えば、光学フィルタユニット6は、直接画像検知チップ2に設けられてもよく(図1に示すように)、又は複数の柱状体(図示せず)によって高く支えられ画像検知チップ2の上方に設けられてもよい。また、光学フィルタユニット6は、被覆ガラスであってもよく、非被覆ガラスであってもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
なお、ディスペンスパッケージ4の外表面には、1層の保護層を更に増設してもよい。例えば、ディスペンスパッケージ4の外表面には、微粒子(particle)の付着を低減させるための防塵コーティング層を有するが、本発明はこの例に制限されるものではない。
以上をまとめると、ホルダ構造51と電子部品3が回路基板1における反対向きの二つの表面に設けられるため、ホルダ構造の水平方向における幅又はサイズを低減することができる。つまり、ホルダ構造51は、直接回路基板1の上表面101の電子部品無し領域1010に設けられ、特に電子部品3を避ける必要がないため、ホルダ構造51の水平方向(X方向又はY方向)における幅を低減できる。これにより、ホルダ構造51の水平方向におけるサイズを縮小できる。
なお、図2に示すように、ディスペンスパッケージ4の周回延在部40が画像検知チップ2の全ての底面を被覆する場合、ディスペンスパッケージ4は放熱接着剤から形成されてもよいため、画像検知チップ2の放熱効率向上に寄与する。
なお、図3に示すように、ディスペンスパッケージ4は回路基板1の下表面102に設けられる囲み状位置制限フレーム9によって取り囲まれ位置制限されてもよい。つまり、ディスペンスパッケージ4に用いられる結合剤の粘度(viscosity)が低い場合、囲み状位置制限フレーム9はダム(dam)として、ディスペンスパッケージ4の成形範囲を制限することができる。もちろん、ディスペンスパッケージ4は、高い粘度を有する結合剤を用いてもよく、このように囲み状位置制限フレーム9の使用を省略することもできる(図1又は図2に示すように)。
なお、図4と図5に合わせて、本発明は、載置面積の大きい回路基板1を予め用いてもよい。画像撮影モジュールMが作製された後(図4に示すように)、A−A切断面に沿って回路基板1を切断し、必要なサイズの画像撮影モジュールM、即ちサイズの小さい画像撮影モジュールMを得ることができる(図5に示すように)。これにより、画像撮影モジュールMの水平方向(X方向又はY方向)における幅を低減することができる。
[第2の実施例]
図6を参照する。本発明の第2の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。図6と図1との比較から分かるように、本発明の第2の実施例と第1の実施例との最大の相違点は、第2の実施例の画像撮影モジュールMは、少なくとも一つの導電体7を更に備え、少なくとも一つの導電体7は、回路基板1の下表面102に設けられると共に回路基板1に電気的に接続されることにある。
上述したように、少なくとも一つの導電体7の一部は、ディスペンスパッケージ4によって被覆されることで、少なくとも一つの導電体7の下表面700がディスペンスパッケージの外部に露出される。例えば、少なくとも一つの導電体7が電気的に回路基板1の接地領域103に接続されることができるため、回路基板1の接地領域103は少なくとも一つの導電体7を介して、応用システム(図示せず)の接地領域に電気的に接続されることができる。これにより本発明の画像撮影モジュールMは静電放電(Electrostatic Discharge、ESD)及び電磁妨害(Electromagnetic Disturbance、EMI)等の関連要求に適合することができる。また、少なくとも一つの導電体7は、銅柱、半田ボール、電子部品等の導電部材であってもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
なお、ディスペンスパッケージ4は、回路基板1の下表面102に設けられると共に画像検知チップ2を取り囲み、その厚さH1は、画像検知チップ2の厚さH2よりも大きい。これにより、ディスペンスパッケージ4の厚さH1は、画像検知チップ2の厚さH2よりも大きいため、ディスペンスパッケージ4の先端の回路基板1の下表面102に対する距離は、画像検知チップ2の先端の回路基板1の下表面102に対する距離よりも大きい。よって、画像検知チップ2はディスペンスパッケージ4によって保護されることができる。これにより、外物と衝突しにくいこととなる。
もちろん、第2の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第3の実施例]
図7を参照する。本発明の第3の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。図7と図6との比較から分かるように、本発明の第3の実施例と第2の実施例との最大の相違点は、第3の実施例において、光学フィルタユニット6は、直接回路基板1に設けられ画像検知チップ2と互いに離間できることにある。
つまり、本発明は異なる設計の要求に応じて、光学フィルタユニット6を画像検知チップ2に(図1に示す第1の実施例)、又は回路基板1に設ける(図7に示す第3の実施例)ことができる。
なお、図8を参照する。本発明は、回路基板1と、ディスペンスパッケージ4と、ホルダ構造51とを備える載置ユニットSを更に提供する。回路基板1は、少なくとも一つの電子部品3を載置するために用いられ、少なくとも一つの電子部品3は、回路基板1の下表面102に設けられると共に回路基板1に電気的に接続される。ディスペンスパッケージ4は、少なくとも一つの電子部品3を被覆するように、回路基板1の下表面102に設けられる。ホルダ構造51は回路基板1の上表面101に設けられる。
つまり、図8が提供する載置ユニットSは、画像検知チップ2とレンズ構造52とを載置するためのもののみに限定されない(例えば第1の実施例乃至第3の実施例は同様である)。
もちろん、第3の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第4の実施例]
図9を参照する。本発明の第4の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。図8と図6との比較から分かるように、本発明の第4の実施例と第2の実施例との最大の相違点は、第4の実施例の画像撮影モジュールMは、放熱構造8を更に備え、放熱構造8はディスペンスパッケージ4の平坦面400に設けられると共に、少なくとも一つの導電体7の下表面700に接触することにある。
上述したように、画像検知チップ2は、熱伝導性接着剤(表記せず)を介して放熱構造8に貼り付けることができる。これにより画像検知チップ2の放熱効率を向上する。また、ディスペンスパッケージ4の平坦面400が少なくとも一つの導電体7の下表面700と面一するため、放熱構造8は平坦面400を載置基準面としてその上に設けられることができる。例えば、放熱構造8は、鋼板、銅板又は銅箔等の導電部材であってもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
なお、少なくとも一つの導電体7が電気的に回路基板1の接地領域103に接続されることができるため、回路基板1の接地領域103は順番に少なくとも一つの導電体7と放熱構造8を介して、応用システム(図示せず)の接地領域に電気的に接続されることができる。これにより本発明の画像撮影モジュールMは静電放電(Electrostatic Discharge、ESD)及び電磁妨害(Electromagnetic Disturbance、EMI)等の関連要求に適合することができる。
もちろん、第4の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第5の実施例]
図10を参照する。本発明の第5の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。図10と図6との比較から分かるように、本発明の第5の実施例と第2の実施例との最大の相違点は、第5の実施例において、回路基板1に電気コネクタC1を更に増設してもよく、画像撮影モジュールMは電気コネクタC1を介して後端電子モジュール(図示せず)と電気的に接続することができることにある。
もちろん、第5の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第6の実施例]
図11を参照する。本発明の第6の実施例は、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備える画像撮影モジュールMを提供する。図11と図6との比較から分かるように、本発明の第6の実施例と第2の実施例との最大の相違点は、第6の実施例において、画像撮影モジュールMは、導電構造C2(例えばHot Bar又はACF)を介してフレキシブル回路基板(表記せず)と電気的に当接されることができるため、画像撮影モジュールMは後端電子モジュール(図示せず)と電気的に接続されることができることにある。これにより、画像撮影モジュールMは導電構造C2を介して異なるフレキシブル回路基板と電気的に組み合わせられ、本発明の画像撮影モジュールMの共有性を更に向上する。
もちろん、第6の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第7の実施例]
図12を参照する。本発明の第7の実施例は二つの画像撮影モジュールMを提供する。図12と図6との比較から分かるように、本発明の第7の実施例と第2の実施例との最大の相違点は、第7の実施例は二つの画像撮影モジュールM(即ちデュアルレンズモジュール)を同時に用いることができ、二つの画像撮影モジュールMは同一の回路基板1を共有することができることにある。もちろん、異なる設計の要求に応じて、二つの画像撮影モジュールMは同一のディスペンスパッケージ4及び同一の導電体7を共有してもよい。
もちろん、第7の実施例は第1の実施例の図2、図3又は図4乃至図5の方式に従い画像撮影モジュールMを作製してもよい。
[第8の実施例]
図13を参照する。本発明の第8の実施例は、携帯型電子装置Pを提供する。携帯型電子装置Pは第1乃至第7の実施例中のいかなる画像撮影モジュールMを備えることができる。例えば、画像撮影モジュールMは携帯電話、ノートパソコン又はタブレットPCに用いられてもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。図13に示すように、画像撮影モジュールMは、携帯型電子装置Pの後レンズとされてもよく、回路基板1と、画像検知チップ2と、少なくとも一つの電子部品3と、ディスペンスパッケージ4と、レンズユニット5とを備えてもよいが、本発明はこの例に制限されるものではない。
[実施例の効果]
本発明の効果としては、本発明に係る携帯型電子装置P、画像撮影モジュールM及び載置ユニットSは、「少なくとも一つの電子部品3は、回路基板1の下表面102に設けられると共に回路基板1に電気的に接続され、ディスペンスパッケージ4は、少なくとも一つの電子部品3を被覆するように、回路基板1の下表面102に設けられる」という技術方案及び「ホルダ構造51は回路基板1の上表面101に設けられる」という技術方案により、ホルダ構造51の水平方向における幅又はサイズを縮小することができる。つまり、ホルダ構造51は、直接回路基板1の上表面101に設けられ、特に電子部品3を避ける必要がないため、ホルダ構造51は電子部品3を避けなくてもよい。これにより、水平方向(X方向又はY方向)における幅を低減することができる。ひいては、ホルダ構造51の水平方向におけるサイズを縮小できる。
なお、ディスペンスパッケージ4が回路基板1の下表面102に設けられるため、回路基板1の構造強度は、ディスペンスパッケージ4の補助支持により補強されることができる。更に回路基板1の硬度が向上され反り(warpage)が発生しにくくなる。
なお、ディスペンスパッケージ4の周回延在部40が画像検知チップ2の全ての底面を被覆する場合、ディスペンスパッケージ4は放熱接着剤から形成されてもよいため、画像検知チップ2の放熱効率向上に寄与する。
なお、ディスペンスパッケージ4は回路基板1の下表面102に設けられる囲み状位置制限フレーム9によって取り囲まれ位置制限されてもよい。つまり、ディスペンスパッケージ4に用いられる結合剤の粘度が低い場合、囲み状位置制限フレーム9はダムとして、ディスペンスパッケージ4の成形範囲を制限することができる。もちろん、ディスペンスパッケージ4は、高い粘度を有する結合剤を用いてもよく、このように囲み状位置制限フレーム9の使用を省略することもできる。
なお、本発明は、載置面積の大きい回路基板1を予め用いてもよい。画像撮影モジュールMが作製された後、回路基板を切断することで必要なサイズの画像撮影モジュールM、即ちサイズの小さい画像撮影モジュールMを得ることができる。これにより、画像撮影モジュールMの水平方向(X方向又はY方向)における幅を低減することができる。
以上に開示される内容は本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、これにより本発明の特許請求の範囲を制限するものではないため、本発明の明細書及び添付図面の内容に基づき為された等価の技術変形は、全て本発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。
P 携帯型電子装置
S 載置ユニット
M 画像撮影モジュール
1 回路基板
100 貫通開口
101 上表面
1010 電子部品無し領域
102 下表面
103 接地領域
2 画像検知チップ
200 画像検知領域
3 電子部品
4 ディスペンスパッケージ
400 平坦面
40 周回延在部
5 レンズユニット
51 ホルダ構造
52 レンズ構造
6 光学フィルタユニット
7 導電体
700 下表面
8 放熱構造
9 囲み状位置制限フレーム
C1 電気コネクタ
C2 導電構造
H1、H2 厚さ

Claims (6)

  1. 上表面及び下表面を有する回路基板と、
    前記回路基板に電気的に接続され、画像検知領域を有する画像検知チップと、
    前記回路基板における一番下の底面となる前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される少なくとも一つの電子部品と、
    前記少なくとも一つの電子部品を被覆するように、前記回路基板における一番下の底面となる前記下表面に設けられるディスペンスパッケージと、
    前記回路基板の上表面に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造と、を備えるレンズユニットと、
    を備え、
    前記ディスペンスパッケージの側辺は、少なくとも1つの切断面を有し、
    前記ディスペンスパッケージは、前記画像検知チップの下表面の一部分を被覆した周回延在部をさらに有し、前記周回延在部に被覆されない前記前記画像検知チップの下表面の他部分は露出されている、ことを特徴とする、画像撮影モジュール。
  2. 前記回路基板の前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される少なくとも一つの導電体を更に備え、
    前記少なくとも一つの導電体の一部が前記ディスペンスパッケージによって被覆されることで、前記少なくとも一つの導電体の下表面が前記ディスペンスパッケージの外部に露出し、
    前記ディスペンスパッケージは前記少なくとも一つの導電体の前記下表面と面一する平坦面を有し、
    前記ディスペンスパッケージは前記画像検知チップを取り囲み、
    前記ディスペンスパッケージの厚さは前記画像検知チップの厚さよりも大きく、
    前記回路基板の前記上表面には、前記ホルダ構造によって取り囲まれると共に他の電子部品によって占められていない電子部品無し領域を有し、
    前記回路基板の側辺は、前記少なくとも1つの切断面と対応するように面一に形成される平面を有することを特徴とする、請求項1に記載の画像撮影モジュール。
  3. 放熱構造を更に備え、
    前記放熱構造は前記ディスペンスパッケージの前記平坦面に設けられると共に前記少なくとも一つの導電体の前記下表面に接触し、
    前記画像検知チップは、熱伝導性接着剤を介して前記放熱構造に貼り付けられ、
    前記回路基板は、前記上表面と前記下表面との間に接続される貫通開口を有し、
    前記画像検知チップは前記回路基板の前記下表面に設けられ、
    前記画像検知チップの前記画像検知領域は前記貫通開口と対向し、
    前記回路基板に外部の電子モジュールと電気的に接続するための電気コネクタを更に増設することを特徴とする、請求項2に記載の画像撮影モジュール。
  4. 画像撮影モジュールを備える携帯型電子装置であって、
    前記画像撮影モジュールは、
    上表面及び下表面を有する回路基板と、
    前記回路基板に電気的に接続され、画像検知領域を有する画像検知チップと、
    前記回路基板における一番下の底面となる前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される少なくとも一つの電子部品と、
    前記少なくとも一つの電子部品を被覆するように、前記回路基板における一番下の底面となる前記下表面に設けられるディスペンスパッケージと、
    前記回路基板の上表面に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造と、を備えるレンズユニットと、
    を備え、
    前記ディスペンスパッケージの側辺は、少なくとも1つの切断面を有し、
    前記ディスペンスパッケージは、前記画像検知チップの下表面の一部分を被覆した周回延在部をさらに有し、前記周回延在部に被覆されない前記前記画像検知チップの下表面の他部分は露出されている、ことを特徴とする、携帯型電子装置。
  5. 前記画像撮影モジュールは、前記回路基板の前記下表面に設けられると共に前記回路基板に電気的に接続される少なくとも一つの導電体を更に備え、
    前記少なくとも一つの導電体の一部が前記ディスペンスパッケージによって被覆されることで、前記少なくとも一つの導電体の前記下表面が前記ディスペンスパッケージの外部に露出し、
    前記ディスペンスパッケージは前記少なくとも一つの導電体の前記下表面と面一する平坦面を有し、
    前記ディスペンスパッケージは前記画像検知チップを取り囲み、
    前記ディスペンスパッケージの厚さは前記画像検知チップの厚さよりも大きく、
    前記回路基板の前記上表面には、前記ホルダ構造によって取り囲まれると共に他の電子部品によって占められていない電子部品無し領域を有し、
    前記回路基板の側辺は、前記少なくとも1つの切断面と対応するように面一に形成される平面を有することを特徴とする、請求項に記載の携帯型電子装置。
  6. 前記画像撮影モジュールは放熱構造を更に備え、
    前記放熱構造は、前記ディスペンスパッケージの前記平坦面に設けられると共に前記少なくとも一つの導電体の前記下表面に接触し、
    前記画像検知チップは、熱伝導性接着剤を介して前記放熱構造に貼り付けられ、
    前記回路基板は、前記上表面と前記下表面との間に接続される貫通開口を有し、
    前記画像検知チップは前記回路基板の前記下表面に設けられ、
    前記画像検知チップの前記画像検知領域は前記貫通開口と対向し、
    前記回路基板に外部の電子モジュールと電気的に接続するための電気コネクタを更に増設することを特徴とする、請求項に記載の携帯型電子装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
CN110896435B (zh) * 2018-09-13 2021-07-20 三赢科技(深圳)有限公司 相机模组
CN111212202A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 纮华电子科技(上海)有限公司 影像获取模块及便携式电子装置
WO2020134469A1 (zh) * 2018-12-28 2020-07-02 宁波舜宇光电信息有限公司 镜头组件、感光组件和摄像模组及其组装方法
CN109491181B (zh) * 2019-01-02 2024-03-19 昆山丘钛微电子科技股份有限公司 相机模组及其制造方法
TWI681564B (zh) * 2019-01-10 2020-01-01 茂達電子股份有限公司 行動通訊裝置及其光學封裝結構
CN113552682A (zh) * 2020-04-21 2021-10-26 三赢科技(深圳)有限公司 镜头封装模组及其制作方法
CN111787202A (zh) * 2020-07-13 2020-10-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组、电子设备以及具有其的车辆
WO2023135929A1 (ja) * 2022-01-11 2023-07-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 パッケージ

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164471A (ja) * 2000-11-15 2002-06-07 United Test Center Inc 薄型半導体装置及びその製造方法
JP3859679B2 (ja) 2001-08-07 2006-12-20 日立マクセル株式会社 カメラモジュール
JP2004282227A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
US6943423B2 (en) * 2003-10-01 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
JP2005327842A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Citizen Electronics Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
CN101075624A (zh) * 2006-05-18 2007-11-21 大瀚光电股份有限公司 覆晶式取像模块封装结构及其封装方法
JP2009070882A (ja) 2007-09-11 2009-04-02 Kyushu Institute Of Technology 半導体チップパッケージ及びその製造方法
KR100915134B1 (ko) 2008-12-10 2009-09-03 옵토팩 주식회사 이미지 센서 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP2011018736A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Toshiba Corp 半導体装置
US8003496B2 (en) * 2009-08-14 2011-08-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting semiconductor die to heat spreader on temporary carrier and forming polymer layer and conductive layer over the die
US8934052B2 (en) * 2010-11-02 2015-01-13 Stmicroelectronics Pte Ltd Camera module including an image sensor and a laterally adjacent surface mount device coupled at a lower surface of a dielectric material layer
JP2012238687A (ja) 2011-05-11 2012-12-06 Sony Corp 半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、および固体撮像装置
EP2747411A4 (en) * 2011-08-19 2015-04-15 Fujifilm Corp IMAGING ELEMENT MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2013106001A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Olympus Corp 撮像ユニット
TWI512961B (zh) * 2013-08-16 2015-12-11 Azurewave Technologies Inc 用於降低整體厚度的影像感測模組及其製作方法
CN203492103U (zh) * 2013-09-17 2014-03-19 南昌欧菲光电技术有限公司 影像模组
CN103956371A (zh) * 2014-05-20 2014-07-30 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感器模组及其形成方法
CN204334747U (zh) * 2014-12-25 2015-05-13 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像头模组
JP6061967B2 (ja) 2015-03-05 2017-01-18 三菱電機株式会社 パワー半導体装置
TWI559464B (zh) 2015-03-12 2016-11-21 恆勁科技股份有限公司 封裝模組及其基板結構
CN204945470U (zh) 2015-04-13 2016-01-06 达立光科技有限公司 模块化自动对焦装置
CN105681637B (zh) * 2016-03-15 2019-12-31 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件

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